Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка плазмохимических методов получения полупроводниковых карбидных и нитридных пленок и порошков

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены на конференции молодых ученых, посвященной 80-летию академика М. С. Осими (Душанбе, 2000 г.) — научной конференции молодых ученых, посвященной 50-летию АН РТ (Душанбе, 2001 г.) — научной конференции, посвященной 1000-летию Н. Хусрава (Курган-Тюбе, 2003 г.) — научно-практической конференции «Год пресной воды» (Курган-Тюбе, 2004 г… Читать ещё >

Разработка плазмохимических методов получения полупроводниковых карбидных и нитридных пленок и порошков (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Состояние вопроса
    • 1. 1. Применение низкотемпературной плазмы для генерации химически активных частиц
    • 1. 2. Каталитический способ генерации химических активных частиц
    • 1. 3. Методы формирования и физико-химические свойства высокодисперсных порошков металлических и полупроводниковых элементов
    • 1. 4. О возможности применения хлоридов и сульфидов для получения тонких пленок
  • Глава II. Изыскание возможности использования механизмов разложения некондиционного гидрида алюминия в получении полупроводниковых пленок и порошков
    • 2. 1. Описание плазмохимической установки
    • 2. 2. Математическое описание механизмов образования и разложения гидрида алюминия
    • 2. 3. Исследование роли гидрида алюминия в осуществлении химических реакций образования мелкодисперсных порошков антимонида индия
    • 2. 4. Особенности формирования высокодисперсных порошков сульфида свинца
  • Глава III. Гомогенная и гетерогенная химическая реакция образования металлических нитридных пленок и порошков
    • 3. 1. Описание вакуумной установки
    • 3. 2. Получение и исследование металлических частиц алюминия и их стабилизация бензолом
    • 3. 3. Гомогенная реакция аммиака и паров хлорида алюминия в потоке плазмы и получения пленок нитрида алюминия
    • 3. 4. Математическая модель процесса получения тонких пленок в вакууме методом испарения
    • 3. 5. Гетерогенная химическая реакция получения порошков карбида бора
  • Выводы

Актуальность темы

В последнее десятилетие двадцатого столетия получили широкое развитие экспериментальные исследования плазмы, связанные со многими важными проблемами: управляемого термоядерно1 о синтеза, создание плазменных преобразователей энергии, плазменных двигателей, разработка плазменных генераторов и др.

В микроэлектронике обработка материалов «холодной» плазмой дала возможность получить пленочные элементы микросхем, которые обладают новыми уникальными свойствами.

Ныне, при создании тонкопленочных материалов, все больше используются процессы травления материалов химически активными частицами, генерируемыми в потоке низкотемпературной плазмы газовых разрядов.

Одним из высокоэффективных способов генерации атомов водорода, широко применяемым для решения многих фундаментальных и прикладных проблем, является диссоциация водорода в низкотемпературной плазме газового разряда.

Генерация атомов водорода в плазме газового разряда используется для организации гетерогенных процессов формирования тонких пленок и твердофазных химических реакций получения высокодисперсных, металлических, сульфидных и карбидных порошков. Использование хлоридов металлов, как исходного реагента для получения металлических пленок, прежде всего обусловлено тем, что гетерогенная химическая реакция атомов водорода с хлоридами энергетически выгодна, протекает в более мягких условиях, и не наблюдается загрязнения пленок побочными продуктами реакции.

Следует отметить, что низкая температура травления и возгонки большинства хлоридов металлов заставляет проводить гетерогенные химические реакции при строгом учете количества попадающих атомов и, соответственно, энергии, вносимой ими в обрабатываемый материал.

Одной из отличительных особенностей процессов, протекающих в низкотемпературной плазме газового разряда, является возможность регулирования количества попадающих атомов и энергии, вносимой ими в материал, путем варьирования геометрии плазмохимического реактора, электрических величин разряда и месторасположения материала относительно центра плазмы. Это позволяет без дополнительных экспериментальных исследований, путем моделирования гетерогенных процессов, определять оптимальные условия получения пленок с различными физико-химическими свойствами.

