Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Синтез и физико-химия поверхности твердых растворов системы ZnTe-CdTe

Диссертация: Синтез и физико-химия поверхности твердых растворов системы ZnTe-CdTe
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Научный и практический интерес к полупроводниковым твёрдым растворам халькогенидов цинка и кадмия обусловлен уникальными особенностями исходных бинарных соединений: высокой чувствительностью к различным излучениям в сочетании с радиационной устойчивостью, люминесцентными, пьезоэлектрическими и другими свойствами, а также возможностью их плавного изменения при варьировании соотношения компонентов… Читать ещё >

Синтез и физико-химия поверхности твердых растворов системы ZnTe-CdTe (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Объёмные свойства ZnTe, CdTe и их твёрдых растворов
    • 1. 2. Термодинамические характеристики
    • 1. 3. Химические свойства компонентов системы ZnTe-CdTe
    • 1. 4. Физические и электрофизические свойства
    • 1. 5. Поверхностные свойства бинарных компонентов системы ZnTe-CdTe
    • 1. 6. Методы получения твёрдых растворов ZnxCdi. xTe
    • 1. 7. Методы исследования кислотно-основных свойств поверхности твёрдых адсорбентов
  • Глава 2. Методика эксперимента
    • 2. 1. Исследуемые объекты и их получение
    • 2. 2. Способы идентификации твёрдых растворов
    • 2. 3. Исследования физико-химических свойств поверхности компонентов системы ZnTe-CdTe
    • 2. 4. Адсорбционно-десорбционные исследования поверхности компонентов системы ZnTe-CdTe
  • Глава 3. Результаты эксперимента
    • 3. 1. Идентификация твёрдых растворов
    • 3. 2. Исследования структуры и измерение удельной поверхности
    • 3. 3. Термодесорбция атмосферных газов с поверхности компонентов системы ZnTe-CdTe
    • 3. 4. Исследования поверхности твёрдых растворов ZnxCdi. xTe методом РФЭС после различных способов её обработки
    • 3. 5. Адсорбционно-десорбционные исследования свойств поверхности компонентов системы ZnTe-CdTe по отношению к СО2, Н20 и NH
    • 3. 6. Исследования электрофизических свойств поверхности компонентов системы ZnTe-CdTe при адсорбции газов
  • Глава 4. Обсуждение результатов
    • 4. 1. Состояние реальной поверхности компонентов системы ZnTe-CdTe
    • 4. 2. Природа активных центров поверхности и механизм адсорбционного взаимодействия с молекулами газов
    • 4. 3. Электрофизические свойства поверхности компонентов системы ZnTe-CdTe. Ill
    • 4. 4. Кислотно-основные свойства поверхности системы ZnTe-CdTe
  • Выводы

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность темы

Развитие современных автоматизированных систем управления технологическими процессами, экологический мониторинг, необходимость перехода на эффективные системы жизнеобеспечения с низким энергопотреблением ставят перед наукой задачу поиска новых материалов для микроэлектроники и разработки методов целенаправленного воздействия на их физические свойства. Творческий коллектив, возглавляемый профессором Кировской И. А., много лет целенаправленно решает задачи по разработке технологий синтеза и' исследованию физико-химических свойств многокомпонентных полупроводниковых систем. Проводимые исследования имеют цель выработать строго научный подход к описанию и прогнозированию свойств новых материалов [1−3].

Научный и практический интерес к полупроводниковым твёрдым растворам халькогенидов цинка и кадмия обусловлен уникальными особенностями исходных бинарных соединений: высокой чувствительностью к различным излучениям в сочетании с радиационной устойчивостью, люминесцентными, пьезоэлектрическими и другими свойствами, а также возможностью их плавного изменения при варьировании соотношения компонентов. Полупроводниковые твёрдые растворы ZnxCdi. xTe представляют собой перспективный материал для создания разнообразных оптоэлектронных и тепловизионных приборов [4]. Они широко используются в качестве материала подложки при выращивании эпитаксиальных гетероструктур CdxHg).xTe/ZnCdTe, на основе которых уже созданы матричные инфракрасные фотоприёмники, работающие в спектральном диапазоне 3−5 и 8−14 мкм [5]. Твёрдые растворы ZnxCdixTe зарекомендовали себя в качестве рабочих элементов многих приборов оптои микроэлектроники. Они используются для создания лазерных излучающих элементов, люминесцентных и электролюминесцентных экранов, являются перспективными материалами для фотои пьезопреобразователей, высокоэффективных детекторов большой площади для регистрации гамма-излучения. Для всех перечисленных областей применения твёрдых растворов ZnxCdi. xTe наиболее важной является информация как об изменении объёмных так и поверхностных свойств материалов. На сегодняшний день объёмные свойства достаточно хорошо изучены.

В то же время поверхностные свойства твёрдых растворов системы ZnTe-CdTe, знание которых открывает широкий спектр возможностей их практического применения нуждаются в исследовании. Какие-либо данные о них в литературе отсутствуют. Хотя принципиальная возможность создания на основе твёрдых растворов многокомпонентных алмазоподобных полупроводников сенсоров для газового анализа и активных катализаторов достаточно обоснована [6−8], реализация их невозможна без получения исчерпывающей информации о поверхностных свойствах системы ZnTe-CdTe, теоретически обоснованных выводов. Поэтому необходимо всестороннее изучение структуры поверхности, её химического состава, степени и характера взаимодействия с различными средами.

