Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники

Диссертация: Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Новые математические модели и методы для описания тепловых и электрических свойств реальных кристаллов с дефектами, наноча-стицами и фазовыми переходами: диэлектрики, твердые растворы, сегнетоэлектрики, сегнетоэластикимодели систем разработанные с применением выражений типа Кубо-Гринвуда для кинетических коэффициентов (теплопроводность, проводимость) и с использованием метода динамических функций… Читать ещё >

Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. КРАТКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ КРИСТАЛЛОВ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ
    • 1. 1. Особенности кинетических свойств кристаллов: диэлектрики-сегнетоэлектрики
    • 1. 2. Твердые растворы на основе карбида кремния. Тепловые и электрические свойства
    • 1. 3. Общий подход и методы расчета кинетических свойств (характеристик) реальных кристаллов и твердых растворов на основе карбида кремния
    • 1. 4. Структура и характеристики исследуемых кристаллов, монокристаллических слоев твердых растворов и керамики SiC-AIN
  • ГЛАВА 2. ЛИНЕЙНАЯ РЕАКЦИЯ СИСТЕМЫ НА ВНЕШНЕЕ ВОЗМУЩЕНИЕ. ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ. УРАВНЕНИЕ БЕТЕ-СОЛПИ ТЕРА
    • 2. 1. Микроскопическая модель фазового перехода
    • 2. 2. Условия равновесия и уравнение состояния кристалла
    • 2. 3. Линейная реакция системы на внешнее возмущение. Двухвременные функции Грина
    • 2. 4. Кинетические характеристики системы: проводимость, диффузия, теплопроводность
    • 2. 5. Неупорядоченная решетка с примесями и дефектами
    • 2. 6. Однофононная функция Грина кристалла
    • 2. 7. Динамическая восприимчивость. Массовый оператор и функция релаксации системы (функция релаксации Кубо)
    • 2. 8. Мягкая мода, центральный пик, структурный фазовый переход
    • 2. 9. Температура структурного фазового перехода
    • 2. 10. Обобщенное транспортное уравнение типа Бете-Солпитера
      • 2. 10. 1. Нелокальное уравнение теплопроводности
      • 2. 10. 2. Транспортное уравнение типа Бете-Солпитера
      • 2. 10. 3. Транспортное время релаксации
    • 2. 11. Решение обобщенного транспортного уравнения с учетом вклада от сингулярной области частот фононов
    • 2. 12. Скорость релаксации фононов вблизи температуры фазового перехода тс. Центральный пик
    • 2. 13. Квазиупругое и неупругое рассеяние тепловых фононов
    • 2. 14. Неподвижные точки масштабных преобразований и критические показатели
  • ГЛАВА 3. АНОМАЛЬНОЕ ТЕМПЕРАТУРНОЕ ПОВЕДЕНИЕ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ. ФЛУКТУАЦИ-ОННЫЙ ЭФФЕКТ БИЕНИЙ И РОЛЬ ДЕФЕКТОВ
    • 3. 1. Механизмы рассеяния фононов в кристаллах с дефектами и фазовыми переходами
    • 3. 2. Флуктуационный эффект биений в кристаллах типа KDP (дигидрофосфат калия КН2РО4) и Hg2Cl2. Сравнение с экспериментом
  • ГЛАВА 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ И КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ
    • 4. 1. Модели механизмов проводимости твердых растворов на основе карбида кремния
    • 4. 2. Модель эффекта усиления гигантской диэлектрической проницаемости в керамике на основе карбида кремния
  • ВЫВОДЫ

Актуальность темы

Тема исследования связана с важной проблемой физики конденсированных сред — изучением особенностей тепловых, электрических и транспортных свойств сегнетоэлектрических кристаллов, твердых растворов и керамики на основе карбида кремния. Эти материалы обладают важными физическими характеристиками, определяющими их использование в качестве активных элементов различных устройств твердотельной микроэлектроники.

Несмотря на значительные разработки в области применений, а также вопросов теории структурных и электронных фазовых переходов, решение проблем вычислений критических индексов, интерпретации и прямых расчетов особенностей критического поведения тепловых и электрических свойств, кинетических коэффициентов (характеристик) этих материалов до сих пор наталкиваются на существенные трудности. Кроме того, актуальность исследований свойств сегнетоэлектриков и твердых растворов карбида кремния обусловлена как уникальностью их физических характеристик, так и наличием в них структурных и электронных фазовых переходов. Богатство и разнообразие физических свойств сегнетоэлектриков общеизвестно. К тому же в последнее время (10 — 15 лет) в МГУ были проведены (Б.А. Струков, А. А. Белов [1,2]) прецизионные измерения теплопроводности и для ряда сегнетоэлектриков обнаружены новые неожиданные особенности на кривой К (Т) около температуры фазового перехода Тс. В свою очередь, твердые растворы «карбид кремния — нитрид алюминия» (SiC)ix (AlN)x состоят из двух широкозонных материалов (выраженный широкозонный диэлектрик и широкозонный полупроводник), оба из которых оптически активны и характеризуются высокой стойкостью к внешним воздействиям: радиационным, химическим, термическим [3]. Недавно в монокристаллах 4H-SiC с примесями обнаружен электронный фазовый переход изолятор — металл [4]. Несмотря на это разработка приборов и структур на основе этих материалов зачастую сдерживается из-за отсутствия должной интерпретации их физических свойств и соответствующих надежных численных расчетов.

