Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Методы и средства неразрушающего контроля параметров твердофазной диффузии

Диссертация: Методы и средства неразрушающего контроля параметров твердофазной диффузии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Актуальность проблемы: Диффузионные процессы в твердом теле играют важную роль в создании материалов с заданными структурами и свойствами. При помощи диффузии в микроэлектронике формируются области с определенным типом проводимости и градиентом концентрации примеси, создаются диодные и транзисторные структуры, резисторы и другие элементы интегральных схем. Процессы массопереноса в тонкопленочных… Читать ещё >

Методы и средства неразрушающего контроля параметров твердофазной диффузии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • I. Основы теории методов контроля твердофазной диффузии
    • 1. 1. Основные математические модели и параметры контроля процессов диффузии
    • 1. 2. Принципы построения методов расчета и контроля диффузионных процессов
    • 1. 3. Анализ современных методов и средств контроля параметров диффузии
    • 1. 4. Методы определения концентрационной зависимости коэффициента диффузии
    • 1. 5. Способы проведения диффузии в полупроводниках и металлах
    • 1. 6. Выводы
  • II. Теоретическое обоснование неразрушающих методик контроля термодинамических параметров твердофазной диффузии
    • 2. 1. Определение параметров диффузии по динамике изменения поверхностной концентрации примеси
    • 2. 2. Неразрушающий метод определения концентрационной зависимости коэффициента диффузии
    • 2. 3. Диффузионный метод создания концентрационных профилей с максимумом в глубине образца
    • 2. 4. Общие принципы построения технологий неразрушающего контроля параметров твердофазной диффузии
    • 2. 5. Выводы
  • III. Контроль параметров диффузии бора и фосфора в приповерхностной области ионно-легированного кремния
    • 3. 1. Метод ионного легирования и начальное распределение примеси
    • 3. 2. Принципы построения технологий неразрушающего контроля параметров диффузии в полупроводниках
    • 3. 3. Определение термодинамических параметров диффузии бора и фосфора в ионно-легированном кремнии
    • 3. 4. Контроль поверхностных электрофизических параметров полупроводников методом измерения разности поверхностных потенциалов
    • 3. 5. Выводы
  • IV. Контроль параметров диффузии в приповерхностной области ионно-азотированпых металлов
    • 4. 1. Принципы построения технологий неразрушающего контроля термодинамических параметров диффузии в ионно-азотированных металлах
    • 4. 2. Определение термодинамических параметров диффузии ионно-азотированного вольфрама
    • 4. 3. Определение объемного коэффициента диффузии азота в монокристаллическом вольфраме
    • 4. 4. Определение термодинамических параметров диффузии ионно-азотированного молибдена
    • 4. 5. Выводы
  • V. Математическое моделирование диффузионных процессов в ионно-легированных материалах
    • 5. 1. Обоснование феноменологической модели двухпоточной диффузии
    • 5. 2. Численное моделирование процесса многопоточной диффузии
    • 5. 3. Пример расчета параметров диффузии бора и фосфора в приповерхностной области ионно-легированного кремния
    • 5. 4. Пример расчета параметров диффузии азота в приповерхностной области ионно-легированного вольфрама
    • 5. 5. Определение параметров радиационных дефектов по диффузионным данным
    • 5. 6. Выводы

Актуальность проблемы: Диффузионные процессы в твердом теле играют важную роль в создании материалов с заданными структурами и свойствами. При помощи диффузии в микроэлектронике формируются области с определенным типом проводимости и градиентом концентрации примеси, создаются диодные и транзисторные структуры, резисторы и другие элементы интегральных схем. Процессы массопереноса в тонкопленочных структурах во многом определяют надежность микроэлектронных устройств. Диффузия играет ведущую роль во многих процессах, определяющих свойства металлов и металлических сплавов. Применение диффузионных технологий позволяет создавать профили с заданным показателем преломления для интегральной оптики и волоконных световодов.

Процессы массопереноса характеризуются большим количеством взаимосвязанных физико-химических параметров, измерять и контролировать многие из которых в ходе технологического процесса практически невозможно. Современный подход к оптимизации диффузионных технологий основан на применении программ сквозного математического моделирования, позволяющих при сравнительно малых затратах с высокой степенью точности прогнозировать выходные характеристики изделий. Построение такой модели невозможно без понимания механизмов процесса массопереноса и сведений о численных значениях кинетических параметров, характеризующих скорость протекания диффузионных процессов и влияние границ раздела материалов. Эти требования стимулируют разработку современных методов и средств контроля, позволяющих с высокой степенью точности определять параметры диффузии и их зависимость от внешних и внутренних условий.

По условной классификации Б .Я. Любова [1], исследования, относящиеся к контролю параметров диффузии в кристаллах, делятся на три основные группы:

1. Разработка методов измерения параметров диффузии в различных системах.

