Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Сверхпроводниковые и сегнетоэлектрические перовскитные пленочные структуры в СВЧ микроэлектронике

Диссертация: Сверхпроводниковые и сегнетоэлектрические перовскитные пленочные структуры в СВЧ микроэлектронике
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Наряду с СВЧ-приборами развиваются другие отрасли ВТСП-электроники, такие как магнитометрия на основе СКВИДов — сверхпроводящих квантовых интерференционных приборов. Вместе с традиционными применениями СКВИДов в военных комплексах расширяется их использование в геофизике, медицине, биологии. Исключительно высокая чувствительность приборов и совершенствование технологии квантового интерферометра… Читать ещё >

Сверхпроводниковые и сегнетоэлектрические перовскитные пленочные структуры в СВЧ микроэлектронике (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
  • ВВЕДЕНИЕ
  • 1. СОВРЕМЕННЫЕ ДОСТИЖЕНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ И ТЕХНОЛОГИИ ПЛЕНОК СО СТРУКТУРОЙ ПЕРОВСКИТА
    • 1. 1. Основные тенденции развития СВЧ микроэлектронных устройств на основе металлоксидных пленочных структур
    • 1. 2. Структура и электрофизические свойства перовскитных соединений, применяемых СВЧ микроэлектронике
    • 1. 3. Технологические процессы выращивания перовскитных пленок
    • 1. 4. Стадии формирования, кинетика роста пленок и дефектообразование
    • 1. 5. Физические характеристики перовскитных пленок, определяющие их применение в радиоэлектронных приборах
  • Выводы
  • 2. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ И ДИАГНОСТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ И ПРОЦЕССЫ
    • 2. 1. Основные требования к пленочным структурам и технологические факторы
    • 2. 2. Схема технологического процесса изготовления электронного компонента
    • 2. 3. Диагностика структуры и состава перовскитных пленок
    • 2. 4. Подложки и исходные материалы
  • Выводы
  • 3. АНАЛИТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА РОСТА ПЕРОВСКИТНЫХ ПЛЕНОК
    • 3. 1. Физическая модель и стадии процесса получения пленок методом ИПР
    • 3. 2. Исследование процесса переноса распыленных частиц
    • 3. 3. Экспериментальные зависимости скорости роста пленок ВБТО
    • 3. 4. Влияние технологических режимов на кристаллографическую ориентацию пленок YBCO
    • 3. 5. Кинетическое моделирование процесса роста пленок YBCO
  • Выводы
  • 4. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ПЕРОВСКИТНЫХ ФАЗ В СИСТЕМАХ Ba-Sr-Ti-O и Y-Ba-Cu-O
    • 4. 1. Об аналитической модели процесса формирования перовскитных пленок
    • 4. 2. Фазовые диаграммы в химической системе Y-Ba-Cu-O
    • 4. 3. Термодинамический анализ в химических системах
  • Y-Ba-Cu-O и Ba-Sr-Ti-O
    • 4. 4. Область гомогенности и катионное дефектообразование в системе Y-Ba-Cu-O
  • Выводы
  • 5. СТАДИИ РОСТА, ИНТЕРФЕЙС И ПРОТЯЖЕННЫЕ ДЕФЕКТЫ ПЕРОВСКИТНЫХ ПЛЕНОК
    • 5. 1. Формирование интерфейса пленка BSTO/подложка
    • 5. 2. Начальные стадии зарождения и роста пленок YBCO на различных подложках
    • 5. 3. Исследование тонких пленок YBCO с толщиной до 1 мкм
    • 5. 4. Особенности точечных и протяженных микродефектов в пленках YBCO
  • Выводы
  • 6. ДЕФЕКТНАЯ СТРУКТУРА СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК
  • YBCO И СВЧ ПОВЕРХНОСТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ
    • 6. 1. Исследования высокоориентированных и двухслойных пленок
  • YBCO в ВЧ-СВЧ диапазоне
    • 6. 2. СВЧ поверхностное сопротивление эпитаксиальных YBCO сверхпроводниковых пленок
  • Выводы
  • 7. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ BSTO ПЛЕНОЧНЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ
  • ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
    • 7. 1. Структура сегнетоэлектрических пленок BSTO на различных подложках
    • 7. 2. Компонентный состав, деформационные напряжения и диэлектрические характеристики пленок BSTO
    • 7. 3. Влияние примесей марганца на свойства пленок BSTO
    • 7. 4. Диэлектрические характеристики пленок BSTO в СВЧ диапазоне и пример реализации СВЧ микроэлектронного устройства
  • Выводы
  • 8. ФИЗИКО-ТЕХНОЛГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПЕРОВСКИТНЫХ СТРУКТУР
    • 8. 1. Микропрофилирование перовскитных структур и процесс изготовления на их основе радиоэлектронных компонентов
    • 8. 2. Визуализация дефектной структуры сверхпроводниковых топологий посредством магнитооптического контраста
    • 8. 3. Шумы ВТСП пленок и микроболометр антенного типа
    • 8. 4. Исследование процесса распространения магнитостатических волн вдоль интерфейса феррит/сверхпроводник
    • 8. 5. Перспективные радиоэлектронные применения слоистых структур на основе перовскитных и ферритовых пленок
  • Выводы по главе
  • Публикации по теме диссертации

Увеличение добротности СВЧ устройств, снижение потерь и энергоемкости, повышение управляемости и мобильности — таковы основные тенденции развития современных радиоэлектронных систем (РЭС). Для реализации указанных тенденций необходимы пленочные структуры, обладающие уникальными физическими свойствами. В последние годы в радиоэлектронике интенсивно исследуются возможности применения сегнетоэлектрических управляемых структур, высокодобротных сверхпроводниковых топологий и ферромагнитных слоев, в которых распространяются магнитостатические волны с предельно низкими потерями. Значительным потенциалом для разработки устройств нового поколения обладают гетероструктуры и слоистые композиции на основе перовскитных пленок и родственных оксидных слоев.

Открытие сегнетоэлектрических свойств в титанате бария (ВаТЮз) со структурой перовскита а2в4о" сделанное Б. М. Вулом в ФИАНе в 1944 — 45 годах [1], «явилось подлинной революцией в развитии работ по физике сегнето-электриков и внедрении их в промышленность» [2]. «Трудно было предвидеть сегнетоэлектрические свойства у титаната бария» [1], но после того как они были обнаружены, произошло качественное изменение в понимании физики сег-нетоэлектричества и в применения открытых свойств в технике. В 1970 году, в результате исследований сегнетоэлектриков (СЭ) в ВЧ-СВЧ диапазоне, появилась работа Бетэ [3], направленная на применение СЭ кристаллов и керамик в радиотехнических управляемых приборах. Многие лаборатории включились в исследования ВЧ-СВЧ диэлектрических характеристик СЭ. Однако к середине 80-х годов интерес к этим материалам со стороны радиотехнических компаний снизился по причине высоких диэлектрических потерь в керамиках и пленках.

Значительное снижение интереса к сегнетоэлектрическим пленкам (СЭП) совпало с открытием в перовскитных купратах высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) в 1986;87 годах [4]. В начале 90-х годов, после достижений в технологии ВТСП пленок, было отмечено перспективное для СВЧ применений сочетание перовскитных СЭП и ВТСП электродов [57^*1 На исследования проблем ВТСП материалов и их применений в различных областях техники были направлены колоссальные средства. Масштабу исследований ВТСП, проводимых на рубеже 80-х — 90-х годов, трудно найти аналог. В настоящее время стало очевидным, что существенные результаты в техническом применении сверхпроводимости достигнуты только на пленочных СВЧ криоэлектрон-ных устройствах [6,7]. Вместе с этим, прогресс в технологии ВТСП пленок явился плодотворной основой для развития пленочной технологии широкого класса оксидных материалов и для своеобразного качественного «скачка» [8] в развитии физики и технологии тонких пленок.

В последующий период, начиная с 1993 года, наблюдалось снижение интенсивности работ, объемов финансирования и количества публикаций по ВТСП-электронике. Сложный комплекс причин этого явления включал общее сокращение оборонных исследований и разрушительные социальные процессы в странах, занимавших лидирующие позиции в исследованиях и технических применениях сверхпроводимости. Анализ современного состояния ВТСП-электроники показывает, что данная научно-техническая отрасль обладает несомненными практическими перспективами. После бурных периодов всеобщего интереса и надежд на быстрое внедрение, а затем последовавших разочарований, наступило время подведения итогов для купратных ВТСП, осмысления достижений и определения реальных перспектив.

В ближайшее время следует ожидать применения ВТСП элементов и сочетаний с перовскитными сегнетоэлектриками [9,10] и ферромагнетиками со структурой граната [11] в современной телекоммуникации и навигации. В радиоэлектронных системах спутниковой и мобильной сотовой телефонии уже применяются ВТСП полосно-пропускающие фильтры (ППФ) [12]. Активно разрабатываются другие линейные и управляемые СВЧ устройства — переключатели, ограничители, фазовращатели и др. [13,14]. Ссылки на работы автора отмечены буквой К, например [5А].

Возможность применения ВТСП пленок в радиоэлектронике определяется поверхностным сопротивлением Rs, его зависимостью от уровня мощности сигнала и внешних воздействий. Физическое моделирование Rs пленок ВТСП, например [15К], применяется в специальных СВЧ расчетных программах (CADСАПР) [16]. Исследование механизмов ВЧ-СВЧ потерь в ВТСП и СЭП дает важную информацию и для совершенствования технологии пленок.

В настоящее время, наиболее изученным и широко применяемым ВТСП материалом является иттрий-бариевый купрат — УВа2Сиз07. х (YBCO). Весьма перспективен сверхпроводник — Т12Ва2Са2Сиз02 (ТВССО) [6], обладающий более высокой критической температурой (Гс). Однако ТВССО отличается токсичностью и более сложной и технологией по сравнению с YBCO. Появление в ряду ВТСП соединения HgBaCaCuO с Тс до 140 К не изменило ситуацию. Наряду с поиском новых материалов исследуется влияние примесей на свойства и механизм сверхпроводимости в купратных материалах (например, [17]).

Наряду с СВЧ-приборами развиваются другие отрасли ВТСП-электроники, такие как магнитометрия на основе СКВИДов — сверхпроводящих квантовых интерференционных приборов. Вместе с традиционными применениями СКВИДов в военных комплексах расширяется их использование в геофизике, медицине, биологии [18,19]. Исключительно высокая чувствительность приборов и совершенствование технологии квантового интерферометра дают возможность некоторым компаниям осуществлять коммерческий выпуск магнитометров [19,20]. Среди передовых компаний, предлагающих на ВТСП СКВИДы и другие сверхпроводниковые устройства, следует выделить Superconductor Technologies Inc. [3,8], Westinghouse R&D [19], HYPRES Inc. [20], Dupont, Hughes, Siemens. Перечисленные компании и другие организации, включая Университет в Вуппертале (ФРГ) [13], участвуют в проведении космического эксперимента с ВТСП радиоэлектронными компонентами. Эксперимент проводится под руководством Naval Researh Laboratory (США) [7].

В последние годы разработана технология двухмерных матриц Джозефсо-новских переходов [18,20], в которой применяются различные методы создания когерентной границы двух областей ВТСП пленки. Наиболее воспроизводимая технология основана на бикристаллических подложках титаната стронция, гап-лата неодима и других перовскитов [21]. Поэтому интенсивные исследования проводятся и в области материаловедения перовскитных кристаллов и подложек с когерентной границей раздела. Продолжает развиваться направление сверхкомпьютеров на основе Джозефсоновских криотронов, цифровых логических устройств, таких как цифро-аналоговые преобразователи [19,20,22]. Существуют проекты процессоров, изготавливаемых по совмещенной технологииCMOS (МОП) и CJJ (Сети Джозефсоновских переходов) [18,20].

Многообещающим направлением криоэлектроники представляется ВТСПболометрия [23−26], основными достоинствами которой являются высокая чувствительность, быстродействие и неселективность приемников излучения в широкой области спектра. Применение сверхпроводниковых пленок позволяет увеличить коэффициент преобразования мощности излучения в электрический сигнал. Антенные сверхпроводниковые болометры, работающие в режиме прямого и гетеродинного приема, представляют интерес для оптической связи, многоканальной диагностики термоядерной плазмы с использованием субмиллиметровых лазеров, в быстродействующих спектральных приборах и лазерной локации [27]. Наряду с микроболометрами антенного типа, перспективными признаются ВТСП болометры, изготовленные на кремниевой мембране [27].

В настоящее время технология СЭП и ВТСП пленок хорошо отработана, однако для реализации ряда практических применений перовскитных структур необходимы разработки специализированных технологических процессов:

— выращивания очень тонких эпитаксиальных пленок с минимальной плотностью структурных дефектов [28], обеспечивающих высокие критические характеристики и низкий уровень фликкер-шума, для переключающих СВЧ-устройств и микроболометров;

— формирования сверхпроводниковых пленок со сравнительно большой толщиной, без нарушения структуры в поверхностном слое и без повышения.

СВЧ поверхностного сопротивления [29], для создания СВЧ линейных устройств, способных передавать сигналы высокой мощности;

— изготовления гетероструктур, в которых наряду с ВТСП элементами применяются полупроводники [30], сегнетоэлектрики [5,31], линейные диэлектрики [32], магнетики [7, 33−35];

— создания гибридных интегральных схем на основе оксидных гетероэпи-таксиальных структур большой площади — 76 мм (3″) в диаметре [8, 36] и более;

— выращивания многослойных оксидных структур и создания больших интегральных схем с применением методов VLSI (СБИС) — технологии [30,37].

Процесс формирования пленочных структур включает подготовку подложеквыращивание пленокизготовление контактовмикропрофилированиедиагностику структуры и измерения электрических параметров. Для разработки и совершенствования технологических процессов (ТП) формирования металло-оксидных структур необходимо исследовать физико-химические явления, на всех стадиях процесса [38,39]. Физические модели ТП, построенные на основе комплексных исследований, способствуют совершенствованию технологии, прогнозированию эксплуатационных характеристик пленок, а также повышают точность электродинамического моделирования электронных устройств.

Развитие технологии слоистых перовскитных структур затрудняется из-за малой исследованности межслойного взаимодействия, переходных слоев и эффекта близости. Особенно сильное влияние состояние интерфейса с электродным слоем проявляется в СЭП структурах. Из экспериментов с монокристаллами SrTi03 [40] известно, что конденсаторы с металлическими электродами обладают избыточным объемным зарядом (ОЗ) [41,42]. Электрическое поле ОЗ влияет на емкость, ВФХ и ток утечки [43,44]. Поэтому для совершенствования технологии СЭ структур необходимо исследовать интерфейс пленка/подложка с применением высокоразрешающих средств профильной диагностики.

Уникальным неразрушающим диагностическим методом исследования слоистых структур, является Резерфордовское обратное рассеяние легких ионов средних энергий (180−250 кэВ) — рассеяние ионов средних энергий — РИСЭ.

45]. Сочетание структурного профильного анализа и измерений электрических характеристик СЭП способствует моделированию физических процессов на границе раздела слоев и совершенствованию технологии.