Сказанное определяет необходимость развития теории и моделей описания особенностей поведения тепловых и электрических свойств сегнето-электрических кристаллов (с фазовыми переходами, дефектами, наночасти-цами) и твердых растворов на основе карбида кремния, позволяющих прогнозировать возможный ход температурной зависимости теплового сопротивления сегнетоэлектриков и проводимости твердых растворов.

SiC)i-x (AlN)x.

Целью работы является разработка методов описания и математического моделирования особенностей тепловых, электрических и транспортных свойств сегнетоэлектрических кристаллов, твердых растворов и керамики на основе карбида кремния. Получение общих выражений для кинетических коэффициентов (теплопроводности, проводимости) сегнетоэлектрических кристаллов и твердых растворов на основе формул типа Кубо-Гринвудапостроение моделей механизмов проводимости в (SiC)ix (AlN)x и эффекта усиления диэлектрической проницаемости керамики SiC-AlN. Разработка математических моделей и комплекса программ анализа и прогноза поведения тепловых, электрических, и кинетических свойств перспективных материалов для решения практических задач твердотельной микроэлектроники.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

1. Получение выражений для кинетических коэффициентов (теплопроводности, проводимости) системы с использованием формул типа Кубо-Гринвуда.

2. Разработка методов и моделей описания температурного поведения теплопроводности сегнетоэлектриков типа KDP (КН2РО4) и сегнетоэластиков Hg2Cb как в широком диапазоне температур, так и в узкой окрестности около точки структурного фазового перехода Тс. Анализ влияния различных механизмов рассеяния фононов на температурную зависимость теплопроводности сегнетоэлектри-ков.

3. Построение математических моделей, описывающих механизмы проводимости в твердых растворах на основе карбида кремния (SiC)i.x (AlN)x.

4. Разработка модели эффекта усиления диэлектрической проницаемости в керамике SiC-AlN.

5. Разработка алгоритмов и программ для реализации прогноза и анализа поведения сегнетоэлектриков и твердых растворов карбида кремния.

6. Сопоставление результатов численных расчетов с экспериментом и прогноз поведения тепловых, электрических и транспортных характеристик сегнетоэлектрических кристаллов, твердых растворов и керамики на основе карбида кремния.

Достоверность и обоснованность полученных результатов подтверждается корректностью применяемого математического аппарата, использованием высокоточных математических пакетов прикладных программ типа Mathcad 11 и подтверждена качественным и количественным согласием результатов расчетов и моделирования с экспериментальными данными.

Научная новизна результатов:

1. На основе формулы типа Кубо-Гринвуда получены выражения для расчета кинетических коэффициентов (теплопроводности, проводимости) сегнетоэлектрических кристаллов и твердых растворов (SiC)i.x (AlN)x на микроскопическом уровне.

2. Получены уравнения ренормализационной группы и найдены значения критических показателей поведения характеристик систем с фазовыми переходами.

3. Разработаны новые методы и модели описания поведения теплопроводности сегнетоэлектриков типа KDP (КН2РО4) и сегнетоэластиков.

Hg2Cl2 как в широком диапазоне температур, так и в узкой окрестности точки структурного фазового перехода.

4. Построена модель нового флуктуационного эффекта биений различных каналов рассеяния фононов в сегнетоэластиках Hg2Cl2.

5. Впервые предложены модели механизмов проводимости в твердых растворах (SiC)i.x (AlN)x с учетом возможности возникновения в этих системах фазового перехода полуметалл-изолятор.

6. Построена модель эффекта усиления диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь на низких частотах в керамике SiC-AlN.

7. Разработаны математические модели и комплекс программ для анализа и прогнозирования температурного поведения теплопроводности кристаллов типа KDP и сегнетоэластиков Hg2Cl2 с точечными дефектами и комплексами дефектов — наночастицами.

Практическая ценность результатов диссертации:

1. Полученные формулы для кинетических коэффициентов позволяют на микроскопическом уровне рассчитывать теплопроводность сег-нетоэлектрических кристаллов и проводимость твердых растворов на основе карбида кремния.

2. Разработанные математические модели теплопроводности сегнето-электриков типа KDP и сегнетоэластиков Hg2Cl2 могут быть использованы для описания поведения тепловых свойств других сегнето-электрических кристаллов как вблизи температуры структурного фазового перехода Тс, так и в широкой области температур.

3. Построенные модели применимы для анализа и прогноза поведения теплопроводности сегнетоэлектрических кристаллов, пленок и проводимости твердых растворов на основе карбида кремния с целью совершенствования технологий получения материалов с наперед заданными свойствами.

