Исследование двухчастотных полупроводниковых лазеров методом ближнепольной сканирующей оптической микроскопии
Диссертация
Исследование и создание новых, перспективных конструкций полупроводниковых лазеров на наногетероструктурах становится особенно актуальным в эпоху интенсивного развития нанотехнологий. В последнее время повышенный интерес вызывают различные лазеры на гетероструктурах, генерирующие монохроматическое излучение одновременно в двух разных частотных полосах. Интерес к ним вызван, во-первых, тем, что… Читать ещё >
Список литературы
- Басов Н.Г., Крохин О. Н., Попов Ю. М. Получение состояний с отрицательной температурой в р-n переходах вырожденных полупроводников // Журн. эксперим. и теорет. физ. — 1961. — Т. 40. — С. 1879−1880.
- Nathan M.I., at al. Stimulated emission of radiation from GaAs р-n junctions // Appl. Phys. Lett. 1962. — Vol. 1. — P. 62
- V.Ya. Aleshkin, A.A. Afonenko, N.B. Zvonkov. Difference Mode Generation in Injection Lasers // Semiconductors. 2001. — Vol. 35. — P. 1203.
- M.A. Paesler and P.J. Moyer. Near-Field optics: theory, instrumentation, and applications // Wiley, 1996. P. 355.
- M.S. Unlti, B.B. Goldberg, W.D. Herzog and D. Sun, E. Towe. Near-field optical beam induced current measurements on heterostructures // Appl. Phys. Lett. — 1995. -Vol. 67 (13).-P. 1862.
- W.D. Herzog, M.S. Unlu, B.B. Goldberg, G.H. Rhodes, C. Harder. Beam divergence and waist measurements of laser diodes by near-field scanning optical microscopy // Appl. Phys. Lett. 1997. — Vol. 70 (6). — P. 688.
- A.V. Ankudinov, V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, V.P. Ulin, and A.N.Titkov. Nanorelief of an oxidized cleaved surface of a grid of alternating Ga0.7A10.3As and GaAs // Semiconductors. 1999. — Vol. 33 (5). — P. 555.
- Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. — Т. 32. — С. 3−18.
- P. Moriarty, G. Hughes. An investigation of the early stages of native oxide growth on chemically etched and sulfur-treated GaAs (100) and InP (100) surfaces by scanning tunnelling microscopy // Ultramicroscopy. 1992. — Vol. 42−44. — P. 956.
- I. Suemune, M. Hoshiyama. Discrimination of Compound Semiconductor Heterointerfaces by Simultaneous Observations of Atomic Force Microscopy and Lateral Force Microscopy // Japan. J. Appl. Phys. 1994. — Vol. 33 (pt 1). — P. 3748.
- G. Bratina, L. Vanzetti, A. Franciosi. Cross-sectional lateral-force microscopy of semiconductor heterostructures and multiple quantum wells // Phys. Rev. B. 1995. -Vol. 52-P. R8625.
- Y. Martin, D. W Abraham, H.K. Wickramasinghe. High-resolution capacitance measurement and potentiometry by force microscopy // Appl. Phys. Lett. — 1988. -Vol. 52.-P. 1103.
- D. Sarid. N.Y. Scanning Force Microscopy 11 Oxford University Press, — 1992
- A.B. Анкудинов, Е. Ю. Котельников, A.A. Канцельсон, В. П. Евтихиев, А. Н. Титков. Микроскопия электростатических сил на сколах полупроводниковых лазерных диодов // ФТП. 2001. — Т. 35 (7) — С. 874.
- H.J. Leamy. Charge collection scanning electron microscopy // J. Appl. Phys. -1982. Vol. 53.-P. R51.
- F. Robin, H. Jacobs, O. Homan, A. Stemmer, W Bachtold. Investigation of the cleaved surface of a p-i-n laser using Kelvin probe force microscopy and two-dimensional physical simulations // Appl. Phys. Lett. 2000 — Vol. 76. — P. 2907
- J.W Hong, K.H. Noh, Sang-il Park, S.I. Kwun, Z.G. Khim. Surface charge density and evolution of domain structure in triglycine sulfate determined by electrostatic-force microscopy // Phys. Rev. B. 1998 — Vol. 58. — P. 5078.
