Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Синтез и свойства нанодисперсного полупроводникового оксида индия, легированного оловом

Диссертация: Синтез и свойства нанодисперсного полупроводникового оксида индия, легированного оловом
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Ne уже при 300 °C. Однако, эти значения при выдержке порошков ITO при 300 °C в течение 1 часа, как и при увеличении температуры термообработкидо 500 °C, уменьшаются, а затем снова увеличиваются и достигают максимальных значений при 900 °C. Использование температур обработки порошков, получаемых гидролитическим, способом, выше 900° С в большинстве случаев не приводит к увеличению Ne. При… Читать ещё >

Синтез и свойства нанодисперсного полупроводникового оксида индия, легированного оловом (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Способы получения и свойства оксида индия (III), легированного оловом
    • 1. 1. Применение индия и его соединений
    • 1. 2. Способы синтеза поликристаллического оксида индия, легированного оловом
    • 1. 3. Влияние способов и условий синтеза поликристаллического оксида индия, легированного оловом, на его физико-химические свойства
      • 1. 3. 1. Структура оксида индия, легированного оловом. 1.3.2 Фазовый состав индийоловооксидных материалов
      • 1. 3. 3. Дисперсный состав поликристаллических ITO материалов
      • 1. 3. 4. Электрофизические и оптические свойства индийоловооксидных материалов
  • Выводы
  • 2. Методы получения и исследования веществ
    • 2. 1. Характеристики исходных веществ и способы получения продуктов для твердофазного синтеза. 2.1.1 Получение хлорида индия 1пС
      • 2. 1. 2. Получение нитрата индия 1п (Ж)з)з
      • 2. 1. 3. Получение нитрата олова
      • 2. 1. 4. Хлорид олова S11CI
      • 2. 1. 5. Золь-гель метод получения оксида индия, легированного оловом
      • 2. 1. 6. Приготовление смешанных кристаллов для термолизного способа получения оксида индия, легированного оловом
    • 2. 2. Способы анализа веществ
      • 2. 2. 1. Рентгеновский дифракционный метод анализа
      • 2. 2. 2. Термогравиметрический анализ
      • 2. 2. 3. ИК-спектрометрический метод анализа
      • 2. 2. 4. Потенциометрическое определение ионов (NO3)*, СГ и рН
      • 2. 2. 5. Растровая электронная микроскопия
      • 2. 2. 6. Хроматографический метод определения удельной поверхности поликристаллического оксида индия, легированного оловом
      • 2. 2. 7. Определение концентрации носителей заряда оптическим методом
      • 2. 2. 8. Метод рентгеновской фотоэлектронной и ОЖЭ-спектроскопии
      • 2. 2. 9. Методика определения пределов образования твердых растворов замещения, обладающих полупроводниковыми свойствами
  • 3. Процессы фазо- и структурообразования дисперсного оксида индия (III), легированного оловом, полученного золь-гель методом
    • 3. 1. Принципиальные схемы синтеза ITO материалов
    • 3. 2. Гелеобразование в системе In-Sn-O
    • 3. 3. Фазо-и структурообразование в системе In-Sn-O
    • 3. 4. Дисперсность и морфология материала
  • Выводы
  • 4. Расчет термодинамических параметров в системе In-Sn-O
    • 4. 1. Термодинамика нуклеации
    • 4. 2. Квантово-механическая оценка удельной теплоемкости нанодисперсных тел
    • 4. 3. Термодинамическая оценка образования химических соединений в системе In-Sn-O
  • Выводы
  • 5. Электронные и оптические свойства оксида индия (III), легированного оловом
    • 5. 1. Электронные свойства материала
    • 5. 2. Спектральные свойства
  • 6. Рекомендации по получению и применению материалов на основе нанодисперсного оксида индия, легированного оловом
    • 6. 1. Рекомендуемые технологические схемы и режимы
    • 6. 2. Изготовление красок
    • 6. 3. Газовые сенсоры
    • 6. 4. Перспективные области применения полупроводникового нанодисперсного оксида индия, легированного оловом

Актуальность работы. В настоящее время большой интерес вызывает проблема управления функциональными характеристиками таких металло-оксидных полупроводниковых материалов как 1П2О3, БпОг, ZnO, I^CbiSn, Sn02: Sb, ZnO: Al в. связи с широким применением их в различных отраслях промышленности. Одним из наиболее востребованных материалов этого класса является оксид индия, легированный оловом (ITO — indium tin oxide). Являясь широкозонным вырожденным полупроводником n-типа с высокой концентрацией и подвижностью свободных носителей заряда, он используется в качестве прозрачных электродов в приборах с зарядовой: связью и инжекцией заряда, в активных ипассивных компонентах фотоэлектронных приборов, в жидкокристаллических дисплеях (LCD — liquid crystal display), в качестве тепловых зеркал и в солнечных элементах большой площади, как газочувствительный материал сенсорной электроники, гетерогенный катализатор конверсии алканов, для создания селективных оптических пигментов и т. д. При этом электрические, оптические, адсорбционные свойства и каталитическая активность ITO материалов являются функцией их структуры, химического и фазового состава, которые, в свою очередь, определяются условиями получения. О дисперсных ITO материалах, в отличии от тонкопленочных, в литературе существуют лишь разрозненные сведения по методам получения и их свойствамОдной из перспективных технологий получения таких материалов является золь-гель технология, основанная на совместном осаждении гидроксидов металлов с последующей кристаллизацией оксидов при термической обработке. Технология достаточно проста и позволяет в широких пределах варьировать свойства получаемых материалов и при. известных соотношениях компонентов достигать значительной глубины их взаимодействия и дисперсности. Однако многие проблемы практического использования золь-гель синтеза в технологии получения дисперсных ITO материалов не могут быть решены из-за отсутствия его комплексных исследований, высокотемпературного отжига и физико-химических свойств формируемого при этом материала. Это затрудняет выбор оптимальных технологических режимов получения функциональных индийоло-вооксидных материалов и не позволяет вести их направленный синтез.