4. Разработанные модели механизмов проводимости и эффекта усиления диэлектрической проницаемости широкозонных полупроводников на основе SiC могут быть использованы при анализе свойств и совершенствовании технологии получения твердых растворов, керамик, гетероструктур и тонких пленок на основе карбида кремния.

На защиту выносятся:

1. Новые математические модели и методы для описания тепловых и электрических свойств реальных кристаллов с дефектами, наноча-стицами и фазовыми переходами: диэлектрики, твердые растворы, сегнетоэлектрики, сегнетоэластикимодели систем разработанные с применением выражений типа Кубо-Гринвуда для кинетических коэффициентов (теплопроводность, проводимость) и с использованием метода динамических функций Грина кристаллов.

2. Разработка модели нового флуктуационного эффекта биений различных каналов рассеяния фононов в сегнетоэластиках Hg2Cl2 и сегнетоэлектриках типа KDPмоделирование особенностей теплопроводности Щ), позволяющее прогнозировать поведение кривой К{Т) как вблизи Тс, так и в широкой области температур.

3. Модели механизмов проводимости в твердых растворах нитрида алюминия в карбиде кремния (SiC)i.x (AlN)x с учетом возможности возникновения в этих системах фазового перехода полуметалл-изолятор.

4. Модель и интерпретация эффекта усиления диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в керамике SiC-AIN в рамках приближения Максвелла-Гарнетта.

5. Алгоритмы и комплекс программ анализа и прогноза температурного поведения теплопроводности сегнетоэлектрических кристаллов с дефектами, их комплексами-наночастицами около Тс и поведения проводимости твердых растворов на основе карбида кремния.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы были доложены на следующих конференциях: на VII Международном симпозиуме «Математическое моделирование и компьютерные технологии». -Кисловодск, 2005 г.- на V и VI Международной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии». — Кисловодск, 2005 и 2006 г.- на II Международной научно-технической конференции «Инфоком-муникационные технологии в науке и технике». — Ставрополь, 2006 г.- на VIII Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» — Ульяновск, 2006 г.- на IX международном симпозиуме «Упорядочение в металлах и сплавах»". — Ростов-на-Дону — п. JToo, 2006 г.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы автором в 15 научных статьях. Из них 1 статья в журнале «Известия вузов. Северо-Кавказский регион. Технические науки», 2 статьи в журнале «Нанои микросистемная техника», 1 статья в журнале «Вестник Воронежского государственного технического университета», остальные в материалах Международных и региональных конференций.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, содержащего 148 наименований. Работа изложена на 155 листах текста, содержит 3 таблицы и 29 рисунков.

Основные результаты диссертационной работы состоят в следующем:

1. На основе формул типа Кубо-Гринвуда получены выражения, позволяющие рассчитать кинетические коэффициенты (теплопроводности, проводимости) сегнетоэлектрических кристаллов и твердых растворов (SiC)ix (AlN)x на микроскопическом уровне.

2. Предложены новые методы и модели для расчета тепловых и электрических свойств сегнетоэлектрических кристаллов, твердых растворов и керамики на основе карбида кремнияпроведен численный анализ влияния различных механизмов рассеяния на температурную зависимость теплопроводности сегнетоэлектриков и проводимости (SiC),.x (AlN)x.

3. Построена новая модель флуктуационного эффекта биений и температурного поведения теплопроводности сегнетоэлектриков типа KDP (КН2РО4) и Hg2Cl2 вблизи структурного фазового перехода.

4. Предложены математические модели, описывающие механизмы проводимости в твердых растворах на основе карбида кремния (SiC)i.x (AlN)x с учетом возможности возникновения в этих системах фазового перехода изолятор-металл.

5. Разработана модель эффекта усиления диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в керамике SiC-AIN на основе подхода Максвелла-Гарнетта.

