Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Получение, электрофизические и термочастотные свойства сегнетопьезоэлектрических твердых растворов многокомпонентных систем

Диссертация: Получение, электрофизические и термочастотные свойства сегнетопьезоэлектрических твердых растворов многокомпонентных систем
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Получены в виде керамик TP бинарных систем состава (1-х) PbZr03 — х РЬТЮз (ЦТС), (1-х) PbNb2/3Mgi/303- х PbTi03 (PMN-PT) — четырехкомпонентой системы состава 0,98 (х PbTi03 -у PbZr03 — = PhNb^Mg^Cb) — 0,02 PbGe03. При этом установлена хорошая технологичность (низкие Тсп., более высокие рпзм.) составов, содержащих соединения PbNb2/3Mg]/303 и PbGe03 из-за вакансионно-насыщенной природы первого… Читать ещё >

Получение, электрофизические и термочастотные свойства сегнетопьезоэлектрических твердых растворов многокомпонентных систем (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

Актуальность темы, цель и задачи работы, связь темы с шшном научных работ, научная новизна, практическая значимость, основные научные положения, выносимые на защиту, достоверность, надежность и обоснованность полученных результатов, личный вклад автора в разработку проблемы, апробация результатов работы, публикации, структура и объем работы, краткое содержание глав.

Глава I. КЛАССИЧЕСКИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ С РАЗМЫТЫМ ФАЗОВЫМ ПЕРЕХОДОМ, РЕЛАКСОРЫ. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ. (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).

1.1. Понятие о сегнетоэлектричестве. Классические сегнетоэлектрики, сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом, релаксоры.

1.1.1 Понятие о сегнетоэлектричестве.

1.1.2 Классические сегнетоэлектрики.

1.1.3 Основные свойства сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом (РФП).

1.1.4 Сегнетоэлектрики — релаксоры.

1.2. Диэлектрическая спектроскопия как метод исследования сегнетоэлектриков. 1.2.1 Диэлектрическая спектроскопия.

1.2.2 Макроскопическое описание дисперсии диэлектрической проницаемости.

1.2.3 Представление о распределении времен релаксации (Симметричные, несимметричные и дискретные спектры).

1.2.3.1 Симметричные распределения и спектры ?*.

1.2.3.2 Несимметричные спектры е*.

1.2.3.3 Дискретные диэлектрические спектры.

1.3. Диэлектрическая спектроскопия магнониобата свинца (PMN), систем PMN-PT, ЦТС, многокомпонентных твердых растворов с их участием.

1.3.1 Система (1-х)РЪ Nb2/3Mg1/303-xPbTi03 (PMN-PT) (0<х<1,0).

1.3.2 Система (l-x)PbZr03-xPbTi03 (ЦТС, PZT). «1.3.3Многокомпонентные твердые растворы.

1.4.Состояние дел в «релаксорной области» за последние 10 лет (по данным российских журналов).

1.4.1 Свинецсодержагцие релаксорньге материалы.

1.4.2 Система ЦТС.

1.4.3 Многокомпонентные твердые растворы.

Краткие

выводы. Постановка цели и задач работы.

ГЛАВА 2. ОБЪЕКТЫ. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И

ИССЛЕДОВАНИЯ ОБРАЗЦОВ.

2.1. Объекты исследования.

2.1.1. Бинарная система (l-x)PbZr03-xPbTi03 (ЦТС, PZT).

2.1.2. Бинарная система (1-х)РЬ Nb2/3Mg]/303-xPbTi03 (PMN-PT).

2.1.3. Твердые растворы четырехкомпонеитной системы.

2.1.4. Обоснование необходимости и возможности исследования систем TP с малым концентрационным шагом, Ах < 1 мол.% (0,

0,50 мол. %) и надеэ/сности полученных при этом результатов.

2.2. Методы получения образцов.

2.2.1. Изготовление керамик, оптимизация условий синтеза и спекания.

2.2.1.1 Приготовление образцов бинарной системы (l-x)PbZr03хРЬТЮз (ЦТС, PZT).

2.2.1.2. Получение образцов бинарной системы (l-x)Pb Nb2/3Mgi/303-хРЬТЮ3 (PMN-PT).

2.2.1.3. Специфика и спекание образцов четырехколтонентной системы 0.98(xPbTi03-yPbZr03-zPbNb2/3Mg1/303) — 0.02PbGe03(I, III, V-разрезы).

2.2.2 Механическая обработка.

2.2.3. Металлизация.

2.2.4. Поляризация.

2.3. Методы исследования образцов.

2.3.1. Рентгенография.

2.3.2. Определение плотностей (измеренной, рентгеновской, относительной).

2.3.3. Измерения диэлектрических, пьезоэлектрических и упругих характеристик при комнатной температуре.

2.3.4 Исследование относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в широком интервале температур и частот.

2.3.5 Анализ полученных результатов методом аппроксимации с помощью программного продукта «Расчет мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости по формулам Коула—Коула, Дэвидсона-Коула, Дебая и Гавргшиака-Негами (Анализ Коула — Коула ЮКОМП 4.0) «.

Краткие

выводы.

ГЛАВА 3. БИНАРНАЯ СИСТЕМА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ l-x)PbZr03-xPbTi03 (ЦТС, PZT).

3.1. Специфика спекания твердых растворов системы ЦТС.

3.2. Особенности структуры твердых растворов ЦТС при комнатной температуре.

3.3. Диэлектрические спектры твердых растворов системы ЦТС в широком интервале температур и частот.

Краткие

выводы.

ГЛАВА 4. БИНАРНАЯ СИСТЕМА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ l-x)Pb Nb2/3Mg1/303-xPbTi03 (PMN-PT).

4.1. Измеренные, рентгеновские и относительные плотности твердых растворов системы.

4.2. Кристаллическая структура твердых растворов из различных концентрационных интервалов при комнатной температуре.

4.3. Диэлектрические, пьезоэлектрические и упругие свойства при комнатной температуре.

4.4. Дисперсионные свойства твердых растворов в широком диапазоне внешних воздействий.

Краткие

выводы.

ГЛАВА 5. ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНАЯ СИСТЕМА

PbZr03 — РЬТЮз — PbNb2/3Mgj/303 — PbGe03.

5.1 Тетраэдр составов системы PbZr03 — PbTi03 — PbNb2/3Mgi/303 -PbGe03.

5.2 I разрез системы 0.98(хРЬТЮ3 — yPbZrOr- zPbNb2/3Mgi/303) -0.02PbGe03.

5.2.1 Измеренные, рентгеновские и относительные плотности образцов твердых растворов.

5.2.2 Структурное описание твердых растворов, их электрофизические характеристики при комнатной температуре.

5.2.3. Термочастотное поведение твердых растворов.

5.3 III разрез системы 0.98(хРЬТЮ3 — yPbZrOr- zPbNb2/3Mg1/303) -0.02PbGe03.

5.3.1 Измеренные, рентгеновские и относительные плотности образцов твердых растворов.

5.3.2 Структурное описание твердых растворов, их электрофизические характеристики при комнатной температуре.

5.3.3. Дисперсия и релаксация твердых растворов.

5.4 Разрез V системы 0.98(л-РЬТЮ3 — jPbZr03- zPbNb2/3Mg1/303) -0.02PbGe03.

5.4.1 Измеренные, рентгеновские и относительные плотности образцов твердых растворов.

5.4.2 Структурное описание твердых растворов, их электрофизические характеристики при комнатной температуре.

5.4.3 Диэлектрические свойства твердых растворов при комбинированном воздействии температур и частот переменного электрического поля.

Краткие

выводы.

Актуальность темы

диссертации.

В ряду известных электрически активных материалов электронной техники особое место занимают твердые растворы бинарных систем (l-x)PbZr03-xPbTi03 (ЦТС) (классические сегнетоэлектрики), (l-x)PbNb2/3Mgi/303-xPbTi03 (PMN-PT) (сегнетоэлектрики — релаксоры) и многоэлементные композиции с их участием, ставшие основой практически всех известных в мировой практике промышленно выпускаемых материалов. Изучение физико-технических свойств таких материалов, продолжающееся уже более полувека, выявило широкий спектр их функциональных возможностей, во многом определяемый особой фазовой картиной названных систем, включающей морфотропную область ' с сопутствующими ей экстремальными практически важными параметрами.

В последние годы в связи с существенным расширением сфер применений подобных материалов и рабочих интервалов оказываемых на них внешних воздействий (являющихся, в том числе, и деталями технологических приемов), диктуемых особенностями современной техники: интенсификации процессов, связанных с ростом рабочих температур, давлений, частот, ускорением энергетических превращений- - перед сегнетопьезокерамическими материалами и устройствами на их основе выдвинуты более жесткие требования к их характеристикам. К последним относится возможность эксплуатации при сверхвысоких и сверхнизких частотах переменного электрического поля (актюаторы, сенсоры с гигантской диэлектрической проницаемостью), при ультравысоких температурах (дефектоскопический контроль атомных реакторов), в устройствах управления электрострикторными двигателями и пьезоманипуляторами в микропроцессорной робототехнике и пр. В связи с этим необходимо детальное (с малым исследовательским шагом) комплексное (теория, эксперимент) изучение физических свойств названных объектов в широком интервале концентраций компонентов и внешних воздействий, что и стало целью настоящей работы.

Учитывая, что подобные исследования ранее проводились на избранных составах систем и полученные разными авторами сведения оказывались неоднозначными и противоречивыми, представлялось актуальным проведение указанных выше исследований, значимых как в научном плане (установление физической природы и механизмов наблюдаемых явлений), так и с практической точки зрения (разработка и применение на основе полученных новых знаний высокоэффективных материалов электронной техники).

