Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Кинетика атомных процессов и формирование сверхтонких пленок Cr, Co и их дисилицидов на Si (III)

Диссертация: Кинетика атомных процессов и формирование сверхтонких пленок Cr, Co и их дисилицидов на Si (III)
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Модернизировать экспериментальную сверхвысоковакуумную установку, позволяющую производить исследования по формированию границы раздела в широком диапазоне скоростей осаждения (влияние кинетики на формирование границы раздела). Сюда входят разработка и создание источников Сг и Со, позволяющих производить напыление не только с низкой, но и с высокой скоростью осаждения, разработка и создание… Читать ещё >

Кинетика атомных процессов и формирование сверхтонких пленок Cr, Co и их дисилицидов на Si (III) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Активированные реакцией процессы при формировании границы раздела переходный металл-кремний
    • 1. 1. Формирование поверхностных фаз в системе Co/S
    • 1. 2. Модели формирования границы раздела металл-полупроводник
      • 1. 2. 1. Количественная модель (BGW) роста реактивной металл-полупроводниковой границы раздела применительно к результатам ФЭС
      • 1. 2. 2. Вероятностная модель формирования границы раздела металл-полупроводник (ВН)
  • Глава 2. Методика и техника эксперимента
    • 2. 1. Электронно-зондовые методы исследования поверхности
      • 2. 1. 1. Электронная Оже — спектроскопия
      • 2. 1. 2. Дифракция медленных электронов
      • 2. 1. 3. Спектроскопия характеристических потерь энергии электронов
    • 2. 2. Экспериментальное оборудование
    • 2. 3. Методика приготовления образцов
    • 2. 4. Измерение температуры подложки S
    • 2. 5. Источники Сг и Со и калибровка скорости осаждения
    • 2. 6. Электрофизические измерения
    • 2. 7. Программно-аппаратный комплекс для зондовых измерений ВАХ
      • 2. 7. 1. Плата ввода — вывода L
      • 2. 7. 2. Плата интерфейса
      • 2. 7. 3. Программный комплекс
  • Глава 3. Моделирование процесса формирования границы раздела Cr/Si и анализ экспериментальных данных
    • 3. 1. Вывод формулы для интенсивности эмиссии оже-электронов в модели ВН
    • 3. 2. Модель ВН для системы Cr/Si — сравнение с экспериментом
    • 3. 3. Кинетический механизм формирования границы раздела металл-полупроводник
      • 3. 3. 1. Диффузия атомов в подложку в процессе осаждения
      • 3. 3. 2. Зарождение и рост двумерных кластеров
      • 3. 3. 3. Модель атомного перемешивания
      • 3. 3. 4. Сравнение модели с экспериментом: стационарный режим осаждения
      • 3. 3. 5. Зависимость механизма роста от режима осаждения
  • Глава 4. Исследование поверхностных фаз и границы раздела в системе
  • Si (l 11)7×7-Со
    • 4. 1. Поверхностные фазы системы Si (l 11)-Со
    • 4. 2. Пленки Со на Si (l 11) толщиной 2 монослоя
    • 4. 3. Фаза при d «3 МС
    • 4. 4. Механизм формирования границы раздела Co/Si (l 11) при комнатной температуре
    • 4. 5. Роль скорости осаждения в формировании границы раздела Co/Si (l 11)
  • Глава 5. Начальная стадия роста и электрофизические свойства сверхтонких пленок Сг и CrSi2 на Si (l 11) при высоких скоростях осаждения
    • 5. 1. Рост при комнатной температуре
      • 5. 1. 1. Влияние скорости осаждения на начальную стадию формирования границы раздела при комнатной температуре
      • 5. 1. 2. Механизм формирования границы раздела Cr/Si при высоких скоростях осаждения
      • 5. 1. 3. Модификация механизма роста поверхностной фазой 7×7-Сг
    • 5. 2. Эпитаксия сверхтонких пленок CrSi2 при высокоскоростном импульсном напылении
      • 5. 2. 1. Формирование сверхтонкой эпитаксиальной пленки CrSi2 методами
  • РМЛЭ и РТФЭ
    • 5. 2. 2. Роль затравочного слоя в эпитаксии CrSi2 R30° методом РМЛЭ
    • 5. 3. Электрофизические характеристики полученных пленок
  • Заключение
  • Литература
  • Приложения

Актуальность работы. Бурный прогресс в микроэлектронике, особенно в области цифровой техники, при постоянной тенденции в сторону миниатюризации ее элементов вызывает пристальное внимание к выращиванию сверхтонких слоев металла на полупроводнике. В современных интегральных схемах степень интеграции возросла настолько, что размер отдельного активного элемента не превышает долей микрона, -т.е. фактически работа ведется в нанометровом диапазоне.

