ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ΠžΡ€Π³Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ свСта ΠΈ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Π½Π° основС мСталлоорганичСских комплСксов тСрбия ΠΈ Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΠ°

Π”ΠΈΡΡΠ΅Ρ€Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π’ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π²Π° дСсятилСтия Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ интСрСс исслСдоватСлСй ΠΊ Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ мСталлоорганичСским соСдинСниям, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ Π±Ρ‹ ΠΏΠΎΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΉ, Π° Π²ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡΡ‚Π²ΠΈΠΈ ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ соврСмСнным ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌ Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ рядС практичСских ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ. Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅Ρ ΠΊ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°ΠΌ двоякий: с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны имССтся ряд Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ установлСниС взаимосвязи фотофизичСских… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ΠžΡ€Π³Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ свСта ΠΈ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Π½Π° основС мСталлоорганичСских комплСксов тСрбия ΠΈ Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΠ° (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  • ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€ Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹
  • 1. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ органичСских ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… устройств
  • 2. ΠœΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΡ‹ Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ органичСских ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π΄ΡƒΠΌΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²
    • 2. 1. ΠžΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠ½Ρ‹Ρ… пятСн
    • 2. 2. ΠŸΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ
    • 2. 3. ВнутрСнняя дСградация

ΠΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Π’ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π²Π° дСсятилСтия Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ интСрСс исслСдоватСлСй ΠΊ Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ мСталлоорганичСским соСдинСниям, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ Π±Ρ‹ ΠΏΠΎΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΉ, Π° Π²ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡΡ‚Π²ΠΈΠΈ ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ соврСмСнным ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌ Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ рядС практичСских ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ. Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅Ρ ΠΊ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°ΠΌ двоякий: с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны имССтся ряд Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ установлСниС взаимосвязи фотофизичСских характСристик со ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΎΠΌ вСщСств, с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ряд практичСских, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ созданиС Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² органичСских ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² (ΠžΠ‘Π˜Π”) ΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройств. А4СталлоорганичСскиС ΠΊΠΎΠΎΡ€Π΄ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ соСдинСния, примСняСмыС Π² ΠžΠ‘Π˜Π”, дСлятся Π½Π° Π΄Π²Π° класса: соСдинСния s-, Ρ€-, d-элСмСнтов, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ элСмСнтами ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ органичСскиС Π»ΠΈΠ³Π°Π½Π΄Ρ‹, ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΡ‹ Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎΠ·Π΅ΠΌΠ΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСмСнтов (Π Π—Π­), Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… обусловлСна ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ f-f уровнями ΠΈΠΎΠ½Π° Π Π—Π­.

ΠžΠ‘Π˜Π” ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для создания Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ поколСния устройств отобраТСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, дисплССв ΠΊΠ°ΠΊ с Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Ρ ΠΏΠ°ΡΡΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π΅ΠΉ, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… рядом ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… прСимущСств, ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π–Πš-дисплСями, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ высокая ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€Π°ΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ вСс ΠΈ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Ρ‹, ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ ΡƒΠ³ΠΎΠ» ΠΎΠ±Π·ΠΎΡ€Π°, ΠΈ Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎ, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ низкая ΡΠ΅Π±Π΅ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ производства. ВСорСтичСски достиТимая максимальная ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠžΠ‘Π˜Π” составляСт 100%, поэтому Π±ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΡŽ Π½Π° ΠΈΡ… ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ систСм протяТСнных источников свСта. НСсмотря Π½Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ прогрСсс Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ создания органичСских свСтодиодов, ряд Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ характСристик ΠžΠ‘Π˜Π” ΠΈ Π½Π΅ΠΏΠΎΠ»Π½Π°Ρ ΡΡΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ°Ρ… ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°Ρ… Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ, Π½Π° ΡΠ΅Π³ΠΎΠ΄Π½Ρ ΠΎΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, остаСтся ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ структуры ΠžΠ‘Π˜Π” для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ класса ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… соСдинСний.

МСнСС извСстным являСтся Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ исслСдований, связанноС с ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠžΠ‘Π˜Π” с ΠΌΠ΅Ρ‚аллоорганичСскими соСдинСниями, ΠΏΡ€ΠΈ использовании эффСкта умноТСния Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°Ρ…, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ свСта ΠΈΠ· Π΄Π»ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π² ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ спСктра. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ нСдостаткам ΠžΠ‘Π˜Π” добавляСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° пСрСпоглощСния излучСния Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡƒΠΌΠΏΠΎΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€ΡƒΠ³Π° органичСских вСщСств, ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… для использования Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… прСобразоватСлях.

ЦСль диссСртационной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

РСализация, ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ послойной структуры, ΠΈ ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ физичСских процСссов Π² ΠžΠ‘Π˜Π” Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ мСталлоорганичСских комплСксов Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΠ° (Н) с Ρ‚Π΅Ρ‚Ρ€Π°Π΄Π΅Π½Ρ‚Π°Ρ‚ΠΏΡ‹ΠΌΠΈ основаниями Π¨ΠΈΡ„Ρ„Π° ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΎΠ² тСрбия (III) с ΠΎ-Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½-Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π±Π΅Π½Π·ΠΎΠΉΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ кислотами ΠΈ Ρ‚рифСнилфосфиноксидом. ВыявлСниС, Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ исслСдованиС процСссов Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠžΠ‘Π˜Π” ΠΈ ΠΏΠΎΠΈΡΠΊ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΉ Π±ΠΎΡ€ΡŒΠ±Ρ‹ с Π½ΠΈΠΌΠΈ. РСализация Ρ‚Π°Π½Π΄Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля-прСобразоватСля свСта с ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ранствСнным Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ процСссов умноТСния Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ исслСдуСмых соСдинСний, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ прСобразования Π΄Π»ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ внСшнСго свСта Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ исслСдуСмых мСталлоорганичСских комплСксов. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ усилитСля-прСобразоватСля ΠΈ Π²Ρ‹ΡΡΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ условий, приводящих ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»Π΅Π½ΠΈΡŽ свСта.