6. Разработан комплекс программ для анализа и прогноза тепловых, электрических свойств сегнетоэлектриков, твердых растворов и керамики на основе карбида кремния, а также сопоставлены результаты численных расчетов с соответствующими экспериментами.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.A. Strukov and A.A. Belov. Heat transport properties of order-disorder type ferroelectrics // Ferroelectrics, 126, P. 299, 1992
  2. B.A. Strukov and A.A. Belov. Heat transport properties of ferroelectrics and related materials. Phase transition, v. 51, p. 175 (1994).
  3. Карбид кремния. Под ред. Г. Хениша и Р. Роя.-М.: Мир, 1972,354с.
  4. Б.А. Струков. Фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами// Соросовский Образовательный Журнал, № 12, С.95−101,1996.
  5. С.А. Гриднев. Сегнетоэластики новый класс кристаллических твердых тел// Соросовский Образовательный Журнал, № 8, С. 100−107,2000.
  6. Н.Н. Большакова, О. В. Большакова, В. В. Иванов, Т. И. Иванова, Н. Н. Черешнёва. Процессы перестройки доменной структуры ниобийсо-держащих кристаллов титаната бария// ФТТ, Т.48, Вып.6, С. 1064−1066, 2006.
  7. В.Г.Вакс. Упорядочивающиеся сплавы: структуры, фазовые переходы, прочность// Соросовский Образовательный Журнал, № 3, С.115−123,1997.
  8. Ю.М. Гуфан. Фазовые переходы второго рода// Соросовский Образовательный Журнал, № 7, С.109−115,1997.
  9. В.И. Алтухов. Основы теории кинетических свойств кристаллов с дефектами и фазовыми переходами: диэлектрики и сегнетоэлектрики. Ставрополь: СевКавГТУ, 190с, 2003.
  10. А.А. Жуков, П. А. Прудковский. Самосогласованная модель доменной структуры в сегнетоэлектрических кристаллах типа KDP // Вестник МГУ. Серия 3. Физика. Астрономия, № 4, С.55−59, 2002.
  11. Ю.Ф., Кнорр К. Кластеры в сегнетоэластиках Ь^СЬ// ФТТ.1999.№ 1.Т.41.С.148−152.
  12. А.С. Доменная структура и процессы переключения в сег-нетоэлектриках// Соросовский Образовательный Журнал. 1999. № 8. С.103−109.
  13. Л.С., Смирнов И. А., Фокин А. В., Мисиорек X., Муха Я., Ежовский А. Рассеяние фононов на границах малых кристаллов, помещенных в диэлектрическою матрицу пористого стекла// ФТТ.2003. Т.45. Вып.2. С.359−363.
  14. А.С. Сигов. Сегнетоэлектрические тонкие плёнки в микроэлектронике// Соросовский Образовательный Журнал, № 10, С.83−91,1996.
  15. Р.А. Лалетин, А. И. Бурханов, JI.B. Жога, А. В. Шильников, А. С. Сигов, К. А. Воротилов. Влияние механических напряжений на диэлектрический отклик тонких сегнетоэлектрических пленок PZT // ФТТ, Т.48, Вып.6, С.1109−1110,2006.
  16. А.В., Радченко Г. С., Чернобабов А. И., Турик С. А., Супрунов В. В. Диэлектрические спектры неупорядоченных сегнетоактивных систем: поликристаллы и композиты// ФТТ, Т.48, Вып.6, С. 1088−1090, 2006.
  17. С.Н. Каллаев, Г. Г. Гаджиев, И. К. Камилов, З. М. Омаров, С.А. Сады-ков, JI.A. Резниченко. Теплофизические свойства сегнетокерамики на основе ЦТС// ФТТ, Т.48, Вып.6, С.1099−1100,2006.
  18. С.А. Гриднев. Дипольные стекла // Соросовский Образовательный Журнал, № 8, С.95−101,1998.
  19. В.П. Сахненко, П. Н. Тимонин. Критическая динамика изотропной фо-нонной модели // ЖЭТФ, Т. 85, № 4 (10), С. 1286−1298,1983.
  20. V.I. Altukhov V.I., Strukov В.А. The critical phonon scattering and peculiarities of the thermal conductivity in ferroelectrics // Cond. Matt. Phys. v. 5, № 4, pp. 769−776(2002).
  21. B.A. Strukov, A.A. Belov and V.I. Altukhov. Study of phonon scattering processes in displacive ferroelectrics by means of heat conductivity measurement//Ferroelectrics, 159, P. 25−30,1994.
  22. M.K. Курбанов, Б. А. Билалов, Ш. А. Нурмагомедов, Г. К. Сафаралиев. Исследование гетероструктур SiC/(SiC)i.x (AlN)x методом вольт-фарадных характеристик // Физика и техника полупроводников. Т.35.В.2.С.216−218,2001.
  23. М.К. Курбанов, Г. К. Сафаралиев, Б. А. Билалов, М. К. Гусейнов. Сублимационная эпитаксия полупроводниковых твердых растворов (SiC)i.x (AlN)x Н Сборник трудов международной конференции «Физи-ка-2005″. Баку. № 30. С.134−136.2005.
