Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Структуры металл — диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия

Диссертация: Структуры металл — диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Актуальность работы. Монокристаллический арсенид индия (InAs) -полупроводник с малой шириной запрещенной зоны представляет интерес для полупроводниковой оптои микрофотоэлектроники, как материал с малой шириной запрещенной зоны, имеющий высокую квантовую эффективность при поглощении излучения в диапазоне длин волн 0,5 — 3,46 мкм (при температуре 300 К). Структура металл — диэлектрик… Читать ещё >

Структуры металл — диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава1. Проблемы пассивации поверхности полупроводников А3В
    • 1. 1. Краткая характеристика арсенида индия (InAs)
    • 1. 2. Зонная диаграмма и принцип работы МДП-структуры на InAs
    • 1. 3. Проблемы пассивации поверхности полупроводников А3В5 и создание
  • МДП-структур
    • 1. 4. Свойства МДП-структур на InAs (литературный обзор)
    • 1. 5. Приборные структуры на InAs

Актуальность работы. Монокристаллический арсенид индия (InAs) -полупроводник с малой шириной запрещенной зоны представляет интерес для полупроводниковой оптои микрофотоэлектроники, как материал с малой шириной запрещенной зоны, имеющий высокую квантовую эффективность при поглощении излучения в диапазоне длин волн 0,5 — 3,46 мкм (при температуре 300 К). Структура металл — диэлектрик — полупроводник (МДП) является типичным представителем полупроводникового устройства (фотоприемный элемент) для первичного сбора оптической информации от нагретых физических тел. МДП-структуры на InAs работающие в режиме неравновесного обеднения основными носителями заряда, аналогично кремниевым фотоприемникам видимого диапазона, являются элементами с внутренним накоплением сигнального заряда, что существенно облегчает построение интегральных схем считывания и предварительной обработки сигнала с многоэлементных линейчатых и матричных систем. При построении быстрых спектрометров на базе охлаждаемых линейчатых фотоприемников, приемники на InAs эффективно перекрывают область спектра в диапазоне от видимой области 0,4 мкм) до края собственного поглощения InAs (~ 3,1 мкм), определяемого шириной запрещенной зоны полупроводника.

Я ^ /гс 1,2398 max г" г-' ^ '.

Es Ек.

Все материальные тела с температурой выше -273 С излучают электромагнитные волны в соответствии с известной формулой Планка (рис.1). При повышении температуры объектов увеличивается число излученных квантов при фиксированной длине волны. Испускаемые кванты света можно зарегистрировать датчиками инфракрасных излучений. Видно, что относительный прирост потока при повышении температуры увеличивается с уменьшением длины волны и поэтому более коротковолновый фотоприемник при регистрации теплового изображения объекта может иметь более высокий контраст изображения. В современных тепловизионных системах изображение объектов регистрируется полупроводниковой матрицей, установленной в *.

1022 10.

00 о Ю о сп 10 о со ш о.

10 10 о 10 10' 10*.

10 о.

101 X, мкм.

400 * у / / /298 к т т.

II.

10'.

Рис. 1. Зависимость плотности потока квантов, испускаемых абсолютно черным телом при двух температурах, от длины волны. фокальной плоскости объектива, передается в блок электроники кремниевым мультиплексором и визуализируется на экране монитора.

В настоящей работе описана физика работы и особенности технологии изготовления МДП — структура основе InAs, работающих в режиме прибора с накоплением и зарядовой инжекцией (ПЗИ).

Основное внимание было направлено на решение следующих задач:

1. Разработка физических и технологических основ создания фоточувствительных МДП-структур с воспроизводимыми электрофизическими параметрами для многоэлементных фоточувствительных линеек, матриц и гибридных микросхем на их основе, пригодных для создания быстродействующих тепловизионных систем, работающих в спектральном диапазоне 0,5−3,05 мкм (линейчатые ФПУ) и в спектральном диапазоне 2,53,05 мкм (матричные ФПУ).

2. Исследование влияния тонкого переходного слоя сложного состава между InAs и подзатворным диэлектриком Si02 на гистерезис ВФХ МДП-структур и плотность ПС.

3. Анализ процессов генерации неосновных носителей заряда в инверсионном слое InAs.

4. Исследование фотоэлектрических свойств и шумовых характеристик МДП-структур в многоэлементных фотоприемных устройствах.

5. Разработка и создание тепловизионных приборов на основе линеек и матриц.

Режим работы МДП-структур с накоплением позволяет использовать простые ключевые кремниевые мультиплексоры для последовательного вывода сигналов с элементов линейки (матрицы) в сигнальную шину при максимальном использовании фоточувствительных свойств элементов. Опрашиваемый элемент на короткий промежуток времени подключается к тракту усилителя, остальные элементы находятся в режиме накопления заряда. Использование МДП-фотоприемников позволяет реализовать преимущества планарной технологии — простоту и надежность, что особенно важно для многоэлементных ФПУ. Основной показатель фоточувствительных элементов в матричных модулях ФПУ — обнаружительная способность в составе тепловизора достигала величины D" «4−1012см^ГцВт~* при уровне приборного.

1 2 фона 3−10″ Вт/см, а температурная чувствительность тепловизионной камеры 6−7 мК. Положительной характеристикой ФПУ на основе InAs является достаточно малая величина комнатного (приборного) фона, что обеспечивает высокий контраст изображения, полученного с помощью тепловизионной камеры. Так в спектральной полосе шириной 0,1 мкм и апертурном угле 0/2=90° величина комнатного фона при Х=3 мкм составляет «1,76−10~6 Вт/см2. Для сравнения в других спектральных диапазонах Х=5 мкм (InSb) — 8,17−10» 5 Вт/см2 и Х= мкм (HgCdTe) — 3,12−10″ 4 Вт/см2.

Целью настоящей работы являлось исследование свойств ОПЗ полупроводника, свойств границы раздела и переходного слоя полупроводникдиэлектрик, проводимости диэлектрического слоя. Цель достигнута при решении следующих задач:

1. Построение математической модели работы МДП-структуры.

2. Анализ спектра поверхностных состояний в МДП-структурах.

3. Иссследование процессов генерации неосновных носителей заряда в ОПЗ арсенида индия при неравновесном импульсном обеднении.

4. Исследование гистерезисных явлений и полевых нестабильностей МДП-структур.

5. Оптимизация технологических процессов для создания многоэлементных ПЗИ-линеек и матриц с целью реализации приборных структур, приближающимся по фоточувствительным параметрам к теоретически предсказанным величинам.

Объекты и методы исследования. Основным объектом исследования была МДП-структура сформированная на нелегированном эпитаксиальном слое InAs. В качестве диэлектрика использовалась двуокись кремния, полученная в результате окисления моносилана кислородом при температуре подложки InAs 200−220 °С. Перед осаждением диэлектрика поверхность InAs подвергалась химической модификации. В процессе модификации на поверхности InAs формировался переходной слой толщиной от 7 до 15 нм, который оказывал существенное влияние на характеристики МДП-структур. Дополнительно исследовались МДП-структуры со сверхтонкими диэлектрическими слоями естественного окисла толщиной ~ 2−4 нм, сформированного на поверхности InAs при химических обработках поверхности полупроводника. Приборными структурами были элементы фотоприемных линеек и матриц с площадью ~ 10″ 5 — 10″ 4 см. Все структуры были изготовлены на замкнутой технологической линейке Института физики полупроводников СО РАН.

При исследованиии в качестве основных методов применялись методы исследования частотных зависимостей ВФХ и проводимости на переменном сигнале МДП-структур, релаксации емкости и поверхностного потенциала при неравновесном импульсном обеднении МДП-структур, туннельной спектроскопии МДП-структур со сверхтонкими диэлектрическими пленками, современные методы анализа состава переходного слоя и диэлектрической пленки (РФЭС и ИК-спектроскопия) и специфические методы анализа приборных структур.

Научная новизна заключается в создании физико-технологических основ фоточувствительных полупроводниковых приборов зарядовой инжекции на арсениде индия. К новым научным результатам следует отнести:

1. Создание совершенной границы раздела InAs — диэлектрик с плотностью поверхностных состояний < 2−1010 см" 2эВ" '.

2. Определение спектра поверхностных состояний при различных способах химической модификации поверхности полупроводника.

3. Построение математической модели МДП-структуры, позволяющей моделировать высокочастотные, низкочастотные и динамические ВФХ с учетом ГУ в ОПЗ полупроводника при концентрациях сравнимых с уровнем легирующей примеси.

4. Определение энергетических параметров и сечения захвата ПС и ГУ в МДП-структурах.

5. Выяснение механизма развития гистерезисных явлений, проявляющихся в деформации ВФХ МДП-структур в сильных электрических полях.

6. Уточнение условий протекания туннельного тока в ОПЗ полупроводника и полевой зависимости плотности генерационного тока при неравновесном обеднении.

7. Выяснение механизма проводимости диэлектрических пленок Si02, полученных окислением моносилана в кислороде в слабых и сильных электрических полях.

8. Определение особенностей формирования шумов в МДП-структурах при неравновесном импульсном обеднении.

9. Исследование состава сверхтонких диэлектрических пленок естественного окисла на поверхности InAs методом туннельной спектроскопии.

10. Объяснение особенностей протекания туннельного тока в МДП-структурах со сверхтонкими слоями естественного окисла на InAs.

11. Создание многоэлементных приемников инфракрасного излучения средневолнового диапазона с обнаружительной способностью, близкой к теоретическим значениям в режиме ограничения флуктуациями комнатного фона.

Научная и практическая значимость работы заключается в комплексном изучении свойств МДП-структур на InAs с определением и уточнением ряда величин и параметров, характеризующих электрофизические свойства ОПЗ полупроводника, границы раздела полупроводник — диэлектрик и МДП-структуры в целом. Это позволило предложить ряд технологических приемов и реализовать многоэлементные ПЗИ — структуры на основе которых был разработан ряд гибридных микросхем с приемниками излучений линейчатого и матричного типов. На основе гибридной микросхемы с фотоприемником матричного типа реализована тепловизионная камера, обладающая высокой температурной чувствительностью и хорошим контрастом на термограммах объектов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на совещании «Физика поверхностных явлений в полупроводниках» (Киев, 1984 г.) — «Всесоюзной школе по физике поверхности» (Москва, 1986 г.) — «Всесоюзной школе по физике поверхности» (Карпаты, 1986 г.) — «V-республиканской конференции «Физические проблемы МДП-интегральной электроники» (Москва, 1987 г.) — «7 Seminar of socialist countries on electron spectroscopy» (Bourgas, Bulgaria, 1988 г.) — «Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников (Новосибирск, 1988)» — на международных конференциях «OPTO 92» (Paris, France, Palas des Congres 14.

16 Avril, 1992 Г.) — «Infrared detectors and focal plane arrays» (USA, 1994) — «Materials Research Sociaty» (USA, Boston, 1996 г.), «IV Российской конференции по физике полупроводников» (Новосибирск 1999), «Фотоэлектроника и приборы ночного видения» (Россия, Москва, 2002 г.). Работа поддерживалась грантом РФФИ № 96−02−19 023 и докторонтурой Томского Государственного Университета.

Основные результаты и выводы диссертационной работы.

1. Разработана и реализована одномерная модель МДП-структуры в диффузионно-дрейфовом приближении с учетом генерационно-рекомбинационного механизма обмена свободных носителей с разрешенными зонами по Са-Шоккли-Риду-Холлу с концентрацией ГУ, сравнимой с концентрацией легирующей примеси. Модель позволяет проследить за формированием ОПЗ полупроводника с предельно малых максвелловских времен, провести количественный расчет низкочастотных, высокочастотных, динамических ВФХ, исследовать релаксацию накопленных зарядов, поверхностного потенциала и емкости при неравновесном импульсном обеднении во времени в зависимости от температуры и уровня освещения.

2. Обнаружено, что в ОПЗ InAs всегда присутствуют ГУ с концентрацией порядка и больше концентрации легирующей примеси с энергетическим положением вблизи середины запрещенной зоны («0,22 эВ) от дна зоны проводимости. Концентрация ГУ в разных образцах нелегированного автоэпитаксиального слоя n-InAs варьировалась в диапазоне 3−1015−1-1017 см» 3.

Показано влияние ГУ на вид ВФХ, проявляющееся в виде наличия максимума в области истощающих напряжений на низкочастотной и среднечастотной ВФХ, в виде пологой полочки при переходе от обеднения к слабой инверсии и увеличения величины емкости в области сильной инверсии на высокочастотных ВФХ.

Установлено, что концентрацию ГУ можно определять по величине избыточной инверсионной емкости МДП-структуры, по амплитуде максимума частотной зависимости активной компоненты проводимости в области истощающих потенциалов, либо по наличию характерной полочки при переходе ОПЗ МДП-структуры от обеднения к слабой инверсии.

3. Разработана замкнутая технология изготовления МДП-структур на арсениде индия с модифицированной поверхностью, позволяющая реализовать в МДП-структур ах близкую к идеальной границу раздела полупроводникдиэлектрик с плотностью ПС на уровне< 2Т010 см" 2эВ" '.

Модификация поверхности достигалась созданием сверхтонкого диэлектрического слоя с помощью анодного окисления поверхности InAs с введением фторид-ионов в состав электролита.

Методом туннельной спектроскопии показано, что на поверхности InAs после любых химических обработок формируется переходной слой толщиной 1−3 нм сложного состава, состоящий из окислов индия, мышьяка, остатков травителя и других примесных молекул, который оказывает доминирующее влияние на электрофизические свойства границы раздела полупроводник-диэлектрик.

Определена оптимальная толщина анодного окисла, составляющая величину -15 нм. Увеличение толщины АО ухудшает стабильность МДП-структур в электрических полях, уменьшение толщины АО ухудшает воспроизводимость электрофизических параметров границы раздела по площади полупроводниковых пластин.