Научная Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ·Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ состоит Π² Ρ‚Π΅Ρ… Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°Ρ… ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡΡ…, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ выносятся Π½Π° Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ. Π’ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠΈ изучСния ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠ² Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠžΠ‘Π˜Π”, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ физичСскиС процСссы Π² Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΌ, Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π΄Π²ΡƒΡ…Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ свСта.

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ спСктрС практичСских ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ созданиС ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡ†Π²Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… дисплССв, протяТСнных ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Π½Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… устройств. ВыявлСнныС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ устранСния Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ позволят Π² Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΌ ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅ характСристики созданных ΠžΠ‘Π˜Π” ΠΈ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ичСского примСнСния. Π Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π°Π½Π΄Π΅ΠΌΠΈΡ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ-ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ свСта ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использован для прСобразования Π΄Π»ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ свСта Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ.

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈ финансовой ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ΅ Российского Ρ„ΠΎΠ½Π΄Π° Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… исслСдований (Π³Ρ€Π°Π½Ρ‚Ρ‹ 00−02−16 607, 04−02−17 040, 07−02−495, 06−02−16 399, 06−02−8 120ΠΎΡ„ΠΈ, 05−03−34 821-МЀ) — ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠŸΡ€Π΅Π·ΠΈΠ΄ΠΈΡƒΠΌΠ° РАН «Π’лияниС Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½ΠΎ-кристалличСской ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ структуры Π½Π° ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π²Π° кондСнсированных срСд», Ρ‚Π΅ΠΌΠ° «ΠžΠ΄Π½ΠΎ-Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ наноструктуры Π² ΠΊΠΎΠ½ΡŠΡŽΠ³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ…: оптичСскиС ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСскиС свойства» — ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠŸΡ€Π΅Π·ΠΈΠ΄ΠΈΡƒΠΌΠ° РАН «Π€ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ Ρ…ΠΈΠΌΠΈΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ…», Ρ‚Π΅ΠΌΠ° «Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΄Π²ΡƒΡ…-ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… наноструктур, Π²Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² ΠΊΠΎΠ½ΡŠΡŽΠ³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Ρ‹» — ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠŸΡ€Π΅Π·ΠΈΠ΄ΠΈΡƒΠΌΠ° РАН «Π€Π΅ΠΌΡ‚осСкундная ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΊΠ° ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ичСскиС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹», Ρ‚Π΅ΠΌΠ° «Π€Π΅ΠΌΡ‚осСкундная спСктроскопия Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π³Π΅Ρ‚Π΅-роструктур с ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ» — ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ, ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ эффСктивных ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ…’ГосударствСнной ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ бизнСса БВАРВ-06, государствСнный ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚ № 4487Ρ€/6697 ΠΎΡ‚ 30 ΠΈΡŽΠ½Ρ 2006 Π³.

На Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ выносятся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ основныС Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ:

1. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ органичСских свСтодиодов со ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ слоями Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ мСталлоорганичСских комплСксов Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΠ° (П) с ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡΠΌΠΈ Π¨ΠΈΡ„Ρ„Π° ZnSALl, ZnSAL2, ZnMOl, ZnM02, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ комплСкса тСрбия с ΠΎ-Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΎΠΉ Π±Π΅Π½Π·ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ кислотой [Π’Π¬ (Π ΠΎΠ¬Π³)Π· (ВРРО)2].

2. Π Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΠΎΠΉ ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΠΎΠΉ Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… свС-Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Ρ… Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡ΠΈΡΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ². Π—Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚ носитСлСй заряда Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠΊΠ°ΠΌΠΈ являСтся ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΠΎΠΉ Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ. ИзмСнСниС условий протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· органичСскиС свСтодиоды являСтся слСдствиСм развития Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… процСссов Π² ΠΈΠ½Ρ‚СрфСйсных областях свСтодиодов ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ 293 К Π΄ΠΎ 320 К.

3. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ Π΄Π²ΡƒΡ…Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ органичСского прСобразоватСля свСта с ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ранствСнным Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΈ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ частСй с ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… органичСских ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ². ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ структурных Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π΄Π²ΡƒΡ… частСй, внСшнСй ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт умноТСния Π² Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ части Π΄Π²ΡƒΡ…Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ органичСского прСобразоватСля (105) достигнут ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ -20Β°Π‘, напряТСнии Π½Π° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ части 38 Π’, ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ! Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ свСта 0.33 ΠΌΠΊΠ’Ρ‚/см2.

Апробация Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ полоТСния ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ диссСртационной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ прСдставлСны Π½Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… конфСрСнциях:

1. XLVIII Научная конфСрСнция МЀВИ, 25−26 Π½ΠΎΡΠ±Ρ€Ρ, 2005 Π³., Π”ΠΎΠ»Π³ΠΎΠΏΡ€ΡƒΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ.

2. XV International Symposium «Advanced Display Technologies-2006 (ADT' 2006)», October 3−5, P.N. Lebedev Institute, Moscow, Russia, 2006.

3. XXIII ΠœΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½Π°Ρ ЧугаСвская конфСрСнция ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΠΎΡ€Π΄ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ…ΠΈΠΌΠΈΠΈ, 4−7 ΡΠ΅Π½Ρ‚ября, 2007 Π³., ОдСсса, Π£ΠΊΡ€Π°ΠΈΠ½Π°.

