Разработка автоматизированных методов идентификации параметров моделей элементов микромощных цифровых СБИС
Диссертация
Глава посвящена практической реализации предложенных в диссертации методов и алгоритмов идентификации схемотехнических параметров моделей. В главе представлены: краткий анализ современных методов разработки программного обеспечениядано подробное описание алгоритма, реализованного в программе идентификациидано подробное описание графической оболочки для ввода информации, проведения идентификации… Читать ещё >
Список литературы
- Г. Г. Казеинов Структура, основные требования и принципы построения систем автоматизированного проектирования микроэлектронных приборов // Москва, Машиностроение, 1978-
- Г. Г. Казеннов, В. Я. Кремлев Полупроводниковые интегральные микросхемы // кн. 2, Москва, Высшая школа, 1987-
- В.Я. Кремлев, под ред. Г. Г. Казеннова Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС // кн. 5, Москва, Высшая школа, 1990-
- Osvald J, Dobrocka Е. Generalized approach to the parameter extraction from the I-V characteristics of Schottky diodes. Semicond Sci Technol 1996- 11, p. 1198−1202.
- Extraction method of MOSFET model parameters, NHK Laboratory Note, 1986, № 330, p 14-
- D. Bauza, G. Ghibaudo, MOSFET parameter extraction from static, dynamic and transient current measurements, Microelectronics Journal, 25, 1994 pp 41−61-
- D.V. Lang, J. Appl. Phys., 45 (1974) 3023-
- G.L. Miller, D.V. Lang and L.C. Kimmerling, Ann. Rev. Mater. Sci. (1977) 377-
- K.L. Wang and A.O. Evwaraye, J. Appl. Phys., 47 (1976) 4574-
- Masaki Kondo, Hidetoshi Onodera, Keikichi Tamaru, «Model-adaptable MOSFET Parameter-Extracton Method Using an Intermediate Model», IEEE rtansactions on computer-aided design of integrated circuits and systems, Vol. 17, No. 5, May 1998 pp 400−405-
- Красников Г. Я., Махотин Ю. Б., Зайцев H.A., Влияние саморазогрева прибора на точность экстракции биполярных транзисторов // РЗ-55-
- Timoto Veijola, Mikael Andersson and Antti Kallio, Parameter Extraction Procedure for an Electrothermal Tranistor / Processings of BEC'96, Tallin, Estonia, October 7−11, 1996, pp. 71−72-
- A.B. Battacharyya, P. Ratham, Dipankar Nagchoudhuri and S.C. Rustagi, On-Line Extraction of Model Parameters of a Long Burried-Channel MOSFET / IEEE TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES, VOL ED-32, N0.3, MARCH 1985-
- F.J. Garcia Sanchez, A. Ortiz-Conde, J.A. Salcedo, J.J. Liou, Y. Yue, A procedure for the extraction of the bulk-charge effect parameter in MOSFET models / SOLID-STATE ELECTRONICS, Vol. 43, Number 7, July 1999-
- Hoan H. Pham and Arokia Nathan Anew Numerical Method for Extraction of Overlap Capacitance in a-Si TFT’s / IEEE ELECTRON SEVICE LETTERS, VOL. 20, NO. 1, JANUARY 1999-
- Alexander N. Ernst, Mark H. Somerville, Jesus A. Del Alamo, A New Zu Impedance Technique to Extract Mobility and Sheet Carrier Concentration in HFET’s and MESFET’s / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 45, N0.1, JANUARY 1998-
- Timo Veijola, Mikael Andersson, COMBINED ELECTRICAL AND THERMAL PARAMETER EXTRACTION FOR TRANSISTOR MODEL / Proceeding of ECCTD'97, Budapest, Hungary, August 30 September 3, 1997, pp. 754−759-
- B.H. Бирюков, A.H. Шурховецкий, ИДЕНТИФИКАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ БАРЬЕРНОЙ ЕМКОСТИ // Электроника, Известия ВУЗов, № 4, Москва: МИЭТ, 1999-
- Ульянов C.JI. Разработка математического и программного обеспечения системы формирования, идентификации и тестирования моделей элементов БИС, Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук, 1991-
- Gerhard Schrom, «Ultra-Low-Power CMOS Technology», Dissertation, Technischen Unoversitat Wien, Facultat fur Electrotechnik, Juni 1998 (http://www.iue.tuwien.ac.at/diss/schrom/diss/) —
- L.A. Akers and J.J. Sanchez, «Threshold voltage models of short, narrow and small geometry MOSFET’s «, Solid-State Electron 1982, Vol. 25, no. 7, pp 621−641-
- L.A. Akers, «The inverse-narrow-width effect», IEEE Electron Device Lett., 1986, July, vol. EDL-7, pp. 419−421-
- R.R. Troutman and A.G. Fortino, «Simple model for threshold voltage in a short-channel IGFET», IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-24, pp. 12 661 268, Oct. 1977-
