Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка автоматизированных методов идентификации параметров моделей элементов микромощных цифровых СБИС

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Глава посвящена практической реализации предложенных в диссертации методов и алгоритмов идентификации схемотехнических параметров моделей. В главе представлены: краткий анализ современных методов разработки программного обеспечениядано подробное описание алгоритма, реализованного в программе идентификациидано подробное описание графической оболочки для ввода информации, проведения идентификации… Читать ещё >

Разработка автоматизированных методов идентификации параметров моделей элементов микромощных цифровых СБИС (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Обзор современных методов, алгоритмов и программного обеспечения для идентификации параметров схемотехнических моделей элементов интегральных микросхем
    • 1. 1. Терминология, цели и задачи идентификации параметров схемотехнических моделей компонентов микроэлектроники
    • 1. 2. Методы экстракции параметров моделей
    • 1. 3. Пороговое напряжение У1Н полевого транзистора: определения и методы экстракции
    • 1. 4. Методы оптимизации в задаче идентификации
    • 1. 5. Обзор современного программного и аппаратного обеспечения для экстракции параметров схемотехнических моделей
    • 1. 6. Выводы
  • Глава 2. Предварительная обработка экспериментальных данных в задаче идентификации параметров моделей
    • 2. 1. Задачи и обоснование необходимости предварительной обработки данных
    • 2. 2. Анализ видов ошибок экспериментальных данных и их причин
    • 2. 3. Выбор метода построения системы распознавания образов и способы его реализации
    • 2. 4. Алгоритм предварительного анализа исходных для процесса идентификации данных
    • 2. 5. Выводы
  • Глава 3. Модифицированный метод «горизонтальной» оптимизации и его применение в задачах идентификации
    • 3. 1. Постановка задачи
    • 3. 2. Сравнение и анализ известных методов
    • 3. 3. Основные положения модифицированного метода
    • 3. 4. Результаты сравнения разработанного метода с методом вертикальной оптимизации
    • 3. 5. Выводы
  • Глава 4. Идентификация динамических параметров схемотехнических моделей элементов
    • 4. 1. Анализ известных методов и алгоритмов экстракции динамических параметров
    • 4. 2. Метод определения динамических параметров по средним задержкам в тестовых КГ
    • 4. 3. Алгоритм определения динамических параметров
    • 4. 4. Выводы
  • Глава 5. Программная реализация предложенных методов и алгоритмов идентификации параметров
    • 5. 1. Методы разработки и реализации современного программного обеспечения
    • 5. 2. Описание алгоритма программы идентификации
    • 5. 3. Описание графической оболочки программы идентификации. ИЗ
    • 5. 4. Примеры проведения идентификации параметров моделей МОП, GaAs,
  • JFET транзисторов и р-п переходов
    • 5. 5. Выводы

Очевидно, что невозможно решить задачи схемотехнического синтеза и анализа без этапа получения параметров схемотехнических моделей. При этом результаты схемотехнического этапа проектирования ИС существенно зависят от точности моделей, которые зависят от результатов экстракции параметров этих моделей.

Диссертационная работа посвящена разработке методов, алгоритмов и программного обеспечения идентификации параметров схемотехнических моделей микромощных элементов СБИС, позволяющих максимально автоматизировать процесс получения параметров моделей по экспериментальным или рассчитанным на более точных моделях (например, из результатов моделирования на физико-структурном уровне) данным. Особенностью микромощных схем являются малые напряжения питания и, соответственно, малые рабочие напряжения (менее 1 В). В этих диапазонах токи в схемах имеют значения порядка наноампер, что создает известные трудности измерения экспериментальных данных.

Поставленная задача решается путем выделения 3-х основных, тесно взаимосвязанных подзадач: предварительный анализ экспериментальных данных на предмет выявления существенно ошибочных, непригодных для идентификации данных, экстракция статических параметров схемотехнических моделей и идентификация динамических параметров.

Актуальность проблемы.