2. Развитие теории диффузии как в феноменологическом аспекте, так и с учетом атомного строения вещества.

3. Изучение и анализ различных диффузионных процессов.

Все эти группы исследований в области твердофазной диффузии взаимосвязаны и взаимозависимы. Так разработка методов измерения параметров диффузии невозможна без построения соответствующей модели массоперено-са, а полученные параметры в температурной своей зависимости являются термодинамическими величинами и могут быть подвергнуты как феноменологической трактовке, так и атомно-молекулярной.

Развитие математической теории диффузии, как составной части феноменологического аспекта методов контроля диффузионных материалов, приобретает все более важное значение, последние достижения в этой области систематизированы, например, в [ 2,3,4 ].

Применяемые в настоящее время методы контроля диффузионных процессов построены на анализе экспериментальных данных о пространственной зависимости распределения примесных атомов. Основной недостаток этих методов заключается в необходимости применения технологий послойного анализа, непосредственно влияющих на погрешность определения величин диффузионно-чувствительных параметров. Погрешность эта становится особенно существенной при контроле процессов массопереноса в создаваемых на основе современных технологий субмикронных структурах. Внедрение новых технологий и уменьшение размеров структур, создаваемых при помощи диффузии приводит к необходимости создания новых высокоточных неразру-шающих методов контроля термодинамических параметров твердофазной диффузии.

В свете вышеизложенного, работы, связанные с разработкой неразру-шающих методов и средств контроля параметров диффузии в субмикронных структурах, развитием соответствующей математической и феноменологической теории диффузии, с исследованиями процессов, составной частью которых является диффузионный перенос, представляются весьма актуальными в части практического приложения к исследованиям и моделированию процессов и технологий.

Цель работы: Повышение точности, достоверности результатов и оперативности методов контроля диффузионных процессов в субмикронных структурах. Для достижения указанной цели поставлены и решены следующие задачи:

— разработаны теоретические основы неразрушающих методов контроля параметров твердофазной диффузии;

— проведен анализ возможных источников погрешностей и обоснованы способы их минимизации;

— разработан метод неразрушающего контроля поверхностных электрофизических параметров полупроводников;

— разработаны и внедрены технологии неразрушающего контроля параметров диффузии примеси в металлах и полупроводниках;

— обоснована новая феноменологическая модель диффузии примеси в ионно-легированных материалах;

— установлены температурные зависимости параметров многопоточной диффузии для бора, имплантированного в кремний и азота, имплантированного в вольфрам.

Методы исследования: Для определения атомного состава поверхностных слоев диффузионных материалов применялись Оже-электронная спектроскопия, вторично-ионная масс спектроскопия и электропотенциальный метод. Исследования структуры материалов проводилось методами электронной микроскопии, рентгеноскопии и дислокационного травления.

Научная новизна: На основе решений краевых задач массопереноса получены математические модели влияния физико-химических параметров диффузии на динамику изменения поверхностной концентрации примеси. Разработаны новые методы неразрушающего контроля параметров твердофазной диффузии: коэффициента диффузии и коэффициента массообмена, основанные на определении абсолютного значения и времени достижения максимума поверхностной концентрации или измерении скорости убывания поверхностной концентрации примеси.

Разработаны принципы неразрушающего контроля величины поверхностной концентрации примеси в полупроводниках методом КРП и алгоритмы определения ее значений по экспериментально измеренной контактной разности потенциалов.

Использование разработанных методов позволило впервые экспериментально установить существование в приповерхностной области ионно-легированных материалов примесных потоков с различными механизмами диффузии.

Обоснована новая феноменологическая модель диффузии в ионно-легированных материалах. Сформулирована соответствующая задача Коши двухпоточной диффузии примеси и получены аналитические решения систем уравнений в частных производных для взаимодействующих потоков в случае ограниченного и полубесконечного образцов.

Установлены температурные зависимости коэффициентов диффузии дислокационного и объемного потоков для бора, имплантированного в кремний, и азота, имплантированного в вольфрам.

Практическая ценность работы: Исключение операций послойного анализа позволяет значительно снизить трудоемкость процесса и устранить погрешности, связанные с влиянием травления на измеряемые диффузионно-чувствительные параметры.

Разработанные методики могут применяться для широкого круга материалов и технологий при соответствующем выборе диффузионно-чувствительного параметра поверхности.

Аналитические решения уравнений и температурные закономерности параметров двухпоточной диффузии для бора в кремнии и азота в вольфраме применялись для оптимизации технологических режимов с целью получения диффузионных слоев с заданными характеристиками.

Реализация научно-технических результатов: Разработанные методы и средства применялись для неразрушающего контроля технологических процессов диффузии и научных исследованиях в различных НИИ РАН: ИФТТ РАН, ИРЭ РАНотраслевых институтах и организациях: ВНИИА, ФГУП ВИАМ, что подтверждается актами внедрениями результатов диссертационной работы.