В настоящее время наиболее применяемыми в электронике являются следующие перовскитные сегнетоэлектрики: титанаты бария-стронция (BaxSri xTi03 — BSTO) [5−7,40−42,45], цирконаты титана-свинца (PbZrxTi]x03) [43,44], танталат калия (КТа03) [46]. СВЧ-электроника, в основном, использует твердые растворы BSTO благодаря высокому значению и нелинейности диэлектрической проницаемости (в) в широком температурном интервале, а также низкому тангенсу угла диэлектрических потерь (tg 5).

Введение

ряда примесей, таких как Mn, Са, Mg и др. [47−49] дает возможность управлять диэлектрическими характеристиками пленок BSTO. Обычно в качестве электродов применяются Cu, Cr, Ni [40,42,44,45]. Возможность формирования структуры СЭП/ ВТСП электрод принципиально изменяет условия образования межслойной границы в сегнетоэлектрике и улучшает параметры приборов.

Соединения BSTO хорошо совместимы по структуре и теплофизическим свойствам с YBCO, что применяется в многослойных интегральных ВТСП схемах [37]. Основное применение структур YBCO/BSTO связано с управляемыми радиоэлектронными компонентами [50,51]. Существуют две основные группы СВЧ приборов на основе СЭП: перестраиваемые модуляторы и фильтры [42,51], и приборы, управляющие фазой и скоростью СВЧ сигнала — фазовращатели, сканирующие антенны и фазированные антенные решетки [6, 52,53].

Ряд особенностей СЭП, связанных с высоким полем смещения (~ 10 кВ/см), гистерезисом ВФХ [44,54,55]- и ограниченным динамическим диапазоном стимулируют исследования в альтернативных направлениях радиоэлектроники, таких как спинволновая электроника. Сравнительный анализ аналогичных радиоэлектронных компонентов, построенных на разных материалах, всегда представляет интерес. Например, СВЧ перестраиваемый ППФ может быть реализован на СЭП элементах с электрическим управлением и на ферритовых пленках железо-иттриевого граната (ЖИГ) — У3Ге5012 (УЮ), с магнитным или комбинированным [56] управлением. В качестве комбинированного способа управления рассматривается совмещенное воздействие на спинволновую структуру магнитного поля и другого вида энергии — света, тепла или электрического поля. Структуры, включающие пленки ферритов и сверхпроводников активно исследуются в последние годы [11,35]. Совмещенный способ управления распространением МСВ на интерфейсе феррит-перовскитный слой может явиться основой для принципиально новых радиоэлектронных приборов.

Рассмотренные тенденции развития СВЧ микроэлектроники дают основания для следующего вывода — металлоксидная революция в электронике, о которой было заявлено еще в 1989 году [57], только в настоящее время приобретает реальные воплощения. Таким образом, в СВЧ микроэлектронике существует актуальная комплексная научно-техническая проблема, которая определила цель данной диссертационной работы.

Исследование физико-технологических основ формирования перовскит-ных пленочных структур, обладающих сверхпроводящими и сегнетоэлектриче-скими свойствами, и разработка технологии изготовления компонентов СВЧ микроэлектронных устройств на этой основе.

Для достижения указанной цели требовалось решить следующие основные задачи :

1. Физико-технологические исследования процесса выращивания перовскитных пленок и слоистых структур.

В технологии перовскитных пленок существует ряд физико-технологических особенностей, связанных с выращиванием эпитаксиальных пленок УВСО и В8ТО малой и большой толщины, слоистых структур на этой основе, которые требуют комплексных исследований с применением моделей стадий формирования, термодинамического подхода, кинетического анализа.

2. Развитие комплексной аналитической диагностики перовскитных пленок.

Перовскитные пленки отличаются сильной дефектностью. Для исследования влияния состава, структуры, дефектности пленок на их электрофизические характеристики необходима комплексная диагностика, основанная на применении ряда методов анализа на одних и тех же участках объектов. Подобные исследования направлены на построение физических моделей волновых процессов в пленочных структурах и проектирование радиоэлектронных устройств.

3. Анализ физических механизмов ориентации кристаллографических осейкатионного и кислородного дефектообразованя в пленках УВСО.

Анализ ориентации кристаллографических осей в УВСО пленках дает возможность выявить механизмы образования дефектов и причины флуктуаций физических свойств. Информативным методом исследования дефектообразова-ния являются измерения «состав — критические характеристики» пленок УВСО. Применение совмещенных диагностических методик на выбранных объектах позволяет строить на диаграмме состояния изолинии параметров пленок, и исследовать область гомогенности требуемых фазы.

4. Исследование влияния компонентного состава и дефектной структуры СЭП на диэлектрические характеристики.

Совершенствование процесса выращивания пленок ВБТО включает исследование зависимостей диэлектрических характеристик от содержания катион-ных компонентов. Добавки переходных металлов в малой концентрации могут существенно изменять значения параметров СЭП. Причины подобных изменений невыяснены и представляют практический интерес.

5. Исследование стадий роста, интерфейса и протяженных дефектов перов-скитных пленок.

Исследование стадий роста способствует определению режимов выращивания перовскитных пленок различной толщины с малой дефектностью. Меж-слойные взаимодействия являются серьезной проблемой в физике и технологии слоистых структур, которая исследуется на многочисленных объектах. В СЭП структурах состояние интерфейса имеет особое значение, поскольку оно в значительной степени определяет объемный заряд, токи утечки и гистерезис ВФХ.

6. Разработка технологии элементов микроэлектронных устройств на основе перовскитных пленок сверхпроводников и сегнетоэлектриков.

Одна из задач диссертационной работы состоит в разработке технологических процессов изготовления радиоэлектронных компонентов. При этом определяются наиболее критичные технологические операции и степень влияния технологических режимов на эксплуатационные характеристики приборов. Важной задачей технологии элементов радиоэлектронных устройств является обеспечение стабильности эксплуатационных характеристик.

7. Перспективный анализ радиоэлектронных компонентов на основе перовскитных пленочных структур, включающих также ферритовые пленки. Анализ эксплуатационных характеристик рассматриваемых в работе радиоэлектронных устройств позволит определить перспективность новых структур, а также указать направления дальнейших физико-технологических исследований в перовскитной СВЧ микроэлектронике.

Научная новизна диссертационной работы определяется следующими результатами, полученными впервые:

1. Проведен последовательный анализ стадий формирования пленок YBCO на подложках MgO, STO, LAO, NGO, BSTO/MgO, CaF/Si при широкой вариации технологических режимов. Установлено, что при толщине пленок (200 -350) нм и скорости роста более 1 нм/мин нарушается механизм высокоориентированного роста [см. список публикаций автора — CK 2,5,15,22,23 32,47,48,76].

2. Исследовано воздействие плазмы тлеющего разряда при магнетронном распылении на формирование ВТСП пленок, показавшее, что эффект неоднородного осаждения сильнее проявляется для бариевых купратов, вследствие фазового расслоения и летучести соединений Ba-Cu-O. [CK 5,7,29,65,69].

3. Установлено, что высокая концентрация дефектов на интерфейсе эпитак-сиальных пленок YBCO и BSTO с подложкой MgO обусловлена дислокацион-но-островковым механизмом начальных стадий роста. Плотность дислокаций несоответствия составляет ~ (1−5)х106 см" 1, что примерно на порядок превосходит аналогичную величину для перовскитных пленок на подложках алюмината лантана, которые формируются по слоевому механизму роста. [СК 37,48,56,72].

4. Проанализирован механизм ориентации кристаллографических осей пленок УВСО в зависимости от режимов магнетронного распыленияустановлена скорость роста, при которой изменяется механизм формирования пленок и направления ориентации кристаллографических осей. [СК 2,10,20,32,50,70,71].

5. Оценены значения энергии активации поверхностной диффузии для различных кристаллографических направлений пленок УВСО на основе значения скорости роста, при которой изменяется направление осей решетки. [СК 32,50];

6. Предложена методика термодинамического анализа в сложной химической системе, содержащей кислород, и определены области парциальных давлений компонентов, при которых формируются равновесные перовскитные фазы в системах Ва-вг-ТьО и У-Ва-Си-0 [СК 1,50,52,59,77];

7. Определена область гомогенности сверхпроводящей орторомбической фазы с Тс не менее 89 К на диаграмме УО^ - ВаО — СиОрассмотрены модели катионного дефектообразования и стабилизации ВТСП фазы. [САГ38,43,52];

8. Предложена физико-химическая модель дефектной фазы УВСО <235>, обладающей повышенными значениями сверхпроводящих характеристик и показано, что снижение термодинамического потенциала ВТСП фазы позволяет повысить толщину (001) — ориентированных пленок УВСО до величины порядка 1 мкм. [СК43,50,52,55,87];

9. Показано, что пленки УВСО толщиной примерно 1 мкм могут иметь высокую структурную упорядоченность, определяемую низким относительным выхода ионов в режиме РИСЭ «10%), и малым значением СВЧ поверхностного сопротивления. 0.5 мОм, /= 10 ГГц, Т= 77 К) [СК 50,55,90];

10. Изучены механизмы ВЧ-СВЧ поверхностного сопротивления в сверхпроводниковых УВСО пленках различного качества: высокоориентированных, двухслойных, эпитаксиальных [САГ3,4,8,9,11,14,17,18, 22,24,27,60,84];

11. Установлено, что температура максимума диэлектрической проницаемости (Тт) сегнетоэлектрических пленок ВБТО, сильно зависит от структурных напряжений, определяемых материалом подложкизначение Тт для пленок одного состава может различаться на десятки градусов. СК 56,58,88];

12. Предложена модель компенсации заряда кислородных вакансий в пленках ВБТО посредством дефектов замещения с пониженной валентностью (Мп2+ —" Тл4+). Исследовано влияние добавок оксида марганца на диэлектрические характеристики пленок В Б ТО, и установлена концентрация, при которой изменяется характер зависимости фактора диэлектрических потерь от приложенного напряжения смещения [СК 58,88];

13. Достигнут рекордно низкий уровень шумов нормальной фазы на микромостиках УВСО/ЬАО, что явилось результатом улучшения структурной упорядоченности и минимизации дефектов в ВТСП пленочных топологиях после выращивания и микролитографии [САГ 20,31,34,41,52,53,85].

14. Испытаны антенные микроболометры на основе сверхпроводящих УВСО/ЬАО структур, и показана их рекордная обнаружительная способность и наносекундное быстродействие в миллиметровом диапазоне [САГ 49,54,81];

15. Получены объемные и планарные параэлектрические конденсаторы и резонаторы с электродами из сверхпроводниковых пленок УВСО, которые не проявляют гистерезисного эффекта на ВФХ при изменении емкости в 1.5−2 раза, при 77 К и при комнатной температуре. САГ 23,30,35,36,56,58,85,88];

16. Исследован процесс распространения МСВ вдоль интерфейса структуры феррит-сверхпроводникизмерены дисперсионные характеристики и предложен способ эффективного управления скоростью МСВ в структуре УЮ/УВСО [СК44,57,90];

17. Сформированы структуры сегнетоэлектрик/феррит (УЮ/ВБТО) и показаны преимущества комбинированного (магнитного и электрического) способа управления распространением МСВ в СВЧ устройствахчто служит основой нового научно-технического направления в радиоэлектронике [СК 59,90].

Оценка практической значимости.

Практическая значимость диссертационной работы определяется следующим.

— разработаны технологические процессы выращивания пленок УВСО и В8ТО, и установлены диапазоны технологических факторов, позволяющих формировать на различных подложках высококачественные перовскитные пленки, пригодные для СВЧ микроэлектроники и для физических исследований;

— получила развитие физическая модель выращивания перовскитных пленок в процессе ионно-плазменного распыления и методика термодинамического анализа, которые применимы для многих сложных химических систем;

— создана, на основе комбинационного рассеяния света (КРС), методика анализа ориентации кристаллографических осей в пленках УВСО, показавшая высокую надежность и оперативность при исследованиях структуры перовскитных пленокразработана диагностика рассеяния ионов средних энергий (РИСЭ) для перовскитных соединений, обладающая универсальным характером и высокой эффективностью для широкого круга пленок.

— испытаны в миллиметровом диапазоне болометры антенного типа на основе сверхпроводящих УВСО/ЬАО микроструктур и показана их перспективность в качестве широкополосных приемников излучения с наносекундным быстродействием и рекордной обнаружительной способностью.

— Получены объемные и планарные СЭП конденсаторы и резонаторы с электродами из УВСО пленок, которые не проявляют гистерезиса на вольт-фарадной характеристике при изменении емкости в 1.5−2 раза. Сформированы структуры феррит/сверхпроводник (ТЮ/УВСО) феррит/ сегнетоэлектрик (УЮ/В8ТО) и продемонстрированы преимущества комбинированного (магнитного и электрического) способа управления скоростью МСВ в устройствах СВЧ микроэлектроники.

— Испытаны макеты СВЧ устройств с применением перовскитных пленок: сканирующая антенна на основе СЭП фазовращателейуправляемый ППФ и фазовращатель на основе структуры феррит-ВТСП, обладающие практическим значением для развития РЭС нового поколения.

Результаты диссертации внедрены на следующих предприятиях: ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, ВНЦ «ГОИ им. С.И. Вавилова», Холдинговая компания «Ленинец», СПбГЭТУ-ЛЭТИ, Федеральном ядерном центре в г. Саров. Исследования, проведенные в рамках диссертации, использованы в: ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН и СПбГТУ, о чем свидетельствуют соответствующие акты внедрения и использования. Результаты диссертации нашли отражение в работах ряда научных коллективов: МГУ, ФИАН, ИЗМИР АН, ВНЦ «Гиредмет», АО «Феррит», АО «Светлана» Беларусский Институт полупроводников и ФТТ (Минск), Институт металлофизики НАНУ (Киев), Институт электроники БАН (София), Лаборатория микроэлектроники Университета г. Оулу (Финляндия), Физический факультет Университета Осло (Норвегия), Политехнический институт г. Белосток (Польша), Факультет телекоммуникаций университета Токай (Япония), компания «Иностек» (Республика Корея).

Результаты работы явились основой конкурсных проектов в рамках Государственной программы «Актуальные проблемы физики конденсированных сред», направление «Сверхпроводимость». Автор является руководителем проектов «Интерфейс 1−2» и технологического направления в проекте «Порог 1−3». На основе результатов диссертациои был предложен проект «Сегнето-электрические пленочные структуры для применений в радиоэлектронных приборах», который по результатам конкурса принят Советом Международного научно-технического центра (МНТЦ) к исполнению в 2001;2002 годах, проект № 1708. Материалы диссертации явились основой проекта 001.15.01.70 — «Разработка технологии формирования перовскитных пленочных структур для применений в радиоэлектронике», выполняемого по программе ««Научные исследования высшей школы в области производственных технологий».

Материалы диссертации используются в учебном процессе СПбГЭТУ, курсах кафедры электронно-ионной и вакуумной технологии.

Основные научные положения:

1. Термодинамические области синтеза гомогенных перовскитных фаз из ато марных потоков в системах У-Ва-Си-0 и Ва-8г-Т1−0 соответствуют настолько низким парциальным давлениям компонентов, что они практически недостижимы в технологических процессах роста пленок.