Эффективность применения САПР для схемотехнического проектирования определяется применяемыми математическими моделями и алгоритмами экстракции параметров этих моделей. Тип математической модели определяет достоверность результатов и временные затраты на моделирование. Однако, затраты на такое моделирование могут быть либо чрезмерно большими, либо вообще бессмысленными при применении ошибочных параметров моделей. В этом случае особенно важно, по завершении этапа идентификации, получить достоверные параметры, не требующие дополнительной проверки.

Несмотря на наличие большого числа публикаций на тему экстракции параметров моделей, данная задача полностью не решена для микромощных цифровых СБИС. Ее решению препятствуют: сложность разработки универсального алгоритма идентификации, появление новых элементов с пониженным напряжением питания на основе транзисторов с меньшими топологическими нормами, сложность измерения экспериментальных ВАХ в наноамперной области (что характерно для микромощных элементов), наличие в экспериментальных ВАХ ошибок с непредсказуемым характером.

До настоящего времени основной процедурой получения параметров моделей являлась экстракция параметров по экспериментальным или расчетным данным с предварительным экспертным анализом поступивших с измерительной установки исходных данных, и с последующей экспертной оценкой результатов экстракции, которая носила итерационный характер.

Таким образом, разработка на базе существующих новых, полностью автоматизированных методов идентификации является актуальной задачей.

Цель работы.

Целью диссертационной работы является разработка автоматического метода идентификации с минимальными вычислительными затратами. Успешное достижение поставленной цели достигается последовательным решением 3-х подзадач: автоматического предварительного анализа полученных экспериментальных (или рассчитанных) данных для выявления данных, идентификация по которым не целесообразнаэкстракции статических параметров на основе модифицированного метода «горизонтальной» оптимизации и идентификации динамических параметров на основе анализа средних задержек в тестовых кольцевых генераторах (КГ) с дополнительными емкостными элементами. Разработка указанных методов проводилась на основе теории распознавания образов, теории информационных объектов, структурной организации хранения и управления данными, методов объектно-ориентированного программирования. К разработанному методу предъявлялись следующие требования: • осуществлять предварительный анализ исходных данных с выделением данных, для которых проведение идентификации нецелесообразно;

• с минимальными вычислительными затратами проводить экстракцию статических параметров для моделей MOSFET, GaAsFET, JFET транзисторов;

• проводить идентификацию динамических параметров моделей на основе экспериментальных данных по тестовым КГ с дополнительными емкостными элементами;

• иметь гибкую открытую структуру, позволяющую легко добавлять маршруты идентификации параметров новых моделей существующих и новых транзисторов.

Научная новизна работы:

1. Разработан метод предварительного анализа экспериментальных данных на основе принципов распознавания образов для выявления данных, по которым нецелесообразно проводить идентификацию параметров моделей.

2. Предложена модификация известного метода «горизонтальной» оптимизации (lateral optimization) на основе комбинации упомянутого метода и метода прямой экстракции по аналитическим выражениям.

3. Поставлена и решена задача идентификации динамических параметров по результатам анализа средних задержек в тестовых КГ с дополнительными емкостными элементами. Количество КГ в наборе определяется количеством типов идентифицируемых емкостей.

4. Предложен комплексный алгоритм идентификации параметров моделей с использованием предварительного анализа, экстракции статических параметров моделей на основе модифицированного метода «горизонтальной» оптимизации и идентификации динамических параметров по набору тестовых КГ с дополнительными емкостными элементами.

Практическая значимость работы Разработано алгоритмическое и программное обеспечение для проведения автоматической идентификации параметров моделей, реализующее предложенные методы. Разработанное программное обеспечение выполнено на основе объектно-ориентированного программирования и состоит из следующих основных частей:

1. динамический объект, содержащий функции для работы с экспериментальными данными различного представления;

2. динамический объект, содержащий функции для проведения предварительного анализа исходных данных и формирования двух типов данных — пригодных и непригодных для идентификации данных;

3. динамический объект, содержащий функции идентификации статических параметров моделей МОББЕТ, СаАвРЕТ, 1РЕТ транзисторов;

4. динамический объект, содержащий функции идентификации динамических параметров;

5. пользовательский интерфейс, предназначенный для удобного ввода данных и параметров идентификации, предварительного контроля на корректность и представления результатов в графическом виде.