4. XVIII ΠšΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ ΠΏΠΎ Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠΉ спСктроскопии (ЀАБ — XVIII), 22−26 ΠΎΠΊΡ‚ября 2007 Π³., Π—Π²Π΅Π½ΠΈΠ³ΠΎΡ€ΠΎΠ΄.

5. XVIII МСндСлССвский съСзд ΠΏΠΎ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π°Π΄Π½ΠΎΠΉ Ρ…ΠΈΠΌΠΈΠΈ, 23−28 ΡΠ΅Π½Ρ‚ября 2007 Π³., Москва.

6. International conference on quantum optics and quantum information (ICQO' 2008), September 20−23, 2008, Vilnius, Lithuania.

ΠŸΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ.

ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ диссСртации ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π² 12 ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ…, ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… 6 статСй Π² Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… российских ΠΈ Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΆΡƒΡ€Π½Π°Π»Π°Ρ…, 3 ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ Π² ΡΠ±ΠΎΡ€Π½ΠΈΠΊΠ°Ρ… Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΉ ΠΈ 3 тСзисов Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠ².

Π›ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Π°.

ВсС Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Π΄ΠΈΡΡΠ΅Ρ€Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎ Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π΅Π³ΠΎ нСпосрСдствСнном участии.

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌ диссСртации

.

ДиссСртация состоит ΠΈΠ· Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡ, ΠΎΠ±Π·ΠΎΡ€Π° Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π³Π»Π°Π², Π²Ρ‹Π²ΠΎ- ~ Π΄ΠΎΠ² ΠΈ ΡΠΏΠΈΡΠΊΠ° Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. ОбъСм диссСртации составляСт 12 $ страниц машинописного тСкста, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ 44 рисунка. Бписок Ρ†ΠΈΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ состоит ΠΈΠ· 116 Π½Π°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ.

3.3. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ΠΉ Π³Π»Π°Π²Π΅.

1. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π΄Π²ΡƒΡ…Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ органичСский ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ-ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ свСта Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ соСдинСнных Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ органичСских Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², с ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ранствСнным Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ процСссов умноТСния Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ со ΡΠ»ΠΎΡΠΌΠΈ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ»ΠΈΠ³Π°Π½Π΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ салицилата тСрбия Tb (Sal)3 (ВРРО)2, ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠ»Π΅Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ краситСля (МС-Π Π’Π‘).

2. Π£ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½Π° модСль Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ структурных Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ. ΠšΠΈΠ½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠ° ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΌΠΈΠ³Π°Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ свСта объяснСна Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… этой ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΎΠ°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ особСнности эффСкта фотоумноТСния ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΈΠ½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… интСнсивностях Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ свСта, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ достигнутый Π² ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π°Ρ… коэффициСнт умноТСния Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° составил 105. НайдСны ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ условия Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π΄Π²ΡƒΡ…Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎ-Π³ΠΎ органичСского усилитСля-прСобразоватСля.

3. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π»ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ (600 Π½ΠΌ) свСта Π² ΡƒΠ·ΠΊΠΈΠ΅ полосы излучСния Π’Π¬ (Π—Π°1)Π· (ВРРО)2 Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ 490−650 Π½ΠΌ (Π₯Ρ‚Π°Ρ… ~ 545 Π½ΠΌ) ΠΈ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΡƒΡŽ полосу излучСния Alq3 Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 450−700 Π½ΠΌ. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ частСй систСмы обСспСчило Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ получСния с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ исслСдованного устройства ΠΊΠ°ΠΊ Π°ΠΏ-, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π΄Π°ΡƒΠ½-конвСрсии свСта. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ свСта смСнялось Π΅Π³ΠΎ усилСниСм.

4. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° модСль Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π΄Π²ΡƒΡ…Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля-прСобразоватСля свСта ΠΈ Π²Ρ‹ΡΡΠ½Π΅Π½Ρ‹ условия, приводящиС ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΎΡ‚ Π°ΠΏ-конвСрсии ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»Π΅Π½ΠΈΡŽ свСта. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ сдСланы Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΎΠ± ΡΡ„фСктивности использования ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Ρ‡Π°ΡΡ‚Π΅ΠΉ устройства.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

.

1. Π Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΠžΠ‘Π˜Π” Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… комплСксов Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΠ° с ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡΠΌΠΈ Π¨ΠΈΡ„Ρ„Π° ZnSALl, ZnSAL2, ZnMOl, ZnM02, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ комплСкса тСрбия с ΠΎ-Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π±Π΅Π½Π·ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ кислотой Tb (Pobz)3(TPPO)2. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° оптимизация структур ΠžΠ‘Π˜Π”.

2. Π”Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ исслСдованы процСссы Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ излучСния Π² ΠžΠ‘Π˜Π” Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ комплСксов Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΠ° с ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π¨ΠΈΡ„Ρ„Π° ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΎΠ² тСрбия (Π¨) с ΠΎ-Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π±Π΅Π½Π·ΠΎΠΉΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ кислотами ΠΈ Ρ‚Ρ€ΠΈΡ„Π΅Π½ΠΈΠ» фосфиноксидом Tb (Sal)3(TPPO)2 ΠΈ Tb (Pobz)3(TPPO)2. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ этап Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ связан с Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ зарядов Π² ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΌ слоС ΠΈ Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€, Π° Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм Π£Π€ свСта Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΠ°.