- B. El-Kareh, W. R. Tonti, and S.L. Titcomb, «A submicron MOSFET parameter extraction technique», IBM J. Res. Develop., vol. 34, pp 243−249, 1990-
- K. Aoyama, «A method for extracting the threshold voltage of MOSFET’s based on current components», in Simulation of Semiconductor Devices and Processes. Vienna, Austria: Springer-Verlag, 1995, vol. 6, pp 118−121-
- H.S. Wong, M.H. White, T.J. Krutsick and R.V. Booth, «Modeling of transconductance degradation and extraction of threshold voltage in thin oxide MOSFET’s», Solid State Electron., vol. 30, pp 953−968, 1987-
- Morukazu Tsuno, Masato Suga, Masayasu Tanaka, Kentaro Shibahara, Mitiko Miura-Mattausch, and Masataka Hirose, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 46, no. 7., July 1999, pp 1429−1433-
- В.И. Старосельский Физика МДП-транзисторов / Учебное пособие по курсу «Физика полупроводниковых приборов», Москва, МИЭТ, 1992-
- Risto Niutanen, Martti Valtonen, Kari Mannersalo, Optimization Methods in APLAC, Helsinki University of Technology, CT-15, Desember 1992−33.3емельман M.A. Метрологические основы технических измерений / М., Издательство стандартов, 1991-
- Маликов М.Ф. Основы метрологии. М., Комитет по делам мер и измерительных приборов при Совете Министров СССР, 1949-
- ГОСТ 16 263–70. ГСИ. Метрология. Термины и определения. / М., Изд-во стандартов-
- Дж. Ру, Р. Гонсалес, Принципы распознавания образов / «Мир», Москва, 1978-
- Живописцев Ф. А, Иванов В. А. Регрессионный анализ в экспериментальной физике / Москва, Издательство МГУ, 1995-
- В. Хардле Прикладная непараметрическая регрессия / Москва, Мир, 1993-
- Слезкин В.В. Алгоритм предварительной обработки экспериментальных данных в задаче идентификации параметров моделей элементов СБИС // Седьмая всероссийская межвузовская НТК «Микроэлектроника и информатика-2000», Тезисы докладов, Москва, 2000. стр. 82.-
- Слезкин В.В. Применение принципов распознавания образов для идентификации параметров моделей элементов СБИС // Межвузовская НТК. «Микроэлектроника и информатика 2000», Тезисы докладов, Москва: МИЭТ, 2000. стр.250-
- Loftsgaarden, D.O. and Quesenberry G.P. A nonparametric estimate of a multivariate density function / Annals of Mathematical Statistics, 36, pp. 1049−1051, 1965-
- Osvald J, Dobrocka E. Generalized approach to the parameter extraction from the I-V characteristics of Schottky diodes. Semicond Sci Technol 1996- 11, p. 1198−1202-
- Bennet R.J. Interpretation of forward bias behavior of Schottky barriers. IEEE Trans Electron Device 1987, ED-34, p. 935−937-
- Liou JJ, Ortiz-Conde A. Garcia Sanchez FJ. Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Sumulation and Parameter Extraction of MOSFETs. New York, USA: Kluwer Academic Publisher, 1998.
- Lee J.I., Brini J., Dimitradis C.A. Simple parameter extraction method for non-ideal Schottky barrier diode., Electronics Lett 1998, 34, p. 1268−1269-
- Norde H.A. Modified forward I-V plot for Schottky diode with a high series resistance., J Appl Phys 1979, 50, p. 5052−5053-
- Werner JH. Schottky barriers and p-n junction I-V plots-small signal evaluation. Appl Phys A 1988−47:291−300-
- Garcia Sanchez FJ, Ortiz-Conde A, Liou JJ. A parasitic series resistance-independent method for device-model parameter extraction. IEE Proc Cir Dev and Sys 1996- 143:68−70-
- Lyakas M., Zaharia R., Eizenberg M., Analysis of nonideal Schottky and p-n junction diodes extraction of parameters from I-V plots. J Appl Phys 1995, 38, p. 5481−5489-
- Кремлев В.Я., Дьяконов B.M., Слезкин B.B. Экстракция параметров схемотехнических моделей МОП транзисторов серии БМК // Всероссийская НТК «Микроэлектроника и информатика-99», Тезисы докладов, 4.1. Москва: МИЭТ, 1997. стр.41-
- Кузнецов Е.В., Слезкин В. В. Применение метода горизонтальной оптимизации для идентификации параметров полупроводниковых приборов // Электроника, Известия ВУЗов, № 6, Москва: МИЭТ, 2000-
- Слезкин В.В. Алгоритм косвенного определения значений паразитных емкостей в схемотехнической модели КМОП ИС // Межвузовская НТК. «Микроэлектроника и информатика 2000», Тезисы докладов, Москва: МИЭТ, 2000. стр. 251.