4. Проанализированы основные закономерности протекания токов в ОПЗ InAs при неравновесном импульсном обеднении в зависимости от температуры и напряженности электрического поля. Из анализа температурных зависимостей плотности токов, текущих в ОПЗ InAs, получены величины диффузионных потоков поступающих в ОПЗ полупроводника из квазинейтрального объема, и величины токов, связанных с генерацией неосновных носителей через ГУ, локализованные вблизи середины запрещенной зоны InAs. Получена величина диффузионной длины неосновных носителей тока, равная 5−6 мкм.

Обнаружен избыточный генерационный ток, текущий в ОПЗ InAs в начальный момент времени после приложения импульса неравновесного обеднения, связанный с процессом термостимулированной ионизации ГУ в электрическом поле. Стимулированную электрическим полем ионизацию ГУ также можно наблюдать при записи ВЧ ВФХ МДП — структур в виде увеличения емкости при переходе ОПЗ от обеднения к инверсии. Выяснены условия протекания туннельного тока в ОПЗ InAs и показано, что, при типичной концентрации донорной примеси ~ 3−1015 см" 3, плотность туннельного тока зона-зона превышает плотность тока термической генерации неосновных носителей при амплитудах импульса инжекции > 6 В и температуре 150 К.

5. Экспериментально установлено, что существуют два типа МДП-структур, различающихся характером шума при неравновесном импульсном обеднении. Первый тип нормальных структур имеет частотный спектр шума близкий к «белому», но отличается от пуассоновского процесса тем, что вероятность генерации неосновных носителей в произвольный момент времени зависит от суммарного числа предыдущих актов генерации. Второй тип аномальных структур имеет избыточную компоненту /f шума, а СКО напряжения шума может превышать в несколько раз шум нормальных структур. Предельно достижимый в экспериментах шум МДП-структур при неравновесном импульсном обеденении соответствовал 75 неосновным носителям, накопленым в приповерхностной области арсенида индия.

6. Показано, что основным механизмом формирования гистерезиса МДП-структур на InAs является туннельный захват неосновных носителей тока на ловушки переходного слоя InAs — диэлектрик с концентрацией 1,5−1019 — 1021.

3 17 18 2 см" и сечением захвата 10″ -10″ см, имеющим активационную температурную зависимость с энергией 25−35 мэВ.

Выяснено, что для объяснения экспериментальной полевой зависимости гистерезиса ВФХ МДП-структур необходимо ввести заметную асимметрию потенциальных барьеров переходного слоя.

7. Замечено, что высокотемпературный отжиг пластин InAs в водороде перед нанесением подзатворного диэлектрика Si02 снижает плотность ловушек.

18 3 в переходном слое до 10 см" и резко снижает генерационное время жизни. Отжиг пластин в кислороде усиливает гистерезис ВФХ, что связано с увеличением плотности ловушек в переходном слое в несколько раз (предположительно за счет накопления окисных форм мышьяка и элементного мышьяка).

Обнаружена возможность снижения величины гистерезиса ВФХ МДП-структур без уменьшения генерационного времени жизни за счет уменьшения плотности ловушек в переходном слое до величин (2−2,5)-1017 см" 3, полученной в результате формирования на поверхности InAs тонкого анодного фторсодержащего окисла толщиной ~ 15 нм.

8. Установлено, что повышение температуры синтеза диэлектрической пленки Si02 в реакторе пониженного давления при окислении моносилана кислородом улучшает диэлектрические параметры пленок и увеличивает диапазон изменения соотношения потоков кислород/моносилан при постоянной скорости роста пленки. При температуре синтеза 220 °C достигута л пористость пленок Si02 на уровне 30 — 50 пор/см, что обеспечивает возможность создания многоэлементных фотоприемных устройств на основе матриц размерностью 128×128 и 256×256 фотоприемных ячеек с высоким процентом выхода годных ячеек.

9. Выяснено, что механизм сквозной проводимости МДП-структур в сильных электрических полях при температуре ниже 160 К определяется туннельной инжекцией электронов из InAs через окисел Si02, формирующий потенциальный барьер треугольной формы высотой 3,8 — 4 эВ. Обнаружено уменьшение туннельного тока во времени в сильных электрических полях после приложения напряжения к МДП-структуре, связанное с захватом электронов на ловушки в Si02 с концентрацией 4−1019 — 5−1020 см" 3 и сечением захвата — 8,5ТО" 13 см².

10. Открыт эффект усиления фононных линий в неупругих туннельных спектрах твердотельных структур, содержащих резкие скачки потенциала, например на границе раздела полупроводник — диэлектрик, или на рассеивающих примесях в барьере.

11. Объяснено появление отрицательного дифференциального сопротивленияна ВАХ структур Аи — сверхтонкий диэлектрикполупроводник — InAs ртипа проводимости, связанное с околорезонансным туннелированием с участием квантового уровня инверсионного слоя.

12. Разработана замкнутая технология изготовления многоэлементных линейчатых и матричных гибридных фотоприемных микросхем спектрального диапазона 1 — 3 и 2,6 — 3 мкм с обнаружительной способностью до ~ 5−1012.

1 /2 см-Гц /Вт, работающих в режиме ограничения флуктуациями комнатного фона, для решения различных спектрометрических и тепловизионных задач. На основе гибридной микросхемы с матрицей 128×128 фотоприемных МДП-конденсаторов разработана компьютезированная тепловизионная камера научного, медицинского и промышленного применения с температурным разрешением 28 мК (частота кадров 20 Гц, температура объекта 32 °С) и с предельным температурным разрешением 7 мК (частота кадров 1,25 Гц, температура объекта 32 °С).

Личный вклад автора в выполненную работу.

Автор диссертации был ответственным исполнителем и совместно с научным консультантом д.ф.-м.н., проф. Г. Л. Курышевым, научным руководителем большого числа НИР выполненных за период 1982 — 2002 гг. Автор принимал непосредственное участие в постановке научных и научно-технических задач, проведении измерений и интерпретации полученных результатов. Практически все результаты, изложенные в научном труде, получены совместно с авторами опубликованных работ.

Благодарности.

Выражаю глубокую признательность сотрудникам лаборатории Микрофотоэлектроники и технологического сектора № 41 Института физики полупроводников СО РАН за помощь при проведении измерений, изготовлении высококачественных образцов и полезные обсуждения на всех этапах работы над диссертацией. Благодарю заведующего Отделом.

Микрофотоэлектроники д.ф.-м.н., проф. Г. Л. Курышева за постоянную добрую поддержку работы над диссертацией и полезные обсуждения представленного материала диссертации. Благодарю к.х.н. Н. А. Валишеву за плодотворное сотрудничество и разработку научных основ технологии и разработку технологии изготовления МДП-структур, имеющих близкую к совершенной границу раздела полупроводник — диэлектрик. Благодарю В. М. Базовкина за разработку, создание электронных плат управления многоэлементными ФПУ линейчатого (матричного) типов и получения части экспериментального материала, использованного при написании диссертации. Выражаю глубокую признательность к.ф.-м.н. А. А. Гузеву и к.ф.-м.н. З. В. Пановой за всестороннюю техническую поддержку и помощь в проведении измерений. Благодарю к.ф.-м.н. И. И. Ли за разработку и сопровождение измерений линейчатых и матричных мультиплексоров, использованных при создании многоэлементных фотоприемных устройств линейчатого и матричного типов. Благодарю к.ф.-м.н. Т. Е. Ковалевскую и И. М. Субботина за помощь в разработке математических моделей работы МДП-конденсатора и помощь в интерпретации многочисленных экспериментальных данных. Выражаю глубокую признательность к.ф.-м.н. К. О. Постникову за помощь в изготовлении измерительных стендов и получении многочисленных экспериментальных данных. Выражаю глубокую признательность к.ф.-м.н. Н. А. Корнюшкину за проведение экспериментальных и теоретических исследований фторированного окисла методом вольт-фарадных характеристик и проводимости на переменном сигнале. Выражаю признательность к.ф.-м.н. В. М. Ефимову и к.ф.-м.н. Е. Е. Меерсону за помощь в проведении исследований полевой и фотоинжекционной нестабильности, изложенной в § 5.3. Выражаю глубокую признательность к.ф.-м.н. Л. С. Брагинскому и А. В. Каламейцеву за теоретические исследования особенностей протекания туннельных токов.

Список публикаций по теме диссертации.

1. А. П. Ковчавцев. Анализ спектра поверхностных состояний на границе раздела Si-Si02 в МОП структурах со сверхтонким окислом методом проводимости // Препринт 12−78, Новосибирск, 1978.

2. А. П. Ковчавцев, А. А. Французов. Пористость термического окисла кремния толщи-ной 30−600 А // Микроэлектроника, 1979, т.8, вып.5, с. 439.

3. А. П. Ковчавцев. Туннельные токи в системе Au-Si02-Si с окислом толщиной 16−36 А//ФТТ, 1979, т.21,в 10, с. 3055.

4. A.A.Frantsuzov, A.P.Kovchavtsev. The Determination of Surface Potential Fluctuation Values and Spatial Distribution of Traps in Insulators from the Temperature Dependence of the (Gp/co)-co Curves of MOS Structures // Phys.Stat.Sol., 1983, 79, p.503.

5. А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, В. Н. Дроздов, О. С. Липатникова. Механизм поперечной проводимости МДП-структур на основе арсенида индия при низкой температуре // Поверхность Физика, химия, механика, 1984, т. 8, с. 68.

6. А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников. Анализ состава сверхтонких окислов на поверхности методом туннельной спектроскопии // Сб. VIII совещания «Физика поверхностных явлений в полупроводниках» Тезисы докладов, Киев, 1984, часть 2, с. 45.

7. А. П. Ковчавцев, С. М. Крыцин, В. Г. Половинкин, Н. И. Халиуллин. Автоматизированная установка для измерения высокочастотных вольтфарадных характеристик структур металл-диэлектрикполупроводник // ЭТ, Тезисы докладов конференции сер. З, Микроэлектроника, в.1 (200). Разработка и изготовление твердотельных изделий электронной техники, 1985, с.ЗЗ.

8. А. П. Ковчавцев, С. М. Крыцин, В. Г. Половинкин, Н. И. Халиуллин. Автоматизированная установка для измерения высокочастотных вольтфарадных характеристик структур металл-диэлектрик — полупроводник // Приборы и техника эксперимента, 1985, т. 6, с. 174.

9. А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников, С. А. Бирюков. Туннельная спектроскопия фононов в арсениде индия // ФТП, 1985, т.19, вып.12, с. 2187.

10. А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, Ю. О. Кантер, Б. З. Олыианецкий, Э. А. Демьянов, С. М. Крыцин, С. И. Стенин. Влияние состава переходного слоя на величину низковольтного гистерезиса вольт — фарадных характеристик МДПструктур на арсениде индия // Поверхность. Физика, химия, механика, 1986, т. 10, с. 132.

11. Т. Е. Ковалевская, А. П. Ковчавцев, С. М. Крыцин, Г. Л. Курышев, Ю.В.Наста-ушев. Термическая генерация в области пространственного заряда МДП-структур на основе InAs при неравновесном обеднении // Сб. рефератов НИОКР, 1986, Сер. РТ, С. 28.

12. В. А. Гуртов, М. В. Золотов, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев. Объемный заряд в МДП-структурах на основе арсенида индия // Микроэлектроника, 1986, т.15, вып.2, с. 142.

13. А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, В. Н. Дроздов. Полевой дрейф ионов в МДП-структурах на основе арсенида индия // Микроэлектроника, 1986, т.15, в.4, стр. 324.

14. А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников. Туннельная спектроскопия системы арсенид индия-сверхтонкий окисел-Au // Сб. «Всесоюзная школа по физике поверхности» Тезисы доклада., Москва, 1986 с. 45.

15. А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников. Туннельная спектроскопия системы арсенид индия-сверхтонкий окисел-Au. // Сб. «Всесоюзная школа по физике поверхности». Карпаты. Тезисы оригинальных докладов, Черноголовка, 1986 с.ЗЗ.

16. A.P.Kovchavtsev, G.L.Kuryshev, K.O.Postnikov. Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy of InAs-Superthin Insulator-Au Structures // Phys.stat.sol.,(a), 1986, v. 97, p.421.

17. А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников. Неупругая туннельная электронная спектроскопия МДП-структур со сверхтонким слоем нитрида кремния // Сб. V республиканская конференция «Физические проблемы МДП-интегральной элект-роники», Тезисы докладов, 1987, с. 100.

18. А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников, И. М. Субботин, Ж. И. Хорват. Резонансное туннелирование электронов в барьере Шоттки на арсениде галлия // ФТП, 1987, т. 21, вып.11, с. 1944.

19. А. П. Ковчавцев, К. О. Постников. Неупругая электронная туннельная спектроскопия МДП — структур со сверхтонкими слоями окиси кремния на кремнии // Сб. «7 Seminar of socialist countries on electron spectroscopy». Abstracts., Bourgas, Bulgaria, 1988, p.50.

20. A.P.Kovchavtsev, G.L.Kuryshev, K.O.Postnikov, R.A.Sokolov, I.M.Subbotin. Inelastic Electron Tunnelling Spectroscopy of Si MIS Structures with Ultrathin.

Thermal Silicon Nitride and Thermal Silica // Phys.stat.sol. (a), 1988, v. 106, p. 669.

21. А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников. Туннельная спектроскопия структур InSb-сверхтонкий окисел-золото // Сб. «Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников», Тезисы докладов, 1988, с. 29.

22. A.P.Kovchavtsev, K.O.Postnikov. Inelastic electron tunnelling spectroscopy of Si MOS Structures with Ultrathin Silica // БЪЛГАРСКА АКАДЕМИЯ НА НАУКИТЕ* Известия по химии, 1989, т. 22, вып. ¾, с. 475.

23. Я. А. Ильенков, Т. Е. Ковалевская, А. П. Ковчавцев. Оценка параметров глубоких уровней в МДП-структурах на основе InAs // Поверхность. Физика, химия, механика, 1992, т. 1, с. 62.