3. ΠŸΡ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сниТСниС скорости напылСния ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ Π² ΠžΠ‘Π˜Π” Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ комплСксов Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΠ° (П) с ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π¨ΠΈΡ„Ρ„Π° ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ смСщСния Π² ΠžΠ‘Π˜Π” Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ комплСксов тСрбия (III) с ΠΎ-Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π±Π΅Π½Π·ΠΎΠΉΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ кислотами ΠΈ Ρ‚Ρ€ΠΈΡ„Π΅Π½ΠΈΠ» фосфиноксидом Tb (Sal)3(TPPO)2 ΠΈ Tb (Pobz)3(TPPO)2 устраняСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΡƒΡŽ Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΡŽ, Π° ΡΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ интСнсивности Π£Π€-ΠΏΠΎΠ΄-ствСтки ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ-сниТСнию Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΠΎΠΉ. — .

4. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π΄Π²ΡƒΡ…Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ органичСский ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ-ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ свСта, Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π΄Π²ΡƒΡ…, ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ соСдинСнных Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ органичСских Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², с ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ранствСнным Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ процСссов умноТСния Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ со ΡΠ»ΠΎΡΠΌΠΈ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ»ΠΈΠ³Π°Π½Π΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ салицилата тСрбия Tb (Sal)3 (ВРРО)2, ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠ»Π΅Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ краситСля (МС-Π Π’Π‘).

5. Π£ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½Π° модСль Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ структурных Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ. ΠšΠΈΠ½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠ° ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΌΠΈΠ³Π°Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ свСта объяснСна Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… этой ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΎΠ°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ особСнности эффСкта фотоумноТСния ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΈΠ½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… интСнсивностях Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ свСта, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ достигнутый Π² ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π°Ρ… коэффициСнт умноТСния Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° составил 105. НайдСны ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ условия Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π΄Π²ΡƒΡ…Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎ-Π³ΠΎ органичСского усилитСля-прСобразоватСля.

6. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π»ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ (600 Π½ΠΌ) свСта Π² ΡƒΠ·ΠΊΠΈΠ΅ полосы излучСния Π’Π¬ (Π‘Π°1)Π· (ВРРО)2 Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ 490−650 Π½ΠΌ (Π₯Ρ‚Π°Ρ… ~ 545 Π½ΠΌ) ΠΈ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΡƒΡŽ полосу излучСния Alq3 Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 450−700 Π½ΠΌ. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚ΡΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ частСй систСмы обСспСчило Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ получСния с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ исслСдованного устройства ΠΊΠ°ΠΊ Π°ΠΏΡ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π΄Π°ΡƒΠ½-конвСрсии свСта. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ свСта смСнялось Π΅Π³ΠΎ усилСниСм.

7. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° модСль Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π΄Π²ΡƒΡ…Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля-прСобразоватСля свСта, ΠΈ Π²Ρ‹ΡΡΠ½Π΅Π½Ρ‹ условия, приводящиС ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΎΡ‚ Π°ΠΏ-конвСрсии ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»Π΅Π½ΠΈΡŽ свСта. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ сдСланы Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΎΠ± ΡΡ„фСктивности использования ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Ρ‡Π°ΡΡ‚Π΅ΠΉ Π² ΡƒΡΡ‚ройствС.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст

Бписок Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

  1. М. Pope, Н. P. Kallmann, P. J. Magnate. Electroluminescence in Organic Crystals // Journal of Chemistry Physics.— 1963, — Vol. 38, no. 8.— Pp. 2042−2043.
  2. C. W. Tang, S. A. VanSlyke. Organic electroluminescent diodes // Applied Physics Letters. — 1987. — Vol. 51, no. 12, — Pp. 913−915.
  3. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown et al. Light-emitting diodes based on conjugated polymers // Nature. — 1990. — October. —β€’ Vol. 347, no. 6293. Pp. 539−541.
  4. I. D. Parker. Carrier tunneling and device characteristics in polymer light-emitting diodes // Journal of Applied Physics. — 1994.— Vol. 75, no. 3. Pp. 1656−1666.
  5. E. I. Haskal, M. Buchel, P. C. Duineveld et al. Passive-Matrix Polymer Light-Emitting Displays // MRS bulletin2002, — Vol. 27, no. 11.— Pp. 864−869.
  6. L. S. Hung, C. W. Tang, M. G. Mason. Enhanced electron injection in organic electroluminescence devices using an Al/LiF electrode // Applied Physics Letters. — 1997. — Vol. 70, no. 2, — Pp. 152−154.
  7. G. E. Jabbour, Y. Kawabe, S. E. Shaheen et al. Highly efficient and bright organic electroluminescent devices with an aluminum cathode // Applied Physics Letters. — 1997. September. — Vol. 71, no. 13. — Pp. 1762−1764.
  8. Π’. M. Brown, R. H. Friend, I. S. Millard et al. Efficient electron injection in blue-emitting polymer light-emitting diodes with LiF/Ca/Al cathodes // Applied Physics Letters. 2001. — Vol. 79, no. 2. — Pp. 174−176.
  9. P. E. Burrows, V. Bulovic, S. R. Forrest et al. Reliability and degradation of organic light emitting devices // Applied Physics Letters. — 1994.— Vol. 65, no. 23. Pp. 2922−2924.
  10. J. McElvain, H. Antoniadis, M. R. Hueschen et al. Formation and growth of black spots in organic light-emitting diodes // Journal of Applied Physics. 1996. — Vol. SO, no. 10. — Pp. 6002−6007.
  11. Y.-F. Liew, H. Aziz, N.-X. Ни et al. Investigation of the sites of dark spots in organic light-emitting devices // Applied Physics Letters. — 2000. — Vol. 77, no. 17. Pp. 2650−2652.
  12. Y. Kim, D. Choi, H. Lim, C.-S. Ha. Accelerated pre-oxidation method for healing progressive electrical short in organic light-emitting devices // Applied Physics Letters. — 2003. Vol. 82, no. 14. — Pp. 2200−2202.
  13. H. Aziz, Z. Popovic, C. P. Tripp et al. Degradation processes at the cathode/organic interface in organic light emitting devices with Mg: Ag cathodes // Applied Physics Letters.— 1998.— Vol. 72, no. 21, — Pp. 2642−2644.
  14. M. Schaer, F. Nuesch, D. Berner et al. Water Vapor and Oxygen Degradation Mechanisms in Organic Light Emitting Diodes // Advanced Functional Materials. — 2001. — Vol. 11, no. 2,-Pp. 116−121.
  15. L. Ke, S.-J. Chua, К. Zhang, P. Chen. Bubble formation due to electrical stress in organic light emitting devices // Applied Physics Letters.— 2002. Vol. 80, no. 2. — Pp. 171−173.
  16. E. Ettedgui, G.T. Davis, Π’. Ни, F.E. Karasz. Degradation of polymer-based light-emitting diodes during operation // Synthetic Metals. — 1997. Vol. 90, no. 1. — Pp. 73 — 76.
  17. L. S. Liao, J. He, X. Zhou et al. Bubble formation in organic light-emitting diodes // Journal of Applied Physics. — 2000. Vol. 88, no. 5. — Pp. 2386−2390.
  18. M. K. Fung, Z. Q. Gao, C. S. Lee, S. T. Lee. Inhibition of dark spots growth in organic electroluminescent devices // Chemical Physics Letters. 2001. — Vol. 333, no. 6. — Pp. 432 — 436.
  19. S. A. Van Slyke, Π‘. H. Chen, C. W. Tang. Organic electroluminescent devices with improved stability // Applied Physics Letters. — 1996. — Vol. 69, no. 15. — Pp. 2160−2162.
  20. P. E. Burrows, S. R. Forrest. Electroluminescence from trap-limited current transport in vacuum deposited organic light emitting devices // Applied Physics Letters. 1994. — Vol. 64, no. 17. — Pp. 2285−2287.
  21. S. Tokito, H. Tanaka, A. Okada, Y. Taga. High-temperature operation ofan electroluminescent device fabricated using a novel triphenylamine derivative // Applied Physics Letters. 1996. — Vol. 69, no. 7. — Pp. 878−880.
  22. Y. Shirota, K. Okumoto, H. Inada. Thermally stable organic light-emitting diodes using new families of hole-transporting amorphous molecular materials // Synthetic Metals. 2000. — Vol. 111−112. — Pp. 387 — 391.
  23. P. Fenter, F. Schreiber, V. Bulovic, S. R. Forrest. Thermally induced failure mechanisms of organic light emitting device structures probed by X-ray specular reflectivity // Chemical Physics Letters. — 1997. — Vol. 277, no. 5−6. Pp. 521 — 526.
  24. E. Han, L. Do, N. Yamamoto, M. Fujihira. Crystallization of organic thin films for electroluminescent devices // Thin Solid Films. — 1996. — Vol. 273, no. 1−2. — Pp. 202 208. — International Symposium on Ultra Materials for Picotransfer.
  25. C. Adachi, K. Nagai, N. Tamoto. Molecular design of hole transport materials for obtaining high durability in organic electroluminescent diodes // Applied Physics Letters. — 1995.- Vol. 66, no. 20. — Pp. 2679−2681.