Цель работы: о выбрать рациональные технологические режимы и получить образцы твердых растворов (TP) систем (l-x)PbZr03-xPbTi03 (ЦТС) и (1-x)PbNb2/3Mgi/303-xPbTi03 (PMN-PT), а также четырехкомпоненгной системы на их основе с оптимальными воспроизводимыми электрофизическими • параметрамио провести комплексные исследования (кристаллической структуры, диэлектрических, пьезоэлектрических и упругих свойств, термочастотных спектров) TP бинарных систем ЦТС, PMN-PT, многокомпонентных РЬсодержащих композиций с малым концентрационным шагом в широком интервале внешних воздействий (температур и частот измерительного электрического поля) — о установить корреляционные связи фазовая картина — макроскопические отклики в названных TPо выбрать на основе полученных данных перспективные основы функциональных материалов, пригодных для дальнейшей доработки их до практических применений в электронной технике. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: изготовить образцы TP с варьируемым концентрационным шагом, в том числе, очень малым Дх=0.0025−0.005, произведя постадийпую оптимизацию регламентов их синтеза и спекания: бинарной системы (l-x)PbZr03-xPbTi03 (0<х<0,90) — бинарной системы. (l-x)Pb Nb2/3Mgi/303-xPbTi03 (0 <х<1,0) — TP четырехкомпонентной системы 0.98(хРЬТЮ3 — yPbZr03- zPbNb2/3Mgi/303) -0.02PbGe03 (I (0.37 < x < 0.57), III (0.11 < x < 0.50), V (0.23 < x < 0.52) -разрезы) — создать автоматические измерительные стенды для определения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь сегпетопьезоматериалов в широком интервале температур от 20 °C до 700 °C и частот измерительного электрического поля: 1) от 10″ 3 Гц до 105 Гц- 2) от 25 Гц до 106 Гцразработать для созданных автоматических стендов программные продукты контроля и управления процессами измерения образцов с последующим расчетом диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь, в том числе, определения пиковых значений диэлектрической проницаемости всего диэлектрического спектра в диапазоне частот: 1) 10~3 Гц -105 Гц- 2) 25 Гц — 10б Гц, а также 3) анализа диэлектрических спектров с помощью аппроксимационных моделей Коула-Коула, Дэвидсона-Коула, Гаврилиака-Негами, Дебая для мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости с последующим построением, по полученным данным, диаграмм Коула-Коулана основе рентгенографических данных выявить локализацию фаз, фазовых состояний, областей их сосуществования, морфотропных областей в изучаемых системах TPпроизвести исследования диэлектрических спектров изготовленных TP в широких интервалах температур от 20 °C до 700 °C и частот измерительного электрического поля от 10″ 3 Гц до 105 Гцпровести измерения диэлектрических, пьезоэлектрических, упругих и механических характеристик образцовустановить корреляционные связи состав — структура — свойства — области применения TP на основе полученных данныхвыбрать оптимальные композиционные основы для последующего создания новых высокоэффективных материалов с целевыми потребительскими свойствами: с достаточно высокими относительной диэлектрической проницаемостью, пьезомодулями, пьезочувствительностью, пьезоанизогропией, пьезодеформацией- -перспективных для применения в электронной технике.

Объекты исследования:

— бинарные системы твердых растворов: ТР1: (1 -x)PbZr03-xPbTi03. (0 <х < 1) (ЦТС, PZT).

В интервалах 0 < х < 0.12, 0.30 < х < 0.36, 0.37 < х < 0.42 и 0.52 < х < 0.57 исследовательский концентрационный шаг Ах = 0.01- в интервале 0.42 < х < 0.52 Ах = 0.005- в интервале 0.60 < х < 0.90 Ах = 0.025. При необходимости (для уточнения закономерностей изменения свойств в отдельных областях) использованы Ах = 0.0025;

ТР2: (l-jc)PbNbMMg,/303-jcPbTi03. (0 <х < 1.0) (PMN-PT). В интервале концентраций 0 <х < 0.45 — Ах = 0.01, в интервале концентраций 0.45 < х< 0.95 -Ах = 0.05;

— - четырехкомпонентная система 0.98(xPbTi03 — jyPbZr03- zPbNb2/3Mgi/303) -0.02PbGe03.

ТРЗ (I разрез системы): 0.37 <х < 0.57, у = 1 -x-z, z = 0.05.

В интервалах концентраций 0.37 < х < 0.425, 0.515 < х < 0.57 — Ах = 0.01, в интервале концентраций 0.425 < х < 0.515 — Ах = 0.0025−0.005;

ТР4 (III разрез системы): 0.11 <х < 0.50, у = 0.05, z = l-x-0.05.

ТР5 (Vразрез системы): 0.23 <х < 0.52, у = z = (1-х)/2.

Во всех исследуемых концентрационных интервалах ТР4 и ТР5 Ах = 0.01 (в отдельных фрагментах фазовых диаграмм использовался шаг по Ах = '.

0.0025−0.005).

Твердотельные состояния: керамики, дисперсно-кристаллические вещества (шихты, синтезированные порошки, измельченные поликристаллы).

Научная новизна работы.

1. Разработаны оптимальные условия и конкретные технологические регламенты, обеспечившие получение керамик составов (l-x)PbZr03-xPbTi03. (0 < х< 1), (l-x)PbNb2/3Mg1/303-xPbTi03, .98(хРЬТЮ3 -yPbZr03- zPbNb^Mgi^Cb) -0.02PbGe03 с экстремально возможными (в условиях массового производства) воспроизводимыми электрофизическими параметрами, позволившими установить закономерности их формирования" и корреляционные связи состав (химическая композиция) — структура (кристаллическое строение) — свойства (диэлектрические, пьезоэлектрические, упругие, механические) — области применения.

2. Впервые детально (с малым исследовательским концентрационным шагом), комплексно (теория, эксперимент, включающий серию независимых методов измерения физических свойств объекгов: рентгенографию, измерение плотности, исследование более 20 электрических характеристик при комнатной температуре, диэлектрических спектров в интервалах 25 °C + 700 °C, 25 Гць 1МГц) изучены свойства широкого класса объектов (классические сегнетоэлектрики (СЭ), СЭрелаксоры, СЭ с размытым фазовым переходом (РФП)) на большом количестве образцов (в каждой системе — более 200 составов с 10 15 образцами каждого состава, что сделало полученные экспериментальные результаты достоверными и надежными).

3. Впервые разработаны и созданы измерительные стенды для исследования электрофизических параметров в широких интервалах температур и частот и программные продукты для расчета электрофизических параметров в широких диапазонах внешних воздействий, позволившие в автоматическом режиме, (экспрессно-конвейерным методом, круглосуточно) провести все исследования с одновременным графическим оформлением полученных результатов.

4. Выявлен более сложный вид фазовых диаграмм бинарных систем, чем это было известно ранее, и установлена фазовая картина в новой многокомпонентной системе, вскрыты причины возникновения в них «каскада» структурных неустойчивостей, связанные с реальной (дефектной) подсистемой объектов.

5. Впервые показана возможность достижения в системе ЦТС гигантских диэлектрических откликов (диэлектрической проницаемости, электропроводимости), делающих её перспективной для низкочастотных применений.

6. Впервые выявлены особенности дисперсионных свойств рассматриваемых систем и установлена их связь с фазовой картиной, пространственной неоднородностью керамик, степенью несовершенства кристаллической структуры и кристаллохимической спецификой изучаемых твердых растворов.

Практическая значимость работы.

1. Созданы два измерительных стенда, использующиеся в учебном и научном процессах, для исследования термочастотного поведения твердых растворов сегнегопьезокерамических материалов:

— автоматический измерительный стенд электрофизических параметров сегнетопьезоматериалов в широком интервале температур и частот./ Патент на Полезную модель.- Регистрационный номер 66 552 от 10.09.2007. Решение о выдаче патента от 21.05.2007. По заявке 2 007 102 548 от 23.01.2007;

— автоматический измерительный стенд электрофизических параметров сегнетопьезоматериалов в широком интервале температур и иифранизких частот./ Заявка на> выдачу патента на Полезную модель. — Регистрационный номер 2 008 111 957 от 28.03.2008.

2. Разработаны программные продукты, использующиеся в созданных стендах:

— расчет диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в широком интервале температур и частот (Лабораторный стенд ЮКОМП 2.0)/ Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ. № 2 006 611 142'. Зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ 29 марта 2006 г.;

— расчет диэлектрической проницаемости, и тангенса угла диэлектрических потерь в заданном интервале температур' и частот (Лабораторный стенд ЮКОМП 3.0) / Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2 006 611 527. Зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ 6 мая 2006 г.;

— расчет мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости по формулам Коула-Коула, Дэвидсона-Коула, Дебая и Гаврилиака-Негами (Анализ Коула-Коула ЮКОМП' 4.0),/ Свидетельство об официальной регисграции программы ¦ для ЭВМ № 2 007 611 184. Зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ 21 марта 2007 г.

3. Получены твердые растворы состава 0.98(0,41РЬТЮ3- 0,295PbZr03−0,295PbNb2/3Mgi/303) — 0.02PbGe03, характеризующиеся достаточно высокими значениями температуры Кюри Тс > 300 °C, относительной диэлектрической проницаемости «зз'/гь =2100, пьезомодулей |d31| = 150 пКл/Ii, dyy= 345 пКл/Н, пьезочувствительности |g31| = |d3i|/e33I= 8.1 мВ/Н и удельной чувствительности, зз/(езз)½~ 8 пКл/Н, учитывающей внутреннее сопротивление приемника, ультразвука, перспективные при работе как на нагрузку, так и в режиме холостого хода преобразователей, эксплуатируемых в среднечастотпом диапазоне.