Отсутствие информации о физико-химических свойствах поверхности не позволяет в настоящее время ответить на ряд важнейших вопросов полупроводниковой техники и химической технологии. Практическая ценность названных объектов и необходимость знания их поверхностных свойств обусловливают необходимость выполненных в работе исследований и делают их актуальными.

Цель работы. Получить твёрдые растворы системы ZnTe-CdTe в новом технологическом режимеизучить, в сравнении с бинарными полупроводниками, физико-химическое состояние их поверхности: химический состав, адсорбционные и электрофизические свойстваоценить чувствительность поверхности к адсорбатам, отличающимся по электронной природе и являющимся типичными компонентами окружающей и технологических сред, определить возможности прогнозирования поверхностных свойств систем типа A" BVI-A" BV' для создания материалов для газового анализа.

В соответствии с сформулированной целью были поставлены следующие задачи: модернизировать технологию синтеза и получить непрерывный ряд твёрдых растворов замещения системы ZnTe-CdTe в форме порошков и плёнокизучить объёмные свойства компонентов системы (структурные, термографические, электрофизические) и аттестовать полученные твёрдые растворыисследовать химическое, кислотно-основное и электронное состояние поверхности, её адсорбционные, оптические (ИК-спектроскопические) и электронно-спектроскопические (РФЭ-спектроскопические) свойствана основе результатов выполненных исследований и литературных данных о реальной поверхности алмазоподобных полупроводников сделать заключение о механизмах взаимодействия поверхности компонентов системы ZnTe-CdTe с выбранными адсорбатами (СО2, Н20, NH3) — установить закономерности изменения с составом системы изученных объёмных и поверхностных свойств, взаимосвязь между нимисделать заключение о возможности прогнозирования поверхностных свойств многокомпонентных полупроводников типа (AnBvl)x (AnBVI)ix и создания высокочувствительных адсорбентов-первичных преобразователей сенсоров-датчиков- ¦ разработать практические. рекомендации по использованию полученных адсорбентов в полупроводниковом газовом анализе.

Научная новизна. Впервые изучены состав, электронные, кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности твёрдых растворов системы ZnxCdi. xTe по отношению к диоксиду углерода, воде и аммиаку, изучена зависимость электропроводности плёнок системы ZnTe-CdTe при адсорбции газов (NH3, С02) на их поверхности.

1. Модернизирована технология синтеза твёрдых растворов системы ZnTe-CdTe;

2. С использованием адсорбционной установки «Sorpty-1750» («Fisons», Италия) изучена структура поверхности, определена удельная поверхность полученных твёрдых растворов и бинарных соединений.

3. Впервые изучены термографические свойства одновременно бинарных (ZnTe, CdTe) и тройных (ZnxCdi.xTe) компонентов данной системы. Показано: форма кривых термограмм окисления твёрдых растворов на воздухе и положение экстремумов на них постепенно изменяются с увеличением содержания CdTe от характерных для ZnTe к характерным для CdTe, что дополнительно свидетельствует об образовании твёрдых растворов замещения.

4. Впервые исследованы физико-химические свойства поверхности компонентов системы:

— химический состав и кислотно-основные;

— электронно-спектроскопические (РФЭ-спектроскопические) и оптические (ИК-спектроскопические) при различных обработках поверхности (при выполнении ИК-спектроскопических исследований была усовершенствована методика снятия ИК-спектров МНПВО);

— адсорбционные и электрофизические по отношению к СОг, Н20 и NH3.

5. Подтверждён механизм и выявлены закономерности адсорбционного взаимодействия в зависимости от условий, природы адсорбата и состава системы.

6. Получены диаграммы состояния «поверхностная характеристика (кислотно-основная, адсорбционная, электрофизическая) — состав» .

7. Установлена взаимосвязь между закономерностями изменения с составом кислотно-основных, адсорбционных, электрофизических свойств поверхности.

8. Показаны возможности:

— моделирования зависимостей «свойство-состав» для систем типа.

— прогнозирования адсорбционных свойств трёхкомпонентных твёрдых растворов (AIIBVI)x (AIIBVI)i.x на основе зависимостей «свойство-состав» и объёмных, поверхностных свойств исходных бинарных соединений;

— использования твёрдого раствора состава (ZnTe)x (CdTe)i.x в качестве материала для сенсора-датчика на СОг.

Защищаемые положения:

1. Результаты получения и аттестации твёрдых растворов замещения системы ZnTe-CdTe.

2. Основные выводы о химическом составе и электронно-спектроскопических свойствах поверхности твёрдых растворов и бинарных компонентов данной системы. Установленные специфические особенности в поведении поверхности твёрдых растворов.

3.

Заключение

о механизмах и закономерностях взаимодействия поверхности изученных адсорбентов с диоксидом углерода, водой и аммиаком.

4. Взаимосвязь основных опытных зависимостей кислотно-основных, адсорбционных и электронных свойств как результат единой природы активных центров и поверхностных состояний.

5. Диаграммы состояния «свойство-состав» и способ прогнозирования адсорбционных свойств и поверхностной чувствительности компонентов системы типа AIIBVI-AIIBVI к различным по природе газам и возможности создания эффективных материалов для их анализа.

6. Рекомендации по созданию на основе полученных новых материалов активных и селективных сенсоров-датчиков.

7. Результаты испытания созданных сенсоров-датчиков на микропримеси С02 и NH3.

Практическая значимость работы.

1. Модернизирована технология получения твёрдых растворов ZnxCd[.xTe в форме порошков и плёнок. Найдены оптимальные условия и режимы синтеза, обеспечивающие минимальный разброс параметров решётки. Установлен температурный режим вакуумной обработки образцов твёрдых растворов ZnxCd).xTe без нарушения стехиометрии их поверхности.