24. Ю. Г. Галицин, А. П. Ковчавцев, В. Г. Мансуров, В. И. Пошевнев. Способ обработки поверхности арсенида индия // Авторское свидетельство, № 1 814 442 от 11.10.1992, Б.И.№ 14 от 20.05.2000, с. 477.

25. A. Kovchavtsev, E. Kogan, G. Kurisev, L. Logvinski, M. Pan, V. Polovinkin, D. Sagdeev, I. Subbotin, B.Wainer. IR Spectrometer with 512 InAs MOS Detector. OPTO 92 Paris-France Palas des Congres 14−16 Avril, 1992, p.620.

26. V.M.Efimov, Z.V.Panova, A.V.Malygin. Physico-Chemical Properties of Plasma Deposited Silicon Nitride Films // Phys.Stat.Sol., (a), 1992, v.129, 1992, p.483.

27. G.L.Kurisev, A.P.Kovchavtsev, V.M. Bazovkin, Yu.A.Slapunov, L.S. Kogan, A.V.Bechterev. Fabrication and properties of two-dimentional hybrid array sensor on epitaxial n-InAs films // Pros. SPIE, Infrared detectors and focal plane arrays IV, 1994, v.2746, p.268.

28. L.S.Braginski, E.M.Baskin, A.P.Kovchavtsev, G.L.Kuryshev, K.O.Postnikov, I.M.Sub-botin. Emission of short-wavelength phonons in tunneling through Shottky barrier// Phys. Rev. B, 1995, v.51, № 24, p. 17 718.

29. D.A. Romanov, A.V.Kalameitsev, A.P.Kovchavtsev, I.M. Subbotin. Conversion tunneling in non-ideal Schottky barriers: virtual resonance manifestation and interface // Proc. of the Materials Research Sociaty, Boston, 1996 v. 445, p.375.

30. Н. А. Корнюшкин, Н. А. Валишева, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев. Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольтфарадные характеристики МДП-структур на арсениде индия // ФТП, 1996, т. 30, № 5, с. 914.

31. I.M.Zakharov, A.P.Kovchavtzev, G.L.Kuryshev, V.V.Preobragensky, B.R.Semy-agin. Inelastic Resonance Tunneling of Electron through the Triple Barrier GaAs/AlxGaixAs Heterostructure under Infrared Electromagnetic Field Excitation // Phys. Low — Dim. Struct., 1997, т. 5/6, pp.53.

32. A.B. Каламейцев, Д. А. Романов, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников, И. М. Субботин. Природа отрицательного дифференциального сопротивления неи-деального барьера Шоттки на основе арсенида индя // ФТП, 1997, т. 31, № 3, с. 370.

33. Г. Л. Курышев, А. П .Ковчавцев, Б. Г. Вайнер, А. А. Гузев, В. М. Базовкин В.М.Ефимов, И. И. Ли, А. С. Строганов, Н. А. Валишева. Тепловизор нового поколения «ИФП-М» // Здравоохранение России. Официальный каталог 28−31октября 1997, г. Екатеринбург с. 56.

34. Г. Л. Курышев, А. П. Ковчавцев, Б. Г. Вайнер, А. А. Гузев, В. М. Базовкин, А. С. Строганов, И. М. Субботин, И. М. Захаров, В. М. Ефимов, К. О. Постников, И. И. Ли, Н. А. Валишева, З. В. Панова. Медицинский тепловизор на основе матричного ФПУ 128×128 для диапазона длин волн 2,8−3,05 мкм // Автометрия, 1998, № 4, с. 5.

35. G.L.Kurisev, A.P.Kovchavtsev, B.G.Vainer, A.A.Guzev, V.M. Bazovkin, A.S.Stroganov, I.M.Subbotin, I.M.Zakharov, V.M.Efimov, K.O.Postnicov, I.I.Lee, N.A.Valisheva, Z.V.Panova. Medical infrared imaging System based on a 128×128 focal plane Array for 2.8−3.05 pm spectral range // Avtometrriya. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 1998, p.5.

36. Г. Л. Курышев, А. П. Ковчавцев, В. М. Базовкин, А. А. Гузев, И. И. Ли, Н. А. Валишева, К. О. Постников, А. В. Яковлев, П. В. Журавлев. Тепловизионный быстродействующий портативный прибор на основе фокальной матрицы МДП-структур на арсениде индия // Автометрия, 1998, № 4, с. 13.

37. G.L.Kurisev, A.P.Kovchavtsev, V.M.Bazovkin, A.A.Guzev, I.I.Lee, N.A.Valisheva, K.O.Postnicov, A.V.Yakovlev, P.V.Zhuravlev. Compact fast IR imaging system based on an InAs MIS focalplane array // Avtometrriya. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 1998, p.ll.

38. Н. А. Валишева, Т. А. Левцова, Л. М. Логвинский, А. П. Ковчавцев, Г. Л.Куры-шев, А. З. Петренко, И. П. Петренко. Влияние фтора на границу раздела анодный оксид — арсенид индия // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 1999 т. 11, с. 53,.

39. Б. Г. Вайнер, И. И. Ли, Г. Л. Курышев, А. П. Ковчавцев, В. М. Базовкин, И. М. Захаров, А. А. Гузев, И. М. Субботин, В. М. Ефимов, Н. А. Валишева, А. С. Строганов Матричный тепловизор // Патент на изобретение № 2 152 138, 2000 г., Б. И № 18 от 27.06. 2000, с. 468.

40. N.A.Valisheva, T.A.Levtsova, L.M.Logvinsky, A.P.Kovchavtsev, G.L.Kuryshev,.

A.Z.Petrenko. Influence of Fluorine on the Interface Anodic Oxide — Indium Arsenide // Surface Investigation, 2000, v. 15, p. 1667.

41. А. П. Ковчавцев и др. Фотоприемники зарядовой инжекции на арсениде индия в кн. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, Новосибирск, Наука, 2001, с. 10.

42. Г. Л. Курышев, А. П. Ковчавцев, Н. А. Валишева. Электронные свойства структур металл — диэлектрик — полупроводник на основе InAs // ФТП, 2001, т. 35, в.9, с. 1111.