4. Предложены в качестве основ функциональных материалов твердые растворы состава 0.98(0,11РЬТЮ3−0,05 PbZr03 — 0,84PbNb2/3Mg)/303) — 0.02PbGe03, которые характеризуются высокой пьезодеформацией ^33тач~2.0 мкм при Е = 10.0 кВ/см, что делает их незаменимыми в устройствах, где требуются большие, управляемые электрическим полем, микроперемещения (порядка нескольких или десятков микрометров).

5. Разработан пьезоэлектрический керамический материал с ультравысокой рабочей температурой (до 1400 К), бесконечной пьезоанизотропией (kt/kp—>со, d33/|d3)|—>со), достаточно высокими коэффициентами электромеханической связи толщинной моды колебаний (1^-0,4) для устройств дефектоскопического контроля атомных реакторов. (Патент на изобретение — Регистрационный помер 2 007 115 458 от 25.04.2007).

6. Показана перспективность использования некоторых твердых растворов системы ЦТС с гигантской диэлектрической проницаемостью (£/е0~60 000) и электропроводностью (у~ 10~3 (Ом*м)" ') в низкочастотной пьезотехнике.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Получение сегнетопьезокерамик составов (l-x)PbZr03-xPbTi03, (1-x)PbNb2/3Mg1/303—cPbTi03, 0.98(xPbTi03 — yPbZr03- zPbNb2/3Mgi/303) -0.02PbGe03 необходимо проводить при эмпирически определяемых условиях, обеспечивающих отсутствие непрореагировавших (в ' результате незавершенности твердофазных реакций) компонентовсохранение стехиометрии химических композицийоднородность по составу и плотности керамикисключение нарушения их механической целостности, что позволяет почти на порядок сузить концентрационный исследовательский «шаг» (Дг=0,25 — 0,50 мол. % по сравнению с традиционно используемым Дх=0,25 0,50 мол. %) и осуществить детальное изучение физико-технических свойств твердых растворов выбранных систем.

2. Сложный вид зависимостей электрофизических свойств от температуры и концентрации компонентов в изучаемых твердых растворах обусловлен их корреляцией с фазовым наполнением систем: большим количеством фаз, изосимметрийных состояний, областей сосуществования тех и других, возникновению которых благоприятствует дефектная ситуация в объектах.

3. Дисперсионные свойства в системе ЦТС, выявившие специфическую картину проявления в ней релаксационных процессов: существование глубокой релаксации удельной электропроводимости, у, характерной для низких температур, и её практическое прекращение при Т-500 °С с сохранением глубокой дисперсии действительной части комплексной диэлектрической проницаемости е'- отсутствие высокочастотного насыщениянеобычное чередование наклонов на кривых у (7) — - могут быть связаны со спектром времён релаксации, характерным для ЦТС-керамик при высоких температурах.

4. В системе PMN-PT имеет место ряд физических явлений, обусловленных термочастотным поведением диэлектрической проницаемости: формирование трех концентрационных областей, отличающихся типом твердых растворов (сегнетоэлектрикирелаксоры, сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом, классические сегнетоэлектрики) — усложнение в релаксорной области диэлектрических спектров, имеющих недебаевскую природу, по мере продвижения вглубь системы: от симметричного, далее — несимметричного распределения времен релаксации и при больших содержаниях РЬТЮ3 в системе — к наличию нескольких, часто перекрывающихся релаксорных процессоввозникновение двух типов дисперсии в параэлектрической области: высокотемпературной слаборелаксацнонной вблизи 600 °C и низкотемпературной, сильнорелаксациопной при Г~350°Ссуществование дополнительного вклада в релаксационные процессы, свойственные сегнетоэлектрикам — релаксорам, максвелл-вагнеровской поляризации. 5. В многокомпонентной системе 0.98(xPbTi03 — jPbZr03- zPbNb2/3Mg1/303).

0.02PbGe03 упрощение фазообразования за счет взаимовлияния различных типов дефектов структуры (точечных, протяженных, каркасных — блочных) твердых растворов и более высокой плотности образцов из-за спекания с участием жидкой фазы приводит к уменьшению дисперсии диэлектрической проницаемости и «изрезанности» концентрационных зависимостей электрофизических параметров.

Надежность и достоверность полученных в работе результатов.

Надежность и достоверность полученных в работе результатов основана на фактах одновременного использования комплекса взаимодополняющих экспериментальных методов и теоретических расчетовсогласия результатов, полученных различными методамиприменения апробированных методик экспериментальных исследований и метрологически аттестованной прецизионной (технологической и измерительной аппаратуры, в том числе, выпуска 2004;2008 г. г.- проведения исследований на большом числе образцов каждого состава, показавших хорошую воспроизводимость свойствиспользования компьютерных методов для моделирования диэлектрических спектровапробации аппроксимирующих моделей на большом числе объектов исследованияанализа полученных экспериментальных результатов с привлечением современных теоретических представлений о фазовых переходах в конденсированных средахсоответствия результатов аналитических и численных решений.

Кроме этого, беспримесность изготовленных керамик всех групп TP, близость параметров их кристаллической структуры к известным библиографическим данным, высокие относительные плотности образцов, однородность их поверхностей и сколов, равномернозернистость, экстремальность электрофизических характеристик при выбранных режимах изготовления керамик, воспроизводимость структурных, диэлектрических, пьезоэлектрических и упругих параметров от образца к образцу внутри одного состава TP, соответствие физических свойств TP логике их изменения в каждой конкретной системе позволяют считать получепные результаты достоверными и надежными, а сформулированные положения и выводы — обоснованными.

Апробация результатов работы.

Основные результаты диссертации докладывались на следующих конференциях, симпозиумах и семинарах:

1. Международных:

— научно-технических школах-конференциях «Молодые ученые — науке, технологиям и профессиональному образованию» (под эгидой ЮНЕСКО). Москва. МИРЭА. 2003, 2005, 2006, 2007, 2008 г. г.;

— XIII научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых («Ломоносов»), Москва. МГУ. 2006 г.- научно-практических конференциях «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» («INTERMATIC») (под эгидой ЮНЕСКО), Москва. МИРЭА. 2003, 2004,2006, 2007, 2008 г. г.;

— 5th International Seminar on Ferroelastics Physics. Voronezh.Russia.2006r;

— meetings «Phase transitions in solid solutions and alloys» («ОМА»). Rostov-on-Don-Big Sochi. Russia. 2004, 2005, 2006, 2007, 2008 г. г.;

— meetings «Order, disorder and properties of oxides» («ODPO»). Rostov-on-Don-Big Sochi. Russia. 2005, 2006, 2007,2008 г. г.- научно-технических конференциях «Межфазная релаксация в полиматериалах». Москва. МИРЭА. 2005 г.- научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы функционального материаловедения, пьезоэлекгрического приборостроения и нанотехнологий» («Пьезотехника-2005»). Ростов-на-Дону — Азов. 2005 г.;

— конференции «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах». Махачкала, респ. Дагестан. 2007 г.

— 11-й конференции «ФИЗИКА ДИЭЛЕКТРИКОВ» (ДИЭЛЕКТРИКИ — 2008). Санкт-Петербург. 2008 г.

2. Всероссийских:

— XVII, XVIIIй конференций по физике сегнетоэлектриков («BKC-XVII, XVIII»). Пенза. 2005 г.- Санкт-Петербург. 2008 г.;

— семинара «Инновационные технологии в современном бизнесе» 2007 г., г. Астрахань.

ЗГ Региональных:

— II, III, IV, V-й научнопрактических конференциях студентов, аспирантов и молодых ученых «Молодежь XXI века — будущее российской науки». Ростов-па-Дону. Ростовский государственный университет, Южный Федеральный университет, 2004, 2005, 2006, 2007, 2008 г. г.;

— I, II, III, IV-й ежегодных научных конференциях студентов и аспирантов базовых кафедр Южного Научного Центра Российской Академии Наук. Ростов-на-Дону. 2005,2006, 2007, 2008 г. г.

— I, П-й Научно-практических конференциях молодых ученых и специалистов «Высокие информационные технологии в науке и производстве», Ростов — наДону. 2005, 2006 г. г.;

— семинара «Мониторинг участия Вузов в Болонском процессе: Южный Федеральный округ», г. Ростов-на-Дону. 2007 г.

5. Студенческих.

— 56, 58-й научных конференциях физического факультета Южного федерального университета. Ростов-на-Дону. 2004, 2006 г.

Реализация и внедрение результатов работы.

Результаты диссертации использованы в ряде научно-исследовательских и опытно-конструк горских работах, проводимых на кафедре «Общая и прикладная физика» ЮРГТУ (НПИ), а также в отделе активных материалов ПИИ физики ЮФУ:

В соответствии с тематическим планом научно — исследовательских работ кафедры «Общей и прикладной Физики"ЮРГТУ (ППИ) и НИИ физики ЮФУ.

— Тема- «Исследования статистических и динамических свойств нано-мезоскопических неоднородных систем, испытывающих структурные и магнитмые вазовые переходы». (рег.№ 2.2.06).

— Тема: «Создание, исследование структуры и предельных свойств электрически активных материалов на основе соединений кислородно — октаэдрического типа», (per. № 2.3.06).

В соответствии с Аналитической ведомственной целевой программой «Развитие научного потенциала высшей школы»:

— проект № 2.1.1/6931 «Неупорядоченные гетерогенные среды: новые фазы, ппантские пьезо-, пирои диэлектрические отклики».

В рамках грантов Российского Фонда фундаментальных исследований (РФФИ):

— № 02−02−17 781. Несоразмерные фазы, трансляционно — модулированные структуры и динамика кристаллической решетки сегнетоактивных соединений кислородно — октаэдрического типа с упорядоченными протяженными дефектами;

— № 04−02−8 058 (ОФИ). Разработка и создание высокотемпературных сегнетопьезоэлектрических материалов, иеохлаждаемых датчиков давления (ускорения, вибраций, пульсаций, детонаций) и измерительно вычислительного комплекса диагностики рабочего процесса и топливоподачи в цилиндрах двигателей внутреннего сгорания.