2. На основе анализа диаграмм «физическое или физико-химическое свойство-состав» предложен способ прогнозирования поверхностной чувствительности компонентов системы ZnTe-CdTe и ей подобных.

3. Создан новый материал — твёрдый раствор состава Zno, iCdo, 9Te с повышенной адсорбционной активностью по отношению к диоксиду углерода.

4. С использованием данного материала в качестве первичного преобразователя предложен и испытан сенсор-датчик на микропримеси С02.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на: III Международной научно-технической конференции «Динамика систем, механизмов и машин», -Омск, 1999; IV Международной научно-технической конференции «Динамика систем, механизмов и машин», -Омск, 2001; XL и XLI Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс», Химия, -Новосибирск: НГУ, 2002 и 2003 гV Международной научно-технической конференции «Динамика систем, механизмов и машин», -Омск, 2004; VII Конференции «Аналитика Сибири и Дальнего Востока», -Новосибирск, 2004; V Международной конференции «Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности», -М.: Машиностроение-1, 2006.

Результаты проведенных исследований опубликованы в 11 работах.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырёх глав, выводов и списка литературы.

Выводы.

1. Модернизирована технология и синтезированы твёрдые растворы системы ZnxCdi. xTe из исходных бинарных полупроводников ZnTe и CdTe. На основе рентгенографического, термографического анализов и данных РФЭС проведена их идентификация как твёрдых растворов замещения.

2. Методами ИКС, ИКС МНПВО, энерго-масс-спектрометрии и масс-спектрометрической термодесорбции исследован химический состав реальной поверхности образцов данной системы: после экспозиции в атмосфере на поверхности присутствуют адсорбированные молекулы воды, оксидов углерода и углеводородов;

— термическая обработка в вакууме снижает содержание поверхностных примесей до пренебрежимо малого;

— результаты анализа РФЭ-спектров доказывают присутствие на поверхности всех твёрдых растворов окисленной формы теллура, которая удаляется после аргоновой обработки.

3. С привлечением методов термодесорбции, ИК-спектроскопии и ИК-спектрометрии МНПВО изучена кинетика десорбции молекул С02, Н20 и NH3 с поверхности компонентов системы ZnTe-CdTe. Усовершенствована методика снятия ИК-спектров МНПВО, позволяющая исследовать адсорбционные свойства компонентов.

4. Новые данные, полученные с помощью современных методов исследования химии поверхности (РФЭС), подтвердили схемы механизмов адсорбционного взаимодействия NH3 и С02:

— показано, что при малых заполнениях аммиак адсорбируется по донорно-акцепторному механизму на лыоисовских кислотных центрах, образуя.

8 5+ комплексы типа A «<-NH3, а при больших заполнениях — на бренстедовских кислотных центрах с образованием водородной связи.

— подтверждён двойственный характер адсорбции молекул С02, образующих.

С С. ti 5 на поверхности адсорбентов структуры: А <-0=СО и В°-«С02°» .

— выявлено участие поверхностных дефектов в образовании прочных форм связи и повышение их роли при переходе от бинарных компонентов к твёрдым растворам.