Апробация работы: Основные результаты докладывались и обсуждались на: III международной конференции «Advanced Materials and Processes» (г. Калуга, октябрь 1995), Всероссийской научно — технической конференции «Микрои наноэлектроника» (МНЭ-98) (12−16 октября 1998 г., г. Звенигород), II Международной конференции «Моделирование и исследование сложных систем» (г. Москва, 1998 г.), семинаре в Институте проблем технологии микроэлектроники (г. Черноголовка, ноябрь 1997 г.), 17 General Conference of the CONDENSER MATTER DIVISION European Physical Society (25−29 August, 1998), V и VI Международной конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы приборостроения, информатики, экономики и права» (2002, 2003, г. Сочи), Международной конференции «Наука о материалах на рубеже веков: достижения и вызовы времени» (4−8 ноября 2002 г. Киев, Украина), 10 Международной конференции «Приборинформ» (г. Севастополь, сентябрь 2003 г.), SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DIFFUSION IN MATERIALS DIMAT.

2004 (18 — 23 July 2004, Krakow, Poland), межотраслевом научно-техническом совещании «Новые технологические процессы по защите от коррозии материалов деталей и узлов авиационной техники» (М., 18−19 октября 2004 г.).

Основные результаты, представляемые к защите:

1. Теоретические основы контроля неразрушающих методов контроля термодинамических параметров диффузии примеси в твердом теле.

2. Технологии неразрушающего контроля кинетических параметров твердофазной диффузии в приповерхностной области ионно-легированных металлов и полупроводников.

3. Принципы неразрушающего контроля поверхностных электрофизических параметров полупроводников методом КРП и средства их практической реализации.

4. Многопоточная диффузия примесей в приповерхностной области ионнолегированных металлов и полупроводников, определяющая характеристики диффузионных слоев имплантированных материалов.

5. Математические модели и аналитические решения систем дифференциальных уравнений двухпоточной диффузии, составляющие математическую основу методов расчета диффузионных слоев ионно-легированных материалов.

6. Температурные закономерности характеристик многопоточной диффузии бора в ионно-легированном кремнии и азота в ионно-легированном вольфраме, необходимые для оптимизации режимов диффузионных технологий. Публикации: Материалы диссертационной работы опубликованы в монографии и 29 научных статьях и докладах.

Личный вклад автора: Все результаты, составляющие основное содержание диссертации, получены автором самостоятельно. Во всех совместных публикациях автором сформулированы постановка задачи и метод ее решения. Структура и объем работы: Работа содержит введение, 5 глав и приложения. В главе I рассмотрены основные математические модели диффузионных про.

основные выводы:

1. Впервые разработаны теоретические основы неразрушающих методов контроля термодинамических параметров твердофазной диффузии.

2. Разработан новый метод неразрушающего контроля величины поверхностной концентрации примеси в полупроводниках.

3. Разработаны технологии неразрушающего контроля примеси металлах и полупроводниках, повышающие достоверность и оперативность измерения термодинамических параметров твердофазной диффузии.

4. Установлено существование нескольких диффузионных потоков, параметры которых определяют структуру и свойства диффузионных слоев ионно-легированных материалов.

5. Предложена и обоснована новая феноменологическая модель двухпоточной диффузии и получены соответствующие аналитические решения, повышающие точность контроля диффузионных слоев ионно-легированных материалов.

6. Установлены температурные закономерности коэффициентов диффузии бора, ионно-легированного в кремнии для двух потоков и скорости перехода атомов примеси из одного потока в другой в интервале температур 900−1050° С:

Ц =1.35−10″ 5ехр (-1.77еГ/?Г), см2/с,.

D2 = 4 -10~5 ехр (-2.3eV /кТ), см2/с, а = 3.67−104ехр (-2.05 eV / кТ), с'.

Установлены температурные закономерности термодинамических параметров диффузии азота, ионно-легированного в монокристаллический вольфрам в интервале температур 700−820° С: D,=7−10~14 ехр (-0.15 eV/kT), см/с, D2=L24−10~12 ехр (-0.75 eV/kT), см2/с, а=0.034 ехр (-1.39 eV/kT), с необходимые для оптимизации режимов диффузионных технологий.

Заключение

.

Предложенные неразрушающие методы контроля диффузионных параметров основаны на экспериментальном определении динамики изменения поверхностной концентрации примеси в твердом теле.