Цель работы заключается в разработке плазмохимических методов получения полупроводниковых соединений АШВУ и А1УВУ1, тонких пленок нитрида алюминия, стабилизации малых металлических частиц в органической матрице и получении порошков карбида бора с инициированием атомов водорода.

Для реализации цели поставлены следующие задачи:

— исследование роли гидрида алюминия в осуществлении химических реакций образования мелкодисперсных порошков антимонида индия с применением инициированных атомов водорода в потоке плазмы;

— исследование гомогенной реакции аммиака, паров хлорида алюминия в потоке плазмы и получение пленок нитрида алюминия;

— получение порошков карбида бора с помощью гетерогенной химической реакции;

— разработка методов пассивации и стабилизации малых металлических частиц алюминия с применением бензола.

Научная новизна работы:

— установлен существенный вклад атомов водорода и гидрида алюминия в образование полупроводниковых порошков, А В и.

— показано, что бензол при низких температурах может быть использован как стабилизирующая среда для сохранения малых металлических частиц алюминия от окисления;

— обнаружено существенное влияние концентрации аммиака в реакционной зоне на фазовый состав и структуру пленок нитрида алюминия;

— изыскана возможность получения порошков карбида бора инициированием водородом твердофазной реакции ангидрида бора с углеродом.

Практическая значимость работы. Разработан принципиально новый способ получения полупроводниковых пленок и порошков путем осуществления твердофазных реакций при активном участии атомов водорода и некондиционного гидрида алюминия.

Установлена существенная роль гомогенной и гетерогенной химических реакций в образовании металлических, нитридных и карбидных пленок и порошков.

Основные положения, выносимые на защиту:

— результаты исследований роли гидрида алюминия в проведении химических реакций образования мелкодисперсных порошков антимонида индия;

— результаты исследований по формированию высокодисперсных порошков сульфида свинца;

— результаты исследований получения металлических частиц алюминия и их стабилизация бензолом;

— результаты исследований гомогенной реакции аммиака и паров хлорида алюминия в потоке плазмы и получение пленки нитрида алюминия;

— результаты исследований гетерогенной химической реакции получения порошка карбида бора.

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены на конференции молодых ученых, посвященной 80-летию академика М. С. Осими (Душанбе, 2000 г.) — научной конференции молодых ученых, посвященной 50-летию АН РТ (Душанбе, 2001 г.) — научной конференции, посвященной 1000-летию Н. Хусрава (Курган-Тюбе, 2003 г.) — научно-практической конференции «Год пресной воды» (Курган-Тюбе, 2004 г.).

Публикации. По результатам исследований опубликовано 4 статьи и тезис доклада.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, общих выводов, списка библиографических названий, включающего 133 публикации, изложена на 94 страницах компьютерного набора, содержит 4 таблицы и 16 рисунков.

выводы.

1. Показано существенная роль атомов водорода и некондиционного гидрида алюминия в осуществлении гетерогенных реакций получения мелкодисперсных порошков антимонида индия.

2. Установлена доминирующая роль летучих водородсодержащих соединений в протекании химических реакций на границе фаз и формирования высокодисперсных порошков А1У ВУ1 (сульфида свинца).

3. Предложен метод получения и стабилизация ультрадисперсных частиц алюминия путем осаждения их в замороженном бензоле.

4. Разработан плазмохимический метод получения дисперсных порошков карбида бора и нитрида алюминия, соответственно, с инициированием водородом твердофазной реакции ангидрида бора и углерода и гомогенной реакции аммиака и паров хлорида алюминия в потоке плазмы.