Внедрение результатов работы.

Разработанное программное обеспечение, является составной частью подсистемы моделирования ИС на физико-структурном и схемотехническом (на базе программы Р8Р1СЕ) уровнях. В настоящее время разработанная САПР внедрена в Технологическом Центре МИЭТ (ТЦ МИЭТ), в НИИ Молекулярной Электроники и завод Микрон (НИИ МЭ Микрон), в НИИ Функциональной Электроники (НИИ ФЭ), а также используется в учебном процессе в Московском государственном институте электронной техники (МИЭТ).

На защиту выносятся:

1. Метод идентификации параметров моделей с предварительным автоматическим распознаванием непригодных для идентификации исходных данных, полученных в результате ошибок процесса измерения, сбоев измерительного оборудования и использования бракованных приборов;

— 82. Модифицированный метод горизонтальной оптимизации (lateral optimization method) для прямой экстракции статических параметров, использующий ВАХ в логарифмическом виде и понижение размерности задачи за счет получения части параметров по аналитическим зависимостям ВАХ в диапазоне с меньшей погрешностью измерений;

3. Метод определения динамических параметров модели транзистора на основе анализа влияния паразитных емкостей на среднюю задержку по набору тестовых КГ с дополнительными емкостными элементами;

4. Алгоритм идентификации системы статических и динамических параметров моделей MOSFET, GaAsFET, и JFET транзисторов, базирующийся на предложенных методе предварительного анализа, модифицированном методе «горизонтальной» оптимизации и методе определения динамических параметров.

Апробация работы Основные положения и результаты диссертационной работы были представлены на следующих конференциях:

Межвузовская НТК «Микроэлектроника и информатика-96», Тезисы докладов, Москва: МИЭТ, 1996 г.- Межвузовская НТК «Микроэлектроника и информатика-97», Тезисы докладов, 4.1. Москва: МИЭТ, 1997. Вторая Всероссийская НТК «Электроника и информатика-97», Тезисы докладов, 4.1. Москва: МИЭТ, 1997. Всероссийская НТК «Микроэлектроника и информатика-99», Тезисы докладов, 4.1. Москва: МИЭТ, 1997. Седьмая всероссийская межвузовская НТК «Микроэлектроника и информатика-2000», Тезисы докладов, Москва, апрель 2000. Межвузовская НТК. «Микроэлектроника и информатика — 2000», Тезисы докладов, Москва: МИЭТ, ноябрь 2000. Электроника, Известия ВУЗов. Москва: МИЭТ, 2000. Лабораторный практикум по курсу «Основы автоматизации проектирования изделий электронной техники», под. ред. д.т.н. проф. Казеннова Г. Г., Москва, МИЭТ, 1997.;

Публикации.

По вопросам САПР БИС автором опубликовано 11 работ, в том числе 11 по теме диссертационной работы, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации

.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы и приложений. Работа изложена на 193 листах машинописного текста, включает 51 рисунок и 31 таблицу. Список используемой литературы содержит 75 наименований.

5.5. Выводы.

Глава посвящена практической реализации предложенных в диссертации методов и алгоритмов идентификации схемотехнических параметров моделей. В главе представлены: краткий анализ современных методов разработки программного обеспечениядано подробное описание алгоритма, реализованного в программе идентификациидано подробное описание графической оболочки для ввода информации, проведения идентификации и отображения результатов в графическом видепредставлены результаты практического применения программы идентификации — проведена идентификация параметров МОП, GaAs, JFET транзисторов и параметров модели р-n перехода. Показано приемлемое для практических нужд совпадение рассчитанных и экспериментальных ВАХ.

На основе данной работы был разработан курс лабораторных работ, для выполнения которых был опубликован лабораторный практикум [60].

— 130-Заключение.

В данной диссертационной работе были достигнуты следующие результаты.

1. Разработан и реализован в виде алгоритма метод предварительного анализа экспериментальных данных на основе принципов распознавания образов для выявления данных, по которым нецелесообразно проводить идентификацию параметров моделей.

