Разработка и исследование преобразователей давления и силы на основе оптического туннельного эффекта
Диссертация
Основными требованиями, предъявляемыми к современным общепромышленным преобразователям, являются: высокая стабильность характеристик во времени, высокая надежность, работоспособность в жестких условиях эксплуатации, высокая точность (малые основная и дополнительная — в основном, температурная — погрешности), минимальная трудоемкость производства. Основные дестабилизирующие факторы (температура… Читать ещё >
Список литературы
- Коптев Ю. Н., Гориш А. В. Датчиковая аппаратура для ракетно-космической техники // Радио-техника. 1995. № 10.
- Бусурин В. И., Носов Ю. Р. Волоконно-оптические датчики. М.: Энергоатомиздат, 1990. 256 с.
- Баринов И. Н., Мокров Е. А. Микрооптомеханический преобразователь давления // 7-я Междунар. Конф. «Авиация и космонавтика-2008». 2008. 236 с.
- S.J. Prosser, «Advances in Sensors for Aerospace Applications», Sensors and Actuators, vol. 37−38, no. 1−3, pp. 128−134.
- G. Smith, «The Application Of Micro technology To Sensors For The Automotive Industry», Microelectronics Journal, vol.28, no.4, pp.371−9, May 1997.
- W.P. Eaton and J.H. Smith, «Micromachined Pressure Sensors: Review And Recent Developments», Proceedings of the SPIE The International Society for Optical Engineering, vol. 3046, pp.30−41, 1997.
- S. Lee, et al, «Surface/bulk micromachining (SBM) process and deep trench oxide isolation method for MEMS», International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest, p.701−4, 5−8 Dec. 1999
- A.V. Chavan and K.D.Wise, «A Multi-Lead Vacuum-Sealed Capacitive Pressure Sensor», Technical Digest. Solid-State Sensor and Actuator Workshop, pp.212−15, 1998.
- R.S. Okojie, A.A. Ned, and A.D. Kurtz, «Operation Of Alpha (6H)-Sic Pressure Sensor At 500 Degrees C», Sensors and Actuators A (Physical), vol. A66, no. 1−3, pp.200−4, 1998.
- R. Ziermann, et al, «A High Temperature Pressure Sensor With Beta -Sic Piezoresistors On SOI Substrates», Tranducers 97., 1997 International Conference on 241 Solid-State Sensors and Actuators. Digest of Technical Papers, vol 2, pp.1411−14, 1997.
- Мокров Е. А., Баринов И. Н. Разработка высокотемпературных полупроводниковых датчиков давления // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2009. № 1.
- Neudeck P.G., Okojie R. S., Chen L.-Y. High- Temperature Electronics — A Role for Wide Bandgap Semiconductors? Proceedings of the IEEE. 2002. Vol. 90, no. 6
- Лебедев А., Сбруев С. SiC-электроника. Прошлое, настоящее, будущее // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2006. № 5.
- Hunter G. W., Neudeck P. G., Okojie R. S., Beheim G. M., Powell J. A. An Overview of High-Temperature Electronics and Sensor Development at NASA Glenn Research Center // J. Turbomach. Oct 2003. Vol. 125, Issue 4.
- Okojie R., Beheim G., Saad G., Savrun E. Characteristics of a Hermetic 6H-SIC pressure sensor at 600 °C // In Proc. of the AIAA Space 2001 Conference and Exposition. Albuquerque, NM. Aug 28−30, 2001.
- Wu C., Zorman C., Mehregany M. Fabrication and Testing of Bulk Micromachi-ned Silicon Carbide Piezoresistive Pressure Sensors for High Temperature Applications // IEEE Sensors Journal. 2006. 6, 2.
- Patricia M. NIEVA. New Trends on MEMS Sensor Technology for Harsh Environment Applications // Sensors & Transducers Journal. Special Issue. Oct 2007.
- Ziermann R., von Berg J., Obermeier E., Wischmeyer F., Niemann E., Moller H., Eickhoff M., Krotz G. High temperature piezoresistive ?-SiC-on-SOI pressure sensor with on chip SiC thermistor // Materials Science and Engineering. Vol. 61−62,30 July 1999.