  24. Б.М. Синельников, В. А. Тарала, М. А. Оспищев, В. М. Шипилов. Выращивание монокристаллов карбида кремния на технологическом оборудовании под управлением аппаратно-программного комплекса на основе среды графического программирования Lab View.
  25. С.Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, О. В. Посредник, Ю. М. Таиров. Контакт металл-карбид кремния: зависимость высоты барьера Шоттки от политипа SiC // Физика и техника полупроводников. Т.35.В.12.С.1437−1439. 2001.
  26. С.Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, С. К. Тихонов. О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния // Физика и техника полупроводников. Т.31.№ 5.С.597−599.1997.
  27. В.И. Санкин, П. П. Шкребий. Электронный транспорт в естественной сверхрешетке карбида кремния в режиме квантования Ванье-Штарка: фундаментальные и прикладные аспекты // Физика и техника полупроводников. Т.35.В.5.С.594−599. 2001.
  28. Т.Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, С. Н. Юрков. Полуэмпирическая модель подвижности носителей заряда в карбиде кремния для анализа ее зависимости от температуры и легирования // Физика и техника полупроводников. Т.35.В.4.С.406−409.2001.
  29. С.Ю. Давыдов, С. К. Тихонов. О фотоупругости и квадратичной диэлектрической восприимчивости широкозонных полупроводников // Физика и техника полупроводников. Т.31.№ 7.С.823−824. 1997
  30. В.И., Казаров Б. А., Сафаралиев Г. К., Билалов Б. А., Шабанов Ш. Ш. Гигантское усиление диэлектрической проницаемости в твердых растворах на основе карбида кремния// Межвузовский сборник „Управление и информационные технологии“, Пятигорск, 2006.
  31. Н.Б. Строкан, A.M. Иванов, Н. С. Савкина, Д. В. Давыдов, Е. В. Богданова, А. А. Лебедев. Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц // Физика и техника полупроводников. T.36.B.3.C.375−377. 2002
  32. А. Васильев, В. Лучинин, П. Мальцев. Микросистемная техника. Материалы, технологии, элементная база // Электронные компоненты. № 4. С.3−11.2000
  33. А.А. Лебедев. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния. Обзор // Физика и техника полупроводников. Т.ЗЗ.В.2.С.129−155.1999
  34. Т.В. Бланк, Ю. А. Гольдберг. Полупроводниковые фотоэлектропреоб-разователи для ультрафиолетовой области спектра. Обзор // Физика и техника полупроводников. Т.37.В.9.С.1025−1055. 2003
  35. Е.А., Куликова И. В. Анализ тепловых режимов кристаллов интегральных схем на основе карбида кремния. 1997
  36. А.А. Лебедев. Гетеропереходы между политипами карбида кремния // Материалы VI Российской конференции по физике полупроводников. г. Санкт-Петербург, 27−31 октября 2003 г.
  37. Н.И. Медведева, Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский. Примеси титана, ванадия и никеля в 3C-SiC: электронная структура и эффекты релаксации решетки // Физика и техника полупроводников. Т.36.В.7.С.805−808. 2002
  38. Ю.Ю., Колядина Е. Ю., Конакова Р. В., Кочеров А. Н., Литвин О. С., Литвин П. М., Охрименко О. Б., Светличный A.M. Релаксационные процессы в структурах SiOi/SiC, обусловленные СВЧ воздействием.
  39. А.В. Мелких, А. А. Повзнер. Неравновесный фазовый переход полупроводник-металл, происходящий под действием саморазогрева // Журнал технической физики. Т.72.В.7.С.141−142.2002
  40. Н.Ф. Переходы металл-изолятор. М.: Наука, 1979,344 с.
  41. А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов. Перевод с англ. — М.: Мир, 1968. — 432 с.
  42. А., Монтрола Э., Вейсс Дж. Динамическая теория кристаллической решетки в гармоническом приближении. Перевод с англ. — М.: Мир, 1965. — 383с.
  43. A.M. Основы механики кристаллической решетки. М.: Мир, 1972.-280 с.
  44. И.М., Гредескул С. А., Пастур Л. А. Введение в теорию неупорядоченных систем. -М.: Наука, 1982. 358 с.
  45. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. П., Кайпер Р. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. -М.: Наука, 1981. 462 с.
  46. Теория и свойства неупорядоченных материалов / Сб. статей // Под ред. В.Л. Бонч-Бруевича. Перевод с англ. — НФТТ. М.: Мир, 1977. -В.7.-294 с.
  47. И.А., Медведев М. В. Теория магнитоупорядоченных кристаллов с примесями. М.: Наука, 1970. — 271 с.