Алгоритм позволяет практически полностью автоматизировать процесс идентификации в целом и сократить вычислительные затраты путем исключения из процесса идентификации экспериментальных данных, проведение идентификации для которых нецелесообразна.

2. Предложена модификация известного метода «горизонтальной» оптимизации (lateral optimization) на основе комбинации упомянутого метода и метода прямой экстракции по аналитическим выражениям.

В работе показано, что предложенный метод, по сравнению с известными методами, позволяет достичь существенного сокращения вычислительных затрат и обеспечивает высокую надежность получения результата.

3. Поставлена и решена задача идентификации динамических параметров по результатам анализа средних задержек в тестовых КГ с дополнительными емкостными элементами. Количество КГ в наборе определяется количеством типов идентифицируемых емкостей.

Алгоритм на основе предложенного метода позволяет проводить автоматическую идентификацию динамических параметров, с точностью, достаточной для практических расчетов цифровых ИС, и базируется на использовании сравнительно дешевого измерительного оборудования для снятия статических характеристик. Кроме того, алгоритм обладает следующими преимуществами: а) практически не требует модернизации оборудования по мере увеличения быстродействия контролируемых элементов в результате развития технологии изготовления этих элементовб) из-за отсутствия необходимости в согласовании импеданса обеспечивает получение динамических параметров при использовании любых зондовых устройств и контроль в корпусе на значительном удалении от АИС при использовании низкочастотных соединителейв) реализуется на любой АИС с измерителем тока и обеспечивает контроль даже несинхронной схемы КГ, контроль которой реализован не на всех АИС для контроля динамических параметровг) реализация метода не требует больших затрат, тестовые структуры не уменьшают полезную площадь кристалла.

4. Предложен комплексный алгоритм идентификации параметров моделей с использованием предварительного анализа, экстракции статических параметров моделей на основе модифицированного метода «горизонтальной» оптимизации и идентификации динамических параметров по набору тестовых КГ с дополнительными емкостными элементами.