Сложности, которые возникают в процессе создания подобного рода устройств, связаны не только с рядом технических проблем, но и с необходимостью учитывать физические эффекты, которые имеют место на границе раздела металл — полупроводник.

Например, проблема создания планарного рисунка с манометровым размером элементов и резкой границей раздела как в плоскости подложки, так и перпендикулярно ей, носит комплексный характер. С одной стороны, это проблема литографии, которая накладывает свои ограничения на размер элемента. С другой стороны, возникают ограничения, связанные с диффузионными процессами на поверхности и в объеме полупроводника, которые приводят к «размытию» профиля элемента.

Поэтому одно из основных направлений решения данной проблемы — это исследование формирования резкой и совершенной границы раздела металл-полупроводник.

Другое направление в интегральной схемотехнике — создание объемных интегральных схем. При этом возникает особое требование к структуре каждого слоя и основная проблема — это создание эпитаксиальной пленки с захороненным слоем металла или полупроводника.

Как показывает практика, решение подобных проблем зачастую связано с разработкой новых технологий, в частности, сверхвысоковакуумных.

Исследования формирования границы раздела и эпитаксиальных сверхтонких пленок металла на полупроводнике в сверхвысоком вакууме относятся к наиболее перспективным направлениям в области создания высокоинтегрированных полупроводниковых схем. Как свидетельствуют последние эксперименты российских и зарубежных авторов, некоторые фазы, которые возникают при формировании границы раздела в отдельных системах, отличаются по своим свойствам от объемных и представляют интерес как новые тонкопленочные материалы. Знание физики процесса формирования границы раздела в неравновесных условиях позволяет создавать условия для роста таких необъемных фаз и управлять их свойствами.

Выбор систем 81(111)-Сг и 81(111) — Со для проведения исследований, а также концентрация внимания на кинетике формирования границы раздела, обусловлены следующими причинами.

Во-первых, дисилицид хрома, С^ч, и дисилицид кобальта, СоБ12, эпитаксиально растут на кремнии. При этом С^г — узкозонный полупроводник (Её = 0,3 эВ), в то время как Со812 обладает хорошими металлическими свойствами. Это дает возможность выращивать различные полупроводниковые элементы на базе этих материалов по отдельности и совместно. Важно отметить, что для Сгёгг и € 08(2 несоответствие решетки с 81 составляет всего 0,14 и 1,2%, соответственно [1,2]. Это дает возможность выращивать протяженные эпитаксиальные пленки и гетероструктуры без значительных напряжений.

Во-вторых, рост объемных силицидов Сг и Со при твердофазной или молекулярнолучевой реакции металла с кремнием происходит за счет диффузии кремния из подложки что требует высокой температуры роста и высоких скоростей осаждения металла. С другой стороны, при низкотемпературном осаждении металла на кремний желательно ограничить рост силицида на границе раздела. Поэтому роль кинетики, в частости скорости осаждения, в формировании границы раздела несомненна.

Третья причина — высокая реакционная способность Сг и Со по отношению к кремнию и высокая энергия образования силицидных фаз. При низких температурах это приводит к атермическому процессу атомного перемешивания в данных системах, в котором роль кинетики осаждения еще недостаточно выяснена.

Все это делает актуальным исследование механизма формирования границы раздела и сверхтонких пленок металлов и силицидов в системах 81(111)-Со и 81(111)-Сг и роли в нем кинетических процессов роста и осаждения.

Цель настоящей работы состояла в исследовании роли кинетики роста в формировании границы раздела и сверхтонких пленок в системах 81(111)-Со и 81(111)-Сг, а также в формировании электрофизических свойств этих пленок. Для этого необходимо было решить следующие задачи:

1. Провести анализ литературных данных с целью сбора имеющейся информации по выбранным системам, а именно информацию по: существующим моделям формирования границы раздела, условиям роста силицидов и фаз, особенно на начальной стадии роста, а также методам исследования.

2. Модернизировать экспериментальную сверхвысоковакуумную установку, позволяющую производить исследования по формированию границы раздела в широком диапазоне скоростей осаждения (влияние кинетики на формирование границы раздела). Сюда входят разработка и создание источников Сг и Со, позволяющих производить напыление не только с низкой, но и с высокой скоростью осаждения, разработка и создание манипулятора с двумя держателями образцов, двумя источниками напыления и кварцевым датчиком контроля скорости осаждения, а также разработка и изготовление измерительной 4-х зондовой головки для контроля проводимости структур в процессе их роста.

3. Экспериментально исследовать влияние кинетики (скорости осаждения) на процесс формирования границы раздела в системах Si (l 11)-Со и Si (l 11)-Сг.

