Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Получение твердых растворов GalnAsP на подложках пористого фосфида индия

Диссертация: Получение твердых растворов GalnAsP на подложках пористого фосфида индия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Ратушный В. И., Мышкин A. JL, Олива Э. В., Шишков М. В. Разработка технологических режимов процесса ЗПГТ для получения слоев многокомпонентных твердых растворов соединений А3В5. Новые методы теоретических и экспериментальных исследований материалов, приборов и технологий: //Сб. науч. тр. Волгодонский ин-т ЮРГТУ. -Новочеркасск: ЮРГТУ, 2001. — С. 76−79. В заключении я хочу выразить благодарность… Читать ещё >

Получение твердых растворов GalnAsP на подложках пористого фосфида индия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 1. 1. Пористая подложка как метод снижения напряжений в гетероструктуре
    • 1. 2. Пористые подложки полупроводниковых материалов
    • 1. 3. Методы получения эпитаксиальных слоев соединений АЗВ
    • 1. 4. Моделирование процессов получения слоев
      • 1. 4. 1. Расчет основных параметров твердых растворов
      • 1. 4. 2. Ограничения на получение твердых растворов
      • 1. 4. 3. Фазовые равновесия в многокомпонентных системах
      • 1. 4. 4. Влияние кристаллографической ориентации подложки на состав эпитаксиальных слоев
    • 1. 5. Постановка задачи исследования
    • 1. 6. Выводы
  • ГЛАВА 2. РАСЧЕТ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ И ДИАГРАММ СОСТОЯНИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ГЕТЕРОСИСТЕМ АЗВ
    • 2. 1. Определение основных электрофизических параметров многокомпонентных твердых растворов GalnAsP в зависимости от состава
    • 2. 2. Расчет когерентной фазовой диаграммы для псевдоморфного четверного твердого раствора GalnAsP с учетом ориентационного влияния подложки
      • 2. 2. 1. Равновесная фазовая диаграмма
      • 2. 2. 2. Когерентная фазовая диаграмма
      • 2. 2. 3. Фазовая диаграмма с учетом ориентационного влияния подложки
    • 2. 3. Выводы
  • ГЛАВА 3. ПОЛУЧЕНИЕ МЕТОДОМ ЖФЭ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
    • 3. 1. Аппаратурное оформление процессов ЖФЭ
    • 3. 2. Подготовка исходных материалов
    • 3. 3. Методические особенности процессов ЖФЭ
    • 3. 4. Выращивание эпитаксиальных слоев фосфида индия и твердых растворов GalnAsP
    • 3. 5. Особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев на подложках пористого фосфида индия
    • 3. 6. Выводы
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ И
  • ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ
    • 4. 1. Методики исследования полученных эпитаксиальных слоев и гетероструктур
    • 4. 2. Свойства пористого фосфида индия
    • 4. 3. Свойства эпитаксиального слоя фосфида индия
    • 4. 4. Свойства гетероструктур GalnAsP/InP
    • 4. 5. Свойства диодов Шоттки на основе фосфида индия
    • 4. 6. Выводы

Актуальность темы

Использование тонкопленочных гомои гетероэпитаксиальных структур на основе соединений АЗВ5 в электронных приборах различных типов предъявляет повышенные требования к их структурному совершенству и стабильности [1,2,3].

Такие требования наиболее существенны для материалов? используемых при создании СВЧ диодов с барьером Шоттки, диодов Ганна и полевых транзисторов, что выдвигает в число фундаментальных проблем разработку новых методов получения эпитаксиальных структур и приборов на их основе.

Одним из методов является эпитаксиальное выращивание на «мягких» пористых подложках полупроводников АЗВ5. Наличие пористого подслоя позволяет существенно снизить внутренние механические напряжения в получаемых структурах, обусловленные несоответствием параметров решетки и коэффициентов термического расширения, и повысить качество получаемых слоев.