  26. Y. Hamada, T. Sano, K. Shibata, K. Kuroki. Influence of the Emission Site on the Running Durability of Organic Electroluminescent Devices // Japanese Journal of Applied Physics.—- 1995.— Vol. 34, no. Part 2, No. 7A. Pp. L824-L826.
  27. D. F. O’Brien, P. Burrows, S. R. Forrest et al. Hole Transporting Materials with High Glass Transition Temperatures for Use in Organic Light-Emitting Devices // Advanced Materials.— 1998.— Vol. 10, no. 14.-Pp. 1108−1112.
  28. F. Steuber, J. Staudigel, M. Stossel et al. White Light Emission from Organic LEDs Utilizing Spiro Compounds with High-Temperature Stability // Advanced Materials. 2000. — Vol. 12, no. 2. — Pp. 130−133.
  29. S. Tokito, Y. Taga. Material Developments and Light Control in Organic Light-Emitting Diode // Molecular Crystals and Liquid Crystals. — 2000. Vol. 349. — Pp. 389−394.
  30. D. E. Loy, Π’. E. Koene, M. E. Thompson. Thermally Stable Hole-Transporting Materials Based upon a Fluorene Core // Advanced Functional Materials. 2002. — Vol. 12, no. 4. — Pp. 245−249.
  31. Z. Popovic, H. Aziz, A. Ioannidis et al. Time resolved fluorescence studies of Alq3-based organic light emitting devices // Synthetic Metals. — 2001. — Vol. 123.-Pp. 179−181.
  32. H. Aziz, Z. D. Popovic, N.-X. Ни et al. Degradation Mechanism of Small Molecule-Based Organic Light-Emitting Devices // Science. — 1999. — Vol. 283, no. 5409. Pp. 1900−1902.
  33. J. Yang, J. Shen. Doping effects in organic electroluminescent devices // Journal of Applied Physics. — 1998. — Vol. 84, no. 4. — Pp. 2105−2111.
  34. H. Aziz, Z. D. Popovic. Study of organic light emitting devices with a 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrcne)-doped hole transport layer // Applied Physics Letters. 2002. — Vol. 80, no. 12. — Pp. 2180−2182.
  35. Z. Popovic, H. Aziz. Reliability and Degradation of Small Molecule Organic Light Emitting Devices // IEEE J. Select. Top. Quantum Electron. — 2002. Vol. 8. — P. 362.
  36. H. Vestweber, W. Riess. Highly efficient and stable organic light-emitting diodes // Synthetic Metals. 1997. — Vol. 91. — Pp. 181−185.
  37. V.-E. Choong, S. Shi, J. Curless et al. Organic light-emitting diodes witha bipolar transport layer // Applied Physics Letters. — 1999, — Vol. 75, no. 2. Pp. 172−174.
  38. H. Aziz, Z. D. Popovic, N.-X. Ни. Organic light emitting devices with enhanced operational stability at elevated temperatures // Applied Physics Letters. 2002. — Vol. 81, no. 2. — Pp. 370−372.
  39. J. Shen, J. Yang. Carrier transport in organic alloy light emitting diodes // Journal of Applied Physics. — 2000. — Vol. 87, no. 8. — Pp. 3891−3895.
  40. L. S. Hung, L. R. Zheng, M. G. Mason. Anode modification in organic light-emitting diodes by low-frequency plasma polymerization of CHFsub 3] // Applied Physics Letters. 2001. — Vol. 78, no. 5. — Pp. 673−675. .
  41. F. Papadimitrakopoulos, X.-M. Zhang, D. L. Thomsen, K. A. Higgin-son. A Chemical Failure Mechanism for Aluminum (III) 8-Hydroxy qui no-line Light-Emitting Devices // Chemistry of Materials.—Π›996.— Vol. 8, no. 7. Pp. 1363−1365.
  42. S. T. Lee, Z. Q. Gao, L. S. Hung. Metal diffusion from electrodes in organic light-emitting diodes // Applied Physics Letters. — 1999, — Vol. 75, no. 10. Pp. 1404−1406.
  43. F. Nuesch, M. Carrara, M. Schaer et al. The role of copper phthalocyanine for charge injection into organic light emitting devices // Chemical Physics Letters. — 2001. — Vol. 347, no. 4−6. Pp. 311 — 317.
  44. H. Aziz, Z. D. Popovic, N. Ни et al. Long-term degradation mechanism of organic light emitting devices based on small molecules // Materials Research Society Symposium Proceedings. — 2000. — Vol. 558. — Pp. 507−512.
  45. J. Shen, D. Wang, E. Langlois et al. Degradation mechanisms in organic light emitting diodes // Synthetic Metals. — 2000.— Vol. 111−112. — Pp. 233 236.
  46. M. Yahiro, D. Zou, T. Tsutsui. Recoverable degradation phenomena of quantum efficiency in organic EL deviccs // Synthetic Metals. — 2000. — Vol. 111−112.-Pp. 245−247.
  47. T. Tsujioka, Y. Hamada, H. Takahashi. Operating Current Dependence of Luminescence Properties of Rubrene-doped Yellow Organic Light Emitting Diodes // Japanese Journal of Applied Physics. — 2000. — Vol. 39. — Pp. 3463−3465.
  48. M. Matsumura, A. Ito, Y. Miyamae. Accumulation of positive charges in organic light-emitting diodes with a double-layer structure // Applied Physics Letters.— 1999, —Vol. 75, no. 8.— Pp. 1042−1044.
  49. S. Berleb, W. Bruiting, G. Paasch. Interfacial charges and electric field distribution in organic hetero-layer light-emitting devices // Organic Electronics. 2000. Vol. 1, no. 1. — Pp. 41 — 47.
  50. Y. Takasaki, K. Tsuji, T. Hirai et al. // Materials Research Society Symposium Proceedings. — 1988. — Vol. 118. — Pp. 387−397.
  51. M. Hiramoto, K. Yoshimura, Y. Nakayama et al. Photocurrent multiplication in amorphous silicon carbide films.// Applied Physics Letters. — 1991.-Vol. 59, no. 16.-Pp. 1992−1994.