- A.B. Анкудинов, В. П. Евтихиев, B.E. Токранов, В. П. Улин, А. Н. Титков Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Gao.7Alo.3As и GaAs // ФТП. 1999. — Т. 33 (5) — С. 594−597
- W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces // (Springer Verlag) Springer Ser. Surf Sci. 1993. — Vol. 26 (17). — P. 276.
- H. Ohno, L. A. Nagahara, S. Gwo, W. Mizutani, H. Tokumoto. Nanometer-Scale Wires of Monolayer Height Alkanethiols on AlGaAs/GaAs Heterostructures by Selective Chemisorption // Japan. J. Appl. Phys. 1996. — Vol. 35 (2). — P. N4B, L512.
- Пунегов В.И. О рентгеновской дифракции на сверхрешетке с хаотически распределенными аморфными включениями // ФТТ. 1990. — Т. 32 (8). — С. 2476−2479.
- Пунегов В.И. Влияние дефектов структуры на угловое распределение рентгеновской Лауэ-дифракции в тонком кристалле // Письма в ЖТФ. — 1992. — Т. 18 (4).-С. 66−70.
- Пунегов В.И., Павлов К. М. Кинематическая теория рентгеновской дифракции на гармонической сверхрешетке с микродефектами // Кристаллография. 1993. — Т. 38 (5) — С. 34−42.
- Holy V., Kub’ena J., Ploog К. X-Ray-Analysis of Structural Defects in A Semiconductor Superlattice // Phys. St. Sol. (b). 1990. — Vol. 162. — P. 347.
- Holy V., Kub’ena J., Ohlidal I., Ploog K. The diffuse X-ray scattering in real periodical superlattices // Superlattices and Microstructures. 1992. — Vol. 12 (1). -P. 25−35.
- Holy V. Diffuse-X-Ray Scattering from Nonideal Periodical Crystalline Multilayers // Appl. Phys. A. 1994. — Vol. 58. — P. 173−180.
- Я.И. Нестерец, В. И. Пунегов, К. М. Павлов, Н. Н. Фалеев Исследование структурных характеристик полупроводниковой сверхрешетки (InGa)As/GaAs с использованием высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии // ЖТФ. 1999. — Т. 69 (2). — С. 44−53.
- М.А. Herman, D. Bimberg, J. Christen. Heterointerfaces in quantum wells and epitaxial growth processes: Evaluation by luminescence techniques // J. Appl. Phys. -1991.-Vol. 70 P. Rl.
- M. Tanaka, H. Sakaki. Atomistic models of interface structures of GaAs-AlxGai-xAs (x = 0.2−1) quantum wells grown by interrupted and uninterrupted MBE // Cryst. Growth. 1987. — Vol. 81. — P. 153.
- R.F. Kopf, T.D. Harris, R.S. Becker. Photoluminescence of GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy with growth interruptions // Appl. Phys. Lett. — 1991.-Vol. 58.-P. 631.
- R. Zimmermann, E. Runge, F. Grosse. Ed.M. Scheffler. Influence of interface and alloy disorder// World Scientific, Singapore. 1996. — Vol. 3. — P. 1935.
- A. Outmazd, D. W. Taylor, I. Cunningham, and С W. Tu. Chemical Mapping of Semiconductor Interfaces at Near-Atomic Resolution // Phys. Rev. Lett. 1990 -Vol. 62.-P. 933.
- C. A. Warwick, W. Y. Jan, and A, Ourmazd, and T. D. Harris. Does Luminescence Show Semiconductor Interfaces to be Atomically Smooth? // Appl. Phys.Lett. 1990. — Vol. 56. — P. 2666.
- K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, and R. Ito. Anomalies in Photoluminescence Linewidth of InGaAs/GaAs Strained-Layer Quantum Wells // Surf. Sci. 1992. -Vol. 267.-P. 107.
- H. Hasegawa, H. Ohno, H. Ishih, T. Haga, Y. Abe, and H. Takahashi. Origin and properties of interface states at insulator-semiconductor and semiconductorsemiconductor interfaces of compound semiconductors // Appl. Surf. Sci. 1989. -Vol. 41/42-P. 372.