Использование многокомпонентных твердых растворов на подобных подложках позволит получить приборы с более высокими характеристиками по сравнению с традиционными приборами. Использование четырехкомпонентных твердых растворов, позволит создавать гетер о структуры со свойствами более полно отвечающим необходимым требованиям. Наличие двух степеней свободы позволяет задавать такие параметры как параметр решетки, ширину запрещенной зоны, коэффициент температурного расширения [4], зонная структура [5].

Таким образом, диссертационная работа, посвященная разработке технологии выращивания на пористых подложках фосфида индия, а также получения гетероструктур на основе четверных твердых растворов для СВЧ техники, является актуальной как с научной, так и с практической точки зрения.

Целью настоящей работы являлось определение оптимальных технологических режимов эпитаксии на пористых подложках фосфида индия, а также получения и исследование особенностей кристаллизации твердых растворов GalnAsP изопериодных фосфиду индия.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи:

• Исследование структурных свойств пористых подложек;

• Определение технологических особенностей процессов жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) на пористых подложках;

• Учет свободной межфазной энергии при моделировании фазовых равновесий;

• Расчет фазовых равновесий в системах GalnAsP и определение условий кристаллизации в процессе ЖФЭ.

Научная новизна полученных в работе результатов состоит в следующем:

• Впервые комплексно определены условия технологических процессов роста слоев InP, GalnAsP на пористых подложках фосфида индия;

• На основе представлений о межфазной энергии границы раздела жидкость — твердая фаза представлена теоретическая модель расчета фазовых равновесий, учитывающая влияние кристаллографической ориентации подложки на состав многокомпонентного твердого раствора на основе InP.

• Рассчитаны режимы роста и получены качественные слои GalnAsP изопериодные подложкам InP на пористом материале;

Проведен сравнительный анализ электрофизических и структурных свойств слоев InP, GalnAsP выращенных на монокристаллических и пористых подложках фосфида индияN.

Основные научные положения, выносимые на защиту.

• При процессах жидкофазного выращивания на подложках пористого фосфида индия для освобождения пористого подслоя от продуктов электрохимического процесса формирования пор обязательной является дополнительная операция низкотемпературного отжига при Т=250−300°С;

• Для получения качественных слоев многокомпонентных твердых растворов на подложках пористого фосфида индия необходимо выращивать буферный слой эпитаксиального фосфида индия толщиной 0.5 мкм для исключения влияния модифицированной поверхности подложки;

• Оптимальная величина переохлаждения при выращивании твердых растворов GalnAsP на подложках пористого фосфида индия составляет 10−12 К.

• Применение пористых подложек фосфида индия уменьшает рассогласование гетероструктуры GalnAsP/InP (при толщине буферного слоя 0.5 мкм) в 2 раза при рассогласовании в диапазоне.

Дд±

0<

0.005;

Значения обратных токов СВЧ диодов Шоттки, изготовленных на основе гомоструктур фосфида индия, выращенных на пористых подложках, меньше чем у диодов, выполненных на традиционных структурах, в 20 раз;

На пористой: 1ОбР=0.3нА при V=10B;

На монокристаллической: I0gp=6 нА;

Практическая ценность результатов работы.

• Определены режимы технологического процесса жидкофазной эпитаксии многокомпонентных твердых растворов на пористых подложках фосфида индия: условия низкотемпературного отжига, подобрана толщина буферного слоя, необходимые значения переохлаждения жидкой фазы;

• Предложена модель фазовых равновесий, учитывающая кристаллографическую ориентацию подложки;

• Получены гомоструктуры InP и на их основе созданы СВЧ диоды Шотгки со следующими характеристиками:

На пористой: 1обр=0.3нА, Vnpo6=27B;

На монокристаллической: 1обр=6нА, Упроб=20В;

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на семинарах и конференциях кафедры микроэлектроники ВИ (ф) ЮРГТУ (НПИ), The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy ICCG-13/ICVGE-ll (Kyoto, Japan, 2001), 6-th International Conference on Intermolecular Interaction in Matter IIM6 (Gdansk, Poland, 2001), Fifth ISTC Seminar (St. Petersburg, 2002), VIII всероссийское совещание по высокотемпературной химии силикатов и оксидов (Санкт — Петербург, 2002).