  48. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Перевод с англ. — М.: Мир, 1982. — Т. 1,2.- 663 с.
  49. В.Л., Плакида Н. М., Стаменкович С. Рассеяние нейтронов сегнетоэлектриками. Энергоатомиздат, 1984. — 336 с.
  50. А., Каули Р. Структурные фазовые переходы. Перевод с англ. -М.: Мир, 1984.-407 с.
  51. Г. Фазовые переходы и критические явления. Перевод с англ. — М.: Мир, 1973. — 419 с.
  52. К., Когут Дж. Ренормализационная группа и Е-разложение / Под ред. В. К. Федянина. Перевод с англ. — НФФ, М.: Мир, 1975. -В. 5.-256 с.
  53. Ма Ш. Современная теория критических явлений / Под ред. Н. Н. Боголюбова (мл), В. К. Федянина. Перевод с англ. — М., 1960. — 296 с.
  54. А.З., Покровский В. Л. Флуктуационная теория фазовых переходов. М., Наука, 1982. — 382 с.
  55. М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / Под ред. Г. А. Смоленского. Перевод с англ, — М.: Мир, 1981. — 736 с.
  56. Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Динамика решетки. М.: Мир, 1975. — 396 с.
  57. .Т. Исследования по физике низких температур. М.: Атомиздат, 1979. — 214 с.
  58. Ю.Л. Статистическая физика. М.: Наука, 1982. — 608 с.
  59. Pohl R.O. Thermal Conductivity and Phonon Resonance Scattering. Phys. Rev. Lett, 1962. — V. 8, N 12. — P. 481−483.
  60. Walker G.T. Thermal Conductivity of Some Alkalihalides Containing F-Centers.-Phys. Rev., 1963.-V. 132, N5.-P. 1963−1975.
  61. Walker C.T. Phonon Scattering by Point Defects. Phys. Rev., 1963. — V. 131, N 4. -P. 1433−1442.
  62. Klein K. V, Physics of Color Centers / Ed. by W. B. Fowler. London, 1968.-329 p.
  63. B.C., Смирнов И. А. Дефекты в кристаллах и теплопроводность. Д.: Наука, 1972. — 160 с.
  64. .М., Чудновский А. Ф. Теплопроводность полупроводников. М.: Наука, 1972. — 536 с.
  65. Г. А., Боков В. А., Исупов В. А., Крайник Н. Н., Пасынков Р. Е., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Д.: Наука, 1971.
  66. Э.В. Нелинейный кристалл. Титанат бария. М.: Наука. 1974. -295 с.
  67. С.И., Шелимова Л. Е., Абрикосов Н. Х., Авилов А. С., Коржу-ев М.А. Анизотропия электросопротивления теллурида германия. -ФТТ, 1973. Т. 15, в. II. — С. 3407−3409.
  68. .Ф., Константинов П. П., Мойжес Б. Я., Равич Ю. И., Сысоева Л. М. Кинетические эффекты в кубической и ромбоэдрической фазах GeTe. ФТП, 1976. — Т. 10, в. 3. — С. 497−503.
  69. М.А., Шелимова Л. Е., Абрикосов Н. Х. Анизотропия электрических свойств GeTe. ФТП, 1977. т. И, в. 2. — С. 296−300.
  70. М.А., Аракчеева Л. В. Анизотропия электрических свойств GeTe. ФТП, 1978. — Т. 12, в. II. — С. 2192−2196.
  71. Kobayashi K.L.I., Kato Y., Katayama Y. et all. Resistance Anomaly Due to Displacive Phase Transition in SnTe. Sol. State commun, 1975. — V. 17, N 17.-P. 875−878.
  72. Takaoka S., Morase K. Anomalous resistivity near the ferroelectric phas transition in (Pb, Ge, Sn) те alloy semiconductors. Phys. Rev., 1979. — V, В 20, N7.-P. 2823−2833.
  73. Steigmeier E.F. Field Effect on the Cochran Mode in SrTiC>3 and КТаОз. -Phys. Rev., 1968. V. 168, N 2. — P. 523−530.
  74. Mante A.J., Volger H. The Thermal Conductivity of BaTi03 in the Neig-bourhood of its Ferroelectric Transition Teaperatures. J. Phys. Lett. 1967. -V. 24A, N3.-P. 139−140.
  75. Suemune Y. Thermal Conductivity of Some Ferroelectric Crystals with Hydrogen Bonds. J. Phys. Soc. Japan, 1967. — V. 22, N 3. — P. 735−743.
  76. Г. С. Тепловое сопротивление кристаллов, обусловленное рассеянием фононов на изотопических примесях замещения / Гр. ИФА АН ЭССР, 1964. Т. 29. — С. 95−102.
  77. Maradudin А.А. Heat Current and Thermal Conductivity due to Isotopic Mass variation in Crystals. J. Amer. Chem. Soc., 1964. V. 86. — P. 34 053 421.
  78. P. Квантовая теория твердых тел. М.: ИЛ, 1956. — 259 с.
  79. Peierls R.E. Zur kinetischen.-Ann. Pays., 1929. V. 3. — P. 1055−1101.
  80. Van Vleck J.H. Paramagnetic Relaxation and the Equilibrium of Lattice Oscillators. Pays. Rev., 1941. — V. 59, N 9. — P. 724−729, 730−736.
  81. Callaway J. Model for Lattice Thermal conductivity at Low Temperatures. -Phys. Rev., 1959.-V. 113, N4.-P. 1046−1051.
