Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса
Диссертация
Достоверность результатов работы обусловлена проведением экспериментов в условиях сверхвысокого и высокого вакуума с диагностикой состояния поверхности в режиме in situ методом дифракции быстрых электронов, подтверждается данными тестирования используемых для диагностики поверхности атомно-силового и сканирующего туннельного микроскопа на образцах с известной морфологией (в случае исследований… Читать ещё >
Список литературы
- Сейсян Р.П. Экситон в низкоразмерных гетеросистемах // Соросовский образовательный журнал, том 7, № 4, 2001, с. 90−97.
- Шик А. Я. Квантовые нити // Соросовский образовательный журнал, № 5,1997, с. 87−92.
- Кульбачинский В.А. Полупроводниковые квантовые точки // Соросовский образовательный журнал, том 7, № 4, 2001, с. 98−104.
- Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры / Леденцов Н. Н., Устинов В. М., Щукин В. А. и др. // ФТП, том 32, № 4, 1998, с. 385−409.
- Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ. М.: Мир, 1989, 240 с.
- Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры.: Пер. с англ. / Под ред. Л. Ченга, К. Плога. М.: Мир, 1989, 584 с.
- Двуреченский А.В., Якимов А. И. Квантовые точки 2 типа в системе Ge/Si // ФТП, том 35, вып. 9, 2001, с. 1143−1153.
- Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП, том 32, № 1, 1998, с. 3−18.
- Bean John С. Silicon-based Semiconductor Heterostructures: Column IV Bandgap Engineering // Proceedings of IEEE, vol. 80, no. 4, 1992, p. 571−587.
- Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства / Пчеляков О. П., Болховитянов Ю. Б., Двуреченский А. В. и др. // ФТП, том 34, вып. 11,2000, с. 1281−1299.
- Hiroo Omi, Toshio Ogino. Self-organization of nanoscale Ge islands in Si/Ge/Si (l 13) multilayers // Applied Surface Science, vol. 130−132, 1998, p. 781−785.
- Eaglesham D.J., Cerullo M. Dislocation-Free Stranski-Krastanow Growth of Ge on Si (100) // Physical Review Letters, vol. 64, no. 16, 1990, p.1943−1946.
- Mo Y.-W., Savage D.E., Swartzentruber B.S., Lagally M.G. Kinetic Pathway in Straski-Krastanov Growth of Ge on Si (001) // Physical Review Letters, vol. 65, no. 8, 1990, p.1020−1023.
- Исследование самоорганизующихся островков Ge на Si (100) с помощью атомно-силового микроскопа / Красильник З. Ф., Новиков
- A.В., Постников В. В. и др. // Материалы Всероссийского совещания «Наноструктуры на основе кремния и германия», Н. Новгород, 1998, с.186−187.
- Фотолюминесценция наноостровков германия в кремнии / Алешкин
- B.Я., Бекин Н. А., Калугин Н. П. и др. // Материалы Всероссийского совещания «Наноструктуры на основе кремния и германия». Н. Новгород, 1998, с. 61−66.
- Shape Transition of Germanium Nanocrystals on a Silicon (001) Surface from Piramids to Domes / Medeiros-Ribeiro G., Bratkovski A.M., Kamins T.I. at al.// Science, vol. 279, 1998, pp. 353−355.
- Ide Т., Sakai A., Shimizu K. Nanometer-scale imaging of strain in Ge island on Si (001) surface // Thin Solid Films, vol. 357, 1999, p.22−25.
- Transition from «dome» to «pyramid» shape of self-assembled GeSi islands / Vostokov N.V., Dolgov I.V., Drozdov Yu.N. at al. // Journal of Crystal Growth, vol. 209, 2000, pp. 302−305.
- Талочкин А.Б., Марков В. А., Никифоров А. И., Ефанов А. В. Рамановский Е0 резонанс квантовых точек германия в Si/Ge/Si структурах // Материалы Всероссийского совещания «Наноструктуры на основе кремния и германия». Н. Новгород, 1998, с. 71−79.