- E. Molinari, S. Baroni, P. Giannozzi, S. de Gironcoli. Effects of disorder on the Raman spectra of GaAs/AlAs superlattices // Phys. Rev. B. 1992. — Vol. 45. C. 4280.
- B.A. Гайслер, Д. А. Тэннэ, H.T. Мошегов, А. И. Торопов, А. П. Шебанин, А. А. Яскин. Фононный спектр сверхрешеток ОаАз/А1А8:прямая и обратная спектральные задачи // ФТТ. 1996 — Т. 38 (7). — С. 2242.
- B.JI. Альперович, H.T. Мошегов, B.B. Попов, A.C. Терехов, B.A. Ткаченко, А. И. Торопов, A.C. Ярошевич Определение шероховатостей гетерограниц по спектрам фототока короткопериодных сверхрешеток AlAs/GaAs // ФТТ. 1997. -Т. 39 (11)-С. 2085−2089.
- В.Н. Бессолов, Ю. В. Жиляев, Е. Е. Заварин, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, А. С. Усиков, В. А. Федирко. Нанорельеф поверхности GaN: влияние сульфидной обработки // ФТП. 2000. — Т. 34 (11). — С. 1353−1356.
- Н.Л. Попов, Ю. А. Успенский, А. Г. Турьянский, И. В. Пиршин, А. В. Виноградов, Ю. Я. Платонов. Определение параметров многослойных наноструктур с помощью двухволновой рентгеновской рефлектометрии // ФТП. 2003. — Т. 37 (6). — С. 700−705.
- К.Д. Моисеев, А. А. Ситникова, Н. Н. Фалеев, Ю. П. Яковлев. Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/Galno.nAso^Sb с резкой планарной границей раздела // ФТП. 2000. — Т. 34 (12). — С. 1438−1442.
- В.Г. Груздев, А. О. Косогов, Н. Н. Фалеев // ПЖТФ. 1996. Т. 20 (14). — С. 1.
- В.А. Соловьев, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, М. В. Степанов, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерных структур // ФТП. 1998. — Т. 32 (11) — С. 1300−1305.
- С.Г. Конников. Полупроводниковые гетероструктуры. В кн.: под ред. Ж. И. Алферова. М.: Мир, 1989.
- Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери, П. Эчлин, Д. Джой, Ч. Фиори, Э. Лифшин. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. — М.: Мир, 1984, кн. 1.
- Е.Г.Голикова, В. П. Дураев, С. А. Козиков, В. Г. Кригель, О. А. Лабутин, В. И. Швейкин. Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями // Квант. Электрон. 1995. — Т. 22 (2). — С. 105−107.
- R.M. Feenstra. Cross-sectional scanning tunnelling microscopy of III-V semiconductor structures // Semicond. Sci. Technol. 1994. — Vol. 9. — C. 2157
- J.F. Zheng, D.F. Ogletree, J. Walker, M. Salmeron, E. R. Weber. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser structure // J. Vac. Sci. Technol. B. 1994. — 12 (3). — P. 2100.
- S. L. Zuo, E. T. Yu, A. A. Allerman, R.M. Biefeld. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAsSb/InAsP superlattices // J. Vac. Sci. Technol. B. — 1999-Vol. 17 (4).-P. 1781.
- S. L. Zuo, W. G. Bi, C. W. Tu, E. T. Yu. A scanning tunneling microscopy study of atomic-scale clustering in InAsP/InP heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1998. -Vol. 72 (17).-P. 2135−2137.
- B. Lita R. S. Goldman J. D. Phillips P. K. Bhattacharya. Interdiffusion and surface segregation in stacked self-assembled InAs/GaAs quantum dots // Appl. Phys. Letts. 1999. — Vol. 75 (18). — P. 2797−2799.
- N. Liu С. K. Shih J. Geisz, A. Mascarenhas, J. M. Olson. Alloy ordering in GalnP alloys: A cross-sectional scanning tunneling microscopy study // Appl. Phys. Lett. 1998.- Vol. 73 (14) — P. 1979−1981.
- Физика полупроводниковых лазеров. Под ред. X. Такумы // М., Мир, 1989.
- Dutta N.K. Current injection in multi-quantum well lasers // IEEEJ. Quantum Electron. 1983. — Vol. 19. — P. 794.