  82. Callaway J., Bayer N.C. Effect of Point Imperfections on Lattice Thermal Conductivity. Phys. Rev., 1960. — V. 120, N 4. — P. 1149−1154.
  83. Callaway J. Thermal Resistance Produced by Point Imperfections in Crystal p.-Nuovo Cimento, 1963.-V.29,N4.-P. 883−891.
  84. Klexnens P.Q. The thermal conductivity of dielectric solid at low temperatures. Proc. Roy. Soc., 1951.-V. A 208 N 1092.-P. 108−133.
  85. Klemens P.G. The Scattering of Low-Frequency Lattice Waves by Static Imperfections. Proc. Phys. Soc., 1955. — V. A 68, N 432. -P. 1113−1128.
  86. Klemens P.O. Thermal Resistance due to Isotopic Mass variation. Proc. Roy. Soc., 1957. V. A 70, N 455. — P. 833−836.
  87. Klemens P.G. Thermal Conductivity and Lattice Vibrational Modes. -Sol. State Phys., 1958.-V. 7.-P. 1−98.
  88. Berman B.H., Kettley P.T., Sheard F.W. et all. The effect of point imperfections on lattice conduction in solid. Proc. Roy. Soc., 1959. — V. A 253, N1274.-P. 403−419.
  89. Peierls R.E. Zur kinetischen.-Ann. Pays., 1929. V. 3. — P. 1055−1101.
  90. Г. Микроскопическая теория механических тепловых свойств кристаллов. Физматгиз, 1963. — 312 с.
  91. Klein M.V. Effect of the Precipitation of Dissolved MnCl2 on the Low-Temperature Themal Conductivity of NaCl. Phys. Rev., 1961. — V. 123, N 6.-P. 1977−1985.
  92. Klein M.v. Phonon Scattering by Lattice Defects. Pays. Rev., 1963. -V. 131, N4.-P. 1500−1510.
  93. Klein M.V. Phonon scattering, by Lattice Defects. II. Phys. Rev, 1966. -V. 141, N2.-P. 716−723.
  94. Caldwell R.F., Klein M.V. Experimental and Theoretical Study of Phonon Scattering from Simple Point Defects in Sodium Chloride. Phys. Rev., 1967. — V. 158, N 3. — P. 851−875.
  95. Chau O.K., Klein M.V., Wedding B. Photon and phonon interactions interactions with OH' and OD» in КС 1. Pays. Rev. Lett., 1966. — V. 17, N 10.-P. 521−525.
  96. И. О теплопроводности диэлектриков при температурах больше дебаевских. ЖЭТФ, 1941. — Т. II, В. 2. — С. 226−245.
  97. Дж. Теория необратимых процессов / Под ред. Д. Н. Зубарева. Пер. с англ. — М.: Наука, 1966. — 111 с.
  98. И. Неравновесная статистическая механика / Под ред. Д. Н. Зубарева. Пер. с англ. — М.: Мир, 1964. — 314 с.
  99. Вопросы квантовой теории необратимых процессов /Сб. статей, Под ред. B.JI. Бонч-Бруевича. Пер. с англ. — М.: ИЛ, 1961. — 365 с.
  100. Д.Н. Неравновесная статистическая термодинамика. М.: Наука, 1971.-415 с.
  101. Kubo R., Yokata М., Nakajima S. Statistical Mechanical Theory of Irreversible Processes. II.-J. Phys, Japan, 1957.-V. 12, N 11.-P. 1203−1211.
  102. Greenwood D.A. The Boltzman Equation in the Theory of Electrical Conduction in Metals. Proc. Phys. Soc., 1958. V. 71, N 460. — P. 585−596.
  103. В.Ф. К теории проводимости кристаллов. ТМФ, 1984. — Т. 60, № I. — С. 107−119.
  104. В. И. Симметрия и структурные фазовые переходы в кристаллах. Ставрополь: СевКавГТУ, 2003. 96 с.
  105. В.И., Струков Б. А., Катрышева М. В. Критическое рассеяние фононов и особенности теплопроводности ферроэлектриков // Микросистемная техника. 2003, № 4, С. 69 74.
  106. Altukhov V.I., Strukov В.A. The critical phonon scattering and peculiarities of the thermal conductivity in ferroelectrics // Cond. Matt. Phys. 2002. v. 5,№ 4, pp. 769−776.
  107. В. H. О критических аномалиях теплопроводности сегнето-ферромагнетиков // Изв. АН Латв. ССР, сер. физ. и техн. наук, 1985. 6. № 20. с. 110.
  108. В. Н. Теплопроводность сегнетоэлектриков с водородными связями // ТМФ.Изв. АН Латв. ССР, сер. физ. и техн. наук, 1985. 6. № 20. с. 110.
  109. Е.М. Влияние спин-фононного взаимодействия на теплопроводность парамагнетика // ФТТ. 1970. Т. 12. № 4. с. 1159−1166.
  110. .Я. Затухание высокочастотного звука и теплопроводность в сегнетоэлектриках типа смещения// ЖЭТФ, 1971. Т. 61. № 4. С. 1627−1635.
  111. .Я., Вакс В. Г. О влиянии теплопроводности на диэлектрическую проницаемость и распространение звука в твердом теле. ЖЭТФ, 1969. Т. 57. № 5. С. 1646−1659.
