Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Технологические методики повышения стабильности параметров тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления

Диссертация: Технологические методики повышения стабильности параметров тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В последние десятилетия с развитием космонавтики, оборонной техники и ядерной энергетики появились насыщенные средствами автоматического контроля комплексы оборудования и объекты техники, при эксплуатации которых риск, связанный с метрологическим отказом, значителен. В определенные периоды, например, перед принятием ответственного решения, касающегося управления оборудованием или объектом… Читать ещё >

Технологические методики повышения стабильности параметров тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЩИЕ ВОПРОСЫ РАЗРАБОТКИ КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТЕНЗОРЕЗИ СТОРНЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ
  • Выводы
  • ГЛАВА 2. ПРОЦЕССЫ, ПРОИСХОДЯЩИЕ В ТОНКОПЛЕНОЧНОМ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОМ ЧУВСТВИТЕЛЬНОМ ЭЛЕМЕНТЕ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ
    • 2. 1. Анализ причин нестабильности параметров тонкопленочных тензорезисторов
    • 2. 2. Анализ толщины и состава реальной тонкопленочной гетероструктуры на чувствительном элементе тензорезисторного тонкопленочного
    • 2. 3. Процессы образования тонких резистивных пленок
    • 2. 4. Выбор физико-математической модели электропроводности и температурного коэффициента сопротивления тонкой пленки
    • 2. 5. Выбор физико-математической модели тензочувствительности тонкой пленки
    • 2. 6. Механизм образования дефекта в тонкопленочной гетерострукту
  • Выводы
    • 3. 2. Модель воздействия импульсной токовой нагрузки на тонкопленочный тензорезистор и тензомост
    • 3. 3. Разработка методики применения импульсной токовой отбраковки для реальной тонкопленочной гетероструктуры на чувствительном элементе тензорезисторного тонкопленочного датчика давления
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. ВНЕДРЕНИЕ МЕТОДИКИ ПОВЫШЕНИЯ СТАБИЛЬНОСТИ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ
    • 4. Л Внедрение методики импульсной токовой отбраковки в технологию изготовления реальных чувствительных элементов тензорезисторных тонкопленочных датчиков давления
      • 4. 2. Результаты изготовления и эксплуатации тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления с импульсной токовой отбраковкой тензосхе
  • Выводы

В последние десятилетия с развитием космонавтики, оборонной техники и ядерной энергетики появились насыщенные средствами автоматического контроля комплексы оборудования и объекты техники, при эксплуатации которых риск, связанный с метрологическим отказом, значителен. В определенные периоды, например, перед принятием ответственного решения, касающегося управления оборудованием или объектом техники, такой риск возрастает до крайней степени. Ошибочность информации, поступающей от датчиков на объекте, может повлечь крупные материальные потери, многочисленные человеческие жертвы. При этом доступ персонала для калибровки датчиков практически исключен на протяжении всего непрерывного технологического цикла (например, в ядерной энергетике) или вообще невозможен в случае пребывания объекта в космическом пространстве.

Особенностью работы датчиков на объектах техники с многолетним сроком эксплуатации является накопление последствий воздействия на них внешних факторов, например, проявление усталости металла в упругих чувствительных элементах, изменение свойств тонкопленочных гетероструктур под воздействием проникающего излучения и т. д. Эти последствия и скорость их нарастания зависят от места установки датчика и реального режима эксплуатации объекта техники. Как правило, эти последствия неконтроли-руемы и могут прогнозироваться лишь очень ориентировочно.