- А.П. Богатов, A.E. Дракин, A.A. Лях, A.A. Стратоников. Зависимость диаграммы направленности излучения квантоворазмерного гетеролазера, работающего на вытекающей моде, от тока накачки // Квантовая электроник. — 2001. Т. 31 (10). — С. 847−852
- В.И. Швейкин, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Ю. В. Курнявко. Диаграмма направленности излучения квантоворазмерных лазеров InGaAs/GaAs, работающих на 'вытекающей' моде // Квантовая электроника. 1999. — Т. 26 (1). — С. 33−35.
- А.П. Астахова, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. Перестраиваемый лазер на основе InAsSb/InAsSbP с высокой направленностью излучения в плоскости р-п перехода // ФТП. — 2000. -Т. 34 (9).-С. 1142.
- Т.Н. Данилова, А. П. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. Пространственное распределение излучения в дальней зоне мезаполосковых лазеров на основе InAsSb/InAsSbP в зависимости от тока // ФТП. 1998. — Т. 32 (3). — С. 373−376
- Е.Г. Голикова, В. П. Дураев, С. А. Козиков, В. Г. Кригель, О. А. Лабутин, В. И. Швейкин. Лазеры на основе InGaAs/InP с квантово-размерными слоями // Квантовая электроника. 1995. — Т. 22 (2). — С. 105−107.
- А.П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Странников, В. П. Коняев. Яркость и филаментация оптического потока мощных квантоворазмерных In0.2Ga0.8As/GaAs^a3epOB, работающих в непрерывном режиме // Квантовая электроника. 2000. — Т. 30 (5). — С. 401−405.
- Н.А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С Тарасов. Анализ пороговой плотности тока и усиления в квантово-размерных лазерах на основе твердых растворов InGaAsP // ФТП. 2002. — Т. 36 (3). — С. 364−374.
- S. Civis, A.N. Imenkov, А.Р. Danilova, N.M. Kolchanova, V.V. Sherstnev, Y.P. Yakovlev, A.D. Walters. Diode laser spectroscopy using two modes of an InAsSb/InAsSbP laser near 3.6 |im // Appl. Phys. В 2000. — Vol. 71. — P. 481−485
- A.IO. Лешко, A.B. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Г. В. Скрынников, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Н. В. Фетисова. О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантово-размерных лазерах на основе InGaAsP / InP // ФТП. 2000. — Т. 34 (12). — С. 1457−1461.
- Г. В. Скрынников, Г. Г. Зегря, Н.А. Пихтин% С. О. Слипченко, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов. О внутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP-гетеролазеров (А, =1.55 мкм) // ФТП. 2003. — Т. 37 (2). — С. 243−248
- Д.А. Лившиц, А. Ю. Егоров, И. В. Кочнев, В. А. Капитонов, В. М. Лантратов, Н. Н. Леденцов, Т. А. Налет, И. С. Тарасов. Рекордные мощностные характеристики лазеров на основе InGaAs / AlGaAs / GaAs-гетероструктур // ФТП.-2001.-Т. 35 (3).-С. 380−384
- Lynford L Goddard, Michael Kneissl, David P. Bour, and N. M. Johnson. Gain characteristic of continuous-wave InGaN multiple quantum well laser diodes during life testing // J Appl. Phys. 2000. — Vol. 88 (7). — P. 3820.
- S. K. Buratto, J. W. P. Hsu, E. Betzig, J. K. Trautman, R. B. Bylsma, C.C. Bahr, and M. J. Cardillo Near-field photoconductivity: Application to carrier transport in InGaAsP quantum well lasers // Appl. Phys. Lett. 1994. — Vol. 65. — P. 2654.
- S. К. Buratto, J. W. P. Hsu, J. K. Trautman, E. Betzig, R. B. Bylsma, C.C. Bahr, M. J. Cardillo. Imaging InGaAsP quantum-well lasers using near-field scanning optical microscopy // J. Appl. Phys. 1994. — Vol. 76. — P. 7720.
- A. Richter, J.W. Tomm, Ch. Lienau, J. Luft. Near-field scanning optical microscopy of polarization bistable laser diodes // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 69 (26).-P. 3981.