43. V.M. Bazovkin, N.A.Valisheva, A.A.Guzev, V.M.Efimov, A.P.Kovchavtsev, G.L.Kurisev. 1×384 Hybrid linear infrared focal plane arrays on InAs MOS-structure for spectrometric applications // SPIE, 2003, v. 5126, p.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках, 1964, Мир, Москва, с 65.
  2. J.R.Chelikowsky, M.L.Cohen. Nonlocal pseudopotential calculations for the electronic structure of eleven diamond and zinc-blende semiconductors // Phys. Rev., 1976, B14, p.556.
  3. О.Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп 1967, Мир, Москва, с. 57, 27, 60.
  4. К. Хилсум, А. Роуз-Инс. Полупроволники типа AmBv, 1963, ИЛ, Москва, с. 323.
  5. W.G.Spitzer, H.Y.Fan. Determination of optical constants and carrier effective mass of semiconductors. Под ред.Н. Б. Хеннея, ИЛ, Москва 1962, с. 356.
  6. Полупроводники. Под. ред. Н. Б. Хеннея, ИЛ, Москва, 1962, с. 356.
  7. F.Matossi, F.Stern. Temperature dependence of optical absorption in p-type indium arsenide //Phys. Rev., 1958, 111, p.472.
  8. C.C. Стрельченко, А. А. Матяш. Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев соединений АШВУ из газовой фазы // Обзоры по электронной технике, 1979, М., Вып. 8 (678), Сер. 6, «Материалы'^. 56.
  9. И.А.Фомин, Л. В. Лебедева, Г. Б. Лунькина, В. В. Лебедев. Исследование времени жизни в эпитаксиальном n-InAs // ФТП, 1980, т.14, № 7, с. 1434.
  10. G.Tschulena, R.Keil. Energy loss of hot carriers due to optical phonons in degenerate nonpolar semiconductors // Phys. Stat. Sol., 1972, v. 49, p. 191.
  11. D.L. Rode. Mobility in InSb, InAs, InP // Phys. Rev., B, 1971, v.3, № 10, p.3287.
  12. K.Hess, H.Kahlert. Harmonic mixing and energy relaxation of warm electrons in n-GaAs at low temperatures // J.Phys. Chem. Solids, 1971, v.32, p. 2262.
  13. G.Bauer, H.Kahlert. Low-temperature now-ohmic galvanomagnetic effects in degenerate n-type InAs // Phys. Rev. 1972, v. B5, p.566.
  14. Н.С.Барышев. Свойства и применение узкозонных полупроводников, 2000, Унипрес, Казань, с. 26, 66, 92, 94, 136, 164.
  15. S.Zwerdling, B. Lax, L.M.Roth. Oscillatory magnetoabsorption in semiconductors // Phys. Rev., 1957, v. 108, p. 1402.
  16. Полупроводниковые соединения AmBv. Под. Ред. Р. Вилардсона и Х. Гёринга 1967, с. 728.
  17. А.Милне. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, 1977, Мир, Москва, с. 84.
  18. Ж.Панков. Оптические процессы в полупроводниках, 1973, Мир, Москва, с. 124.
  19. Г. Н.Галкин. Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высо-ких уровнях возбуждения // Труды ордена Ленина физического института им. П. Н. Лебедева АН ССР, 1981, т.128, Наука, Москва, с. 54.
  20. M.P.Mikhailova et al. Temperature Dependance of carrier lifetimes in InAs // Soviet Phys. Solid., 1964, v .5, 8, p. 1685.
  21. S.R.Borello. Lifetime in Photoconductive Indium Arsenide // J. Appl. Phys., 1966, v.37, 13, p. 4899.
  22. Э.К.Гусейнов, М. К. Михайлова, Д. Н. Наследов, Ю. Г. Попов, М.Хамракулов. Примесная фотопроводимость в InAs // ФТП, 1969, т. 3, № 11, с. 1732.
  23. И.М.Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников, 1992, Но-восибирск, Наука, с. 158.
  24. Sadao Adachi. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors. Numerical Data and Graphical Information, 1999, Kluwer Academic Publishers, Boston /Dordrecht/, London, p.257.
  25. M. Nenberge. Handbook of Electronic Materials, 1971, v. 2, III-V Semiconducting Compounds. JFI, Plenum, New York — Washington — London, p. 93.
  26. R.J.Schwartz, R.C.Dockerty, H.W.Thompson. Capacitance voltage measurements on n-type InAs MOS diodes // Solid State Electronics, 1971, v.14, p.115.
  27. C.W.Wilmsen. Chemical composition and formation of thermal and anodic oxide III-V compound semiconductor // J.Vac.Sci.Technol., 1981, v. 19, № 3, p. 279.
  28. Т.П.Смирнова, В. И. Белый, Н. Ф. Захарчук.О состояниях элемента V группы на поверхности, А ш Bv // Поверхность, 1984, т.2, с. 94.
  29. Т.П.Смирнова, Н. Ф. Захарчук, А. Н. Голубенко, В. И. Белый. Фазовый состав и структура собственных оксидных слоев на полупроводниках АШВУ //
  30. Новые материалы электронной техники, Сб. научных трудов, Новосибирск, 1990, „Наука“, с. 62.
  31. Physics and Chemistry of III-V Compound Semicondutor Interfaces. Ed. C.W.Wilmsen. N.-Y.- L.: Plenum Press, 1985, p. 461.
  32. В.И. Белый, В. Р. Белосудов. Свойства поверхности соединений AnIBv и физико-химические процессы на границе раздела AniBv металл // Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников, Сб. научных трудов, Новосибирск, 1988, „Наука“, с. 43.
  33. P. Viktorovitch. Passivation des semiconducteurs III-V // Revue Phys. Appl., 1990.V. 25, p.895.
  34. S.Sinharoy. Fluoride/Semiconductor and Semiconductor /Fluoride/ Semiconductor Heteroepitaxial Structure Research A Review // Thin Solid Films, 1990, v.187, 231.
  35. В.Н.Бессолов, М. В. Лебедев. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников AmBv, Обзор // ФТП, 1998, т.32, № 11, с. 1281.
  36. W.E.Spicer, I. Lindau, P.R.Skeath, C.Y.Su, P.W.Chye. Unified Mechanism for Schottky Barrier Formation and III-V Oxide Interface States // Phys. Rev. Lett., 1980, v. 44, № 6, p.420.
  37. W.E.Spicer, P.W.Chye, P.R.Skeath, C.Y.Su, I. Lindau. New and Unified Model for Schottky Barrier and III-V Insulator Interface States Formation // J. Vac. Sci. Technol., 1979, v.16, № 5, p.1422.
  38. S.M Ojha., Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of Thin Films // Phisics of Thin Films, Academic Press. Inc., 1982, v.12, p. 237.
  39. G.Landgren, R. Ludeke, J.F.Morar, Y.Jugnet. Oxidation of GaAs (110): New results and mode // Phys. Rev. B, 1984, v.30, N 8, p.4839.
  40. C.W.Wilmsen, R.W.Kee, K.M.Geib. Initial oxidation and oxide/semiconductor interface formation on GaAs // J. Vac. Sci. Technol., 1979, v. 16, № 5, p. 1434.
  41. G.Lucovsky, R.S.Bauer.-Bonding contributions in the chemisorption of oxygen onto nonpolar compound semiconductor surfaces // Solid State Communications, 1979, v.31,p.931.
  42. G.Lucovsky, R.S.Bauer. Local atomic order in native III-V oxides // J. Vac. Sci. Technol., 1980, v.17, № 5, p. 946.
  43. V.I.Belyi, T.P.Smirnova, N.F.Zakharchuk. Phase composition and structure of native oxides on AniBv semiconductors // Appl. Surface Science, 1989, v.39, p.161.
  44. O.R.Monteiro, J.W.Evans. Thermal oxidation of gallium arsenide // J. Vac. Sci. Technol., 1989, v. A7, № 1, p.49.
  45. N. Suzuki, T. Hariu, Y.Shibata. Effect of native oxide on the interface property of GAas MIS structures // Appl. Phys. Lett, 1978, v.33, p.761.
  46. K.P.Pande. Electrical characteristics and memory behavior of Ge3N4-GaAs MIS devices // Solid State Electron, 1982, v.25, p.145.
  47. H. Hasegava, T.Sawada. Dynamic properties of interface state bands in GaAs anodic MOS system // J. Vac. Sci. Technol., 1979, v.16, № 5, p.1478.
  48. R.L.Streever, J.T.Breslin, E.H.Ahlstrom. Surface states at the /2-GaAs-Si02 interface from conductance and capacitance measurements // Solid State Electron., 1980, v. 23, p. l093.
  49. F.Koshiga, T.Sugano. The anodic oxidation of GaAs in an oxigen plasma generated by a D.C. electrical discharge // Thin Solid Films, 1979, v.56, p.37.
  50. S-P.Murarka.Thermal oxidation of GaAs // Appl.Phys.Lett, 1975, v.26, p.180.
  51. H.Hasegava, K.E.Forvard, H.L.Hartnagel. New anodic oxide of GaAs with improved dielectric and interface properties // Appl. Phys.Lett., 1975, v.26, p.567.
  52. R.P.H.Chang, J.J.Coleman. A new method of fabricating gallium arsenide MOS devices // Appl. Phys.Lett., 1978, v. 32, p.332.
  53. D.E.Aspnes, J.B.Theeten, R.P.H.Chang. Nondestructive characterization of interface layers between Si or GaAs and their oxides by spectroscopic ellipsometry // J. Vac. Sci. Technol., 1979, v.16, № 5, p. 1374.
  54. R.L.Farray, R.K.Chang, S. Mroczkawski, F.H.Pollak. Detection of excess crystalline As and Sb in III-V oxide interfaces by Raman scattering // Appl. Phys. Lett, 1977, v. 31, p.768.
  55. C.C.Chang, R.P.H.Chang, S.P.Murarka. Plasma grown Oxide on GaAs // J. Electrochem. Soc., 1978, v. 125, p. 481.
  56. C.C.Chang, B. Schwartz, S.P.Murarka. Anodic Oxide on GaAS: Quantitative Chemical Depth Profiles Obtained Usung Auger Spectroscopy and Neutron Activation Analysis // J. Electrochem. Soc., 1977. v. 124, p. 922.
  57. R.P.H.Chang, T.T.Sheng, C.C.Chang, J.J.Coleman. The effect of interface arsenic domains on the electrical properties of GaAs MOS structures // Appl. Phys. Lett, 1978, v.33,p. 341.
  58. R.P.H.Chang, C.C.Chang, T.T.Sheng. Plasma oxidation of aluminum film on GaAs-A study by Auger spectroscopy and transmission electron microscopy // Appl. Phys. Lett, 1977, v.30, p.657.
  59. B. Schwartz. GaAs-surface chemistry a-review CRC Critical // Reviews in Solid State Sciences, 1975, p.609.
  60. R.P.H.Chang, J.J.Coleman, A.J.Polak, L.C.Feldman, C.C.Chang. Application of selective chemical reaction concept for controlling the properties of oxides on GaAs // Appl. Phys. Lett., 1979, v. 34, p. 237.
  61. R.K.Ahrenkiel, R.S.Wagner, S. Pattillo, D. Dunlavy, T. Jervis, L.L.Kazmerski, P.J.Ireland. Reduction of fast surface states on p-type GaAs // Appl. Phys. Lett., 1982, v. 40, p. 700.
  62. R.K.Ahrenkiel, L.L.Kazmerski, P.J.Ireland, O. Jamjoum, P.E.Russell, D. Dunlavy, R.S.Wagner, S. Pattillo, T.Jervis. Reduction of surface states on GaAs by the plasma growth of oxyfluorides // J. Vac. Sci. Technol., 1982, v.21, № 2, p.434.
  63. R.K.Ahrenkiel, L.L.Kazmerski, O. Jamjoum, P.E.Russell, P.J.Ireland, R.S.Wagner. Properties of plasma oxyfluorides grown on on GaAs // Thin Solid Films, 1982, v.95, p. 327.
  64. A.B.Bhattacharyya., E.Lakahmi. Passivation of gallium arsenide by reactively sputtered gallium nitride thin films // Microeletron. J., 1983, v. 14, № 1, p.43.
  65. F.Capasso, G.P.Williams. A proposed Hydrogenation / Nitridization Passivation Mechanism for GaAs and Other III-V Semiconductor Devices, Including InGaAs Long Wavelength Photodetectors // J. Electrocchem Soc., 1982, v. 129, p. 821.
  66. R.P.H.Chang, C.C.Chang, S.Darack. Hydrogen plasma etching of semiconductors and their oxide // J. Vac. Sci. Technol., 1982, v. 20, № 1, p. 45.
  67. M.Maeda, T.Nakamura. Insulation degradation and anomalous etching phenomena in silicon nitride films prepared by plasma-enhanced deposition // Thin Solid Films, 1984, v. l 12, p. 279.
  68. P.Friedel, S. Gourrier. Interactions between H2 and N2 plasmas and a GaAs (100) surface: Chemical and electronic properties // Appl. Phys. Lett., 1983, v. 42- p.509.
  69. S. Gourrier, L. Smit, P. Friedel, P.K.Larson. Photoemission studies of molecular beam epitaxially grown GaAs (001) surfaces exposed to a nirogen plasma // J.Appl. Phys., 1983, v.54, № 7, p.3993.
  70. S.J.Pearton, E.E.Haller, A.G.Elliot. Nitridization of gallium arsenide surfaces: Effects on diode leakage currents // Appl. Phys. Lett., 1983, v.44, № 7, p. 684.
  71. A.C.Warren, S.D.Offsey, J.M. Woodall, P.D.Kirchner, T.I. Chappel, G.D.Pettit. Summary Abstract: Unpinned (100) GaAs surfaces in air using Photochemistry // J. Vac. Sci. Technol., 1986, v. 4, № 4, p. 1115.
  72. Z.Liliental-Weber, CW. Wilmsen, K.M.Geib, P.D.Kirchner, J.M.Baker, J.M.Wo-odall, Structure and chemical composition of water-grown oxides of GaAs // J. Vac. Sci.Technol., 1986, v.4, 4, p.912.
  73. K.Kanazawa, H.Matsunami. Plasma-Grown Oxide on InP // Japan.J.Appl.Phys., 1981, v.20, p. L211.
  74. C.R.Zeisse. Interface and dielectric properties of the n-indium-phosphide -silicon oxide system // J. Vac. Sci. Technol., 1979, v. 16, № 5, p. 1466.
  75. D.C.Cameron, L.D.Irving, G.R.Jones, J.Woodward. InP /metal/semiconductor devices incorporating А12Оз dielectrics chemically vapour deposited at low pressure II Thin Solid Films, 1982, v.91, № 4, p. 339.
  76. K.P.Pande, D.Gutierrez. Channel mobility enhancement in InP metal-insulator-semiconductor field-effect transistors II Appl. Phys. Lett, 1985, v. 46, p. 416.
  77. J.F.Wager, C.W.Wilmsen. Plasma-enhanced chemical vapor deposited Si02 // J.Appl. Phys., 1982, v.53, p. 5789.
  78. J.F.Wager, K.M.Geib, C.W.Wilmsen, L.L.Kazmerski. Native oxide formation and electrical instabilities at the insulator/InP interface // J. Vac. Sci. Technol., 1983, v. Bl,№ 3,p.778.
  79. M.Salvi, P.N.Favennes, H.L.Haridon, G.P.Pelous. Composition of Anodic Oxides Grown on InP // Thin Solid Films, 1982, v. 87, p.13.
  80. D.De Cogan, G. Eftekhari, B.Tuck. The Anodization of InP 11 Thin Solid Films, 1982, v.91, p. 277.
