Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Сверхбыстрое растворение меди в гетероструктуре металл/ХСП и разработка приборов на ее основе

Диссертация: Сверхбыстрое растворение меди в гетероструктуре металл/ХСП и разработка приборов на ее основе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установлено, что скорость растворения металла в пленке ХСП зависит от соотношения толщин слоев меди и ХСП, температуры подложки и состава ХСП. Максимальные скорости растворения Си в пленке Азбо8е40 достижимы при соотношении толщин слоев меди и ХСП равной 8. При увеличении температуры подложки скорость растворения меди в пленке А86о8е40 возрастает, а при температуре выше 340 К скорость растворения… Читать ещё >

Сверхбыстрое растворение меди в гетероструктуре металл/ХСП и разработка приборов на ее основе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРОЦЕССОВ РАСТВОРЕНИЯ МЕТАЛЛОВ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ (ХСП)
    • 1. 1. Растворение металлов в ХСП при их совместном синтезе
    • 1. 2. Растворение металлов в пленках ХСП при термической диффузии
    • 1. 3. Фоторастворение металлов в ХСП
    • 1. 4. Электрофоторастворение металлов в ХСП
    • 1. 5. Дефекты в ХСП
    • 1. 6. Выводы по состоянию проблемы и постановка задачи исследования
  • Глава 2. МЕТОДИКА ПРИГОТОВЛЕНИЯ И ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ
    • 2. 1. Синтез стеклообразных материалов
    • 2. 2. Получение пленок ХСП в сильнонеравновесных условиях
    • 2. 3. Определение удельного поверхностного сопротивления пленки
    • 2. 4. Исследование оптических свойств пленок ХСП методом эллипсометрии
    • 2. 5. Исследование модифицированных пленок ХСП методом фотоэлектронной спектроскопии
    • 2. 6. Радикальное травление гетероструктуры металл/ХСП (М/ХСП) в плазме активных газов
  • Глава 3. СВЕРХБЫСТРОЕ РАСТВОРЕНИЕ МЕДИ В ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ М/ХСП ПРИ СПОНТАННОЙ РЕЛАКСАЦИИ
    • 3. 1. Исследование оптических свойств пленок Азбо8е4о
    • 3. 2. Кинетика растворения меди в пленке ХСП
      • 3. 2. 1. Влияние соотношения толщин слоев меди и ХСП на скорость растворения металла в пленке ХСП
      • 3. 2. 2. Влияние температуры подложки на скорость растворения меди в пленке ХСП
      • 3. 2. 3. Влияние состава ХСП на скорость растворения меди в пленке
    • 3. 3. Структурно-химические упорядочения в гетероструктуре М / ХСП
    • 3. 4. Исследование валентного состояния меди в модифицированных ХСП
  • Глава 4. МЕХАНИЗМ СВЕРХБЫСТРОГО РАСТВОРЕНИЯ МЕДИ В
  • ПЛЕНКЕ ХСП
    • 4. 1. Теоретический анализ сверхбыстрого растворения меди в пленке
    • 4. 2. Влияние химического и электрохимического потенциалов на растворимость металла в ХСП
    • 4. 3. Термодинамический стимул легирования
    • 4. 4. Электрическая активность легирующей добавки
    • 4. 5. Возможности практического применения гетероструктур М / ХСП

К числу наиболее интересных явлений, обнаруженных в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (ХСП), следует отнести сверхбыстрое растворение меди в гетероструктуре металл / ХСП. Это явление было обнаружено при выполнении настоящей работы. При достижении в гетероструктуре металл / ХСП критических условий (пороговых значений энергии упругой деформации и температуры подложки), в ней происходит спонтанная релаксация энергии упругой деформации, приводящая к сверхбыстрому проникновению (1 — несколько секунд) больших концентраций меди (до 50 ат.%) в пленку ХСП. При этом изменяются оптические, электрические и физико-химические свойства полупроводника. Модифицированные пленки высокочувствительны к внешним воздействиям, что позволяет разработать прецизионные датчики температуры, влажности, освещенности и др. на их основе.

Гетероструктура М/ХСП является сложной диссипативной структурой. В ней взаимосвязаны диффузионные явления и твердофазные химические реакции. Поэтому изучение физической природы обнаруженного явления представляет значительный интерес.

Целью диссертационной работы явилось исследование сверхбыстрого растворения меди в пленке ХСП при спонтанной релаксации энергии упругой деформации и разработка приборов на основе полученных тонкопленочных гетероструктур.

Диссертация состоит из четырех глав.

В первой главе приведен обзор литературных данных о процессах растворения металлов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Из анализа литературных данных сделан вывод о том, что наиболее интересным и перспективным является диффузионный способ введения примесей в ХСП. Важными факторами в появлении новых электрофизических свойств и эффектов являются способ введения примесей и наличие высоких концентраций дефектов в ХСП. Глава заканчивается постановкой задач диссертационной работы.

Вторая глава посвящена обоснованию выбора материалов, методик приготовления, и исследования экспериментальных образцов.

В третьей главе приводятся результаты экспериментальных исследований сверхбыстрого растворения меди в гетероструктуре металл / ХСП, когда в системе достигаются критические условия (пороговые значения плотности энергии упругой деформации и температуры подложки).

Четвертая глава посвящена изучению механизма сверхбыстрого растворения металла в пленке ХСП. Исследуемое явление имеет суперионную природу. Высокая скорость растворения металла в пленке ХСП обусловлена ускорением ионов электронами, достигающим в стекле величины 107.

В конце диссертации приводятся общие выводы с заключением и список литературы.

Положения, выносимые на защиту.

1. Зависимость показателя преломления п пленок А8608е40, полученных в сильно неравновесных условиях, от их толщины ё имеет экстремум при с1кр= 13 00А, связанный с развитием флуктуаций и возникновением коллективных взаимодействий в системе.

2. Максимальные скорости растворения меди в пленке А8бо8е4о достижимы при соотношении толщин слоев меди и ХСП равной 8.

3. Сверхбыстрое растворение меди в пленке ХСП при спонтанной релаксации возможно в широком интервале составов АвхЗеюо-х, где X = 20 — 60, причем, скорость растворения возрастает с увеличением содержания в пленках селена. 6.

4. При увеличении температуры подложки скорость растворения меди в пленке А8бо8е40 возрастает, а при температуре выше 340К увеличивается скачком. Ниже критической температуры равной 270К сверхбыстрого растворения меди в пленке А86о8е40 не наблюдается.