4. По результатам эксперимента и на основе литературного обзора выработать модель формирования границы раздела в системах Si (lll)-Co и Si (lll)-Cr и произвести сравнение с моделями зарубежных авторов.

5. Разработать и создать программно-аппаратный измерительный комплекс, позволяющий проводить исследования «in situ» высоты барьера Шоттки и проводимости (4-хзондовый метод) на базе ЦАП-АЦП-платы L1610 и компьютера PC486DX2, а также проводить электрофизические исследования экспериментально полученных образцов.

Научная новизна работы состоит в том, что:

— проведено экспериментальное исследование влияния скорости осаждения из различных источников на процесс формирования границы раздела в системах Si (ll 1)-Со и Si (l 11)-Сг;

— выявлена роль предварительно-сформированной поверхностной фазысерфактанта 7×7-Сг и 1×1- Со в кинетике формирования границы раздела в системах Si (lll) — Сг и Si (l 11) -Со;

— проведены эксперименты по эпитаксии с высокой скоростью осаждения сверхтонких пленок CrSi2 на Si (l 11);

— проведены электрофизические исследования выращенных с высокой скоростью осаждения сверхтонких пленок Сг и CrSi2 и получены данные по проводимости, подвижности и концентрации носителей в этих пленках;

— на основе анализа экспериментальных результатов предложена новая модель, учитывающая механизм реактивной диффузии и роста в формировании границы раздела.

На защиту выносятся:

1. Экспериментальные результаты, полученные методами ЭОС и СХПЭЭ и характеризующие элементный и фазовый состав поверхностных фаз и сверхтонких слоев в системах Si (l 11)-Со и Si (l 11)-Сг.

2. Установленный экспериментально факт слабого влияния скорости осаждения из ленточного источника на механизм формирования границы раздела в системе Si (l 11)-Сг.

3. Обнаруженный экспериментально факт влияния предварительно-сформированной поверхностной фазы на кинетику формирования границы раздела Si (l 11)-Со и Si (l 11)-Сг.

4. Кинетическая модель формирования границы раздела, построенная на основе экспериментальных данных и представлений о механизме формирования границы раздела.

5. Методика высокоскоростного осаждения из ленточного источника и методика роста пленок Сг и CrSI2 на подложке кремния.

6. Результаты по получению сверхтонких пленок Сг и CrSI2 на Si (lll) с помощью высокоскоростного осаждения.

7. Электрофизические свойства сверхтонких пленок Сг и эпитаксиального CrSI2 на SiC111), полученных методом высокоскоростного осаждения.

Практическая ценность.

1. Результаты проведенного исследования могут быть использованы для управляемого роста полупроводниковых элементов на основе тонкопленочных структур переходной металл (силицид) — кремний с заданными характеристиками. В частности, для создания элементов и приборов на основе сверхтонких пленок металлов (Сг, C0SI2) и узкозонных полупроводников (CrSi2).

2. Предложенные в работе модели формирования границы раздела, учитывающие механизм и кинетику роста, могут быть с определенными корректировками перенесены на другие системы тугоплавкий переходной металл — кремний.

3. Ряд уникальных узлов, разработанных и изготовленных при проведении данной работы, (источники Сг и Со с перенапылением, позволяющие производить напыление с низким уровнем примесей и с высокой скоростью осаждения, манипулятор с двумя держателями образцов, двумя источниками напыления и кварцевым датчиком контроля скорости осаждения, 4-х зондовая измерительная головка), могут быть использованы при конструировании промышленных и экспериментальных установок.

4. Создан программно-аппаратный измерительный комплекс, позволяющий проводить исследования высоты барьера Шоттки и проводимости многозондовым методом «in situ» с автоматической коммутацией режимов измерения в процессе исследования и автоматическим выводом данных на монитор.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы были доложены на следующих конференциях:

1) Russia, Vladivostok, (1995), 6th International Conference on Mathematical Modeling and Cryptograhpy,.

2) Россия, Красноярск, (1996), «Физика и современный мир»,.

3) Italy, Genova, (1996), European conference on Surface Science,.

4) Россия, Владивосток, (1997), Региональная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов,.

5) France, Strasbourg, (1997), International Conference on Advanced Matherials 97/European Materials Research Society Spring Meeting, Simposium: Epitaxial Thin Film Growth and Nano structures,.

6) Japan, Tokyo, (1997), International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces,.

I) Japan, Chiba, (1997), 7th Inernational Conference on Electron Spectroscopy,.

8) UK, Cardiff (1997), International Conference on Formation of Semiconductor Interfaces,.

9) Russia, Vladivostok, (1998), Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces,.

10) Россия, Владивосток, (1998), 2-я Региональная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов,.

II) Россия, Новосибирск, (1999), IVВсерос. Конференция по Физике Полупроводников,.