  81. L.G.Meiners. Electrical properties of Si02 and Si3N4 dielectric layers on InP // J .Vac. Sci. Technol., 1981, v.19, № 36, p.373.
  82. E.Yamaguchi, M.Minakata. Study of boron nitride gate insulators onto InP grown by low-temperature chemical vapor deposition // J. Appl. Phys., 1984, v. 55, p.3098.
  83. Y.Hirota, M. Okamura, T. Kobayachi. The effect of annealing metal-insulator-semiconductor diodes employing a thermal nitride-InP interface // J. Appl. Phys., 1982, v, 53,№ 1, p.536.
  84. B.Bouchikhi, C. Michel, G. Valmont, S. Ravelet, B.Lepley. Interface properties of MIS structures prepared by plasma oxidation of n-InP // Semicond. Sci. Technol., 1986, v. 1, p.143.
  85. R.K.Ahrenkiel, P. Sheldon, D. Dunlavy, L. Roybal, R.E.Hayes. Surface compensation of p-InP as observed by capacitance dispersion // Appl Phys. Lett., 1983, v.43,p. 675.
  86. M.Okamura, T.Kobayachi. Improved Interface in Inversion Type InP-MISFET by Vapor Etching Technique // Japan. J. Appl. Phys., 1980, v. 19, p. 2151.
  87. M.Okamura, T.T.Kobayashi. Reduction of Interface States and Fabrecation ofp-Channel Inversion Type InP — MISFET // Japan. J. Appl. Phys., 1980, v. 19, p. L599.
  88. C.N.Berglund. Surface States at Steam Grown Silicon-Silicon Dioxide Interfaces // IEEE Trans. Electron. Dev., 1966, v. ED-13, p.701.
  89. M.Kuhn. A Quasi Static Technique for MOS C-V and surface state measurements // Solid State Electron., 1970, v. 13, p. 873.
  90. G.Hollinger, E. Bergignat, J. Joseph, Y.Robach. On the nature of oxides on InP surfaces // J. Vac. Sci. Technol., 1985, v. A3, p. 2082.
  91. G.Hollinger, J Joseph, Y. Robach, E. Bergignat, B. Commere, P. Viktorovitch, M.Froment. On the chemistry of passivated oxide InP interfaces // J. Vac. Sci. Technol., 1987, v. B5, p. 690.
  92. G.Couturier, A. Chaouki, H. Ricard, A.S.Barriere. Electrical properties of SrF2/InP (100) diodes and SrF2 thin films // J. Vac. Sci. Technol., 1987, v. B5, p.870.
  93. A.U.MacRae, G.W.Gobeli. Low-Energy Electron-Diffraction Study of the Cleaved (110) Surfaces of InSb, InAs, GaAs, and GaSb // J. Appl. Phys., 1964, v.35, p.1629.
  94. W.Gudat, D.E.Eastman. Electronic surface properties of III-V semiconductors: Excitonic effects, band bending effects, and interactions with Au and О adsorbate layers // J. Vac. Sci. Technol., 1976, v. 13, p. 831.
  95. M. Yamaguchi, N. Yamamoto, H. Sugiura, C.Uemura. Thermal oxitation of InAs and characterization of the oxide film // Thin Solid Films, 1981, v. 92, p. 361.
  96. J.N.Walpole, K. W.Nill. Capacitance Voltage Characteristics of Metal Barriers on p — PbTe and p — InAs: Effect of the Inversion Layer // J. Appl. Phys., 1971, v.42, № 13, p. 5609.
  97. C.F.Mead, W.G.Spitzer. Fermi Level Position at Semiconductor Surfaces // Phys. Rev. Lett., 1963, v. 10, p. 471.
  98. I.L.Freeouf, I.M.Woodall. Schottky barriers: An effective Work function model // Appl. Phys. Lett., 1981, v.39, № 9, p. 727.
  99. H.-U.Baier, L. Koenders, W.Monch. Oxidation of InAs (110) and correlated changes of electronic surface properties // J. Vac. Sci. Technol., 1986, v. B4, № 4, p. 95.
  100. H.-U.Baier, L. Koenders, W.Monch. Oxidation of cleaved InAs (110) surfaces at room temperature: surface bend bending and ionization energy // Solid State Commun., 1986, v.58, № 5, p. 327.
  101. W.Monchm. On the oxidation of III-V compound semiconductors // Surf. Sci., 1986, v. 168, p. 577.
  102. О.В.Жариков, Ю. К. Крутеиюк. О проводимости поверхностного инверсионного слоя InAs // Письма в ЖЭТФ, 1983, т. 38, вып.2, с. 45.
  103. Т.Андо, А. Фаулер, Ф.Стерн. Электронные свойства двумерных систем, Москва, „Мир“, 1985, с. 314.
  104. E.Yamaguchi, M.Minokata. Magnetoconductance study of inversion layers on InAs metal-insulator-semiconductor field-effect transistors // Appl. Phys. Lett., 1983, v., № 10, p. 965.
  105. E.Yamaguchi. Theory of defect scattering in two-dimensional multisubband electronic systems on III-V compound semiconductors // J. Appl. Phys, 1984, v. 56, № 6 p. 1722.
  106. D.H. Laughlin, C.W.Wilmsen, Thermal oxidation of InAs // Thin Sol. Films, 1980, v. 70, p. 325.
  107. A.T. Fromhold, Jr, Theory of Metal Oxidation, 1, North-Holland, Amsteram, 1975, p. 230.
  108. C.W.Wilmsen. Oxide layers on III-V compound semiconductors // Thin Solid Films, 1976, v. 39, № 11, p. 105.
  109. G.P.Schwartz, W.A.Sunder, J.E.Griffiths, GJ.Gualtieri. Condensed phase diagram for the In-As-0 system // Thin Solid Films, 1982, v. 94, p. 205.
  110. G.P.Schwartz, J.E.Griffiths, G.J.Gualtieri. Thermal oxidation and native oxide-substrate reactions on InAs and InxGa! xAs // Thin Solid Films, 1982, v. 94, p. 213.
  111. V.A.Belyi, T.P.Smirnova., N.F.Zakharchuk. On the problem of elemental Bv material in the interface of native oxide/AniBv structures // Thin Solid Films, 1984, v. l 13, p.157.
  112. В.П.Кузнецов, С. С. Олевский, И. Н. Сорокин. Изучение анодных оксидных пленок на InAs методом Оже-спектроскопии // Электронная техника, сер. З, микроэлектроника, 1980, т. 3 (87), с. 77.
  113. А.К.Афанасьев, А. С. Волков, В. П. Пелипас. Исследование анодных окислов на поверхности полупроводников AinBv методом инфракрасной спектроскопии // Электронная промышленность, 1980, вып.11 (95), вып.12 (96), с. 32.
  114. И.Н.Сорокин, В. И. Козлов. Влияние ионов фтора на рост и свойства анодных оксидных слоев арсенида индия // Изв. АН СССР, Неорган, материалы, 1979, т. 15, № 3, с. 53.
  115. А.А.Широков, Е. А. Маркова, И. С. Захаров. Электрофизические свойства МДП-структур на основе арсенида индия // Неорган. материалы, 1982, т. 18, № 9, с. 1459.
  116. Н.А.Авдеев, Ю. Е. Гардин, В. А. Гуртов, С. Н. Кузнецов. Фотопроводимость собственного анодного окисла на поверхности арсенида индия // Микроэлектроника, 1985, т. 14, вып. 5, с. 458.
  117. D.A.Baglee, D.K.Ferry, C.W.Wilmsen. Inversion layer transport and properties of oxides on InAs // J. Vac. Sci. Technol., 1980, v. 17, p. 1032.
  118. А.А.Широков, Ю. Н. Усов, И. С. Захаров. Перезарядка ловушек в анодном оксиде InAs // Неорган. Материалы, 1984, т. 20, № 7, с. 1081.
  119. Е.А.Лоскутова, В. Н. Давыдов, Т. Д. Лезина. Особенности электрофизических и фотоэлектрических характеристик МОП-структур из InAs // Микроэлектроника, 1985, т. 14, вып. 2, с. 134.
  120. Е.А.Лоскутова, А. А. Гринсон, В. Н. Давыдов, А. А. Гуткин. Определение спектра поверхностных состояний на границе раздела InAs анодный окисел методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней // Поверхность. Физика, химия, механика, 1985, т. 10, с. 36.
  121. А.В.Войцеховский, В. Н. Давыдов. Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников. Томск „Радио и связь“, 1990, с. 66.
  122. C.W.Wilmsen, L.G. Meiners, D.A.Collins. Single- and double- layer insulator metal-oxide-semiconductor capacitors on indium arsenide // Thin Solid Films, 1977, v. 46, p. 331.
  123. И.Н.Сорокин, Л. Е. Гатько. Влияние ионов фтора на рост и свойства анодных оксидных слоев арсенида индия // Неорганические материалы, 1985, т. 21, № 4, с. 537.
  124. В.Н. Давыдов, Е. А. Лоскутова, И. И. Фефелова. Влияние фтора на свойства систем оксид полупроводниковое соединение АШВ // Микроэлектроника, 1986, т. 15, вып. 5, с. 455.
  125. E.Yamaguchi. Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy in MIS Structures // Jap. Journal of Applied Physics, 1982, v. 21, № 11, p. 1628.
  126. E.Yamaguchi, T.Kobayashi. New method for determining distribution of interface states in an MIS system // Electronics Letters, 1982, 18, № 7, p.290.
  127. H.H.Wieder. Narrow bandgap semiconductor devices // Optical Properties, of Narrow -Gap Low Dimensional structures, 1987, v.151, p. 231.
  128. B.T.Moore, D.K.Ferry. Scattering of inversion layer electrons by oxide polar mode generated interface phonons // J. Vac. Sci. Tech. 1980, v. 17, JST® 5, p. 1037.
  129. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, ed. by K.-H.Hellwege, O. Madelung, Landolt-Bornstein, New Series, Group III, Springer, Berlin, 1982. v. 17, Pt. a, p.242.
  130. И.А.Фомин, Г. Б. Лунькина, Н. М. Анненко, С. С. Стрельченко. Исследование эпитаксиальных слоев n-InAs и р-n переходов на их основе // ЭТ, серия материалы, 1980, вып. 1, с. 39.
  131. A.G.Milnes, A.Y.Polyakov. Indium Arsenide: a semiconductor for high speed and electro optical devices // Mater. Sci. Eng., 1993, v. В 18, p. 237 .
  132. Х.Кейси, М.Паниш. Лазеры на гетероструктурах, М.: Мир, 1981, Т. 1,2.
  133. Ж.И.Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП, 1998, т. 32, № 1.сЗ.
  134. Ю.С.Тиходеев, О. Т. Марков. Двумерный электронный газ в гетероструктурах: Свойства, применение в микроэлектронике // Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы, ЦНИИ „Электроника“, 1985, с. 29.
  135. K.Plug, G.H.Dohler. Compositional and doping superlattices, in III-V semiconductors // Advances in Physics, 1983, v. 32, № 3, p. 298.
  136. Ф.Капассо. Техника оптической связи. Фотоприемники. Под.ред. У. Тсан-га, Москва, „Мир“, 1988, с. 145.
  137. S.В.Amor, L. Dmowski, J.C.Portal. Two-dimensional electron gas at a Gao, 47ln0−53As/ (AlxGaix)o, 48lno, 52As interfase // Appl.Phys.Lett., 1988, v. 53, № 6, p. 479.
  138. А-Я.Шик, Л. Г. Бакуева, С. Ф. Мусихин, С. А. Рыков. Физика низкоразмерных систем, Санкт Петербург, „Наука“, 2001, с. 120.
  139. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, Ред. Л. Ченг, К. Плог, М.: Мир, 1989.
  140. M.J.Kelly. Low dimensional semiconductors, Oxford: University Press, 1995.
  141. M.Fukuda, K.Takahei. Optically enhanced oxidation of III-V compound semiconductors // J. Appl. Phys., 1985, v. 57 (1), p. 129.
  142. Ю.Г.Шретер, Ю. Т. Ребане, В. А. Зыков, В. Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники, Санкт Перербург, „Наука“, 2001, с. 122.
  143. E.H.Nicollian, J.R.Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology, „JOHN WILEY & SONS“, New York Chichester — Brisbane -Toronto — Singapore, 1982, p. 156.
  144. B.H Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск, 1984, с. 253.
  145. В.Г.Литовченко, А. П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник, Киев,"Науковадумка», 1978, с. 122,149.
  146. А.В.Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., «Наука», 1971.
  147. Instabilities in silicon devices. Silicon Passivation and Related Instabilities, ed. G. Barbottin, A. Vapaille, Else Science Publishers, 1989, p.22.
  148. C.Goldberg. Space Charge Region in Semiconductors // Solid-State Electronics, 1964, v. 7, p. 593.
  149. R.Seiwatz, M.Green. Space Charge Calculations for Semiconductors // J. Appl. Phys. 1958, v. 29, № 7, p. 1034.
  150. A.Many, Y. Goldstein, N.B.Grover. Semiconductor surfaces, North-Holland Publishing Company-Amsterdam, 1965, p. 145.
  151. E.L.Heasell. A self-consistent calculation of effective intrinsic concentration in heavily-doped silicon // Int. J. Electronics, 1975, v. 38, № 1, p. 127.
  152. V.M.Bazovkin, G.L.Kurishev, V.G.Polovinkin. On the Theory of the MIS High-Frequency Capacitance // Phys.Stat.Sol., (a), 1982, v. 74, p. 297.
  153. М.В.Капитонов, О. В. Романов, А. М. Яфисов. Вырождение и непараболичность зон в измерениях поверхностных эффектов на полупроводниках // ФТП, 1983, т. 17, в. 5, с. 818.
  154. Chin-Tang Sah, R.N.Noyce, W.Shockly. Carrier Generation and Recombination in p-n Junctions and p-n Junction Characteristics // Proceedinds of the IRE, 1957, p. 1228.
  155. P.N.Keating. Thermally Stimulated Emission and Conductivity Peaks in the Case of Temperature Dependent Trapping Cross Sections // Proc. Phys. Soc., 1961, v.78,№ 6,p.l408.
  156. E.H.Weber. Zusammenhand zwischen Raumladung, Oberflachenleitfahigkeit und Bandverbiegung fur Photoleiter bei homogener optischer Anregung // Phys. Stat. Sol. (a), 1966, v. 17, p. 843.
  157. E.H.Weber. Space-Charge Capacity of Extrinsic Semiconductors with an Energetically Uniform Destribution of Volume Traps // Phys. Stat. Sol. (a), 1970, v.2, p.693.
  158. W.G.Oldham, S.S.Naik. Admittance of p-n Junctions containing Traps // Solid-State Electronics, 1972, v. 15, p. 1085.
  159. J.G.Simmons, L.S.Wei. Theory of dynamic charge and capacitance characteristics in MIS systems containing discrete surface traps // Solid-State Electronics, 1972, v. 16, p.43.
  160. C.T.Sah, H.S.Fu. Current and Capacitance Transient Responcses of MOS Capacitor. I. General Theory And Applications to Initially Deplected Surface without Surface States // Phys. Stat. Sol. (a), 1972, v. l 1, p. 297.