- Self-organized germanium quantum dots grown by molecular-beam epitaxy on Si (100) / Jiang Z., Zhu H., Lu F. et al. // Thin Solid Films, vol. 321, 1998, p. 60−64.
- Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001), разориентированной в направлении 010. / Евтихиев В. П., Токранов В. Е., Крыжановский А. К. и др. // ФТП, 1998, том 32, № 7, с. 860−865.
- Zhu J., Brunner К., Abstreiter G. Two-dimensional ordering of self-assembled Ge island on vicinal Si (001) surfaces // Applied Physics Letters, vol. 73, 1998, p. 620−624.
- Long-range lines of self-assembled Ge islands on a flat Si (001) surface / Schmidt O.G., Jin-Phillipp N.Y., Lange C. // Applied Physics Letters, vol. 77, No. 25, 2000, p. 4139−4141.
- Kim E.S., Usami N., Shiraki Ya. Selective epitaxial growth of dot structures on patterned Si substrates by gas sourse molecular beam epitaxy // Semicond. Sci. Technol., vol. 14, 1999, p. 257−265.
- Controlled arrangement of self-organized Ge islands on patterned Si (001) substrates / Jin G., Liu J.L., Thomas S.G. et al. // Applied Physics Letters, vol. 75, № 18, 1999, p. 2752−2754.
- Scanning tunneling microscopy studies of Ge/Si films on Si (l 11): From layer by laer to quantum dots / Motta N., Sgarlata A., Calarco R. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 16(3), 1998, p. 1555−1559.
- Lobo A., Gokhale S., Kulkarni S. Surface morphology and electronic structure of Ge/Si (l 11) 7×7 system // Applied Surface Science, vol. 173,2001, p. 270−281.
- Фотолюминесценция структур с GeSi/Si (001) самоорганизующими наноостровками / Востоков Н. В., Дроздов Ю. Н., Красильник З. Ф. и др. // Материалы Совещания «Нанофотоника 2002», Н. Новгород, 2002, с. 14−17.
- Самоорганизующиеся наноостровки германия в кремнии, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Алешкин В. Я., Бекин Н. А., Калугин Н. Г и др. // Письма в ЖЭТФ, том 67, вып.1, 1997, с. 46−50.
- Оптические свойства монослоев германия на кремнии / Бурбаев Т. М., Заварицкая Т. Н., Курбатов В. А. и др. // ФТП, том 35, вып. 8, 2001, с. 979−984.
- Photoluminescence of ultrasmall Ge quantum dots grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures / Dashiell M. W., Denker U., Muller C. et al. // Applied Physics Letters, vol. 80, no.7, 2002, 1279−1281.
- RHEED studies of nucleation of Ge islands on Si (001) and optical properties of ultra-small Ge quantum dots / Markov V.A., Cheng H.H., Chin-ta Chia et al. // Thin Solid Films, vol. 369, 2000, p. 79−83.
- Шуппе Г. Н., Закурдаев И. В. Процессы массопереноса и изменения структуры поверхности кристаллов. Явления электро- и термопереноса вещества. М.: ЦНИИ «Электроника», ч.2, вып. 11 (965), 1983,60 с.
- Закурдаев И.В. Изменения геометрии и эмиссионных параметров поверхности кристаллов при направленных процессах переноса массы //Изв. АН СССР. Сер. физ., 1976, том 40, № 8, с. 1554−1560.
- Латышев А.В., Асеев А. Л. Моноатомные ступени на поверхности кремния // Успехи физических наук, том 168 (10), 1998, с. 11 171 127.
- Tokumoto Н., Miki К., Murakami Н., Kajimura К. Heating-current-induced step motion on Si (lll) surface by scanning tunneling microscopy// J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 9(2), 1991, p. 699−702.
- Real-time observation of step motion on Si (111) surface by scanning tunneling microscopy / Tokumoto H., Miki K., Morita Y. et al. // Ultramicroscopy, vol. 42−44, 1992, p. 816−823.
- Yang Y.- N., Fu Elain S., Williams Ellen D. An STM study of current-induced step bunching on Si (lll) // Surface Science, vol. 356, 1996, p. 101−111.