12) Germany, Halle, (1999), Autumn School on Materials Science and Electron Microscopy,.

13) Russia, Obninsk, (1999), ШМежд. Конф. Рост Монокр., Пробл. Проч. и Тетомасс.

Публикации. По теме диссертации опубликованы 11 статей в научных журналах и сборниках, а также 12 тезисов докладов, которые были представлены на Всесоюзных и Международных конференциях, симпозиумах и семинарах.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложения. Она содержит 140 страниц, в том числе 48 рисунков, список литературы на 6 листах, включающий 74 наименования и 22 листа приложения.

Заключение

.

Основные итоги диссертационной работы:

1) Разработано и создано оригинальное оснащение исследовательской установки и программно-аппаратный измерительный комплекс, позволившие в условиях сверхвысокого вакуума производить исследования по влиянию кинетики осаждения на формирование границы раздела в системах Si (lll)-Co и Si (lll)-Cr и по исследованию электрофизических характеристик «in situ» .

2) Проведено моделирование механизма роста и экспериментальное изучение роли кинетики осаждения в формировании границ раздела Si (l 11) — Со и Si (l 11) — Сг, имеющих практически важное значение.

На основе проведенных исследований получены следующие результаты:

— Предложена модель процесса атомного перемешивания на границе раздела атомарный пучок металла — поверхность полупроводника. Она включает в себя кинетику локальной взаимодиффузии на границе металл — подложка полупроводника и кинетику зародышеобразования и роста двумерных металлических кластеров. Для случая стационарного режима осаждения путем вывода диффузионного уравнения, соответствующего взаимодиффузии атомов на границе между атомарным пучком и подложкой, и кинетического уравнения, соответствующего росту металлических кластеров, получено математическое выражение, которое описывает процесс формирования границы раздела металл — полупроводник и которое положено в основу модели этого процесса. Полученная модель дает хорошее согласие с экспериментальными результатами по системе Si (lll)-Cr при низких скоростях осаждения (стационарный режим осаждения).

— Методами ЭОС и СХПЭЭ исследованы начальные стадии формирования границы раздела Co/Si (lll). При толщинах 0−1, 2 и 3 МС происходит последовательное формирование, соответственно, поверхностных фаз, двумерного силицида и далее нестабильного в объеме, протяженного по толщине силицида. При толщине 4 МС из этого силицида формируется (х^г-подобиая фаза, с обогащенной Со поверхностью. Далее, при d = 6-ll МС и d = 13−30 МС, формируются, соответственно, CoSiи Co2Si-объемно-подобные фазы со слоем твердого раствора Si в Со на поверхности.

— Р1сследована зависимость роста Со на Si (l 11) от скорости осаждения в диапазоне скоростей 0,25−1 МС/мин при комнатной температуре. Показано, что при малых толщинах (d < 2 МС) в данном диапазоне скоростей осаждения состав и плотность, по данным ЭОС и СХПЭЭ, в зависимости от толщины пленки Со не зависят от скорости осаждения в исследуемом диапазоне величин.

— Исследованы свойства фаз Co-Si с осаждением и отжигом. Показано, что силицид Со, формирующийся при d «3 МС, отличается по плотности от стабильных в объемном состоянии фаз, имеет широкую область гомогенности по составу и при отжиге переходит в CoSi2. При субмонослойных покрытиях обнаружены изменения в спектрах ХПЭЭ, которые свидетельствуют о переходе от слабой степени реконструкции поверхности подложки после осаждения Со к сильной — при отжиге.

3) Для системы Cr/Si (lll) исследовано влияние скорости осаждения из ленточного источника на формирование границы раздела. На начальной стадии роста Сг на Si (l 11) на границе раздела происходит послойный рост с частичным перемешиванием и возникает, соответственно при толщинах 1 и 3 А, окружение вблизи атомов Si, подобное CrSix (x < 2) и CrSL2. При d >3 А послойный рост сменяется перемешиванием с образованием силицида, обогащенного Сг. При этом процесс перемешивания не зависит от скорости осаждения, но зависит от присутствия предварительно-сформированной поверхностной фазы 7×7 Сг, который приводит к уменьшению степени перемешивания.

4) При использовании осаждения с большой скоростью на холодную и горячую подложку получены, соответственно, сверхтонкие пленки Сг (при напылении хрома толщиной 6 А на фазу 7×7- Сг, суммарная толщина пленки d^ =6−12 А) и эпитаксиального CrSi2 на Si (lll). Измерения электрофизических свойств полученных пленок Сг и CrSi2 показало, что они имеют: пленка Сг — удельное сопротивление р = 9−18 мкОм-см, р — тип.