5. Анализ диаграмм «изменение электропроводности-состав» позволил предложить твёрдый раствор Zn0, iCdo, 9Te как наиболее чувствительный адсорбент-первичный преобразователь сенсора-датчика на микропримеси С02. Созданный сенсор-датчик прошёл лабораторные испытания.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.А. Возможные пути регулирования свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации // Изв. РАН. Неорганические материалы, -1994. -Т.30, № 2 -с. 147−152.
  2. И.А. Химическое состояние реальной соединений типа AnBvl // Изв. АН СССР. Неорганические материалы, -1989. -Т.25, № 9 -с. 1472−1476.
  3. И.А. Прогнозы поведения поверхности твёрдых растворов алмазоподобных полупроводников // ЖФХ -1985. -Т.59, № 1 -с. 194−196.
  4. Е.А. Paten, М.Н. Kalisher, G.R. Chapman, J.M. Fulton, C.Y. Huang, P.R. Norton, V. Rey, S.Sen. J. Vac. Sci. Technol., B9, 1746 (1991)
  5. S.M. Johnson, M.H. Kalisher, W.L. Ahlgren, J.B. James, C.A. Cockrum. Appl. Phys. Lett., 56,946 (1990)
  6. И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твёрдые растворы. -Томск: ТГУ, 1984. -116 с.
  7. И.А., Буданова Е. М. Кислотно-основные и каталитические свойства поверхности твёрдых растворов ZnSe-CdSe // ЖФХ -2002. -Т.76, № 4 -с. 667−671.
  8. И.А., Азарова О. П. Электрофизические и адсорбционные свойства образцов системы InSb-ZnSe // ЖФХ -2003. -Т.39, № 12 -с. 14 431 447.
  9. Полупроводниковые твёрдые растворы и их применение / Н. Н. Берченко, B.C. Кревс, В.Г. Средин- Под ред. В. Г. Средина. -М.: Воениздат, 1982.-208 е., ил.
  10. Г. С., Томашик В. Н., Мизецкая И. Б. Тройная взаимная система CdTe+ZnSe→CdSe+ZnTe // Изв. АН СССР. сер. Неорган, материалы. 1978. — Т. 14, № 3. — С. 441 — 445.
  11. П.Томашик В. Н. Исследование физико-химического взаимодействия между халькогенидами цинка и кадмия: Дис. канд. хим. наук. — Киев, 1978. -123 с.
  12. Я.И., Крестовников А. Н., Горбов С. И. Термодинамика в цветной металлургии. М: Металлургия. -1974. — Т. 6. — С. 91.
  13. Электроника: Энциклопедии, словарь / Гл. редакторВ.Г. Колесников -М.: Советская энциклопедия, 1991.-688 е.: ил.
  14. М.Полу проводниковые соединения, их получение и свойства / Абрикосов Н. Х., Банкина В. Ф. и др. Под ред. Н. Х. Абрикосова М.: Наука, 1967.- 176 с.
  15. В. И., Томашик В. Н., Томашик 3. Ф. Термодинамическая2 6оценка взаимодействия соединении, А В и халькогенидов олова//Известия АН СССР, Неорган, материалы. 1979. — Т. 15, № 1. — С. 42 — 44.
  16. М. Р. Термодинамика, приготовление материалов и1. Л /Гвыращивание кристаллов//Физика и химия соединений, А В: Пер. с англ. / Под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1970. — С. 65 — 96.
  17. Morehead F.F., Mandel G.—Phys. Lett., 1964, v. 10, p.5.
  18. Morehead F.F., Mandel G.— Appl. Phys. Lett., 1964, v.5, p.53. .
  19. В.М.Глазов, С. Н. Чижевская Жидкие полупроводники — М.: Наука 1967(19)1. У й
  20. Рот B. J1. Кристаллография // Физика и химия соединений, А В. М.: Мир, 1970.-С. 97- 134.
  21. Дж. Химическая связь и строение. М.: Мир, 1966. — С. 248.
  22. Я.А., Домашевская Э. П. Природа химической связи в полупроводниковых соединениях А2В6 // Всесоюз. совещ. по полупроводн. соед. А2В6 и их применению: Тез. докл. Киев, 1966. — С. 4 -5.
  23. Неорганическая химия: Уч. пособие для студентов вузов / Оленин С. С., Фадеев Г. Н. М.:Высш. Школа, 1979. — 383 с.
  24. И. В. Синтез и исследование некоторых физико -химических свойств теллуридов и селенидов цинка и кадмия: Дис. канд. хим. наук. М., 1960. — 192 с,
  25. Анализ полупроводниковых сплавов / Под ред. В. А. Оболончика. -М.: Металлургия, 1975. 239 с.
  26. В. А. Селениды. М.: Металлургия, 1973. — 189 с.
  27. А. С. Некоторые вопросы окисления халькогенидов в связи с устойчивостью образующихся кислородсодержащих фаз // Химия и физика халькогенидов. Киев: Наукова думка, 1977. — С. 79 — 82.
  28. Taimni J.K. Thermolysis of selenides of gold, tin, iridium, molybdenum, indium, cadmium, bismuth, lead and zinc precipitated by sodium selenide // Raksn pal Ram. J. Pract. Chem. 1965. — Vol. 27, N. 3 — 4. — P. 171 — 178.
  29. JI. А., Александрова JI. А., Алексеева В. Я. Окисление пленок А2В6 в колонке электронографа. Л., 1986. — 14 с. — Деп. в ВИНИТИ 12.03.86, № 1711-В.
  30. А. И. Свойства реальной поверхности и вопросы получения халькогенидов цинка и некоторых твёрдых растворов: Автореф. дис. канд. хим. наук. Томск, 1979. — 16 с.
  31. S.I., Tsurkan А.Е., Maksimova O.G. — Phys. Stat. Sol., 1970, v. 37, p. K9.
  32. H.H., Янович В. Д. -Весщ АН БССР: Сер. Физ.-мат. наук, 1977, № 5, с. 82.
  33. Кот М.В., Тырзиу В. Г. Оптические свойства тонких слоев системы ZnSe-CdSe и ZnTe-CdTe, полученных методом «клин на клин» // Полупроводниковые соединения и их твердые растворы. Кишинев, 1970. -С. 31−38.