Публикации. По результатам исследований опубликовано 14 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации. Основные результаты получены автором самостоятельно.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка используемой литературы, содержит 143 страницы машинописного текста, 34 иллюстрации, 9 таблиц. Библиография включает 77 названий.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. И. А. Сысоев, М. В. Шишков. Моделирование процессов роста проводниковых материалов на аморфных текстурированных подложках. Новые методы теоретических и экспериментальных исследований материалов, приборов и технологий: //Сб. науч. тр. Волгодонский ин-т. ЮРГТУ. — Новочеркасск: ЮРГТУ, 2001. — С. 27−30.

2. Ратушный В. И., Мышкин A. JL, Олива Э. В., Шишков М. В. Разработка технологических режимов процесса ЗПГТ для получения слоев многокомпонентных твердых растворов соединений А3В5. Новые методы теоретических и экспериментальных исследований материалов, приборов и технологий: //Сб. науч. тр. Волгодонский ин-т ЮРГТУ. -Новочеркасск: ЮРГТУ, 2001. — С. 76−79.

3. Lunin L., Ratyshny V., Е. Oliva, Shishkov М., Kataev V. Pentemary Solid Solutions of A3B5 Compounds — New Materials for Solid-State Electronics. The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy ICCG-13/ICVGE-11 30 July-4 August 2001 Doshisha University, Kyoto, Japan, 02a-K31−16.

4. Kuznetsov V.V., Lunin L.S., Ratyshny V.I., Oliva E.V., Shishkov M.V. The influence of crystallographic substrate upon the composition of epitaxial layer of GalnP. 6-th International Conference on Intermolecular Interactions In Matter IIM6: Abstracts 10−13 Sept.2001, Gdansk, 2001.-P.7.

5. N.S.Boltovets, V.N.Ivanov, A.E.Belyev, R.V.Konakova, V.V.Milenin, D.I.Voitsikhovski, I.N.Arsenfev, A.V.Bobyl, S.G.Konnikov, P. S.Kop'ev, M.E.Levinshtein, M.V.Shishkov, R.A.Suris, I.S.Tarasov. 150 GHz microwave Si — IMP ATT, GaAs — Gunn and InP Shottky diodes on the base of nanoscale structures. Nanotechnology in the area of physics, chemistry and biotechnology. Fifth ISTC Seminar. St. Petersburg, May 2002 p. 359−367.

6. Ратушный В. И., Олива Э. В., Шишков М. В., Уелин В. В, Левченко Е. Г. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов GalnAsSbP на подложках InAs и InP.// Изв. ВУЗов. Сев.-Кавк. регион. Техн. Науки. — 2002. С. 99 102.

7. Кузнецов В. В., Арсентьев И. Н., Ратушный В. И., Шишков М. В. Эпитаксия твердых растворов на подложках с наноразмерными порами. VIII всероссийское совещание по высокотемпературной химии силикатов и оксидов. Санкт — Петербург, Ноябрь 2002, тезисы докладов, с. 193.

8. V.V. Kuznetsov, L.S. Lunin, I.N. Arsentjev, V.I. Ratyshny, E.V. Oliva, M.V. Shishkov. The influence of substrate ccrystallographic orientation on composition of solid solution by liquid heteroepytaxy.// Molecular physics reports.- 2002.-v.36. — P.64−67.

9. Ратушный В. И., Шишков M.B., Уелин В. В. Учет свободной поверхностной энергии при расчете диаграммы состояния многокомпонентных твердых растворов, А В полученных методом эпитаксии из жидкой фазы на подложке фосфида индия (111).// Изв. ВУЗов. Сев. — Кавк. регион, техн. науки. — 2003. — № 2. — С. 94−97.