- Suzuki M., Kudoh Y., Homma Y., Kaneko R. Monoatomic step observation on Si (lll) surfaces by force microscopy in air // Applied Physics Letters, vol. 58 (20), 1991, p. 2225−2227.
- Stoyanov S. Electromigration Induced Step Bunching on Si Surfaces -How Does it Depend on the Temperature and Heating Current Direction? // Japanese Journal of Applied Physics, vol. 30, no. 1, 1991, p. 1−6.
- Shwoebel R.L., Shipsey E.J. Step Motion on Crystal Surfaces // Journal of Applied Physics, vol. 37, no. 10, 1966, p. 3682−3686.
- Технология тонких пленок (справочник). Под ред. Майссел JL, Глэнг Р. // Т 1. М., Советское радио, 1977, 664 с.
- Приборы локального зондирования поверхности / Васильев С. Н., Казанцев Д. В., Моисеев Ю. Н и др. // Электронная промышленность, № 10, 1993, с. 29−33.
- Быков В.А., Лазарев М. И., Саунин С. А. Сканирующая зондовая микроскопия для науки и промышленности. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес, № 5, 1997, с. 7−14.
- Бухараев А.А., Овчинников Д. В., Бухараева А. А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии // Заводская лаборатория, № 5, 1997, с. 10−27.
- Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Gao.7Alo.3As и GaAs / Анкудинов А. В., Евтихиев В. П., Токранов В. Е. и др. // ФТП, том 33, вып. 5, 1999, с. 594−597.
- Бухараев А.А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей туннельной микроскопии // Заводская лаборатория, том 60, № 10, 1994, с. 15−25.
- Формирование квантовых точек CdSe на поверхности ZnSe и их исследование методом сканирующей туннельной микроскопии / Байзер М. В., Витухин В. Ю., Закурдаев И. В. и др. // Поверхность, № 7, 1999, с.61−63.
- Гегузин Я.Е., Кагановский Ю. С. Диффузионные процессы на поверхности кристалла. М.: Энергоатомиздат, 1984, 128 с.
- Марченко В.И., Паршин А. Я. Об упругих свойствах поверхности кристаллов // ЖЭТФ, том 79(1), вып. 1(7), 1980, с. 257−260.
- Tersoff J., Phang Y.H., Zhang Zhenyu, Lagally M.G. Step-Bunching Instability of Vicinal Surfaces under Stress // Physical Review Letters, vol. 75, no. 14, 1995, p. 2730−2733.
- Liu F., Tersoff J., Lagally M.G. Self-Organization of Steps in Growth of Strained Films on Vicinal Substrates // Physical Review Letters, vol. 80, No. 6, 1998, p. 1268−1271.
- Баранский П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наукова думка, 1975, 704 с.
- Teichert C., Bean J.C., Lagally M.G. Self-organized nanostructures in Sii. xGex films on Si (001) // Applied Physics, A 67, 1998, p. 675−685.
- Evolution of Ge/Si (100) islands: Island size and temperature dependence / Chaparro S.A., Zhang Y., Drucker J. et al.// Journal of Applied Physics, vol. 87, No. 5, 2000, p. 2245−2254.
- Белащенко Д.К. Явления переноса в жидких металлах и полупроводниках. М.: Атомиздат, 1970, 400 с.
- Фикс В.Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках. -М.: Наука, 1969, 296 с.
- Bimberg D., Grundmann М., Ledentsov N.N. Quantum Dot Heterostructures. West Sussex, England: John Wiley & Sons Ltd, 1999, 325 p.
- Садофьев Ю.Г. Особенности получения и фотоэлектрические свойства длиннопериодных напряженных сверхрешеток Si-GeSi // Изв. РАН. Сер. физ., том 63, № 2, 1999, с. 249−254.
- Jin G., Tang Y.S., Liu J.L., Wang K.L. Growth and study of self-organized Ge quantum wires on Si (lll) substrates // Applied Physics Letters, vol. 74, No. 17, 1999, p. 2471−2473.a 5SO0 X -Ol