  34. И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твёрдые растворы. Томск: Изд-во Томск, ун-та, 1984. -113 с.
  35. Х.Х. Исследование диффузии и растворимости //Физика и химия соединений A11 BVI: Пер. с англ. / Под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1970.-С. 178−204.
  36. В.А., Снитко О. В. и др. ФТТ 1974, т. 16, с. 1373.
  37. Turska I. Electron. -Technology, 1972, v. 5, p. 69.
  38. H. А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. радио, 1968. — 267 с.
  39. .Ф. О роли современных структурно-динамических представлений в исследовании полупроводников— М.: Изд-во АН СССР, 1961-С.5−17.
  40. Ю.П. Закономерности поведения полупроводников и диэлектриков в связи с отклонением от стехиометрии // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1973. — Т. 9, № 7. — С. 1089 — 1093.
  41. Morehead F.F., Mandel G. Phys.Lett., 1964, v.10, p.5.
  42. Morehead F.F., Mandel G. Appl. Phys.Lett., 1964, v.5, p.53.
  43. В. Физическая химия дефектов // Физика и химия соединении A11 BVI: Пер. с англ. / Под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1970. — С. 175 -178.
  44. Г. М., Рувинский М. А. -ФТП, 1971 т. 5, с. 742.
  45. С.И., Цуркан А. Е., Максимова О. Г. — В кн.: Сложные алмазоподобные полупроводники и их свойства. — Кишинев: Изд. Штиинца, 1971. с. 12.
  46. Surface vacancies in 1I-VI and III-V zinc blende semiconductors / Daw M.S., Smith D.L., Swarts C.A., McGill T.C.// J. Vac. Sci. and Thechnol., 1981. -V.19, N.3. P. 508 -512.
  47. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Под ред. Н. Х. Абрикосова. -М.: Наука, 1975.-219 с.
  48. Халькогениды цинка, кадмия, ртути / Под ред. А. В. Ванюкова, Г. В. Иденбаум. М.: Металлургия, 1973. — 162 с.
  49. Г. А. Ильчук, В.И. Иванов-Омский, В. Ю. Рудь и др. Получение и оптоэлектронные явления в монокристаллах ZnTe и барьерах Шотки на их основе // Физика и техника полупроводников. 2000. -Т.34, № 11. -С. 13 271 332
  50. В.Н. Бабенцов, З. К. Власенко, А. И. Власенко, А. В. Любченко Распределение мелкой донорной примеси в пластине р-CdTe при её отжиге в парах Cd // Физика и техника полупроводников.-1996. -Т.31, № 5. -С.523−525
  51. S.Seto, A. Tanaka, Y. Masa, S. Dairaku, M. Kawashima, Appl. Phys. Lett., 53,1524.1988.
  52. Н.В.Агринская, B.B. Шашкова. //Физика и техника полупроводников. -1988.-22.-С.1248
  53. P. Gheuvart, U.E. Hanani, D. Schneider, R Tribolet. J. Cryst. Growth, 101, 270,1990.
  54. E. Molva, J.P. Chamonal, J.L. Pautrat. Phys.St.Col. B, 109, 635, 1982.
  55. И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ. Иркутск: Изд-во Иркут. ун-та, 1988.- 169 с.
  56. Физика соединений АИВУ| / Под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейкмана М.: Наука, 1986.
  57. Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов М.: Мир, 1969.
  58. С.М. Пинтус, С. И. Стёпин, А. И. Торопов, Е. М. Труханов. Препринт 5−86. Новосибирск, ИФП СО АН СССР, НГУ, 1986.
  59. А.И. Белогорохов, В. М. Лакеенков, Л. И. Белогорохова. Оптические свойства монокристаллов Cdi. xZnxTe в инфракрасном диапазоне длин волн// Физика и техника полупроводников.-2001. -Т.35, № 7. -С.808−811.
  60. Н.К. Морозова, И. А. Каретников и др. Зависимость свойств кристаллов CdixZnxTe от типа собственных дефектов и форм присутствия кислорода // Физика и техника полупроводников. 1999. -Т.ЗЗ, № 5. -С.569−573.
  61. D. Ohimann, М. Mazilu, В. Honerlage. J.Appl. Phys. 82, 1355, 1997.
  62. A.J. Syllaios, P.-K. Liao, B.J. Greene, H.F. Schaake, H.-Y. Liu, G. Westphal. J. Electron. Mater., 26, 567, 1997.
  63. J. Zhu, X. Zhang, B. Li, J. Chu. Infr. Phys. Techn., 40, 411, 1999.
  64. Н.К. Морозова, И. А. Каретников и др. Зависимость свойств кристаллов ZnxCd. xTe от типа собственных точечных дефектов и форм присутствия кислорода// Физика и техника полупроводников. -1999. -Т.ЗЗ, № 5. -С.569−573.
  65. В. В. Адсорбционные взаимодействия водорода и оксидал /гуглерода (П) на поверхности бинарных соединений типа, А В: Дис. канд. хим. наук. Омск, 1986.- 136 с.
  66. И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа А2В6 / Неорганические материалы. 1989. — Т. 25, № 9. -С. 1472- 1476.
  67. И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск: Изд-во Иркут. ун-та, 1984. — 140 с.
  68. Л.Г., Кировская И. А. Адсорбция водорода и кислорода селенидом цинка // Кинетика и катализ. -1964. Т. 5, № 3. — С. 546−547.
  69. Л. Г., Кировская И. А. Теплоты адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки//Журн. физич. химии. 1966. — Т. 40, № 3.-С. 609−613.
  70. И. А., Майдановская Л. Г. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки //Жури, физич. химии. 1968. — Т. 42, № И.-С. 2911 -2915.
  71. И.А., Майдановская Л. Г., Соловьева Н. В. Адсорбция смесей газов на изоэлектронных аналогах германия //Журн. физич. химии. -1968.-Т. 42, № 5.-С. 1196- 1200.