— № 05−02−16 916а. Особенности формирования сегнетоэлектрических фазовых состояний кристаллических веществ в близи температуры плавления;

— № 06−02−08035(офи). Разработка панотехнологнческого процесса изготовления бессинцовых сегнетопьезокерамических материалов заменяющих ЦТС составы во всех функциональных группах их применений, и создание на этой основе высокочувствительных электромеханических преобразователей на объемных и поверхностных волнахфильтров с различной шириной полосы пропусканиядатчиков для систем связи, медецины, устройств работающих в силовых режимах.

— № 08−02−1 013. Коллективные локальные и наномасштабные дисторсии в сегнетоактивных гетерогенных структурах.

При поддержке.

I. Грантов Президента РФ для государственной поддержки ведущих научных школ №№ НШ — 3505.2006.2- НШ —5931.2008.2 «Электрически активные вещества и функциональные материалы».

II. Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно — технической сфере (государственные контракты:

— № 4919р (7231) на выполнение НИОКР по теме: «Разработка лабораторно технологического регламента получения бессвинцового высокотемпературного (ВТ) материала и создание опытных образцов пьезоэлектрических датчиков на его основе» (per. № 01.2.007.8 637);

— № 7463 по теме № 4 НИОКР «Разработка высокоомных несвинецсодержащих сегнетопьезоэлектрическнх керамик с широким интервалом рабочих температур»).

III. Грантов Южного Федерального университета.

— № К — 07 — Т — 40 «Разработка сегнетопьезоэлектрических материалов с ультравысокими рабочими температурами, гигантскими диэлектрическими, пьезоэлектрическими, электрострикционными константами и экологически безопасной нанотехнологии производства на их основе функциональных электромеханических преобразователей для нужд ракетно-космической техники. Создание на этой базе инновационного учебно-методического комплекса для магистерской и послевузовской подготовки, а также элективного курса по направлению «Физика и нанотехнология сегнетоэлектриков с предельными свойствами Диагностика риска банкротства предприятия»;

— № К — 08 — 'Г — 11 «Разработка экологически чистых электрических материалов с предельными свойствами, промышленных технологий их получения и функциональных датчиков различного пьезотехнического назначкения».

Кроме того, разработанные авторами измерительные стенды и программные продукты использованы в учебном процессе на кафедре «Общей и прикладной физики» ЮРГТУ (НПИ), «Физики полупроводников» физического факультет ЮФУна кафедре информационных технологий факультета высоких технологий ЮФУ при постановке спецпрактикумов по курсу лекций «Физика и технология сегнетопьезокерамики».

Предложенные автором диссертационной работы новые высокоэффективные сегнетопьезокерамические материалы применены в качестве основы пьезоэлементов, использующихся в датчиковой аппаратуре (ОАО «Элпа», г. Зеленоград) и устройствах запуска летательных аппаратов (Российский федеральный ядерный центр (РФЯЦ — ВНИИЭФ), институт взрыва, г. Саров).

Публикации.

Основные результаты диссертации отражены в печатных работах, представленных в журналах и сборниках трудов конференций, совещаний и симпозиумов. Всего по теме диссертации опубликовано 50 работ, в том числе, 6 статей в центральной печати, 1 патент на изобретение, 2 патента на полезную модель, 3 свидетельства об официальной регистрации программ для ЭВМ. Полный список публикаций приведен в конце диссертационной работы, перечень основных публикаций дан в конце автореферата.

Личный вклад автора в разработку проблемы.

Автором лично определены задачи, решаемые в работесозданы 2 автоматических измерительных стендаразработаны 3 программных продуктасобраны и обобщены в виде аналитического обзора библиографические сведения по теме диссертациивыбраны на основе литературных данных перспективные для последующего исследования объекты, выбраны оптимальные технологические регламенты получения и изготовления керамических образцов объектов исследования, проведены измерения диэлектрических, пьезоэлектрических и упругих свойств всех объектов в широком интервале внешних воздействий, осуществлено компьютерное оформление всего графического материала.

Совместно с научными руководителем и консультантом работы автором осуществлен выбор направления исследований, сформулирована цель работы, проведено обсуждение и обобщение полученных в диссертации данных, а также осуществлена интерпретация некоторых полученных экспериментальных результатов.

Сотрудниками НИИ физики ЮФУ, в коллективе которых автор занимается научными исследованиями с 2004 года по настоящее время, осуществлены следующие работы: изготовлены отдельные керамические образцы некоторых составов материалов (к.х.н. Разумовская О. Н., технологи Тельнова Л. С., Сорокун Т.Н.) — проведены рентгеноструктурные исследования (с.н.с. Шилкина J1.A.) — даны консультации по вопросам измерения пьезоэлектрических и поляризационных характеристик (с.н.с. Дудкина С. И., доц. Комаров В.Д.), а также интерпретации дисперсионных свойств некоторых образцов (проф. Турик А. В.).

Объем и структура работы.

Работа состоит из введения, пяти глав, основных результатов и выводов, заключения, изложенных на 193 страницах, и приложения на 6 страницах. В диссертации 127 рисунков, 18 таблиц, список цитируемой литературы состоит из 176 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Созданы автоматические измерительные стенды для исследования электрофизических параметров сегнетопьезоматериалов в широком интервале температур и частотпрограммные продукты для расчета диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в широком диапазоне внешних воздействий, а также — мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости по формулам Коула-Коула, Дэвидсона-Коула, Дебая и Гаврилиака-Негами.

2. Получены в виде керамик TP бинарных систем состава (1-х) PbZr03 — х РЬТЮз (ЦТС), (1-х) PbNb2/3Mgi/303- х PbTi03 (PMN-PT) — четырехкомпонентой системы состава 0,98 (х PbTi03 -у PbZr03 — = PhNb^Mg^Cb) — 0,02 PbGe03. При этом установлена хорошая технологичность (низкие Тсп., более высокие рпзм.) составов, содержащих соединения PbNb2/3Mg]/303 и PbGe03 из-за вакансионно-насыщенной природы первого (вследствие композиционного разупорядочения в В — подрешетке и переменной валентности Nb) и возможности образования жидкой фазы вторым. Более низкие значения ршм. в системе ЦТС связаны с кристаллохимическими особенностями крайних компонентов (практическим отсутствием вакансий в структуре и термической неустойчивостью PbZr03, сильными механическими напряжениями в PbTi03 из-за большой величины и анизотропии деформации кристаллитов, приводящих к его саморазрушению).

3. Во всех объектах выявлено возникновение в однофазных полях нескольких изосимметрийных состояний и областей их сосуществования, а в морфотопных областях — нескольких промежуточных, дополнительных (кроме основных Рэ и Т) фаз, последовательно образующихся и формирующих сложные области концентрационных симметрийных переходов с широким разнообразием фазового наполнения, сопровождающихся экстремальным поведением макроскопических свойств. Выдвинуто несколько причин, ответственных за появление фазовых состояний и связанных с кристаллохимическими особенностями твердых растворов: переменная валентность ионов титанабесконечно-адаптивная структура его двуокисиобразование, упорядочение и повороты плоскостей кристаллографического сдвигаспецифическое строение титаната свинца (типа внутреннего TP, или автоизоморфного вещества) с большим количеством вакансий в Аи О-подрешётках, блочное строение ниобиевых оксидов. На фазовой х-Т диаграмме системы ЦТС обнаружены ряд областей с качественно разным поведением диэлектрических характеристик, коррелирующих с последовательными ФП в системе. В частности, показано, что наличие двух критических точек на границе с кубической фазой определяет изменение температурной зависимости диэлектрической проницаемости внутри области, прилегающей со стороны тетрагональной фазы к МО.

4. Обнаружен ряд особенностей дисперсионных свойств TP системы ЦТС, позволивших.

— выделить пять концентрационных групп TP (0.

— установить причины дисперсии е/во в окрестности ФП, каждая из которых приоритетна в «своем» температурном и концентрационном интервале и обусловлена движением дефектов, образующихся в момент ФП из кубической в низкосимметрийную фазу (при повышенных Т) — кластеров последней, возникающих в недрах прафазывакансий, образующихся при восстановлении ионов с переменной валентностью (в основном, Ti);

— выявить специфическую картину проявления релаксационных процессов в системе ЦТС: существование глубокой релаксации у, характерной для низких температур и её практическое прекращение при Т-500 °С с сохранением глубокой дисперсии в'- отсутствие высокочастотного насыщениянеобычное чередование наклонов на кривых у (7) — - что может быть связано со спектром времён релаксации, характерным для ЦТС-керамик при высоких температурах;

— получить хорошее согласие экспериментальных и теоретических кривых диаграммы Коула-Коула, аппроксимированной моделью Гаврилиака-Негами, при учёте сингулярного члена.