5. Установлены механизмы регулирования состава и свойств карбидных и нитридных порошков путем изменения параметров низкотемпературной плазмы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Кинетика и термодинамика химических реакций в низкотемпературной плазме / Под.ред. Л. С. Полака. — М.: Наука, 1965. -С.254
  2. Очерки физики и химии низкотемпературной плазмы /Под.ред. Л. С. Полака.-М.: Наука, 1971. С. 434.
  3. Моделирование и методы расчета физико-химических процессов в низкотемпературной плазме / Под.ред. Л. С. Полака М.: Наука. 1973. -С.272.
  4. Плазменные процессы в металлургии и технологии неорганических материалов: Сб. статей к 70-летию акад. Н. Н. Рыкалина. М.: Наука, 1971. -С. 142.
  5. Л.С., Овсяников A.A., Словецкий Д. И., Вурзель Ф. Б. Теоретическая и прикладная плазмохимия. М.: Наука, 1975.-С.304.
  6. С.Н., Пархоменко В. Д. Получение связанного азота в плазме. Киев: В ища, 1976.-С. 196.
  7. Ю.Н., Коган Я. Д. Азотирование стали. М.: Наука, 1977. С. 316.
  8. Плазмохимические реакции и процессы / Под. ред. Л. С. Полака. -М.: Наука. 1977.-С.316.
  9. Химические реакции в низкотемпературной плазме: Сб. статей / Под. ред. Л. С. Полака М.: Ин-т нефтехимического синтеза им. Топчиева A.B. АН СССР 1977. -С.201.
  10. Химия плазмы: Сб. статей /Под. ред. Б. М. Смирнова. М.: Атом-издат, 1974. Вып. 1. С.304- Вып. 2. — С.208- - 1976, Вып. 3. — С.302- - 1977, Вып. 4. — С.222- - 1978, Вып.5. — С.328.
  11. Reaction under Plasma Conditions /Ed. M. Venugopalan New-York: Wiley Intersci., 1071. vol.112.
  12. Technics and Applications of Plasma Chemistry /Ed. J.R. Hollahan, Washington, New-York: Wiley Interci 1974.-P.403.
  13. Пшежецкий С. Я Механизм и кинетика радиационно-химических реакции. М.: Химия, 1968.-С.368.
  14. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Т.5. 4.2. Статфизика.-М.: Наука, 1986.-С.341.
  15. Термические константы веществ: Справочник. В Л. /Под ред. Глушко В.М.-М.: ВИНИТИ, 1965.-С.26.
  16. А.И., Светцов В. И., Сизов В. Д., Соколов В. Ф. Диссоциация молекул и механизм тлеющего разряда в молекулярных газах / Плазмохимия 71.-М., 1971.-С.100.
  17. Jeffers W.Q. Wiswall С.Е. Dissociation of gas molecule in the RF-plasma //J.Quant/ Electr. -1974. -V.10. -P.861−864.
  18. М.Г., Марусин B.B. Исследование безэлектродного высокочастотного емкостного разряда в азоте при средних давлениях // Теория электрической дуги в условиях вынужденного теплообмена // -Новосибирск: Наука, 1977.-С.254−269.
  19. Rapp D., Englander-Golden P., Briglia D.D. Cross Sections for Dissociative Ionization of Molecules by Electron Impact // J. Chem. Phys. 1965. -V.42, N 12.-P. 4081−4085.
  20. Ajello I.M. Emission Cross Sections of C02 the Vacuum Ultra-violet by Electron Impact // J. Chem. Phys. 1971. -V.55, — P. 3156−3162.
  21. Fite W.L., Braccmann R.T. Collisions of Electrons with Hydrogen atoms. II. Excitation of Lyman-Alpha Radiation // Phys. Rev. -1958. -V.l 12, N 4. -P. 1151−1156.
  22. Vroom D.A., De Heer F.J. Production of Excited Hydrogen Atoms by Impact of Fast Electrons on Water Vapor // J. Chem. Phys. 1969. -V.50, N 4.-P. 1883−1887.
  23. Freund R.S. Registration of Metastabile Product of Electron Exitations by Method Second Electron Emission // J. Chem. Phys. 1971. -V.54. — P. 3125−3130.