  72. Адсорбция окиси углерода на полупроводниках типа цинковой обманки / Кировская И. А., Майдановская Л. Г., Князева Э. И. и др. // Журн. физич. химии. -1970. Т. 44, № 5. — С. 1260 — 1266.
  73. И. А. Об адсорбции смесей близких и различных по электронной природе газов на изоэлектронных аналогах германия // Журн. физич. химии.-1970.-Т. 44, № 1.-С. 159- 165.
  74. Взаимодействие водорода и двуокиси углерода на поверхности алмазоподобных полупроводников/И.А. Кировская, Л. Н. Пименова, И. В. Вотякова, Н. Н. Шарангович //Журн. физич. химии, 1978 Т. 52, № 9- С. 2356−2360.
  75. И. А., Зелева Г. М. О взаимодействии водорода и кислорода на поверхности алмазоподобных полупроводников//Журн. физич. химии.- 1978.-Т. 52, № 7.-С. 1744- 1747.
  76. И. А., Пименова Л. Н. Магнитные исследования адсорбции на поверхности алмазоподобных полупроводников //Сорбция и хроматография. М.: Наука. — 1979. — С. 54 — 57.
  77. Л. Н. Адсорбционные взаимодействия водорода и двуокиси углерода на халькогенидах цинка и их твердых растворах: Дис. канд. хим. наук.-Томск, 1975. 157 с.
  78. Магнитные исследования поверхностных свойств бинарных алмазоподобных полупроводников/ И. А. Кировская, JI. Н. Пименова, В. В. Сараев и др. //Журн. физич. химии, 1980.-Т. 54, № 1.-С. 130- 134.
  79. В.В., Кировская И. А. О механизме взаимодействия2 6водорода с поверхностью соединений типа, А В // Журн. физич. химии, 1988. -Т. 62,№ 8. -С. 1648- 1651.
  80. А. В. Кислотно-основные свойства поверхности бинарных и более сложных алмазоподобных полупроводников. Дис. канд. хим. наук. -Омск, 1981.- 128 с.
  81. И. А., Пименова JI. Н., Крюков В. А. Адсорбция компонентов реакции разложения муравьиной кислоты на поликристаллах селенида цинка //Журн. физ.химии. 1974. — Т. 48, № 11. — С. 2825 — 2829.
  82. И. А. Адсорбционные, каталитические и электрофизические свойства полупроводников со структурой цинковой обманки: Автореф. дис. канд. хим. наук. Томск, 1964. — 16 с.
  83. И. А., Шмидт Е. А. Адсорбция газов и их смесей на пленках селенида цинка //Журнал физической химии. 1975. — Т. 49, № 2. -С. 428−430.
  84. Л.Г., Кировская И. А. Исследование электропроводности и адсорбции газов на полупроводниках со структурой цинковой обманки // Кинетика и катализ. -1964. Т. 5, № 6. — С. 1049−1055.
  85. В.В., Смынтына В. А. Нестабильность свойств поверхности иобъема тонких слоев селенида кадмия в присутствии кислорода // Физика, 2 6химия и техническое применение полупроводников, А В. Одесса. — 1976. -С. 180−182.
  86. Т.Т., Лазнева Э. Ф. Фотоактивированная десорбция кислорода с поверхности сульфида и селенида кадмия // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. 1979. — Т. 43, № 3. — С. 473 — 477.
  87. Ю.А., Смынтына В. А., Сердюк В. В. Свойства реальной поверхности тонких пленок селенида кадмия, легированных атомами индия и селена // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. — № 1. — С. 93−98.
  88. В.А. Кинетика электронно-молекулярных процессов на поверхности полупроводниковых пленок // Поверхность. Физика, химия, механика. 1985. — № 9. — С. 54−59.
  89. Н. А., Котович В. А., Франк Каменецкий В. А. О совместной кристаллизации гексагонального селенида кадмия с ZnSe, In As и In2Se3 // Журн. техн. физики. — Т. 25, в. 14. — 1955. — С. 2419 — 2421.
  90. Hermon Н., James R.B., Komar V. et al.// Nucl. Instr. and Meth. A.1999. V.428.P.30.
  91. Fougeres P., Siffert P., Hegeali M. et al.// Nucl. Instr. and Meth. A.1999. V.428.P.38.
  92. В.К.Комарь, Д. П. Наливайко и др. Выращивание и исследование кристаллов CdZnTe, полученных методом Бриджмена при высоком давлении в одно- и многозонных печах // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. № 3. С. 94−99.
  93. Doty F.P., Butler J.F. et al.// J.Vac.Sci.Technol. В. 1992.V. 10(4). p. 1418.
  94. Kozielski M.I.—J. Cryst. Growth, 1975, y. 30, p. 86.
  95. Е.Ф., Григорович Г. М., Средин В. Г. и др.— ФТТ, 1970, т. 12, с. 2913.
  96. Н.И., Мизецкая И. Б., Олейник Г. С. — Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы, 1971, т.7, с. 757.
  97. Smith D.L., Pickhard V.Y.— J. Appl. Phys., 1975, v.46, p.2366.
  98. Н.И., Кипень A.A., Мыхаськив O.B.— ФТП, 1975, т.9, с. 1193.
  99. Itoh К.—J. Phys. Soc. Japan, 1967, v.22, p. l 119.
  100. J.L., Stelzer E.L. — J. Electron. Mater., 1978, v.7, p.65.
  101. M.C., Витриховский Н. И., Гоер Д.Б.— УФЖ, 1970. т. 15, с. 585. (105)
  102. Congiu A., Manca P., Spiga А.— Nuovo Cimento, 1971. v. В5, p.204.
  103. Л.Г., Панасюк Е. И., Федоров Д. Л. и др.— ФТП, 1976, т. 10, с. 1830.
  104. М. Р. Термодинамика, приготовление материалов и2 6выращивание кристаллов//Физика и химия соединений, А В: Пер. с англ./Под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1970. — С. 65 — 96.