2. Смешанная ориентация кристаллографических осей ([001]+[100]) в пленках УВСО на структурно согласованных подложках [100] соответствует насыщению центров эпитаксиального зародышеобразования и скорости роста 1,5 нм/мин при температуре 650 — 750 К. Пленки, выращенные с меньшей скоростью, обладают [001] ориентацией, а при более высокой скорости роста формируются [100] ориентированные УВСО пленки.

3. Область гомогенности ВТСП фазы на диаграмме УО^ - ВаО — СиО имеет наибольшую протяженность -15 молярных процентов по квазибинарным разрезам (123) —" (220) и (123)—>(211)-в направлении иттрия, и по разрезу (123)—>(105) — в направлении меди. Дефекты замещения УВа и состав пленки (235) способствуют стабилизации ВТСП фазы, при этом ее термодинамический потенциал АС понижается не менее, чем на 50 кДж/гатом.

4. Нарушение механизма эпитаксиального роста в перовскитных пленках, проявляющееся при толщине 200 — 350 нм в форме фазового расслоения и блоч-ности поверхностного слоя, может преодолеваться в условиях предельно малых пересыщений компонентов и множественном образовании катионных дефектов замещения в пределах области гомогенности перовскитной фазы.

5. Добавка диоксида марганца в количестве 1,5−2 мол.% в сегнетоэлектриче-ские пленки титаната бария-стронция понижает в несколько раз ток утечки и фактор диэлектрических потерь в ВЧ-СВЧ диапазоне — tgЪ, а также изменяет характер зависимости tgЬ от напряжения смещения — II, (знак производной с1^Ь)/с1и), что определяется подавлением избыточного объемного заряда в результате частичного замещения атомов титана марганцем.

6. Низкий уровень шума нормальной фазы сверхпроводниковых пленок УВСО, определяемый параметром Хоуге на уровне рекордных значенияй ~ 10~4, которым обладают микромостики на подложках LaA103, изготовленные в процессе ионного травления и кислородного отжига, указывет на перспективность их применения в качестве широкополосных приемников излучения. 7. Пленочная структура, в которой распространяются магнитостатические волны, состоящая из ферритового эпитаксиального слоя, сверхпроводниковых экрана и антенных преобразователей, обладает важными преимуществами по сравнению с аналогичной структурой, содержащей медные элементы. Основные преимущества заключаются в снижении уровня потерь, повышении скорости и точности управления волновым процессом в результате дополнительного электрического воздействия на сверхпроводниковую пленку.

Научные материалы диссертационной работы докладывались на конференциях и семинарах различного уровня:

— международных совещаниях по физике низких температур — 21-ое (Харьков, 1980), 25-ое (Ленинград, 1988), 29-ое (Казань, 1992), 30-ое (Дубна, 1994) — Всесоюзных конференциях «Металлофизика сверхпроводников» — Киев — 1986 и 1989; на 1-ом Всесоюзном семинаре по ВТСП, Москва, МГУ — 1987; на Всесоюзном совещании «Проблемы высокотемпературной сверхпроводимостиСвердловск — 1987; на Всесоюзном совещании «Физикохимия и технология ВТСП» — Москва — 1988; на 1-ой Всесоюзной конференции по физическим основам твердотельной электроники — Ленинград-1989;

— международных совещаниях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами — Москва, МГУ — 21 -ое — 1991; 26-ое — 1996; 28-ое — 1998; на IV-ом совещании по диагностике высокотемпературной плазмы — Москва, ТРИНИТИ -1993; конференциях «Material Research Society (MRS)» — Сан-Франциско — 1990 и Бостон — 1992; на XV-ом конгрессе международного кристаллографического общества (IUCr) — Бордо — 1990; на Европейских конференциях EMRS — Страсбург — 1990 и 1993;

— международном семинаре «Современная технология ВТСП микросхем» -Минск- 1992; на 9-ой международной конференции по вакуумным технологиям тонких пленок — Дрезден, ГДР — 1988; на Европейской конференции по ВТСП пленкам и монокристаллам — У стронь, Польша — 1989; на 24-ой конференции финского физического общества — Тампере — 1990; семинаре физического общества Норвегии — Осло — 1998;

— европейской (22-ой) конференции по СВЧ-электронике (Microwave" 22) -Хельсинки-1992; на двухсторонних и трехсторонних германо-российско-украинских семинарах по ВТСП — на 4-ом в С.-Петербурге — 1991; в Германиина 7-ом — 1994 г. и на 11-ом — 1998 г.- на международной конференции IEEERussia conference (М1А-МЕЛ97) «Микроволновая электроника больших мощностей» — Новосибирск — 1997; на международной конференции «Электроника и информатика — XXI век» — Зеленоград, 2000 г.

— международной (8-ой) конференции по вакуумным, электронным и ионным технологиям — Варна — 1993; на международных конференциях «Флукта-ционные явления в физических системах» — на 7-ой — Паланга, Литва — 1994; на 9-ой — Леувен, Бельгия — 1997; международной конференции по проблемам интерфейса в слоистых структурах — (ICMRD) Санкт Петербург — 2000.

— международных конференциях по сегнетоэлектричеству — СНГ-США С. Петербург-1992; интегральные сегнетоэлектрики-7 (ISIF-95) — Колорадо Спрингс — 1995; конференциях по сегнетоэлектричеству, XIV-ой — Иваново-1995, XV-ой — Ростов-на Дону — 1999; международной конференции по физике диэлектриков, С-Петербург-1997, 2000; на 4-ом рабочем семинаре «Применение диэлектриков и сегнетоэлектриков в электронике» — Токио — 1999,.

По теме диссертации опубликовано 94 печатные работы, в том числе 64 статьи, 2 авторских свидетельства- 28 тезисов докладов на научных конференциях. Диссертационная работа состоит из введения, восьми глав, заключения, списка литературы, включающего 434 наименования. Работа изложена на 220 страницах машинописного текста и содержит 102 рисунка и 19 таблиц.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В заключении приводится ряд выводов, связанных с физикотехнологическими особенностями пленок YBCO и BSTO.

1. Начальные стадии формирования пленок YBCO и BSTO, на перовскитных подложках (STO, LAO, NGO) и согласованных подложках другой природы (MgO, YSZ, Се02/А1203, CaF2/Si) имеют разные физические механизмы. В первом случае проявляется послойный рост, начиная с ~ 3 монослоевво втором — образуются пирамидальные островки, которые покрывают поверхность подложки только при эффективной толщине более 10 монослоев.

2. Гетероэпитаксиальный рост пленок BSTO и YBCO имеет общие закономерности, и происходит до критической толщины hc. На пленках YBCO наблюдалась hc от 0,15 до — 1,0 мкми для BSTO — от — 0,2 до — 0,5 мкм в зависимости от природы подложки, качества поверхности и скорости роста.

3. Для формирования гомогенных равновесных перовскитных фаз в системах Ba-Sr-Ti-O и Y-Ba-Cu-O, при осаждении термализованных атомарных потоков практически не существует технологических условий. Снижение пере о сыщений до pk/ps ~ 10 приближает условия к термодинамической области гомогенного синтеза. Катионное дефектоообразование понижает свободную энергию требуемой фазы и подавляет конкурирующие соединения.

4. Дефицит кислорода в пленках определяет СВЧ параметры для YBCO — Rs, и для BSTO — tgb. Свободные носители заряда, образуемые кислородными вакансиями — [V0], в СЭП приводят к возрастанию токов утечки и гистерезису ВФХ. Сверхпроводящее состояние в пленках YBa2Cu307.5 достигается при дефиците кислорода — ?-0,1- но увеличение £до 0,2, вызванное уходом кислорода из узлов 0(4), приводит к возрастанию параметра с решетки, и снижению сверхпроводящих характеристик.

5. Стабилизация кислородной подрешетки BSTO и YBCO может обеспечиваться катионным дефектообразованием. Примесь замещения (например, Мп —> Ti4+) внутри кислородного октаэдра BSTO компенсирует избыточный заряд, обусловленный [Vo]- Для YBCO также необходим дефект, оказывающий воздействие на кислородные группы, но его роль заключается в обеспечении наибольшей концентрации носителей заряда без искажений решетки, но валентность катионного узла должна быть повышена. Замещение Y —> Ва увеличивает эффективный заряд узла решетки, приводит к насыщению «мос-тикового» кислорода 0(3) и 0(2) и возрастанию проводимости.

6. Дефект замещения YBa способствует выбору пленкой YBCO требуемой кристаллографической ориентации — с±- - (001) вследствие эффекта Кулоновских сил притяжения. Напротив, дефект BaY оказывает негативное влияние на структурную однородность и сверхпроводящие свойства пленок, что отражается на поведении изолиний Тс на фазовой диаграмме YOi5 -ВаО — СиО. Область гомогенности ВТСП фазы очень чувствительна к содержанию Ва и менее зависима от Y и Си. Эффективным способом стабилизация ВТСП является формирование пленок YBCO <235>.

Далее следует группа выводов, связанных с применением перовскитных пленочных структур в СВЧ микроэлектронных устройствах.

7. Сверхпроводниковые пленочные микромостики YBCO/LAO, содержащие фазу <23 5>, отличаются рекордно низким шумовым параметром Хоуге (менее 10″ 4), стабильностью характеристик (более года) и слабой деградацион-ной способностью, что свидетельствует о стабилизации кислородной подре-шетки. Отмеченные качества способствуют использованию ВТСП микроболометров антенного типа в качестве быстродействующих приемников СВЧ и субмиллиметрового излучения низкой интенсивности.

8. СВЧ поверхностное сопротивления пленок YBCO толщиной ~ 1 мкм имеет предельно низкое значение (на уровне 0,5 мОм при 10 ГГц и Т-77 К) в том случае, если пленки выращены на перовскитных подложках LAO, NGO при скорости роста менее 0,7 нм/мин, и в составе пленок присутствует избыток иттрия (проявляется фаза <235>).

9. Графические зависимости /^(^О для эпитаксиальных пленок УВСО/ЬАО, в которых проявляется фаза <23 5>, соответствуют теоретическим кривым. Пленки подобного качества наиболее пригодны для реализации мощных СВЧ устройств, таких как узкополосный пропускающий фильтр. Подтверждением этому являются рекордное значение сверхпроводящего тока через.

УВСО полосок, который выдерживает импульс тока 41 А в течение 1,5 мкс.

10 2 при Т = 32 К. При этом интегральная плотность тока составляет 7×10 А/м .

10. Минимальные СВЧ потери, выражаемые через поверхностное сопротивление достигаются на эпитаксиальных ВТСП пленках УВСО, обладающих минимальной плотностью границ раздела, однородным фазовым составом и гладким рельефом. Для минимальных СВЧ потерь в СЭП В8ТО 5) требование эпитаксиальной структуры не является необходимым. Структурные напряжения, кислородная нестехиометрия, периодичность кислородных вакансий оказывают более сильное влияние на параметры СЭП, чем упорядоченность структуры.

11. Сегнетоэлектрические пленки В8ТО, выращенные в процессе ВЧ ИПР порошковых мишеней, обладают высокими диэлектрическими характеристиками. Это позволяет интегрально изготавливать протяженные структуры фазовращателей в составе сканирующих антенн, основанных на дифракционном СВЧ излучении, в диапазоне 30−40 ГГц, для которых ширина диаграммы направленности составляет ~ 10 град, и угол сканирования более 45 град.

13. Применение ВТСП антенн и экранов в слоистой структуре с пленкой ЖИГ понижает потери на преобразования электромагнитной волны в поверхностную МСВ и ее распространение на интерфейсе. Воздействие тока на ВТСП пленку приводит к изменению ее параметров (глубины проникновения магнитного поля) и вызывает изменение фазового набега распространяющейся МСВ (порядка 2%). Благодаря ВТСП линиям и криогенному термостатирова-нию стабилизируются характеристики СВЧ устройств, использующих МСВ, снижаются потери (до 3 дБ в полосе пропускания для ППФ), увеличивается быстрота и точность перестроения таких СВЧ устройств как ППФ и фазовращатель в диапазоне 1−7 ГГц.

Автор считает своим приятным долгом выразить большую благодарность научным консультантам, внесшим существенный вклад в работу на различных стадиях, профессору Оресту Генриховичу Вендику, профессору Анатолию Андреевичу Барыбину, профессору Борису Антоновичу Калиникосу.

Значительная часть работы, связанная с шумовыми измерениями и микро-болометрией, была выполнена в лабораторией РНЦ ГОИ под руководством И. А. Хребтова, которому автор очень признателен. Большое влияние на содержание работы оказали семинары и консультации чл.-корр. РАН проф. Р. А. Су-риса, проф. И. Г. Мироненко, проф. JI. Т. Тер-Мартиросяна, которым автор очень благодарен. Автор также выражает благодарность проф. И. Б. Вендик и проф. А. Б. Козыреву за содействие в работе.

В исследованиях пленочных образцов автору очень помогали сотрудники ФТИ РАН: проф. A.B. Бобыль, ст.н.с. В. Ю. Давыдов, н.с. М. Э. Гаевский, н.с. A.B. Лунев. Многие выводы работы основаны на результатах ионной диагностики, которую проводили в ФТИ РАН ст.н.с И. Т. Серенков, д.ф.-м.н. Р. Н. Ильин, н.с. В. И. Сахаров. Многолетнее сотрудничество и творческая среда лабораторий ФТИ способствовала продвижению диссертационных исследований.