5. При спонтанной релаксации энергии упругой деформации в гетероструктуре М/ХСП происходит структурно-химическое упорядочение. Растворение меди в пленке ХСП прекращается с образованием устойчивых кристаллических соединений Си3Аз8е4.

6. Металл, растворенный в пленке ХСП, сосуществует в различных валентных состояниях Си2+, Си+, Си0, что способствует увеличению стеклообразующей способности системы Си-АБ^е.

7. Высокая скорость растворения металла в пленке ХСП обусловлена ускорением ионов электронами.

8. Зависимость сопротивления чувствительных элементов от температуры и влажности имеет линейный характер.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1. В пленках А86о8е4о, полученных в сильно неравновесных условиях, обнаружены критические параметры (<1^=1300 А, Ткр:=270 К), при которых происходит спонтанная перестройка структуры пленки с переходом ее в упорядоченное состояние. Такой переход обусловлен развитием флуктуаций и возникновением коллективных взаимодействий в системе. Одну из важных ролей при этом играют кулоновские поля заряженных дефектов Б" .

2. Установлено, что скорость растворения металла в пленке ХСП зависит от соотношения толщин слоев меди и ХСП, температуры подложки и состава ХСП. Максимальные скорости растворения Си в пленке Азбо8е40 достижимы при соотношении толщин слоев меди и ХСП равной 8. При увеличении температуры подложки скорость растворения меди в пленке А86о8е40 возрастает, а при температуре выше 340 К скорость растворения увеличивается скачком. Ниже критической температуры, равной 270 К, растворения Си в пленке Аз6о8е4о не наблюдается.

3. Показано, что сверхбыстрое растворение меди в пленке ХСП возможно в широком интервале составов АБхЗеюо-х, где х = 20 — 60, причем, скорость растворения возрастает с увеличением содержания в пленках селена. Максимальная концентрация растворенной меди в пленках системы Аб- 8е составляет 50 ат.%.

4. Обнаружено, что при спонтанной релаксации энергии упругой деформации в пленочной гетероструктуре М / ХСП происходит структурно-химическое упорядочение. Металл, диффундируя в пленку ХСП, вступает в химическое взаимодействие с компонентами стекла, образуя новые химические соединения. Растворение Си в пленке ХСП прекращается с образованием устойчивых кристаллических соединений СизАзБеф.

5. Методом рентгено-электронной спектроскопии установлено, что металл в модифицированных пленках ХСП, сосуществует в различных валентных состояниях Си2+, Си+, Си0, что способствует увеличению стеклообразующей способности системы Си-Аз-8е.

6. Процесс вхождения металла в пленку ХСП имеет суперионную природу. Высокая скорость растворения металла в пленке ХСП обусловлена ускорением ионов электронами. Коэффициент сопряженной диффузии достигает в стекле величины 107.

7. На основе модифицированных пленок ХСП, полученных при спонтанной релаксации, разработаны высокочувствительные прецизионные датчики температуры и влажности.

8. Различная скорость травления легированных пленок ХСП в плазме активных газов позволяет использовать их в оптои микроэлектронике в качестве эффективных фоторезистов с субмикронным разрешением.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертации представлены экспериментальные и теоретические результаты, впервые прояснившие характер взаимосвязи критических параметров спонтанной релаксации энергии упругой деформации, со сверхбыстрым растворением меди в пленке ХСП. Показано, что при спонтанной релаксации в гетероструктуре М/ХСП происходит структурно-химическое упорядочение. При этом изменяются оптические, электрические и физико-химические свойства полупроводника.