  24. Vroom D.A., De Heer F.J. Registration of Metastabile Atoms by Radiation Called Field. //J. Chem. Phys. 1969. -V.50. — P. 580−584.
  25. Д.И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме. М.: Наука, 1980. С. 310.
  26. Trajmar S., Kupperman A. Exitation of Molecule Hydrogen by Electron Impact and Calculation of Cross Section this Process // J. Chem. Phys. -1968.-V.49.-P. 5464−5468.
  27. Д.И. Диссоциация молекул электронным ударом \ Химия плазмы. Вып. 1. / Под ред. Смирнова М. Б. М.: Атомиздат, 1974. -С. 156−202.
  28. Clampitt R., Newton A.S. Metastable Species Produced by Electron Excitation of N2, H2, N20 and C02 // J. Chem. Phys. 1969. -V.50. N 5. — P. 1997−2001.
  29. Khare S.P. Excitation of Hydrogen Molecule by Electron Impact. III. Singlet-Triplet Excitation // Phys. Rew. 1967. -V.l57. N 1. — P. 107−112.
  30. Corrigan S.J.B. Dissociation of Molecular Hydrogen by Electron Impact. // J. Chem. Phys. 1965. -V.43. N 12. — P. 4381−4386.
  31. B.A. Рекомбинация атомов водорода на поверхностях твердых тел. Киев: Наукова думка. 1973. — С.204.
  32. С.З. Химическая кинетика и цепные реакции. М.: Наука, -1966.-С.483.
  33. В.В., Электронные явления в катализе и адсорбции. М.: Изд-во АН СССР. 1957. — С.97.
  34. И.Ш., Хакимова Н. У., Шерматов Н. // Взаимодействие атомов водорода с сульфатом натрия// Физика и химия обработ. материалов 1996 № 2. — С.94−97.
  35. Е.Б., Пономаров А. Н., Талрозе В. Д. Изучение вероятности рекомбинации атомарного водорода на различных поверхностях при низких концентрациях атомов в газовой фазе //Кинетика и катализ: 1966. Т.7.№ 2. С.577−582.
  36. Э.И., Мясников И. А. и др. Анализатор атомарного кислорода с полупроводниковыми чувствительными элементами для исследования верхней атмосферы земли // Приборы и техника эксперимента. -1981 .-№ 3. С.177−180.
  37. Fliaslorne. Measurement of atomic concentration in discharged nitrogen, oxygen and hydrogen //J/Chem/Phis-1996.V.44 № 90. P.3810−3815.
  38. Э.И., Аширов P.X., Василев.Р.Х., Марковец B. B / К вопросу об измерении коэффициента диффузии атомарного водорода / теплофизика высоких температур.- 1979.Т. 17 .№ 5. С.912−915.
  39. Rong Peter R., Hangen D.D. Theory of the origin of the internal rotation barrier in the Ethane molecule//J.Chem.Phis.-1966.V.44, № 6. P. 15 251 545.
  40. B.B., Шавард.А.А., Гусак Б. Л., Интезарова Е. И. // Докл. АН СССР. 1975. -Т.224, № 4. — С.941−943.
  41. A.B., Лавренко A.B. Метод определения степени атомиза-ции газа в потоке и каталитической эффективности металлических поверхностей в процессах рекомбинации атомов //Докл. АН СССР. -1965. Т. 160, № 2. — С.398−401.
  42. Jeffers W.Q., WisWall С.Е. Dissociation of gas molecule in the RF-phsmn Quant. Electr/ 1974. V/10. P.861−864.
  43. Шоу Т. Применение электрического разряда для получения радикалов. В кн.: Образование и стабилизация свободных разрядов. М.: ИЛ. 1962. -С.65−84.
  44. В.В., Воронин А. П., Ляхов Н. З. Неорганические реакции в мощных пучках ускоренных электронов // Журн. Всесоюз. хим. об-ва им. Д. И. Менделеева, 1990. Т-35, № 5. -С.540−545.
  45. К.В. Бюро переводов ВИНИТИ. Перевод № 6 363 317, 1967.