2 15 проводимости с ц = 38 В/см хсек и поверхностную концентрацию носителей п" р- 1,1×10 см" 2 (с учетом dz=6−12A, пр = 0,9−1,8×1022 см" 3), а пленка CrSi2 (dz =18−36 А).

2 13 9 р= 180-^360 мкОм-см, р — тип проводимости с ц = 480 В/см хсек и /7^=1,8×10 см" «(с учетом dy =18−36 А, пь= 0,5−1,0хЮ20 см» 3).

Автор выражает глубокую благодарность Н. И. Плюснину за научное руководство и непосредственную помощь в проведении экспериментов, а также за помощь на всех этапах работы над диссертацией, В. Г. Лифшицу за постоянный интерес к работе и ценные замечания в обсуждении результатов работы, Н. Г. Галкину за существенный вклад в проведении экспериментов и получении экспериментальных результатов, 3.3. Дитиной за помощь в проведении электрофизических измерений, сотрудникам лаборатории Т. Г. Величко и А. Н. Каменеву, а также всем сотрудникам НТЦ за содействие в работе.

Также выражаю благодарность за информационную и техническую поддержку соответствующим службам Института автоматики и процессов управления.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Vantomme A., Nicolet M-A., Long R .G, Mahan J.E., and Pool F.S. Reactive deposition epitaxy ofCrSi2 H Appl.Surface.Science -1993, — V.73. — P. 146−152.
  2. Starke U., Schardt J., Weilss W., Rangelov G., Fauster Th., Heinz K. Structure of epitaxial CoSi? films on Si (lll) studied with low-energy electron diffract (LEED) // Surf. Rev. and Let. -1998.-V. 5,№ l.-P. 139−144.
  3. Le Lay G., Manneville M., Kern R. Cohesive energy of the two-dimensional Si (lll)-3xl Ag and Si (lll) V3-R30° Ag phases of the silver (deposit)-silicon (l 11) (substrate) system// Surface Science -1978.-V.72, № 2.- P. 405−422.
  4. G.Le Lay and J.P.Faurie. AES study of the very first stages of condensation of gold films on silicon (111) surfaces! Surface Sci. -1977.-V.69, № 1. P. 295−300.
  5. Del Giudice M., Joyce J.J., Ruckman M.W., Weaver J.H. Silicideformation at the Ti/Si (l 11) interface. Room-temperature reaction and Schottky-barrier formation //Phys. Rev. В -1987.-V.35, № 12, — P. 6213−6221.
  6. Van Loenen E.J., Fischer A.E., Van der Veen J.F. Ti-Si mixing at room temperature: a high resolution ion backscattering study! Surface Sci. -1985.- V.155.- P. 65−78.
  7. Franciosi A., Weaver J.H. Si-metal interface reaction and bulk electronic structure of silicides II Physica В 1983.-V.117−118, — P. 846−847.
  8. Iwami M., Hashimoto S., Hiraki A. ELS study of the initial stage ofTiSi formation on Si at room temperature! Sol. St. Commun. 1984, — V.49.- P. 459−462.
  9. Wallart X., Nys J.P., Zeng H.S., Dalmai G., Lefebore I., Lannoo M. Auger and electron-energy-loss spectroscopy study of interface formation in the Ti-Si systemII Phys. Rev. В —1990,-V.41.-P. 3087−3096.
  10. Colandra C., Bisi O., Ottaviani G. Electronic properties of silicon-transition metal interface compounds //Surf. Sci. Rep. -1985. -V.4. P.271- 364.
  11. Franciosi A., Peterman D.J., Weaver J.H. Silicon refractory metal interfaces: Evidence of room temperature intermixing for Si-Cr //J. Vac. Sci. Technol. -1981.-V.19, № 3 -P. 657−660.
  12. Wetzel P., Pirri C., Peruchetti J.C., Bolmont D., Gewinner G. J. Room-temperature formation and oxidation properties of the CrfSi (lll) interface! Vac. Sci. Technol. A.- 1987.-V. 5, № 6 P.3359 -3365.
  13. Vantomme A., Nicolet М-А., Long R .G, Mahan J.E., and Pool F.S. Reactive deposition epitaxy ofCrSi2 II Appl.Surface.Science -1993, — V.73. РЛ46−152.
  14. Starke U., Sehardt J., Weilss W., Rangelov G., Fauster Th., Heinz К. Structure of epitaxial CoSi2 films on Si (l 11) studied with low-energy electron diffract (LEED) II Surf. Rev. and Let. -1998.-V. 5,№ l.-P. 139−144.