Модифицированные пленки, полученные при спонтанной релаксации, весьма чувствительны к внешним воздействиям. На их основе разработаны высокочувствительные прецизионные датчики температуры и влажности. Несмотря на все это существует множество проблем в понимании физической природы этого явления, что требует дальнейших исследований.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Н.А., Коломиец Б. Т. Новые стеклообразные полупроводники // Изв. АН СССР. Серия физ. 1956. — Т. 20. — В. 12. — С. 1496 — 1500.
  2. А.И. Об изменении свойств полупроводников при плавлении // ЖТФ. 1957. — Т. 27.-В. 11.-С. 2510−2516.
  3. А.И. К теории примесных уровней в аморфных полупроводниках // ФТТ. -1961. Т. 3. — В. 8. — С. 2336 — 2341.
  4. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1975. — V. 34. — № 15. — P. 953 — 955.
  5. M.T., Михайловская E.B., Романенко П. Ф. Об эффекте фотографической чувствительности тонких полупроводниковых слоев, находящихся на металлических подложках. // ФТТ. 1966. — Т. 8. — В. 2 -С. 571 — 572.
  6. Flasch R., Izu М., Sapru К., Anderson Т., Ovshinsky S.R., Fritzsche Н. Optical and Electrical Properties of Modified Amorphous materials: Proc. 7th Inter. Conf. Amorph. and Liguid Semicond.- Edinburg, 1977. P. 524.
  7. З.У. Халькогенидные полупроводниковые стёкла. -Л.: ЛГУ, 1983.-344 с.
  8. З.У. Некоторые особенности стеклообразования в халькогенидных системах // Неорг. Материалы. -1971. -Т. 7. № 10. -С. 1720- 1724.
  9. Maruno S., Noda U., Yamada Т. Glass formation and thermal analysis in the arsenic sulfur — silver system // Yoguo Kyokai Shi. -1973. — V. 81. — P. 445 — 450.
  10. З.У., Бычков Е. А., Тверьянович Ю. С. Взаимодействие металлов с халькогенидными стёклами. Л.: Изд. Ленингр. Универ., 1991.-252 с.
  11. Owen Е.А. Electronic conduction mechanism in glasses // The glass industry. 1967. — V. 48. — P. 695 — 713.
  12. Kawamoto J., Agatoi M., Tsuchihashi Sh. Structure of glasses in the Systems As2Se3 -T12S and As2Se3 -Ag2S // J. Ceram. Soc. Japan. 1974. -V. 82. — № 9. — P. 502 — 507.
  13. Firth A.P., Owen A.E., Ewen P .J. Laser Raman Study of the structure of silver doped AsAo glass // J. Phys. 1981. -V. 42. — № 10. — P. 903 — 906.
  14. Elliot S.R., Rayment T., Cummings S. Scattering studies of photo-structural changes in chalcogenide glasses // J. Phys. 1982. — V. 43. — № 12. — P. 35 -38.
  15. Liang K.S., Bienenstock A., Bates C.W. Structural studies of glassy CuAsSe2 and CuAs2Se3 alloys //Phys. Rev. B. 1974. — V. 10. — № 4. — P. 1528- 1538.
  16. Hunter S.H., Bienenstock A., Hayer Т. H. Atomic coordination determinations in Cu-As2Se3 glasses using EXAFS // Proc. VII Conf. On amorphous and Liguid semiconductors. Edinburg. 1977. — P. 78 — 82.
  17. Minami T // J. Non Ciyst. Solids. — 1985. — V. 73. — P. 273.
  18. Y., Nishida M. // Phys. Chem. Glasses. 1977. — V. 18. — P. 19.
  19. H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М: Мир, 1982. — Т. 1, 2. — 658 с.
  20. Vlasov Yu.G., Bychkov Е.А. Ionic and electronic conductivity in the copper-silver-arsenic-selenium glasses // Solid State Ionics. 1984. — V. 14. — № 4. -P. 329−335.
  21. .И., Джафаров Т. Д., Кудоярова В. Х., Кратенко Н. Ф., Имамов P.M., Образцов A.A. Фотореакционная диффузия серебра в стеклообразном As2S3 // ФТП. -1979. Т. 13. — № 1. — С. 41.
  22. .Л., Каллион Р. Б., Бычков Е. А., Власов Ю. Г. Исследование транспортных процессов в халькогенидных стеклах системы серебро-медь- мышьяк-селен // Физ. хим. стекла. 1991. — Т. 17. — С. 154 — 159.
  23. М.Т., Романенко П. Ф., Дембовский С. А., Виноградова Г. З. Фотохимические превращения в системах As2Se3-Ag, Ge-As-Se-Ag // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1971. — Т. 7. — № 1. -С. 210−213.
  24. Boltaks B.I., Biktimirova V.Kh., Dzhafarov N.D. and et al. Diffusion, electric transport and effect of silver impurity on, electrical and optical properties of As2Se3 H Phys. Status Solidi (a). 1975. — V. 30. — P. 731.
  25. .И., Биктимирова B.X., Джафаров Т. Д. и др. В кн. Тр. Международной конференции по аморфным и жидким полупроводникам. — Д.: Наука, 1976. — 269 с.
  26. Е., Suptitz P., Willert I. //Phys. Stat. Solidi (a). 1977. — V. 43. -P. 451.
  27. Suptitz P., Willert I. Diffusion of gold and silver in amorphous As2S3 // Phys. Stat. Sol. (a). 1975. — V. 28. — № 1. — P. 223 — 226.
  28. B.X. Термическая и фотостимулированная диффузия примесей I группы в стеклообразных селениде и сульфиде мышьяка. Дисс. на соиск. учен, степени канд. физ.-мат. наук, JI. 1980. — 188 с.
  29. Buroff A., Nebauer Е., Suptitz P., Willert I. Migration of silver and gold in amorphous As2S3 // Phys. Stat. Solidi (a). 1977. — Y. 40. — P. 195.
  30. B.X., Мамонтова T.M., Чернышев JI.B, В кн.: Труды Международной конференции «Аморфные полупроводники 84» Габрово. — 1985. — С. 219.
  31. Takeshi J., Kazujoshi К., Akio Н., Kazunobi Т. Photodoping of Ag into single crystal As2S3 // J. Phys. Soc. Jap. 1983. — V. 52. — P. 482 — 487.
  32. M.T., Утешин Ю. В. Диффузионно-контролируемая чувствительность системы As2S3-Ag к облучению через слой металла // ФТП. 1982. — Т. 16. — В. 1. — С. 19 — 21.
  33. Kolobov А.V., Kolomiets В.Т., Lyubin V.M., Taguirtdzhanov M.A. Photo-and thermal doping of chalcogenide vitreous semiconductors by zinc // Solid State Commun. 1985. — V. 54. — № 5. — P. 379 — 382.
  34. Lyubin V.M., Kolobov A.V. Photoinduced processes in chalcodenide vitreous semiconductor-metal structures // J. Non Cryst. Solids. — 1987. -V. 90-P. 489−496.
