Научно-методические и аппаратно-программные средства контроля работоспособности современных изделий твердотельной СВЧ электроники при воздействии ионизирующих излучений
Диссертация
В тоже время многие научно-методические вопросы достоверного измерения и контроля параметров изделий ТСВЧЭ в процессе радиационного эксперимента до сих пор проработаны недостаточно. Не обоснован рациональный набор контролируемых информативных параметров в привязке к функциональному назначению и технологии изготовления. Имеющиеся методики измерения СВЧ параметров не учитывают особенностей… Читать ещё >
Список литературы
- Техническая документация на СБИС ADF7020. URL: http://www.analog.com/static/imported-files/datasheets/ADF7020.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Техническая документация на СБИС ADF7025. URL: http://www.analog.com/static/imported-files/datasheets/ADF7025.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Техническая документация на СБИС ADF7242. URL: http://www.analog.com/static/imported-files/datasheets/ADF7242.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Техническая документация на СБИС ADF9356. URL: http://www.analog.com/static/imported-files/datasheets/ADF9356.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Техническая документация на СБИС ADF2828. URL: http://www.analog.com/static/imported-files/datasheets/ADF2828.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Техническая документация на СБИС ADF2830. URL: http://www.analog.com/static/imported-files/datasheets/ADF2830.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Техническая документация на СБИС ADF2837. URL: http://www.analog.com/static/imported-files/datasheets/ADF2837.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Техническая документация на СБИС ADF2838. URL: http://www.analog.com/static/imported-files/datasheets/ADF2838.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Anderson W. MMIC Radiation Effects in Reliability of Gallium Arsenide MMICs, ed. by A. Christou. New York: John Wiley & Sons, 1992.-435 p. Ю. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. M.: Физматгиз, 1963. -264 с.
- П.Вавилов B.C., Ухин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.:Атомиздат, 1969.-269 с.
- Першенков B.C., Попов В. Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. — 255 с.
- Ionizing Radiation Effects in MOS devices and Circuits, ed. by T.P. Ma and P.V. Dressendorfer, New York: John Wiley & Sons, 1989. .-538 p.
- Вавилов B.C., Кекелидзе Н. П., Смирнов JI.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988. -192 с.
- Радиационная стойкость широкозонных полупроводников (на примере карбида кремния)/ Лебедев A.A., Козловский И. И., Строкан Н. Б. и др.// Физика и техника полупроводников. 2002. — том 36. — вып.11. -С. 1354 — 1359.
- Rudiger Quay. Gallium Nitride Electronics. Springer Series in Materials Science, 1996 .498 p.
- Данилин В, Жукова Т., Кузнецов Ю., Тараканов С., Уваров Н. Транзистор на GaN пока самый крепкий орешек. //ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2005. № 4. С. 20 29.
- Umana-Membreno G.A., Dell J.M., Parish G. et al.60Co Gamma Irradiation Effects on n GaN Schottky Diodes // IEEE Transactions on Electron Devices. 2003. Vol. 50. № 12. P.2326- 2334.
- Куракин A.M. Влияние гамма радиации на характеристические сопротивления нитридгаллиевых гетероструктурных транзисторов с высокой подвижностью электронов. // Письма в ЖТФ. 2003 Том 29. Вып. 18. С.3−5.
- Чумаков А.И. Действие космической радиации на ИС. М.: Радио и связь. -2004. — 320 с.
- Ладыгин Е.А. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. -М.: Сов. радио, 1980. -224 с.
- Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К. Радиационные эффекты в интегральных схемах. -М.: Энергоатомиздат, 1989.-256 с.
- Устюжанинов В.Н., Чепиженко А. З. Радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах. М.: Радио и связь, 1989.-144 с.
- Stein Н. J. Electrical Studies of Neutron-Irradiated n-Type Si: Defect Structure and Annealing // Phys. Rev. V. 163. N. 3 — p. 801−808.
- Deep level transient spectroscopic study of neutron-irradiated n-type 6H-SiC / Chen X.D., Fung S., Ling C.C., Beling C.D. et al. // Journal of Applied Physics. V. 94. -I. 5.-p. 3004−3010.
- Particle dependence of the gallium vacancy production in irradiated n-type gallium arsenide / Khanna S.M., Jorio A., Carlone C., Parenteau M. // Nuclear Science, IEEE Transactions on. V. 42. -1. 6. — P. 2095−2103.
- Коршунов Ф.П., Богатырев Ю. В., Вавилов B.A. Взаимодействие радиации на интегральные микросхемы. Мн.: Наука и техника, 1986. — 254 с.
- Никифоров А.Ю., Телец В. А., Чумаков А. И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М.: Радио и связь, 1994. — 164 с.
- In-Fixture Measurements Using Vector Network Analyzers. Application Note 1287−9.URL: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf75968−5329E.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Исследование ионизационной реакции малошумящих усилителей СВЧ / Д. В. Громов, С. А. Полевич, Д. И. Дюков, С. В. Оболенский // Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2008». -М.:МИФИ. — 2008. -с. 63−64.