  15. Le Lay G., Manneville M., Kern R. Cohesive energy of the two-dimensional Si (ll l)-3xl Ag and Si (l 11) л/3-R30° Ag phases of the silver (deposit)-silicon (l 11) (substrate) system!/ Surface Science -1978.-V.72, № 2, — P. 405−422.
  16. G.Le Lay and J.P.Faurie. AES study of the very first stages of condensation of gold films on silicon (111) surfaces! I Surface Sei. -1977.-V.69, № 1. P. 295−300.
  17. Del Giudice M., Joyce J.J., Ruckman M.W., Weaver J.H. Silicide formation at the Ti/Si (lll) interface. Room-temperature reaction and Schottky-barrier formation //Phys. Rev. В 1987.-V.35, № 12, — P. 6213−6221.
  18. Van Loenen E.J., Fischer A.E., Van der Veen J.F. Ti-Si mixing at room temperature: a high resolution ion backscattering study! Surface Sei. -1985, — V.155.- P. 65−78.
  19. Franciosi A., Weaver J.H. Si-metal interface reaction and bulk electronic structure of silicides II Physica В 1983.-V.117−118, — P. 846−847.
  20. Iwami M., Hashimoto S., Hiraki A. ELS study of the initial stage of TiSi formation on Si at room temperature! Sol. St. Commun. 1984, — V.49.- P. 459−462.
  21. Wallart X., Nys J.P., Zeng H.S., Dalmai G., Lefebore I., Lannoo M. Auger and electron-energy-loss spectroscopy study of interface formation in the Ti-Si system! I Phys. Rev. В -1990.-V.4L- P. 3087−3096.
  22. Colandra C., Bisi O., Ottaviani G. Electronic properties of silicon-transition metal interface compounds //Surf. Sei. Rep. -1985. -V.4. P.271- 364.
  23. Franciosi A., Peterman D.J., Weaver J.H. Silicon refractory metal interfaces: Evidence of room temperature intermixing for Si-Cr //J. Vac. Sei. Technol. -1981.-V.19, № 3 -P. 657−660.
  24. Wetzel P., Pirri C., Peruchetti J.C., Bolmont D., Gewinner G. J. Room-temperature formation and oxidation properties of the Cr/Si (l 11) interface! I Vac. Sei. Technol. A.- 1987.-V. 5, № 6 P.3359 -3365.
  25. Ufuktepe Y., Onellion M. Electronic structure of Fe overlay ers on Si (lll) //Solid State Commun. -1990.-V.76, № 2, — P.191−194.
  26. Zeng H.S., Wallart X., Nys J.P., Dalmi G., Friedel P. Probing the local atomic environment at the interfaces in the Fe-Si system by the surface-extended energy-loss fine-structure technique //Phys. Rev. B. 1991.-V.44, № 24, — P. 13 811- 13 814.
  27. Butera R.A., Del Giudice M., and Weaver J.H. Quantitative model of reactive metal-semiconductor interface growth using high resolution photoemission results И Phys. Rev. -1986.-V.33.-P. 5435.
  28. Clabes J.G., Rubloff G.W., Tan T.Y. Chemical reaction and Schottky-barrier formation at V/Si interface //Phys. Rev. В -1984.-V.29, № 4. P. 1540- 1550.
  29. Vahakangas J., Idzerda Y.U., Williams E.D., Park R.L. Initial growth of Ti on Si //Phys. Rev. В. -1986, — V.33, № 12.- P. 8716- 8723.
  30. Rutz R., Rubloff G.W., Tan T.Y., Ho P. S. Chemical and structural aspects of reaction at the Ti/Si interface //Phys. Rev. B. 1984, — V.30, № 10.- P. 5421- 5429.
  31. Saleh A.A., Peterson L.D. Growth of thin Ti films on Si (l 1 l)-(7×7) surfaces //J. Vac. Sci Technol. A. -1996, — V.14, № 1, — P. 30−33.
  32. Plusnin N.I., Galkin N.G., Lifshits V.G., Lobachev S.A. Formation of interfaces and templates in the Si (lll)-Cr system IISurf. Rev. Lett. -1995.-V.2, № 4. P.439−449.
  33. Brillson L.J. Metal-semiconductor interfaces II Surf. Sci. -1990, — V.299−300, № 1,2.- P. 909−927.
  34. Rossi G. d- and f- metal interface formation on silicon // Surf. Sci. Rep. -1987, — V.7. P. 1101.
  35. Shivaprasad S.M., Anandan C., Azatyan S.G., Gavriljuk Y.L., Lifshits V.G. The formation of Mn/Si (111) interface at room and high temperatures 11 /Surf. Sci. -1997- V.382.- P.258−265.
  36. Кур носов А. И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем // М., «Высш. Школа».-1975, — 342 с.