10. Арсентьев И. Н., Лунин Л. С., Вавилова Л. С., Ратушный В. И., Шишков М. В. СВЧ диоды с барьером Шотки на напористых подложках.// Изв. ВУЗов. Сев. — Кавк. регион, техн. науки. — 2003. — № 2. — С.97−99.

11. Э. П. Домашевская, В. А. Терехов, В. М. Кашкаров, С. Ю. Турищев, С. Л. Молодцов, Д. В. Вялых, Д. А. Винокуров, В. П. Улин, С. Г. Конников, М. В. Шишков, И. Н. Арсентьев, И. С. Тарасов, Ж. И. Алфёров. Синхротронные исследования электронно-энергетического спектра в наноструктурах типа А3В5.// ФТП, 2003, т.37, № 8, с. 1017−1022.

12. Лунин Л. С., Арсентьев И. Н., Ратушный В. И., Шишков М. В. Жидкофазная эпитаксия на подложках пористого фосфида индия.// Изв. ВУЗов. Сев. — Кавк. регион, техн. науки. — 2003. — № 4. — С.75−79.

13. Арсентьев И. Н., Бобыль А. В., Лунин Л. С., Ратушный В. И., Шишков М. В. СВЧ диоды Шоттки на основе автоэпитаксиальных слоев фосфида индия.// Изв. ВУЗов. Сев. — Кавк. регион, техн. науки. — 2003. -Спецвыпуск. — С.34−36.

14. Кузнецов В. В., Лунин Л. С., Ратушный В. И., Олива Э. В., Шишков М. В. Влияние кристаллографической ориентации подложки GaAs на состав слоев GaxIni-xP.// Изв. РАН, Неорганические материалы. — 2004. — т.40 -№ 4. — С.391−394.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В работе были решены следующие задачи:

1. Исследованы фотолюминесцентные и структурные свойства пористых подложек;

2. Определены технологические особенности процессов ЖФЭ на пористых подложках;

3. Различие в составах твердых растворов, получаемых в одинаковых технологических условиях на подложках с различной кристаллографической ориентацией объяснено на основе представлений о межфазной поверхностной энергии границы раздела жидкость — твердое состояние. Предложен метод учета ориентации подложки при моделировании кристаллизационных процессов получения твердых растворов методом ЖФЭ.

4. Проведен расчет фазовых равновесий в системе GalnAsP и определены условия кристаллизации в процессе ЖФЭ;

5. На основе полученных гомоэпитаксиальных структур на пористой подложке созданы перспективные диоды Шоттки миллиметрового диапазона.