Дальнейшим развитием разработанной программы идентификации параметров схемотехнических моделей является полная интеграция с измерительной установкой посредством программно-аппаратных средств сопряжения. Подобная интеграция позволит исключить участие человека на этапах формирования программ измерений, их выполнения и автоматического получения результатов измерений. Тем самым будет достигнута полная автоматизация процесса получения параметров моделей. В ТЦ МИЭТ упомянутые схемы сопряжения находятся на стадии разработки.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. Г. Казеинов Структура, основные требования и принципы построения систем автоматизированного проектирования микроэлектронных приборов // Москва, Машиностроение, 1978-
  2. Г. Г. Казеннов, В. Я. Кремлев Полупроводниковые интегральные микросхемы // кн. 2, Москва, Высшая школа, 1987-
  3. В.Я. Кремлев, под ред. Г. Г. Казеннова Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС // кн. 5, Москва, Высшая школа, 1990-
  4. Osvald J, Dobrocka Е. Generalized approach to the parameter extraction from the I-V characteristics of Schottky diodes. Semicond Sci Technol 1996- 11, p. 1198−1202.
  5. Extraction method of MOSFET model parameters, NHK Laboratory Note, 1986, № 330, p 14-
  6. D. Bauza, G. Ghibaudo, MOSFET parameter extraction from static, dynamic and transient current measurements, Microelectronics Journal, 25, 1994 pp 41−61-
  7. D.V. Lang, J. Appl. Phys., 45 (1974) 3023-
  8. G.L. Miller, D.V. Lang and L.C. Kimmerling, Ann. Rev. Mater. Sci. (1977) 377-
  9. K.L. Wang and A.O. Evwaraye, J. Appl. Phys., 47 (1976) 4574-
  10. Masaki Kondo, Hidetoshi Onodera, Keikichi Tamaru, «Model-adaptable MOSFET Parameter-Extracton Method Using an Intermediate Model», IEEE rtansactions on computer-aided design of integrated circuits and systems, Vol. 17, No. 5, May 1998 pp 400−405-
  11. Г. Я., Махотин Ю. Б., Зайцев H.A., Влияние саморазогрева прибора на точность экстракции биполярных транзисторов // РЗ-55-
  12. Timoto Veijola, Mikael Andersson and Antti Kallio, Parameter Extraction Procedure for an Electrothermal Tranistor / Processings of BEC'96, Tallin, Estonia, October 7−11, 1996, pp. 71−72-
  13. A.B. Battacharyya, P. Ratham, Dipankar Nagchoudhuri and S.C. Rustagi, On-Line Extraction of Model Parameters of a Long Burried-Channel MOSFET / IEEE TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES, VOL ED-32, N0.3, MARCH 1985-
  14. F.J. Garcia Sanchez, A. Ortiz-Conde, J.A. Salcedo, J.J. Liou, Y. Yue, A procedure for the extraction of the bulk-charge effect parameter in MOSFET models / SOLID-STATE ELECTRONICS, Vol. 43, Number 7, July 1999-
  15. Hoan H. Pham and Arokia Nathan Anew Numerical Method for Extraction of Overlap Capacitance in a-Si TFT’s / IEEE ELECTRON SEVICE LETTERS, VOL. 20, NO. 1, JANUARY 1999-
  16. Alexander N. Ernst, Mark H. Somerville, Jesus A. Del Alamo, A New Zu Impedance Technique to Extract Mobility and Sheet Carrier Concentration in HFET’s and MESFET’s / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 45, N0.1, JANUARY 1998-
  17. Timo Veijola, Mikael Andersson, COMBINED ELECTRICAL AND THERMAL PARAMETER EXTRACTION FOR TRANSISTOR MODEL / Proceeding of ECCTD'97, Budapest, Hungary, August 30 September 3, 1997, pp. 754−759-
  18. B.H. Бирюков, A.H. Шурховецкий, ИДЕНТИФИКАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ БАРЬЕРНОЙ ЕМКОСТИ // Электроника, Известия ВУЗов, № 4, Москва: МИЭТ, 1999-
  19. Ульянов C.JI. Разработка математического и программного обеспечения системы формирования, идентификации и тестирования моделей элементов БИС, Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук, 1991-
  20. Gerhard Schrom, «Ultra-Low-Power CMOS Technology», Dissertation, Technischen Unoversitat Wien, Facultat fur Electrotechnik, Juni 1998 (http://www.iue.tuwien.ac.at/diss/schrom/diss/) —
  21. L.A. Akers and J.J. Sanchez, «Threshold voltage models of short, narrow and small geometry MOSFET’s «, Solid-State Electron 1982, Vol. 25, no. 7, pp 621−641-