Одной из наиболее перспективных областей применения дисперсных ITO материалов может стать создание селективных оптических пигментов. Известно, что гранулометрический (дисперсный) состав пигментов оказывает большое влияние на оптические и технико-экономические характеристики. Для каждого пигмента существует свой оптически оптимальный размер частиц, при котором основные оптические свойства — рассеяние. Поглощение и отражение света — максимальны. Он лежит обычно в пределах 0,2 -1,0 мкм. Получаемый в ходе синтеза размер агрегатов пигмента составляет 0,2 — 40 мкм. Усредненным показателем дисперсности пигмента служит его л удельная поверхность, которая лежит в пределах 0,1 — 90 м /г. В этой связи весьма актуальным является исследование закономерностей формирования-оксида индия, легированного оловом, в процессе его синтеза, и изучение влияния технологических факторов на основные физико-химические свойства дисперсного материала, а именно: оптические, электронные, дисперсность и фазовый состав.

Предмет исследования. Данная работа посвящена изучению свойств дисперсных ITO материалов и их зависимости от условий их получения, а также исследованию и выявлению общих закономерностей формирования" таких материалов.

Данная работа проводилась в соответствии с планом научных исследований Томского8 государственного университета по приоритетным направлениям в науке и технике «Создание научных основ целенаправленного синтеза неорганических веществ и материалов» (№ FP 01.9.60 005 650), и в рамках научно-исследовательских работ СФТИ «Крикет» (№ГР 01.960.0.7 580) и «Корсар».

Цель работы — изучение физико-химических процессов формирования дисперсного оксида индия, легированного оловом, и установление взаимосвязи его электронных и оптических свойств с технологическими условиями синтеза.

Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи:

— изучить зависимости физико-химических свойств дисперсного оксида индия, легированного оловом, от природы и соотношения исходных индийи оловосодержащих реагентов;

— исследовать процессы фазои структурообразования в оксидной системе In-Sn-O при синтезе полупроводникового материала;

— установить взаимосвязь фазового состава и структуры нанокри-сталлического оксида индия, легированного оловом с его электронными и спектральными свойствами;

— выбрать технологические условия получения нанодисперсного поликристаллического оксида индия, легированного оловом, в качестве оптического пигмента для селективных покрытий ИК диапазона.

Научная новизна работы.

— Впервые установлено проявление наноструктурных эффектов в поликристаллическом нанодисперсном оксиде индия, легированном оловом.

— Выявлены особенности формирования ITO материала на стадии геле-образования в зависимости от содержания олова, приводящие к немонотонному изменению ряда физико-химических свойств ITO материалов (среднего размера кристаллитов, концентрации свободных носителей заряда, межплоскостных расстояний кристаллической решетки идр.).

— Проведена термодинамическая оценка процесса нуклеации при со-осаждении гидроксидов индия и олова и образования ряда химических соединений в системе In-Sn-O.

— Предложена методика определения области формирования твердых растворов замещения, обладающих полупроводниковыми свойствами;

— Выявлено образование фаз твердых растворов замещения ([Sn]<(0,75±0,01) ат. %), внедрения (вычитания) ((0,75±0,01)<[Sn]<(4±2) ат. %) и фазы Sn02 ([Sn]>4±2 ат. %) в системе In-Sn-O при 1000 °C.

— Найдена зависимость между спектральными, электронными свойствами нанодисперсного оксида индия, легированного оловом и его структурой, фазовым составом, условиями получения.

Научная и практическая значимость работы. Результаты проведенных исследований вносят существенный вклад в понимание механизма процессов, протекающих на различных стадиях синтеза дисперсного ITO материала, и могут быть полезны при решении ряда задач, развиваемой в настоящее время науки — нанохимии. Так:

— разработана методика определения области образования твердых растворов замещения, обладающих полупроводниковыми свойствами;

— установлена взаимосвязь между составом, структурой, электронными и спектральными свойствами ITO материалов в дисперсном состоянии и технологическими условиями их синтеза-.

— апробировано применение нанодисперсных ITO материалов для изготовления красок и газовых сенсоров и рассмотрены перспективные области использования этих материалов в целях фотокаталитического разделения изотопов.

На защиту выносятся: особенности фазои структурообразования дисперсного оксида индия, легированного оловом, и зависимость концентрации свободных носителей заряда, фазового состава и структуры материалов от условий их синтезаметодика определения области формирования твердых растворов замещения, обладающих полупроводниковыми свойствами, и области формирования твердых растворов в системе In-Sn-O при температуре 1000°Срезультаты термодинамических оценок процессов зарождения твердой фазы при совместном осаждении гидроксидов In (III) и Sn (IV) и образования химических соединений в системе In-Sn-O, а также квантово-механической оценки удельной теплоемкости нанодисперсного 1пгОз- - условия синтеза нанодисперсного оксида индия, легированного оловом, позволяющие получать материал со средним размером кристал.

20 литов 30−50 нм и концентрацией свободных носителей заряда 3,5−10 см'3 без дополнительной обработки в восстановительной атмосфере. Личный вклад автора в работы, выполненные в соавторстве и включенные в диссертацию, состоял в общей постановке задач, активном участии в проведении экспериментальных исследований, анализе и интерпретации полученных данных, написании статей.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на: 6-й Международной науч. конф. «Современные техника и технологии» (Томск, 2000);

38-й Международной научной конференции (Новосибирск, 2000) — - Международной науч. конф. «Молодежь и химия» (Красноярск, 2000);

6, 9 и 10 Всероссийских науч. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых — физиков (Томск 2000, Красноярск 2003, Москва 2004) — Second International conference on Inorganic materials (Santa Barbara USA, 2000);

УН Российской науч. конф. «Физика твердого тела» (Томск, 2000) — Международном науч. семинаре «Инновационные технологии» (Красноярск, 2001);

Российской научно-практической конф., посвященной 90-летию профессора В. В. Серебренникова (Томск, 2001);

Семинаре СО РАН — УрО РАН «Термодинамика и неорганические материалы» (Новосибирск, 2001);

Международной науч. конф. «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 2001);

Международной научно-технической конф. «Тонкие пленки и слоистые структуры» (Москва, 2002);

— Third International conference on Inorganic materials (Konstanz, Germany, 2002);

IV Школе-семинаре молодых ученых «Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития» (Томск, 2003) — Международной научно-технической школе-конф. «Молодые ученые — науке, технологиям и профессиональному образованию» (Москва, 2003);

— Российской молодежной научно-практической конф., посвященной 125-летию ТГУ (Томск, 2003);

12 Международной конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов (Томск, 2003);

Международной конф: «Современные проблемы физики и высокие технологии» (Томск, 2003);

II Российском межрегиональном симпозиуме с привлечением зарубежных специалистов «Нанотехнологии и фотонные кристаллы» (Калуга, 2003);

I Всероссийской науч. конф. студентов и молодых ученых «Перспективы развития фундаментальных наук» (Томск 2004). Публикации. По материалам диссертации опубликована 31 работа, в том числе 7 статей в реферируемых журналах.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка цитируемой литературы. Материал работы изложен на 140 страницах, включая 17 таблиц, содержит 60 рисунков и список литературы из 151 наименования.