- Гагарин С.В., Петров А. И. Исследование стойкости МИС транзисторных генераторов СВЧ к воздействию спецфакторов по КГВС «Климат-7» // Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем -Стойкость-2008». -М.:МИФИ. — 2008. -с. 67−68.
- ГОСТ 23 221–78. Модули СВЧ, блоки СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения Текст. Введен 01.01.1980.
- ГОСТ 20 271.1−91. Изделия электронные СВЧ. Методы измерения электрических параметров Текст. Введен 14.02.1992.
- Каталог контрольно-измерительного оборудования компании Agilent Tech. URL: http://www.home.agilent.com (дата обращения 01.05.13).
- Каталог контрольно-измерительного оборудования компании Rohde & Schwarz. URL: www. rohde-schwarz.ru (дата обращения 01.05.13).
- Каталог контрольно-измерительного оборудования компании www.anritsu.com. URL: http://www.anritsu.com (дата обращения 01.05.13).
- Каталог контрольно-измерительного оборудования компании НПФ МИКРАН. URL: http:// www.micran.ru/ (дата обращения 01.05.13).
- S-Parameters Techniques // Application Notes 95−1. URL: http://sss-mag.com/pdf/hpan95-l.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Understanding the Fundamental Principles of Vector Network Analysis // Application Notes 1287−1. URL: http://na.tm.agilent.com/8720/applicat/appl.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Traceability to national standards for S-parameter measurements of waveguide devices from 110 GHz to 170 GHz / Clarke R., Pollard R., Ridler N., Salter M. et al. // Microwave Measurement Conference, 2009 73rd ARFTG. p. 1−10.
- Agilent PNA and ENA Network Analyzers Frequency Converter and Mixer Test. URL: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5988−8149EN.pdf (дата обращения 01.05.13).
- PNA Mixers — Advances in Converter Test. URL: http://www.home.agilent.com/upload/cmcupload/All/PNAAdvancesConverterT esting. pdf (дата обращения 01.05.13).
- Алмазов-Долженко К. И. Коэффициент шума и его измерение на СВЧ. Москва: Научный мир, 2000.- 240 с.
- Tiemeijer L.F., Havens R.J., de Kort R., Scholten, A.J. Improved Y-factor method for wide-band on-wafer noise-parameter measurements // Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on. -V. 53. -1. 9. P. 2917−2925.
- Noise Figure Measurements. URL: http://www.ieee.li/pdi7viewgraphs/noisefiguremeasurements.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Каталог анализаторов спектра компании Agilent Tech. URL: http://www.home.agilent.com/ru/pc-1 000 000 520%3Aepsg%3 Apgr/spectrum-analyzer-signal-analyzer (дата обращения 01.05.13).
- Каталог анализаторов шума компании Agilent Tech. URL: http://www.home.agilent.com/agilent/product.jspx7nid—536 902 445.0.00&lc=eng&cc=US (дата обращения 01.05.13).
- Елесин В.В., Назарова Т. Н., Кузнецов А. Г. / Расчетно-экспериментальное моделирование эффектов дозового воздействия в КМОП КНС СВЧ ИС фирмы Peregrine // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. науч. тр.: НИЯУ МИФИ. 2011. С. 82−89.
- Чуков Г. В. / Автоматизированное исследование параметров СВЧ ИС в условиях испытаний на радиационную стойкость // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. науч. тр.: НИЯУ МИФИ. 2011. С. 154−162.
- Амбуркин К.М., Чуков Г. В. / Разработка логического генератора-анализатора для испытаний СВЧ элекрорадиоизделий с цифровым управлением // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. науч. тр.: НИЯУ МИФИ. 2011. С. 123−126.
- Каталог контрольно-измерительного оборудования компании Tektronics. URL http://www.tek.com (дата обращения 01.05.13).
- Каталог контрольно-измерительного оборудования компании LeCroy. URL: http://www.lecroy.com (дата обращения 01.05.13).
- Трэвис Дж., Кринг Дж. LabVIEW для всех. -М: ДМК Пресс. -2011. -912 с.
- Магда Ю. С. LabVIEW. Практический курс для инженеров и разработчиков. -М: ДМК Пресс. 2012. -208 с.
- LabVIEW. Практикум по основам измерительных технологий / В. К. Батоврин, А. С. Бессонов, В. В. Мошкин, В. Ф. Папуловский // -М: ДМК Пресс.-2010.-232 с.
- VEE Рго User’s Guide. URL: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/E2120−90 011 .pdf (дата обращения 01.05.13).
- Техническая документация на микросхему JTOS-3000. URL: www.minicircuits.com/pdfs/JTOS-3000.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Серия 1324 СВЧ монолитные интегральные схемы. URL: http://www.pulsarnpp.ru/index.php/2010−06−25−10−46−19/-1324 (дата обращения 01.05.13).
- Интернет-сайт компании ЗАО «НПП «Планета-Ар галл». URL: http://www.argall.ru (дата обращения 01.05.13).
- Конструкторская документация на металлостеклянный корпус 401.14−5. URL: http://www.z-mars.ru/docum/401 145.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Техническое описание на корпуса типа LLCC. URL: http://www.zppl2.ru/catalog/llccnew.doc (дата обращения 01.05.13).
