Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Построение систем управления и информационно-измерительных модулей высокопроизводительного оборудования для выращивания монокристаллического кремния

Диссертация: Построение систем управления и информационно-измерительных модулей высокопроизводительного оборудования для выращивания монокристаллического кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Научно обоснованные структурные схемы информационно-измерительных модулей обеспечили создание надежной информационно-измерительной базы ростового оборудования. Разработана и внедрена система датчиков, обеспечивающая контроль и управление технологическим процессом роста монокристалла включающая: В России имеются определенные научно-технические заделы, благодаря которым наши ученые и разработчики… Читать ещё >

Построение систем управления и информационно-измерительных модулей высокопроизводительного оборудования для выращивания монокристаллического кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. РОСТОВОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
    • 1. 1. Классификация кристаллизационных процессов выращивания монокристаллического кремния
    • 1. 2. Агрегаты и модули оборудования для выращивания монокристаллического кремния методом Чохральского
    • 1. 3. Особенности тепловых модулей оборудования для выращивания монокристаллического кремния
    • 1. 4. Модули управления процессом выращивания монокристаллического кремния
    • 1. 5. Методы оптимизации технологического процесса выращивания монокристаллического кремния
  • Постановка задачи исследования
  • 2. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
    • 2. 1. Параметры состояния системы расплав-кристалл
    • 2. 2. Зарождение и рост монокристаллов кремния
    • 2. 3. Влияние условий выращивания на качество монокристаллического кремния
  • Выводы
  • 3. МОДУЛИ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
    • 3. 1. Модули автоматического управления ростовым оборудованием
    • 3. 2. Датчики в модулях управления процессом выращивания монокристаллического кремния
    • 3. 3. Устройство и работа пирометра
    • 3. 4. Устройство и работа датчика уровня
    • 3. 5. Датчик диаметра
  • Выводы
  • 4. ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ НА ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНОМ АВТОМАТИЗИРОВАННОМ ОБОРУДОВАНИИ
    • 4. 1. Высокопроизводительная автоматизированная ростовая установка для выращивания монокристаллического кремния
    • 4. 2. Анализ опытных данных, полученных на высокопроизводительном ростовом оборудовании
  • Выводы

Развитию микроэлектроники в СССР уделяли необходимое внимание лишь до 1985 года. К тому времени отставание от США составляло 1,5−2 года. С 1986 года объемы финансирования НИОКР стали резко сокращаться что, естественно, повлекло прогрессирующее отставание от ведущих стран, таких как США и Япония. В то же время там, где электроника усиленно поддерживается государством, например в Китае, наблюдается совершенно иная ситуация. КНР ставит задачу через пять лет стать мировым лидером по производству интегральных схем, а в дальнейшем — и законодателем в области разработок. Правительство этой страны постоянно поддерживает национальный приоритет электроники в исследовательских центрах. Естественно, электроника выступает в роли локомотива научно-технической революции и выводит другие отрасли на все новые и новые рубежи.

На развитие производства и повышение конкурентоспособности электронной техники направлены усилия правительств всех передовых индустриальных стран — США, Японии, Германии, Англии, Франции, Китая, Южной Кореи, Тайваня. Это не удивительно, поскольку 1 доллар вложений в электронику превращается в 100 долларов в конечном продукте. Один килограмм изделий микроэлектроники по стоимости эквивалентен 110 тоннам нефти. Уровень рентабельности данной отрасли — 40%- среднемировой срок окупаемости вложений — 2−3 годаа темпы ее роста в 3 раза выше темпов роста ВВП. Одно рабочее место в электронике дает четыре рабочих места в других отраслях.

В России имеются определенные научно-технические заделы, благодаря которым наши ученые и разработчики способны решить задачу создания новейших производств микроэлектроники, в том числе по производству монокристаллов кремния. Но для этого нужна государственная поддержка.

Реализация Государственной программы «Кремний» по выращиванию особо чистого монокристаллического кремния по своим параметрам соответствующего международным стандартам SEMI и ASTM и конкурентоспособного на мировом рынке требует построения надежных систем управления и информационно-измерительных модулей для высокопроизводительного оборудования.

Целью данной работы является разработка научных основ построения систем управления и информационно-измерительных модулей для высокопроизводительного оборудования по выращиванию монокристаллического кремния и внедрение их в практику производства.