  22. L.A. Akers, «The inverse-narrow-width effect», IEEE Electron Device Lett., 1986, July, vol. EDL-7, pp. 419−421-
  23. R.R. Troutman and A.G. Fortino, «Simple model for threshold voltage in a short-channel IGFET», IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-24, pp. 12 661 268, Oct. 1977-
  24. B. El-Kareh, W. R. Tonti, and S.L. Titcomb, «A submicron MOSFET parameter extraction technique», IBM J. Res. Develop., vol. 34, pp 243−249, 1990-
  25. K. Aoyama, «A method for extracting the threshold voltage of MOSFET’s based on current components», in Simulation of Semiconductor Devices and Processes. Vienna, Austria: Springer-Verlag, 1995, vol. 6, pp 118−121-
  26. H.S. Wong, M.H. White, T.J. Krutsick and R.V. Booth, «Modeling of transconductance degradation and extraction of threshold voltage in thin oxide MOSFET’s», Solid State Electron., vol. 30, pp 953−968, 1987-
  27. Morukazu Tsuno, Masato Suga, Masayasu Tanaka, Kentaro Shibahara, Mitiko Miura-Mattausch, and Masataka Hirose, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 46, no. 7., July 1999, pp 1429−1433-
  28. В.И. Старосельский Физика МДП-транзисторов / Учебное пособие по курсу «Физика полупроводниковых приборов», Москва, МИЭТ, 1992-
  29. Risto Niutanen, Martti Valtonen, Kari Mannersalo, Optimization Methods in APLAC, Helsinki University of Technology, CT-15, Desember 1992−33.3емельман M.A. Метрологические основы технических измерений / М., Издательство стандартов, 1991-
  30. М.Ф. Основы метрологии. М., Комитет по делам мер и измерительных приборов при Совете Министров СССР, 1949-
  31. ГОСТ 16 263–70. ГСИ. Метрология. Термины и определения. / М., Изд-во стандартов-
  32. Дж. Ру, Р. Гонсалес, Принципы распознавания образов / «Мир», Москва, 1978-
  33. Живописцев Ф. А, Иванов В. А. Регрессионный анализ в экспериментальной физике / Москва, Издательство МГУ, 1995-
  34. В. Хардле Прикладная непараметрическая регрессия / Москва, Мир, 1993-
  35. В.В. Алгоритм предварительной обработки экспериментальных данных в задаче идентификации параметров моделей элементов СБИС // Седьмая всероссийская межвузовская НТК «Микроэлектроника и информатика-2000», Тезисы докладов, Москва, 2000. стр. 82.-
  36. В.В. Применение принципов распознавания образов для идентификации параметров моделей элементов СБИС // Межвузовская НТК. «Микроэлектроника и информатика 2000», Тезисы докладов, Москва: МИЭТ, 2000. стр.250-
  37. Loftsgaarden, D.O. and Quesenberry G.P. A nonparametric estimate of a multivariate density function / Annals of Mathematical Statistics, 36, pp. 1049−1051, 1965-
  38. Osvald J, Dobrocka E. Generalized approach to the parameter extraction from the I-V characteristics of Schottky diodes. Semicond Sci Technol 1996- 11, p. 1198−1202-
  39. Bennet R.J. Interpretation of forward bias behavior of Schottky barriers. IEEE Trans Electron Device 1987, ED-34, p. 935−937-
  40. Liou JJ, Ortiz-Conde A. Garcia Sanchez FJ. Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Sumulation and Parameter Extraction of MOSFETs. New York, USA: Kluwer Academic Publisher, 1998.
  41. Lee J.I., Brini J., Dimitradis C.A. Simple parameter extraction method for non-ideal Schottky barrier diode., Electronics Lett 1998, 34, p. 1268−1269-
  42. Norde H.A. Modified forward I-V plot for Schottky diode with a high series resistance., J Appl Phys 1979, 50, p. 5052−5053-
  43. Werner JH. Schottky barriers and p-n junction I-V plots-small signal evaluation. Appl Phys A 1988−47:291−300-
  44. Garcia Sanchez FJ, Ortiz-Conde A, Liou JJ. A parasitic series resistance-independent method for device-model parameter extraction. IEE Proc Cir Dev and Sys 1996- 143:68−70-
  45. Lyakas M., Zaharia R., Eizenberg M., Analysis of nonideal Schottky and p-n junction diodes extraction of parameters from I-V plots. J Appl Phys 1995, 38, p. 5481−5489-
  46. В.Я., Дьяконов B.M., Слезкин B.B. Экстракция параметров схемотехнических моделей МОП транзисторов серии БМК // Всероссийская НТК «Микроэлектроника и информатика-99», Тезисы докладов, 4.1. Москва: МИЭТ, 1997. стр.41-