Для применения первого из неразрушающих методов нужно определить время достижения максимума поверхностной концентрации примеси, при условии, что начальное распределение примеси имеет максимум на некоторой глубине. Величина экспериментального определения полученных данных будет зависеть практически только от ошибки в определении времени появления максимума относительной концентрации на поверхности. Эта погрешность хотя и связана с ошибкой в определении концентрации, однако будет меньше, чем у обычно используемых методов, так как отсутствует необходимость в определении абсолютного значения концентрации и глубины слоя. Время достижения максимума поверхностной концентрации зависит, в основном, от подвижности примесных атомов в приповерхностной области, поэтому метод может быть использован для контроля приповерхностных диффузионных слоев и тонких пленок, параметры диффузии которых могут существенно отличаются от объемных диффузионных характеристик материалов.

Второй неразрушающий метод определения коэффициента диффузии основан на измерении скорости уменьшения поверхностной концентрации примеси. Динамика этого процесса определяется потоком атомов примеси от поверхности образца в его объем, поэтому полученные экспериментальные данные будут зависеть от объемного коэффициента диффузии.

Таким образом, оба предложенных метода позволяют осуществлять контроль параметров диффузии с высокой степенью точности, используя отработанные технологии определения величины поверхностной концентрации. При этом отпадает необходимость в снятии слоев материала образца, что значительно упрощает технологический процесс, снижает его трудоемкость, уменьшает время и повышает точность контроля диффузионных параметров.

Аналогичными преимуществами обладают и новые методы определения концентрационной зависимости коэффициента диффузии и коэффициента массообмена.

Так, например, рассмотренный в параграфе 4.1 эксперимент по определению диффузионных параметров азота в приповерхностной области ионно-легированного вольфрама для одной температуры занимает порядка трех часов. Погрешность, при использовании метода оже-электронной спектроскопии в режиме одновременного отжига и снятия данных, составляет порядка 15% (таблица 4.2). Применение стандартных методов послойного анализа потребует порядка 5 часов травления, без учета операций измерения поверхностной концентрации и времени отжига. При этом максимальная точность расчета коэффициента диффузии не превышает 40%.

Экспериментальная реализация рассмотренных неразрушающих методов предполагает использование технологических операций, применяемых и для наиболее точных разрушающих методов — термический отжиг и измерение поверхностной концентрации примеси. Это позволит на одном оборудовании определять параметры диффузии независимыми методами, повышая достоверность полученных результатов.

Применение неразрушающих методов контроля позволило экспериментально установить существование нескольких диффузионных потоков, определяющих структуру и свойства диффузионных слоев в приповерхностной области ионно-легированных металлов и полупроводников. На основании полученных данных создана новая феноменологическая модель диффузии в приповерхностной области ионно-легированных материалов. Сформулирована задача Коши для двухпоточной диффузии примеси в ионно-легированном образце. Получены аналитические решения систем уравнений, описывающих двухпоточную диффузию в условиях взаимодействующих потоков для ограниченного и полубесконечного случаев. Эти математические модели легли в основу новых компьютеризированных средств неразрушающего контроля диффузионных параметров приповерхностной области ионно-легированных материалов.

С помощью этой модели по временным зависимостям поверхностной концентрации примеси определены температурные зависимости параметров двухпоточной диффузии бора, имплантированного в кремний и азота, имплантированного в вольфрам. Следует заметить, что существующие методы снятия слоев не дают такой возможности.

Системы уравнений для диффузии и их аналитические решения могут быть использованы не только для решения задачи о диффузии в приповерхностной области, но и для решения других подобных диффузионных задач. Это обусловлено тем, что они являются феноменологическими и в достаточной мере универсальными, так как были получены без каких либо предположений о природе радиационных дефектов и диффузионных каналов.

Одним из наиболее важных результатов математического моделирования следует, по-видимому, считать возможность получения температурной зависимости коэффициента перехода атомов примеси из одного потока в другой, напрямую связанный со скоростью отжига радиационных дефектов и открывающаяся возможность определения типа дефектов по энергии активации этой температурной зависимости [126].

К недостаткам методов следует отнести сложность определения наличия временной зависимости параметров диффузии, так как фактически измеряемый коэффициент является эффективным и невозможность анализа процессов диффузии в структурах с пространственной неоднородностью [127].