- S.K. Buratto, J.W.P. Hsu, E. Betzig, J.K. Trautman, R.B. Bylsma, C.C. Bahr, and M.J. Cardillo. Near-field photoconductivity: Application to carrier transport in InGaAsP quantum well lasers// Appl. Phys. Lett. 1994. — Vol. 65. — P. 2654.
- Ch. Lienau, A. Richter, J.W. Tomm. Near-field photocurrent spectroscopy: A novel technique for studying defects and aging in high-power semiconductor lasers // Appl. Phys. A. 1997. — Vol. 1 (11). — P. 554.
- C.B. Гапонов, В. Ф. Дряхлушин, В Л. Миронов, Д. Г. Ревин. Исследование фотолюминесценции и модификации гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs методами сканирующей ближнепольной микроскопии // Письма в ЖТФ. 1997. — Т. 23 (16). — С. 20−25
- Harris T.D., Gershoni D., Grober R.D., Pfeiffer L., West K., Chaiid N. Near-field optical spectroscopy of single quantum wires // Appi. Phys. Lett. 1996. — Vol. 68 (7).-P. 988−990.
- Г. Биннинг, Г. Рорер. Сканирующая туннельная микроскопия — от рождения к юности // Нобелевские лекции по физике 1996. УФН вып.2, 1988. -Т. 154.-С. 261−278
- Benning G., Quate C.F., Gereber Ch. Atomic Force Microscope // Phys.Rev.Lett. 1986. — Vol. 56 (9). — P. 930−933.
- B.C. Эдельман. Сканирующая туннельная микроскопия (обзор) // ПТЭ. -1989. Т. 5. — С.25−49
- Е.А. Ash and G. Nicholls. Super-resolution Aperture Scanning Microscope // Nature. 1972.-Vol. 237.-P. 510−512.
- Борн M., Вольф Э. Основы оптики. -M.: Наука, 1970.
- Дюков В.Г., Кудеяров Ю. А. Растровая оптическая микроскопия, М.: Наука, 1992.
- D.W. Pohl, W. Denk, and М. Lanz. Optical spectroscopy: image recording with resolution A/20 // Appl.Phys.Lett. 1984. Vol. 44. — P. 651.
- Betzig E. et.al. Breaking the Diffraction Barrier: Optical Microscopy on a Nanometric Scale// Science. 1991. Vol. 251. — P. 1468.
- Zenhausern F, Martin Y, Wickramasinghe H.K. Scanning Interferometric Apertureless Microscopy: Optical Imaging at 10 Angstrom Resolution // Science. 1995.-Vol. 269.-P. 1083.
- H.A. Bethe. Theory of Diffraction by Small Holes // Phys.Rev. 1944. Vol. 66. -P. 163.
- U. Durig, D.W. Rohl, F. Rohner. Near-field optical-scanning microscopy // J. Appl. Phys. 1986. — Vol. 59, №. 4. — P. 3318.
- Novotny L., Pohl D.W., Regli Light propagation through nanometer-sized structures: the two dimensional-aperture scanning near-field optical microscope // J. Opt. Soc.Am. A.-1994.-Vol. 11, N6.-P. 1768−1779.
- Hess H.F. et.al. Individual quantum structures // Science. 1994. — Vol. 264. -P. 1740.
- Smolyaninov I.I., Mazzoni D.L., Mait J., Davis C.C. Experimental study of surface-plasmon scattering by individual surface defects // Phys.Rev.B. — 1997. -Vol. 56, No.3. P. 1601−1611.
- В.П. Вейко, Н. Б. Вознесенский, Ю. М. Воронин, В. Ф. Дряхлушин. Ближнепольные оптические зонды: методы изготовления, основные характеристики и контроль аппаратуры // Оптический журнал. 1998. — Т. 65. — С. 31−57
- К. Karrai, R. D. Grober. Piezoelectric tip-sample distance control for near-field optical microscopes //Appl. Phys. Lett. 1995. — Vol. 66, №. 14. — P. 1842.
- F. Capasso, A. Tredicucci, С. Gmachl, D.L. Sivco, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho, G. Scamarcio. High-performance superlattice quantum cascade lasers // IEEE J. Select. Topics Quant. Electron. 1999. — Vol. 5 (3). — P. 792.