  161. J.G.Simmons, M.C.Tam. Theory of Isothermal Currents and the Direct Determination of Trap Parameters in Semiconductors and Insulators Containing Arbitrary Trap Distributions // Phys. Rev. B. 1973, v. 7, № 8, p. 3706.
  162. J.G.Simmons, H.A.Mar. Thermal Bulk Emission and Generation Statistics and Associated Phenomena in Metal-Insulator-Semiconductor Devices under Non-Steady-State Conditions // Phys. Rev. В., 1973, v. 8, № 8, p. 3865.
  163. M.Beguwala, C.R.Crowell. Characterisation of multiple Deep Level Systems in Semiconductor Junctions by Admittance Measurements // Solid-State Electronics, 1974, v. 17, p. 203.
  164. D.L.Losee. Admittance spectroscopy of impurity levels in Schottky barriers // J. Appl. Phys., 1975, v. 46, № 5, p. 2204.
  165. R.Meaudre, M. Meaudre. Capacitive Effects in Insulators or Semiconductors. Influence of the Dencity of States in the Gap // Phys. Stat. Sol. (a), 1976, v. 37, p. 633.
  166. F.W.Schmidlin.Theory of multiple trapping // Solid St. Com., 1977, v. 22, p. 451.
  167. C.T.Sah, F.A.Lindholm. Carrier Generation, Recombination, Trapping, and Transport in Semiconductors with Position-Dependent Composition // IEEE Trans. Electron. Dev., 1977, v. ED-24, № 4, p. 841.
  168. T.W.Collins, J.N.Churchill, F.E.Holmstrom, A.Moschwitzer. Modeling of the Transient Response of MIS Capacitor // Advances in Electronics and Electron Physics, 1978, v. 47, p. 267.
  169. А.В.Саченко, И. В. Крупнова. Расчет рекомбинации в приповерхностной области пространственного заряда квазимонополярных полупроводников // Украинский физический журнал, 1980, т. 25, № 5, с. 857.
  170. J.A.Moriarty. Small-signal ас responce of dielectric materials containing static space-charge fields: Application to ionic conductors and MIS structures // J. Appl. Phys., 1981, v. 52, (5), p. 3413.
  171. Guo-gang Qin, C.T.Sah. Theory of Concentration Profiling Technique for Semiconductors with many Deep Levels // Solid-State Electronics, 1982, v. 25, № 10, p. 1045.
  172. Ю.Г.Гуревич, В. Б. Юрченко. Граничные условия в теории неравновесных контактных явлений // Украинский физический журнал, 1982, т. 27, № 2, с. 229.
  173. M.Conti, M.V.Fischetti, R.Gastald. Physical characterization of Deep Bulk Levels by the MOS Conductance. // Solid-State Electronics, 1982, v. 25, № 1, p. 5.
  174. Д.А.Аронов, В.Заитова. Влияние центров прилипания на премена жизни носителей тока в полупроводниках с сильно различающимися сечениями захвата электронов и дырок глубокими уровнями // Известия АН УзССР, сер. физ. мат. наук, 1984, № 4, с. 47.
  175. В.В.Евстропов, К. В. Киселев, И. Л. Петрович, Б. В. Царенков. Скорость рекомбинации через многоуровневый (многозарядный) центр // ФТП, 1984, т. 18, в. 5, с. 902.
  176. A.K.Agarwal, M.H.White. On the nonequilibrium statistics and smasll signal admittance of Si-Si02 interface traps in the deep-deplected gated-diode structure // J. Appl. Phys., 1984, v. 55, (10), p. 3682.
  177. D.Stievenard, M. Lannoo, J.C.Bourgoin. Transient Capacitance Spectroscopy in heavily Compensated Semiconductors // Solid-State Electronics, 1985, v. 28, № 5, p. 485.
  178. Т.Е. Ковалевская. Кинетика неравновесного импульсного обеднения полупроводника с глубокими уровнями // Препринт 29. ИФП СО АН СССР, Новосибирск, 1988.
  179. А.В.Ржанов. Характер энергетического спектра поверхностных состояний и кинетика импульсного эффекта поля. I // ФТП, 1972, т. 6, в. 8, с. 1495.
  180. M.Schulz. Interface States at the Si02 Si Interface // Surface Science, 1983, v.132, p. 422.
  181. F.Herman. Electronnic structure calculations of interfaces and overlayers in the 1980's. Critical Review // J. Vac. Sci. Technol., 1979, v. 16, (5), p. 1101.
  182. H.Flietner. Spectrum and nature of surface states // Surface Science, 1974, v.46, № 1, p. 251.
  183. H.Flietner. U. Shaped, Distributions at Semiconductor Interfaces and the Nature of the Related Defect Centres // Phys. Stat. Sol. (a), 1985, v. 91, № 1, p. 153.
  184. B.Balland, M. Okeke, A. Maillet, P.Pinard. Gold-Related Interface States in MOS System // Thin Solid Films, 1982, v. 88, p. 129.
  185. E.Rosencher, R.Coppard. Transient capacitance spectroscopy of Na+ induced surface states at the Si/Si02 interface // J. Appl. Phys., 1984, v. 55, (4), p. 971.
  186. В.А.Гергель, Р. А. Сурис. Теория поверхностных состояний и проводимости в структурах металл диэлектрик — полупроводник // ЖЭТФ, 1983, т.84, № 2, с. 71.
  187. В.А.Гергель, А. П. Нагин, И. О. Никитин. Механизм образования поверхностных состояний в МНОП-структур ах при деградации // Микроэлектроника, 1983, т. 12, в. 6. с. 211.
  188. O.Lang, C.Pettenkofer.Thin film growth and band lineup of 1п20з on the layered semiconductor InSb / /J. Appl. Phys., 1999, v. 86, № 10, p. 5687.
  189. P.A. Кингстон, С. Ф. Нейштадтер. Анализ процессов в обедненной области полупроводников // В кн.: Проблемы физики полупроводников.-М.: ИЛ, 1957, с. 48.
  190. W.Shockley, W.T.Read. Statistics of the recombination of holes and electrons // Phys.Rev., 1952, v. 87, p. 835.
  191. R.N.Hall. Electron hole Recombination in Germanium // Phys.Rev., 1952, v. 87, p.387.
  192. H.K.Gummel. A self consistent iteractive sheme for one-dimensional steady-state transistor calculation // IEEE Trans. Electron Devices, 1964, v. 11, p. 455.
  193. R.Pierret. A Linear-Sweep MOS С Technique for Determining Minority Carrier Lifetimes // IEEE Trans. Electron Devices, 1972, v. ED-19, № 7, p. 869.
  194. J.G.Simmons, L.S.Wei. Theory of dinamic charge and capacitance characteristics in MIS systems containing discrete surface traps // Solid State Electronics, 1973, v. 16, p.43.
  195. J.G.Simmons, L.S.Wei. Theory of dinamic charge current and capacitance characteristics in MIS systems containing distributed surface trap // Solid-State Electronics, 1973, v. 16, p. 53.
  196. Г. Д.Каплан. Измерение спектра поверхностных состояний импульсным C-V методом // Микроэлектроника, 1979, т.8, вып. 5, с. 422.
  197. N.S.Saks, A.Nordbryhn. Time dependence of depletion region formation in phosphorus-doped silicon MOS devices at cryogenic temperatures // J.Appl.Phys., 1979, v.50, № 11, p. 6962.
  198. А.В.Ермолаев, О. В. Миронова, Ю. З. Ляховский, Г. Б. Семушкин. Генерация и рекомбинация неосновных носителей в МДП-системах при пониженных температурах // Электронная техника, сер.З. Микроэлектроника, вып. 2 (86), 1980, с. 22.
  199. G.Kaplan. Charge Hysteresis Measurements of MOS Structures // IEEE Transactions on Electron Devices, 1981, v. ED 28, № 9, p. 1103.
  200. L.Faraone, J.G.Simmons, A.K.Agarwal, P.D.Tonner. Interpretation of non-equilibrium measurements on MOS devices using the linear voltage ramp technique // Solid-State Electronics, 1981, v. 24, № 8, p. 709.
  201. P.G.C.Allman. Theory of non-equilibrium phenomena in an MIS device under linear voltage ramp bias // Solid-State Electronics, 1982, v. 25, № 3, p. 241.
  202. K.Helig. Method for reduction of hysteresis effects in MIS measurements // State-State Electronics, 1984, v. 27, p. 395.
  203. В.П.Романов, В. Д. Усиков. Экспрессный контроль качества МДП-структур методом неравновесных вольт-фарадных характеристик // Электронная промышленность, 1985, вып. 6 (144), с. 54.
  204. P.V.Grar, D.U.Brawn. Si-Si02 Interface Surface State Density // Appl. Phys. Lett., 1966, v.8, p.2.
  205. A. Goetzberger, I.E.Irvin. Low-Temperature Histeresis Effects in MOS-Capacitors caused by Surface-State Trapping // IEEE Trans.Electron. Dev. 1968, v. ED-15, p.1009.
  206. A.P.Gorban, V.G.Litovchenko, D.N.Moska. Tunneling Recharging of Oxide Centers in Silicon MOS Structures // Phys. Stat. Sol (a), 1975, v. 32, p. 109.
  207. Н.А.Семушкина, Г. Б. Семушкин. Энергетический спектр поверхностных состояний системы Si-Si02 // ФТТ, 1973, т. 15, с. 3.
  208. А.Н.Ермолаев и др. Генерация и рекомбинация неосновных носителей в МОП-системах при пониженных температурах // Вопросы радиоэлектроники, сер. ТПО, 1980, вып. 3, с. 139.
  209. J.S.Kang, D.K.Schroder. The Pulsed MIS Capacitor. A Critical Review // Phys. Stat. Sol. (a), 1985, v. 89, p. 13.
  210. С.И.Кирилова, В. Е. Примаченко, О. В. Снитко. Ускорение релаксации неравновесного обеднения на реальной поверхности кремния в сильных электрических полях // ФТП, 1981, т. 15, вып. 5, с. 874.
  211. В.М.Базовкин, В. Г. Половинкин, Н. И. Халиуллин. Быстродействующее устройство для исследования релаксации емкости, поверхностного потенциала и генерационного тока структур металл-диэлектрик-полупроводник // ПТЭ, 1989, № 2, с. 185.
  212. P.U.Calzolari, S. Graffi, C.Morandi.Minority carrier recombination in MOS capacitors switched from inversion to accumulation // Solid-State Electronics, 1977, v. 20, p. 205.
  213. J.Oualid, A.Bouhdada. Characterization of Leakage Currents in Long -Lifetime Capacitors // IEEE Trans. Electron Dev., 1986, v. ED 33, № 9, p. 1366.
  214. H.Kliem, G.Arlt. A Transient Poole-Frenkel effect at the semiconductor surface of MAOS devices // Solid-State Electronics, 1983, v. 26, № 12, p. 1183.
  215. А.К.Афанасьев, А. Н. Благодаров и др. Особенности генерационных процессов в структурах анодный окисел InSb // Микроэлектроника, 1981, сер. З, вып. 6 (96), с. 18.
  216. L.M.Terman. An investigation of surface states at a silicon-silicon oxide interface employing metal-oxide-silicon diodes // Solid State Electronics, 1962, v. 5, p. 285.
  217. P.V.Gray, D.M.Brown. Density of Si-Si02 interface states // Appl. Phys. Lett., 1966, v. 8, № 2, p. 31.
  218. D.M.Brown, P.V.Gray. Si-Si02 Fast Interface State Measurements // J.Electrochem. Soc., 1968, v. 115, p. 760.
  219. E.H.Nicollian, A.Goetzberger. The Si-Si02 Interface Electrical Properties as Determined by the Metal-Insulator-Silicon Conductance Technique // Bell. Syst. Tech. Journ., 1967, v. 46, № 6, p. 1055.
  220. В.Г.Георгиу. Вольт фарадиые измерения параметров полупроводников, Кишинев, «Штиинца» 1987, с. 27.
  221. K.Lehovec. Frequency dependence of the impedance of distributed surface states in MOS Structures // Appl.Phys.Lett., 1966, v. 8, № 2, p. 48.
  222. H.Deunling, E. Klausman, A.Goetzberg. Interface States in Si-Si02 Interfaces // Solid State Electronics, 1972, v. 15, p. 559.
  223. J.R.Brews. Surface Potential Fluctiations Generated by Interface Charge Inhomogeneities in MOS Devices // J.Appl.Phys., 1972, v. 43, p. 2306.
  224. J.R.Brews. Admittance of an VOS device with interface charge inhomogeneities // J.Appl.Phys., (1972), v. 43, p. 3451.
  225. В.А.Гергель, Р. А. Сурис. Исследование флуктуации поверхностного потенциала в структурах металл-диэлектрик-полупроводник // ЖЭТФ, 1978, т. 75, с. 191.
  226. F.P.Heiman. The Effect of Oxide Traps on the MOS Capacitance // IEEE Trans. El. Dev., 1965, v. ED-12, p. 167.
  227. H.Preier. Contributions of surface states to MOS impedance // Appl. Phys. Lett., 1967, v. l0,p. 361.
  228. А.П.Ковчавцев. Анализ спектра поверхностных состояний на границе раздела Si-Si02 в МОП структурах со сверхтонким окислом методом проводимости//Препринт 12−78, Новосибирск, 1978.
  229. R.S.Nakhmanson, S.B.Sevastianov. On the Frequency Dependence of the Surface State Admittance // Phys. Stat. Sol. (a), 1980, v. 57, p. 117.
  230. A.Ushirokawa, M. Warashina, A.Nagami. 2-Dimensional Parameter Conductance Metod for Estimation of Interface States in MIS Structure // Jap. Journ. Appl. Phys., 1973, v. 12, p. 388.
  231. В.Л.Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. Физика полупроводников, М., 1990, с. 129.
  232. А.П.Ковчавцев, С. М. Крыцин, В. Г. Половинкин, Н. И. Халиуллин. Автоматизированная установка для измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник // Приборы и техника экспери-мента, 1985, т. 6, с. 174.
  233. Н.А.Корнюшкин, Н. А. Валишева, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев. Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольт-фападные характеристики МДП-структур на арсениде индия // ФТП, 1996, т. 30, № 5, с. 914.
  234. Т.Е.Ковалевская, А. П. Ковчавцев, С. М. Крыцин, Г. Л. Курышев, Ю. В. Настаушев. Термическая генерация в области пространственного заряда МДП-структур на основе InAs при неравновесном обеднении // Сб. рефератов НИОКР, 1986, Сер. РТ., с. 28.
  235. Ф.Я.Шик. Об определении параметров глубоких центров методом спектроскопии // ФТП, 1984, т. 18, вып. 10, с. 1759.
  236. Р.А.Сурис, В. Н. Федоров. Определение параметров глубокого уровня в приповерхностной области полупроводника МДП-структуры методом проводимости // ФТП, 1979, т. 13, вып. 6, с. 1073.