  35. Kolobov A. V., Bedel’baeva G.E. Effect of conductive substrate on dissolution and lateral diffusion of metals in vitreos chalcodenides // Philos. Mag. 1991.-V. В 63.
  36. Matsuda A., Kikuchi M. Observations of fundamental process in Ag photodoping of amorphous As2S3 films // Suppl. to the J. Jap. Soc. Appl. Phys. 1973. — V. 42. — P. 239 — 248.
  37. Goldschmidt D., Rudman P. S. The kinetics of photo-dissolution of Ag in amorphous As2S3 films II J. Non Ciyst. Sol. — 1976. -V. 22. — № 2. — P. 229 — 243.
  38. Sakuma H., Shimizu I., Kokado H., Inoue E. The photo-erasable memory effect associated with a conductive path formerd in Ag-doped chalcogenide glasses//Bull. Chem. Soc. Jap. -1977. V. 44. -P.1448- ibid, V. 44,-P. 1732
  39. Shimizu I., Kokado H., Inoue E. The photo-erasable memory switching in Ag photo-doped chalcogenide glasses // Bull. Chem. Soc. Jap. 1973. — V. 46.-P. 3662−3665.
  40. Shimizu I., Sakuma H., Kokado H., Inoue E. Metal- chalcogenide systems as imaging materials // Photogr. Sci. Eng. 1972. — V. 16. — P. 291 — 295.
  41. В.Ф., Индутный И. З. Касярум О.П., Коломиец В. В., Кудрявцев В. А., Минько В. И. Фотоиндуцированные процессы всветочувствительных системах ХСП-Ag // Препринт 8−89. ИФП АН УССР. -1989.-26 с.
  42. .Т., Лебедев Е. А., Казакова Л. П., Рогачев Н. А. Влияние примесей на электрические и оптические свойства стеклообразного селенида мышьяка // ФТП. 1974. — Т. 8. — №.3. — С. 545 — 549.
  43. Arai К., Kuwahata Т., Namikawa Н., Saito S. Electrical properties of silver -doped As-Se glasses // Jap. J. Appl. Phys. 1972. — V. 11 — № 7.- P. 1080- 1089.
  44. Carcaly C., Houphouet-Boigny D. Electrical conductivity of Ag-As-Se glasses //J. Non- Cryst. Solids. 1986. — V. 86. — №. 2. — P. 271 — 284.
  45. Ishikawa Т., Kitao M., Akao H., Yamada S. Electrical and optical properties of the amorphous As2Se3Agx system // Phys. Stat. Sol. (a). -1980.-V. 57.-P. 373−379.
  46. Kawamoto Y., Nagura N., Tsuchikashi S. Dc conductivity of Ge-S-Ag and As-S-Ag glasses // J. Amer. Ceram. Soc. 1974. -V. 57. — P. 489 — 491.
  47. Kawamoto Y., Nagura N., Tsuchikashi S. Properties of Ag-containing sulfide glasses // J. Amer. Geram. Soc. 1973. — V. 56. — P. 289 — 290.
  48. Plocharski J., Przyluski J., Wycislik H., Photo-diffusion kinetics studies by means of elemental analysis of Ag doped As 2S3 glass // J. Non-ciyst. Solid. 1983. — V. 56. — № 2. — P. 325 — 330.
  49. Huggett P.G., Frick K., Lehmann H.W. Development of silver sensitized germanium selenide photo-resist by reactive sputter etching in SF6 // Appl. Phys. Lett. 1983. — V. 42. — P. 592 — 594.
  50. Lakshmikumar S.T. A new model for photo-diflusion of silver in amorphous chalcogenides // J. Non Cryst. Sol. — 1986 -V. 88. — № 1. -P. 196−205.
  51. Matsuda A., Kikuchi M. Observations of photo-voltage in Ag photo-doping of amorphous As2S3 films//Solid State Commun. 1973.-V. 13. -№ 3 -P. 401 -403.
  52. Kluge G. A new interpretation of the photo-doping effect amorphous As-and Ge- chalcogenides // Phys. Stat. Sol. (a). 1987. — V. 101. — № 1. — P. 105 -114.
  53. М.Т., Романенко П. Ф., Красноженов Е. П. О применимости правила Урбаха для описания светочувствительности и поглощения света полупроводниковыми слоями с примесями и дефектами // ФТП. -1968. -2. -№ 8.
  54. Kokado H., Shimizu I., Inoue E. Discussion on the mechanism of Photo-doping // J. Non ciyst. Solids. — 1976. — V. 20. — P. 131 -139.
  55. Ressel R., Kluge G., Suptitz P. Investigation of photo-doping kinetics in amorphous Ge-chalcogenides // J. Non cryst. Solids. — 1987 — V. 97 — 98. -P. 1247 — 1250.
  56. Janai M. Photo-dissolution of in amorphous As2S3 films // Phys. Rev. Lett. -1981. V. 47. — № 8. — P. 726 — 729.
  57. Lis S.A., Lavine J.M. Photo-doping of amorphous chalcogenides // Appl. Phys. Lett. 1983. — V. 42. — P. 675 — 677.
  58. Lavine J.M., Lis S.A., Goldberg G.M., Masters J.J. Experiments on Ag-photo-doping of As2S3 // Proc, Electrochem. Soc. 1982. — V. 82 — 90. — P. 265−280.
  59. Suzuki T., Hirose Y., Hirose H. A model of the photodoping mechanism in the Ag / As2S3 system // Phys. Stat. Sol. (a). 1982. — V. 72. — № 2.1. P, 165 -168.
  60. M.T. Минько В. И. О длинноволновой границе чувствительности систем полупроводник металл // ФТП. — 1979 -Т. 13.-В. 4.-С. 809−810.
  61. Mizuno N., Tanaka К., Kikuchi M. Photo-and thermal diffusions of metals into As2S3 glass // Sol. State Commun. 1973. — V. 12. — № ю. — p. 999 -1001.
  62. Ishikawa R. Photo-enhanced diffusion of Ag in amorphous Ge2S3 films //
  63. Solid State Commun. 1979. — V. 30. — P. 99 — 102.
  64. Ishikawa R., Kikuchi M. Photo-voltaic study of the photo-enhanced diffusion of Ag in amorphous films of Ge2S3 // J. Non-cryst. Solids. 1980. -V. 35−36.-P. 1061 — 1066.
  65. Kokado H., Shimizu I., Tatsuno T., Inoue E. A photoelectric study of the interface between metallic silver and vitreous As2S3 // J. Non-Cryst. Solids. 1976.-V. 21.-№.2.-P. 225−232.
  66. Goldschmidt D., Bernstein T., Rudman P. S. The kinetics of photodissolution of silver in amorphous AS2S3 films // Phys. Stat. Sol. (a). 1977 -V. 41. — P. 283 -287.
  67. B.M., Федорова Г. А. Получение и свойства тонких пленок многокомпонентных стеклообразных полупроводников // Изв. АН СССР Неорг.матер. 1970. — Т. 6. — № 10. — С. 1891 — 1892.
  68. Honig V., Fedorov V.A., Liebmann G., Suptitz P. Ellipsometric investigation of Ag-photo-doping in amorphous chalcogenide thin films // Phys. Stat. Sol. (a). 1986. — V. 96. — № 2. — P. 611 — 619.