Для реализации поставленной цели исследований необходимо выполнить следующий цикл обзорно-аналитических, теоретических, экспериментальных и патентно-лицензионных исследований:

1. Провести обзорно-аналитические исследования систем управления и информационно-измерительных модулей ростового оборудования для выращивания монокристаллического кремния.

2. Рассмотреть термодинамические процессы, происходящие при выращивании особо чистого монокристаллического кремния.

3. Создать научные основы построения систем управления и информационно-измерительных модулей.

4. Разработать опытный вариант высокопроизводительной автоматизированной ростовой установки для выращивания особо чистого монокристаллического кремния.

5. Провести испытания и выполнить анализ опытных данных, полученных на высокопроизводительном ростовом оборудовании.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Математические модели и алгоритмы управления высокопроизводительным ростовым оборудованием для выращивания монокристаллического кремния.

2. Научно-обоснованные структурные схемы информационно-измерительных модулей высокопроизводительного ростового оборудования.

3. Обобщенный критерий оценки качества высокопроизводительного оборудования для выращивания монокристаллического кремния, включающий функциональные, экологические и экономические, локальные критерии.

4. Защищенные патентами РФ технические решения перспективных модулей ростового оборудования.

5. Результаты проведенных исследований по получению слитков особо чистого кремния на разработанном высокопроизводительном автоматизированном ростовом оборудовании.

Выводы.

На основании проведенных исследований разработана, изготовлена, испытана и передается в действующее производство российская ростовая установка «Кедр». Установка оснащена современной системой управления с информационно-измерительным модулем и базовой программой автоматического управления ростом кристалла диаметром до 250 мм.

Установка конкурентоспособна с образцами ведущих мировых производителей аналогичного оборудования (Кауех, Leubold).

Агрегаты ростовой установки «Кедр» позволяют с минимальными изменениями перейти на изготовление установок для выращивания монокристаллов диаметром 300 мм и более.

По результатам проведенных исследований и патентно-лицензионной работы получен ряд патентов и поданы на рассмотрение заявки на изобретения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. В настоящее время отсутствуют надежные отечественные системы и модули для выращивания монокристаллов диаметром 200 — 300 мм.

2. Искривление поверхности раздела расплав — кристалл вызывает сжатие холодным периферийным кольцом горячей сердцевины растущего кристалла — образуется высокая плотность дислокаций.

Вопрос получения бездислокационных кристаллов решается комплексно:

— создание информационно-измерительного модуля включающего пирометр температуры поверхности расплава для контроля и поддерживания температуры зоны кристаллизации в требуемом диапазоне;

— разработка теплового узла, обеспечивающего необходимые тепловые условия для роста бездислокационного кристалла;

— обеспечение вогнутого в сторону расплава с малым радиусом кривизны фронта кристаллизации.

3. Разработанные математические модели и алгоритмы управления позволили создать модули автоматического управления ростовых установок для диаметра кристалла 300 мм и более.

4. Научно обоснованные структурные схемы информационно-измерительных модулей обеспечили создание надежной информационно-измерительной базы ростового оборудования. Разработана и внедрена система датчиков, обеспечивающая контроль и управление технологическим процессом роста монокристалла включающая:

— датчик контроля диаметра кристалла;

— датчики контроля температуры нагревателя и расплава;

— датчик контроля уровня расплава;

— датчик позиционирования затравки;

— датчик отрыва — касания затравки расплава.

5. Предложенный обобщенный критерий оценки качества МКК и соответственно ростового оборудования позволяет перейти к автоматизированному проектированию информационно-измерительных модулей и модулей управления.

Полученная система датчиков, приводов объединенных управляющим модулем обеспечила четкое повторение от плавки к плавке требуемых тепловых режимов от начала затравливания монокристалла кремния до завершения выращивания — это поддержание уровня расплава относительно нагревателя в пределах 0,1 мм от заданной величины, сотые доли миллиметра при управлении скоростью выращивания кристалла, контроль и поддержание температуры нагревателя с допуском ± 0,1 °С от заданного графика. Отображение этих величин на мониторе оператора и инженерной станции технолога, документирование всех параметров процесса с записью в архив плавки.