  112. А.В. Турик, А. И. Чернобабов, Г. С. Радченко, С. А. Турик. Гигантское пьезоэлектрическое и диэлектрическое усиление в неупорядоченных гетерогенных системах // Физика твердого тела, Т.46, В. 12, С.2139−2142, 2004.
  113. А.Н. Ораевский. Существует ли коллективный диэлектрический резонанс? // Письма в ЖЭТФ, Т.78, В.1., С.8−10,2003.
  114. А.Н. Павлов, И. П. Раевский, В. П. Сахненко. Особенности диэлектрической проницаемости поликристаллических сегнетоэлектриков (роль областей Шоттки) // Физика твердого тела, Т.45, В. 10, С. 1875−1879, 2003.
  115. А.П. Виноградов. Электродинамика композитных материалов. М. 2001.208 с.
  116. А.В. Гончаренко, О. С. Горя, H.JI. Дмитрук, А. А. Михайлик, В.Р. Ро-манюк. Диэлектрическая функция твердых растворов GaPAs в области колебательного поглощения // Журнал технической физики, Т.71, В.8, С.39−47,2001.
  117. И.А. Файзрахманов, В. В. Базаров, A. J1. Степанов, И. Б. Хайбуллин. Влияние имплантации ионов меди на оптические свойства и низкотемпературную проводимость углеродных пленок // Физика и техника полупроводников, Т.40, В.4, С.419−425,2006.
  118. С.В. Павлов. Диэлектрическая проницаемость композита с наполнителем из сегнетоэлектрика // Нано- и микросистемная техника. № 3. 2006. С.17−18.
  119. С.В. Грабовский, И. В. Шнайдштейн, Б. А. Струков. Влияние примесей органических красителей на диэлектрические свойства кристаллов КН2Р04 // Физика твердого тела, Т.45, В. З, С.518−522,2003.
  120. Б.С. Задохин, Е. В. Солодовник. Моделирование динамических свойств кристаллов Hg2Hal2 (Hal=Cl, Br, I) // Физика твердого тела, Т.46, B. l 1, С.2040−2044,2004.
  121. Virkar A.V. Investigation of phase stability in the SiC-AIN.// I.Am. Ce-ram. Soc., 1983.- V.66.- № 4.- P.272−276.
  122. Griffiths L.B. Defect structure and polytypism in silicon carbide.//1. Phys. chem. sol., 1966.- V.27.- P.257−266.
  123. Bensten L.D., Hasselman D.P.H, Ruh R. Effect of hotpressing temperature on the thermal cliffusivity conductivity of SiC/AIN composites //1. Am. Ceram. Soc., 1983.- V.66.- № 3.- C.40−41.
  124. Rafaniello W., Cho K., Virkar A.V. Fabrication and Characterization of SiC-AIN alloys //1. Mater. Sci., 1981.- V. l6.- № 12.- P.3470−3488.
  125. Ruh R. and Zangvil A. Composition and properties of hot pressed SiC -A1N solid Solutions//1. Am. Ceram. Soc., 1982.- V.65.- № 2.- P.260−265.
  126. Zangvil A. and Ruh P. The Si3Al4N4C3 and Si3Al5N5C3 compounds as SiC-AIN solid solutions //1. Mater. Sci. Lett., 1984.- № 3.- P.249−250.
  127. Kuo S.V., Iou Z.S., Virkar A.V. Fabrication, thermal treatment and micro-structure development in SiC-AlN-Al2OC ceramics// I.Mater. Sci., 1986.-V.21.- P.3019−3024.
  128. .А., Нурмагомедов Ш. А., Курбанов M.K., Исмаилова Н. П. Исследование структуры твердых растворов (SiC)i.x (AlN)x. // Вестник ДГТУ, Махачкала. Серия технические науки. В.4. 2001. -С. 65−68.
  129. М.К., Билалов Б. А., Сафаралиев Г. К. Электропроводность полупроводниковых твердых растворов (SiC)i.x (AlN)x // Вестник ДГУ.В. Естественные науки. Махачкала. 2000.-С. 18−23.
  130. Cutler I.B., Miller P.D. Solid solution and releted Systems// Natyre (London), 1978.- V.275.- P.434−435.
  131. Cutler I.B., Miller P.D. Solid solution and process for production a solid solution // Us pat. u 141 740, Feb.27,1979.
  132. Zangvil A., Ruh P. Phase recatiohships in the silicon carbide aluminum nitride system // I.Am. Ceram. Soc., 1988.- V.71.- № 10.- P.884−890.
  133. Ш. А., Пихтин A.H., Разбегов B.H., Сафаралиев Г. К., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SiC)i.x (A1N)X // Письма в ЖТФ, 1986.- Т. 12.- вып. 17.- С.1043−1045.
  134. .А. Процессы формирования и электрофизические свойства гетероструктур карбида кремния твердые растворы на основе карбида кремния. Автор.докт.дисс. — Ставрополь, 2001,-44 с.
  135. Б.А. Струков, А. П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука. Физматлит, 1995 — 304с.
  136. Г. К., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф., Шабанов Ш. Ш. и др. Получение и свойства поликристаллических твёрдых растворов SiC -A1N //Физика и техника полупроводников. Т.27, вып. З 1993. С. 402 408.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!