  69. Bajagopalan S., Yarshavardan K.S., Singh В., Chopra K.L. Photo- and electrochemical doping in Ge-based chalcogenides // J. De Phys. -1981 -V. C4.-P. 911 -914.
  70. Rennie J., Elliot S. R., Jeynes C., Rutherford backscattering study of photo-dissolution of Ag in amorphous GeSe2// Appl. Phys. Lett. 1986. -V. 48.-№.21.-P. 1430- 1432.
  71. Sakuma N., Shimizu I., Kokado H., Inoue E. A new amorphous semiconductors for optical memory // Proc. 3d Conf. on Solid State devices. Tokio. -1971. — P. 76 — 83.
  72. Shimizu I., Sakuma N., Kokado H., Inoue E. Optical and electrical properties of photo-doped amorphous semiconductors //Bull of the chem. Soc. J. Japan. 1973. — V. 46. — № 5. — P. 1291 — 1294.
  73. B.M. Оптические электро и фотоэлектрические явления вструктурах ХСП-металл // Дисс. канд. физ-мат.наук. Л: ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН.СССР. — 1978. — 192 с.
  74. Ганин В.М.Б., Коломиец Б. Т., Любин В. М. Особенности фотопроводимости стеклообразных As2S3 и As2 Se3, легированных методами фото- и термодифузии // Письма в ЖТФ. 1979. — Т. 56. -В. 7. — С. 392 — 395.
  75. Inoue Е., Kokado H., Shimizu I. Photo-doping of metal into chalcogenide glasses // J. Jap. Soc. Appl. Phys. 1974. — V. 43. — P. 101 -105.
  76. Ewen P.J.S., Zakkeiy., Fivth A.P., Owen A.E. Compositional dependence of Photo-dissolution kinetics in amorphous As-S films // J. Non-Cryst. Solids,-1987. V. a97/98. — P. 1127 — 1130.
  77. Chatani K., Shimizu I., Kokado H., Inoue E. Influence of the localized structural transformation of As2S3 on the photo-doping rate of Ag // Japan J. of Apple. Phys. 1977. — V. 16. — № 2. — P. 389 — 390.
  78. B.X., Болтакс Б. И. Термическая и фотостимулированная диффузия серебра в стеклообразном сульфиде мышьяка // Сб. докл. конф. «Аморфные полупроводники-82». Бухарест. — 1982. — С. 166 -168.
  79. Yamaguchi M., Shimizu I., Inoue E. Diffusion of silver associated with Photo-doping into amorphous chalcogenides // J. Non-Ciyst. Solids. 1982. — V. 47. — № 3. — P. 341 — 354.
  80. Owen A.E., Firth A.P., Ewen P .J.S., Photo-induced structural and physico-chemical changes in amorphous chalcogenide semiconductors // Phill. Mag. B. 1985. — V. 52. — № 3. — P. 347 — 362.
  81. Wagner T., Frumar M. Photo-induced diffusion of Ag in amorphous As40S60 layers // Proc. Int. Conf. «Non-Ciyst. Semiconductors-89».
  82. Uzhgorod, USSR. 1989. — Pt. II. — P. 240 — 242.
  83. Bedel’baeva G.E., Kolobov A.V., Kolomiets B.T., Lyubin V.M., Taguirdzhanov M.A. Photo-doping of As-S films with group II metals // J.
  84. Non-Cryst. Solids. 1987. — V. 97/98. — P. 1243 — 1246.
  85. Kolobov A.V., Kolomiets B.T., Lyubin V.M., Taguirdzhanov M.A. Photo-and thermal doping of chalcogenide vitreous semiconductors by zinc // Solid State Commun. 1985. — V. 54. — № 5 — P. 379 — 382.
  86. A.B., Любин B.M. Фоторастворение цинка в стеклообразном As2Sз// ФТТ. 1982. — Т. 26. — В. 8. — С. 2522 — 2524.
  87. А. В. Любин В.М. Эффект отрицательной фоторастворимости металла в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Письма в ЖТФ. 1985 — Т. 11. — В. 6. — С. 374 — 376.
  88. А.В., Любин В. М., Трельтч И. Явление блокирования светом фотостимулированного растворения серебра в пленках стеклообразного сульфида мышьяка. 5 Всесоюз. конф. «Бессер. и необыч.фотогр. процессы» Черноголовка. 1988. — Т. 3. — С. 44.
  89. A.M., Ганин В. М., Коломиец Б. Т., Любин В. М., Циуляну Д. И. Эффект электрофотолегирования в ХСП // Письма ЖТФ. 1975. — Т. 1. -В. 12.-С. 578- 581.
  90. A.M., Циуляну Д. И., Ганин В. М., Коломиец Б. Т., Любин В. М. Электростимулированные фотохимические превращения в системах ХСП металл. // Структура и свойства некристаллических полупроводников. Л.: Наука, 1976. — С. 456 — 459.
  91. A.M., Циуляну Д. И., Коломейко Э. П. Электродвижущаяся сила в тонкослойных структурах металл ХСП // Письма ЖТФ. — 1977. — Т.З.-С. 135- 137.
  92. Д.И., Чумаков И. С., Гриншпун Л. Б. Катодный эффект электростимулированных химических превращений в структурах металл- ХСП. //ФТП- 1983. -Т. 17.-В. 12. С. 2196−2198.
  93. И.П. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. 1984. — Изд-во МГУ. — 189 с.
  94. Kastner M.A. Defects chemistry and states in the gap of lone- pairsemiconductors I I J. Non cryst. Solids. — 1978. — V. 31. — № 1−2. — P. 223 -240.
  95. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-generation model for localized gap states in lone-pair semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1976. — V. 37. -№. 22.-P. 1504- 1507.
  96. Street R.A. Recombination in amorphous semiconductors // Phys. Rev. B-1978. V. 17. — № 10. — P. 3984 — 3995.
  97. Street R.A. Non-radiative recombination in chalcogenide glasses // Solid State Commun. 1977. — V. 24. — № 5. — P. 363 — 365.
  98. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optically induced localized paramagnetic States in chalcogenide glasses // Phys. Rev. Lett. 1975. -V. 34.-№ 21.-P. 1346- 1350.
  99. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optically induced localized paramagnetic states in amorphous As // Solid State Commun. 1976. — V. 18.-№ 5.- P. 573 -576.
  100. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optically induced metastable paramagnetic states in amorphous semiconductors // Phys. Rev. B. 1977. -V. 15.-№ 4.-P. 2278−2294.
  101. Street R.A. Luminescence in amorphous semiconductors // Adv. Phys.1976. V. 25. — № 4. — P. 397 — 453.
  102. Bishop S.G., Mitchell D.L. Photoluminescence exitation spectra in chalcogenide glasses // Phys. Rev. B 1973. — V. 8. — № 12. — P. 5696 -5703.