Существенный вклад в работу внесли сотрудники ЛЭТИ. Сотрудничество с доц. А. И. Дедык по исследованию СЭП была очень плодотворной. Т. И. Анохина выполнила большую часть литографических работ. Из молодых сотрудников ЛЭТИ автор особо благодарит A.A. Семенова и надеется на дальнейшие научные исследования по теме диссертации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Вул Б.М. К истории открытия сегнетоэлектрических свойств титаната бария. / в сборнике докл. семинара по сегнетоэлектричеству (под ред. Н.В. Белова) ФИАН, 1970.- М.: Наука, 1973, с 5−7.
  2. Титанат бария / сборник докладов семинара по сегнетоэлектричеству (под ред. Н.В. Белова) ФИАН, 1970. М.: Наука, 1973, 264 с
  3. Bethe К. On microwave behaviour of nonlinear dielectrics. // Phillips Res.Repts. 1970, № 2.
  4. Shen Z.-Y. High temperature superconducting microwave circuits. Nortwood, Artech house, 1994, 420 p.
  5. Nisenoff M., Ritter J.C., Price G., Wolf S.A. The high temperature superconductivity space experiment: HTSSE I-Components- HTSSEII-Subsystems and advanced devices // IEEE Trans. on Appl.Supercond., 1993, vol.3, p.2885−2890
  6. Venkatesan Т., Nazar L., Wu X.D., Inam A. High-Tc thin films: a forerunner to the metal-oxide revolution. // Solid State Technology. 1989, 32, N.8, p. 143−145.
  7. Vendik O.G., Mironenko I.G., Ter-Martirosyan L.T. Superconductors spur application of ferroelectric films. // Microwave and RF, 1994, 33, p.67.
  8. B.B., Смирнова Е. П., Тараканов E.A. Фазовая диаграмма системы ВаТЮз SrTi03 // Физика твердого тела, 1995, т.37, № 8, с. 2476−2480
  9. G. F., Oates D. Е., Temme D. H., Weiss J. A. Ferrite-superconductor devices for advanced microwave applications. // IEEE Trans, on microwave theory and techniques. 1996, vol.44, № 7 p. 1361−1368.
  10. Hammond R.B., Scalarino D.J., Schrieffer J.R., Willemsen B.A. HTS wireless filters: Past, Present, and future performance // Microwave Journal, 1998, vol.41, № 10 October, p. 94−107.
  11. Kolesov S., Chaloupka H., Baumfalk A. Planar HTS structures for high power applications in communication systems. // J.Supercond., 1997, vol.10, p. 179−187.
  12. Vendik O.G., Vendik I.B., Kaparkov D. High temperature superconductor devices for microwave signal processing. Part II, Superconducting microwave circuits. S.-Petersburg: Skladen, 1997, 135 p.
  13. Grekhov I.V., Delimova L., Liniychuk I., Lyublinsky A., Semchinova O., Baydakova M. Superconductor-insulator transition in YBa2Cu3. xNbx07 material // Physica C, 1994, — V.235−240, P. 1295−1296
  14. С.А., Масленников Ю. В., Снигирев O.B. Релаксационный СКВИД постоянного тока в магнитометре для геофизических измерений. // Радиотехника и Электроника 1991, вып.7, с. 1377−1381.
  15. Terzioglu Е., Beasley M.R. Complementary Josephson junction devices and circuits: A possible new approach to superconducting electronics. // IEEE Trans, on applied superconductivity. 1998, vol.8, № 2, p.48−53.
  16. Benz S.P., Hamilton C.A., Burroughs C.J., Harvey Т.Е., Christian L.A., Przybysz X. Pulse-driven Josephson digital/analog converter // IEEE Trans, on applied superconductivity. 1998, vol.8, № 2, p.42−47.
  17. Guan В., Wengler M.J. Perturbation simulation for 2D Josephson junction array with resonator structure // IEEE Tr. on apl. super conduct. 1998, vol.8(2), p.54−61.
  18. Ю.А., Иванов З. Г. Биэпитаксиальная джозефсоновская связь в пленках YBCO на подложках NdGa03 (110). // ФТТ, т.38, № 11, с. 3289−3295.
  19. Richards P.L., Verghese S., Geballe Т.Н., The high-Tc superconducting bolometer II IEEE Trans.Magn., vol.25, 1989, Mar., p. 1335−1338
  20. Fardmanesh М., Rothwarf A., Scoles K.J. Noise characteristics and detectivity of YBCO supercondicting bolometers: bias current, frequency, and temperature dependence //J.Appl.Phys., 1995, vol.77, № 19, p. 2576−2578.
  21. B.H., Хребтов И. А. Антенные тепловые приемники излучения (обзор) // ПТЭ 1993, № 39−40, с 214−230.
  22. Savvides N., Katsaros А. Growth and evolution of microstructure of epitaxial
  23. YBCO ultrathin and thin films on MgO // Physica C, 1994, vol.226, p. 23−36.
  24. Stork F.J.B., Beal J.A., Roshko A., DeGroot D.C., Rudman D.A., Ono R.H., Krupka J. Surface resistance and morphology of YBCO films as a function of thickness // IEEE Trans. onAppl. Supercond., 1997, vol.7, № 2, p.1921−1924.
  25. Inam A., Wu X.D., Venkatesan Т., Hwang D.M., Chang C.C., Ramesh R., Miura S., Matsubara S., Miyasaka, Shohata N. Superconducting Thin Films on Si: HTSCs meet VLSI. // Solid State Technology. 33, N.2, 1990, 113−118.
  26. Walkenhorst A., Doughty C., Xi X.X., Mao S.N., Venkatesan Т., Ramesh P., Dielectric properties of SrTi03 thin films used in high Tc superconducting field-field devices, Appl.Phys. Lett., 1992, v.60, N 14, 1744−1746.
  27. Grekhov I.V., Baydakova M, Davydov V., Delimova L., Liniichuk I.,. Lyublinsky A. A new buffer layer for high-quality HTSC ultrathin film fabrication // Physica С 1997, vol.276 no. 1−2 p. 18−24
  28. T.Ohno, M. Kasai, Y. Kanke, Y. Kozono, M. Hanazono and Y.Sigita.- Fabrication of Y-Ba-Cu-0 Superconductor/La-Ca-Mn-0 Oxide Magnetic Material Layered Films II Japan. J. ofAppl. Phys. 1990., v.29, N.4,April, L607-L610.
  29. J.K., White W.R., Ballentine Р.Н., Mallory D.S., Kadin A.M. -Continued improvement of large area, in situ sputter deposition of superconducting YBCO thin films. // IEEE Trans, on Appl. Supercond., 1993, vol.3, № 1, p.11 679 1682.
  30. Wellstood F.C., Kingston J.J., Clarke J. Thin-film multilayer interconnect technology for YBaCuO.// J.Appl.Phys., 1994, v.75, n.2, 683−702
  31. Ф.А., Элькин Б. Ш., Фурсенко A.A., Макаров Ю. Н., Никитин С. Е., Рамм М. С., Заболотских А. Н. Моделирование процесса доставки материала к подложке при ионно-плазменном распылении ВТСП. Препринт ФТИ им. А. Ф. Иоффе, РАН, 1990, № 1486, 29 с.
  32. Моделирование процесса переноса частиц при ионно-плазменном распылении // Методические указания к курсу лекций./ В. А. Вольпяс, Е. К. Гольман, А. Г. Зайцев, Препринт СПГЭТУ, С.-Пб, 1991, — 28 с.
  33. О.Г., Дедык А. И., Дмитриева Р.В, Зайончковский, А .Я., Лихолетов Ю. В., Рубан А. С. Гистерезис диэлектрической проницаемости титаната стронция при 4.2 К // ФТТ, 1984, Т.26, вып. З, с. 684−689.
  34. В.П., Фесенко Е. Г. Физика сегнетоэлектрических пленок Ростов: Изд-во РГУ, 1979, 190 с.
  35. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ / Под ред. О. Г. Вендика, М.: Сов. радио, 1979, 272 с.
  36. Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики. М.: Радио и связь, 1984, 192 с.
  37. Г. В., Иванов И. В., Сыромятников И. Ю. Диэлектрические свойства КТа03: Кристаллы в миллиметровом диапазоне СВЧ // ФТТ, 1990, т. 32, № 6, р. 1795−1800.
  38. Wu H.-D., Barnes F.S. Doped BSTO thin films for microwave device applications at room tempereture // Intergrated ferroelectrics, 1998, vol.22, p.291−305.
  39. Poplavko Y.M., Molchanov V., Prokopenko Y.N. Microwave examination of ferroelectric film quality — Integrated Ferroelectrics, 1994, Vol.5, pp.19−28.
  40. Poplavko Y.M., Meriakri V. High permittivity microwave dielectrics // Electromagnetic waves & Electronic Systems, Vol.2, N6, 1997, pp.35−44.
  41. Kozyrev A.B., Hollmann E.K., Ivanov A.V., Soldatenkov O.I., Rivkin T.V., Mueller C.H., Koepf G.A. Microwave properties of YBCO/STO planar capacitors // Integrated ferroelectrics, 1997, vol.17, p.257−262.
  42. Qutzourhit A., Naziripour A., Trefny J.U., Kito Т., Yarar В., Yandrofski R., Cuchiaro J.D. and Hermann A.M. Phased array antennas on BSTO films // Integrated Ferroelectrics, 1995, 8, n.3−4.
  43. Sengupta L.C. and Sengupta S. Novel oxide composites for phased array antennas. // Ferroelectricity Newsletters, 1996, n.1−4, p. 4−7.
  44. В.Ф., Калиникос Б. А. Возбуждение распространяющихся волн намагниченности микрополосковыми антеннами. // Извесия ВУЗов. Физика, 1988, № 11, с. 24−53.
  45. Lancaster M.J., Powell J., Porch A. Thin-film ferroelectric microwave devices // Supercond. Science Technol., 1998, vol.11, p.1323−1334.
  46. Subramanyam G., Keuls F.V., Miranda F.A. A novel K-band tunable microstrip bandpass filter using a thin HTS/ferroelectric/ dielectric malilayer configuration // IEEE MTT-S Digest, 1998, 1011 -14
  47. Zhang D. et al. A 19-pole cellular bandpass filter using 75 -mm-diameterHTS superconducting thin films // IEEE Microwave Guided Wave letters, 1995, v.5, N. ll, p.405.
  48. Ю.В., Зильберман П. Е. Спинволновая электроника. // Радиоэлектроника и связь, 1988 № 6, М.: «Знание», 24 с.
  49. Г. А. Физика сегнетоэлектрическ. явлений. Л.:Наука, 1985, с.296
  50. Feldman С. Formation of thin films of ВаТЮЗ by evaporation // Rev.Sci.Instr., 1955, vol.26, p.463−467.
  51. Т.Н., Александрова Л. М., Широбокова Е. И. Электрические свойства пленочных варикондов с прямоугольной петлей гистерезиса // Изв. АН СССР. Серия физическая, 1965, т.29, с. 2104.
  52. Lines М.Е. Glass A.M. Principals and applicastions of ferroelectrics and related materials / Oxford University Press, Oxford, 1977.
  53. M., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. / Мир: Москва, 1981 с. 736 .
  54. Belousov M.V., Kozin I.E., Davydov V.Yu., Goncharuk I.N., Shaplygina T.A., Syrnikov P.P. Soft modes and phase instability of low temperature phase BaSrTi03 solid solutions // MRS spring meeting, 1999, San-Francisco/
  55. Konaka Т., Sato M., Asano H., Kubo S. Relative permittivity and dielectric loss tangent of substarte materials for High-Tc superconducting films // J. of Superconductivity. 1991, vol.4, n.4, p.283−288.
  56. A.H., Морозова O.K., Понамарев H.M., Князев C.H. Структурное совершенство монокристаллов LaGa03 нового подложечного материала для выращивания пленок ВТСП // Сверхпроводимость: ФХТ, 1992, т.5, № 2, с.388−399.
  57. Ramesh R., Sands Т., Keramidis V.G. Template Approaches to Growth of oriented oxide heterostructures on Si02 / Si. // Journal of Electronics Materials. 1994, v. 23, N. l, p. 19−23.
  58. E.K., Зайцев А. Г., Логинов B.E., Лихолетов Ю. В., Мелех Б. Т. Получение пленок оксида церия методом реактивного магнетронного распыления. /I Письма в ЖТФ. 1992. — Т. 18, Вып. 23. — С. 53−55.
  59. С.В., Кузьмина М. А., Нардов А. В., Власов М. Ю. Выращивание, морфология, и дефектность кристаллов ВТСП. // в кн. «Высокотемпературная сверхпроводимость. Фундаментальные и прикладные исследования.» Л., 1990. стр.61−189.
  60. Holstein W.L., Parisi L.A., Kountz D.J., Matthews A.L., Arendt P.N., Taber R.C. Preparation and characterization of Tl2Ba2CaCu208 films on (100)LaA103. // IEEE Trans. on Magn., 1991, vol.27, № 2, p. 1568−1572.
  61. Yan S.L., Cao H.L., Yang X.M., Zhou X.D. Preparation of TICaBaCuO high-Tc superconducting thin films on LaA103 substrates // J. Appl. Phys., 1991, v.70, p.ll.
  62. Lagues M., Xie X.M., Tebbji H., Xu X.Z., Mairet V., Hatterer C., Beuran C.F., Deville-Cavellin C. Evidence suggesting superconductivity at 250 К in a sequentially deposited Cuprate Film // Science, 1993, v.262, 17 Desember, p.1850−1851.
  63. Ogushi Т., Higo S., Suresha N.G., Honjo Y., Ozono Y., Kawano I., Hakuraku Y., Rinderer L., Observation of Large Diamagnetism in La-Sr-Nb-O Films up Room Temperature // J. Low. Temp. Physics 1988, v. 73. No ¾, p.305−318.
  64. Vasiliev A.L., Kvam E.P., Foong f., Lion S.-H. The microstructure of (Hg, Tl) -based high temperature superconducting films on LaA103 substrates. // Physica C, 1996, vol. 269, p. 181−192
  65. A.B. Нестехиометрия, дефекты структуры и свойства фазы — в книге «Высокотемпературная сверхпроводимость. Фундаментальные и прикладные исследования.» Д., 1990. стр.377−404.
  66. Сверхпроводящие материалы / Под ред. Е. М. Савицкого. М.: Металлургия, 1976, 294 с.
  67. Wolf S.A., Krestin V.Z. Major parameters of high-Tc oxides // IEEE Trans, on Magn., 1991, vol.27, № 2, p.
  68. Г. М. Электронная структура и физические свойства ВТСП. в кн. «Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников / Под ред. Д. М. Гинзберга, М.: Мир, 1990, 543 с.
  69. Mukaida М., Miyazawa S. Nature of prefered orientation of YBaCuO thin films // Jpn.J.Appl.Phys., 1993, vol.32, No 10, P.4521−4528.
  70. Hawley M., Raistrick I.D., Beery J.G., Houlton R.J. Growth mechanism of sputtered films of YBaCuO studied by scanning tunneling microscopy.// Science, 1991, v.251, p.1587−1589.
  71. Takahashi N. Growth and characterization of YBCO and NBCO superconducting thin films by mist mw-plasma CVD deposition using buffer layer» // Journal. of Materials Science, 1999, to be published.