В заключении я хочу выразить благодарность за руководство и поддержку при проведении работы моим научным руководителям Леониду Сергеевичу Лунину и Арсентьеву Ивану Никитовичу. Я также глубоко благодарен Илье Сергеевичу Тарасову за всестороннюю помощь и внимание, проявленное к работеВ.В. Кузнецову за полезные консультации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. // ФТП. 1998. т. 32. № 1 с. 3−18
  2. VLSI Electronics: Microstructure Science. Eds. Einspruch N.G., Wisselman W.R. v. l 1. (GaAs Microelectronics), Academic Press. Orlando San Diego — New York — London — Toronto — Sydney — Tokyo. 1995.
  3. H.Fujikura, A. Liu, A. Hamamatsu, T. Sato, H. Hasegawa Electrochemical Formation of Nanometer-Sized Straight Pore Arrays on (001) InP Surfaces //Jp. J. Appl. Phys. 2000. V.39. P.4616.
  4. B.H., Лунин Л. С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений AIIIBV (Новые материалы оптоэлектроники). Ростов н/Д: Издательство Ростовского университета, 1992, 193 с.
  5. Shim К., Rabitz Н. Electronic and structural properties of the pentanary alloys Gaxln 1 -xPy Sbz As 1 -y-z// J. of Appl. Phys. V. 85 (1999), P. 7705−7715.
  6. A.Uhler// Bell Syst. Tech. J.-1956, v.35, p.333.
  7. А.И.Белогорохов, В. А. Караванский, А. Н. Образцев, В.Ю.Тимошенко// Письма в ЖТФ-1994, № 60, с. 274.
  8. P.Shmuki, L.E.Erikson, D.J.Lockwood, B.F.Mason, J.W.Fraser, G. Champion, H.J.Lable. Predefined Initiation of Porous GaAs Using Focused Ion Beam Surface Sensitization//! Electrochem. Soc. -1999,v.l46, p.735.
  9. P.Schmuki, L. Santinacci, T. Djenzian and D.J.Lockwood. Pore formation on n-InP. Phys. Stat. Sol (a), 2000, v. l82, № 51, p. 51−61.
  10. Ю.В., Дворянкина Г. Г., Дворянкин В. Ф. Молекулярно-лучевая эпитакеия перспективный метод получения интегрально-оптических устройств // Квантовая электроника. — 1989. — т. 7, № 1. — С. 5.
  11. J.R. Arthur. Molecular beam epitaxy.// Surface Science, 500 (2002), p. 189−217
  12. M. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ.- М.: Мир, 1989.- 240 с.
  13. В.Б., Акчурин Р. Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии.- М.: Металлургия, 1983. 224 с.
  14. В.Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М: Металлургия, 1987, 232 с.
  15. В.В., Москвин П. П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991, 175 с.
  16. Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники.- М.: Сов. радио, 1988, 266 с
  17. Chang К.Н., Gibala R., Srolovitz D.J. Crosshatched surface morphology in strained III-V semiconductor films // J. Appl. Phys. 67 (1990), P. 4093−4098.
  18. B.H., Селин A.A., Ханин B.A. Анализ зависимости свойств от состава для пятикомпонентных твердых растворов // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1982.- т. 18, № 10. — С. 1697−1699.
  19. Кого О., Kazno N., Jotaro М. Experiments and calculation of the AlGaSb ternary phase diagram // J. Electrochem Soc. 1979. — v.126, № 11., P. 1992−1997.
  20. G.B. //J. of Electronic Materials. 1981. — v. 10, № 5, P. 919−936
  21. N.A.Bert, A.T.Gorelenok, A.G.Dzigasov, S.G.Konnikov, T.B.Popova, V.K.Tiblov. «Epitaxial growth of InGaAsP solid solutions lattice-matchcd to InP». J.Cryst.Growth, 1981, v.52, p.716.
  22. И., Дефей P. Химическая термодинамика. Новосибирск: Наука, 1966, 509 с.
  23. Stringfellow G.B. Immiscibility and spinodal decomposition in III/V alloys.// J. of Crystal Growth. 1983. — v. 65, N 1. — P. 454 — 462