Выводы.

Проведены оценки некоторых термодинамических параметров процессов нуклеации при соосаждении гидроксидов индия и олова и предложена вероятная модель золь-гель процесса в системе In-Sn-O. Установлено, что при концентрации олова менее 1 ат. % образование зародышей гидроксида. олова является термодинамически маловероятным и не должно происходить, а встраивание олова в решетку гидроксида индия происходит только посредством его захвата формирующейся кристаллической структурой гидроксида индия. Очевидно, что при величине отношения вероятностей образования индий — и оловосодержащих фаз близкой к единице, процесс роста зародышей формирующихся фаз гидроксидов In и Sn равновероятен, тогда как, при концентрации олова более 4 ат. % образование самостоятельных зародышевых структур оловосодержащей фазы становится термодинамически выгодным.

Квантово-механические оценки зависимости удельной теплоемкости оксида индия от размера частиц показали, что уменьшение размера частиц до нанометровых размеров должно приводить к увеличению удельной теплоемкости материала.

Термодинамическая оценка образования химических соединений в системе In-Sn-O показала, что в данной системе возможность образования химических соединений возрастает при увеличении температуры синтеза и содержания олова в материале.

5 ЭЛЕКТРОННЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОКСИДА ИНДИЯ (III), ЛЕГИРОВАННОГО ОЛОВОМ.

5.1. Электронные свойства материала.

Концентрация легирующей примеси в полупроводнике определяет концентрацию * свободных носителей заряда и их подвижность.

Введение

олова в кристаллическую решетку оксида индия в соответствии с теоретическими представлениями должно обеспечивать увеличение концентрации носителей заряда согласно [77] по уравнению: Ne = 3−1020[Sh], однако, как показано в.

77−79], такое изменение Ne выполняется только в ограниченной области значений концентрации введенного олова [Sn]. Дальнейшее увеличение [Sn] не приводит к увеличению Ne, а в некоторых случаях приводит к ее снижению.

В данной главе приводятся результаты исследований концентрации свободных носителей заряда в зависимости от количества введенной легирующей примеси — олова [ 13 8]. Определение концентрации свободных носителей проводилось по методике, описанной в главе 2, по положению минимума длины волны плазменного резонанса. Исследование полученных зависимостей свидетельствует о немонотонном характере изменения концентрации свободных носителей заряда в полупроводниковых ITO материалах независимо от.

Sh|, яг. %.

1- из хлоридных- 2 — из нитратных растворов солей.

Рисунок 5.1 — Зависимость концентрации свободных носителей заряда от содержания олова в ITO материалах, полученных обратным способом способа их получения и природы исходных реагентов (рисунок 5.1).

Применение прямого гидролитического способа позволяет достичь более высоких значений концентрации электронов в термообработанных продуктах осаждения, чем в случае применения обратного гидролитического способа. Увеличение температуры термообработки исходных продуктов до о о.

1100 С для термолиза солей и до -900 С для гидролитического способа приводит к увеличению значений Ne. При этом использование прямого гидролитического способа при рН = 7 с концентрацией Sn до 1% позволяет, получать пигменты с максимальными для рассматриваемой системы значениями.

Ne уже при 300 °C. Однако, эти значения при выдержке порошков ITO при 300 °C в течение 1 часа, как и при увеличении температуры термообработкидо 500 °C, уменьшаются, а затем снова увеличиваются и достигают максимальных значений при 900 °C. Использование температур обработки порошков, получаемых гидролитическим, способом, выше 900° С в большинстве случаев не приводит к увеличению Ne. При использованной скорости подъема температуры 1 град/мин время выдержки порошковТТО при: заданнойтемпературе заметно влияет на Ne при температурах до 500 °C. В области температур выше 700 °C определяющим технологическим параметром является не время выдержки, а значения температуры. Вероятно, эти данные можно объяснить, исходя из факта существования в решетке оксида индия вакансий кислорода, наряду с Sn (IV) поставляющих в зону проводимости полупроводника электроны. Количество таких вакансий определяется условиями синтеза и природой встроенных анионовВозможно, разложение основных хлорсодержащих солей способствует их образованию, а удаление нитрат-ионов с выделением кислорода, повышение температуры и длительности синтеза вызывает обратное действие. При этом влияние порядка при-ливания и типа исходных реагентов нивелируется при температурах отжига 950−1000°С. Более высокие значения Ne достигаются также при использовании хлоридных растворов, данный факт наглядно отображен в таблице 5.1.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

На основании проведенных физико-химических исследований установлены закономерности фазои структурообразования в системе In-Sn-O при различных условиях проведения синтеза.

— Показано, что независимо от природы используемых реагентов, наиболее тесное взаимодействие осаждающихся гидроксидов происходит в среде со значением рН.6−10, а при термической обработке продуктов соосаждения образуется дефектная структура 1п2Оз кубической модификации с измененными* по сравнению со стандартными значениями параметрами кристаллической решетки.

— Увеличение содержания олова в солянокислых растворах с рН 6−9 до 2 ат. %, а в азотнокислых растворах до 12 ат. %, при высокотемпературном отжиге (температуре порядка 1000°С) приводит к появлению в индийоловооксидных материалах фазы Sn02. При этом средний размер кристаллитов 1п2Оз на порядок больше аналогичной величины для Sn02.