  103. Kolomiets B.T., Mamontova T.N., Babaev A.A. Radiative recombination in vitreous and single crystal As2S3 and As2Se3 // J. Non-Cryst. Solids. -1970. P. 289 — 294.
  104. Kolomiets B.T., Mamontova T.N., Vassilyev V.A. Fatique effect of photo-luminescence in glassy semiconductors // Amorphous and Liquid Semicond.: Proc. Int. Conf., Edinburgh. 1977. — P. 627 — 631.
  105. .Т., Мамонтова Т. Н., Чернышев А. В. Зависимость «усталости» фотолюминесценции от состава в стеклообразных полупроводниках системы AstxSex// Физ. техн. полупроводн.1983. Т. 176. — № 9. — С. 1708 — 1710.
  106. Т.Н., Чернышев А. В. «Усталость» фотолюминесценции и неупорядоченность структуры As2Se3 // Физ. и техн. полупроводн.1984. Т. 18. — № 3. — С. 536 — 538.
  107. Mott N. F., Davis Е.А., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors // Phil. Mag. 1975. — V. 32. — № 5. — P. 961 -996.
  108. Vardeny Z., Tauc J. Method for direct determination of the effective correlation energy of defects in semiconductors: Optical modulation spectroscopy of dangling bonds // Phys. Rev. Lett. 1985. — V. 54. — № 16. -P. 1844- 1847.
  109. Jl.M., Манушевич Г. Н., Гоглидзе Г. И., Провоторов В. Л. Влияние температуры на вольт-амперные характеристики тонких слоев As2Se3 // Физ. и техн. полупроводн. 1980. — Т. 44. — № 1. — С. 62 -68.
  110. Shimakawa К. On the temperature dependence of a.c. conduction in chalcogenide glasses // Phil. Mag. B. 1982. — V. 46. — № 2. — P. 123 — 125.
  111. Naito N., Nakaishi M., Matsushita Т., Okuda M. Gap state spectroscopy in amorphous As2Se3 films // J. Non-Cryst. Solids. 1985. — V. 77−78. — № 6. -P. 1183 — 1186.
  112. Adriaenssens G.J., Hamman M., Michiel H., Marshall J.M. Spectral distribution of steady photo-conductivity in amorphous As2Se3 // Solids State Commun 1983. — V. 45. — № 6. — P. 465 — 469.
  113. HammanM., Adriaenssens GJ., Grewendonk W. Steady-state photo-conductivity in amorphous arsenic selenide compounds // J. Phys. C.: Solids. State. Phys. 1985. — V. 18. — № 10. — P. 2151 — 2160.
  114. Barclay R.P., Sarr M., Brebner J.L. Reversible metastable defect centres in amorphous arsenic triselenide // J. Non-Cryst. Solids. 1987. — V. 97−98. -pt. 2. — P. 687 — 690.
  115. А.Ю., Стыс JI.E., Цыбесков Л. В. Фотоэлектрическая спектроскопия глубоких уровней в пленках, а As2Se3 // Физ. и техн. полупроводн. — 1987. — Т. 21. — № 12. — С. 2225 — 2227.
  116. .С., Стыс Л. Е., Фойгель М. Г., Цыбесков Л. В. Исследование локализованных состояний в запрещенной зоне триселенида мышьяка методом инжекдионных токов // Физ. и техн. полупроводн. 1985. -Т. 19.-№ 5.-С. 931 -933.
  117. Pollard W.B., Joannopoulos J.D. Electronic structure of defects in amorphous arsenic // Phys. Rev. B. 1979 — V. 19 — № 8. — P. 4217 — 4223.
  118. Elliott S.R., Davis E.A. Defects states in group- Y amorphous semiconductors //J. Phys. C.: Solid. State. Phys. 1979 — V. 12. — № 13. -P. 2547 — 2587.
  119. Frumar M., Firth A.P., Owen A.E. A model for photoctructural changes in the amorphous As-S system // J. Non ciyst. Solids. — 1983 — V. 59 — 60. -№ 2. — P. 921 — 924.
  120. М.И. Мягкие атомные конфигурации и механизмы фотостимулированных и радиационных процессов в стеклообразных системах // Изв. АН Латв.ССР. Сер. физ. и техн. наук. 1987. — № 4. -С. 58 — 66.
  121. Klinger M.I. Glassy disordered system: topology, atomic dynamics and localized electron states // Phys. Rep. 1988. — V. 165. — № 5−6. — P. 275 -397.
  122. М.И. Рождение и преобразование дефектов при релаксации электронных возбуждений в твердых телах (основные теоретические представления) // В кн.: Чтения памяти А. Ф. Иоффе, 1984. Л.: Наука. — 1986.-С. 53 -72.
  123. Vlcek M., Frumar M. Model of photo-induced changes of optical properties in amorphous layers and glasses of Ge-Sb-S, Ge-S and As-Se systems // J. Non Cryst. Solids. — 1987 — V. 97−98. — Pt. 2. — P. 1223 — 1226.
  124. H.A. Новая модель дефектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Письма в ЖЭФТ. 1980. — Т. 31. — В. 8. — С. 437 -440.
  125. Н.А. // Структура, физико-химические свойства и применение некристаллических полупроводников. Материалы конф. «Аморфные полупроводники-80».- Кишинёв: АН СССР, АН МССР. 1980. — С. 154- 157.
  126. B.C. Электронная техника. Сер. материалы. 1981. — №.4 (153).- С. 48 53.
  127. B.C. Кузнецов Ю. Н. Классификация стеклообразующих структурных единиц в халькогенидных стеклах // Сб. докл. конф. «Аморфные полупроводники-82». Бухарест: АН СССР. — 1982. — С. 97 -99.
  128. С.А., Чечеткина Е. А. Стеклообразование. М.: Наука, 1990.-279 с.
  129. Dembovsky S.A., Chechetkina Е.А. Defekts and glass formation// J. Non-Cryst. Solids. 1984. — V. 64. — № 1. — P. 95 — 111.
  130. Аморфные полупроводники. Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1982. -416 с.
  131. Martin Т.Р. Arsenic sulphide clusters// Solid State Commun. 1983. -V. 47. — № 2. — P. Ill -114.
  132. Д.С., Бартенев Г. М. Физические свойства неупорядоченных структур (молекулярон-кинетические и термодинамические процессы в неорганических стеклах и полимерах). Новосибирск: Наука, 1982. -259 с.
  133. Г. М., Сандитов Д. С. Релаксационные процессы в стеклообразных системах. Новосибирск: Наука, 1986. — 238 с.
  134. Д.С. Термодинамическая теория стеклования и модель флуктуационного свободного объема// Физ. и химия стекла. 1989. -Т. 15.-№ 4.-С. 513−519.
  135. A.A. Концепция свободного объема и процессы структурной релаксации в модели фотоиндуцированных изменений халькогенидных стекол // Киев. 1987. 27 с. — Деп. в Укр НИИНТИ 11.06.87.-№ 1639.-Ук 87.