- С.С. Гайсарян, Объектно-ориентированные технологии проектирования прикладных программных систем // Центр информационных технологий, МГУ, 1999-
- С.С. Гайсарян, Распределенное программирование // Центр информационных технологий, МГУ, 1999-
- Кремлев В .Я., Дьяконов В. М., Слезкин В. В. Идентификация параметров схемотехнических моделей элементов СБИС // Межвузовская НТК «Микроэлектроника и информатика-96», Тезисы докладов, Москва: МИЭТ, 1996. стр.3-
- Кремлев В.Я., Дьяконов В. М., Слезкин В. В. Разработка программного обеспечения для схемотехнического проектирования СБИС // Межвузовская НТК «Микроэлектроника и информатика-96», Тезисы докладов, Москва: МИЭТ, 1996. стр.42-
- Кремлев В.Я., Дьяконов В. М., Слезкин В. В. Программа идентификации параметров схемотехнических моделей элементов СБИС // Межвузовская НТК «Микроэлектроника и информатика-97», Тезисы докладов, 4.1. Москва: МИЭТ, 1997. стр.41-
- Кремлев В.Я., Дьяконов В. М., Слезкин В. В. Разработка библиотек параметров схемотехнических моделей элементов КМОП и БИКМОП СБИС // Вторая Всероссийская НТК «Электроника и информатика-97», Тезисы докладов, 4.1. Москва: МИЭТ, 1997. стр.238-
- L.M. Dang: A Simple Current Model for Short-Channel IGFET and Its Application to Circuit Simulation. IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol 14(2):3 5 8−367, April 1979-
- D. Frohman-Benchkowsky: On the Effect of Mobility Variation on MOS Device Characteristics. Proceedings of the IEEE, Vol. 56(2):217−218, February 1968-
- J.A. Cooper, D.F. Nelson: High-field drift velocity of electrons at the Si-Si02 interface as determined by a time-of-flight technique. Journal of Applied Physics, Vol. 54(3): 1445−1456,1983-
- A. Vladimirescu, S. Liu: The Simulation of MOS Integrated Circuits Using Spice2. Memorandum no. UCB/ERL M80/7, Electronics Research Laboratory, College of Engineering, University of California, Berkeley, 1980-
- Curtice W.E. A MESFET model for use in the design of GaAs integrated circuits/ЯЕЕЕ Transactions on Microwave theory and techniques. 1980. -MTT-28.- P. 448−456-
- Sussman-Fort S.E., Narashuhman S., Mayaram K., A complete GaAs MESFET computer model for SPICE//IEEE Transactions on microwave theory and techniques. 1984. — MTT-32. — P. 471−473-
- Statz H., Hewman P., Smith I.W., Pucel R.A., Haus H.A. GaAsFET device and circuit simulation on SPICE//IEEE Transactions on microwave theory and techniques. 1987. — ED-34. — P. 160−169-
- OrCAD PSPICE A/D, Reference Guide, November, 1999 (www.orcad.com) —
- B.J.Sheu, D.L. Scharfetter, and P.K. Ко. SPICE2 implementation of BSIM. Technical Report Memorandum No. UCB/ERL M85/42, Electronics research laboratory, College Of Engeeniring, University of California, Berkley, 1985-
- M.-C. Jeng, P.M. Lee, M.M. Kuo, P.K. Ко, and C. Hu. Theory, algorithms, and user’s guide for BSIM and SCALP. Technical Report Memorandum No.-137
- UCB/ERL M87/35, Electronics research laboratory, College Of Engeeniring, University of California, Berkley, 1987-
- Bing J. Sheu, Wen-Jay Hsu, and Ping K. Ko. An MOS transistors charge model for VLSI design. IEEE Transactions on Computer-Aided Design, Vol. 7(4):520−527, April 1988-
- A.H.-C. Fung. A subthreshold model for BSIM. Technical report Memorandum No. UCB/ERL M85/22, Electronics research laboratory, College Of Engeeniring, University of California, Berkley, 1985-
- Antti Kankkunen, Mikael Andersson, Matti Valtonen. BSIM MODEL IN APLAC., Report document the APLAC implementation of the BSIM MOS model., Helsinki University of Technology and Technical Research Centre of Finland., October 23, 1991