- M. Rochat, L. Ajili, H. Willenberg, J. Faist. Low-threshold terahertz quantum-cascade lasers // Appl. Phys. Lett. 2002. — Vol. 81 (8). — P. 1381.
- A. Andronov, E. Gornik. Special issue Far-infrared semiconductor lasers // Opt. Quant. Electron. — 1991. — Vol. 23 (2).
- A.A. Belyanin, F. Capasso, V.V. Kocharovsky, VI. V. Kocharovsky, M.O. Scully. Infrared generation in low-dimensional semiconductor heterostructures via quantum coherence // Phys. Rev. A. 2001. — Vol. 63 — P. 803.
- В.Я Алешкин, A.A. Афоненко, Н. Б. Звонков. Генерация разностной моды в полупроводниковых лазерах // ФТП. 2001. — Т. 35 (10). — С. 1256−1260
- Матвеев А.Н. Оптика. М.: Высшая школа, 1985.
- А.А. Афоненко, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов. Нелинейная генерация дальнего инфракрасного излучения в двухчастотных полупроводниковых лазерах // ФТП. 2004. — Т. 38 (2). — С. 244−248.
- Н.Б. Звонков, С. А. Ахлестина, А. В. Ершов, Б. Н. Звонков, Г. А. Максимов, Е. А. Ускова. Полупроводниковые лазеры на длину волны 0.98 мкмс выходом излучения через подложку // Квант, электрон. 1999. — Т. 26. — С. 217−218
- В.А. Перевощиков, В. Д. Скупов. Физико-химические основы технологии обработки и поверхности полупроводников // Учебное пособие. Н. Новгород: изд. ННГУ, 1997. — С. 254.
- J. Kim, J.T. Boyd, H.E. Jakson, K.D. Choquette. Near-field spectroscopy of selectively oxidized vertical cavity surface emitting lasers // Appl. Phys.Lett. — 2000. -Vol. 76.-P. 526.
- D.K. Young, M.P. Mack, A.C. Abare, and et al. Near-field scanning optical microscopy of indium gallium nitride multiple-quantum-well laser diodes // Appl. Phys.Lett. 1999. — Vol. 74. — P. 2349.
- J. Kim D.E. Pride, J.T. Boyd, H.E. Jakson. Spectrally-resolved near field investigation of proton implanted vertical cavity surface emitting lasers // Appl.Phys.Lett. 1998. — Vol. 72. — P. 3112.
- K.P. Gaikovich, V.F. Dryakhlushin, A.V. Kruglov, and A.V. Zhilin. Rectification of SNOM-Image taking into account the probe transfer function // Phys. Low-Dim. Struct. 2002. — Vol. 5/6. — P. 93.
- Y. Tokuda, N. Tsukada, K. Fujiwara, K. Hamanaka, and T. Nakayama. Widely separate wavelength switching of single quantum well laser diode by injection-current control // Appl. Phys. Lett. 1986. — Vol. 49. — P. 1629−1631.
- S. Ikeda, A. Shimizu. Evidence of the wavelength switching caused by a blocked carrier transport in an asymmetric dual quantum well laser // Appl. Phys. Lett. -1991.- Vol. 59. P. 504−506.
- T. R. Chen, Y. Zhuang, Y. J. Xu, B. Zhao, A. Yariv, J. Ungar, and Se Oh. Second quantized state oscillation and wavelength switching in strained-layer multiquantum-well lasers // Appl. Phys. Lett. 1992. — Vol. 60. — P. 2954 — 2956
- Анкудинов A.B., Евтихиев В. П., Токранов B.E., Улин В. П., Титков А. Н. Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Gao.7Alo.3As и GaAs // ФТП. 1999. — Т. 33 (5). — С. 594−597
- К. Karrai, R. D. Grober. Piezoelectric tip-sample distance control for near feld optical microscopes // Appl. Phys. Letts. 1995. — Vol. 66 (14). — P. 1842 — 1844.
- В.Ф. Дряхлушин, А. Ю. Климов. B.B. Рогов. А. В. Круглов. Зонды для сканирующего ближнепольного оптического микроскопа // Поверхность. — 2000. Т. 7. — С. 40−42