  46. Н.И., Звягинцев А. В. Использование безэлектродного емкостного ВЧ-плазмотрона для нанесения тугоплавких диэлектрических покрытый- //Тештофиз. выс. температур. 1976. Т.Н. № 4.-С.853−865.
  47. Р.В. Безэлектродные высокочастотные разряды при высоких давлениях. В кн.: Теория электрической дуги в условиях вынужденного теплообмена. Под.ред. М. Ф. Жукова. Новосибирск: Наука, 1977. -С.289−304.
  48. Дж. Изучение влияния расстояния между пальцевыми электродами на эффект Джоши в высокочастотном разряде в парах йода //Ж. Физ. хим. 1981 Т. Н. Вып.2. С.576−592.
  49. А.В., Митин Р. В., Прядки К. К. Безэлектродные емкостные разряды дугового типа//Ж. Тех.физики. 1975. Т.45. Вып.2. С.278−285
  50. К.А. Использование высокочастотного безэлектродного разряда при эмиссионном спектральном анализе растворов //Ж. Прикл. спектроскопии. 1967. Т.6. Вып. I. С. 168−172.
  51. Современное состояние электроприборостроения по материалам VII Международного конгресса по электротермии. Дуговой нагрев и новые вин, нагрева (Обзорная информация). Под. ред. А. П. Алытаузена. М.1975.
  52. Ю.И. Автореф. дисс. докт. физ-мат. наук, М.: ИХФ АН СССР, 1987.-С.47.
  53. В.Ф. Механизм гетерогенной рекомбинации атомов водорода на поверхности твердых тел // Ж. Физ. химии. 1992. Т.66. Вып.З. -С.806−808.
  54. А.А., Лисецкий В. И., Савельев Г. Г. / Поверхность. Физика, химия, механика. 1998, № 4. С.29−32.
  55. В.Ф., Лисецкий В. И., Савельев Г. Г. Динамический эффект рекомбинации атомов водорода на поверхности полупроводников // Хим. физика. -1990. Т.9, № 5. — С.603−610.
  56. Ф.Ф., Горбань А. Н., Соколов В. А. Радикалорекомбина-ционная люминесценция полупроводников. -М.: Наука, 1976. С. 286.
  57. В.П., Горбань А. Н., Корнич Б. Г. Некоторые эффекты, стимулированные рекомбинацией атомов на поверхности твердых тел // Ж. тех. физики. -1974. -Т.44. № 6. С. 1287−1291.
  58. В.П., Горбань А. Н., Корнич Б. Г. О фигурах травления на некоторых полупроводниках при воздействии атомарного водорода // Укр. физ. журн. -1975. -Т.20. № 11. -С.1891−1835.
  59. Н. М. Горбань А.Н. Хемомагнитный эффект в германии // Физика тонких пленок. 1976. -Т. 10, № 1. — С.66−69.
  60. И.Ш., Мирсаидов У. Роль атомарного водорода в процессе испарения металлов // Докл. АН Тадж. ССР. 1986. — Т.29, № 8. -С.475−478.
  61. И.Ш., Мирсаидов У. Влияние давления водорода на степень гидрирования кобальта // Докл. АН Тадж. ССР. 1986. — Т.29, № 7. -С.419−421.
  62. И.Ш., Мирсаидов У. Электропроводность гидридных пленок железа // Докл. АН Тадж. ССР. 1988. — Т.31, № 8. — С.531−533.
  63. И.Ш., Мирсаидов У. Влияние растворенного водорода на формирование микроструктуры пленок кобальта // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. мат-лы. 1991. -Т.27, № 5. -С.960−962.
  64. И.Ш., Натейкина Е. В., Мирсаидов У., Шерматов Н. Плазмо-химическое восстановление хлорида железа атомами водорода // Физика и хим. обр. мат-лов. 1991, —№ 1. — С.143−146.
  65. Bernard J. Wood, Wise Н. Kinetics of Hydrogen atom recombination on surfaces // J. Chem. Phys. 1961. -V.65. — P. 1976−1983.
  66. A.H., Матюшин B.M., Пинчук В. П. Диффузия меди в германии при рекомбинации на его поверхности атомов водорода из низкотемпературной плазмы // Тез. докл. Ш Всесоюз. симп. по плазмохи-мии. Москва, 24−27 ноября 1979. — М.: Наука, 1979. — С.29−31.