- Wieczorek G., Schellin В., Obermeier E., Fagnani G., Drera L. SiC Based Pressure Sensor for High-Temperature Environments // IEEE Sensors 2007 Conference. Oct 28−31, 2007.
- Матузов А. В. Технология структур «карбид кремния кремний» для приборов микроэлектроники и микросистемной техники: дисс. канд. техн. наук. 05.27.2006.
- Ильин В. А., Матузов А. В., Петров А. С. Исследо-вание процесса получения гетероэпитаксиальных структур ЗС-карбида кремния на подложках кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2008. № 4.
- Гуревич О. С., Буряченко А. Г., Ранченко Г. С. Перспективы развития датчиков давления для авиационных и общепромышленных ГТД // Авиационно-космическая техника и технология. 2007. № 10.
- Е. Obermeier et al, «High Temperature Microsensors Based On Polycrystalline Diamond Thin Films», The Solid State Sensors and Actuators Workshop, pp. 178−181, 1995.
- D. Hammerschmidt et al, «A CMOS Piezoresistive Pressure Sensor With On-Chip Programming And Calibration», 1993 IEEE International SolidState Circuits Conference. Digest of Technical Papers, pp. 128−9, 1993.
- D. De Bruyker, A. Cozma, R. Puers, «A Combined Piezoresistive/Capacitive Pressure Sensor with Self-Test Function Based on Thermal Actuation», Sensors and Actuators A (Physical), vol. A66, no. 1−3, pp.7075, 1997. /
- Stuchebnikov V.M. SOS strain gauge sensors for force and pressure transducers. // Sensors & Actuators, 1991, v.28, No 3, pp. 207−213.
- Стучебников B.M. Тензорезисторные преобразователи на основе гетероэпитаксиальных структур «кремний на сапфире». // Измерения, контроль, автоматизация//Н.-т. сборник, 1983, № 1(45), с.30−42.
- Датчики преобразователи давления. // Номенклатурный каталог концерна Метран. Челябинск, 1995.
- High accuracy 4−20 mA sapphire sensor. // Bourns Pressure Transmitters (Каталог фирмы), 1995, p. 12.
- Бушев B.B., Николайчук О.JI., Стучебников В. М. Серия микроэлектронных датчиков давления МИДА. // Датчики и системы, 2000, № 1, с 21−27.
- Бущев Е. Е., Николайчук О. JL, Стучебников В. М. Серия микроэлектронных датчиков давления МИДА // Датчики и системы. 2000, -№ 1,-с. 21.
- Стучебников В.М. О нормировании температурной погрешности тензорезисторных полупроводниковых датчиков. // Датчики и системы, в печати.
- Датчики давления МТ-100. Преобразователи измерительные Сапфир-22М. // Номенклатурный каталог АО Манометр, М, 1996.
- Датчики преобразователи давления. // Номенклатурный каталог концерна Метран. Челябинск, Г995.
- High accuracy 4−20 mA sapphire sensor. // Bourns Pressure Transmitters (Каталог фирмы), 1995, p.12.
- Lefevre H., «the Fiber-optic Gyroscope», Artech House, 1993.
- Smith R. В., ed., «Selected Papers on Fiber-optic Gyroscopes», SPIE Milestone Series, Vol. MS8, 1989.
- Коркишко Ю. H., Федоров В. А., Прилуцкий В. E., Пономарев В. Г., Фенюк М. А., Марчук В. Г., Кострицкий С. М., Падерин Е. М. Высокоточный волоконно-оптический гироскоп с линейным цифровым. // Гироскопия и навигация. 2004. № 1, с. 69 82.
- Lin S/, Giallorienzi Т. G. Sensitivity analysis of the Sagnac-effect optical-fiber ring interferometer // Appl/ Optics/ 1979. V. 18. N 6. 915−931.
- Davis J. L., Ezekiel S. Techniques for shot-noise-limited inertial rotation measurement using a multiturn fiber sagnac interferometer // Proc. SPIE, 1978. V. 157. P. 131−143.