  72. Wu X.D., Dye R.C., Munchausen R.E., Foltyn S.R., Maley M., Rollet A.D., Garcia A.R., Nogar N.S. Growth and properties of YBa2Cu307.§/Ce02 heter-ostructures // Appl.Phys.Lett., 1991, vol.58, 2165
  73. Ю.А., Клаесон Т., Эртс Д. YBa2Cu307s/Ce02 гетероструктуры на R-плоскости сапфира // ФТТ, 1998, № 2, стр.205−208.
  74. Физические величины. Справочник. Под ред. Григорьева И. С., Мелихова Е. З. — М.: Энергоатомиздат., 1991, с. 1232.
  75. К. Чивилева О. А., Гуревич А. Г., Анисимов А. Н., Карманенко С. Ф. Затухание спиновых волн в структурах феррит-сверхпроводник // Письма в ЖТФ, 1990, № 7, т. 16, с. 17−20
  76. С.В., Калюжная JI.A., Николайчук Г. А., Крылова Т. А., Лебедь Б. М. Взаимодействие ферромагнетика и высокотемпературного сверхпроводника на границе раздела в пленочных гетероструктурах. // Письма в ЖТФ, 1997, том 23, № 12, с.69−73.
  77. Hagberg J., Uusimaki A., Levoska J., Leppavuori S. Preparation of BiPbSrCaCuO via oxalate route at various pH values // Physica C, 1989, vol.160, p. 369−374.
  78. Wang F., Uusimaki A., Leppavuori S. Preparation of a La0.5Sr0.5CoO3/ PbZr0.6Tio.403/Lao.5Sro.5Co03 multilayer structure on SrTi03 (100) and LaA103 (100) substrates using the sol-gel method. // Appl.Phys.Lett., 1995, vol.67, № 12, p.1692−1694.
  79. Barlingay C.K., Dey S.K. Observation of sol-gel epitaxial growth of ferroelectric Pb (Nb, Zr, Ti)03 thin film on sapphire // Appl.Phys.Lett., 1992, vol.61, p.1278−1280.
  80. Wang F., Uusimaki A., Leppavuori S. Preparation and electrical properties of Ba0.6 Sr0.4TiO3 thin films deposited by sol-gel method.// Physica scripta, 1997, v. 69, p. 332 -337.
  81. H.Kawano, K. Morii, Y.Nakayama.- Effects of crystallization on structural and dielectric properties of thin amorphous films of (l-x)BaTi03 xSrTi03 (x=0-r0.5,l) H-J.Appl.Phys., 1993, vol.73, n.10, p.5141−5146.
  82. Юб.СЬегп C.S., Li Y.Q., Noh D.W., Gallois В. In-situ growth of YBCO high-Tc superconducting thin films by plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition. // J. of Cryst. Growth, 1991, 107, p.699−704.
  83. Liang S., Chern C., Shi, Lu P., Safari A., Lu Y., Kear В. H. Plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition of SrTi03 and Ba. xSrxTi03 thin films. // J. Electron. Mater. — 1994. — 23, n.7, p. 26.
  84. Chern C.S., Li Y.Q., Noh D.W., Gallois B. In-situ growth of YBCO high-Tc superconducting thin films by plasma-enhanced metalorganic chemical varop deposition. // J. of Cryst. Growth, 1991, 107, p.699−704.
  85. Musolf J. MOCVD with gas phase composition control for the growth of high quality YBCO thin films for microwave applications // J. of Alloys and Compounds, 1997, N. 251, 292−296.
  86. Li Y.Q., Zhao J.Z., Chern C.S. Oxygen incorporation in highly c-axis oriented YBCO thin films deposited by plasma-enhanced metallorganic chemical vapor deposition (PE MOCVD) // Appl. Phys. Lett., 1991, vol. 58, № 20, p.2300−2303.
  87. Shieber M. Deposition of high-temperature superconducting films by physical and chemical methods. II J. of Cryst. Growth, 1991, v.109, N. l/4, p.401−417.
  88. Yoon S.G., Lee J.C., Safari A.- Preparation of thin-film (Ba0.5Sr0.5)TiO3 by the laser ablation technique and electrical properties.// J.Appl.Phys., 1995, vol.76, № 5, p. 2999−3003.
  89. Johnson B.R. In situ growth of DyBaCuO thin films by molecular beam epitaxy // Appl.Phys.Lett., 1990, 56, 1911−1914.
  90. Kinder H., et al. Double-sided YBCO films on four-inch substrates by thermal reactive evaporation // IEEE trans, on Appl. Supercond., 1995, N.5, 1575−1580.
  91. Л". Ласка В. Л. Гришанов А. В, Карманенко С. Ф., Младенов Г. М. Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников. Авторское свидетельство № 4 787 061,1992.
  92. Matijasevic V., Lu Z., Kaplan Т., Huang С. Atomic-adsorption-controlled reactive evaporation of HTS wafers for microwave applications. // Proceed, of the 3-rdEur. Conf on applied supercond. (EuCAS), Veldhoven, Netherlands, 1997.
  93. Geusic M.E., Weber W.J., Pederson L.R. Preparation and properties of YBa2Cu30 thin films on LaA103 by pulsed eximer laser ablation. // Material Letters, 1990, v. 10, N. 1 -2, p. 13−16.
  94. Petrov P.K., Ivanov Z.G., Gevorgyan S.S. Effect of YBCO electrodes on the properties of STO based varactors // Proceed, of 4 th EuCAS, 1999, Sitges, Spain
  95. Lynds L., Weinberger B.R., Potrepka D.M., Peterson G.G., Lindsay M.P. HTSC thin films: The physics of laser ablation.// Physica C., 1989, v.159, p.61−69.
  96. Greer J.A. In-situ growth of YBaCuO thin films on three-inch wafers using laser ablation and an atomic oxygen source. // Proceed, of 3-rd Conference on Superconductivity and Applications. 1989, Buffalo, N.Y.
  97. Ю.Д., Врацких В. Ф., Предтеченский M.P., Смаль А. Н., Корсунский В. И., Смирнов С. Н. Эпитаксия Y-Ba-Cu-О пленок на сапфире. // СФХТ- 1990, т. З, N.10, с.48−51.
  98. М.Р. Метод лазерного напыления в синтезе ВТСП пленок. Автореферат диссертации на соискание степени доктора ф.-м.н., Новосибирск, 1993.
  99. Savva N., Williams K.F., Davis G.M., Gower M.C. Excimer laser patterning of high-Tc superconducting thin films of YBCO // IEEE journal of quantum electronics, 1989, vol.25, № 11, p. 2399−2403.
  100. Fujita J., Yoshitake Т., Kamijyo A., Satoh Т., Igarashi Н. Preferentially oriented epitaxial YBCO films prepared by oxygen reactive ion beam sputtering. // NEC Res. and Develop., 1989, vol. 92, p. 1−7.
  101. Th., Menkel S., Quan Z., Beyer J., Guttner В., Knappe S., Koch H. -Large-area YBCO thin film deposition using linear hollow cathode discharge sputtering. // Physica C, 1996, vol.262, p.89−97.
  102. Geerk J., Xi X.X., Li C. Superconducting Properties of HTSC thin Films Prepared in Sity by Single Target Deposition // Intern. J. Modern Physics В., 1989, v.3, № 6, p. 923−932.
  103. Geerk J., Linker G., Meyer O. HTSC film growth by inverted cylindrical magnetron sputtering. // J. of Superconductivity. 1992, vol.5, № 4, p.345−351.
  104. Rauch W., Behner H., Gieres G., Solkner G., Fox F., Valenzuela A.A., Gornik E. DC-magnetron sputtering for microwave applications. // Physica C, 1992, vol. 198, p. 389−396.
  105. Rauch W., Gornik E., Solkner G., Valenzuela A.A., Fox F., Behner H. Microwave properties of YBCO thin films studied with coplanar transmission line resonators. //J.Appl.Phys., 1993, vol.73, № 4, p.1866−1872.
  106. Schneider P., Linker G., Schneider R., Reiner J., Geerk J. The effect of Y and Ba content on the properties of YBaCuO thin films. // Physica C, 1996, vol.266, p.271−277.
  107. Gao J., Aarnik W.A.M., Gerritsma, Rogalla H. High quality YBCO ultra-thin films and Y/Pr/Y multi-layers made by a modified RF-magnetron sputtering technique // Applied Surface Science 1990, 46, p.74−77.
  108. О.Г., Ильинский Л. С., Смирнов А. Д., Хижа Г. С. Исследование структуры, состава и морфологии монокристаллических пленок сегнето-электриков со структурой перовскита. // ЖТФ, 1984 т.54, 772−777.
  109. Morito M, Koichi H, Ken’ichi O, Low-temperature epitaxial growth of BaTi03 films by radio-frequency-mode electron cyclotron resonance sputtering. // J. Appl. Phys. — 1994, 76, n.3, p. 1768−1775.
  110. С.Д., Коган Ю. М., Хрусталев Г. Ю. О контрагировании ВЧ разряда в аргоне // Оптика и спектроскопия, 1968, т.24, с. 671−678.
  111. Robertson D., and Pound G.M. Heterogeneous nucleation and film growth -CRC Critical review in solid state science, 1974, February, p. 163−204
  112. M. Кинетика образования новой фазы. М.:Наука, 1986, 206 с.
  113. Д., Паунд Г. Испарение и конденсация. М.Металлург., 1966, 196 с.
  114. ИЗ.Барыбин А. А., Шаповалов В. И. Поверхностные явления и межфазные процессы: Текст лекций. СПб: СПГЭТУ, 1994, 48 стр.
  115. С.А., Слезов В. В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок. С.-Пб: Наука, 1996, 309 с.
  116. К. Karmanenko S.F., Influence of growth rate on structural orientation of YBCO superconducting films // Supercond: Sci. & Technol., 1999, vol. 12, N. l p. 36−44
  117. К.Л. Электрические явления в тонких пленках М: Мир, 1972, 434 с.
  118. Л.С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971, 480.
  119. Chaudhari P., Koch R.H., Laibowitz R.B., McGuire T.R., Gambino R.J. -Critical current measurements in epitaxial films of YBaCuO compound. // Phys.Rev.Lett., 1987, vol.58, № 25, p. 2684−86.
  120. А.И., Екимов E.B., Красносвободцев С. И., Печень Е. В. Монокристаллические пленки высокотемпературных сверпроводников с пе-ровскитной структурой. // Письма в ЖЭТФ, 1988, т. 47, № 3, с. 157−159.
  121. Marshall A.F., Barton R.W., Char К., Kapitulnik A., Ordered-defect structure in epitaxial YBa2Cu307. x thin films// Phys. Rev. B, 1988, v.37(16), p. 9353−9358.
  122. А- Вендик О. Г., М., Гайдуков М. М., Карманенко С. Ф., Ковалевич Л., Козырев А. Б., Митрофанов А. П. СВЧ поверхностное сопротивление сверхпроводниковых пленок Y-Ba-Cu-O // Письма в ЖТФ, 1989, Т. 15, N.7,c. 69−72.
  123. Broussard P.R., Wolf S.A. Film growth of high transition temperature superconductors. II J. ofCryst. growth, 1988, vol.91, p.340−345.
  124. C.B., Гарин Ф. В., Голубев B.H., Калягин М. А., Клюенков Е. Б., Косыев В. Я., Кочемасов А. В., Стриковский М. Д. Вольт-амперная характеристика и критические токи в слабых магнитных полях в YBCO // ЖЭТФ, 1989, Т.95 (3), с. 1086−1091
  125. Carini J.P., Awasthi A.M., Beyermann W., Gruner G., Char K., Beasley M.R., and Kapitulnik A. Millimeter-wave surface resistance measurements in highly oriented YBa Си О thin films. II Phys.Rev.B, 1988, v.37, n.16, p.9726−9729.
  126. Van Duzer Т., Turner C.W. Principles of superconductive devices and circuits. -Elsevier North Holland, Inc. Edward Arnold Publishers, 1981
  127. Ван Дузер Т., Тернер Ч. У. Физические основы сверхпроводниковых устройств и цепей. Пер. с англ. М.: Радио и связь. 1984. 344 с.
  128. Ф.Ф., Менде А. И. Поверхностный импеданс сверхпроводников -Киев: Наукова думка. 1985. — 240 с.
  129. Vendik O.G., Vendik I.B., Kaparkov D. High temperature superconductor devices for microwave signal processing. Part I, Physical foundation of superconductivity. S.-Petersburg: Skladen, 1997, 110 p.
  130. K. Vendik O.G., Samoilova T. B, Karmanenko S.F., Kowalewicz L., Kozyrev A.B., Levoska J., Leppavuori S. Microwave surface resistance and transport properties of superconducting YBaCuO films // J. of Less Common Metals., 1990. vol.164−165. p.1240−1247.
  131. Cooper J.R., Chu С.Т., Zhon L.W. Determination of the magnetic field penetration depth in YBCO deviations from BCS laws. // Phys.Rev.B., 1988, v.37(l), p.638 -641.
  132. Klein N., Chaloupka H., Muller G., Orbach S., Piel H., Roas В., Schultz L., Klein U., Peiniger M., The effective microwave surface impedance of high-Tc thin films. // J.Appl.Phys., 1990, v.67(l 1), 6940 45.
  133. Portis A.M., Cooke D.W., Piel H. Microwave surface impedance of granular superconductors. // Physica С 162−164, 1989, 1547−1548.
  134. Cooke D.W., Gray E.R., Javadi H.H.S., Houlton R.J., Arendt P.N., Klein N., Muller G., Orbach S., Piel H. Frequency dependence of the surface resistance in high temperature superconductors. // Sol.St.Commun., 1990, v.73, N 4, 297−300.
  135. О.Г. Феноменологическая модель ВТСП монокристалла // Письма вЖТФ, 1989, т. 15, № 8, с.72−76.
  136. Chaloupka Н., Muller G. Application of HTSC thin films with low microwave losses to linear devices. // Physica С — 1991, v. 180, N 1−4, p. 259−266.
  137. A.B. -A two-layer simulation of the YBCO film microwave surface resistance. 11. Physica C. -1991, vol.179, p. 91−95.
  138. А.И., Печень E.B. Сверхпроводящие соединения Nb3Ge Nb3Si / Труды ФИАН, т.151 «Сверхпроводники с решеткой типа А15 и мостиковые контакты на их основе» под ред. Н. Г. Басова, М.: Наука, 1984, С.63−136
  139. A.C., Цыганюк Ю. М., Найден Е. П., Левдикова Т.Л., Головлева
  140. B.К., Подлесных В. Т., Третьякова А. С., Врацких В. Ф. Структурные и электрофизические характеристики YBCO пленок на сапфире // Изв. ВУЗов «Физика», 1998, № 5, с.75−78
  141. А.К., Гапонов С. В., Гусев С. А., Дроздов Ю. Н., Клюенков Е. Б., Лучин В. И. Влияние давления рабочего газа на свойства тонких пленоквысокотемпературных сверхпроводников, полученных магнетронным распылением // Письма в ЖТФ, 1998, т.24(4), с.80−85.
  142. Halbritter J. On intrinsic and extrinsic effects in the surface impedance of cuprate superconductors. // J. of Superconductivity., 1992., vol.5, No 4, p. 331−337.