6. В итоге проведенных исследований и проектных работ изготовлена современная, перспективная, конкурентоспособная отечественная ростовая установка «Кедр».

На основании полученных зависимостей параметров технологического процесса разработано базовое программное обеспечение для управления ростом МКК.

Вариант изготовленной установочной серии ростовых установок «Кедр» предназначен для выращивания кристаллов диаметром до 250 мм, с тем, чтобы максимально ускорить внедрение установок в действующие производства с имеющейся технологической линейкой оборудования по обработке кристаллов и пластин. Но агрегаты установки позволяют с минимальными изменениями перейти на изготовление установок для выращивания монокристаллов диаметром 300 мм и более.

По результатам проведенных исследований и патентно-лицензионной работы получен ряд патентов и поданы на рассмотрение заявки на изобретения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И. Г. Кожитов Л.В. Оборудование полупроводникового производства М.: Машиностроение, 1986 — 264 е., ил.
  2. А.И., Калугин А. Я. и др. АС СССр № 1 773 955 «Способ получения монокристаллов кремния». Опубл. 07.11.92. // Б.И. — 41.
  3. Л.Ф., Колмаков В. А. и др. Патент РФ № 2 095 494 «Установка для получения стержней поликристаллического кремния». Опубл. 10.11.97 // Б.И. № 31.
  4. В.К. и др. Патент РФ № 2 205 905 «Установка для получения стержней поликристаллического кремния». Опубл. 10.06.03 // Б.И. № 16.
  5. А.И. и др. Патент РФ № 2 052 547 «Устройство для выращивания монокристаллического кремния». Опубл. 20.01.96. // Б.И. № 2.
  6. Л.Ф., Куценогий Л. К., Петров С. И. Патент РФ № 2 088 702 «Устройство для выращивания кристаллов из расплава». Опубл. 27.08.97. // Б.И. № 24.
  7. В.П. и др. Теоретические основы САПР: Учебник для вузов / В. П. Корячко, В. М. Курейчик, И. П. Норенков. — М.: Энергоатомиздат, 1987.-400 е., ил.
  8. А.Н. и др. Системный анализ: Проектирование, оптимизация и приложения: Учебное пособие. В 2-х томах. Том 1. -Красноярск: Сибирская аэрокосмическая академия, 1996. 206 е., ил.
  9. А.Н. и др. Системный анализ: Проектирование, оптимизация и приложения: Учебное пособие. В 2-х томах. Том 2. -Красноярск: Сибирская аэрокосмическая академия, 1996. 290 е., ил.
  10. А.И. Техническая термодинамика и основы теплопередачи. -Москва 1965 г.: Металлургия.
  11. И.В., Фалькевич Э. С. Производство полупроводникового кремния. Издательство «Металургия», 1970, с 152.
  12. И.А., Андронов А. П., Титов А. И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа, 1984. 320 с.
  13. В.М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975.
  14. М.А., Самойликов В. К. Газовые системы оборудования производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Энергия, 1978. 112 с.
  15. О.И., Брук В. А., Никифорова-Денисова С.Н. Механическая обработка полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1977. 149 с.
  16. А.Д., Якивчик Н. И. Технология и оборудование производства силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергоатомиздат, 1984. 225 с.
  17. Вакуумные сильноточные плазменные устройства и их применение в технологическом оборудовании микроэлектроники /И.Г. Блинов, A.M. Дронов, В. Е. Минайчев и др. М.: Электроника, вып. 7 и 8, 1974, 159 с.
  18. Л.И., Ковалев М. П., Кузнецов М. М. Комплексная автоматизация производства. М.: Машиностроение, 1983. 269 с.
  19. Е.С. Роботы манипуляторы электронной техники. М.: Высшая школа, 1983. 96 с.
  20. И.Е., Козырь И. Я. Основы микроэлектроники. М.: Связь, 1975. 275 с.
  21. А. А. Проектирование систем автоматического манипулирования миниатюрными изделиями. М.: Машиностроение, 1981. 271 с.