5. По характеру термочастотного поведения диэлектрической проницаемости в системе PMN-PT:

— выделены три концентрационные области с локализацией внутри каждой СЭ — релаксоров (0<х<0,26), СЭ с РФП (0,26<5с<0,36), классических СЭ (0,36<х<1,0);

— выявлено два типа дисперсии s/e0 в ПЭ-области: высокотемпературная (ВТ) слаборелаксационная с максимумами s/so при Т>600°С и низкотемпературная (PIT) сильнорелаксационная с максимумом e/so при Т~350°С, близко расположенным к основному ФП. Рассчитанные значения энергии активации позволяют считать ВТ-ый процесс связанным с вакансионным механизмом релаксации, а НТ-ый с движением ионов кислорода, образующих с катионами некие центры, обладающие электрическим дипольным моментом, которые могут вносить свой вклад в диэлектрическую проницаемость;

— показано, что дополнительный вклад в релаксационные процессы, характерные для СЭ — релаксоров, вносит максвелл — вагнеровская поляризация, обусловленная пространственно — неоднородным состоянием керамических образцов;

— установлено, что усложнение фазовой картины системы в релаксорной области за счет появления новых фаз, фазовых состояний, областей сосуществования тех и других, а также пространственная неоднородность керамик обусловливают недебаевскую природу диэлектрических спектров и приводят к более сложным типам релаксационных процессов: сначала с симметричным, далее — несимметричным распределением времен релаксации и при больших содержаниях PbTi03 в системе — к наличию нескольких, часто перекрывающихся релаксорных процессов.

6. В многокомпонентной системе 0.98(хРЬТЮ3->> PbZr03- zPbNb2/3Mgi/303): показано, что упрощение фазообразования за счет взаимовлияния различных типов дефектов структуры (точечных, протяженных, каркасныхблочных) приводит к меньшей «изрезанности» концентрационных зависимостей макроскопических свойств TP;

— выявлена значительно меньшая дисперсия б/ео TP по сравнению с базовой системой ЦТС, что является следствием более высокой плотности и, значит, меньшей электропроводности TP;

— параметры, характеризующие ФП в сегнетоэлектриках: температурный сдвиг максимума б/бо при увеличении частоты измерительного электрического поля, степень диффузности и мера размытия- - позволяют классифицировать TP I и V разрезов системы как СЭ с РФП, III разреза — как СЭрелаксоры.