  143. Pierce J. Residual microwave surface resistance of superconducting lead // J.Appl.Phys. 1973, v.44, n3, 1342−1347.
  144. А.Б. Сверхпроводниковые пленки в управляющих и ограничительных устройствах СВЧ микроэлектроники. Диссертация доктора техн. наук -Л.: ЛЭТИ. 1990. 542 с.
  145. О.И. Исследование ВЧ-СВЧ свойств пленок высокотемпературных сверхпроводников и реализация устройств управления и ограничения. Диссертация к.ф.-м.н. СПб.: СПГЭТУ. 1993. 188 с.
  146. К Vendik O.G., Kozyrev А.В., Karmanenko S.F., Klimenko V.L., Njakshev K.F., Soldatenkov O.I. The influence of magnetic field on mw surface resistance of two-layer YBCO films. // Solid State Commun. 1992, v.84, n.3, p.327−332.
  147. Walsh P. J., Tomaselli V.P. Theory of microwave surface impedance in superconductors and normal metals. // Am. J.Phys., 1990, v.58(7), p.644−650.
  148. Pavloaskaya M.V., Vendik I.B., Ter-Martirosyan L.T., Rasumov S.V. Degrad. of YBCO films under transport current // Phys.stat.sol.(a) 1997, v.162, p.607−613.
  149. Kiss L.B., Larsson Т., Svedlindh P. et al. Conductance noise and percolation in YBCO thin films II Physica C, 1993, v.207, p.318−332.
  150. Ю.М., Гуревич В. Л., Козуб В. И. О низкочастотных шумах в высокотемпературных сверхпроводниках // ФТТ, 1989, т.31, № 5, с. 155−64.
  151. Khrebtov I.A., Krayukhin M.B., Leonov V.N. Noise and structural diagnostics of YBCO films on the various substrates. // Digest of VI Trilateral German-Russian- Ukranian seminar on HTS. Dubna: HNR, 1993, p. l 11.
  152. Yoo K.-H., Park J.C. Low frequency noise measurements in YBCO thick films // Physica В., 1990, vol.165−166, p.1405−14 007.
  153. Bobyl A., Gaevski M., Shantsev D. Structural disorder as a source of 1/f nose inth
  154. YBCO fillms on various substrata. // Proc. 7 Sci.Conf. «Fluctuations phenomena in physical systems» Vilnius Univ. Press — ed. V. Palenskis, 1994, p.297−301
  155. В.Н. Антенные сверхпроводниковые микроболометры для инфракрасного и субмиллиметрового диапазонов спетра. — Диссертация к.т.н. С. Петербург, ГОИ им. С. И. Вавилова, 1997, 186 с.
  156. Д.В. Теоретическое исследование влияния пространственных не-однородностей на транспортные и шумовые свойства высокотемпературных сверхпроводников. Диссертация к.ф.м.н. СПб, ФТИ РАН, 1997, 130 с.
  157. Ю.М. Низкочастотный токовый шум со спектром 1/f в твердых телах// УФН, 1985, т. 145, № 2, с. 285−328.
  158. Hooge F.N., Kleinpenning T.G.N., Vandamme L.K.J. Experimental studies on 1/f noise // Rep.Prog.Phys., 1981, vol.44, p.478−532.
  159. А.Ю., Леонов B.H., Хребтов И. А. Антенные YBCO микроболометр на подложке из галлата неодима // Письма в ЖТФ, 1993, т. 19, № 2, с.69−74.
  160. Kiss L.B., Svedlindh P. Noise in High Tc superconductor materials and devices II IEEE Trans. on Electronic devices, 1994, V.41(l 1), p.2112−2122.
  161. Vendik O.G., Hollmann E.K., Kozyrev A.B., Prudan A.M. Ferroelectric tuning of planar and bulk microwave devices // J. of Supercond. 1999, v. 12 (2), p.325 -338
  162. Vendik O.G., Ter-Martirosyan L.T., Zubko S.P. Microwave losses in incipient ferroelectrics asfunction of temperature and thebiasing field // J.Appl.Phys., 1998, vol.84(2), р.3134 31 140.
  163. Izuha M., Abe K., Fukushima N. Electrical properties of all-perovskite oxide (SrRuOs/BaxSr^xTiOs/SrRuOs) capacitors II Jap. J. of Appl.Phys., 1997, V. 36, Part 1, N 9B. P. 5866−5869.
  164. Haertling Gene H. Ferroelectric thin films for electronic applications. // J. Vac.Sci. Technol. — 1991, vol. A9(3) — p. 414−420.
  165. О.Г., Мироненко И. Г., Тер-Мартиросян JI.T. Размерные эффекты динамической поляризации в тонких слоях сегнетоэлектриков типа смещения// ФТТ. 1984. — Т. 26, Вып. 10. — С. 3094−3100.
  166. О.Г., Тер-Мартиросян JI.T. Размерный эффект в тонком сегнетоэлектрическом слое I. Диэлектрическая нелинейность плоского конденсатора // ЖТФ, 1996, т. 66, N 4, с. 92−98.
  167. С.П. Диссертация к.ф.-м.н., С.-Петербург, СПГЭТУ, 1999, 180с.
  168. А.И., Тер-Мартиросян JI.T. Избыточный объемный заряд в титанате стронция // ФТТ. 1998. — Т. 40, Вып.2. — С. 245−247.
  169. О.Г., Козырев А. Б. Аналитическое описание диэлектрической нелинейности сегнетоэлектрических материалов с размытым фазовым переходом // ФТТ. 1975., Т. 17, Вып. 3. С. 846−850.
  170. VendikO.G., Zubko S.P. Modeling the dielectric response of incipient ferroe-lectrics HJ.ofAppl. Phys., 1997. V. 82, N 9. — P. 4475−4483.
  171. Findikoglu A.T., Doughty C., Anlage S.M., Li Q., XiX., Venkatesan T. Effect of dc electric field on the effective microwave surface impedance of YBCO/STO/YBCO trilayers // Appl.Phys.Lett., 1993, vol.63(23), p.3215−3217
  172. Г. С., Вендик И. Б., Серебрякова E.A. СВЧ-фазовращатели и переключатели. М.: Радио и связь, 1984.
  173. И.В., Вендик О. Г., Хижа Г. С. Параметр качества и добротность СВЧ-управляющих устройств на полупроводниковых и сегнетоэлектрических активных элементах // Известия ЛЭТИ, Д., 1986, вып.375, с.3−6.
  174. Е.В. Физические свойства пленок цирконата-титаната свинца. -Диссертация канд.ф.-м.наук, Ростов-на-Дону, РТУ, 1985, 186 с.
  175. Mukhortov Vas.M., Golovko Y.I., Alyoshin V.A., Sviridov E.V., Mukhortov Vl.M., Dudkevich V.P., Fesenko E.G. (Ba, Sr) Ti03 heteroepitaxial films. // Phys.stat.solidi (a), 1983, v.77(l), p. 253−257.
  176. K Karmanenko S.F., Chakalov R.A., Davydov V.Yu. Formation of variously oriented HTSC thin films by Sputtering //Abstracts of 8-th Intern.Conf. on Vacuum Electron and Ion Technologies', Varna, Bulgaria, 1993, (P7.5), p.94−95
  177. К Карманенко С. Ф., Самойлова Т. Б., Чакалов Р., Някшев К. Ф. -Сверхпроводящие многослойные структуры YBaCuO/LaCaMnO/YBaCuO // Тез. докл. XXIXконф.. «Физика низк. темп-29″, Казань, 1992, Т.1, с. 179.
  178. К., Кордона М. Рамановское рассеяние в ВТСП // в кн. Физ. свойства ВТСП / Под ред. Д. М. Гинзберга, М.: Мир, 1990, 543 с.
  179. В.А., Китаев Ю. А., Смирнов В. П., Эварестов Р. А. Электронные и фононные состояния в кристаллах ВТСП. В кн. Высокотемпературная сверхпроводимость. Ленинград, „Машиностроение“, 1990, 686 с.
  180. Feile R. Lattice vibrations un high-Tc superconductors: optical spectroscopy and lattice dynamics. Review. // Physica C, 1989, Vol. 159, p.1−32.
  181. К Белоусов M.B., Давыдов В. Ю., Карманенко С. Ф., Косогов О. В. Комбинационное рассеяние света как метод анализа ориентированных пленок YBCO II Письма в ЖЭТФ, 1988, т.48, в.5, с.285−287
  182. И.В., Быков А. Б., Гончаров И. В. Комбинационное рассеяние света в монокристаллах высокотемпературных сверхпроводников YBCO II Письма в ЖЭТФ, 1988, т.47, в.4, с.184−187
  183. М.В., Давыдов В. Ю., Конников С.Г.// СФХТ, 1993 Т.6, 336−343.
  184. Vassenden F., Linker G., Geerk J. Growth direction control of YBCO thin films 11 Physica C, 1991, vol.175, p.566−672.
  185. Chakalov R.A., Abrashev M.V. Morphological and compositional changes of the target surface during RF magnetron sputteringof the Y-Ba-Cu-0 system. // Physica C, 1994, vol.223, p. 173−178.
  186. Feldman L.C., Mayer J.W., Picraux S.T. Materials Analysis by Ion Channeling. New York: Academic Press, 1982, 300 p.230a. Тонкие пленки: Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж.Мейера. М.: Мир, 1982, 576 с.
  187. Meyer О., Weschenfelder F., Xi Х.Х., Xiong G.G., Linker G., Geerk J. Channeling analysis of intrinsic and radiation-induced disorder in crystalline YBCO thin films. II Nucl. Instrum.Meth.Phys. Res., B35, 1988, 192−300.
  188. В.В., Дзюба Г. О., Ильин Р. Н., Лещенко М. Е., Панов М. Н., Сахаров В. И., Серенков И. Т., Суворов А. В., Третьяков В. В. Исследование тонких пленок системы Bi-Sr-Ca-Cu-О на подложках из Si, SiC, MgO.// Сверхпроводимость: ФХТ, 1991, т.4, 1767
  189. Huttner D., Gutner U, Meyer О., Reiner J., Linker G. High-resolution Rutherford backscattering study of ultrathin YBCO film growth on SrTi03 and MgO // Appl.Phys.Lett., 1994, 65(22), 2863−2865.
  190. Huttner D., Meyer O., Reiner J., Linker G. Crystalline quality analysis of YBCO ultrathin films by high resolution ion backscattering and channeling spectrome-try// Appl.Phys.LettA995, 66(10), 1273−12 757.
  191. К Umansky V.E., Solov’ev S.A., Konnikov S.G., Karmanenko S.F., Kosogov О.V. Imaging of high-Tc supercond. film spatial inhomogeneities by Low Temperature scanning electron microscopy // Material Let. 1990, v.9(11), p.417−420
  192. Gross R., Hipler K., Mannhart J., Huebener R.P., Chaudhari P., Dimos D., Tsuei C.C., Schubert J., Poppe U. Spatial imaging of the critical current density in epitaxial YBCO films. // Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, p. 2132−2134.
  193. М.Э. Исследование ВТСП пленок и структур на их основе методом НТ растр, электрон микроскоп// Дис.к.ф.-м.н., СПб: ФТИ, 1995, 205 с.
  194. К. Bert N.A., Lunev A.V., Bobyl A.V., Karmanenko S.F., Suris R.A., Musihin Yu.G., Matveets L.V., Dedoborez A.I. -Mechanisms of cation defect formation in epitaxial YBCO films. II Physica C, vol.280, 1997, p. 121−136.
  195. Jia C.I., Kabius В., Ubran K., Herrman K., Giu G.I., Schubert J., Zander W., Braginski A.I., Haiden C., Microstructure of epitaxial YBCO films on step-edge SrTi03 substrates II Physica C, 1991, vol.175, 545−554.
  196. K. Берт H.A., Карманеко С. Ф., Конников С. Г., Косогов О. В., Улин В. П. -Особенности формирования структур ВТСП/фторид/ кремний .// Сверхпроводимость: ФХТ., 1991, т.4, стр. 756.
  197. Ю.В. Разработка и исследование нелинейных конденсаторов на основе кристаллов титаната стронция.- Диссертация канд.техн.наук., ЛЭТИ, Л.: 1984, 205 с.
  198. А.В., Ульянцев С. И., Дорофеев М. В. Выращивание кристаллов оксида магния в индукционной печи- их свойства и применение // Доклады Всесоюз. н.-т. конф. „Применение токов ВЧ в электронной технологии“ Л.: НИИТВЧ, 1991, т.2, с.85
  199. А.Г. Исследование процесса магнетронного распыления с целью получения сверхпроводниковых покрытий. Диссертация канд.техн.наук., С.-Петербург: СПГЭТУ, 1991, 140 с.
  200. К Карманенко С. Ф. Геттерное ионное распыление в технологии сверхпроводниковых пленок на основе ниобия Диссертация канд.техн.наук. — Л.: ЛЭТИ, 1986, 220 с.
  201. К.Ф. Разработка и исследование процесса формирования сверхпроводниковых слоистых структур при магнетронном распылении. Диссертация на канд. техн. наук, С-Петербург: СПГЭТУ, 1994. 170 с.
  202. Chakalov R.A. Investigation of HTSC films and structures deposited by magnetron sputtering and possibilities for microwave application / Summary of Ph. D thesis, Inst, of Electronics BAN, Sofia, 1994
  203. B.A., Козырев А. Б. Физика слабоионизованной плазмы. Прикладные вопросы ионно-плазменного распыления. / СПб.:Складень, 1997, 130 с.
  204. Chekai D., Hollmann Е.К., Kozyrev А.В., Volpjas V.A. Ion energies at the cathode of the DC planar msgnetron sputtering disharge // Appl.Phys. A, 1989, vol.49, 269−272
  205. К Ласка В. Л., Карманенко С. Ф. Расчет составных мишеней для олучения пленок сложного состава методом катодного распыления. // Физика и химия обработки материалов., 1985, № 1, с.94−95.
  206. Keller J.H., Simmons R.G. Sputtering process Models of deposition rate. // IBM J.Res.Develop., 1979, 23, n. l, 22−32.
  207. Abril I., Gras-Marti A., Valles-Abarca J.A. The contribution of fast neutrals to cathode erosion in glow discharge// J.Phys.D.:Appl.Phys., 9%4, v.17, 18 411 849.
  208. .С. Методы нанесения пленок высокотемпературных сверхпроводников // Сер.Электроника. М.: ВИНИТИ, 1990, т.26, с. 133−170.
  209. В.К., Фартушная В. М., Шермергор Т. Д. Исследование ВАХ магнетрона при реактивном распылении мишени. // Электрон, техника. (3) Микроэлектроника. 1990, № 3, с. 137.
  210. Westwood W.D., Maniv S., Scanlon P.J. The current-voltage characteristics of magnetron sputtering systems. // J.Appl.Phys., 1983, v.54, n.12, p.6841−46.
  211. Sigmund P. Theory of sputtering. Sputtering yield of amorphous and poly-crystalline targets. II Phys.Rev., 1969, v. 184, n.2, p. 383−416.
  212. Steinbruchel C. A simple formula for a low-energy sputtering yields. // Appl.Phys.A.-l9S5.-A36.-P.37−42.
  213. Meyer K., Schuller I.K., Falco C.M. Thermalization of sputtered atoms // J.Appl.Phys. 1981, v.52, n.9, 5803−06.
  214. Turner G.M., Sikorski A., McKenzie D.R., Smith G.B., Ng K., Cockayne D.J.H. Spatial variations in the stoichiometry of sputtered YBaCuO thin films: theory and experiment. // Physica С 170, 1990, p.473−480.
  215. К Карманенко С. Ф., Митрофанов А. П., Някшев К. Ф. О формировании сверхпроводящих металлооксидных пленок методом магнетронного распыления // Известия ЛЭТИ, вып.437, 1991, с.33−37.