  237. A.Baccarani, A.Baffoni. Majority and minority-carrier lifetime in MOS structures // Sol. St. Electron., 1975, v. 18, p. 1115.
  238. Я.А.Ильенков, Т. Е. Ковалевская, А. П. Ковчавцев. Оценка параметров глубоких уровней в МДП-структурах на основе InAs // Поверхность. Физика, химия, механика, 1992, т. 1, с. 62.
  239. В.Н.Овсюк, А. В. Ржанов. Электрофизические свойства тонких пленок полупроводников, Новосибирск, Изд-во Новосибирского Университета, 1980.
  240. Т.Е.Ковалевская, В. Н. Овсюк. Квазистационарная поверхностная емкость полупроводника с глубокими уровнями // Поверхность, 1990, т. 8, с. 78.
  241. Приборы с зарядовой связью. Под ред. Барба Д. Ф., М, «Мир», 1982, с. 59, с. 61.
  242. В.А. Зуев, В. Г. Попов. Фотоэлектрические МДП-приборы, М., 1983, с. 160.
  243. Свойства структур металл-диэлекгрик-полу проводник, Под ред. А. В. Ржанова. М., 1976, с. 279, 69, 95.
  244. C.R.Viswanathan, T.Takino. Minority Carrier Generation Time and Surface Generation Velocity Determination from Q-t Measurements // IEEE Trans. Electron. Dev. 1978, v. ED-25, № 7, p. 817.
  245. В.А.Гуртов, O.H. Ивашенков, Г. Л. Курышев, В. Г. Половинкин. Релаксация неравновесного потенциала МДП-структур в режиме постоянного заряда // ФТП, 1986, т. 20, вып. 6, с. 1042.
  246. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М., «Мир», 1984, т. 1, с. 384.
  247. D.H.Seib. Carrier Diffusion Degradation of Modulation Transfer Function in Charge Coupled Imagers // IEEE Trans. Electron. Dev, 1974, v. ED-21, № 3, p. 210.
  248. K.S.Rabbani, D.R.Lamb. A Quick Method for the Determination of Bulk generation lifetime in semiconductors from pulsed MOS capacitance measurements // Solid State Electronics, 1981, v. 24, p. 661.
  249. Основы оптоэлектроники: Пер. с яп. М., Мир, 1988, с. 9.
  250. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М., «Мир», 1984, т. 2, с. 352.
  251. Н.И.Брызгалова, Ю. В. Настаушев, И. Г. Неизвестный, В. Н. Овсюк. Термическая генерация поверхностного заряда в германиевых МДП-структурах // Поверхность. Физика, химия, механика, 1984, т. 7, с. 75.
  252. J.R.Morante, J. Samitier, A. Cornet et al. Majority carrier capture cross section determination in the large deep-trap-concentration cases // J. Appl. Phys., 1986, v. 5, p.59.
  253. W.A.Harrison. Tunneling from an Independent Particle Point of View // Phys.Rev. 1961, v. 123, № 1, p. 85.
  254. Л.Д.Ландау, Е. М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. Теоретическая физика, М., 1963, т. 3, с. 211.
  255. W.W.Anderson. Tunnel current limitations of narrow bandgap infrared charge coupled devices // Infrared Phys, 1977, v. 17, p. 147.
  256. H.C.Gard. Tunneling in ultrathin Si02 layers on silicon: comments on dispersion relations for electrons and holes // Sol. Stat. Comm., 1978, v. 31 .p. 877.
  257. P.U.Calzolary, S. Graffi, C. Morandi. Field-Enhanced Carrier Generation in MOS Capacitors // Solid-State Electronics, 1974, v. 17, p. 1001.
  258. С.И.Кирилова, В. Е. Примаченко, О. В. Снитко. Ускорение релаксации неравновес-ного обеднения на реальной поверхности кремния в сильных электрических полях // ФТП, 1981, т. 15, вып. 5, с. 874.
  259. С.И.Кирилова, В. Е. Примаченко, О. В. Снитко, О. С. Фролов. Релаксация неравновесного обеднения на Si МДП при сильных электрических полях // Микроэлектроника, 1984, т. 13, вып. 3, с. 236.
  260. F.P.Heiman. On the determination of minority carrier lifetime from the transient response of an MOS capacitor // IEEE Trans. El. Dev., 1967, v. ED-14, № 11, p. 781.
  261. D.J.Fitzgerald, A.S.Grove. Surface recombination in semiconductors // Surf. Sci., 1968, v. 9, № 2, p. 347.
  262. D.K.Schroder, H.C.Nathanson. On the separation of bulk and surface components of lifetime using the pulsed MOS capacitor // Sol. State Electron., 1970, v.13, № 5, p.577.
  263. D.K.Schroder, J.Gulberg. Interpretation of surface and bulk effects using the pulsed MOS capacitance // Sol. State Electr., 1971, v. 14, № 12, p. 1285.
  264. A.K.Zakharov, I.G.Neizvestny. Thermal Generation and Recombination of Carries at Non-Equilibrium Variation of Inversion Layer // Phys. Stat. Sol. (a), 1975, v. 30, № l, p. 419.
  265. А.К.Захаров, И. Г. Неизвестный. Вклад различных областей полупроводника структуры МДП в формирование заряда инверсионного слоя // Микроэлектроника, 1975, т. 4, вып. 2, с. 178.
  266. Y.Kano, A.Shibata. On the determination of minority carrier lifetime and surface recombination from the transient response of MOS capasitor // Jap. Appl. Phys., 1972, v. 11, № 11, p. 1161.
  267. В.А.Гергель, Т. И. Старикова, Ю. И. Тишин. Релаксационные процессы в МДП структурах при больших напряжениях // Микроэлектроника, М., Наука, 1979, т. 8, вып. 4, с. 351.
  268. Н.А.Абрамова, Г. Б. Семушкин, К.JI.Темников. Исследование теоретических зависимостей dC/dV (V) МДП-структур с неоднородно встроенным зарядом //Микроэлектроника, 1981, т. 10, вып. 3, с. 246.
  269. В.И.Митин, А. М. Свердлова, М. В. Юдович. Релаксационные процессы при неравновесном обеднении поверхности кремния в структурах Al-Dy203-Si // Микроэлектроника. Серия 3. Электронная техника, 1983, вып.1 (103), с. 3.
  270. P.Tutto. Der Einfluss der inhomogennen Verteilung der Recombinations zenfren auf das Inversionsverhalten von MOS Kondensatoren // Phys. Stat. Sol. (a), 1974, v. 21, № 2, p. 993.
  271. Л.А.Вьюков, В. А. Гергель, А. Н. Соляков. Локальная генерация в ОПЗ МДП-структур как причина уменьшения времени релаксации с напряжением // Микроэлектроника, М., Наука, 1980, т.8, вып. 2, с. 106.
  272. Ю.В.Настаушев, В. Н. Овсюк. Генерация носителей заряда в полупроводнике через «приповерхностные» состояния // Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, т. 12, с. 34.
  273. В.Н.Давыдов, Е. А. Лоскутова. Особенности формирования рекомбинаци-онных свойств МОП-структур на основе InSb // Известия вузов. Физика. 1983, XXVI, № 1, с. 86.
  274. Г. Л.Курышев, Н. И. Халиуллин, К. О. Постников. Генерационные процессы в МДП-структурах на InSb в режиме неравновесного обеднения // ФТП, 1981, т.15, в.4, с. 654.
  275. В.М.Базовкин, Т. Е. Ковалевская. Локальные области генерации в МДП-структурах In203 Si02 — InAs // Поверхность. Физика, химия, механика, 1989, т. 9, с. 42.
  276. J.S.T.Huang. Bulk Lifetime Determination Using an MOS Capacitor // Proc. IEEE, 1970, v. 58, p. 1849.
  277. Я.И.Френкель. К теории электрического пробоя в диэлектриках и электронных полупроводниках // ЖЭТФ, 1938, т. 8, вып. 12, с. 1292.
  278. E.H.Snow. Fowler-Nordheim tunneling in Si02 films // Sol. St. Commun., 1967, т. 5, № 10, p. 813.
  279. С.Ф.Тимашев. О термической ионизации «глубоких» центров в области пространственного заряда в полупроводниках // ФТТ, 1972, т. 14, № 1, с. 171.
  280. С.Ф.Тимашев. Физика и техника полупроводников, 1974, т. 8, № 4, с. 804.
  281. J.C.Kim. InSb Charge-Injection Device Imaging Array // J. Sol. St. Circ., 1978, v. SC-13, № l, p. 187.
  282. Н.И.Халиуллин. Флуктуации темнового и фонового заряда в ПЗИ-приемниках излучения // Микроэлектроника, 1987, т. 16, вып. 5, с. 463.
  283. J.Buxo, D. Esteve, J. Farre, G. Sarrabayrouse, J.Simonne. A model for the large-amplitude hysteresis in MIS structures on InSb // Appl. Phys. Lett., 1978, 33, (11), p.969.
  284. S.Fujita, M. Nishihara, W-L.Hoi. Deep Trap States in Si3N4 Layer on Si Substrate // Jap. Journ. Appl. Phys., 1981, v. 20, № 5, p. 917.
  285. Y.Nissan-Cohen, J. Shappir, D. Frohman Bentchkowsky. Dynamic model of trapping-detrapping in Si02 // J. Appl. Phys., 1985, v. 58, (6), p. 2252.
  286. R.H.Gundlach, J.B. Simmonse. Range of validity of the WKB tunnel probability, and comparison of experimental data and theory // Thin Solid Films, 1969, v. 4, p. 61.
  287. K.H.Gundlach, A. Wilkinson. Experimental Evidence for the Temperature Dependence of the Barrier Height in A1 AI2O3 — Metal Tunneling Junctions // Phys. Stat. Sol. (a), 1970, v. 2, p. 295.
  288. R.L.Weiner, R.P.Pey. Optical Properties of Indium Oxide // J. Appl. Phys. 1966, v.37, № 1, p. 299.
  289. L.Lundkwist, C. Svensson, B.N.Hansson. Discharge of MNOS structures at elevated temperatures // Solid St. Electron., 1976, v. 19, № 2, p. 221.
  290. В.Н.Вертопрахов, Е. Г. Сальман. Термостимулированные токи в неорганических веществах, Новосибирск, «Наука», 1979.
  291. В.Н. Алфеев. Полупроводники, сверхпроводники и параэлектрики в криоэлектронике, Москва, 1979, «Советское радио», с. 382.
  292. D.A.Baglee, D. H Laughlin, C.W.Wilmsen, D.K.Ferry. The Physics of MOS Insulators // Proceedings of the International Topical Conference Raleigh, North Carolina June 18 — 20, 1980, Ed. G. Lucovsky, S.T.Pantelides, F. Galeener, Pergamon Press, p. 332.
  293. Von E. Kauer, A.Rabenau. Zur Kenntnis des Halbleiterverhaltens der Chalkogenide des Aluminiums, Galliums und Indiums // Z. fur Naturforschung (a), 1958, v. 13a, № 7, p.531.
  294. W.P.Doyle. Absorption spectra of solids and chemical bonding I // J.Phys. Chem. Solids, 1958, v. 4, p. 144.
  295. В.И.Белый. Химия поверхности полупроводников A, nBv // В сб. «Проблемы электронного материаловедения» под ред. Ф. А. Кузнецова, Новосибирск, «Наука», 1986, с. 29.
  296. A.P.Kovchavtsev, G.L.Kuryshev, K.O.Postnikov. Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy of InAs-Superthin Insulator-Au Structures // Phys. stat. sol. (a), 1986, v. 97, p.421.
  297. В.Г.Литовченко, Н. Л. Дмитрук. Диэлектрические покрытия на полупроводниковых соединениях АзВ5 // Обзоры по электронной технике. Сер.2. Полупроводниковые приборы, 1977, вып. 9 (489), с. 197.
  298. R.J.Phelan, J.O.Dimmock. InSb MOS Infrared Detector // Appl. Phys Lett, 1967, v. 10, № 2, p. 55.
  299. W.E.Spicer, P. Pianetta, L. Lindau, P.W.Chye. J.Vac. Sci. Technol., 1977, v. 14, p. 885.
  300. А.П.Соловьев, Н. А. Валишева, И. И. Мараховка, И. О. Парм, С. Ю. Смирнов. Способ получения структур диэлектрик арсенид индия // Авторское свидетельство, 1990, № 1 604 097.
  301. Б.Б.Лурт, В. А. Перевощиков, Л. Н. Возмилова, И. А. Свердлин, К. Г. Марин. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников, М., «Радиосвязь», 1982.
  302. Ю.Г.Галицин, А. П. Ковчавцев, В. Г. Мансуров, В. И. Пошевнев. Способ получения стационарно гладкой упорядоченной поверхности арсенида индия // Авторское свидетельство, 1992, № 1 814 442. Б.И. № 14 от 20.05.2000, с. 477.
  303. А.П.Ковчавцев и др. Фотоприемники зарядовой инфекции на арсениде индия // Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, Новосибирск, Наука, 2001, с. 65.
  304. Г. Л. Курышев, А. П. Ковчавцев, Н. А. Валишева. Электронные свойства структур металл диэлектрик — полупроводник на основе InAs // ФТП, 2001, т. 35, в. 9, с. 1111.
  305. C.D.Wagner. Practical Surface Analysis (second Edition), ed. by D. Brigs and M.P.Seah, 1990, v. 1, John Wiley & Sons Ltd., England, p. 595.
  306. D.J. Coleman, Jr., D.W. Shaw, R.D. Dobrott. On the Mechanism of GaAs Anodization // J.Electrochem. Soc., 1977, v. 124, № 2, p. 239.
  307. A.S.Barriere, B. Desbat, H. Guegan, b. Lozano, T. Seguelong, A. Tressaud, P.Alnot. Physico-chemical characterization of thin films obtained byfluorination of GaAs under 5 bar of fluorine // Thin Solid Films, 1989, v. 170, p. 259.
  308. Л.Л.Васильева, В. Н. Дроздов. Кинетика и механизм образования пленок двуокиси кремния при окислении силана кислородом, Проблемы физической химии поверхности полупроводников, Под ред. А. В. Ржанова, Новосибирск, «Наука», 1978, с. 155.
  309. С.М.Репинский. Химическая кинетика роста слоев диэлектриков // Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников, Под ред. А. В. Ржанова, С. М. Репинского, Новосибирск, «Наука», 1988, с. 90.
  310. В.В.Азотян. Цепные процессы и нестационарность состояния поверхности // Успехи химии, LIV (1), 1985, с. 33.
  311. М.Р.Бакланов, Л. Л. Васильева. Проблемы получения качественных диэлектрических слоев при низких температурах. Обзор // Микроэлектроника, 1996, т. 25 (6), с. 403.
  312. J.Lee, J. Chen, C.Hu. Comparison Between CVD and Thermal Oxide Dielectric Intergrity // IEEE Electron Device Lett., 1986, v. 7, № 9, c. 506.
  313. П.Дюваль. Высоковакуумное производство в микроэлектронной промышленности, М., «Мир», 1992.
  314. E.A.Repnikova, V.A.Gurtov, Z.V.Panova. The Effect of Synthesis Conditions on the Short Range Order Characteristics in Silicon Nitride Layers // Phys. Stat. Sol. (a), 1990, v. 119, p. 113.
  315. А.П.Ковчавцев, А. А. Французов. Пористость термического окисла кремния толщиной 30−600 А// Микроэлектроника, 1979, т., вып. 5, с. 439.