В настоящее время основную роль в системах контроля параметров энергетических установок изделий ракетно-космической техники (РКТ) играет датчиковая аппаратура в микроэлектронном исполнении. Одним из средств измерений (СИ) являются тонкопленочные тензорезисторные датчики давления (ДЦ), предназначенные для преобразования давления рабочих сред в энергетических установках изделий РКТ в электрический сигнал и выдачи информации в систему телеметрических измерений (СТИ) или систему автоматического управления (САУ). К ним предъявляются достаточно жесткие требования:

— надёжность в эксплуатации с вероятностью безотказной работы не менее 0,99;

— стабильность метрологических характеристик в условиях эксплуатации и длительного хранения (до 20 лет);

— устойчивость к воздействию рабочих сред (газообразного и жидкого кислорода, водорода, гелия, ракетного топлива);

— сохранение работоспособности при воздействии внешних дестабилизирующих факторов — температуры измеряемой среды от минус 250 до +100°Сперегрузочного давления на мембрану до ЗР&bdquo— пониженного давления окружающей среды до 133×10″ 3Паотносительной влажности до 95% при 40°Сперепадов температуры внешней среды в диапазоне от минус 60 до +150°Свибраций и ударов.

Опыт эксплуатации ДД на изделиях РКТ показал высокую эффективность использования тонкопленочных тензорезисторных чувствительных элементов (ЧЭ) для них в СТИ и САУ энергетических установок за счет высокой чувствительности и надежности, малых габаритов и массы.

Перспективы развития РКТ, определенные в Федеральной космической программе России на период до 2015 года, предусматривают создание нового поколения ракет носителей и ракетных двигателей для них. Конструкции и режимы работ ракетных двигателей нового поколения требуют создания более надежных ДД для жестких условий эксплуатации при длительных сроках эксплуатации и хранения.

Опыт разработки, изготовления и эксплуатации тонкопленочных тензорезисторных ДД, созданных в 70 — 80-х годах прошлого века, показал наличие у них больших потенциальных возможностей. Актуальной задачей является разработка технологических методов повышения стабильности параметров тонкопленочных тензорезисторных ДД.

Теоретические предпосылки к решению этой проблемы созданы трудами отечественных ученых: Осадчего Е. П., Мокрова Е. А., Ваганова В. И., Тихонова А. И., Тихоненкова В. А., Зеленцова 10. А., Лебедева Д. В., Семенова В. А., Печерской Р. М., Васильева В. А., Аверина И. А. и других авторов. В то же время, в научно-технической литературе недостаточно отражены особенности разработки конструкции и технологии изготовления тонкопленочных тензорезисторных ДД для изделий РКТ. Требуется систематизация технологических методов повышения их надежности, необходимо сконцентрировать усилия на разработке простых, надежных и универсальных методов повышения их стабильности во времени и надёжности.

В связи с высокой стоимостью и трудоемкостью изготовления тонкопленочных тензорезисторных ДД необходимо разработать и реализовать методы отбраковки потенциально ненадежных ЧЭ.

Цель работы.

Целью работы является разработка и внедрение в производство технологических методик повышения стабильности параметров тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления на ранних стадиях их изготовления.

Задачи диссертационной работы.

Поставленная цель достигается решением следующих задач:

— исследованием методов и средств повышения стабильности параметров тонко плен очных тензорезисторных датчиков давления на ранних стадиях их изготовления;

— исследованием механизмов образования тонких резистивных пленок, их электропроводности, температурного коэффициента сопротивления и тензочувст-вительности;

— корректировкой механизма дефектообразования в тонкопленочной гетероструктуре;

— разработкой физико-математической модели расчета допустимой величины импульсного напряжения на тонкопленочном тензорезисторе с учетом его коэффициента тензочувствительности и величины относительной деформации при подаче номинального давления на мембрану датчика;

— разработкой методики импульсной токовой отбраковки тонкопленочных гетероструктур;

— проведением экспериментальных исследований по влиянию импульсной токовой отбраковки на свойства тонкопленочных гетероструктур чувствительных элементов тензорезисторных тонкопленочных датчиков давления;

— отработкой и внедрением методики применения импульсной токовой отбраковки по обоснованным критериям для существующих и вновь разрабатываемых датчиков давления;

— оценкой результатов изготовления и эксплуатации тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления с импульсной токовой отбраковкой' тензосхемы.

Методы исследований.

Использованы основные положения физики тонких пленок, теории конденсации тонких пленок и методы математического моделирования физических процессов в тонкопленочной гетероструктуре.

Экспериментальные исследования базировались на положениях теории измерений, планировании эксперимента и статистической обработке полученных результатов.