Обобщая результаты исследований можно сформулировать.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Дж. Кинетика диффузии атомов в кристаллах / Маннинг Дж,-М.:Мир, 1971.-278 с.
  2. Э.М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел / Карташов Э.М.- М.: Высшая школа, 1985, — 480 с.
  3. Н.М. Методы теории теплопроводности, ч. I, II / Беляев Н. М., Рядно А. А. М.: Высшая школа, 1982. — 320 с.
  4. О.М. Обратные задачи теплообмена / Алифанов О.М.-М. Машиностроение, 1988. -280 с.
  5. Solmi S. Diffusion of boron in silicon during post implantation anneling / Solmi S., Barruffaldi F. //J. Appl. Phys.- 69 (4), 1991.- pp.2135−2143.
  6. Tsui M.J. Defects and Radiation Effects in semiconductors / Tsui M.J., Morehead F.F., Beglin E.E.//J. Appl. Phys.- v. 51, 1980.- pp.3230−3238.
  7. A. Miliou. Fiber Compatible K+ Na+ Ion-Exchanged Weveguides: Fabrication and Characterization / A. Miliou, H. Zhenguang // J. Quantum electronics.- v.25, 1989.-pp.1889- 1894.
  8. Ч. Введение в физику твердого тела. / Киттель Ч. М.: «Наука», 1978.- 792 с.
  9. В.Н. Влияние условий ионной имплантации на дефектообразование в кремнии / Жуковский В. Н. // Физика и техника полупроводников.- № 1,1992 г.- С. 150−158.
  10. Б.С. Бокштейн. Диффузия в металлах / Б. С. Бокштейн. М.: «Металлургия», 1978 г.-250 с.
  11. Но С.Р. VLSI Process Modeling Suprem III / Но C.P., Plummer J.D., Hansen S. E. // IEEE Trans. — Vol. ED-30, 41,1983. — pp. 1438 — 1453.
  12. Mulvaney B. J. Model for defect impurity pair diffusion in silicon / Mulvaney B. J., Richardson W. B. // Appl. Phys. Lett.- 51 (18), 1987.- pp.14 391 441.
  13. А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем / Бубенников А.Н.- М.: Высшая школа, 1989 г. 280 с.
  14. Т.Д. Арсенид галлия / Джафаров Т. Д., Малкович Р. Ш. Томск, издание Томского университета, 1968. — 223 с.
  15. Chang L. L., Cama A. Appl. Phys. Lett., 51 (18), 1976, pp. 1439−1441.
  16. Г. Б. Атомная диффузия в полупроводниковых материалах / Абдуллаев Г. Б., Джафаров Т. Д. М.: Атомиздат, 1980.- 321 с.
  17. В.К. Физика твердого тела / Субашиев В. К., Полтинников С. А. М.: Высшая школа, 1960. т.2.- 769 с.
  18. Van der Pauw L. G. Philips Repts, 1958, v. 13, pi.
  19. Mazur R.G., Dickley D.H. J. Electrochem. Soc., 1966 v. l 13, p. 255.
  20. Peaker A.R., Smit B.L. Sol. State Electron, 1970, v.13, p.1407.
  21. Yamashita A., Aoki Т., Yamagechi M. Japan J., Appl. Phys. 1973, v.12 p. 1267.
  22. Yamashita A., Aoki Т., Yamagechi M. Japan J., Appl. Phys. 1975, v.14 p. 991.
  23. Jones C.E., Hilton A.R. J. Electrochem., Soc, 1965, v. l 12, p. 908.
  24. B.B. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев / Батавин B.B. М.: Сов. Радио, 1976. — 250 с.
  25. М.Е. Авторадиография. / Дриц М. Е., Свидерская З. А., Канадер Э. С. -М.: Металлургия, 1961.- 234 с.
  26. В.И. Микроавторадиография / Короткое В. И. М.: Высшая школа, 1967.-345 с.
  27. .И. Физика твердого тела / Балтакс Б. И., Соколов В. И. М.: Атомиздат, 1963.- т.5.- 1077с.
  28. Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности / Вудраф Д., Делчар Т. М.: Мир, 1989 г. — 586 с.
  29. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Поута Дж., Ту К., Мейера Дж.- М.: Мир, 1981.-486 с.
  30. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел / Под ред. Фирменса JL, Венника Дж., Декейсера.- М.: Мир, 1981. 486 с.
  31. S. В. Treatise on analytical Chemistry. Ed. Kolthoff I.M., Elving P.J. Juterscience. New Yore, 1959, p. 2075.
  32. Sippel R. F. Phys. Rev., 115, 1411, 1959.
  33. Carter G., Collidon J. D. Ion Bombardment of Solid.
  34. Wehner G.K. Methods of Sarface analisis. / Ed. A.W. Gzanderna, Elsevier, Amsterdam, 1975.
  35. Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Павлов Л. П. М.: «Высшая школа», 1987. — 240 с.
  36. Ю.М., Арзамасов Б. Н. Химико-термическая обработка металлов. / Лахтин Ю. М., Арзамасов Б. Н. М.: Металлургия, 1985 г.- 200 с.