  67. И.А., Григорьев Е. И., Цавенко В. И. Электронно-возбужденные атомы и молекулы в системах твердое тело газ // Успехи химии.- 1986.-Т.55, вып. 3.-С.161−190.
  68. И.А. Физическая химия. Современные проблемы. М.: Химия, 1984.-С.212.
  69. М.А. Теоретические проблемы химической физики. М.: Наука, 1982.-238с.
  70. И.Ш. Роль водорода в твердофазной реакции образования сульфида кадмия //Неорганические материалы. 1992. — Т.28, № 8. — С. 1800−1802.
  71. М.А., Кустарев В. Г., Шуб Б.Р. Гетерогенная релаксация колебательной энергии молекул на металлах // Докл. АН СССР. -1977.-Т. 237.-С.871−873.
  72. В.Ф., Тюрин Ю. И., Стыров В. В., Кабанский А. Е. Механизмы и эффективность электронного возбуждения полупроводников в актах химических превращений на поверхности // Теор. и эксперим. химия. 1978. — Т. 14, № 6. — С.788−7957.
  73. Gordon R.I., Hau D.S.Y., Lee Y.T., Herschbuch D.R. Detection of hydrogen atom beams by stimulated surface ionization // J. Chem. Phys. 1975. -V.63.-P. 5056−5058.
  74. B.B., Харламов В. Ф. Радикалорекомбинационная эмиссия электронов и отрицательных ионов с поверхности твердого тела // Ж. физ. химии. -1975. -Т.49. № 4. С.976−982.
  75. В.Г., Пинчук В. П., Горбань А. Н. Распыление цинк-сульфидных фосфоров при возбуждении радикалорекомбинационной люминесценции атомарным водородом // Изв. ВУЗов. Физика. 1975. -№ 3.-С. 107−110.
  76. В.И., Чеснокова Т. А., Садина И. Ю. Травление арседина галлия в тлеющем разряде водорода // Изв. ВУЗов. Химия и хим. техн. -1987.-Т. 30, вып. 7-С. 50−53.
  77. В.А., Горбань А. Н. Люминесценция и адсорбция. М.: Наука, 1968.-С.268.
  78. В.Ф., Стыров В. В., Ильин А. П., Горфункель И. З. Электронно-дырочный механизм разложения сульфида цинка в атмосфере водорода // Изв. ВУЗов. Физика. 1976. — № 10. — С. 42−46.
  79. Г. В., Мясников И. А. О взаимодействии молекул и атомов кислорода с окислами металлов // Докл. АН СССР. 1974. — Т. 217, № 4.-С. 859−861.
  80. В.В. Об ассоциативном замещении продукта исходным веществом в гетерогенных каталитических реакциях // ДАН СССР. -1974. Т. 217, № 4. — С.872−875.
  81. Т.А. Кандидатская диссертация. М.: 1976. — С.21.
  82. К. Теоретические основы органической химии. М.: Наука. -1973.-С.120.
  83. А.Н., Швец. Ю. А. Влияние атомарных газов из низкотемпературной плазмы на параметры транзисторных структур / Тез. докл. III Всесоюз. симпозиума по плазмохимии. М.: Наука. — 1979. — С.288.
  84. Э. Сверхвысокий вакуум. М.: Мир. 1966. С.213−216.
  85. Antonangeli R., Balzarottin., et al. Influence of the hydrogenation on the electrical resistance of palladium thin films Phys. Stat. Sol. (a). 1977. -V.42, № 1. — P. K41-K43.
  86. Squelard S., Zelama k., Germain P. Crystallization of phosphorus-doped amorphous silicon films prepared by glow discharbe decomposition of si-lane//Rev. Phys. Appl. 1981.-V. 16, № 12.-P.657−662.
  87. С.M. Метод Монте-Карло и смежные вопросы. Изд.2, М.: Наука, 1975.-С.472.
  88. А. А Исследование ВЧ разряда в азоте с добавками алюминия // Низкотемпературная плазма в технологии неорганических веществ. — Новосибирск, 1971. — С.25−28.
  89. Long G., Foster L. Aluminum hitzide a refractory for aluminum to 2000°C//j am ceram sjc-1959v 42 № 2. P.53−59.