  24. S.Mahajan, B.V.Dutt, H. Temkin, R.J.Cava, W.A.Bonner. «Spinodal decomposition in InGaAsP epitaxial layers». J.Ciyst.Growth, 1984, v.68, p.589.
  25. Guggenheim E.A. Thermodynamics, North-Holland, 3-th ed. Amsterdam. -1957.-P. 250.
  26. A.S. // J. Electrochem. Soc. 1972. — v. 119, № 1. — P. 123−126.
  27. А.И., Мокрицкий B.A., Романенко B.H., Хитова JI. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах. М.: Металлургия, 1987, 136 с.
  28. М.Б., Илегемс М. Фазовые равновесия в тройных системах III-V. -Материалы для оптоэлектроники. М.: Мир, 1976, с. 39.
  29. В.В., Сорокин B.C. // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. Материалы. -1980.-т. 16, № 12.-С. 2085−2089.
  30. Jordan A.S., Ilegems М. Solid-liquid equilibria for quaternary solid solutions // J. Phys. Chem. Solids. 1975. — v. 36, № 4. — P. 329−342.
  31. Onabe K. Thermodynamics of type Ai.xBxCi.yDy III-V quaternary solid solution//J. Phys. Chem. Solids 1982. — v.43, № 11.-P. 1071−1086.
  32. JI.H., Овчинникова H.A. Поярков Н. Б. В. кн. Диаграммы состояния металлических систем. — М.: Наука, 1981, С. 149 — 154.
  33. Stringfellow G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams // J. of Crystal Growth. 1974. — v. 27. — P. 21−34.
  34. B.M., Павлова П. М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Металлургия, 1981, с. 78.
  35. А.А., Ханин В. А., Вигдорович В. Н. Термодинамический расчет фазовых равновесий для многокомпонентных твердых растворов с эквиатомным катионно анионным соотношением // Докл. АН СССР. — 1980. -Т. 252, № 2.-С. 406−410.
  36. L.J. //Acta Met. 1963. — V. 11. — P. 1377
  37. Jordan A.S., Ilegems M. Solid liquid equilibria for quaternary solid solutions involving compound semiconductors in the regular solutions approximation // J. Phys. Chem. Solids. — 1975. — v. 36, № 4. — P. 329−342.
  38. Математические проблемы фазовых равновесий. М., «Наука», 1983, 143с.
  39. Ф.П. Васильев. Численные методы решения экстремальных задач. М., «Наука», 1988, 549с.
  40. Pearsall Т. Р, Quillec М., Polack М.А. // Appl. Phys. Lett. 1979. — v. 35, № 4.- P. 342−344.
  41. Sankaran R., Antypas G.A., Moon R.L. e.a. // J. Vac. Sci. and Technol. 1976. -v. 13, № 4. — P. 932−937.
  42. Pearsall T.P., Bisaro R., Ansel R., Merenda P. The growth of GaJn^xAs on (100) InP by liquid-phase epitaxy.// Appl. Phys. Lett. 1978.- v. 32, № 8. P. 497 — 499.
  43. Antypas G.A., Houng Y.M., Hyder S.B. The incorporation of Ga during LPE growth of InO.53GaO.47As on (lll)B and (100) InP substrates // Appl. Phys. Lett.- 1978. v. 33, № 5. — P. 463 — 465.
  44. Hsieh J.J. Phase diagram for LPE growth of GalnAsP layers lattice matched to InP substrates // IEEE J. Quant. Electronics. 1981. — v. QE-17, N2. — P. 118−122.
  45. Longo J.T., Harris J.S., Gertner E.R., Chu J.C. Improved surface quality of solution grown GaAs and Pbl-xSnxTe epitaxial layers: A new technique // J. Cryst. Growth. 1972. — v. 15, № 2. — P. 107−116.
  46. Perea E.H., Fonstad C.G. Phase diagram calculations for InuGaiuPvAs. v lattice matched to (111-B) InP, in the temperature range 600−660 °C // J. Appl. Phys. -1980. v. 51, № 1. — P. 331−335.
  47. C.C., Лебедев В. В. Соединения А3В5: Справочник. М.: Металлургия, 1984. — 144 с
  48. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram-Mohan. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys // J. of Appl. Phys. 2001. — v. 89, № 11. — P. 5815−5875.
  49. Ю.Б., Чикичев С. И. Устойчивость неравновесной границы раздела кристалл-расплав перед жидкофазной гетероэпитаксией соединений АЗВ5. Новосибирск, 1982, с. 5.