  37. А.Г. Характеристики систем с распределенными параметрами/ Бутковский А. Г. М.: Наука, 1979.-224 с.
  38. О.Б. Некоторые задачи моделирования технологических процессов изготовления приборов микроэлектроники / Боднарь О. Б., Замалин ЕЛО. // Микроэлектроника. -1995. № 4.- С. 309−314.
  39. О.Б. Неразрушающие’методы определения параметров диффузии примеси в твердом теле/ Боднарь О. Б. //. Диагностика и контроль. -2005 г. -№ 2.- С. 45−47.
  40. О.В. Bodnar'. Diffusion Parameter Determination by a Non-destructive Technique with the Assumption of Mass Exchange on the Surface/ O.B. Bodnar', I.M.
  41. Aristova, A.A. Mazilkin, A.N. Chaika and P.Yu. Popov // Defect and Diffusion Forum.- 2006.- 249.- pp. 189−192.
  42. А.Д. Справочник по точным решениям уравнений тепло- и массопереноса/ А. Д. Полянин, А. В. Вязьмин, А. И. Журов, Д. А. Казенин -М.: Факториал, 1998. -229 с.
  43. Е.И. Методы математической физики/ Несис Е. И. М.: «Просвещение», 1977 199 с.
  44. А.И. Математическая теория диффузии в приложениях/ Райченко А. И. К.: «Наукова думка», 1981. — 396 с.
  45. Н.С. Уравнения в частных производных математической физики/ Кошляков Н. С., Глинер Э. Б., Смирнов М. М. М.:Высшая школа, 1970 — 710 с.
  46. А.А. Физическая химия/ Жуховицкий А. А., Шварцман J1.A. -М.: «Металлургия», 1968. 520 с.
  47. Dao Khac An. Computer Calculation of Enhanced Diffusiviti and Effective Activation Energy from Measured profiles of Impurities Silicon/ Dao Khac An.// Defect and Diffusion Forum Vols., 194 -199 (2001) pp. 653−658.
  48. О.Б. Неразрушающие методы определения параметров диффузии/ Боднарь О. Б. // X Межд. конф. «Моделирование электронных приборов и аппаратуры».- 2003.- 6- 10 сентября, г. Севастополь.- С.49−61.
  49. Н.Н. Численные методы/ Калиткин Н. Н. М.: Наука, 1978. -512 с.
  50. Технология СБИС/ Под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986., т.1. — 330 с.
  51. О.Б. Управление диффузионным профилем концентрации/ .Боднарь О. Б., Попов П. Ю. // Межд. конф. «Информационные технологии в науке технике и образовании».- Севастополь, 2004. С. 96−98.
  52. Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел/ Карслоу Г., Егер Д. -М.: Наука, 1964.- 488 с.
  53. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств/ Готра 3.10. -М.: Радио и связь, 1991.- 528 с.
  54. J. Appl. Phys., 1963, v.34. № 7, p. 4272.
  55. Jap. J. Appl. Phys., 1968, v.7. № 10, p. 1231.
  56. Solid State Electron., 1982, v.25. № 4, p. 253.
  57. Jap. J. Appl. Phys., 1964, v.3. № 5, p. 511.
  58. МОП-БИС. Моделирование элементов и технологических процессов/ Под. ред. П. Антонетти. М.: Радио и связь, 1988. — 327 с.
  59. Giles М. D. Ion implantation calculation in Two Dimensions using the Boltzman Transport Equation/ Giles M. D. // IEEE Trans., 1986, Vol/ CAD 5, 4. — pp. 679 -683.
  60. A.H., Садовников А. Д. Физико технологическое проектирование биполярных элементов кремниевых БИС/ Бубенников А. Н., Садовников А. Д. — М.: Радио и связь, 1991.-278 с.
  61. А.Ф. Таблицы параметров пространственного распределения ионно имплантированных примесей/ Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф. и др,-Минск. Изд. БГУ, 1980 г. — 246 с.
  62. О.Б. Многопоточная диффузия бора в приповерхностной области ионно-легированного кремния/ Замалин Е. Ю., Боднарь О. Б. // Поверхность.-1995.-№ 7−8.-С.65−69.
  63. О.Б. Диффузия фосфора в приповерхностной области ионно-легированного кремния при 1000° С/ Боднарь О. Б., Замалин Е. Ю., Попова Т. В. // Поверхность, — 1995.- № 7−8. С. 69−72.
  64. Bodnar О.В. Multiflux impurity diffusion in the surface region of ion doped silicon/ Bodnar O.B., Zamalin E.Yu. // Third Russian Chinese Symposium «Advanced Materials and Processes». -1995.- October, Kaluga.- p. 309.
  65. О.Б. Моделирование многопоточной диффузии в приповерхностной области ионно-легированного кремния/ Боднарь О. Б., Замалин Е. Ю., Ходакова Р. В. // В кн. математическое моделирование и управление в сложных системах. -МгМГАПИ.- 1997.- С. 100−101.