  90. Matsumoto О shirato Y studieson nitrides formation du mens of nitrogen plasma jet//j. Elektrochem. Soc.jopan. -1969.-V. 37, № 4. — P.151−180.
  91. Зяткевич Д. Г, Макаренко Н. и др. // Получение дисперсного порошка нитрида алюминия // Порошковая металлургия.-1977-№ 10. С. 1−5.
  92. Мерсон Г. А.// Современные проблемы порошковой металлургии. -Киев: Наук. думка, 1970. -С.38−53.
  93. И.Ш.Норматов, З. Х. Гайбуллаева, У.Мирсаидов. О плазмохимическом способе получения гидрида кальция и возможности использования этого процесса для восстановления оксида алюминия // Журн. Прикл. химии. Вып.4. Т.65. С.916−919.
  94. Мак В. Т. Стимулированная облучением диффузия меди в поликристаллическим плёнках CdS // Неорган, материалы.-1996.-Т.32, № 10. -С.1184−1186.
  95. Hsieh Н. С The effect of Cu diffusion in Cu2S Hteroiunction solar Cell //J/APPL /phys-1982. -V.53, № 7. P. 1727−1733.
  96. Маркевич М. И, Пискунов Ф. А. Чапланов A.M. Активация окисления пленок хрома лазерным изучением // Неорган, материалы. 1996. -Т.32, № 10. — С.1220−1224.
  97. И.А. Исследование гетерогенных химических процессов на границе твёрдое тело-газ //ДАН СССР. 1958. Т. 120. С. 1298−1301.
  98. В.И., Мясников И. А. Исследование промежуточных активных частиц в химически газовых реакциях методом полупроводниковых зондов //Журн. Физ.химии. 1965. Т.39. С.2376−2379.
  99. Ф.Ф., Горбань А. Н., Соколов В. А. Радикало-рекомби-национная люминесценция полупроводников. М.: Наука. 1976. -С.286.
  100. Ю.В., Панфилов С. А. Низкотемпературная плазма в процессах восстановления. М.: Наука, 1980. — С.67−98.
  101. И.Ш., Александров А. П., Петинов В. И. Микроструктура и электропроводность высокодисперсных пленок гидрида никеля // Изв.АН.СССР. сер.физ.1986. Т-150. № 8. С.1654−1656.
  102. И.Ш., Пулатов М. С., Алиев X., Мирсаидов У. Влияние магнитного поля на формирования структуры пленок железа в процессе их получения //Журн. Физ.химии. 1989. Т36. -С.1639−1641.
  103. И.Ш. Исследование влияния водорода на твердофазную реакцию образования дисульфида никеля. Неорган, материал. 1992.Т.28 № 5.-С. 1087−1090.
  104. Д.И. Диссоциация молекул электродным ударом // Химия плазмы. Вып 1. Под.ред. Смирнова Б. М. М.: Атом издат., 1974. -С. 166.
  105. В.К., Емелянов Ю. М., Диагностика неравновесной химический активной плазмы : энергоатомиздат., 1974.-С. 166.
  106. Ю.В., Емелянов Ю. М., Самойлович В. Г. Оценка соотношения кинетических констант элементарного процессам химии высоких энергий. М.: Наука, 1965. — С.79.
  107. В.А. Рекомбинации атомов водорода на поверхности твердых тел. Киев: Наук. думка, 1962. С. 76.
  108. И.Д., Фруман A.A., Шолин Г. В. Синтез окислов азота в неравновесных плазмохимических системах // Химия плазмы. М. 1978. вып.5.-С.222−241.
  109. И.Ш., Мирсаидов У., Шерматов Н., Холиков Н. Ш. Механизм формирования тонких пленок при плазмохимическом восстановлении хлорида алюминия. Неорг. материал, 1993, Т.29, № 6. -С.847−849.
  110. Reinberg A.R. Plasma deposition of inorganic thin films //Ann. Rev. Mat.Sci. 1979. V.9.-P.341−372.
  111. Hess D.W. Plasma enhanced CVD: oxides, nitrides, transition metals and transition metal silicates // J. Vac. Sci. Techol. A. 1984. V.2. № 2. -P.244−252.
  112. Veprek S. Plasma induced and plasma assisted chemical vapor deposition //Thin Sol. Films. 1985. V/130. №½. P.135−154.