— Исследования показали, что в системе In-Sn-O при температуре 1000 °C в области концентраций олова от 0 до (0,75±0,01) ат. % происходит формирование твердого раствора замещения, а в области концентраций олова от (0,75±0,01) до (4±2) ат. %, по-видимому происходит формирование твердых растворов внедрения (вычитания), при концентрации олова более (4±2) ат. % в системе In-Sn-O образуется сложная многофазная система, содержащая фазы твердого растворов замещения, внедрения (вычитания) и Sn02.

— Твердофазный синтез индийоловооксидных материалов из продуктов совместного гидролитического осаждения индия И: олова прямым способом происходит при термическом удалении встроенных из маточного раствора в структуру исходного геля основных солей и продуктов их термического разложения. При обратном гидролитическом осаждении образуются продукты, свободные от присутствия примесей и, следовательно, дальнейший синтез протекает без выделения в атмосферу различных токсичных соединений. При этом, чем выше рН среды, тем значительнее наблюдаемый эффект.

— В термообработанных выше 600 °C продуктах прямого соосаждения наблюдается формирование более мелких кристаллитов, чем в продуктах, полученных обратным гидролитическим способом.

— Установлена немонотонная зависимость изменения среднего размера кристаллитов, межплоскостных расстояний кристаллической решетки, концентрации свободных носителей в индийоловооксидных материалах от содержания в них легирующего компонента — олова. Существование такой зависимости обусловлено особенностями зарождения легированного геля и проявлением наноструктурных эффектов в исследованном материале.

Проведена оценка некоторых термодинамических параметров процессов ну клеации при соосаждении гидроксидов индия и олова и предложена вероятная модель золь-гель процесса в системе In-Sn-O. Установлено, что при концентрации олова менее 1 ат. % образование зародышей гидроксида олова является термодинамически невероятным и не должно происходить, а встраивание олова в решетку гидроксида индия происходит только посред-ствам его захвата формирующейся кристаллической структурой гидроксида индия. Очевидно, что при величине: отношения вероятностей образования индий — и оловосодержащих фаз близкой к единице, процесс роста зародышей формирующихся фаз гидроксидов In и Sn равновероятен, тогда как, при концентрации олова более 4 ат. % образование самостоятельных зародышевых структур оловосодержащей фазы становится термодинамически выгодным.

Исследованы электронные и спектральные свойства для индийоловооксидных материалов, получаемых в различных условиях твердофазного синтеза. Установлено, что:

— применение прямого гидролитического соосаждения гидроксидов индия"и олова щелочным реагентом, при использовании в качестве исходных хлоридных растворов, позволяет достичь наиболее высоких значений концентрации свободных электронов в конечных продуктах синтеза;

— в области температур до 600 °C определяющий вклад в концентрацию свободных носителей заряда вносит кислородная дефектность кристаллической структуры оксида индия, легированного оловомтогда как при более высоких температурах определяющим фактором является концентрация легирующей примеси;

Квантово-механическая оценка удельной теплоемкости наноразмерных поликристаллических материалов с учетом вклада атомов, находящихся в поверхностных слоях кристаллической решетки, показала возможность изменения удельной теплоемкости материала в зависимости — от размера кристаллита: Данный факт подтверждается изменением кинетических параметров образования оксида индия из его гидроксида в зависимости от размера кристаллита.

Термодинамические расчеты процесса нуклеации показали возможность неизотропного распределения легирующей, примеси — олова по диаметру частицы в момент образования совместно осаждаемого • геля. Экспериментально подтверждена повышенная сегрегация олова на поверхности кристаллитов ITO материала. При этом неизотропное ¦ перераспределение олова между объемом частицы и ее поверхностью происходит не только посредством температурной сегрегации олова, но и на стадии формирования легированного гидроксида.

Проведенные расчеты термодинамики образования химических соединений в системе In-Sn-O показали, что образование химических соединений в данной системе энергетически возрастает при увеличении температуры и концентрации олова.

Предложена технология получения поликристаллического оксида индия, легированного оловом. Оксид индия, легированный оловом, состоит из наноразмерных кристаллитов с минимальным содержанием посторонних примесей и высокой концентрацией свободных носителей заряда. Рассмотрены перспективные области применения ITO материала, применение таких материалов в целях создания селективных оптических пигментов и покрытий, газовых сенсоров.

Автор выражает глубокую признательность и благодарность своим научным руководителям Малиновской Татьяне Дмитриевне (к.х.н., с.н.с. СФТИ при ТГУ) и Кол паковой НинеАлександровне (д.х.н., профессор ТПУ) за неоценимый вклад, внесенный в процессе работы аспиранта над диссертацией. Отдельную благодарность автор выражает д.ф.-м.н., профессору ТГУ Найдену Евгению Петровичу за помощь в освоении методик рентгеновского дифракционного анализа и съемку рентгеновских спектров ITO материалов и д.ф.-м.н., профессору ТГУ Потекаеву Александру Ивановичу за весьма ценные консультации в области наноструктурных и наноразмерных эффектов.