Научная новизна работы.

1. Систематизированы технологические методы повышения стабильности параметров тонкопленочных тензорезисторных чувствительных элементов датчиков давления, что позволило выявить критические для качества датчиков технологические процессы разработать методики управления ими и принять меры по повышению их управляемости и стабильности, в результате чего повышено качество и надежность датчиков,.

2. Уточнены механизмы дефектообразования в тонкопленочной гете-роструктуре на чувствительном элементе тонкопленочного тензорезисторно-го датчика давления, что обеспечило установление корреляционных зависимостей между скоростью изменения начального выходного сигнала при импульсной токовой отбраковке и уровнем изменения этой величины при дальнейшей сборке датчика,.

3. Установлены режимы импульсной токовой ступенчатой отбраковки потенциально нестабильных чувствительных элементов датчиков по обоснованным критериям, что обеспечило снижение отказов датчиков давления по нестабильности начального выходного сигнала.

На защиту выносится.

1. Технологические методики изготовления тонкопленочных тензо резисторных чувствительных элементов на ранних стадиях изготовления, критерии для повышения стабильности параметров тонкопленочных тензоре-зисторных чувствительных элементов,.

2. Методика импульсной токовой отбраковки тонкопленочной гете-роструктуры для конструктивных вариантов чувствительных элементов датчиков давления,.

3. Результаты статистической обработки выходных параметров датчиков давления по итогам применения методики импульсной токовой отбраковки в производстве.

Практическая значимость.

Работа обобщает теоретические и экспериментальные исследования, проведенные автором в ФГУП «НИИ физических измерений», и способствует решению актуальной научно-технической задачи — созданию технологических методов повышения стабильности параметров тонкопленочных тензорезисторных ДЦ на ранних стадиях их изготовления. Проведенные теоретические и экспериментальные исследования позволили перейти к промышленному применению вновь разработанной методики в производстве. Научная и практическая значимость исследований подтверждается тем, что работа проводилась в рамках Федеральной космической программы России 2000 — 2005 гг. при выполнении ОКР «Сиалон» «Разработка и освоение комплекса базовых технологических процессов изготовления чувствительных элементов датчиков давления нового поколения с применением комбинированной интегрально-пленочной технологии».

С января 1999 года по март 2001 года проводились экспериментальные исследования по отработке, опробованию и внедрению методики импульсной токовой отбраковки. Были проведены типовые испытания датчиков Вт 206 и Вт 212, изготовленных с применением вновь разработанной методики, и выпущен Отчет № 73 O-l 11/600 от 13.03.2001 г., в котором было принято решение о внедрении этой методики в конструкторскую и технологическую документацию на эти датчики.

Разработана, отработана и внедрена в опытном производстве (Акт внедрения № 81/600 от 11.12.2001) ФГУП «НИИ физических измерений» технологическая инструкция ТИ 783.25 000.00155 «Методика импульсной токовой отбраковки тонкопленочных тензорезисторных ЧЭ датчиков давления».

В 2007 году был проведен анализ результатов изготовления датчиков Вт 206 и Вт 212 с применением методики импульсной токовой отбраковки и выпущены два отчета (Отчет № 3 О 108/600 от 24.04.2007 и Отчет № 75 О 301/600 от 20.08.2007, инв. № 2017) по оценке результатов изготовления и эксплуатации тонкопленочных тензорезисторных датчиков с использованием методов математической статистики.

Результаты работы внедрены в технологические процессы изготовления ДЦ: ТИ 783.25 000.00155- ТП 583.1 188.00007- ТП 783.2 100.00817- ТП 583.1 188.00092- ТП 583.1 188.00089.

Апробация.работы.