  52. M.Hiramoto, T. Imahigashi, M. Yokoyama. Photocurrent multiplication, in organic pigment films // Applied Physics Letters.— 1994, — Vol. 64, no. 2.-Pp. 187−189.
  53. M. Hiramoto, K. Nakayama, I. Sato et al. Photocurrent multiplication phenomena at organic/metal and organic/organic interfaces // Thin Solid Films. 1998. — Vol. 331. — Pp. 71−75.
  54. M. Hiramoto, A. Miki, M. Yoshida, M. Yokoyama. Photocurrent multiplication in organic single crystals // Applied Physics Letters. — 2002. — Vol. 81, no. 8.-Pp. 1500−1502.
  55. M. Hiramoto, S. Kawase, M. Yokoyama. Photoinduced Hole Injection Multiplication in p-Type Quinacridone Pigment Films // Japanese Journal of Applied Physics. 1996. — Vol. 35, no. Part 2, No. ЗА. — Pp. L349-L351.
  56. K. Nakayama, M. Hiramoto, M. Yokoyama. Photocurrent multiplication at organic-metal interface and surface morphology of organic films // Applied Physics Letters. 2000. — April. — Vol. 87, no. 7. — Pp. 3365−3369.
  57. M. Hiramoto, K. Nakayama, T. Katsume, M. Yokoyama. Field-activated structural traps at organic pigment/metal interfaces causing photocurrent multiplication phenomena // Applied Physics Letters. — 1998.— Vol. 73, no. 18. Pp. 2627−2629.
  58. M. Hiramoto, K. Suemori, M. Yokoyama. Influence of Oxygen on Photocurrent Multiplication Phenomenon at Organic/Metal Interface // Japanese Journal of Applied Physics. — 2003.— Vol. 42, no. Part 1, No. 4B. — Pp. 2495−2497.
  59. M. Hiramoto, K. Fujino, M. Yoshida, M. Yokoyama. Influence of Oxygen and Water on Photocurrent Multiplication in Organic Semiconductor Films // Japanese Journal of Applied Physics. — 2003. — Vol. 42, no. Part 1, No. 2A.- Pp. 672−675.
  60. H.G. Wagner, R.O. Loutfy, Hsiao C. Purification and Characterizationof Phthalocyanines // Journal of Materials Science.— 1982.— Vol. 17, no. 10.- Pp. 2781−2791.
  61. M. Hiramoto, K. Yoshimura, M. Yokoyama. Photomodulation of photocur-rent multiplication in a high gain amorphous silicon carbide film // Applied Physics Letters. 1992. — Vol. 60, no. 9. — Pp. 1102−1104.
  62. T. Katsume, M. Hiramoto, M. Yokoyama. High photon conversion in a light transducer combining organic electroluminescent diode with photoresponsive organic pigment film // Applied Physics Letters. — 1994. — Vol. 64, no. 19. Pp. 2546−2548.
  63. T. Katsume, M. Hiramoto, M. Yokoyama. Light amplification device using organic electroluminescent diode coupled with photoresponsive organic pigment film // Applied Physics Letters. — 1995.— Vol. 66, no. 22.— Pp. 2992 2994.
  64. K. Nakayama, M. Hiramoto, M. Yokoyama. A high-speed photocurrent multiplication device based on an organic double-layered structure // Applied Physics Letters. 2000. — Vol. 76, no. 9. — Pp. 1194−1196.
  65. Π’. Katsume, М. Hiramoto, М. Yokoyama. Photocurrent multiplication in naphthalene tetracarboxylic anhydride film at room temperature // Applied Physics Letters. — 1996. Vol. 69, no. 24. — Pp. 3722−3724.
  66. G. Matsunobu, Y. Oishi, M. Yokoyama, M. Hiramoto. High-speed multiplication-type photo detecting device using organic codeposited films / / Applied Physics Letters. 2002. — Vol. 81, no. 7. — Pp. 1321−1322.
  67. K. Nakayama, S. Fujimoto, M. Yokoyama. Charge-injection-controlled organic transistor // Applied Physics Letters. — 2003.— Vol. 82, no. 25.— Pp. 4584−4586.
  68. M. Chikamatsu, Y. Ichino, Y. Yoshida et al. Photoresponsive organic electroluminescent devices // Journal of Photochemistry and Photobiology. — 2003. —Vol. 158.-Pp. 215−218.
  69. J. Ni, T. Tano, Y. Ichino et al. Organic Light-Emitting Diode with TiOPc Layer—A New Multifunctional Optoelectronic Device // Japanese Journal of Applied Physics. — 2001.— Vol. 40, no. Part 2, No. 9A/B.— Pp. L948-L951.
  70. H. Schiff-Π¦ Annual Chemistry Supplement. 1864. — Vol. 3. — P. 343.
  71. M. J. О’Conner, Π’. O. West. Metal complexes of hydrogenated Schiff bases // Australian Journal of Chemistry. — 1967. — Vol. 20, no. 10. — Pp. 2077−2085.
  72. G. E. Batley, D. P. Graddon. Studies in the stereochemistry of zinc (II). VI. Zinc complexes with quadridentate Schiff bases // Australian Journal of Chemistry. 1967. — Vol. 20, no. 5. — Pp. 885−891.
  73. D. Hall, F. H. Moore. The Crystal Structure of NN'-Disalicylidene-ethylenediaminezinc (ii) Mono hydrate / / Journal of Chemistry Society (A). — 1966. — Pp. 1822−1824.
  74. M. Odoko, N. Tsuchida, N. Okabe. Bis-l-2,20-ethane-l, 3-diylbis (nitrilomethylidyne)] dipheriolatodizinc (II) // Acta Cryst. (E). — 2006. Vol. 62. — Pp. 708−709.
  75. L. Groenendaal, F. Jonas, D. Freitag et al. Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and its derivatives: past, present and future 11 Advanced Materials.- 2000, — Vol. 12, no. 7. — Pp. 481−494.
  76. N. Koch, A. Kahn, J. Swartz et al. Conjugated organic molecules on metal versus polymer electrodes: demonstration of a key energy level alignment mechanism // Applied Physics Letters. — 2003, — Vol. 82, no. 1.— Pp. 70−73.