  22. Н.И. Автоматизация загрузки станков. М.: Машиностроение, 1977. 288 с.
  23. В.Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. М.: Радио и связь, 1983. 126 с.
  24. Ю.И., Яхимович Д. Ф. Инженерный расчет ультразвуковых колебательных систем. М.: Машиностроение, 1982. 56 с.
  25. Ю.Г. Промышленные роботы. Справочник. М.: Машиностроение, 1983. 375 с.
  26. К. Физико-химическая кристаллография. М.: Металлургия, 1972 г.-480 е., ил.
  27. В.А., Филимонов Ю. Л. Теория конструкции и расчеты металлургических печей. Т. 1, М.: Металлургия, 1978.
  28. В.И., Немилов Н. Ф., Шемякин В. Е. Эксплуатация вакуумного оборудования. М.: Энергия, 1978. 207 с.
  29. А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высшая школа, 1980. 327 с.
  30. А.И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1979. 367 с.
  31. В.А., Данилович Н. И. Современные системы ионной имплантации. Зарубежная ионная техника, Вып. 3 (249). М.: ЦНИИ «Электроника», 1982, с. 3−102.
  32. .В. Техника металлургического эксперимента. М.: Металлургия, 1979. 256 с.
  33. Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974. 540 с.
  34. В.Е. Вакуумные крионасосы. М.: Энергия, 1976. 151 с.
  35. О.С. Устройство и наладка оборудования и полупроводникового производства. М.: Высшая школа, 1981. 336 с.
  36. А.Т., Корсетов Е. М. Химико-технологическая аппаратура микроэлектроники. М.: Энергия, 1979. 312 с.
  37. А.Я. Технология полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1972. 432 с.
  38. И.М. Оборудование и технология производства полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1977. 269 с.
  39. Оборудование полупроводникового производства /П.Н. Масленников, К. А. Лаврентьев, А. Д. Гингис и др. Под ред. П. Н. Масленникова. М.6 Радио и связь, 1981. 336 с.
  40. ЛО.Д. Адрианов, Э.П. Бобориков, В. Н. Гончаренко и др. Под ред. Е. П. Попова, Е. И. Юрьевича. М.: Машиностроение, 1984. 288 с.
  41. Л.Н. Вакуумные машины и установки. Л.: Машиностроение, 1975. 336 с.
  42. И.П. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1980. 424 с.
  43. Ш. Структурный подход к организации базы данных. М.: Финансы и статистика, 1983.
  44. Е.В., Кальфа В., Овчинников В. В., Локальные вычислительные сети. М.: Радио и связь, 1985.
  45. Т.Р. Многокритериальность и выбор альтернативы в технике. М.: Радио и связь, 1984.
  46. В.И., Каган Б. М. Методы оптимального проектирования. М.: Энергия, 1980.
  47. Комплекс общеотраслевых АСУ и САПР. М.: Статистика, 1980.
  48. Ю.М. Математические основы кибернетики. М.: Энергия, 1980.
  49. Г., Дейтель Х. М. Операционные системы. М.: Финансы и статистика, 1984.
  50. B.C., Волкович B.JI. Вычислительные методы исследования и проектирования сложных систем. М.: Наука, 1982.
  51. К.К., Одинков В. Г., Курейчик В. М. Автоматизированное проектирование конструкций радиоэлектронной аппаратуры. М.: Радио и связь, 1983.
  52. И.П. Введение в автоматизированное проектирование технических устройств и систем. М.: Высшая школа, 1986.
  53. И.П., Маничев В. Б. Системы автоматизированного проектирования электронной и вычислительной аппаратуры. М.: В ысшая школа, 1983.
  54. А.И. Основы автоматизации проектирования. Киев: Техника, 1982.
  55. А.И., Тетельбаум, А .Я. Формальное конструирование электронно-вычислительной аппаратуры. М.: Советское радио, 1979.
  56. Т., Фрай Дж, Проектирование структур без данных. М.: Мир, 1985.
  57. Хог Э., Арора Я. Прикладное оптимальное проектирование. М.: Мир, 1983,