Основные научные и практические результаты исследований по теме диссертации публиковались в периодических изданиях, докладывались и обсуждались на четвертом межрегиональном совещании «Тонкие пленки в электронике» (г. Улан-Удэ, 1993 г.), научно-технической конференции «Датчики и детекторы для авиационной техники» (г. Пенза, 2003 г.), международном симпозиуме «Надежность и качество-2004» (г. Пенза, 2004 г.), научно-технической конференции «Датчики и детекторы для АЭС 2004» (г. Пенза, 2004 г.), девятой международной научно-методической конференции «Университетское образование МКУО-2005» (ПГУ, г. Пенза, 2005 г.), международной научно-технической конференции «Датчики и системы 2005» (г. Пенза, 2005 г.), семинаре «Вакуумная техника и технология 2005» (г. С-Петербург, 2005 г.), четвертой международной конференции «Авиация и космонавтика 2005» (МАИ, г. Москва, 2005 г.), второй научно-технической конференции «Прецизионное оборудование и. технологии производства мик~ рои радиоэлектроники» (г. Минск, 2005 г.), десятой международной научно-методической конференции «Университетское образование МКУО-2006» (ПГУ, г. Пенза, 2006 г.), всероссийской научно-технической конференции «Методы создания, исследования материалов, приборов и экономические аспекты микроэлектроники» (ПГУ, г. Пенза, 2006 г.), отраслевой научно-технической конференции «Актуальные проблемы ракетно-космического приборостроения и информационных технологий — 2007» (г. Москва, 2007 г.), научно-технической конференции «Информационно-управляющие системы -2007» (г. Королев, Моск. обл., 2007 г.).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 22 работы, из них 9 статей в центральных (в том числе 7 из них из списка ВАК) изданиях и межвузовских сборниках, три научно-технических отчета. Без соавторов опубликовано 4 работы.

По результатам исследований в соавторстве получен патент на изобретение № 2 301 977 G01L 7/02 «Способ стабилизации упругого элемента датчика давления с тензорезисторами», заявка № 2005 133 016 с приоритетом от 26.10.2005.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка используемой литературы, 3 приложения. Основная часть изложена на 137 страницах машинописного текста, содержит 46 рисунков, 19 таблиц.

Список литературы

содержит 81 наименование.

Результаты работы внедрены в технологические процессы изготовления ДД: ТИ 783.25 000.00155- ТП 583.1 188.00007- ТП 783.2 100.00817- ТП 583.1 188.00092- ТП 583.1 188.00089.

Разработка альтернативных методик отбраковки потенциально ненадежных датчиков связана с трудностью оценки временной нестабильности датчиков на стадии их изготовления. В будущем возможно появление других методик отбраковки потенциально ненадежных датчиков, основанных на получении отклика от тензосхемы на воздействие какого-либо внешнего дестабилизирующего фактора или группы факторов одновременно (температуры, вибрации, токовых нагрузок и т. п.).

Автор благодарен всем сотрудникам лаборатории микроэлектроники ФГУП «НИИФИ» за поддержку и помощь в сборе и обработке статистических данных по результатам изготовления тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления.

Особую благодарность хотелось выразить безвременно ушедшему от нас куратору диссертационной работы от ФГУП «НИИФИ» к. т. н. Зеленцову Юрию Аркадьевичу. Без его мудрых советов эта работа может и не состоялась бы.

Перечень принятых сокращений и основных обозначений.

ВИМС — метод масс-спектрального анализа вторичных ионов.

Д Д — датчик давления.

ИП — измерительный преобразователь.

ИТО — импульсная токовая отбраковка.

КД — конструкторская документация.

НВС — начальный выходной сигнал.

ОКР — опытно-конструкторская работа.

ОЭС — ОЖЕ — электронная спектроскопия.

ПСИ — приемо-сдаточные испытания.

РКТ — ракетно-космическая техника.

СДСП — средняя длина свободного пробега.

СИ — средство измерения.

СКО — среднее квадратическое отклонение.

ТД — технологическая документация.

ТИ — технологическая инструкция.

ТКС — температурный коэффициент сопротивления.

ТП — технологический процесс.

ЧЭ — чувствительный элемент.

Заключение

.