  66. Ryssel Н., Rugl I. Ioneimplantation/ Stutgart, Teubner. 1978.- p.p. 289.
  67. Цай Дж. Технология СБИС/ Цай Дж. М.: Мир, 1976. — 227 с.
  68. С. МОП СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов/ Сульбергер С., Шютц С., Петцль Г. — М.: Радио и связь, 1988. — 388 с.
  69. Н. А. Диффузия и окисление полупроводников/ Колобов Н. А., Самохвалов М. М. М.: Металлургия, 1975. — 456 с.
  70. Т. Технология СБИС. / Сейдел Т. М.: Мир, 1976. — 292 с.
  71. Fan D. Transient boron diffusion ion implanted silicon/ Fan D., Huang J., Jaccodin R.J. // Appl. Phys. Lett., v.50, 24, 1987. — pp. 1745 — 1749.
  72. О.Б. Контроль поверхностных электрофизических параметров полупроводников методом измерения разности поверхностных потенциалов/ Боднарь О. Б. // Диагностика и контроль.- № 5.- 2005 г.- С.32−33.
  73. К.В. Физика полупроводников/ Шалимова К.В. М. Энергия, 1976 г.-416 с.
  74. О.Б. Определение неразрушающими методами приповерхностных и объемных диффузионных параметров азота в монокристаллическом вольфраме/ Боднарь О. Б., Аристова И. М., Мазилкин А. А. //. Диагностика и контроль.- № 11.- 2004 г.- С. 46−51.
  75. Справочник по Оже-электронной спектроскопии. М.: Наука, 1964. -100 с.
  76. Machtcad 6.0. PLUS. Финансовые, инженерные и научные расчеты в среде
  77. E. Газы и углерод в металлах/ Фромм Е., Гебхард Е. М.: Металлургия, 1980. -712 с.
  78. С.С., Левинский Ю. В. Азотирование тугоплавких металлов/ Кипарисов С. С., Левинский Ю. В. М: «Металлургия», 1972.- 160 с.
  79. В.Л. / «Письма в ЖЭТФ». т. 12., 1970.- С. 526−528.
  80. О.Б. Диффузия азота в приповерхностной области ионно-легированного молибдена/ Боднарь О. Б., Замалин Е. Ю. // Письма в ЖТФ.-№ 6,2001.-С. 495−497.
  81. Л.Н., Аристова И. М., Мазилкин А. А. // Материаловедение.- № 4, 1999.-С. 7−9
  82. О.Б. Диффузия азота и фазовые превращения в приповерхностной области ионно-легированного молибдена/ Боднарь О. Б. Бдикин И.К., Аристова И. М., Мазилкин А. А. Пронина Л.Н., Замалин Е. Ю. // Поверхность.- № 7−8,2003.- С.64−67.
  83. Вол А. Е. Структура и свойства двойных металлических систем/ Вол А. Е. т. 1.М. 1959. С. 118
  84. Дж. «Роль физики в моделировании процессов и приборов» / Хартер Дж., Вернер К., Мадер Л. В кн. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Под ред. Д. Миллера.- М.: Радио и связь. 1989.- С. 27−36.
  85. D. A., Hansen S. Е. " Suprem II-A program for IC-process modeling and simulation «/ //, Stanford Universiti, Techn. Report 5019−2 (1978).
  86. Ho C. P., Hansen S. E. «Supre III-A program for integrated circuit process modeling and simulation"/ //, Stanford Universiti, Techn. Report 83−001 (1983).
  87. D. A. «Models for computer simulation of complete IC-fabrication process «/ Antoniadis D. A., Dutton R. W. // IEEE J. of Solid State Circuit, SC 14.-№ 2, 1979.- pp. 412−418.
  88. Mei L. «Process simulation model for multiplayer structures involving polycrystalline silicon"/ Mei L., Dutton R. W. // IEEE Trans. ED29, 1982.-pp. 1726- 1729.
  89. Ho C. P. «VLSI process modeling Suprem III"/ Ho C. P., Plummer J. D., Hansen S. E., Dutton R. W. // IEEE Trans. ED30, 1983.- pp. 1438- 1442.
  90. H., Haberger K., Hoffman K., Dumke R. » Simulation of doping process»/ // IEEE Trans. ED27, 1980, pp. 1484- 1487.
  91. R. «Two dimentional numerical simulation of impurity redistribution in VLSI process»///IEEE Trans. ED27,1980, pp. 1479- 1482.
  92. R. «Numerical simulation of impurity redistribution in near mask edges»/ //, Urbino, 1982.
  93. R. «Two dimentional numerical analysis of doping process» Proc. Ill Intern. / // Conf. on the Numerical Analysis of Semiconductor Devises and Integrated Circuit, NACE CODE III, 1983, p. 46−50.
  94. B.R. » A comprehensive two dimentional VLSI process program BICERS «/// IEEE Trans. ED30, 1983, pp. 46- 49.