Особую благодарность автор выражает заведующему кафедрой физической и аналитической химии ТПУ, к.х.н. Бакибаеву Абдигали Абдимана-повичу и декану химико-технологического факультета ТПУ, д.т.н., профессору Погребенкову Валерию Матвеевичу за оказанную поддержку, а также ректору Томского политехнического университета, д.т.н., профессору По-холкову Юрию Петровичу, поддержавшему проводимые исследования.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Hua, H. Sangdo, and et. al. Preparation and characterization of indium-doped nanocrystalline powders // Materials Chemistry and Physics. -1998.-56.-p. 153−156.
  2. G. Behr, J. Werner, S. Oswald and et. al. In203: differences in the chemical and physical behavior of single crystals, ceramics and fine powders // J. Solid State Ionics.-1997.-p. II. 101−103, 1183−1187.
  3. G. Frank, H. Kostlin, A. Rabenau X-ray and optical Measurements in the In203-Sn02 system // Phys. State. Sol. 1972. — (a) 52. — 231.
  4. В.Д. Соколовский Теоретические проблемы катализа. — Новосибирск.: 1977.-33 с.
  5. С. Goebbert, G. Gasparro, Th. Schuler, et. al. Influence of the lager morphology on the electrical properties of sol gel transparent conducting oxide coatings // J. Sol-Gel Sci. Technol. 2000. — 19 (½/3). — 435−439.
  6. Yoshinaka, K. Onozawa Recent advance of ITO film through coating // Nyw Seramikkusu. 1996. — 9(4), 24−9.
  7. K.L. Chopra, S. Major and D.K. Pandya Transparent conductors a status review // Thin Solid Films. — 1983. — 102. — p. 1−46.
  8. C.N. King Electroluminescent display manufacturing // Soc. Inf. Disp. Int. Symp. Tech. Digest. 1990. — 21. — 292.
  9. H. Moriyama, H. Uchida and et. al. Full-color a-Si:H TFT-LCD with pixel electrode buried in gate insulator // Soc. Inf. Disp. Int. Symp. Tech. Digest. 1989. — 20. — p. 144.
  10. H. Kohara, K. Inaguma and et. al. High-resolution color plasma display panels // Soc. Inf. Disp. Int. Symp. Tech. Digest. 1989. — 20. — p. 355.
  11. A. Fahrenbruch and R. Bude Fundamentals of Solar Cells. N.Y.: Academic Press. — 1983. — p. 473−495.
  12. К. Chopra, S. Major Transparent conductors for solar cell applications // Proc. Symp. Materials and New Processing Technologies for Photovoltaics. 1983. — v. 83−11. — 1983. — p. 346.
  13. E. Niemann, D. Leidich, E. Linhart, G. Grabe Optical and electrical properties of indium-tin oxide films used as antiflection coating of solar cells-// Proc. 5th EC Photovoltaic Solar Energy Conf. 1983. — Reidel. — Dordrecht. — 1984. — p. 764.
  14. D.K. Shroder Transparent gate silicon photodetectors // IEEE Trans. Electron Devices. 1978. -ED-25. — p. 90.
  15. N.J. Artsten Sol-gel derived transparent IR-reflecting ITO semiconductor coating and future applications // J. Non-Crystal Solids. — 1984. 63. -243.
  16. C.M. Lampert Heat mirror coating for energy conserving windows // Solar Energy Materials. 1981. — 6. — p. 1.
  17. J. Liu, E. Radlein, G.H. Frischat Preparation, nanostructure and properties of indium tin oxide (ITO) films on glass substrates Part 1. Preparation and nanostructure // Phys. Chem. Glasses. 1999. — 40(5). — p. 277−281.
  18. J. Liu, E. Radlein, G.H. Frischat Preparation, nanostructure and properties of indium tin oxide (ITO) films on glass substrates, Part 2. Optimization of properties // Phys. Chem. Glasses. 1999. — 40(5). — p. 282−286.
  19. H. Ooyanagi, T. Ootsuka Indium tin based oxide ceramics and their manufacture // JPN Kokai Tokkyo Koho JP 7 316 803 A 2. 5dec 1995.
  20. T. Takahara, A. Kondo ITO sputtering targets // JPN Kokai Tokkyo Koho JP 8 060 352 A 2. 5mar. 1996.
  21. C.P. Udawatte, K. Yanagisawa Fabrication of low-porosity indium tin oxide ceramics in air from hydrotermally prepared powder // J. Am. Ceram. Soc. 2001. — 84(1). — p. 251−253.
  22. P.A. Cox, W.R. Flavell, E.G. Egdell Solid-state and surface chemistry of Sn-doped ln203 ceramics // J. of Solid State Chem. 1987. — 68. — p. 340 350.
  23. Э.А. Мамедов, В. Д. Соколовский Окислительная дегидродимериза-ция углеводородов. Новосибирск: Наука. — 1992. — 187с.
  24. Yo. Chikahisa, К. Tanabe, N. Nashioka Transparent electrically conductive ITO paste and the use in electro-luminescent device and electric contactor sheet // JPN Kokai Tokkyo Koho JP2000048641A 2. 18 feb. 2000.
  25. K. Suzuki, T. Nobuyoshi, N. Nagatoshi Tin-doped indium oxide powders with high electric conductivity and good transparency and their manufacture // JPN Kokai Tokkyo Koho JP 2 000 003 618 A 2. 7 jan. 2000.
  26. M. Shouji, H. Katono, T. Ogihara, T. Sakagami Infrared-blocking optical filters and their manufacture // U.S. US 5 691 838 A25. nov. 1997.
  27. Kwang-Soo Joo and Hyund-Jin Jung Gas sensing characteristics of semiconducting materials based on ln203 depending on composition changes // Proc. of the 2nd Int. Meeting on chem. Sensors. Bordeaux. — 1986. — p. 230−234.
  28. A.C. Jones, J.J. Leonard, A.S. Sofranko Hydrocarbon dehydrogenation // Pat. 4 737 595 № 600 916. 12 apr. 1988.
  29. C.P. Udawatte, K. Yanagisawa, S. Nasu Sintering of additive free hydro-thermal derived indium tin oxide powders in air // J. Solid State Chem. -2000. 154(2). — p. 444−450.
  30. М.Б. Варфоломеев, A.C. Миронова и др. Взаимодействие In203 с Sn02 // Ж. Неорганические материалы. 1975. — т. 11. — № 12.