  216. А.Л., Ченакин С. П., Черепин В. Т. Исследование высокотемпературной сверхпроводящей керамики методом ВИМС.//. Поверхность, 1989, № II, с.31−38.
  217. К.М. Явления переноса в газе и плазме. Л.: Энергоатомиздат, 1983,202 с.
  218. К Карманенко С. Ф., Митрофанов А. П., Някшев К. Ф., Чакалов Р. А. О распределениии компонентов в металлоксидных сверхпроводниковых пленках //ЖТФ, 1995, т.65, № 1, с. 64−69.
  219. Wu С.Т., Kampwirth R.T., Hafstrom J.W. High rate magnetron sputtering of high TcNb3Sn films. // Vac.Sci.Technol, 1977, vol. l4(l), p. 134−138.
  220. Fromm E., Mayer O. Interaction of oxygen and nitrogen with clean transition metal surfaces // Surface Sci, 1978, Vol.74(l), p.259−275.
  221. Г. И. Геттерная и ионно-геттерная откачка. // Автореферат диссертации докт. физ. наук. София: ИЭ БАН, 1984 г., 56 с.
  222. К. Карманенко С. Ф., Давыдов В. Ю., Митрофанов А. П., Семенов А. А., Чакалов Р. А. Влияние скорости роста пленок YBCO на ориентацию кристаллографических осей. // Письма в ЖТФ, 1996, т.22 (23), с. 69−74
  223. Nieh C.W., Anthony L., Josefowicz J.Y., Krajenbrink F.G. Micro structure of epitaxial YBa Си О thin films. // Appl.Phys.Lett., 1990, v.56, n.21, p.2138−2140.
  224. Ramesh R., Inam A., Rogers C.T. Microstructure studies of a-axis oriented YBaCuO /PrBaCuO heterostructures. // Physica C, 1990, vol.170, p., 325−332.
  225. Singh R.K., Narayan J., Biunno N. Twinning characteristics in YBCO superconducting thin films. // Material Sci. Engineering, 1989, B2, p.25 5−263
  226. Schulz R., Simoneau M., Lanteigne J. The role of internal stresses of metastable phases in the YBCO system IIPhysica C.- 1994, vol.233, p. 113−123.
  227. Л.С.Палатник, М. Я. Косевич., Механизм образования и субструктуры конденсированных пленок. М:» Наука", 1972, стр. 318.
  228. Wang S.Z., Rao S.L., Wang S.I., Li G., Yo Z.Y., Li S.Y., Yin D.I. Epitaxial feature of YBCO films preperad by multilayer deposition // IEEE Trans, on Magn. 1989, vol.25(2), p. 2445−2447.
  229. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972, 382 с.
  230. Lindemer T.B., Hunley J.F., Gates J.E., Sutton A.L., Brynestad J., and Hubband C.R. Experimental and thermodynamic study of nonstoichiometry in YBCO // J.Am. Ceram.Soc. 1989,72 (10), 1775−88
  231. Idemoto Y., Takahashi J., and Fueki K. Standard enthalpies of formation of member oxides in the Y-Ba-Cu-0 system // Physica C, 1992, vol.194, p. 177
  232. Emtsev V.V., Davydov V.Yu., Karmanenko S.F., Poloskin D.S., Goncharuk I.N. Structural defects in YBCO superconducting films induced by gamma irradiation. // Physica C, 1994, vol.228, p. 165−170.
  233. Ю.Д., Райиова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979, 408 с.
  234. А.А., Каркунов Е. Н., Кемпель В. А. Расчет и экспериментальное исследование условий массопереноса фосфида индия в системе In Р-С1-Н // Электронная техника. Серия 2-материалы, 1980, № 5, с.20−25.
  235. А. Н. Исследование и разработка процессов осаждения из газовой фазы сверхпровод, пленок на основе ниобия. / Дис. к.т.н. Л.: ЛЭТИ, 1981.
  236. Rudnyi Е.В., Kuzmenko V.V. Simultaneous assessment of the YBa2Cu30 6+z thermodynamics under the linear error model // J. Phys. Chem., 1998, vol. 27, N 5.
  237. Filipczuk S.W., Driver R., Smith G.B. Aspects of annealing and free surface crystallization of YBCO thin films. // Physica C, 1990, vol.170, p. 457−468.
  238. Lindemer T.B., Washburn F.A., MacDougall C.S., Feensta R., Cavin O.B. Decomposition of YBa2Cu307. x and YBa2Cu308 for p < 0.1.MPa. // Physica C, 1991, vol.178, p. 93−104.
  239. Moms J.W., Khachaturyan A.G., Semenovskaya S.V. Phase diagram of the superconducting oxide YBa2Cu306+x. // Phys.Rev.B., 1988, v.37(4), p.2243−2246.
  240. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. // Под ред. Глушко В. П., М.:Наука, 1962, т. 1−6.
  241. ЕфимовА.И. Свойства неорганических, соединений. Л.:Химия, 1983,392с.295 .К Карманенко С. Ф., Митрофанов А. П. Особенности термодинамического анализа процессов образования соединений ниобия с германием. // Известия ЛЭТИ, вып. 342, 1984, с.7−12.
  242. В.А. Методы практических расчетов в химической термодинамике. М.: Химия, 1975, 535 с.
  243. Williams R.K., Kroeger D.M., Martin P.M., Mayotte J.R., Specht E.D., Brynestad J. Effects of high oxygen pressures and temperatures on the stability of the three superconducting Y-Ba-Cu-0 compounds // J.Appl.Phys., 1994, vol. 76(6), p.3673−3678.
  244. Gerdanian P., Picard C., Marucco J.F. Thermodynamics of YBa2Cu3Oz // Physica C, 1989, vol.157, p. 180−188.
  245. Г. К., Ватолин H.A., Цагарейшвили Д. Ш., Гвелисиани Г. Г., Бараташвили И. Б., Явойская О. В. Термодинам, моделирование образования YBa2Cu307.xII ДАН СССР «Физ.химия», 1989, т.387, № 4, с.902−906.
  246. Ogushi Т., Osono Y. Superconductivity in Nb-Ge-Al-0 films above 44 К // Appl.Phys.Lett., 1986, V.48, N.17, P. l 167−1168.
  247. Muroi M. Crystal structure and Tc in copper oxides. A clue to the mechanism of high-temperature superconductivity. // Physica C, 1994, vol.219, p.129−140.
  248. E.M., Гузей JT.C. «Металлохимия.» — M.: Издательство МГУ, 1986, с. 264.
  249. .Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию поупроводников. — М.: Высшая школа, 1973, 656 с.
  250. Sarikaya М., Stern Е.А. Local structural variations in YBa2Cu307. x // Phys.Rev.B, 1988, vol. 37, № 16, p.9373 9378.
  251. A^Bobyl A. V., Karmanenko S.F., Leonov V.N., et al Excessive noise of epitaxial YBCO films for antenna-like bolometer // Proceed. Of Int. conference «Physics at the turn to the 21st century», St Petersburg, October 1998, Ioffe institute, P. 47.
  252. K., Flagmeyer R., Grotzschel R. // Nucl.Instr. and Meth. 1992, v. B66, N.4, p. 453.
  253. Mazzer M., Drigo A.V., II Nucl.Instr. and Meth. 1992, v. B64, N. l, p. 103.
  254. Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок (Перевод с англ.). М.: Мир, 1989, 342 с.
  255. S., Streiffer S.K., Ernst F., Ruhle M., // Phys. Stat. Sol. (A), 1995, V.147, N. l, P. 135
  256. Ece M., Gonzalez E.G., Hebeimeir H.-U., Oras B. Evolution of morphology, crystallinity, and growth modes of thin superconducting YBa2Cu307. x films on SrTi03 and NdGa03 substrates II J. Appl. Phys., 1995, V.77, № 4, P. 1646−1653.
  257. Catana A., Scholm D.G., Mannhart J., Bednorz J.G. a/c YBa2Cu307 boundaries: Preferential sites for the nucleation of epitaxial Y203 precipitates // Appl.Phys.Lett., 1992, V.61, № 6, p.720−722.
  258. Catana A., Bednorz J. G., Gerber Ch., Mannhart J., Schlom D. G. Surface outgrowths on sputtered YBCO films: A combined atomic force and transmission electron microscopy study // Appl. Phys. Lett. 1993 vol.63, N.4 p.553−555
  259. К Афросимов B.B., Ильин P.H., Карманенко С. Ф., Панов М. Н., Сахаров В. И., Серенков И. Т. Исследование границы раздела между пленками
  260. BaxSr!.xTi03 и MgO подложкой. II Поверхность, 1997, № 8, с.71−77.
  261. В.В., Дзюба Г. О., Ганза Е. А., Ильин Р. Н., Панов М. Н., Сахаров В. И., Серенков И. Т., Суворов А. В., Каналирование протонов средних энергий в монокристалле YBCO. I/ЖТФ, 1996, т. 66, № 11, с. 76−88.
  262. Han Z., Selinader T.I., Helmersson V Formation of Cu-rich particles on the surface of YBa2Cu307. x thin film grown by in situ off-axis sputtering.// J.Appl.Phys., 1994, V.75, № 4, P. 2021−2025.
  263. Zhu S., Lowndes D.H., Chakoumakos B.C., Pennycok S., Zheng X-Y., Warmack R.J.// Appl. Phys. Lett., 1993, V.62, № 25, P. 3363−3365.
  264. Chang H., Ren Y.T., Sun Y.Y., Wang Y.Q., Xue Y.Y., Chu C.W., Raman studies on BaCu02, Ba2Cu03 and Ba2Cu306 // Physica. C 22% (1994) 383−388.
  265. К Белоусов M.B., Давыдов В. Ю., Карманенко С. Ф., Косогов О. В. -Изучение упорядоченности кислородной подрешетки монокристаллических пленок YBaCuO по спектрам КРС. // Сб.:Mam. I Всес.совещ. по физ. химии и технологии ВТСП. М., Наука, 1988, с.377−379
  266. Poole С.Р., Farach Н.А., Creswick R.J. Superconductivity. // Academic Press. San Diego (CA), 1995, 620 p.
  267. Nomura S., Yoshino H., Ando K., Phase disgram of system YBa2Cu307. x Ba-Cu02-Cu0IIJ. Cryst. Growth, 1988, V.92, N.3−4, P.682−686.
  268. C., Anselmett D., Bednorz J.G. -Screw dislocations in high-T films // Nature, 1991, V.350, p.279−280.
  269. M.M., Клименко B.JI., Козырев А. Б., Солдатенков О. В. Исследования ВЧ-СВЧ свойств сверхпроводников // СФХТ, 1993, т.6, № 2, с.336−343
  270. К Карманенко С. Ф., Семенов А. А., Свищев А. А, Сахаров В. И., Серенков И. Т., Нащекин А. В. Зависимость СВЧ поверхностного сопротивления от структуры и толщины YBCO сверхпроводящих пленок. // Письма в ЖТФ, 1999, т.25, № 15, с. 79−88.
  271. Taber R.C. A parallel plate resonator technique for microwave loss measurements on superconductors // Rev.Sci. Instrum. 1990, vol.61, pp2200−2206.
  272. О.Г., Гайдуков M.M., Козырев А. Б., Колесов С. Г., Самойлова Т. Б., Попов А. Ю. Свойства высокотемпературноых сверхпроводнико в СВЧ диапазоне и перспективы их//Обзоры по ВТСП, 1992, вып.4 (8), с.43−100.
  273. Golosovsky М., Davidov D., Farber Е., Tsah Т., Schielber М. Microwave transmission and harmonic generation in granular HTSC films: Evidence for viscous flux motion and weak links II Phys.Rev.В, 1991, v.43, p. 10 390−10 398.
  274. Blazey K.M., Portis A.M., Holtzberg F.H. Fluxon nucleation by microwave currents in Josephson junctions. // Physica C, 1989, vol. 157, p. 16−24.
  275. B.H., Лисицкий М. П., Серпученко И. Л., Фистуль М. В. Влияние абрикосовских вихрей на критический ток джозефсоновского туннельного перехода. IIЖЭТФ, 1991, т. ЮО, № 4. с.1326−1339.
  276. В.Г., Касаткин A.JL, Каминский Г. Г. Особенности резистивного состояния пленок YBCO в магнитном поле. ПФНТ, 1991. т. 17(4), С.467−475.
  277. Reznik A.N. Diagnostics of high-Tc superconductive films in a strong electromagnetic fiield II IEEE Trans. Appl. Supercond., 1997, V.7, N2, p. 1474−1477
  278. И.Б., Кондратьев В. В., Свищев А. А., Леппявуори С., Якку Э. По-лосно-пропускающие микроволновые фильтры на пленках высокотемпературного сверхпроводника. II Письма вЖТФ, 1999, т.24, № 24, с. 50−54.
  279. Е.К., Разумов С. В., Тумаркин А. В. Получение пленок оксида церия на сапфире методом ВЧ магнетронного распыления. // Письма в ЖТФ, 1999, т.24, № 11, с. 47−51.
  280. К Бельски М., Вендик О. Г., Гайдуков М. М., Карманенко С. Ф., Козырев А. Б. Поверхностный импеданс сверхпроводящих пленок ниобий-германий // ФТТ, 1987, Т.29, № 10, р. 1697 1701.
  281. Е.К., Плоткин Д. А., Разумов С. В., Тумаркин А. В. Получение толстых пленок YBa2Cu307.x на сапфире с подслоем оксида церия // Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. В. 5, С.39−43.
  282. Ю.М., Левченко И. Г., Рудашевский Е. Г. Магнитная восприимчивость и анизотропия глубины проникновения магнитного поля в высокотемпературных оксидных сверхпроводниках // ФТТ, 1999, Т.41, № 9, С.1552−1555.
  283. Panagopoulus С., Cooper J.R., Athanassopoulou N., Chrosch J. Effects of Zn doping on the anisotropic penetration depth of YBa2Cu307 // Physical Review B, 1996, vol.54, N.18,R12721 -R12724.
  284. Zaitzev A.G., Wordenweber R., Konigs Т., Hollmann E.K., Razumov S.V., and Vendik O.G. Effect of structural and morphological imperfections on the microwave surface resistance of YBCO thin films. // Physica C, 264, (1996), d № 1−2, p.125−132.
  285. Wordenweber R. Growth of high-Tc thin films // Supercond: Sci. & Technol., 1999, vol. 12, R86 -R102.
  286. Приборы и методы физического металловедения / Под ред. Ф.Вейнберга. М.: Мир, 1973, Часть 1, 430 с.
  287. A. Kim W.J., ChangW., Qadri S.B., Pond J.M., KirchoeferS.W., Chrisey D.B., Horwitz J.S. Microwave properties of tetragonally distored BaSrTi03 thin films // AppliedPhys.Lett., 2000, vol.76, N.9, p. 1185−1187.
  288. A.B., Молчанов В. И., Поплавко Ю. М. Сегнетоэлектрический выключатель СВЧ // Материалы семинара «Новые пьезо- и сегнетоматериалы и их применение», М.:3нание, 1972, с.87−91
  289. В. Д., Зайончковский А. Я., Рубан А. С., Сандуленко В. А., Солохин А. В., Шпанский Д. В. Параметры МДМ структур на основе легированных марганцем кристаллов SrTi03 при температуре 4,2 К.// Известия ЛЭТИ, 1986,
  290. Synowszynski J., Sengupta L.C., Chiu L.H. Investigation of the effect of particle size on the 10 GHz microwave properties of BSTO/MgO composite ceramics II Integratedferroelectrics, 1988, vol.22, p.341−352.
  291. В.Я., Цикин А. Н. Дефекты и старение монокристаллов титаната стронция // Мат-лы конф. «Физика диэлектриков», т.2, Л.: 1973, с. 190−192.