  37. Lifshits V.G., Saranin А.А., and Zotov A.V. Surface Phases on Silicon: Preparation, Structures and Properties 11 Chichester-New York-Brisbane-Toronto-Singapore, John Wiley & Sons.-1994, — 448 P.
  38. Н.И., Галкин Н. Г., Каменев А. Н., Лифшиц В. Г. и Лобачев С.А. Атомное перемешивание на границе раздела Si-Cr и начальные стадии эпитаксии CrSi'2 // Поверхность. Физика, химия и механика. -1989.- № 9. С. 55- 61.
  39. Н.И., Миленин А. П. Кинетический механизм формирования границы раздела металл-полупроводник II Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, — 1997.-№ 3.- С.36−44.
  40. Chainet Е., De Crescenzi М., Derrien J., Nguyen T.T.A., Cinti R.C. Local structure determination of the Co-Si (lll) interface by surface electron energy-loss fine-structure technique // Surf. Sci. -1986, — V. 168, № 1−3. P. 801−809.
  41. Chambliss D.D., Rhodin T.N. Study of interface formation on Co/Si (lll)-7×7 using angle-resolved photoemission // J. Vac. Sci. Technol. A. -1989, — V. 7, № 3. P. 2449 -2453.
  42. De Crescenzi M., Derrien J., Chainet E., Orumchian K. Core-level electron-energy-loss spectroscopy as a local probe for the electronic structure of the Co/Si (lll) interface II Phys. Rev. B. -1989, — V.39, № 8. -P. 5520- 5523.
  43. Rossi G., Santaniello A., and De Padova P. From the chemisorption of Co on Si (l 11)7×7 to the formation of epitaxial A and B-type C0S12II Sol. St. Commun. -1990.-V. 73, № 12. P. 807 812.
  44. Rossi G., Santaniello A., De Padova P., Jin X., Chandesris D. Structural chemisorption of Co onto Si (J 11)7×7 II Europhys. Lett. 1990, — V. 11, № 3, — P. 235−241.
  45. Bennet P.A., Cahili D.G., and Copel M. Interstitial precursor to silicide formation on Si (lll)-(7×7) //Phys. Rev. Lett. -1994, — V. 73, № 3, — P. 452−455.
  46. Pirri C., Peruchetti J.C., and Gewinner G. Nucleation of a two-dimensional compound during epitaxial growth of Co Si 2 on Si (lll) II Phys. Rev. В. -1984, — V. 30, № 10. -P. 62 276 229.
  47. Pirri C., Peruchetti J.C., Gewinner G., Derrien J. Early stages of epitaxial CoSi2 formation on Si (111) surface as investigated by ARUPS, XPS, LEED and work function variation II Surf. Sci. -1985.- V. 152−153. P. 1106−1112.
  48. Derrien J. Structural and electronic properties of CoSi2 epitaxially grown on Si (lll) II Surf. Sci. -1986, — V. 168, № 1−3. P. 171- 183.
  49. Bensaoula A., Veuillen J.Y., Nguen Tan T.A. Study of the Co/Si (lll) interface formation using electron energу loss spectroscopy II Surf. Sci. -1991.- V.241, № 3. P. 425- 430.
  50. Chambers S.A., Boscherini F., Anderson S.B., Joyce J.J., Chen H.W., Ruckman M.W., Weaver J.H. Reaction and epitaxy at the Co/Si (lll) interface // J. Vac. Sci. Technol. A. -1987.-V. 5,№ 4.-P. 2142−2143.
  51. Gibson J.M. Surface and Interface Characterization by Electron Optical Methods //Plenum Publishing Corporation. -1988, — P. 55.
  52. Giudice M. Del., Joyce J.J., Ruckman M.W., Weawer J.H. Claster formation and atomic intermixing at V/Ge (l 11) interface II Phys. Rev. B. -1985.- V. 32, — P. 5145.
  53. Butera R.A., Giudice M. Del., Weawer J.H. Temperature- dependent interface evolution. Modeling of core-level photoemission results for V/Ge (lll) II Phys. Rev. B. -1987.- V. 36. P. 4754−4760.
  54. Giudice M. Del., Butera R. A ., Ruckman M.W., Joyce J.J., Weawer J.H. V/Ge (lll): Temperature dependent intermixing studied with high resolution photoemission and quantitative modeling HI. Vac. Sci. Tech. A. -1986, — V.4(3). P. 879−881.
  55. Buteia R.A., Hollingscorth C.A. Mechanism for reactive chemistry at metal semiconductor interfaces II Phys. Rev. B. -1987, — V. 37, — P. 10 487−10 495.
  56. Лифшиц.В. Г. Электронная спектроскопия //М.:Наука -1985.- 200 С.
  57. A.W. Методы анализа поверхности //Под ред. А.Зандерна., М.:Мир 1987. — 582 С.