  77. L. Lmdell, A. Burquel, F. Ij. E. Jakobsson et al. Transparent, Plastic, Low-Work-Function Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) Electrodes // Chemistry of Materials.- 2006.- Vol. 18, no. 18.- Pp. 4246−4252.
  78. A. Crispin X. Crispin, F.L.E. Jakobson. The origin of the high conductivity of poly (3,4-ethylenedioxythiophene)-poly (styrenesulfonate) (PE-DOT-PSS) plastic electrodes // Chemistry of Materials.— 2006.— Vol. 18.-P. 4354.
  79. M. Stolka, J. F. Yanus, D. M. Pai. Hole transport in solid solutions of a diamine in polycarbonate // The Journal of Physical Chemistry. — 1984. — Vol. 88, no. 20. Pp. 4707−4714.
  80. C. Adachi, T. Tsutsui, S. Saito. Organic electroluminescent device having a hole conductor as an emitting layer // Applied Physics Letters. — 1989. — Vol. 55, no. 15. — Pp. 1489−1491.
  81. Y. Qiu, J. Qiao. Photostability and morphological stability of hole transporting materials used in organic electroluminescence // Thin Solid Films. 2000. — Vol. 372, no. 1. — Pp. 265−270.
  82. K. Y. Lee, Y. K. Kim, О. K. Kwon et al. Thickness effects of conducting polymer as an ITO replacement on electroluminescent devices // Thin Solid Films. 2000. — Vol. 363, no. 1−2. — Pp. 225 — 228.
  83. C. Ionescu-Zanetti, A. Mechler, S.A. Carter, R. Lai. Semiconductive Polymer Blends: Correlating Structure with Transport Properties at the Nanoscale // Advanced Materials. — 2004. — Vol. 16, no. 5. — Pp. 385−389.
  84. S. Mizukami, H. Houjou, K. Sugaya et al. Fluorescence Color Modulation by Intramolecular and Intermolecular 7Π³-7Π³ Interactions in a Helical Zinc (II) β€’ Complex // Chemistry of Materials. — 2005. — Vol. 17, no. 1. — Pp. 50−56.
  85. X. Xu, Y. Liao, G. Yu et al. Charge Carrier Transporting, Photoluminescent, and Electroluminescent Properties of Zinc (II)-2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolate Complex / / Chemistry of Materials. 2007. — Vol. 19, no. 7. — Pp. 1740−1748.
  86. H.-Y. Zhang, K.-Q. Ye, J.-Y. Zhang et al. Di- and Tetranuclear Metal Complexes with Phenoxo Bridges: Synthesis, Structures, and Photoluminescent and Electroluminescent Properties // Inorganic Chemistry. — 2006. — Vol. 45, no. 4.-Pp. 1745−1753.
  87. R. G. Kepler. Charge Carrier Production and Mobility in Anthracene Crystals // Physycal Review.— I960. —Aug. — Vol. 119, no. 4.— Pp. 1226−1229.
  88. J. C. Scott, L. Th. Pautmeier, L. B. Schein. Mean mobilities of charge carriers in disordered media // Physycal Review B.-- 1992. — Oct. — Vol. 46, no. 13.-Pp. 8603−8606.
  89. P. W. M. Blom, M. J. M. de Jong, J. J. M. Vleggaar. Electron and hole transport in poly (p-phenylene vinylene) devices // Applied Physics Letters. 1996. Vol. 68, no. 23. — Pp. 3308−3310.
  90. G. G. Malliaras, Y. Shen, D. H. Dunlap et al. Nondispersive electron transport in Alq3 // Applied Physics Letters. — 2001. — Vol. 79, no. 16. — Pp. 2582−2584.
  91. Y. Hamada, N. Matsusue, H. Kanno et al. Improved Luminous Efficiency of Organic Light-Emitting Diodes by Carrier Trapping Dopants // Japanese^Journal -of Applied-Physics. — 2001.— Vol. 40, — no.-Part~2, No. -7B. — Pp. L753-L755.
  92. S. Capecchi, O. Renault, D.-G. Moon et al. High-efficiency organic electroluminescent devices using an organoterbium emitter // Advanced Materials. 2000. — Vol. 12, no. 21. — Pp. 1591−1594.
  93. S. W. Pyo, S. P. Lee, H. S. Lee et al. White-light-emitting organic electroluminescent devices using new chelate metal complex // Thin Solid Films. 2000. — Vol. 363, no. 1−2. — Pp. 232−235.
  94. X. Gong, S. Wang, G. C. Bazan, A. J. Heeger. Multilayer polymer eight-emitting diodes: white-light emission with high efficiency // Advanced Materials. 2005. — Vol. 17, no. 17. — Pp. 2053−2058.
  95. P. E. Burrows, Z. Shen, V. Bulovic et al. Relationship between electroluminescence and current transport in organic heterojunction light-emitting devices // Journal of Applied Physics. — 1996.— Vol. 79, no. 10.— Pp. 7991−8006.
  96. D. Zou, M. Yahiro, T. Tsutsui. Spontaneous and reverse-bias induced recovery behavior in organic electroluminescent diodes // Applied Physics Letters. 1998. — Vol. 72, no. 19. — Pp. 2484−2486.
  97. D. Zou, M. Yahiro, T. Tsutsui. Improvement of Current-Voltage Characteristics in Organic Light Emitting Diodes by Application of Reversed-Bias Voltage // Japanese Journal of Applied Physics.— 1998.— Vol. 37, no. Part 2, No. 11B. Pp. L1406-L1408.
  98. K. Nakayama, M. Hiramoto, M. Yokoyama. Direct tracing of the photocur-rent multiplication process in an organic pigment film // Journal of Applied Physics. 1998,-Vol. 84, no. 11.- Pp. 6154−6156.
  99. M. S. Sze. Physics of Semiconductor Dcviccs. — Wiley, New York, 1981. —
  100. S. Eliseeva, O. Kotova, O. Mirzov et al. Electroluminescent properties of the mixed-ligand complex of terbium salicylate with triphenylphosphine1. P. 552. oxide 11 Synthetic Metals. — 2004. Vol. 141. — Pp. 225−230.
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