  58. Система автоматизированного проектирования в радиоэлектронике. Справочник/ Е. В. Авдеев, А. Т. Еремин, И. П. Норенков, М.И. Песков- под ред. И. П. Норенкова, М.: Радио и связь, 1986.
  59. Д.И. Методы оптимального проектирования. М.: Радио и связь, 1984.
  60. А.П., Мячев А. А., Селиванов Ю. П. Вычислительные машины, системы, комплексы: справочник / Под ред. Б. Н. Наумова, В. В. Пржиялковского. М.: Энергоатомиздат, 1985.
  61. , В.А. Блохин и др.- Под общ. Ред. Ю. В. Панфилова. 2000. -744 е., ил.
  62. А.Т. Новые способы передачи и формирования движения в вакууме. М.: Высшая школа, 1979. — 70 е., ил.
  63. Е.С. Роботы манипуляторы электронной техники. М. Высшая школа, 1983. — 96 е., ил.
  64. В.И. Теория автоматического управления. Л.: Энергия, 1975. 416 е., ил.
  65. А.С. Надежность машин. М.: Машиностроение, 1978. — 592 е., ил.
  66. Л.В. Упругие элементы приборов. М.: Машиностроение, 1981.392 е., ил.
  67. В.И. Основы робототехники: Учебник для втузов. Л.: Машиностроение, Ленингр. отд-е, 1985. — 271 е., ил.
  68. ГОСТ 25 686–85. Манипуляторы, автооператоры и промышленные роботы. Термины и определения. М.: Издательство стандартов, 1985.
  69. ГОСТ 26 228–85. Системы производственные гибкие. Термины и определения. М.: Издательство стандартов, 1985.
  70. Pareto V. Cours d economie Lausanne Rouge, 1985
  71. Аналитическое приборостроение. Католог./ Под редакцией Протопопова О. Д. М.: ЦНИИЭлектроника, 1983. — ДСП, экз. № 42, 76 е., ил.
  72. Технология тонких пленок. Справочник./ Под. редакцией Майссела JL, Гленга Р., перевод с английского М.: Советское радио, 1977 — т.1, 662 е., т. 2 768 е., ил.
  73. В.И. Упругие элементы в прборостроении. М.: Оборонгиз, 1949−573 е., ил.
  74. Л.Ф., Толстоноженко Е. В., Трояновсий И. Е. Статистический расчет элементов бесшарнирных роботов. В сб. Электронное машиностроение, робототехника, технология ЭВП. — М.: МИЭМ. 1985.-е. 76−78.
  75. А.Ш. Разработка и исследование промышленных роботовна основе ^ координат. — Станки и инструмент, № 12, 1982. — с. 2124,
  76. Д.Н. Детали машин. — М.: Машиностроение, 1974. 665 е., ил.
  77. Д.В. Винтовые механизмы. ВСНТО, Владимирский областной совет НТО: Владимир, 1980. — 70 е., ил.
  78. Е.В., Крейнин Г. В. Расчет пневмопроводов. М.: Машиностроение 1975, — 272 е., ил.
  79. B.C., Лакота Н. А. Динамика систем управления манипуляторами. М.: Энергия, 1971. — 304 е., ил.
  80. Г. А., Кудрявцев А. И. Торможение приводов автоматических манипуляторов с большой инерционной нагрузкой. — М.: вестник машиностроения, 1984, № 8, 20−23 с.
  81. Г. Н. и др. Справочное руководство по небесной механике и астродинамике. М.: Наука, 1976. — 486 е., ил.
  82. А.И., Зеленев Ю. В. Установка для определения динамических характеристик полимеров методом вынужденных резонансных колебаний. Высокомолекулярные соединения. 1975, т. ХУПА № 1, с. 198−199.
  83. С.В., Кузнецов Н. К., Засядко А. А. Разработка и исследование систем активного гашения упругих колебаний промышленных роботов. Вибротехника, — (42), 1981.
  84. И.И. некоторые проблемы механики машин и управления машинами. Машиноведение, 1976, № 2, с. 3−8.
  85. П.И. Промышленные роботы. М.: Машиностроение, 1975. — 404 е., ил.
  86. О.Ф., Киселев Л. Т., Коваленко А. П. и др. Элементы приборных устройств в 2-х ч. Ч. 2. Приводы, преобразователи, исполнительные устройства. Под ред. Тищенко О. Ф. М.: Высшая школа, 1982., — 263 е., ил.
  87. В.В. Теория тонких оболочек. Л.: Судпромгиз, 1962. — 431 е., ил.
  88. С.П., Гуддер Д. М., Теория упругости. М.: Наука. 1975. — 575 е., ил.
  89. А.Ш. Исследование точности функционированияпромышленных роботов на основе? координат. — В кн.: Диагностирование оборудования комплексно-автоматизированного производства. М.: Наука 1984, с. 78−82.