7. Показана возможность практического применения некоторых из изученных TP в различных отраслях электронной техники (дефектоскопии, датчиковой аппаратуре, низкочастотном приборостроении).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Подводя итоги проделанной работы, можно констатировать, что выдвинутая цель исследования достигнута, необходимые тактические задачи для её реализации решены. Автор видит и пути дальнейшего развития научных изысканий выданном направлении: расширение термочастотного диапазона исследований вплоть до температур, близких к ОК, использование большего разнообразия объектов, внедрение полученных результатов в практику в виде не только пьезоэлементов, но и приборов на их основе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Г. А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г. А. Смоленский, В. А. Боков, В. А. Исупов, Н. Н. Крайник, Р. Е. Пасынков, М. С. Шур // JL: Наука, Ленингр. отд. 1971.476 с.
  2. , С.А. Введение в физику полярных диэлектриков. Учебн. пособие / С. А. Гриднев, JI.H. Коротков.// Воронеж, гос. техн. ун-т. 2003.С. 325
  3. , Г. А. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов станната— титаната бария./ Г. А. Смоленский, В.А. Исупов// ЖТФ. 1954. Т. 24. № 8. С.1375−1386.
  4. , Г. А. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов цирконата бария в титанате бария./ Г. А. Смоленский, Н. П. Тарутин, Н.П. Трудцин//ЖТФ. 1954. Т. 24.№ 9. С. 1584−1593.
  5. , Г. А. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом./ Г. А. Смоленский, В. А. Исупов, А. И. Аграновская, С.Н. Попов// ФТТ. 1960. Т. 2. № 11. С.2906−2918.
  6. , В.А. Физические явления в сегнетоэлектрических сложных перовскитах./В.А. Исупов// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1983. Т.47. № 3. С.559−585.
  7. Samara, G.A. The relaxational properties of compositionally disordered ABO3 perovskites / G.A. Samara //J. Phys.: Condens. Matter. 2003. Y.15. P. 367−411.
  8. Z.-G. Ye, Relaxor ferroelectric complex perovskites: structure, properties and phase transitions./ Ye Z.-G. // Key Eng. Mater. 1998. Y.155. P.81−122.
  9. Burns, G. Glassy polarization behavior in ferroelectric compounds РЬ (М?ш№>2/з)Оз and Pb (Zni/3Nb2/3)03 / G. Burns, F.H. Dacol //Solid State Commun. 1983 Y.48. № 10. P. 853−856.
  10. , С.А. Введение в физику неупорядоченных полярных диэлектриков: Учеб. пособие /С.А. Гриднев, JI.H. Короткое// Воронеж: Воронеж, гос. техн. ун-т. 2003.199 с.
  11. Ravez, J. Some solid state chemistry aspects of lead-free relaxor ferroelectrics / J. Ravez, A. Simon// J. Solid State Chem. 2001. V.162. P.260- 265.
  12. Salak, A.N. Evolution from Ferroelectric to Relaxor Behavior in the (1-х)ВаТЮз xLa (Mgi/2Tii/2)03 System / A.N. Salak, M.P. Seabra, Y.M. Ferreira. // Ferroelectrics. 2005. V.318. P.185−192.
  13. Levstik, A. Glassy freezing in relaxor ferroelectric lead magnesium niobate / A. Levstik, Z. Kutnjak, С Filipic, R. Pirc//Phys.Rev. B. 1998. V. 57. № 18. P. l 1204−11 211.
  14. Uchino, K. Critical exponents of the dielectric constants in diffused-phase- transition crystals /К. Uchino, S. Nomura// Ferroelectrics Lett. 1982. V.44. P.55−61.
  15. , Г. И. Физика диэлектриков (область слабых полей)./ Сканави Г. И. // M.-JL: Гостехиздат. 1949.500 с.
  16. , Л.Д. Электродинамика сплошных сред / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц // М.: физ.-мат.лит. 1959.532 с.
  17. , Г. Теория диэлектриков./ Г. Фрёлих// М: ИЛ. 1960. 252 с.
  18. , Л.Д. Статистическая физика/Л.Д.Ландау, Е.Н.Лифшиц//М.: Наука. 1976. 584с.
  19. , В.Л. Теория сегнетоэлектрических явлений / В. Л. Гинзбург // УФН. 1949. Т.38. С.490−525.
  20. Heller, В. The Distributuion Functions of relaxation Phenomena in Dielectrics / B. Heller, J. Mrazek // ACTA Technica CSAV. 1973. N 6. P.515−527.
  21. Cole, K.S. Dispersion and Absoption in Dielectrics / K.S. Cole, R.H. Cole // J. Chem. Phys. 1941.V.9.P.341−351.
  22. , Ю.М. Физика диэлектриков/ Ю. М. Поплавко // Киев: Высшая школа. 1976. 408 с.
  23. Davidson, D.W. Dielectric relaxation in Glycerol, Propylene Glycol and n-Propanol / D.W. Davidson, R.H. Cole//J. Chem. Phys. 1951. V.19. P.1484−1490.
  24. Cole, R.H. Dielectric relaxation in solid hydrogen halides / R.H. Cole, S. Havriliak // Discuss. Far. Soc. 1957. № 23. P.31−38.
  25. Jonscher, A.K. Dielectric Relaxation in Solids. / A.K. Jonscher // London: Chelsea Dielectric Press. 1983. 380p.
  26. , В.Ф. Функция плотности распределения времен релаксации/ В. Ф. Тиллес // Сборник докладов Международного симпозиума «Надежность и качество». Пенза. 1999. С. 134- 136.
  27. Burton, В. P. Why РЬ (В, В) Оз perovskites disorder at lower temperatures than Ва (В, В) Оз perovskites/B. P. Burton, E. Cockayne // Phys. Rev. B. 1999. V.60. P. R12542- R12545.
  28. , Г. А., Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом./ Г. А. Смоленский, В. А. Исупов, А. И. Аграновская, С.Н. Попов// ФТТ. 1960. Т. 2. №.11. С.2906−2918.
  29. Dkhil, В. Local and long range polar order in the relaxor-ferroelectric compounds PbMgi/3Nb2/303 and PbMgo3Nbo.6Tio.i03/B. Dkhil, J.-M. Kiat, G. Calvarin et al. //Phys. Rev. B. 2001. V.65. P. 24 104−1 24 104−8
  30. Fouskova, A. Specific heat of PbMgi/3Nb2/303 /А. Fouskova, V. Kohl, N. N. Krainik, and I. E. Mylnikova // Ferroelectrics. 1981. V.34. P. 119−121.
  31. , С. H. /С. Н. Гвасалия, С. Г. Лушников, И. Мория и др. //Кристаллография. 2001. Т.46. С. 1110.
  32. , В. А. /В. А. Струков, К. А. Минаева, Т. JI. Скоморохова, В. А. Исупов // ФТТ. 1966. Т.8.
  33. , М. В. Исследование теплоемкости релаксаторных сегнетоэлектриков PbMgi/3Nb2/303 в широком интервале температур /М. В. Горев, И. Н. Флеров, В. С. Бондарев, Ф. Сыо //ЖЭТФ. 2003. Т. 123. № 3. С. 599−606.
  34. Guo, Yin. The phase transition sequence and the location of the morphotropic phase boundary region in (l-x) Pb Mgi/3Nb2/3)03.-xPbTi03 single crystal / Y. Guo, H. Luo, D. Ling, H. Xu, T. He, Z. // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. № 15. P. L77-L82.
  35. Emelyanov, S.M. Dilute ferroelectric in random electric field: phase transitions in Pb (Mgi/3Nb2/3)i-xTix03 crystals. / S.M. Emelyanov, F.I.Savenko, Yu.A.Trusov, V.I.Torgashev, P.N.Timonin. // Phase Trans. 1993. V.45. P.251−270.
  36. Haertling G.H. Ferroelectric Ceramics: History and Technology // J. Amer. Ceram. Soc. 1999. V. 82. P. 797−818.
  37. Park, S-E. Ultrahigh strain and piezoelectric behavior in relaxor based ferroelectric Single crystals/ S-E. Park, T.R. Shrout // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 1804−1811.
  38. Servise, R.F. Shape changing Crystals get Shiftier/ R.F. Servise // Science. 1997. V. 275. P. 1878.
  39. Xu, G. Third ferroelectric phase in PMNT single crystals near the morphotropic phase boundary composition/ G. Xu, H. Luo, H. Xu, Z. Yin // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 201 021 -20 102−3.
  40. Vanderbilt, D. Monoclinic and triclinic phases in higher-order Devonshire theory/ D. Vanderbilt, M.H. Cohen // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. P. 94 108−1 94 108−9.
  41. Glazounov, A.E. Evidence for domain-type dynamics in the ergodic phase of the РЬМп1/зМЬ2/зОз relaxor ferroelectric. / A.E. Glazounov, A.K. Tagantsev, and A.J. Bell// Phys. Rev. B. 1996. V. 53. N.17. P. 11 281- 11 284.
  42. Siny, I.G. Central peak in light scattering from the relaxor ferroelectric РЬМп1/з№>2/зОз / I.G. Siny, S. G Lushnikov, and R.S. Katiyar // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. N.13. P. 7962 -7966.
  43. Levstik, A. Glassy freezing in relaxor ferroelectric lead magnesium niobate. / A. Levstik, Z. Kutnjak, C. Filipic, R. Pirc. // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. N.18. P. 11 204 11 211.
  44. Dikhil, B. Local and long renge polar order in the relaxor-ferroelectric compounds PbMni/3Nb2/303 and PbMno.3Nbo.6Tio.1O3 / B. Dikhil, J.M. Kiat, G. Calvarin, G. Baldinozzi, S. B. Vakhrushev, E. Suard // Phys. Rev. B. 2001. V. 65. P. 24 104−1 24 104−8.
  45. Moriya, Y. Specific-Heat anomaly caused by ferroelectric nanoregions in Pb (Mni/3Nb2/3)03 and РЬ (Мп1/зТа2/з)Оз relaxor. / Y. Moriya, H. Kawaji, T. Tojo, T. Atake // Phys. Rev. Lett. 2003. V. 90. N.20. P. 205 901−1 205 901−4.
  46. Tu, C-S. Orientation dependence and electric-field effect in the relaxor-based ferroelectric crystal (РЬМп1/з№>2/зОз)о.68(РЬТЮз)о.з2/ C.-S. Tu, C.-L. Tsai, J.-S. Chen// Phys. Rev. B. 2002. V. 65. P. 104 113−1 104 113−11.
  47. , Е.П. Пироэлектрический эффект в твердых растворах на основе магнониобата свинца. / Е. П. Смирнова, С. Е. Александров, К. А. Сотников, А. А. Капралов, А. В. Сотников // ФТТ. 2003. Т. 45. № 7. С. 1245−1249.
  48. , Л.С. Диэлектрические и оптические свойства монокристаллов сегнетоэлектрика-релаксора РЬ(Мпо.3№>о.б)Т1о.20з. / Л. С. Камзина, И. П. Раевский, С. М. Емельянов, С. И. Раевская, Е. В. Сахкар // ФТТ. 2004. Т. 46. № 5. С. 881−887.
  49. Donnelly, N. J. Changes in functional behavior of 93%РЬ1/з№ 2/з)Оз-7%РЬТЮз thin filmsinduced by ac electric fields/ N. J. Donnelly, R. M. Bowman, J. M. Gregg // Phys. Rev.
  50. B. 2006. V. 73. P. 64 110−1 64 110−13.