- Бадеева E.A., Гориш A.B., Крупкина, Т.Ю. Волоконно-оптический датчик давления на туннельном эффекте// Датчики и системы. 2005. № 8.
- Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1983. 721 с.
- Андреева JI.E., Пономарев С. Д. Расчет упругих элементов машин и приборов. М.: Машиностроение, 1980. 326 с.
- Тимошенко С.П. Пластинки и оболочки. М.: Гостехниздат, 1948.625 с.
- Eduard Ventsel, Theodor Krauthammer, «Thin plates and shells Theory, Analysis and Application», Marcel Dekker, Inc. 2001, -658 c.
- Бронштейн И.Н. Эллипс. // Квант. 1975. — № 1. с. 27 — 36.
- Вахитов Я. Ш. Теоретические основы электроакустики и электроакустическая аппаратура. М.: Искусство, 1982.
- Миловзоров О. В. К расчету оптоэлектронного преобразователя механических воздействий // Элементы, устройства и математическое обеспечение информационно-преобразовательных систем. Рязань: РРТИ, 1985. С. 76−78.
- Ландау Л.Д., Лившиц Е. М. Теореточеская физика. Теория упругости: М.: Наука. 1987. 248 с.
- Таблицы физических величин. Справочник / Под ред. акад. И. К. Кикоина. — М., Атомиздат, 1976. — 1008 с.
- Панич А.Е. Пьезокерамические актюаторы, Учебное пособие, Ростов-на-Дону, 2008, —159 с.
- Жилин В. Г. Волоконно-оптические измерительные преобразователи скорости и давления. —М.: Энергоамиздат, 1987. — 112 с.
- Шуберт Ф. Светодиоды / с англ. под ред. А. Э. Юновича. — 2-е изд. —М., ФИЗМАТЛИТ, 2008. — 496 с.
- Бобцов А.А., Бойков В. И., Быстров С. В., Григорьев В. В. Исполнительные устройства и системы для микроперемещений. — СПБ ГУ ИТМО, 2011, — 131 с.
- Piezo Ceramic Actuators and Custom Subassemblies // PIC Catalog PiezoelectricCeramicActuators, 2006, —56 c.
- Allan R. New applications open up for silicon sensors: a special report. — Electronics, 1980, vol. 53, N 24, p. 113.
- Kanthal AB., KANTHAL Thermostatic Bimetal Handbook, 2008, c134.
- Удалов H. П., Бусурин В. И. Основные конструирования и производства оптоэлектронных устройств автоматики. М.: Изд-во МАИ, 1982.
- Меркишин Г. В. Многооконные оптикоэлектронные датчики линейных размеров. М.: Радио и связь, 1986.
- Бусурин В. И., Шток К. В., Звей Нэй Зо. Преобразователи давления и силы на основе оптического туннельного эффекта // Приборы. 2010. № 2. с. 1−5.
- Бусурин В.И., Казарьян A.B., Чижов B.C., Звей Нэй Зо. Исследование характеристик преобразователей электрического напряжения и температуры на основе оптического туннелирования // Мехатроника, Автоматизация, Управления. 2011. № 12. с. 40−44.
- Бусурин В.И., Звей Нэй Зо. Моделирование и компенсация температурной погрешности преобразователя давления на основе оптического туннелирования // Вестник МАИ, 2012, № 1, с. 149−156.
- Бусурин В.И., Казарьян A.B., Жеглов М. А., Звей Нэй Зо. Моделирование преобразователя давления на основе оптического туннельного эффекта с настраиваемым диапазоном измерения // Вестник МАИ, 2012. № 4, с. 128−133.
- Патент на полезную модель № 111 643 «Преобразователь температуры на основе оптического туннельного эффекта» от 20 декабря 2011 г., Б.И. № 35. (Бусурин В.И., Жеглов М. А., Звей Нэй Зо, Казарьян A.B.).
- Патент на изобретение № 2 456 563 «Волоконно-оптический преобразователь давления с динамически настраиваемым диапазоном» от 20 июля 2013, Б.И. № 20. (Бусурин В.И., Жеглов М. А., Коробков В. В., Звей Нэй Зо).