  58. Д. Электронные возбуждения в твердых телах II Пер с англ. М.: Мир. —1965.387 С.
  59. Seah М.Р. A review of the analysis of surfaces and thin films by AES and XPS //Vacuum, -1984- V.34, № 3−4. P. 463−478.
  60. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников //М.: Наука —1990.-688С.
  61. Химическая Энциклопедия //Под ред. Кнунянц И. Л., М.: Сов. Энциклопедия —1988.-Т.1.- 623 С.
  62. Л., Глэнг Р. Технология тонких пленок //пер. с англ. под ред М. И. Еликсона, Г. Г. Смолко. М.: Сов.радио. -1977. Т.1.-662С.
  63. Н.И., Шикаревич М. Г. Справочник по элементарной физике II М.:Наука -1988, — 256 С.
  64. L.J. van der Pauw A method of measuring specific resistivity and Hall effect of disks of arbitrary shape //Philips Research Reports, -1958.- V.13, № 3. P.1−9.
  65. Е.В. Методика исследования эффекта Холла // М.: Сов. радио 1974. — 328С.
  66. Н.Г., Лифшиц В. Г., Плюснин Н. И. Упорядоченные поверхностные фазы в системе Si(l 11)-Сг // Поверхность. -1987, — № 12, — С. 50 -58.
  67. В.В. Теоретические основы микроэлектроники //М.:Выс.Школа-1972.- 352С.
  68. Shiraki Y., Kobayashi K.L.I., Daim Н., Ishizuka A., Sugaki S., Murata Y. Systematic study of 3d-transition metal-silicon interfaces by photoemission II Physica В.- 1983.-V. 117−118, № 2.- P. 843- 845.
  69. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции II Под ред. Поута Дж., Ту К., Мейера Дж. М.: Мир,-1982.- 361 С.
  70. Bisi О., Tu K.N. Atomic intermixing and electronic interaction at the Pd-Si (. 11) interfaceII Phys.Rev.Lett., -1984.- V.52, № 18. -P. 1633−1636.
  71. В.Г., Плюснин Н. И. Электронное взаимодействие и силигщидообразование в системе Cr-(lll)Si на начальной стадии роста // Поверхность. -1984, — № 9. -С.78−85.
  72. .И. Диффузия в полупроводниках //М.:Физматгиз -1961.- 360 С.
  73. А.Н. К статистической теории кристаллизации металлов II Изв. АН СССР. Серия матем. -1937, — Т. 3. С. 355−359.
  74. Weaver С. Diffusion in metallic films 11 Physics of Thin Films. V. 6. N.Y.: Academic Press, -1971, — P. 335.
  75. Зи С. Физика полупроводниковых приборов // М.: Мир.-1984, — Т.2.-350 С.
  76. Martinez A., Esteve D., Guivare’h A., et al. Metallurgical and electrical properties of chromium silicon interfaces II Sol State Electron.-1980.-V.23.-P.55−64.
  77. Zsheng L.R., Zingu E., Mayer J.W. Tateral silicide growth // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1984.-V.25. -P.75−85.
  78. Н.И., Миленин А. П. Механизм атомного перемешивания при формировании границы раздела переходного металла с кремнием //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования -1996, — № 2.- С.64−74.
  79. Veuillen J.Y., Bensaoula A., De Crescenzi М., Derrien J. Short-range local order of the Co-Si (lll) interface studied by extended Auger fine-structure technique //Phys.Rev.B. —1989.-V.39, № 14, — P.10 398−10 401. /
  80. Plusnin N.I., Milenin A.P., Soldatov V.J., and Lifshits V.G. Formation of CrSi2(0001)-aSi Interface И Phys. Low-Dim. Struct., -1997, — V.5/6.- P.63−74.
  81. Ibach H., Mills D.L. Electron energy loss spectroscopy and surface vibrations IINew York:
  82. Academic press -1982, — 365 P.
  83. Pirri C., Peruchetti J.C., Gewinner G., Bolmont D. Annealing studies of the Co/Si (lll) interface II Solid State Commun.-1986.- V. 57, № 5, — P. 361−364.
  84. Shiau F.V., Cheng H.C., Chen L.J. Epitaxial growth of CrSi2 on (lll)Si II Appl. Phys. Lett.- 1984, — V. 45, № 5. -P.524−526.
  85. Coldan E.G., Tsaur B.Y., Mayer J.W. Phase formation in Cr-Si-film interfactions 11 Appl.Phys.Lett.-1980.-V.37, № 10, — P.938−940.
  86. Iienz J., Hugi J., Ospelt M. Fabrication and electrical properties of ultrathin CoSi2/Si heterostructures //Surf.Sci. -1990, — V. 228, — P. 9−12.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!