  292. Bazak M.J., Williams J.R., Ferraro J.M., Feng Z.C., Physical characterization of Vh (ZryTi4)03 II J.Electrochem.Soc., 1995, vol.142, N.2, p.485- 491.
  293. О.Г., Мироненко И. Г. Континуальная модель сегнето-электрической моды // ФТТ, 1974, Т.16, Вып 11, С.3445−3451.
  294. Gurievich V.L., Tagantsev А.К. On intrinsic losses in crystals. Low temperatures.// Zh.Eksp.Theor.Fiz., 1986, vol.91(l), p.245−261 (.ЖЭТФ, 1986, т. 64, N. l)
  295. Vendik O.G., Ter-Martirosyan L.T., Zubko S.P. Microwave losses in icipient ferroelectrics as function of the temperature and the biasing field // J. Appl. Phys., 1998. V. 84, N 29. P. 993−998.
  296. О.Г., Зубко С. П., Тер-Мартиросян Л.Т. Корреляционные эффекты в сегнетоэлектрическом тонкопленочном конденсаторе // ФТТ, 1996. Т. 38 (12), С. 3654−3664.
  297. О.Г., Тер-Мартиросян Л.Т. Электрострикционный механизм СВЧ потерь в планарном конденсаторе на основе титаната стронция. // ЖТФ, 1999, т.66, N 8, 93−99.
  298. О.Г., Рогачев А. Н. Электрострикционный механизм сверхвысокочастотных потерь в пленке сегнетоэлектрика и его экспериментальное подтверждение II Письма в ЖТФ, 1999, Т.25, В. 17, С.62−68.
  299. Schuppert В. Microstrip/Slotline transitions: Modeling and experimental investigations // IEEE Trans, on MW theory and techn. 1988, v.36, N.8, p. 12 721 282.
  300. Avanesyan V.V., Mironenko I.G. Dispersion of electromagnetic waves in ferroelectric microstrip waveguides -// IEEE proceedings of Microwaves,
  301. Antennas and propagation, 1997, N.2
  302. В.В., Мироненко И. Г. Дисперсионные свойства планарных линий передачи на слоистой диэлектрической подложке. // Известия ВУЗов России. Радиоэлектроника, 1998, № 1, стр. 15−20.
  303. Barth R., Spangenberg В., Jaekel С., Kurz Н. Optimization of YBCO submi-crometer structure fabrication // Appl.Phys.Lett., 1993, 63, p.1129−1151.
  304. У. Микролитография: принципы, методы, материалы. В 2-ух ч., 4.2. Перевод с англ. М.: Мир, 1990, 632 с.
  305. VLSI Electronics Microstructure Science. Plasma Processing for VLSI Ed. Einspruch N.G., Brown D.M. Orlando: Academic Press, 1984. Vol. 8. 469 p.
  306. JI.M., Петренко H.A. Деградация ВТСП пленок в процессе фотолитографической обработки // Известия ЛЭТИ, 1991, Л.: ЛЭТИ, Вып. 437, с. 46−50.
  307. Shokoohi F.K., SchifVone L.M., Rogers С., Т., Inam A. Wet chemical etching of high-temperature superconducting YBCO films in ethylenediaminetetraace-tate acid II Appl.Phys.Lett., 1989, V.55(25), p. 661−663.
  308. Vase P., Yueqiang S., Freltoft T. Deposition, Characterization, and laser patterning of YBCO thin films 11 Applied Surface Sci 1990, V.46, N. l/4, P.61−66.
  309. К Карманенко С. Ф., Семенов A.A., Леонов B.H., Бобыль А. В., Лунев А. В., Сурис Р. А. Источники фликкер шума и технология сверхпроводящих микрополосков на основе пленок YBCO //ЖТФ, 2000, т. 70, № 4, с. 63−72.
  310. Г. Д., Павловская М. В., Павлюк Э. Г., Допустимые тепловые воздействия на пленках YBCO в технологии контакта // СФХТ., 1992, № 7,
  311. Е.А., Собакин И. В., Скопинцев Ю. П., Иванов А. А. Стабилизация критических параметров пленок YBCO с помощью пассивирования серебром II Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, № 17, с. 86−90.
  312. Jakku Е., Hagberg J., Leppavuori S. The effect of protective normal metal coating on HTS microwave filters // 5-th Int. Student seminar on High Temp. Superconductors at microwaves. 1998., S. Petersburg, 25−27 May, p.56−57.
  313. К.Ю., Марченко В. А. Защита пленок YBCO от атмосферной деградации // Письма в ЖТФ, 1998, том 24, № 24, С.45−49.
  314. А.В., Казаков И. П., Микертумянц А. Р., Негодяев М. А., Цехош В. И., Юрков А. Н. Применение фотолитографии для создания тонкопленочных элементов на основе YBCO II Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, № 16, с. 55−58.
  315. Ginley D.S., Ashby C.I.H., Plut Т.А., Urea D., Siegal M.P., Martens J.S. Di-and Tri-carboxylic-acid-based etches for processing high temperature supercon-ducing thin films II Appl.Phys.Lett. 1993, V.63, N.17, p. 2429−2431
  316. W.L., Tsai C.C., Ryan P.M. // Rev.Sci.Instrum., 1977, V.48, 533
  317. Eidelloth W., Gallagher W.J., Robertazzi R.P. Koch R.H., Oh В., Sandstrom
  318. R.L. IIAppl. Phys. Lett. 1991. Vol.59. N10. P.1257−1259.
  319. Schneider J., Lehmann R., Guggi D., Wordenweber R. Epitaxial growth and lithographical patterning of YBCO thin films// Physica В 1991, V.169, p.657−676
  320. А.И., Овчинников Ю. Н. Влияние неоднородностей на свойства сверхпроводников //ЖЭТФ. 1979. -Т.61, Вып. З (9), С.1221−1230.
  321. Kozub V.I. Influence of structural relaxation on the parameters of a superconductor // Phys.Rev.B, 1993, V.73, P.4054−4060.
  322. Kaiser Т., et al. Spatially resolved microwave field distribution in YBaCuO disk resonstors visualized by laser scanning // Appl.Phys.Lett 1998, V.73, N.23, P
  323. Johansen Т.Н., Bazilevich M., Bratsberg H., Galperin Y.M., Lindelof P.E. Vase P. Direct observation of current distributions in thin superconductors using magneto-optic imaging. High-Tc Superconuctors. // Phys.Rev.B, 1996, 54, 16 264.
  324. Bean C.P. Magnetization of hard superconductors // Phys.Rev.Lett., 1962, vol. 8, N.6, p.250−253.
  325. Brandt E. H. Tilted and curved vortices in anisotropic superconducting films // Phys. Rev. В, 1993, vol.48 no.9 p.6699−6702
  326. Zeldov E., Clem J.R., McElfresh M., Darwin M. Magnetization and transport currents in thin superconducting films// Phys.Rev.B, 1994, v.49 no. 14, p.9802−22
  327. A.B. Дефекты эпитаксиальных YBa2Cu307 пленок как источники фликкер шума // Диссертация д.ф.-м.н., СПб, ФТИ РАН, 1999, 234 с.
  328. К Gaevski М.Е., Johansen Т.Н., Bratsberg Н., Galperin Yu., Bobyl A.V., Karmanenko S.F., Shantsev D.V. Burning of High-Tc microbridges. // Applied Physics Letters, 1997, vol.71, p.3147−3149.
  329. K Gaevski ME, Bobyl AV, Galperin YM, Johansen TH, Tretiyakov V.V., Suris RA, Karmanenko S. F Spatially resolved study of YBCO film strip // Rondablik Seminar on Solid State Physics, Rondablikk, Norway, Sept. 1998, p.25.
  330. M.B., Павлюк Э. Г. Влияние терм, обработки в различных газовых средах на свойства YBCO пленок // ПЖТФ, 1992, т. 18(16), с. 14−19.
  331. Leonov V.N. Capabilities of antenna-coupled superconducting microbolometers И J.Phys.IVFrance, 1998, V.8, Pr3−267.Pr3−280.
  332. Ъ95.К Бобыль A.B., Гаевский М. Э., Карманенко С. Ф., Леонов В. Н., Лунев A.B., Семенов A.A., Сурис P.A., Хребтов И. А. Избыточный шум эпитаксиальных пленок YBa2Cu307 и микроболометры антенного типа на их основе // ФТТ, 1999, т.41, № 11, с. 1931−1935.
  333. A.B., Янкевич A.B., Васькевич Я. Моделирование электрического отклика тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников на импульсные лазерное и токовое воздействия // Оптический журнал, 1999, Т.66, № 8, С.95−102.
  334. Khrebtov I.A., Leonov V.N. Comparative noise study of bolometers based on convehtional and high-Tc superconductors // 6th AIAA/ASME Thermophys. and Heat Transfer Conf- ASME, HTD-V.277. -1994, P.69−76.
  335. Я. Влияние буферного слоя на динамические характеристики сверхпроводниковых ключей // 4-th International Conference on Unconventional and electrical systems. S.-Petersburg, 1999, P.953−958.
  336. Semenov A.D., Nebosis R.S., Gousev Yu.P., Heusinger M. A.,.Renk K. F. Analysis of the nonequilibrium photoresponse of superconducting films to pulsed radiation of two-temperature model // Phys.Rev.В. 1995. V.52, N. l, P. 581−590.
  337. Khrebtov I.A., Leonov V.N., Tkachenko A.D., Bratukhin P.V., Ivanov A.A., Kusnetsov A.V., Neff H., Steinbeis E. Noise of high-Tc bolometers // Proc. SPIE, 1998, V.3287, p.288−300.
  338. И.Г., Куминов П.Б, Сергеев А. В., Гершензон Е. М. Возможность создания индуктивного быстродействующего детектора электромагнитного излучения на основе тонких YBCO пленок. II. Письма в ЖТФ, 1999, том 25, № 2, С. 14−19.
  339. А.Г., Мелков Г. А. Магнитные колебания и волны, М.: Физматлит, 1994 .464 с.
  340. А.А., Вендик И. Б., Калиникос Б. А., Мироненко И. Г. Тер-Мартиросян J1.T. Перспективы интегральной электроники СВЧ // Микроэлектроника. 1979. — Т.8. — № 1. — С.3−19.
  341. Dionne G F., Oates D E., Temme D. H. Femte-superconductor microwave phase shifters II IEEE Trans. Magn., 1994, vol. 30, P. 4518−4520,
  342. B.E., Калиникос Б. А. Электрическая перестройка дисперсионных характеристик СВ в слоистых структурах металл-сегнетоэлектрик-феррит-сегнетоэлектрик-металл // ПЖТФ. 1999. Т.25, В.21, С. 86−94.
  343. Ю.В., Зильберман П. Е. Спинволновая электроника. // Радиоэлектроника и связь, 1988 № 6, М.: «Знание», 24 с.
  344. А.В., Стальмахов B.C., Шараевский Ю. П. Магнито-статические волны в электронике сверхвысоких частот. Саратов: Изд-во СГУ, 1993. 312 с.
  345. Функциональные устройства обработки сигналов (основы теории и алгоритмы)" учебное пособие под ред. Ю. В. Егорова (глава 3 Б. А. Калиникос,
  346. Н.Г.Ковшиков, Н. В. Кожусь «Спин-волновые устройства»), Москва, Радио и связь. 1997.-287с
  347. Nurgaliev Т., Miteva S., Jenkins A., Dew-Hughes D. Study of the magnetic tuning effect in HTS coplanar resonators // Supercond. Sci. Technol. 1999, V.12, N. l 1, p.823−826
  348. .А., Митева С. И. Дисперсионное уравнение для слоистой структуры металл-магнитодиэлектрик // Изв. Вузов «Радиоэлектроника, -1980. Т.23. — № 5. — С.74−76.
  349. A» Карманенко С. Ф., Семенов A.A. СВЧ полосовой фильтр на основе пленочной структуры сверхпроводник/феррит (YBCO/YIG) // Письма в ЖТФ, 2000, т.26, вып. 4, с. 69−72
  350. Tsutsumi M., Fukusako T. Broadband magnetically tunable superconducting microstrip resonator using yttrium iron garnet single crystal // Electronics Lett., 1998, V.33, (8), pp. 687−688
  351. Tsutsumi M., Fukusako Т., Yoshida S. Propagation of magnetostatic surface wave in YBCO-YIG film-layered structure // IEEE Trans, on mw theory and techniques. 1996, V.44, N.8, P. 1410−1415.
  352. Т.Б. Сверхпроводниковые и полупроводниковые крио-электронные элементы в цепях с быстрыми переходными процессами // Дис к.ф.-м.н. Д.: ЛЭТИ, 1986, 217 с.
  353. С.В., Каминский Г. Г., Клюенков Е. Б. Кузин Д.В., Пан В.М., Прохоров В. Г., Стриковский М. Д. Токонесущая способность сверхпровод, пленок YBCO в сильных магнит, полях // ЖЭТФ. 1989. Т.95(6) С.2191−2199.
  354. В.В., Васильев М. А., Филиппов А. С. Физико химическая природа слабых связей в ВТСП // Металлофизика. 1991, т.13, № 2, с.3−23.
  355. М.М., Гацура Е. Ф., Гольман Е. К., Ковалевич Д., Козырев А. Б., Попов А. Ю., Самойлова Т. Б. Транспортные и СВЧ-свойтсва высокотемпературных сверхпроводниковых пленок YBCO в магнитном поле // Сверхпроводимость: ФХТ, 1990, Т. З, № 10, ч. 1, С.2133
  356. .А., Ковшиков Н. Г., Оспанов Е. А. Параметрическая регенерация спиновых колебаний пленочного ферромагнитного резонатора СВЧ накачкой II Письма в ЖТФ, 1997, Т.23, №.16, с.82−87.
  357. А., Иванов А., Солдатенков О., Гольман E., Прудан А., Логинов В. СВЧ фазовращатель с планарными конденсаторами на основе пленок титаната стронция II Письма вЖТФ, 1999, том 25, вып. 20, с.78−82.
  358. Miranda F.A., Mueller С.Н., Koepf G.A., Yandrofski R.M. Superconducting / dielectric BaSrTi03/YBa2Cu307.x/LaA103 thin-film multilayer structures // Supercond.SciTechnol. 1995, V.8, P.757−763.
  359. A., Outzourhit A., Trefny J. U., Zhang Z. -H., Barnes F., Cleckler J., Hermann A. M. Fabrication of BaSrTi03 tunable capacitors with Tl2Ba2CaCu20x electrodes UPhysica С, 1994, vol.233, N.3−4, P.387−394
  360. А.Б., Солдатенков О. И., Иванов A.B. Время переключения пла-нарных сегнетоэлектр. конденсаторов на основе пленок титаната стронция и титаната бария-стронция //Письма вЖТФ, 1998, т.24, в.19,с.19−25.
  361. В.И., Щеглов В. И. Набег фазы поверхностных магнитостатических волн, распространяющихся в неоднородно намагниченных ферритовых пленках и структурах феррит-металл // Письма в ЖТФ, 1999, том 25, вып. 4, С. 79−84
  362. Kaunisto R., Stadius К. and Porra A.V.: Active MMIC filters with negative resistance compensation // Electronics Lett., 1998, 34, (12), pp. 1236−1237
  363. К Карманенко С. Ф., Семенов A.A., Мелков A.A., Исаков Н. Н., Васькевич Я. Исследование дисперсионных характеристик магнитостатических волн, распространяющихся на границе феррит-перовскитный слой // Письма в ЖТФ, 2000, т.26, вып. 20, с. 60−67
  364. Kalinikos B.A., Kozhus' N.V., Zhuravlev A.V. Theory and computer aided design of ferrite-film magnetostetic wave devices // Digests of Internetional Magnetics Conference, Stockholm, Sweden, April 13−16, 1993, p. AE-01.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!