  51. , В.В. Диэлектрические свойства твердых растворов РЬМп.^Ь2/зОз -SrTiC>3 / В. В. Леманов, А. В. Сотников, Е. П. Смирнова, М. Weihnacht // ФТТ. 1999. Т. 41. № 6.1. C. 1091−1095.
  52. Paik, D.S. E-field induced phase transition in <001>-oriented rhombohedral 0.92Pb (Zni/3Nb2/3)03−0.08PbTi03 crystals / D.S. Paik, S.E. Part, S. Wada, S.F. Lui, and T.R. Shrout, //J. Appl. Phys. 1999. V.85. P. 1080−1083.
  53. Ye, Z.-G. Monoclinic phase in the relaxor-based piezo- ferroelectric Pb (Mgi/3Nb2/3)03-PbTi03 system./ Z.-G. Ye, B. Noheda, M. Dong, D. Cox, G. Shirane // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 184 114−1-184 114−5.
  54. Ye, Z.-G. Development of Ferroelectric Order in Relaxor (l -х)РЬ (М§ 1/з№>2/з)Оз хРЬТЮз (0< x <1.15). / Z.-G. Ye, Y. Bing, J. Gao, and A.A. Bokov, P. Stephens, B. Noheda, and G. Shirane // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. P. 104 104−1 — 104 104−8.
  55. , А.Я. Высокоэффективные пьезокерамические материалы./ А. Я. Данцигер, JI.A. Резниченко, О. Н. Разумовская, Л. Д. Гринева, Р. У. Девликанова, С. И. Дудкина, Н. В. Дергунова, А. Н. Клевцов. //Справочник. Ростов-на-Дону. 1994. Изд-во АО «Книга». 32 с.
  56. Noheda, В. Structure and high-piezoelectricity in lead oxide solid solutions / B. Noheda //Current Opinion in Solid State and Materials Science. 2002. V.6. P. 27 -34.
  57. Sawaguchi, E. Ferroelectricity versus Antiferroelectricity in the Solid Solutions of PbZr03 and РЬТЮз /Е. Sawaguchi.// J. Phys. Soc. Japan. 1953. V.8. P.615−629.
  58. Tennery, V. High-temperature phase transitions in PbZr03 /V. Tennery// J. Amer. Ceram. Soc. 1966. V. 49. P.483−486.
  59. , Б. Пьезоэлектрическая керамика./ Б. Яффе, У. Кук, Г. Яффе.// М.: Мир. 1974. 288 с.
  60. Noheda, В. A monoclinic ferroelectric phase in the Pb (Zrj xTix)03 solid solution / B. Noheda, D.E. Cox, G. Shirane, J.A. Gonzalo, L.E. Cross, S-E. Park. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 2059−2061.
  61. , H. Г. Уточненная фазовая T, x диаграмма кристаллов PbZri. хТ1хОз / Н. Г. Леонтьев, В. Г. Смотраков, Е. Г. Фесенко. // ФТТ. 1983. Т.25. № 7. С. 1958 — 1964.
  62. , Н.Г. Уточнение фазовых диаграмм кристаллов PbZrixTix03/H.r. Леонтьев,
  63. B.Г. Смотраков, Е. Г. Фесенко. //Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Материалы. 1983. Т.18,1. C.449−454.
  64. Viehland, D. Structural and property studies of high Zr-content lead zirconate titanate / D. Viehland, Jie-Fang li, Xunhu Dal and Z. Xu // J. Phys. Chem. Solids. 1996. Vol. 57. N.10. P. 1545−1554.
  65. Noheda, B. Pulsed neutron diffraction study of Zr — rich PZT. / B. Noheda, J.A. Gonzalo, M. Hagen//J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V.ll. P.3959−3965.
  66. , А. В. / А. В. Турик, А. И. Чернобабов, В. Ю. Тополов//ФТТ. 1983. Т.25. № 9.С.2839−2841.
  67. Rane, M. Enthalpies of Formation of Lead Zirconate Titanate (PZT) Solid Solutions/M. Rane, A. Navrotsky, G.A. Rossetti Jr//J. Solid State Chem. 2001. V. 161. P. 402−409.
  68. Ortega, N. Impedance spectroscopy of multiferroic PbZrx. Ti1.xO3/CoFe2O4 layered thin. films/ N. Ortega, Ashok Kumar, P. Bhattacharya, S. B. Majumder, R. S. Katiyar // Phys. Rev.
  69. B. 2008. V. 77. P. 14 111−1 14 111−10.
  70. Samara, G.A. Relaxor properties of compositionally disordered perovskites: Ba- and Bi-substituted Pb (Zn.xTix)03/ G.A. Samara//Phys.Rev.B. 2005. V. 71. P.224 108−1 -2 204 108−8.
  71. B.K. Диэлектрическая релаксация в тонкопленочных структурах металл-сегнетоэлектрик PZT-металл. / В. К. Ярмакин, С.П. Тесленко// ФТТ. 1998. Т. 40. В. 10.1. C. 1915−1918.
  72. , Е.Г. Новые пьезокерамические материалы. / Е. Г. Фесенко, А. Я. Данцигер, О. Н. Разумовская // Ростов-на-Дону. 1983. Изд-во РГУ. 160 е.
  73. , Л.А. Фазовые состояния и свойства пространственно-неоднородных сегнетоактивных сред с различной термодинамической предысторией/ Л. А. Резниченко // Дисс. д.ф.-м.н. Ростов-на-Дону. Ростовский гос. ун-т. 2002. 461 с.
  74. , А. В. /А.В. Антонов, А.Я. Данцигер, Г.А. Житомирский//Сборник тезисов докладов IX Всесоюзного совещания по сегнетоэлектричеству. 4.2. Ростов-на-Дону. 1979. С.113
  75. Macutkevic, J. Broadband dielectric spectroscopy of 0.4PMN-0.3PSN-0.3PZN ceramics/ J Macutkevic, J Banys, К Bormanis and A Sternberg // J. Phys.: Conf. Ser. 2007.V. 93. P.12 014−1-12 014−6.
  76. , Л.С. Диэлектрические и оптические свойства монокристаллов сегнетоэлектрика-релаксора Pb(Mno3Nbo.6)Tio.203. / Л. С. Камзина, И. П. Раевский, С. М. Емельянов, С. И. Раевская, Е. В. Сахкар // ФТТ. 2004. Т. 46. № 5. С. 881−887.
  77. , А.А. Диэлектрические и фотоэлектрические свойства кристаллов Pb(Mgi/3Ta2/3)03 /А.А. Боков, И. П. Раевский, М. А. Малицкая, С. М. Емельянов // ФТТ. 1998. Т.40.№ 1.С. 109−110.
  78. , С.Б. Особенности кристаллической структуры TP (PbMgi/3Nb2/303)0.6-(PbTi03)0.4 /С.Б. Вахрушев, С. Г. Жуков, В.В. Чернышев// ФТТ. 1999. Т.41. № 7. С.1282−1285.
  79. , А.И. Диэлектрические и электромеханические свойства сегнетокерамики (l-x)PMN-xPZT /А.И. Бурханов, А. В. Шильников, А. В. Сопит, А. Г. Лучанинов // ФТТ. 2000. Т.42. № 5. С.910−916.
  80. , Е. Акустическая эмиссия и тепловое расширение кристаллов Pb(Mgi/3Nb2/3)03 и Pb (Mgi/3Nb2/3)03-PbTi03 / Е. Dulkin, И. П. Раевский, С.М. Емельянов// ФТТ. 2003. Т.45. № 1. С.151−155.
  81. , С.Е. Сегнетоэлектрики-релаксоры как материалы для ИК фотоприемников /С.Е. Александров, Г. А. Гаврилов, А. А. Капралов, Е. П. Смирнова, Г. Ю. Сотиикова, А. В. Сотников //ЖТФ. 2004. Т.74. № 9. С.72−76.
  82. , Е.П. Пироэлектрические и упругие свойства в области фазового перехода в твердых растворах на основе магнониобата свинца и титаната бария / Е. П. Смирнова, А. В. Сотников// ФТТ. 2006 Т.48. № 1. С.95−98.
  83. , С. А. Фотостимулированная проводимость в релаксорах /С. А. Мигачев, М. Ф. Садыков, Р. Ф. Мамин // ФТТ. 2004. Т.46. № 10. С.1845−1848.
  84. , А.И. Акустические свойства разупорядоченного релаксорного сегнетоэлектрика PbSci/2Tai/203 /А.И. Федосеев, С. Г. Пушников, С. Н. Гвасалия, С. Коджима// ФТТ. 2006. Т.48. № 6. С.1038−1041.
  85. Kuvvata, J. Phase transitions in the РЬ (2пш2/з)Оз-РЬТЮз system/ J. Kuwata, K. Uchino, S. Nomura// Ferroelectrics. 1981. V. 37. P. 579−582.
  86. , Л.Н. Диэлектрические свойства твердых растворов (l-x)0.7PbZr03-О.ЗКо.5В1о.5ТЮз.-х8гТЮз в окрестностях фазовых переходов / Л. Н. Коротков, С. П. Рогова, Н.Г. Павлова//ЖТФ. 1999. Т.69. № 3. С. 35−38.
  87. Шур, В. Я. Кинетика фрактальных кластеров при фазовых превращениях в релаксорной PLZT-керамике /В.Я. Шур, Г. Г. Ломакин, В. П. Куминов, Д. В. Пелегов, С. С. Белоглазов, С. В. Словиковский, И. Л. Соркин // ФТТ. 1999. Т.41. № 3. С.505−509.
  88. Шур, В. Я. Переключение поляризации в гетерофазных наноструктурах: релаксорная PLZT керамика / В. Я. Шур, Г. Г. Ломакин, Е. Л. Румянцев, О. В. Якутова, Д. В. Пелегов,
  89. A. Sternberg, М. Kosec// ФТТ. 2005. Т.47. № 7. С.1293−1297.
  90. , Л.С. Индуцированное электрическим полем двупреломление в монокристаллах твердых растворов Pb0.94Ba0.06Sc0.5Nb0.5O3 (PBSN-6) /Л.С. Камзина, И.П. Раевский// ФТТ. 2005. Т.47. № 6. С. 1105−1109.
  91. , А.И. Долговременные релаксационные явления в монокристалле Pb0.94Ba0.06Sc0.5Nb0.5O3 (PBSN-6) /А.И. Бурханов, С. В. Кравченко, А. В. Шилышков, И. П. Раевский, В.П. Сахненко// ФТТ. 2005. Т.47. № 12. С.2207−2211.
  92. , М.Д. Описание сегнетоэлектрических фазовых переходов в твердых растворах релаксоров в рамках теории случайных полей / М. Д. Глинчук, Е. А. Елисеев,
  93. B.А. Стефанович, Б. Хильчер // ФТТ. 2001. Т.43. № 7. С.1247−1254.
  94. , Р.Ф. К теории фазовых переходов в релаксорах / Р. Ф. Мамин // ФТТ. 2001. Т.43. № 7. С. 1262−1267.
  95. , А.В. Максвелл-вагнеровская релаксация упругих констант в слоистых полярных диэлектриках / А. В. Турик, Г. С. Радченко // ФТТ. 2003. Т.45. № 6. С.1013−1016.
  96. , В.А. Природа физических явлений в сегнеторелаксорах /В.А. Исупов// ФТТ. 2003. Т.45. № 6. С.1056−1060.
  97. Гуфан, АЛО. Теория нестехиометрического упорядочения РЬ-содержащих релаксоров со структурой перовскита / А. Ю. Гуфан // ФТТ. 2005. Т.47. № 6. С. 10 971 104.
  98. , В.Ф. Метод «alpha-регуляризации А.Н. Тихонова в диэлектрической спектроскопии сегнетоэлектриков /В.Ф. Тиллес, Е.С. Соловьева// ФТТ. 2006. Т.48. № 6.1. C.978−980.
  99. , В. И. Статистическая механика катионного упорядочения и динамика решетки твердого раствора PbZrxTiix03 /В. И. Зиненко, С. Н. Софронова //ФТТ. 2004. Т.46. № 7. С. 1252−1260.
  100. Ogawa, Т. ffect of domain structures on electrical properties in tetragonal PZT ceramics T. Ogawa, A. Yamada. // J. Korean Phys. Soc. 1998. V.32. P. 724−726.
  101. , Jl.A. Диэлектрические и пьезоэлектрические свойства твердых растворов на основе ниобата натрия / Л. А. Резниченко, Л. А. Шилкина, О. Н. Разумовская, С. И. Дудкина, Е. С. Гагарина, А. В. Бородин // Неорган. Матер. 2003. Т. 39. № 2. С. 187−199.
  102. , И.А. Пьезокерамика/И.А Глозман, В. А. Головнин //М: Энергия. 1976. 272с.
  103. , К. Технология керамических диэлектриков / К. Окадзаки // Пер. с яп. М.: Энергия. 1976. 336 с
  104. , Ю.Д. Твердофазные реакции / ЮД. Третьяков //М.: Химия. 1978. 360с.
  105. Физико-химические свойства окислов // Справочник. Под редакцией Самсонова Г. В. М.: Металлургия. 1978. 154 с.