  50. А.А., Ханин В. А. Метод расчета составов равновесных жидких и твердых фаз многокомпонентных полупроводниковых систем // Физ. химия. -1979. т.53, № 11. — С. 2734.
  51. М. Ilegems, М.В. Panish. Phase equilibrium in III-V quaternary system -application to AlGaPAs // J. Chem. Solids. 1974. — v.35. — P. 409.
  52. B.B., Садовски В., Сорокин B.C. // ЖФХ. 1985. — т. 59, № 2. -С. 322−328.
  53. Ishikawa М., Ito R. Substrate induced stabilization of GalnPAs on GaAs and InP //Jap. J. Appl. Phys. 1984. — v. 22. — P. 21 — 22.
  54. Ю.А., Литвинов Ю. М., Фаттахов З. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. — 240 с.
  55. J. du Plessis, G. N. van Wyk, A model for surface segregation in multicomponent alloys—part I: Equilibrium segregation// J. Phys. Chem. Solids-1988,v.49, p.1441−1450.
  56. J. du Plessis, G. N. van Wyk, A model for surface segregation in multicomponent alloys—part II: Comment on other segregation analyses// J. Phys. Chem. Solids-1988,v.49, p.1451−1458.
  57. A. I. Rusanov, Phase Equilibria and Surface Phenomena, Leningrad, Khimiya, 1967 (in Russian).
  58. N. Oscherin,//Phys. Stat. Sol (a)-1976,v. 34, K181.
  59. R. Tyson//Can. Metal. Quaterly- 1975, v. 14, p.l.
  60. O. G. Ashkhotov, M. V. Zdravomyslov,// Poverkhnost 1996, № 11, p.15.
  61. W.Keck, U. Konig Contact angles between III-V melts and several substrates //J. Electrochem. Soc. 1983. № 3. P.685−686
  62. U.Konig, W. Keck, A. Kriks Contact angles in the liquid phase epitaxy of InP, GalnAs and GalnAsP //J.Crystal Growth 1984. № 68. P.545−549
  63. У.М., Борликова Г. В. Смачивание сложных полупроводников металлическими расплавами // Адгезия расплавов и пайка материалов, 1989. № 22. С.11−13
  64. Kuznesov, Moskvin, Sorokin. Growth kinetics in LPE of the Ga-In-P-As system// J. Crystal Growth 1984. № 66. P.562−574
  65. A.B., Арсентьев И. Н., Мишурный B.A., Румянцев В. Д., Третьяков Д. Н. Люминесцентные свойства и некоторые особенности выращивания из растворов-расплавов твердых растворов GaxInixP.// Письма в ЖТФ, 1976, т.2, в.5, с.204−207.
  66. В.Н., Лунин Л. С. Пятикомпонентные твердые растворы соединении AinBv (Новые материалы оптоэлектроники). Ростов н/Д: Издательство Ростовского университета, 1992, 135 с.
  67. А.В.Овчинников. Кандидатская диссертация «Разработка жидкофазнон технологии изготовления InGaAsP/InP (А,=1.3 мкм) лазерных структур (для ВОЛС) со сверхтонкими активными областями». Ленинград, ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1988.
  68. S. Langa, I. М. Tiginyanu, J. Carstensen, М. Christophersen, Н. Folia. Formation of Porous Layers with Different Morphologies during Anodic Etching of n-InP. Electrochem. Solid-State Lett., 3, 11 (2000) p.514−516.
  69. E.Kuphal. «Phase diagrams of InGaAsP, InGaAs and InP lattice-matched to (100)InP». J.Cryst.Growth, 1984, v.67, p.441−456.
  70. А.И., Стрельникова И. А. Юнович А.Э. Исследование фотолюминесценции тройных твердых растворов Ga!.xInxSb.// ФТП, 1977, т.11, №.11, с.2123−2127.
  71. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. К.: «Наукова думка», 1975, С. 318.
  72. S.H.Groves, M.C.Plonko. «Liquid-phase epitaxial growth of InP and InGaAsP alloys». J. Crystal Growth, 1981, v.54, p.81.
  73. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. т.1, 1984.
  74. S.M.Sze, G. Gibbons //Appl. Phys. Lett. 1966. V.8. P. l 11.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!