- Liang T., Pla J.A. Equivalent-circuit modeling and verification of metal-ceramic packages for RF and microwave power transistors // IEEE Trans. Micro wave Theory Tech. 1999. — Vol. 47. — P. 709−714.
- Елесин B.B., Назарова Т. Н. Оптимизация параметров СВЧ переключателей для монолитных фазовращателей и аттенюаторов // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2010. — Вып № 1 (224). — С. 7−11.
- Исследование влияния ионизирующих излучений на характеристики кремний-германиевых интегральных схем СВЧ диапазона / В. В. Елесин, Г. В. Чуков, Д. В. Громов и др. // Микроэлектроника. 2010. — Т. 39, № 2. — С. 136−148.
- Техническая документация на материал R04003C. URL: http://www.rogerscoф.com/documents/726/acm/R04000-Laminates—Data-sheet.aspx (дата обращения 01.05.13).
- Каталог продукции компании Jyebao. URL: http://www.jyebao.com.tw/files%20download/JYEBAO.pdf (дата обращения 01.05.13).
- De-embedding and Embedding S-Parameter Networks Using a Vector Network Analyzer. Application Note 1364−1. URL: http://literature.agilent.com/litweb/pdf/5980−2784EN.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Cho H. Burk D.E. A three-step method for the de-embedding of high-frequency S-parameter measurements // Electron Devices, IEEE Transactions on. V. 38. -I. 6. -p. 1371−1375.
- Koolen M. C, Geelen J.A., Versleijen, M.P. An improved de-embedding technique for on-wafer high-frequency characterization // Bipolar Circuits and Technology Meeting.-1991.-p. 188−191.
- Методические рекомендации по измерению коэффициента шума. URL: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5952−8255E.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Техническая документация на транзистор ATF-36 077. URL: www.avagotech.com/docs/AV02−1222EN (дата обращения 01.05.13).
- Техническая документация на СВЧ измерительные зонды. http://www.cmicro.com/files/Probe-Selection-Guide.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Техническая документация на подложки для калибровки. URL: http://www.cmicro.com/products/calibration-tools/impedance-substrate (дата обращения 01.05.13).
- Техническая документация на прибор Agilent N9020A. URL: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/N9060−90 034.pdf (дата обращения 01.05.13).
- Proton Irradiation Effects on AlGaN/ AIN/GaN High Electron — Mobility Transistors/ Xinwen Hu, Karmarkar A.P., Bongim Junet al. // IEEE Transactions on Nuclear Science.-2003.-Vol. 50. — № 6.-P. 1791- 1796.
- Process Dependence of Proton-Induced Degradation in GaN HEMTs/ T. Roy, E.X. Zhang, Y. S. Puzyrev et al. // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2010. — Vol. 57. — № 6. — P.3060- 3065.
- Radiation-Induced Defect Evolution and Electrical Degradation of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors /Y. S. Puzyrev, T. Roy, E. X. Zhang et al. // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2011. — Vol. 58. — № 6. — P.2918- 2924.
- Proton and Heavy Ion Irradiation Effects on AlGaN/GaN HFET Devices/ Sonia G., Brunner F., Denker A. et al. // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2006. — Vol. 53. — № 6. — P.3661- 3666.
- А.Ю.Никифоров, П. К. Скоробогатов / Физические основы лазерного имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов в пп и ИС: Линейная модель // Микроэлектроника. 2004. Т. 33. № 2. С.91−107.
- А.Ю.Никифоров, П. К. Скоробогатов / Физические основы лазерного имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов в пп и ИС: Линейная модель // Микроэлектроника. 2004. Т. 33. № 2. С.91−107.
- Casey Н.С. Jr., SellD.D., WechtK.W. / Concentration dependence of the absorption coefficient for n- and p-type GaAs between 1.3 and 1.6 eV // Journ.Appl. Phys., 46, 250(1975).
- Елесин В. В. Моделирование переходных ионизационных эффектов в элементах ЦИМС на основе арсенида галлия: диссертация. кандидата технических наук: 05.13.05. Москва, 1993. — 179 с.
- Егоров А.Н., Маврицкий О. Б., Чумаков А. И. и др. Лазерные имитаторы «ПИКО» для испытаний электронной компонентной базы на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц // Спецтехника и связь. 2011. № 4−5. С. 8−13
- Елесин В. В. Моделирование переходных ионизационных эффектов в элементах ЦИМС на основе арсенида галлия: диссертация. кандидата технических наук: 05.13.05. Москва, 1993. — 179 с.
- Исследование влияния ионизирующих излучений на характеристики гетероселективных GaAs/AlGaAs полевых транзисторов / Громов Д. В., Елесин В. В., Мокеров В. Г. и др.// Микроэлектроника. 2004. — Т.ЗЗ. — № 2 -С. 143−147.
- Е. Р. Аствацатурьян, Д. В. Громов, В. М. Ломако. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия. Мн.: Университетское. — 1992.-218 с.