  47. Е.В., Слезкин В. В. Применение метода горизонтальной оптимизации для идентификации параметров полупроводниковых приборов // Электроника, Известия ВУЗов, № 6, Москва: МИЭТ, 2000-
  48. В.В. Алгоритм косвенного определения значений паразитных емкостей в схемотехнической модели КМОП ИС // Межвузовская НТК. «Микроэлектроника и информатика 2000», Тезисы докладов, Москва: МИЭТ, 2000. стр. 251.
  49. С.С. Гайсарян, Объектно-ориентированные технологии проектирования прикладных программных систем // Центр информационных технологий, МГУ, 1999-
  50. С.С. Гайсарян, Распределенное программирование // Центр информационных технологий, МГУ, 1999-
  51. В .Я., Дьяконов В. М., Слезкин В. В. Идентификация параметров схемотехнических моделей элементов СБИС // Межвузовская НТК «Микроэлектроника и информатика-96», Тезисы докладов, Москва: МИЭТ, 1996. стр.3-
  52. В.Я., Дьяконов В. М., Слезкин В. В. Разработка программного обеспечения для схемотехнического проектирования СБИС // Межвузовская НТК «Микроэлектроника и информатика-96», Тезисы докладов, Москва: МИЭТ, 1996. стр.42-
  53. В.Я., Дьяконов В. М., Слезкин В. В. Программа идентификации параметров схемотехнических моделей элементов СБИС // Межвузовская НТК «Микроэлектроника и информатика-97», Тезисы докладов, 4.1. Москва: МИЭТ, 1997. стр.41-
  54. В.Я., Дьяконов В. М., Слезкин В. В. Разработка библиотек параметров схемотехнических моделей элементов КМОП и БИКМОП СБИС // Вторая Всероссийская НТК «Электроника и информатика-97», Тезисы докладов, 4.1. Москва: МИЭТ, 1997. стр.238-
  55. L.M. Dang: A Simple Current Model for Short-Channel IGFET and Its Application to Circuit Simulation. IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol 14(2):3 5 8−367, April 1979-
  56. D. Frohman-Benchkowsky: On the Effect of Mobility Variation on MOS Device Characteristics. Proceedings of the IEEE, Vol. 56(2):217−218, February 1968-
  57. J.A. Cooper, D.F. Nelson: High-field drift velocity of electrons at the Si-Si02 interface as determined by a time-of-flight technique. Journal of Applied Physics, Vol. 54(3): 1445−1456,1983-
  58. A. Vladimirescu, S. Liu: The Simulation of MOS Integrated Circuits Using Spice2. Memorandum no. UCB/ERL M80/7, Electronics Research Laboratory, College of Engineering, University of California, Berkeley, 1980-
  59. Curtice W.E. A MESFET model for use in the design of GaAs integrated circuits/ЯЕЕЕ Transactions on Microwave theory and techniques. 1980. -MTT-28.- P. 448−456-
  60. Sussman-Fort S.E., Narashuhman S., Mayaram K., A complete GaAs MESFET computer model for SPICE//IEEE Transactions on microwave theory and techniques. 1984. — MTT-32. — P. 471−473-
  61. Statz H., Hewman P., Smith I.W., Pucel R.A., Haus H.A. GaAsFET device and circuit simulation on SPICE//IEEE Transactions on microwave theory and techniques. 1987. — ED-34. — P. 160−169-
  62. OrCAD PSPICE A/D, Reference Guide, November, 1999 (www.orcad.com) —
  63. B.J.Sheu, D.L. Scharfetter, and P.K. Ко. SPICE2 implementation of BSIM. Technical Report Memorandum No. UCB/ERL M85/42, Electronics research laboratory, College Of Engeeniring, University of California, Berkley, 1985-
  64. M.-C. Jeng, P.M. Lee, M.M. Kuo, P.K. Ко, and C. Hu. Theory, algorithms, and user’s guide for BSIM and SCALP. Technical Report Memorandum No.-137
  65. UCB/ERL M87/35, Electronics research laboratory, College Of Engeeniring, University of California, Berkley, 1987-
  66. Bing J. Sheu, Wen-Jay Hsu, and Ping K. Ko. An MOS transistors charge model for VLSI design. IEEE Transactions on Computer-Aided Design, Vol. 7(4):520−527, April 1988-
  67. A.H.-C. Fung. A subthreshold model for BSIM. Technical report Memorandum No. UCB/ERL M85/22, Electronics research laboratory, College Of Engeeniring, University of California, Berkley, 1985-
  68. Antti Kankkunen, Mikael Andersson, Matti Valtonen. BSIM MODEL IN APLAC., Report document the APLAC implementation of the BSIM MOS model., Helsinki University of Technology and Technical Research Centre of Finland., October 23, 1991
Заполнить форму текущей работой