  95. Chin D., Krimp M.R., Lee H.G., Dutton R. W. «Process desing using two -dimentional process and device simulation"/ //, IEEE Trans. ED29, 1982, pp. 336 339.
  96. D. «Two dimentional oxidation»/ Chin D., Oh S.Y., Hu S. M, Dutton R. W. //IEEE Trans. ED30,1983, pp. 744 — 749.
  97. H. » Программа трехмерного моделирования МОП прибора/ Сиге Н., Онга С., Дан Р. //. В книге моделирование полупроводниковых структур.-С.79−90.
  98. С. «Новая программа одномерного моделирования технологических процессов изготовления интегральных микросхем OLIMP.
  99. Модель диффузии» / Мартин С., Матью Д.- В кн. Моделирование полупроводниковых структур.- С.23−210.
  100. Боднарь О. Б. Моделирование диффузии Zn, имплантированного в GaAs/ Боднарь О. Б., Замалин ЕЛО., Мамбетов А. К. //"Поверхность», М., изд. РАН, № 2 1995, с.97−100.
  101. Готра ЗЛО. Технология микроэлектронных устройств/ //. М.: Радио и связь, 1991.-527 с.
  102. R. В. Enhanced diffusion boron in silicon/ //. IEEE Trans. Electron devices. 35,285,1988.
  103. R. Ghez, G. S. Oehlein, Sedwick. Exact description and data fitting of ion-implanted dopant profile evolution during anneling/ //. Appl. Phys. Lett., 45 (8), 1984, pp.881−883.
  104. А.Н., Самарский А. А. Уравнения математической физики/ //. М.: Наука., 1977. с. 730.
  105. О.Б. Неразрушающие методы определения параметров диффузии примеси в твердом теле/ Боднарь О. Б. Монография.- М.: «Машиностроение-1», 2004 г.- 90 с.
  106. О.Б. Диффузионные параметры азота в ионно-имплантированных монокристаллах вольфрама/ Боднарь О. Б., Аристова И. М., Мазилкин А. А., Чайка А. Н., Пронина JI.H., Попов П.Ю.//. Физика твердого тела.- т.48, вып.1,2006.- С.12−16.
  107. Bodnar O.B., Zamalin E.Yu., Borodko V. N. Simulation of Near-Surface Diffusion of Boron in Ion-Doped Silicon/ //. Russian Microelectronics. Vol.26, N5,1997, pp.370−375
  108. A. Anttila, J. Keinonen //, Appl. Phys. Lett., 33 (1978), p. 394.
  109. T.C. Reuther, M.R. Achter //, Metall. Trans., 1, 1777, (1970).
  110. J. Gyulai: in Handbook of ion implantation and technology! //, Ed. J.F. Ziegler Elsiver Science Publishers (1992), p. 69
  111. M.W. Guinan, R.N. Stuart, R.J. Borg // Phys. Rev. B, Vol.15, 2, p. 699−710, (1977)
  112. D.H. Tsai / D.H. Tsai, R. Bullough, R.C. Perrin, J. Phys. // Solid St. Phys.- Vol. 3, 1970.-p.p. 2022−2036.
  113. .С. Термодинамика и кинетика диффузии в твердых телах, / Бокштейн Б. С., Бокштейн С. З., Жуховицкий А.А.- М., Металлургия, 1974.280 с.
  114. О.В. «Identification of secondary radiation defects in Si means of diffusion data»/ Bodnar O.B., Zamalin E.Yu., Y.M. Mukovskii.// 17 General Conference of the CONDENSER MATTER DIVISION European Physical Society.- 25−29 August, 1998.- p. 189.
  115. В.Г., Волькенштейн Ф. Ф. «Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников» / Бару В. Г., Волькенштейн Ф. Ф. М.: Наука, 1978.-288 с.
  116. Аброян И.А."Физические основы электронной и ионной технологии» / Аброян И. А., Адронов А. Н., Титов А. И. М.: Высшая школа, 1984.- 320 с.
  117. Н.В. «Радиационная стойкость кремния» / Кузнецов Н. В. Соловьев Г. Г. М.: Энергоатомиздат, 1989.- 96 с.
  118. . «Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты» / Бургуен Ж., Ланно М. М.: Мир, 1985.- 432 с.
  119. L.C. «Defect studies in Electron-Bombarded Silicon: Capacitance transient analysis Radiation Effects in Semiconductors"/ Kimeling L.C. // Conf. 1976. London-Bristol: Institute of Physics, 1977.- pp. 221- 230.
  120. О.Б. Идентификация радиационного дефекта по диффузионным данным/ Боднарь О. Б., Замалин Е. Ю. //- «Поверхность».- М. изд. РАН.- № 8 1999, — с.62−65.
  121. О.Б. Методы определения параметров твердофазной диффузии/ Боднарь О. Б. // Электромагнитные волны. Электронные системы.-2006,-т.11.-№ 7−8.
  122. Н.Ш. Теория вероятностей и математическая статистика/ Кремер Н. Ш. М.: ЮНИТИ-ДАНА, 2001.-543 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!