  31. S. Yao, N. Ono Chemical hysteresis on the release and up take of oxygen Sn02 doped ln203 powders // Electrochem. Soc. — 1997. — № 4. — p. 8
  32. Т. Ootsukai, Е. Ootsuki electrically conductive indium tin oxide powder and their manufacture // N Kokai Tokkyo Koho JP 7 296 633 A 2. 10 nov. 1995.
  33. B. Kim, J. Kim, S. Ghang Synthesis of cubic and rhombohedral phased nanocrystalline Sn02 doped ln203 (ITO) powders with co-precipitation method // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2000. — 581. — p. 27−32.
  34. A.E. Соловьева, В. А. Жданов Особенности взаимодействия оксида индия с Sn02 // Ж. Неорганические материалы. 1985. — т. 21. — № 6.
  35. N. Nadaud, М. Nanot, J. Jove and Т. Roisnel A structural study of tin doped indium oxide (ITO) ceramics using 119Sn Mossbauer spectroscopy and neutron diffraction // Key Engineering Materials Vols. 1997. — 132 136. -p. 1373−1376.
  36. N. Nadaud, N. Lequeux, M. Nanot Structural studies of tin-doped indium oxide (ITO) and In4Sn30i2 // J. of Solid Stat Chem. 1998. — 135. — p. 140 148.
  37. G.B. Gonzalez, J.B. Cohen, J. Hwang and et. al. Neutron diffraction study on the defect structure of indium-tin-oxide // J. of Appl. Phys. 2001. — v.89. — № 5.
  38. N. Yamada, I. Yasui and et. al. Doped mechanism of Sn in 1п2Оз powder studied using II9Sn Mossbauer spectroscopy and X-ray diffraction // J. of Appl. Phys. 1999. — v.38. — p. 2856−2862.
  39. C. Goebbert, R. Noninger, M. Aegerter, H. Smidt Wet chemical deposition of ATO and ITO coating using crystalline nanoparticles redispersible in solutions // Thin Solid Films. 1999. — 351 (1,2). — p. 79−84.
  40. G. Gonzales, J. Cohen, J. Hwang and et. al. Defect structure of indium tin oxide and its relationship of conductivity // Adv. Sci. Technol. 2000. -29.-p. 137−144.
  41. T. Kawadata // JPN Kokai Tokkyo Koho JP 1999−149 195. 28may 1999.
  42. T.F. Stoica, T.A. Stoica and et. al. Colloidal sol-gel ITO films on tube grown silicon // Thin Solid Films. 1999. — 348(1,2). — p. 273−278.
  43. M. Toki, M. Aizawa Sol-gel formation of ITO film from a sol including ITO powder//J. Sol-Gel Sci. Technol. 1997. — 8(½/3). — p. 717−720.
  44. Y. Djaoued, Vu. Phong, S. Badilescu and et. al. Sol-gel prepared ITO films for electrochromic systems // Thin Solid Films. 1997. — 293(1−2). -p. 108−112.
  45. T. Murakami, K. Watanabe and et. al. Infrared radiation-shielding materials // JPN Kokai Tokkyo Koho JP 10 120 946 A 2. 12 may 1998.
  46. K. Yanagisawa and C.P. Udawatte, S. Nasu Preparation and characterization of fine indium tin oxide powders by hydrothermal treatment andpostannealing method // J. Mater. Res. 2000. — v. 15. — № 6. — p. 1404 1408.
  47. K. Yanagisawa and C.P. Udawatte Fabrication of low-porosity indium tin oxide ceramics in air from hydrotermally prepared powder // J. Amer. Ceram. Soc. 2001. — 841., — p. 251−253.
  48. K. Yanagisawa and C.P. Udawatte, S. Nasu Sintering of additive free hydrotermally derived indium tin oxide powders in air // J. of Solid State Chem- 2000. — 154. — p. 444−450.
  49. J. Aikens, H. Sarkas, R. Brotzman The preparation and characterizationof nanocrystalline indium tin oxide films // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. -1999.-536.-p. 377−382.
  50. N. Nadaud, P. Boch Indium oxide ceramics with titania additions, pt. 2 // J. Ewro Ceramics. 1997. — v. 5. — p. 928−931.
  51. K. Uchiumi, T. Takahara and et. al. High-density indium tin oxide (ITO) ceramic material, sputtering target, and their manufacture // JPN Kokaiщ Tokkyo Koho JP 9 025 567 A 2. 28 jan. 1997.
  52. T.D. Malinovskaya, V.I. Sachkov, S.L. Krutz Physical-chemical research of conductive materials structure on the basis of indium oxide obtained bysol-gel method // VI Int. Sci. Conf. Modern techniques and technology. -Tomsk. 2000. — p. 190−192.
  53. E. Ivanov, T.F. Egorova Mechanochemical synthesis of indium tin oxide powder // Mater. Sci. Forum. 1998. — 269−272. — pt. 1. — p. 241−246.
  54. K. Iwasa, T. Isobe, M. Senna Enhanced densification of indium-tin oxide ceramics for sputter target through wet mechanochemical processing // Solid State Ionics. 1997. — 101−103 (pt.l). — p. 71−78.
  55. С. Харухиса, А. Синго Изготовление тонких порошков системы In203-Sn02 в процессе механохимических реакций // J. Soc. Power Technol. 1992. — 29. — № 3. — с. 162−167.
  56. В.А. Дзиско, А. П. Карнаухов, Д. В. Тарасова Физико-химические ^ основы синтеза оксидных катализаторов. Новосибирск: Наука, 1978.,-384 с.
  57. S. Fujiwara, A. Hasegawa, К. Saegusa Manufacture of ITO powder obtained, and manufacture of high-density sintered ITO products using the powder // Ger. Offen. DE 19 650 747 Al. 12 jun. 1997.
  58. JHW De Witt, J. Vanderbom, J.F. Degroot Thermoelectric-power in In203//J. Solid State Chem. 1978.-25(1).-p. 101−105.
  59. JHW De Witt Structural aspects and defect chemistry in ln203 // J. Solid щ State Chem. 1977. — 20(2). — p. 143−148.
  60. JHW De Witt High-temperature behavior of ln203 // J. Solid State Chem. 1975.- 13(3).-p. 192−200.
  61. JHW De Witt Electrical properties of ln203 // J. Solid State Chem. -1973.-8(2).-p. 142−149.
  62. H. Kostlin, R. Jost and W. Lems // Phys. Status Solidi A. 1975. — 29. -p. 87.