  105. Piper W.W., Polish S.J. The growth of single crystals of A2B6 compound from the vapour phase // J. Appl. Phys.- V. 32.- P. 1278−1332.
  106. А.А., Глебкин A.H. Усовершенствованный процесс2 6выращивания кристаллов соединении, А В // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1972. — Т. 8, № 10. — С. 1730 — 1733.2 6
  107. М.Н., Колчин А. А. Кристаллизация соединений, А В методом CVD 111 Всесоюз. конф. по росту кристаллов: Симп. по молекулярно-лучевой эпитаксии (14−19 ноября): Расшир. тез. докл. М., 1988.-Т. 1.-С. 158−159.
  108. И.Б. Основные направления исследования полупроводниковых материалов на основе А2В6 // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1979. — Т. 15, № 6. — С. 1103 — 1105.
  109. М.Б., Карасик Н. Я., Прокатор Л. М. и др.— Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы, 1979, т. 15, с. 227.
  110. Burton L.C., Baron В., Hench Т. et al—J. Electron. Mater., 1978, v.7, p. l 59.
  111. Ohata K- Saraie J., Tanaka Т.— Jap. J. Appl. Phys., 1973, v. 12, p. 1641.
  112. В.А., Ежовский Ю. К., Каланкин И.П.— Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы, 1977, т.13, с. 250.
  113. В. Г. — ФТП, 1978. т.12. с. 1830.
  114. NedeogloD.— Phys. Stat. Sol., 1977. v. Ь80, p.421.
  115. Takafumi Y., Yunosike M., Shiggerr M.— J. Cryst. Growth, 1978, v.45, p.309.
  116. Pillai P.K.C., Pillai C.K., Mendiratta R.G.—J. Appl. Phys., 1979, v.50, p.972.
  117. Кот M.B., Тырзиу В. Г. О методике получения тонких слоев2 6 2 6переменного состава полупроводниковых систем типа, А В -А В // Полупроводниковые соединения и их твердые растворы. Кишинев, 1970. -С. 28−30.
  118. И.П., Алесковский В. Б., Симашкевич А.В.2 6
  119. Эпитаксиальные пленки соединений, А В Л.: ЛГУ, 1978.-310 с.
  120. J.M. — Thin Solid Films, 1977, v.44, p.241.
  121. Л.И., Биленький Б. Ф., Савицкий В. Г. и др. — Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы, 1974, т.6, с. 1130.
  122. В.Г., Писаревский В.К., Алексеенко Л. И. и др.— В кн.: Полупроводники с узкой запрещенной зоной: Материалы IV Всесоюз. симп.1. Львов: 1975, ч. П, с. 37.
  123. В.Г., Писаревский В.К., Алексеенко Л. И. и др.— В кн.: Полупроводники с узкой запрещенной зоной: Материалы IV Всесоюз. симп.1. Львов: 1975, ч. П, с. 49.
  124. В.Г., Алексеенко Л. И., Филатова А. К. — Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы, 1975, т.11, с. 1746.
  125. Иванов-Омский В.И., Огородников В. К., Сидорчук П.Г.— В кн.: Рост и легирование полупроводн. крист, и пленок. Новосибирск: Наука, 1977, ч. I, с. 141.
  126. Vanier Р.Е., Pollak Р.Н., Raccah J.E.— J. Electron. Mater., 1980, v.9, p.153.
  127. С.В., Смовж А. К., Каганович Э.Б.— Фотопотенциометры и функциональные фоторезисторы. М.: Сов. радио, 1978.
  128. ТанабеК. Твердые кислоты и основания .-М.: Мир, 1973.— 183 с.
  129. К.В. Связь кристаллических свойств алюмосиликатов с химическими свойствами поверхности // Ученые записки МГУ.— 1955- Т. 174.-С. 75−100.
  130. Tsuchiya Susumu, Katsube Hiroaki, Sakata Yoshihiso. The existence of basic sites on the surfaces of titanium oxide // Chem. Express. — 1990. — V. 5, N. 3. -p. 161−164.
  131. Murrell L.L. Dispenriere N.C. A modify Benesi titration procedure useful to quantity the Lewis and Brensted sites of solid asids // J. CataL— 1989 V. 117, N. 1.-p. 275−280.
  132. В. С. О кислотно-основных и каталитических свойствах оксидов бериллия, магния, цинка и кадмия: Автореф. дис. канд. хим. наук. -Томск, 1971.
  133. О.В., Фокина Е. А. Об измерении кислотно-щелочных свойств поверхности // Проблемы кинетики и катализа. — 1955. —Т. 8. С.248−252.
  134. Richardson R.L., Benson S.W. A study of the surface acidity of cracking catalysts // J. Phys. Chem. 1957. — V.61,N 4. — P.405−411.
  135. O.B. О каталитическом действии твердых оснований // Физика и физико-химия катализа. М.:Изд-во АН СССР, 1960. — С. 273−278.
  136. М. Определение кислотности поверхности // Экспериментальные методы исследования катализа. — М.:Мир, 1972. С. 362−402.
  137. Mamory A. The oxidation activity and acid-base properties of mixed oxide catalysts, containing titania // Bull. Chem. Soc. Jup—1976.— V. 490. P. 1328−1334.
  138. Определение числа активных центров на поверхности природных дисперсных алюмосиликатов различного строения/ М. В. Сычев,
  139. М.А.Лукашевич, В. В. Гончарук, Н. Г. Васильев // Укр. химич. журн. 1985. -Т.51, № 3. — С. 256−260.
  140. Нечипоренко А.П.,. Буренина Т. А., Кольцов С. И. Индикаторный метод исследования поверхностной кислотности твердых веществ // Журн. органич. химии. 1985.- Т. 55, № 9.- С. 1901−1902.
  141. А. В., Лыгин В. И. Инфракрасные спектры поверхностных соединений и адсорбированных веществ. М.: Наука, 1972. — 459 с.