  90. Янг Ли. Исследование кинематики манипуляторов платформенного типа. Конструирование и технология машиностроения, 1984, № 2, с. 264−272.
  91. К.В. программирование производства. Вестник АН СССР, 1983, № 4, с. 82−84.
  92. Hunt К.Н. Geometry of robotic Devices-Jn: Jnstitytion of engineers Austral, Mechanical engineering: Transaction. 1982, Vol. 76 № 4, p. 213 220.
  93. ЮЗ.Хант K.X. Кинематические структуры манипуляторов с параллельным приводом. Конструирование и технология машиностроения, 1983, № 4, с. 201−210.
  94. А.Г., Кузнецов Н. А., Макаренко В. А. Оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии: Обзоры по электронной технике: Сер. 7. Технология, организация производства и оборудования. М.: ЦНИИ Электроника, 1981, вып. 17 (828). — 52 е., ил.
  95. А.Г., Садофьев Ю. Г., Сеничкин А. П., Молекулярно-лучевая эпитаксия (приборная реализация): Обзоры по электронной технике: Сер. 7. Технология, организация производства и оборудования. М.: ЦНИИ Электроника, 1981, вып. 17 (828). — 52 е., ил.
  96. JI.К. Вакуумное оборудование для производства тонкопленочных структур квантовой электроники.: Обзоры электронной техники: Сер. 2 Лазерная техника и оптоэлектроника. -М.: ЦНИИЭлектроника, 1982, вып. 4 (886), 83 е., ил.
  97. В.П., Арутюнян Н. Х., Трояновский И. Е. Динамика и динамическая устойчивость неоднородных вязкоупругих систем. В сб. трудов Всесоюзного симпозиума по устойчивости. — Калинин.: КПИ, 1982, — с. 102−106, ил.
  98. Katsaitic Spiros. Gedampftee Zwangsscingungen von isound orthotropen Polygonplatten «Fortschr. Ber/ VDIZ», 1978, R 11, № 28, s. 26
  99. Warburton G. B/ Optimumabsorber parameters for minimizing vibration response «Earth-quake Eng. And struct. Dyn.» 1981, 9, № 3, p. 252−262.
  100. Ш. Кузнецов M.M. Волчкевич Л. И., Замчалов Ю. П. Автоматизация производственных процессов. -М.: Высшая школа, 1978. 431 е., ил.
  101. И.А., Шорр Б. Ф., Шнейдерович P.M. Расчет на прочность деталей машин. М.: Машиностроение, 1966. — 616 е., ил.
  102. С. Научные основы вакуумной техники. М.: Мир, 1964. -195 е., ил.
  103. М.И. Вводы движения в вакуум. М.: Машиностроение, 1974.- 182 с., ил.
  104. .И. Механизмы приборов и систем управления. М.: Машиностроение, 1972. — 232 е., ил.
  105. А.А., Бузынин А. Н. Современные проблемы выращивания монокристаллов кремния. Материалы совещания «Кремний 2004», Иркутск 2004 г., Институт географии СО РАН.
  106. B.C. и др. Гидродинамика и конвективный теплообмен при вытягивании кристаллов методом Чохральского из расплавов с различными теплофизическими свойствами. Материалы совещания «Кремний 2004», Иркутск 2004 г., Институт географии СО РАН.
  107. И.И. Программный комплекс технолога группы установок выращивания монокристаллов кремния. Материалы совещания «Кремний 2004», Иркутск 2004 г., Институт географии СО РАН.
  108. B.C. Сопряженный теплообмен кристаллов различной теплопроводности с окружающей средой в режиме смешанной конвекции. Материалы совещания «Кремний 2004», Иркутск 2004 г., Институт географии СО РАН.
  109. А.И. Применение новой модели образования ростовых микродефектов в бездислокационных МЧ-монокристаллах кремния большого диаметра. — Материалы совещания «Кремний 2004», Иркутск 2004 г., Институт географии СО РАН.
  110. В.А. Устойчивый рост кристаллов. М.: Наука, 1988 г.
  111. .И. Полупроводниковая электроника в России. Состояние и перспективы развития. ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 2004 г., М., РИЦ Техносфера.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!