  113. Shimanoucgi R., Yamamoto Т., Kikkawa Sh., Koizumi M. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of Titanium sulfides //C hem. Lett. 1980.P. 1323−1326.
  114. Souletie P., Bethke S., Wessels B.W., Pan H. Growth and characterization of Heteroepitaxial ZnO thin films by organometallic chemical vapor deposition //J Crys. Growth. 1988. V.86. -P.248−251 2-lk.
  115. Lucovsky G., Tsu D.V. Deposition of Silicon-based dielectrics by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition //J. Crys. Growth. 1988. V.86.-P.804−814.
  116. Takata S., Minami Т., Miyata Т., Nanto H. Growth of I lexagonal ZnS thin films by MOCVD using CS2 gas as a sulfur source //J. Crys. Growth. 1988/ V.86. P.257−262.
  117. И.Ш., Шерматов H., Мирсаидов У. Об особенностях влияния атомарного водорода на плазмохимическое восстановление хлоридов металлов //Физ. и хим.обраб.мат-ов. 1990. № 3. С. 140−141.
  118. И.Ш., Шерматов Н., Мирсаидов У. Спектроскопическое и рентгенофазовое исследование продуктов взаимодействия атомов водорода с хлоридом олова //Физ. и хим.обраб.мат-ов. 1992. № 1. -С.75−77.
  119. Д.И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме. М.: Наука, 1980.-С.310.
  120. Д.Д., Грипков В. Н. и др. О различии форм частиц соединений осаждаемых в объеме газовой фазы.// Докл. АН СССР-1977-Т232.№ 3. -С.573−576.
  121. Д.П., Захожий Н. В. Материалы и изделия, получаемые методом порошковой металлургии. Киев: Наукова думка. 1975. -С. 15−17.
  122. И.Ш., Имомов А. Н., Мирсаидов У. и др. Плазмохимиче-ский метод получения пленок нитридов бора и кремния // Неорг. м-лы,-1999.-Т.35. № 7. С.828−830.
  123. М.Г., Лалыкина В. М., Махарашвили H.A. и др. Анализ бора и его неорганических соединений / Под. ред. Е. Е. Барони. М: Атомиздат. 1965.-С.264.
  124. А.Г., Пашкова О. Н., Шевченко В. Я., Стеблевский A.B. Электрические и фотоэлектрические свойства легированных тонких слоев InSb/АЬОз при 300 К //Неорган, материалы. 1996. Т.32. № 4. -С.З98−404.
  125. И.Ш., Шерматов Н., Хакимова Н. У. и др. О плазмохи-мическом способе получения сульфида лантана //Журн. прикл. химии. 1998. т/71. № 10. С. 1742−1744.
  126. Siegbahn Р.Е.М., Blomberg M.R.A. Theoretical study of activation of C-C Bonds by Transition Metal atoms // J. Am. Chem. Soc. 1992. v. l 14. -P.1048−10 556.
  127. A.B., Север O.B., Губин С. П. и др. Кластеры в полимерной матрице 1. Исследование состава и строения железосодержащих кластеров во фторопластовой матрице // Неорганические материалы. 1994. т.ЗО. № 5. С.678−684.
  128. A.B., Власенко В. Г., Губин С. П. и др. Кластеры в полимерной матрице. 2. Исследование состава и строения железосодержащих кластеров // Неорганические материалы. 1996. т.32. № 4. -С.422−428.
  129. И.Ш., Шерматов II., Мирсаидов У., Имомов Р. Н. Получение наночастиц алюминия в атмосфере водорода и их стабилизация бензолом //Неорганические материалы. 2001. т.37. № 10. -С.1180−1184.
  130. Краснов А. Н, Слепцов В. И. Дуговая плазма в металлургии и металлокерамике // Порошковая металлургия. 1985.№ 1. С.79−82.
  131. Я.П., Убеле И. П., Полчевскис Э. А. и др. Взаимодействие порошков олова и алюминия с высокотемпературным потоком азота // Изд. АН Латв. ССР. 1982. № 5. -С.551−554.
Заполнить форму текущей работой