  106. , Г. Д. Высокотемпературные процессы в литийсодержащих системах / Г. Д. Янсон // Сборник тезисов докладов VIII Всесоюзной конференции по термическому анализу. Куйбышев: Изд-во Куйбышевского Дома техники. 1972. С. 70.
  107. , В.В. Разработка физико-химических основ создания новых пьезокерамических материалов и методов их получения / В. В Климов // Дисс.. докт. хим. наук. Донецк. 1973. 407 с.
  108. Rossetti, G.A.Jr. Lattice energies and structural distortions in Pb (ZrxTiix)03 solid solutions / G.A.Jr. Rossetti, J.P. Cline, Y-M. Chiang, and A. Navrotsky // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. V. 14. P. 8131−8143.
  109. , JI.M. Реатгенофазовый анализ / Л. М. Ковба, В. К. Трунов // М.: Изд-во Моск. гос. ун-та. 1976. 232 с.
  110. , С.В. Влияние условий поляризации на пьезосвойства титаната бария / С. В. Богданов, В. М. Вул, Р. Я. Разбаш // ЖТФ. 1956. Т. 26. № 5. С. 958−962.
  111. , Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество. / Е. Г. Фесенко // М.: Атомиздат. 1972. 248с.
  112. , С. Электронно-техническая керамика: Симпозиум по электротехнической и электронной технике при выставке электронной техники / С. Хаякава //М. 1975. 56 с.
  113. , И.Н. Ренгеноструктурное исследование поверхностного слоя кристаллов титаната бария / И. Н. Захарченко // Дисс.. к. ф.-м. н. Ростов-на-Дону. Ростовский гос. ун-т. 1978. 174с.
  114. Измеритель иммитанса Е7−20. // Рук-во по эксплуатации УП1ЯИ.411 218.012 РЭ. ОАО «МНИПИ». Минск. 2004. 30 с.
  115. , Я.Е. Физика спекания./ Я. Е Гегузин // М. «Наука». 1967. 360 с.
  116. , Г. Б. Введение в кристаллохимию. / Г. Б. Бокий // М.: Изд-во МГУ. 1954. 126с.
  117. , К. Технология керамических диэлектриков / К. Окадзаки // Пер. с яп. М.: Энергия. 1976. 336 с.
  118. Noheda, В. Tetragonal-to-monoclinic phase transition in a ferroelectric perovskite: The structure of PbZro.52Tio.48O3 /В. Noheda, J.A. Gonzalo, L.E. Cross, R. Guo, S.-E. Park, D.E. Cox, G. Shirane// Phys. Rev. 2000. V.61. P.8687−8695. {
  119. , Е.И. Саморазрушение сегнетокерамики./ Е. И. Бондаренко, В. Д. Комаров, Л. А. Резниченко, В. А. Чернышков //ЖТФ. 1988. Т. 58. № 9. С. 1771−1774.
  120. , Д.А. Кинетика образования некоторых соединений свинца. / Д. А. Янсон, К. И. Биндар, О. С. Максимова, Р. Ж. Фрейденфельд // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1966. Т. 2. № 9. С. 1563−1567.
  121. , Л.А. Инварный эффект и «дьявольская лестница» в ниобатах щелочных и щелочноземельных металлов / Л. А. Резниченко, Л. А. Шилкина, О. Н. Разумовская и др.// Кристаллография. 2005. Т. 20. № 6. С. 1001−1009.
  122. Noheda, В. Stability of the monoclinic phase in the ferroelectric perovskite PbZri. xTix03. / B. Noheda, D.E. Cox, G. Shirane, R. Guo, B. Jones, and L.E. Cross // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. P. 14 103−1-14 103−9.
  123. Barnett H.M. Evidence for a New Phase Boundary in the Ferroelectric Lead Zirconate -Lead Titanate System / H.M. Barnett // J. Appl. Phys. 1962. V. 33. P. 1606−1608.
  124. Cuo, R. Origin of the High Piezoelectric Response in PbZri. xTix03 / R. Cuo, L.E.Cross, S.E.Park, B. Noheda, D.E.Cox, G Shirane. // Phys. Rev. Lett. 2000. V.84. P.5423−5426.
  125. Noheda, B. The Monoclinic Phase in PZT: New Light on Morphotropic Phase Boundaries /В. Noheda, J.A. Gonsalo, R. Guo, S.-E. Park, L.E. Cross, D.E. Cox, and G. Shirane.
  126. Fundamental Physics of Ferroelectrics held in Aspen. Feb. 2000. Proc. of the Workshop. Юр.
  127. , Ю.Д. Химия нестехиометрических окислов / Ю. Д. Третьяков // М. Изд-во Московского гос. ун-та. 1974. 364 с.
  128. , JI.A. Фазы Магнели в Ti-содержащих сложных оксидах и их твёрдых растворах / JI.A. Резниченко, С. В. Шилкина, С. В. Титов, О. Н. Разумовская // Кристаллография. 2003. Т. 48. № 3. С. 421−427.
  129. Noheda, В. New features of the morphotropic phase boundary in the Pb (Zri.xTix)03 system /В. Noheda, J.A. Gonzalo, A.C. Caballero, C. Moure, D.E. Cox, and G. Shirane. Ferroelectrics.2000. V.237. P. 237−244.
  130. Lemanov, V.V. Giant dielectric relaxation in SrTi03-SrMgi/3Nb2/3C>3 and SrTiCb-SrSci^Tai^O-? solid solutions / V.V. Lemanov, A.V. Sotnikov, E.P. Smirnova, M. Weihnacht// ФТТ. 2002. Т.44.№ 11. C.1948−1957.
  131. Frantti, J. Phase transitions of Pb (ZrxTii.x)03 ceramics / J. Frantti, S. Ivanov, S. Eriksson, H. Rundlof, V. Lantto, J. Lappalainen, M. Kakihana //Phys. Rev. B. 2002. V.66. P. 64 108−1 -64 108−15.
  132. Meitzler, A.H. Structural transformations occasioned by crystallographic shear in PLZT and Ti02 ceramics /А.Н. Meitzler// Ferroelectrics. 1975. V. l 1. P.503−510.
  133. Шебанов, JI.A. ./JI.A. Шебанов // Дисс. к.ф.-м.н. Рига. Ин-т физики АН Латв. ССР. 1978.
  134. , О.А. Фазы, фазовые состояния и морфотропные области в п-компонентных системах сегнетоэлектрических твердых растворов / О. А. Демченко.// Дисс. к.ф.-м.н. Ростов-на-Дону. Ростовский гос. ун-т. 2006. 239 с.
  135. , В.В. Фазовые переходы в системе твердых растворов цирконата-титаната свинца. /В.В. Еремкин, В. Г. Смотраков, Е.Г. Фесенко//ФТТ. 1989. Т. 31. № 6. С.156−161.
  136. , W. / W. Dmowski, Т. Egami, L. Farber and P.K. Davies.//AIP Conference Proceeding Fundamental Physics of Ferroelectrics 2001 11th Williamsbury Workshop. USA. Virginia 4−7 Nov. 2001. 582. P. 33.
  137. , A.P. Диэлектрики и волны./ A.P. Хиппель // M.: ИЛ. 1960. 439 с.
  138. , Л.А. Фазовые переходы и физические свойства твердых растворов пкомпонентных систем на основе ниобата натрия // Дисс.к.ф.-м.н. Ростов-на-Дону.1980. 300с.
  139. , А. М. Influence of short-range and long-range order on the evolution of the morphotropic phase boundary in Pb (ZrixTix)03 / A. M. Glazer, P. A. Thomas, K. Z. Baba-Kishi, G. К. H. Pang, C. W. Tai //Phys. Rev. B. 2004. V.70. P.184 123−1 184 123−9.
  140. , В.М. «Диэлектрические релаксационные явления в кристаллах PbsGe30 при высоких температурах/ В. М. Дуда, А. С. Ермаков// Сб. тез. докл. XVIII
  141. Всероссийской, конф. по физике сегнетоэлектриков (BKC-XVIII). 2008. Санкт-Петербург. С. 253.
  142. Burns, G. Index of refraction in 'dirty' displacive ferroelectrics / G. Burns., B.A. Scott // Solid State Commun. V.13. P.423. 1973.
  143. , JI.A. Инварный эффект и «дьявольская лестница» в ниобатах щелочных и щелочноземельных металлов / JI.A. Резниченко, JI.A. Шилкина, О. Н. Разумовская и др.// Кристаллография. 2006. Т. 51. № 1. С. 95−103.
  144. , JI.A. Структурные неустойчивости, несоразмерные модуляции Р- и Q-фазы в ниобате натрия в интервале 300−500К / JI.A. Резниченко, JI.A. Шилкина, Е. С. Гагарина и др. //Кристаллография. 2003. Т. 48. № 3. С. 493−501.
  145. Kisi Е.Н., The giant piezoelectric effect electric field induced monoclinic phase or piezoelectric distortion of the rhombohedral parent. / E.H. Kisi, R.O. Piltz, J.S. Forrester, C.J. Howard//J. Phys. Condens. Matter. 2003. V. 15. P. 3631−3640.
  146. Noheda, B. Phase diagram of the ferroelectric relaxor (l-x)PbMgi/3Nb2/303-xPbTi03/ B. Noheda, D.E. Cox, G. Shirane et al.// Phys. Rev. B. 2002. V. 66. P. 54 104−1-54 104−10.
  147. Choi, S. W. Dielectric and pyroelectric properties in the lead magnesium niobium oxide (Pb (Mgi/3Nb2/3)03)-lead titanate (PbTi03) System/ S. W. Choi, T.R. Shrout, S.J. Jang, S. Bhala // Ferroelectrics. 1989. V. 100. P. 29−38.
  148. Kelly, J. Effect of Composition on the Electromechanical Properties of (1-x)Pb (Mgi/3Nb2/3)03-xPbTiO3 Ceramics / J. Kelly, M. Leonard, C. Tantigate, A. Safari// J. Am. Ceram. Soc. 1997. V. 80. P. 957−964.
  149. Pao Ч.Н.Р., Гопалакришнан Дж. Новые направления в химии твердого тела. Новосибирск: Наука. 1990. 520 с.
  150. Lemanov, V.V. Giant dielectric relaxation in SrTi03~SrMgi/3Nb2/303 and SrTi03-SrSci/2Tai/203 solid solutions /V.V. Lemanov, A.V. Sotnikov, E.P. Smirnova, M. Weihnacht.// ФТТ. 2002. V. 44. P. 1948 1957.
  151. Vezzoli, G.C. Electrical properties of Nb02 and Nb20s at elevated temperature in air and flowing argon/ G.C. Vezzoli // Phys. Rev. B. 1982. V. 26. № 7. P. 3954−3957.
  152. , JI.A. Кристаллографический сдвиг в ниобиевых оксидах различного состава. / JI. А. Резниченко, JI.A. Шилкина, Е. С. Гагарина, Ю. И. Юзюк, О. Н. Разумовская, А. В. Козинкин// Кристаллография. 2004. Т. 49. № 5.С.909−916.
  153. , В.В. Диэлектрическая релаксация в 8гТЮз:Мп / В. В. Леманов, Е. П. Смирнова, М/ Weihnacht// ФТТ. 2004. Т. 46. №. 8. С. 1402−1408.
  154. , А.В. Диэлектрические спектры неупорядоченных сегнетоактивных систем: поликристаллы и композиты / А. В. Турик, Г. С. Радченко, А. И. Чернобабов, С. А. Турик, В. В. Супрунов // ФТТ. 2006. Т.48.№ 6. С.1088−1090.
  155. , А.В., Чернобабов А. И., Радченко Г. С., Турик С. А. Гигантское пьезоэлектрическое и диэлектрическое усиление в неупорядоченных гетерогенных системах / А. В. Турик, А. И. Чернобабов, Г. С. Радченко, С. А. Турик // ФТТ. 2004. Т.46.№ 12. С.2139−2142.
  156. , С. В. Кластеризация структуры, предшествующая концентрационным фазовым переходам / С. В. Титов, Л. А. Шилкина, Л. А. Резниченко, С. И. Дудкина, О. Н. Разумовская, С. И. Шевцова, Е.М. Кузнецова// ПЖЭТФ. 2000. Т.26.№ 18. С.9−16.
  157. , Н. А. Диаграммы состояния силикатных систем / Н. А. Торопов, В. П. Барзаковский, В. В. Лапин, Н.Н. Курцева//М.-Л. Изд-во «Наука». 19 654. вып.1.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!