  136. С.П. Неупорядоченное состояние и роль избыточной деформационной энергии в образовании высокоэнергетических дефектов // Сб. докл. Всесоюзного семинара «Новые идеи в физике стекла» М. 1987. — С. 41 — 48.
  137. C.B. Валентно-конфигурационная теория вязкого течения переохлажденных стеклообразующих жидкостей и ее экспериментальное обоснование // Физика и химия стекла 1978. — Т.4. — № 2. — С. 129 — 148.
  138. С.П. Роль энергии деформации в образовании дефектов и р типа проводимости в ХСП // В сб.: Материалы 3 Всесоюзного семинара «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем». Рязань, РРТИ, 1985. — С. 139 — 142.
  139. П.П. Аморфные вещества. М.-Л.: Изд. АН СССР, 1952. -432 с.
  140. .Л. Тонкие поликристаллические и аморфные плёнки. Физика и применение. Под ред. Л. Казмерски. М.: Мир. — 1983. — С. 9 — 23.
  141. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. Пер. с нем. М.: Мир, 1986. — 558 с.
  142. З.У. Химия стеклообразных полупроводников. Изд-во Ленинградского университета, 1972. — 247 с.
  143. О.И. Индуцированные процессы и структурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Дисс. д.ф.-м.н. -Львов. — 1991.-346 с.
  144. Gaczi P.J., Fritzsche H. Identification of photo-induced paramagnetic centers in AS43S57 glass by electron spin resonance. // Solid State Commun. -1981, V. 38. — № 1. — P. 23 — 26.
  145. В.П. Области стеклообразного состояния в сплавах халькогенидов. Автореферат дисс. канд. хим. наук, М.: ИОНХ, 1967. -18 с.
  146. С.И., Крестников А. Н. Давление пара селенида мышьяка // ЖНХ. 1968. — Т. 13. — В. 6. — С. 1482 — 1487.
  147. Л.С., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. — 319 с.
  148. В.А. Термическое напыление стеклообразных пленок сложного состава // ПТЭ. 1975. — № 5. — С. 230 — 231.
  149. В.П.Хан, В. Я. Когай, Е. В. Александрович. Критические условия спонтанной релаксации в самоорганизующихся диссипативных пленочных структурах //ЖТФ. 1999. — Т. 69. — В. 8. — С. 128 — 129.
  150. В.Д., Родионов Ю. А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники. -М.: Машиностроение, 1976.-328 с.
  151. Ю.И. Эллипсометрия. Издательство ВГУ. Воронеж. -1971. 132 с.
  152. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Под общей ред. Г. Хасса и Р. Э. Туна. T. IV. -М.: Мир, 1970.-440 с.
  153. Р.И., Мардежов A.C., Хасонов Р., Швец В. А. Алгоритмы и программы для анализа эллипсометрических измерений. 1. Однослойные структуры. Препринт 1 86. АН СССР. Сибирское отделение. Институт физики полупроводников. Новосибирск. — 1986. -40 с.
  154. Г. Б., Ефимов H.H., Шакулин В. Г. Кварцевые генераторы. М.: Радио и связь, 1984. 232 с.
  155. В.Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. М.: Радио и связь, 1983. -128 с.
  156. Г. Е. Динамические законы и супергидродинамика //
  157. Письма в ЖТФ. 1997. — Т. 23. — № 22. — С. 7 — 11.
  158. Г. В. Гипертермодинамика // Препринт ФТИ. 1981. № 740. — 25 с.
  159. Я.А., Рейнфелде М. Я. Атомный объем фотоиндуцированных изменений оптических свойств в Аз-Бе и АБ-Зе-П // Сб. докл. конф. «Аморфные полупроводники-84».- Габрово (Болгария). 1984. — Т. 1.- С. 60 62.
  160. В.Я., Александрович Е. В. Критические явления в самоорганизующихся пленочных структурах // Тез. докл. Международной конференции «Стекла и твердые электролиты». С-Петербург. 1999. — С. 83.
  161. Ю.Я. Твердые электролиты. М.: Наука, 1986. — 176 с.
  162. И. От существующего к возникающему. М.: Наука, 1985.- 327 с.
  163. Н., Даффи Д. Линейные дефекты и стеклование // В сб. статей Синергетика. Под ред. Кадомцева Б. М.: Мир, 1984. — С. 80 — 94.
  164. О.В. Стеклование. Л.: Наука, 1986. 158 с.
  165. Geisz J. F., Kuech T-F-, Lagally M.G., Gardone F., Potemski R.M. Film stress of sputtered W/C multilayers and strain relaxation upon annealing // J.Appl. Phys. V. 75. — № 3. — 1994. — P. 1530 — 1533.
  166. Street R.A., Mott N.F. States in the gap of glassy semiconductors. // Phys. Rev. Lett. 1975. — V. 35. — №. 22. — P. 1293 — 1297.
  167. Д. Приборы на аморфных полупроводниках // Успехи физических наук. 1978. — Т. 125. — №.4. — С. 707 — 730.
  168. А.В. Фотостимулированные атомные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Дисс. докт. физ. мат. наук, Л. — 1991. — 445 с.
  169. Teteris I. Photoinduced optical absorption in As-Se // Phys. Stat. Sol (a) -1984. -V. 83. № 1. — P. 47 -50.
  170. В.П., Лукша О. В., Ферцак Ю. Ю. и др. Структурные особенности и стимуллированная кристаллизация аморфных пленок халькогенидных полупроводников // Физ. электроника. 1982. — В. 23. -С. 102−114.
  171. Phillips J.C. Topology of covalent non-crystalline solids. 1. Short-range order in chalcogenide alloys // J. Non-Cryst. Solids. 1979. — V. 34. -№ 2.-P. 153−181.
  172. Phillips J.C. Topology of covalent non-crystalline solids. 2. Medium range order in chalcogenide alloys and a -Si (Ge) // J. Non-Crystalline Solids. 1981.-V. 43. № 1. — P. 37−77.
  173. Phillips J.C. Topology of covalent non-crystalline solids. 3. Kinetic model of the glass transition // J. Non-Crystalline Solids. 1981. V. 44. — № 1.1. P. 17−30.
  174. .JI., Бычков Е. Ф., Власов Ю. Г. Диффузия серебра в стеклах системы серебро-мышьяк-селен-теллур // Физика и химия стекла 1991. — Т. 17. — № 1. — С. 143 — 146.
  175. Gurevich S.B. Ilyashenko N.N., Kolomiets В.Т., Lyulin V.M., Shilo V.P. Photostimulated changes of optical properties and structural of amorphous Se-As films // Phys. Stat. Sol (a). 1974. — V. 26. — № 2. — P. 127 — 130.