  316. И.И. Белоусов, В. М. Ефимов, С. П. Синица. Элекрофизические свойства низкотемпературных слоев Si02// Препринт № 5, 1991, Новосибирск, ИФП СО АН СССР.
  317. Н. Hasegawa, H.Ohno. A Common Energy Reference for DX Centers and EL2 Levels in III-V CoTpound Semiconductors // Jap. Journ. of Appl. Phys., 1986, v. 25, № 4, p. L319.
  318. H. Hasegawa, H.Ohno. Unified disorder induced gap state model for insulator-semiconductor and metal- semiconductor interfaces // J. Vac. Sci. Technol., 1986, v. B4, № 4, p. 1130.
  319. H.Hasegawa, Li He, H. Ohno, T. Sawada, T. Haga, Y. Abe, H.Takahashi. Electronic and microstrutural properties of disorder induced gap states at compound semiconductor insulator interfaces // J. Vac. Sci. Technol., 1987, v. B5 (4), p. 1097.
  320. А.П.Ковчавцев, Г. Л. Курышев, В. Н. Дроздов, О. С. Липатникова. Механизм поперечной проводимости МДП-структур на основе арсенида индия при низкой температуре // Поверхность. Физика, химия, механика, 1984, т. 8, с. 68.
  321. M.Lenzlinger, E.H.Show. Fowler-Nordheim Tunneling into Thermally Grown Si02 // J. Appl. Phys., 1969, v. 40, p. 278.
  322. В.С.Фоменко. Эмиссионные свойства материалов. Справочник. Киев: Наукова думка, 1981, с. 182.
  323. R.H.Walden. A Method for the Determination of High-field Conduction Laws in Insulating Films in the Presence of Charge Trapping // J. Appl. Phys., 1972, v.43, p. l 178.
  324. P.Solomon. High-field electron trapping in Si02 // J. Appl. Phys., 1977, v. 48, № 9, p.3843.
  325. С.А. Волков. Исследование электрофизических свойств системы металл -диэлектрик полупроводник на германии // Диссертация на соискание уч. ст. канд. физ.-мат.наук. Новосибирск. Институт физики полупроводников СО АН СССР, 1980 с. 141.
  326. С.А. Волков, В. Н. Овсюк. О механизмах проводимости нитрида кремния в структурах металл-диэлектрик-полупроводник // Микроэлектроника, 1981, т.10, № 3, с. 227.
  327. А.П.Ковчавцев, Г. Л. Курышев, В. Н. Дроздов, О. С. Липатникова. Механизм поперечной проводимости МДП-структур на основе арсенида индия при низкой температуре // Поверхность Физика, химия, механика, 1984, т. 8, с. 68.
  328. А.П.Ковчавцев, Г. Л. Курышев, В. Н. Дроздов. Полевой дрейф ионов в МДП-структурах на основе арсенида индия // Микроэлектроника, 1986, т. 15, вып. 4 с. 324.
  329. Т.Е.Ковалевская, В. Н. Дроздов, А. В. Ржанов, К. К. Свиташев Физико -химические и электрофизические свойства системы германий пиролитическая двуокись кремния // Микроэлектроника, 1974, т. 3, с. 404.
  330. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции., Под ред. Поута Дж., Ту К, Мейера Дж. М., «Мир», 1982, с. 511.
  331. S.R.Hofstein. Proton and Sodium Transport in Si02 Film // IEEE Trans. Electron Dev., 1967, v. ED-14, p. 749.
  332. P.K.Nauta, M.V.Hillen. Investigation of mobile ions in MOS structures using the TSIC method // Appl. Phys., 1978, v. 5, p. 2862.
  333. A.A. Широков, Ю. И. Усов, И. С. Захаров. Особенности МДП-структур на InAs // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, т. 1985, т. 21, № 2, с. 194.
  334. В.А. Гуртов, М. В. Золотов, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев. Объемный заряд в МДП-структурах на основе арсенида индия // Микроэлектроника, 1986, т. 15, вып.2, с. 142.
  335. Исследование электрофизических характеристик МДП структур на основе бинарных полупроводников А3В5 // Отчет о НИР № гос. регистрации 185 004/767, Петрозаводский государственный университет им. О. В. Куусинена, Петрозаводск, 1985.
  336. В.А. Гуртов. Влияние ионизированного излучения на свойства МДП -приборов // Обзоры по ЭТ, Сер.2. Полупроводниковые приборы. М., 1978, вып. 14, с 595.
  337. С.В. Duke. Tunneling in solids, Academic press, New York London, 1969, p. 296.
  338. Туннельные явления в твердых телах. Под ред. Э. Бурштейна и С. Лундквиста, Мир, Москва, 1973, с. 143.
  339. Л.Солимар. Туннельный эффект в сверхпроводниках и его применение, Мир, Москва, 1974.
  340. Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy, ed. Т. Wolfram, Springer Series in Solid- State Science 4, Springer Verlag Berlin, Heidelberg, New York, 1978.
  341. Е.Л. Вольф. Принципы электронной туннельной спектроскопии, Наукова Думка, Киев, 1990.
  342. Theory of Transport Properties of Semiconductor Nanostructures, ed.E.Scholl, Chapman & Hall, 1998, p. 152.
  343. O.D.Mahan, 3.W.Conley. The density of states in metal-semiconductor tunneling // Appl. Phys. Letters, 1967 v. 11, № 1, p. 29.
  344. J. Nishizawa, M.Kimura. Tunneling Spectroscopy in MS and MIS Tunnel Junc-tions of Degenerate n Type Semiconductor // Japanese Journal of Applied Physics, 1975, v. 14, № 10, p. 1529.
  345. К.П.Абдурахманов, Ш. Мирахмедов, А. Тешабаев, С. С. Худайбердиев. Особенности распределения плотности состояний в сильно легированном p-GaAs // ФТП, 1976, т. 10, № 4, с. 658.
  346. А.П.Ковчавцев. Туннельные токи в системе Au-Si02-Si с окислом толщиной 16−36 А // ФТТ, 1979, т. 21, в 10, с. 3055.
  347. Л.В.Иогансен. О резонансном туннелировании электронов в кристаллах // ЖЭТФ, 1964, т. 45, вып 1 (7), с. 270.
  348. J.W.Gadzuk. Resonance-Tunneling Spectroscopy of Atom Adaorbed on Metal Surface: Theory // Phys Rev B, 1970, v. 1, № 5, p. 2110.
  349. А.В.Чаплик, М. В. Энтин. Влияние локализованных состояний в барьере на туннелирование электронов // ЖЭТФ, 1974, т.67, вып 1 (7), с. 208.
  350. Л.С.Брагинский, Э. М. Баскин. О неупругом резонансном туннелировании // ФТТ, 1998, т. 40, № б, с. 1151.
  351. А.П.Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников, И. М. Субботин, Ж. И. Хорват. Резонансное туннелирование электронов в барьере Шоттки на арсениде галлия // ФТП, 1987, т. 21, вып. 11, с. 1944.
  352. Hong-wei Li, Tai-hong Wang. Resonant Tunneling through Quantum Dots in GaAs Shottky Diode Structures // Phys. Low Dim. Struct., 2000, v. 9/10, p. 119.
  353. R.C. Jaklevic, J.Lambe. Molecular vibration spectra by electron tunneling // Phys. Rev. Letters, 1966, v. 17, p. 1139.
  354. D.J. Scalapino, S.M. Marcus. Theory of inelastic electron-molecule interaction in tunnel junctions // Phys Rev. Letters, 1967, v. 18, №. 12, p. 459.
  355. J.Lambe, R.C. Jaklevic. Molecular Vibration Spectra by Inelastic Electron Tunneling // Phys. Rev. 1968, v. 165, p. 821.
  356. A.D. Brailsford, L.C. Davis. Impurity-Assisted Inelastic Tunneling: One Electron Theory // Phys. Rev. B, 1970, v. 2, № 6, p. 1708.
  357. А.П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников, С. А. Бирюков. Туннельная спектроскопия фононов в арсениде индия // ФТП, 1985, т. 19, вып. 12, с. 2187.
  358. D.L. Stierwalt, R.F.Potter. Infrared Spectral Emittance of InAs // Phys. Rev. 1965, v. 137, № ЗА, p. A1007.
  359. Г. И.Миньков, В. В. Кружаев. Осцилляции туннельной проводимости перехода InAs окисел — РЬ в квантующем магнитном поле // ФТТ, 1980, т. 22, в. 6, с. 1641.
  360. Дж. Рейсленд. Физика фононов, М, 1975, с. 365.
  361. J.W.Lynn, H.G.Smith, R. M Nicklow. Lattice Dynamics of Gold // Phys. Rev.
  362. B, Solid State, Third Series, 1973, v. 8, № 8, p. 3493.
  363. P.P.Lottici. On the Optic Vibrational Modes in Amorphous Arsenic // Phys. Stat. Sol. (b), 1984, v. 122, p. 431.
  364. Э.М.Баскин, Л. С. Брагинский. Об излучении коротковолновых фононов при туннелировании. I // ФТТ, 1992, т. 34, № 1, с. 83.
  365. E.M.Baskin, L.S.Braginsky. Short-wavelenght phonon emission from a metal-semicon-ductor interface // Phys. Rev. B, 1994, v. 50, № 16, p. 12 191.
  366. L.S.Braginski, E.M.Baskin, A.P.Kovchavtsev, G.L.Kuryshev, K. O, Postnikov, I.M. Subbotin. Emission of short- wavelenght phonons in tunneling through Shottky barriers // Phys. Rev. B, 1995, v. 51, № 24, p. 17 718.
  367. Э.М.Баскин, Л. С. Брагинский. Об излучении коротковолновых фононов при туннелировании. II // ФТТ, 1992, т. 34, № 1, с. 90.
  368. D.Smith, G. Binnig, C. Quate, Detection of phonons with a scanning tunneling microscope // Appl. Phys. Lett., 1986, v. 49, № 24, p. 1641.
  369. The Sedtler Special Collection. Inorganics Infrared Grating Spectra, ed.
  370. C.W.Wilmsen, 1965 1973, v. 1−5, p. 1 — 1300.
  371. V.K.Malinovsky, N.N.Novikov, A.P.Sokolov. Structural difference of two classes of amorphous semiconductors // Journal of Non-Crysnalline Solids, 1989, 114, p. 61.
  372. B.P.Van Eijck. The Microwave Spectrum of Lactic Acid // J. Mol. Spectroscopy, 1983, v. 101, p. 133.
  373. R.N.Hall, J.H.Racette, H.Ehrenreich. Direct observation of polarons and phonons during tunneling in group 3−5 semiconductor junctions // Phys. Rev. Letters, 1960, v. 4, p. 456.
  374. A.A. Мальцев. Молекулярная спектроскопия, изд. Московского университета, 1980, с. 92.
  375. Химический энциклопедический словарь, «Советская энциклопедия», Москва, 1983, с. 224.
  376. И.К.Янсон, Н. И. Богатина. Исследование туннельных спектров примесных молекул в контактах Sn Sn, Pb — Pb // ЖЭТФ, 1970, т. 59, вып. 5 (11), с. 1509.
  377. Н.П.Есина, Н. В. Зотова, С. А. Карандышев, Г. М. Филаретова. Структура металл полупроводник на основе р — InAs // ФТП, 1983, т. 17, с. 991.
  378. Г. И.Кольцов, Ю. В. Крутенюк, Е. А. Лодыгин. Влияние имплантации протонов на вольт амперные характеристики контакта Au — InAs р-типа // Поверхность. Физика, химия, механика, 1987, т. 5, с. 68.
  379. U.Kunze. Surface-field induced interband tunneling in InAs // Z.Phys.B. -Condensed Matter, 1989, v. 76, p. 463.
  380. U.Kunze. Giant diamagnetic effect in InAs electron inversion layers measured by Zener tunneling // Phys.Rev.B. 1990, v. 41, № 3, p. 1707.
  381. А.В.Каламейцев, Д. А. Романов, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников, И. М. Субботин. Природа отрицательного дифференциального сопротивления неидеального барьера Шотгки на основе арсенида индия // ФТП, 1997, т. 31, № 3, с. 370.
  382. J.R.Dixon, J.M. Ellis. Optical Properties of n-Type Indium Arsenide in the Fundamen-tal Adsorption Edge Region // Phys. Rev., 1961, v. 123, № 5, p. 1560.
  383. E.Burstein. Anomalous Optical Absorption Limit in InSb // Phys. Rev. 1954, v.93, p.632.
  384. H.J.Hrostowski, M.Tanenbaum. Recent work on group III antimonides and arsenide // Physica, 1954, v. 20, p. 1065.
  385. F.Stern, R.M. Talley. Impurity Band in Semiconductors with Small Effective Mass // Phys. Rev., 1955, v. 100, p. 1638.
  386. W.G.Spitzer, H.Y.Fan. Determination of Optical Constants and Carrier Effective Mass of Semiconductors // Phys. Rev., 1957, v. 106, p. 882.
  387. W.W.Anderson. Absorption constant of Pb^Sn/Te and Hg!.xCdxTe Alloys // Infrared Phys., 1980, v. 20, p. 363.
  388. F. Urbach. The Long-Wavelength Edge of Photographic Sensitivity and of the Electronic Absorption of Solids // Phys. Rev., 1953, v. 92, p. 1324.
  389. M.V.Kurik. Urbach Rule // Phys. Stat. Sol. (a), 1971, v. 8, № 1, p. 9.
  390. A.Rogalski et al. Infrared Photon Detectors // The Society of Photo Optical Engineering, 1995.
  391. W.A.Beck, T.S.Fasca. Current Status of Quantum Well Focal Plane Arrays // Proc. of SPIE, v. 2744, p. 193.
  392. E.Fossum, B.Pain. Infrared Readout Electronics for Space Science Sensors: State of the Art and Future Directions // Proc. of SPIE, Infrared Technology, 1993, v. 2020, XIX, p.262.
  393. И.И.Ли, В. Г. Половинкин. Устройство считывания для двумерных приемников изображения. Патент № 2 111 580. Пр. от 27.12.96.
  394. Р.Хадсон. Инфракрасные системы, Мир, Москва, 1972, с. 192, с. 146.
  395. V.M. Bazovkin, N.A.Valisheva, A.A.Guzev, V.M.Efimov, A.P.Kovchavtsev, G.L.Kurisev, I.I.Lee, 1×384 Hybrid linear infrared focal plane arrays on InAs MOS-structure for spectrometric applications // Proc. of SPIE, 2003 v. 5126, p.
  396. M.M. Мирошников. Теоретические основы оптико электронных приборов. Ленинград, Машиностроение, Ленинградское отделение, 1983, с. 516, с. 586.
  397. Г. Л.Курышев, А. П. Ковчавцев, Б. Г. Вайнер, А. А. Гузев, В. М. Базовкин В.М.Ефимов, И. И. Ли, А. С. Строганов, Н. А. Валишева. Тепловизор нового поколения «ИФП-М» // Здравоохранение России, Официальный каталог 28−31 октября 1997, г. Екатеринбург, с. 56.
  398. Б.Г.Вайнер, И. И. Ли, Г. Л. Курышев, А. П. Ковчавцев, В. М. Базовкин, И. М. Захаров, А. А. Гузев, И. М. Субботин, В. М. Ефимов, Н. А. Валишева, А. С. Строганов. Матричный тепловизор // Патент на изобретение № 2 152 138,2000 г., Б.И.№ 18 от 27.06.2000, с. 468.
  399. A.Kovchavtsev, E. Kogan, G. Kurisev, L. Logvinski, M. Pan, V. Polovinkin, D. Sagdeev, I. Subbotin, B. Wainer .IR Spectrometer with 512 InAs MOS Detector, OPTO 92 Paris-France Palas des Congres 14−16 Avril, 1992, p.620.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!