  63. Ц" 63 K. Nomura, Y. Ujihira, S. Tanaka and K. Matsumoto // Hyperfine Interact. 1988.-42.-p. 1207.
  64. O.N. Mryasov and A.J. Freeman // Present at the American Physical Society Annual Meeting. 2000. — Minneapolis: MN. — March 20.
  65. E.C. Subbarao, P.H. Sutter and J. Hriso // J. Am. Ceram. Soc. 1965. -48.-p. 443.
  66. G. Frank and H. Kostlin // Appl. Phys. A, Solid Surf. 1982. — 27. — p. 197.
  67. Ph. Parent, H. Dexpert, G. Tourillon and J.M. Crimal // J. Electrochem. Soc.- 1992.- 139.-p. 276.
  68. Ph. Parent, H. Dexpert, G. Tourillon and J.M. Crimal // J. Electrochem. Soc. 1992.- 139.-p. 282.
  69. M. Quaas, C. Eggs and H. Wulff// Thin Solid Films. 1998. — 332. — p. 277.
  70. G. Frank, L. Brock, H.D. Bausen // J. Crystal Growth. 1976. — 36. — p. 179.
  71. H. Enoki and J. Echigoya Electron microscopic study of the 3Sn02−2In203 intermediate compound // J. Phys. State. Sol. 1992. — (a). -132.-к 1.
  72. H. Enoki, J. Sato The intermediate compound in the ln203 Sn02 system // J. Mater. Sci. — 1991. — 26 (15). — p. 4110−4115.
  73. N. Yamada, Y. Shigesato and et. al. Estimation of chemical states and corrier density of Sn-doped ln203 (ITO) by Mossbauer spectrometry // Hy-perfine Interact. 1997. — v. d. 112. — pt. 2. — p. 213−216.
  74. T. Omata, H. Fujiwara, S. Otsuka-Yao-Matsuo, N. Ono Electron trapping center and Sn02 doping mechanism of indium tin oxide // J. of Appl. Phys.-2000.-A 71.-p. 609−614.
  75. M.R. Thornber, D. Bevan // J. Graham Acta Cryst. 1968. — B24. — p. 1183.
  76. A.E. Solov’eva and V.A. Zhadnov // Izv. Acad. Nauk USSR, Neorg. Mater. 1960.-21(6).-p. 957.
  77. Y. Kanai //Jpn. J. Appl. Phys. 1984. — 23(1). — p. 127.
  78. M. Mizuhashi // Thin Solid Films. 1980. — 70. — p. 91.
  79. Y. Shigesato and D.C. Paine // Appl. Phys. Lett. 1993. — 62(11). — p. 1268.
  80. K.B. Физика полупроводников. M.: Энергия, 1976. -416 с.
  81. А.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. — 239 с.
  82. Т.Д. Малиновская, Е. П. Найден, Т. Н. Дронова, Ю. П. Егоров Получение микропористого керамического материала из сульфида цинка // Неорганические материалы. 1993.-т. 29.-№ 1.-е. 1553−1555.
  83. Ю.П., Малиновская Т. Д., Корсак Т. Е. Исследование отражательной способности бескислородных порошковых материалов и покрытий в ИК-диапазоне // Труды симпозиума «Прикладная оптика 94». Ленинград. — 1994. — с. 96−98.
  84. Ю.П., Малиновская Т. Д. Диэлектрические материалы, высо-коотражающие в ИК-области спектра // Тр. I конф. «Материалы Сибири». Новосибирск. — 1995. — с. 73−76.
  85. М.М. Гуревич, М. М. Середенко, Л. Н. Морозов, В. А. Парфинский Спектрофотометрические установки для измерения характеристик рассеивающих материалов в области 2.5−15 мкм // ОМП. 1975. — № 2.-е. 31−40.
  86. Ю. П. Малиновская Т.Д. Пигменты, отражающие оптическое излучение с заданной длинноволновой границей и поглощающие излучение с заданной коротковолновой границей или на заданной длине волны // Патент РФ № 95 110 119/04. -2003г.
  87. .В. Основы общей химии. М.: Химия, 1965. — т. 3. — с. 246.
  88. Радиохимия и химия ядерных процессов / А. Н. Мурин, В. Д. Нефедов, В.П. Шведов- под. ред. А. Н. Мурина. JL: ГНТИХЛ. — 1960. -785с.
  89. А.И. Рентгеноструктурный анализ мелкокристаллических и аморфных тел. Л.: ГИТТЛ, 1952. — 588 с.
  90. Порай-Кошиц М. А. Основы структурного анализа химических соединений. -М.: Высш. Школа, 1989. 192 с.
  91. ASTM, Joint Committee on Powder Diffraction Standards. Philadelfia, Pa. — 19 103.
  92. D. Harvey Modern analytical chemistry. Mc-Graw-Hill Higher Education. — 2000. — 800 pp.
  93. У.Ф. Пиккеринг Современная аналитическая химия. — М.: Химия, 1977.-560с.
  94. P.D. Garn Thermoanalitical Methods of Investigation. New York: Academic Press, 1965. — 830pp.
  95. А. Смит Прикладная ИК-спектроскопия. M.: Мир, 1982. — 328с.
  96. К. Накамото ИК-спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений. М.: Мир, 1991. — 536с.
  97. К. Лоусон Инфракрасные спектры поглощения неорганических веществ. М.: Мир, 1964. — 300 с.
  98. D.A. Baglec, D.K. Ferry, C.W. Wilmsen, H.H., Wiederlnversion Layer Transport and properties of oxides on InAs // J. Vac. Sci. Technol. 1980. -B. 17. -№ 5. — p. 1032−1036.
  99. H.E., Карнаухов А. П., Алабужев Ю. А. Определение удельной поверхности дисперсных и пористых материалов. — Новосибирск: ИК СО АН СССР, 1978. 74 с.
  100. Экспериментальные методы в адсорбции и молекулярной хроматографии / А. В. Киселев, В.П. Древинг- под. ред. А. В. Киселева. М.: МГУ, 1973.-448 с.
  101. В.И., Круц С. Л. Физико-химическое исследование состава проводящих материалов на основе оксида индия, легированного оловом // Сборник тезисов 38 Международной научной конференции. -Новосибирск, НГУ. 2000. — с. 73−75.
  102. В.И., Круц С. Л. Рентгенографическое исследование системы In-Sn-O // Сборник тезисов 6 Всероссийской научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых — физиков. — Томск, АСФ -ТПУ.-2000.-с. 356−357.
  103. .Н. Кластеры с плотной упаковкой и заполненными оболочками // Успехи физических наук. 1993. — т. 163. — № 10. — с. 29−56.
  104. В.И., Круц C.JI. Исследование кристаллической структуры системы In-Sn-O // Сборник тезисов VII Российской научной конференции «Физика твердого тела». Томск, ТГУ. — 2000. — с. 34−36.