  176. M., Андерко К. Структура двойных сплавов. Пер. с англ. М.: Металлургия. 1962. — Т. 1. — 608 с.
  177. Дж. Физика стекла. В сб.: Физика за рубежом. М.: Мир, 1983. — 178 с.
  178. Е. В., Когай В. Я. Роль диспропорционирования легирующих металлов в стеклообразовании халькогенидных систем // Тезисы докл. Международной конференции «Термодинамика, химическое строение расплавов и стекол» С. -Петербург. 1999.
  179. Хан В. П. Федотова И.В., Когай В. Я. Исследование процессов плазмохимического травления пленок состава Ge2oSe80 // Деп. в ВИНИТИ- 03.04.90. № 1769. — В. 90. — 20 с.
  180. Хан В. П. Федотова И.В., Когай В. Я., Акашкин А. С. Структурные превращения и плазмохимическое травление фоточувствительных пленок ХГС // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1991.-№ 2.-С. 392−397.
  181. Хан В. П. Федотова И.В., Когай В. Я. Плазмохимическое травление термически напыленных пленок ХГС, легированных серебром // Физика и химия обработки материалов. 1992. — № 1. — С. 78 — 81.
  182. Yamamoto Y., Iton T., Hirose Y., Hirose H., Backscattering measurements of Ag photo-doping effect in As2 S3 glass // J. Appl. Phys. 1976. — V. 47. — P. 3603 — 3607.
  183. Malinovski J., Buroff A., Photostimulated solid state reactions // Contemp. Phys. 1978. — V. 19. — P. 99 — 108.
  184. Kitao M., Ishikawa T., Yamada S. Investigation of ionic conductivity in glassy As2S3: Ag // J. Non- ciyst. Solids. 1986. — V. 79. — №. 2. — P. 205 -207.
  185. Meixner A.E., Chen C.H. Studies of Ag photodoping in glassy Ge-Se films by electron-energy-loss spectroscopy // Phys. Rev. -1983. B. 27. -№. 14. -P. 7489−7494.
  186. Sherrel P.L., Thompson J.C. AC conductivity of Ag- doped bulk glassy As2Se3 // J. Non-cryst. Solids. 1977. — V. 24. — №. 1. — P. 69 — 76.
  187. Shimakawa К., Nitta S., Mori Influence of silver additive on electronic and ionic natures in amorphous As2Se3 // Phys. Rev. 1978. — B. 18. -№. 11.-P. 4348−4354.
  188. М.И., Карпов В. Г. Автолокализация электронных пар в структурах с туннельными состояниями (локальные центры с межэлектронным притяжением) // Письма в ЖТФ. 1980. — Т. 6. -№. 24. — С. 1473 — 1478.
  189. Klinger M.I. Karpov V.G. Self-trapping of electron pairs in materials with tunneling states // Solid State Commun. 1981. — V. 37. — №.12. — P. 975 -978.
  190. Kolobov A.V., Elliot S.R., Steel A. Structure of photodoped and thermally Zn-doped glassy arsenic fulfide films // Phys. Rev. B. -1990. -V. B41. — P. 9913−9920.
  191. Oldale J.M., Rennie J., Elliot S.R. A comparative study of silver photodoping in chalcogenide films by means of EXAFS and kinetics measurements // Thin Solid Films. 1988. — V. 164. — P. 467 — 475.
  192. Steel A.T., Greaves G.N., Firth A.P., Owen A.E. Photodissolution of silver in arsenic sulfide films an EXAFS study // J. Non-cryst. Solids. -1989.- V. 107.-P.155.
  193. Danko V.A., Indutny I.Z., Minko V.I. Ionic transport in amorphous AS2S3 films photodoped with solver. -1989, Proc. Int. Conf. «Non-cryst. Semiconductors-90», Uzhgorod USSR. pt. 11. — P. 234.
  194. B.A., Индутный И. З., Минько В.И. Особенности фотостимулированного переноса серебра в тонкопленочной системе
  195. As2S3 Ag I ! Автометрия — 1990. — № 6. — С. 67 — 71.
  196. B.H. Химическая диффузия в твердых телах. М.: Наука, 1989.-208 с.
  197. Г. 3. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. М.: Наука, 1984. 174 с.
  198. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник. Под ред. Земскова B.C. М.: Наука, 1978. — 198 с.
  199. М. А. Низкотемпературный предел коэффициента биполярной диффузии в суперионных проводниках со смешанной электронной и ионной проводимостью // ФТТ. 1992. — Т. 34. — №. 4. -С. 1209- 1211.
  200. М. А. О сверхбыстрой «химической» диффузии ионов и электронов в твердых телах // Неорганические материалы. 1998. Т. 34. — №. 4. — С. 53 — 57.
  201. . Б., Петрий O.A. Электрохимия. М.: Высшая школа, 1987. — 296 с.
  202. Физические величины. Справочник. Под ред. Григорьева И. С. и Мейликова Е. З. М.: Энергоиздат, 1991. — 1232 с.
  203. М.А., Баранчиков В. В., Абрикосов Н. Х., Банкина В. Ф. Влияние суперионного перехода на энтропию плавления Си 2.х Se. Поправки к формуле Кубашевского // ФТТ. 1984. — Т. 26. — №.7, -С. 2209−2212.
  204. Khan V. P., Alexandrovich Ye.V. On n-type conductivity in chalcogenide glassy semiconductors. San Francisco, Proc. of 18 International Congress on Glass. (1998) ICG130 — P01 — 175 of CD -ROM Proc.
  205. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных проводниках. Под ред. К. Д. Цэндина. СПБ: Наука, 1996. 486 с.
  206. В.Я., Замараев В. Н. Датчики влажности и температуры //1341. Участие соавторов работ
  207. Руководитель лаборатории «Полупроводникового материаловедения» кандидат технических наук Хан В. П. принимал участие в постановке задачи, обсуждении результатов.
  208. Научный сотрудник, кандидат физико-математических наук Александрович Е. В. принимала участие в обсуждении результатов.
  209. Доцент Удмуртского Государственного Университета, кандидат физико-математических наук Федотова И. В. помогала в проведении экспериментов и обсуждении результатов.
  210. Старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук Коржуев М. А. принимал участие в обсуждении результатов.
  211. Младший научный сотрудник Гранаткина Ю. В. принимала участие в обсуждении результатов.
  212. Доцент Камского Политехнического института, кандидат технических наук Замараев В. Н. помогал в проведении экспериментов.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!