  142. J. В. IR study of adsorption of ammonia on dry r)-alumina // J. Phys. Chem. 1965, — V. 69, N. 1.- P. 231−239.
  143. O.B., Киселев В. Ф. Адсорбция и катализ на переходных металлах и их оксидах.- М.: Химия, 1981.- 288 с.
  144. Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул: Пер. с англ./Под ред. В. И. Лыгина.-М.: Мир, 1969.-514 с.
  145. Физические методы исследования неорганических веществ: Учеб. пособие для студ. высш. учеб. заведений / Т. Г. Баличева и др.- Под ред. А. Б. Никольского М.: Издательский центр «Академия», 2006. — 448 с.
  146. И.А., Буданова Е. М. Исследование поверхности системы ZnSe-CdSe методом РФЭС // ЖФХ -2001. -Т.75, № 7 -с. 1310−1313.
  147. Luminescent probes of acidity in heterogeneous catalysts/P.Szedlacsek, S.L.Suib, G.S.Koermer et al.//J.Chem.Soc.Chem. Commun.- 1990 N 21.- P. 1531−1532.
  148. H.X., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В., Скуднова Е. В., Шелимова Л. Е. Полупроводниковые соединения, их получение и свойствами Наука, 1967.
  149. В.К., Мигаль В. П., Наливайко Д. П., Чугай О. Н. Диэлектрические свойства кристаллов Cd.xZnxTe, выращенных из расплава. //Неорг. материалы. Т. 37, № 5. — 2001. — С. 540−543.
  150. Д. М., Зевин Л. С. Рентгеновская дифрактометрия. М.: Гос. изд-во физ. — мат. лит-ры, 1963.
  151. С. Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу. М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит-ры, 1961.
  152. С. Е., Расторгуев JI. Н., Скаков 10. А. Рентгенографический иэлектронооптический анализ. Приложения-М.: Металлургия, 1970.
  153. Е.Ф., Григорович Г. М., Средин В. Г. и др. // ФТТ. Т. 12, — 1970.-С. 2913.
  154. А. Рентгенография кристаллов. М.: Гос. изд-во физ. — мат. лит-ры, 1961.
  155. Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений. -М.: Мир, 1971.
  156. С. Адсорбция газов и паров. Т.1. 1948. М. ИЛ. 781 с.
  157. С., Синг К. Адсорбция. Удельная поверхность. Пористость. М.: Мир. 1984. 310 с.
  158. В.Б., Оккель Л. Г., Малыгина Т. М., Слюдкина Н. С. // Приборы и техника эксперимента. 1997. Т.4. с. 133−136.
  159. V.A., Fenelonov V.B., Okkel L.G., Gulyaeva T.I., Antonicheva N.V., Sludkina N.S. //Applied Catalysis A: General, 172 (1998) с 7−13.
  160. E.M. Кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности полупроводниковых твёрдых растворов системы ZnSe-CdSe: Дис. канд. хим. наук. Омск, 1999.
  161. Ф.М., Ильинская А. А. Лабораторные методы получения чистых газов-М.: Госхимиздат, 1963.
  162. Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ./ Под ред. В. И. Раховского -М.: Мир, 1989. 564 с.
  163. В.И., Розанов В. В. Исследование взаимодействия адсорбат-адсорбент и механизма гетерогенно-каталитических реакций методом термодесорбции // Пробл. кинетики и катализа М.: Наука, 1979-В.17.-С. 128- 149.
  164. R. Н., Application of thermal desorption methods in Studies of Catalysis// Surface Sci. 1973. — V. 36, № 1.- P. 195−224.
  165. И.А., Буданова Е. М. Химическое состояние поверхности компонентов системы ZnSe-CdSe // Журнал физической химии Т. 75, № 10. -2001.-С. 1837−1842.
  166. Е.Д. Кинетика электронных и адсорбционных процессов на поверхности арсенида галлия: Дис. канд. физ.-мат. наук. Омск, 1996.
  167. Эксперементальные методы исследования катализа / Под ред. Р. Андерсона.-М.: Мир, 1972.-328 с.
  168. M.R.Basila, Appl. Spectr. Rev, 1(2), 289 (1968)
  169. Гордон А, Форд P. Спутник химика: Пер. с англ.- М.: Мир, 1976. -С. 350−354. (541 с.)
  170. О.А. Старцева, И. А. Кировская. Исследование поверхности твёрдых растворов CdxHgi. xTe методом рентгенфотоэлектронной спектроскопии // Неорганические материалы, -1994. -Т.30, № 1 с. 134−135.
  171. Химия. Справочное руководство: Пер. с нем. / Под ред. Ф. Г. Гаврюченкова, М. И. Курочкиной, А. А. Потехина, В. А. Рабиновича. Л.: Химия, 1975.
  172. Г. Я, Тальнова Г. Н. Особенности испарения и изменениял ссостава тонких кристаллов и плёнок соединений, А В при вакуумном отжиге // ФТТ. 1982. — Т. 24, в. 1. — С. 307 — 309.
  173. , И.А. Кинетика термодесорбции воды с поверхности системы ZnTe-CdTe / И. А. Кировская, Ю. А. Мурашко // Омский научный вестник. Омск, 2004. — № 1 (26). — С. 62−65.
  174. , И.А. ИК-спектрометрические исследования поверхности компонентов системы ZnTe-CdTe / И. А. Кировская, Ю. А. Мурашко // Омский научный вестник. Омск, 2004. -№ 1 (26). — С. 66−68.
  175. , И.А. Получение и химический состав поверхности твёрдых растворов системы ZnTe-CdTe / И. А. Кировская, Ю. А. Мурашко // Омский научный вестник. Омск, 2003. — № 4 (25). — С.79−81.
  176. Н. П. Влияние термообработки на структуру и поверхностное сопро-тивление тонких плёнок теллурида кадмия. М.: 19 839 е.- Деп. в ВИНИТИ 1984 г., № 379 — 84 Деп.
  177. И.А. Адсорбционные процессы Иркутск: Изд-во Иркут. ун-та, 1995.-304 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!