  105. Т.Д., Сачков В. И., Сачкова Е. И. Изучение физико-химических свойств поликристаллического оксида индия, легированного оловом в условиях его синтеза // Сборник трудов Международен ного научного семинара «Инновационные технологии 2001».
  106. Красноярск. 2001. — с. 175−179.
  107. Ю.П., Малиновская Т. Д., Найден Е. П., Сачков В. И., Сачкова Е. И. Твердофазный синтез индийоловооксидных материалов // Сборник трудов Семинара СО РАН УрО РАН «Термодинамика и неорганические материалы». — Новосибирск. — 2001. — с. 81.
  108. А.И., Ремпель А. А. Нанокристаллические материалы. М.: Физматлит. — 2001. — 223с.
  109. Ю.П., Малиновская Т. Д., Найден Е. П., Сачков В. И., Сачкова Е. И. Синтез и физико-химические свойства поликристаллического оксида индия легированного оловом // Известия Томского политехнического университета. 2002. — т. 305. — вып. 1.-е. 229−232.
  110. Ю.П., Малиновская Т. Д., Найден Е. П., Сачков В. И., Сачкова Е. И. Влияние условий соосаждения гидроокисей индия и олова на фазообразование в системе In-Sn-O // Известия Томского политехнического университета. 2002. — т. 305. — вып. 1.-е. 167−172.
  111. Ю.П., Малиновская Т. Д., Найден Е. П., Сачков В. И. Твердофазный синтез индийоловооксидных материалов // Химия в интересах устойчивого развития. 2002. — № 10. — с. 735−741.
  112. J.Lennard-Jones Expansion of lattice in the surface layers of the crystal // Proc. Roy. Soc. 1925. — A107. — p. 157.
  113. Г. А.Гольдер Энергия и устойчивость кристаллических решеток: ав-тореф. дис. докт. физ.-мат. наук. М.: МАТИ. — 1946. — 326с.
  114. В.Г. Физика твердого тела. М.: Наука, 1956. — с. 419−420.
  115. J.F. Moulder, W.F. Stickle, Р.Е. Sobol et al., (Eds.) Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy // Perkin-Elmer Corporation, Physical Electronics Division, Eden Prairie Minnesota. 1992.
  116. P., Паркер P. Рост монокристаллов. M.: Мир, 1974. — 540 с.
  117. Т.Д., Найден Е. П., Сачков В. И. Термодинамический расчет процессов нуклеации при соосаждении гидроксидов индия и олова//Известия вузов «Физика». -2003.-т. 46.-№ 12.-с. 17−19.
  118. В.И., Апарнев А. И. Особенности проведения золь-гель синтеза индийоловооксидных поликристаллических материалов // Сборник тезисов Российской молодежной научно-практической конференции, посвященной 125-летию ТГУ. Томск, ТГУ. — 2003. — с. 62−63.
  119. .И. Кинетика образования кристаллов из жидкой фазы. -Новосибирск: Наука, 1979. 136 с.
  120. Г. Неорганические стеклообразующие системы. М.: Мир, 1970.-312 с.
  121. Р.Ф. Хайрутдинов Химия полупроводниковых наночастиц // Успехи химии. 1998. — 67 (2). — с. 125−139.
  122. И.В. Мелихов Тенденции развития нанохимии // Российский химический журнал (Ж. Рос. хим. об-ва им. Д.И. Менделеева). 2002. — т. XLVI. -№ 5. — с. 7−14.щ
  123. D.J. Naugle, R.E. Allen Simple model for surface specific heats // J. Chem. Phys. 1975. — 63. — № 2. — p. 991−995.
  124. К. Мейер Физико-химическая кристаллография. M.: «Металлургия». — 1972. — 480с.
  125. Малиновская Т. Д, Сачков В. И. Удельная теплоемкость нанокри-сталлических веществ // Известия вузов «Физика». 2003. — т. 46. -№ 12.-с. 84−86.
  126. В.И., Сенченко А. В. Удельная теплоемкость нанокристал-лических тел // Сборник тезисов 10 Всероссийской научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых физиков. -Москва, МГУ — АСФ. — 2004. — ч. 1. — с. 269−272.
  127. А.П., Чернов И. П. Эффект малых доз ионизирующего излучения. М.: Энергоатомиздат. — 2001. — 286 с. ъ
  128. Ю.П., Малиновская Т. Д., Найден Е. П., Сачков В. И. Влияние малых доз у-излучения на электрофизические свойства полупроводникового оксида индия, легированного оловом // Материалы 12
  129. Международной научной конференции по радиационной физике ихимии неорганических материалов. Томск, ТПУ. — 2003. — с. 445 447.
  130. О.С., Бойко В. И., Сачков В. И. и др. Способ разделения и очистки изотопов и устройство для его осуществления // Патент РФ № 2 192 918 от 20.11.2002:
  131. Сачков В-И. Физико-химические основы селекции изотопов в условиях формирования границы раздела фаз // Материалы Международной научно-технической школы-конференции «Молодые ученые науке, технологиям и профессиональному образованию».
  132. У Москва. 2003. — с.39−43.
  133. Изотопы / В.Ю. Баранов- под ред. В. Ю. Баранова. М.: Энерго-атомиздат. — 20 001 — 643 с.
  134. В.И. Селекция изотопов в условиях формирования границы раздела фаз // Сборник тезисов 10 Всероссийской научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых физиков России. — Москва, МГУ — АСФ. — 2004. — т. Г. — с. 272−276.
  135. J. Bigeleisen, Th. Allen // J. Chem. Phys. 1951. — 19. — p. 760.
  136. F.W. Stacey, J.G. Lindsay, A.N. Bourns // Can. J. Chem. 1952. — 30. -p. 135.
  137. K.H. Geib Anwendung der Isotopen bei der Untersuchung heterogener Vorgange // Hdb. d., Katalyse. 1943. — 6. — p. 36.
  138. М.Б. Нейман, А. Я. Шиняев // Доклады академии наук. 1954. — 96. -с. 315- 1955.-102.-с. 969.
  139. П.А. Бохан, В. В. Бучанов, Д. В. Закревский, М. А. Казарян, М. М. Калугин, A.M. Прохоров, Н. В. Фатеев Некоторые новые тенденции в лазерном разделения изотопов в атомарных парах // Квантовая электроника. 2002. — т.32. — № 7. — с. 570−586.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!