Работа обобщает теоретические и экспериментальные исследования, проведенные автором в ФГУП «НИИ физических измерений», и способствует решению актуальной научно-технической задачи — созданию технологических методов повышения стабильности параметров тонкопленочных тензорезисторных ДЦ на ранних стадиях их изготовления. Проведенные автором теоретические и экспериментальные исследования позволили перейти к промышленному применению вновь разработанной методики в производстве. Научная и практическая значимость исследований подтверждается тем, что работа, проводилась в. рамках Федеральной космической программы России 2000 — 2005 гг. при выполнении ОКР !"Сиалон" «Разработка и освоение комплекса базовых технологических процессов изготовления чувствительных элементов датчиков, давления нового поколения с применением комбинированной интегрально-пленочной технологии».

С января 1999 года по март 2001 года при-непосредственном, участии автора проводились экспериментальные исследования по отработке, опробованию и внедрению методики импульсной токовой отбраковки. Проведены, типовые испытания*датчиков Вт 206 и Вт. 212, изготовленных с применением вновь разработанной методики, и выпущен Отчет № 73 O-l 11/600 от 13.03.2001 г., в котором принято решение о внедрении этой методики в конструкторскую и технологическую документацию на эти датчики.

При непосредственном участии автора разработана, отработана и внедрена в опытном производстве (Акт внедрения № 81/600 от 11.12.2001) ФГУП «НИИ физических измерений» технологическая инструкция ТИ 783.25 000.00155 «Методика импульсной токовой отбраковки тонкопленочных тензорезисторных ЧЭ датчиков давления»:

В 2007 году автором проведен анализ результатов изготовления датчиков Вт 206 и Вт 212 с применением методики импульсной токовой отбраковки и выпущены два отчета (Отчет № 3 О 108/600 от 24.04.2007 и Отчет № 75 О 301/600 от 20.08.2007, инв. № 2017) по оценке результатов изготовления и эксплуатации тонкопленочных тензорезисторных датчиков с использованием методов математической статистики.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М. И., Коваленко П. И. Технологические методы повышения надежности интегральных схем // Технология в электронной промышленности -2007 № 1 — С. 68 — 70.
  2. Проектирование датчиков для измерения механических величин / Под ред. Осадчего Е. П. М: Машиностроение, 1979.- 356 с.
  3. Е.А. О тенденциях развития датчиков специального назначения // Приборы и системы управления 1990 — № 10 — С. 4 — 6
  4. Е.А., Педоренко Н. П., Семенов В. А., Алавердов В. В., Артемов Ю. А. Особенности проектирования, металлопленочных тензорезисторных.датчиков давления //Радиотехника 1995 — № 10 — С. 16 — 17.
  5. Е. В., Лебедев Д. В. Выбор конструкционных материалов-для упругих чувствительных элементов емкостных датчиков давления // Датчики и системы 2001 — № 7(26) — С. 19 — 20.
  6. Е. В., Лебедев Л. В., Селифанова В. В. Емкостные датчики абсолютных давлений // Датчики и системы 2001 — № 7(26) — С. 20 — 22.
  7. А. И., Мокров Е. А., Тихонов С. А, Волышкина Т.В, Сергеева Е. В. Методика расчета специального упругого элемента-датчиков // Датчики и системы 2001 — № 7(26) — С. 21−23.
  8. Е. А., Блинов А. В., Михайлов.П. Г. Новые подходы к разработке датчиков физических величин // Мир измерений 2007 — № 2 — С. 4 — 9
  9. В.И. Интегральные тензопреобразователи М.: Энергоатомиз-дат, 1983- 136 с.
  10. В.А., Тихонов А. И. Теория, расчет и основы проектирования датчиков механических величин / Ульяновск: Изд. Ульяновского государственного технического ун-та, 2000. 452 с
  11. И.В., Зеленцов Ю. А. Опыт разработки технологии тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления // Приборы и системы. управления • 1990-№ 10 — С. 41−42.
  12. В.А. Модели преобразователей информации на основе твердотельных структур: монография:.- Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2003. — 124 с.
  13. Аверин И! А. Управляемый синтез гетерогенных систем: получение и свойства: монография- Пенза:-Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2006 — 316 с.
  14. Результаты мониторинга отказов- тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления типа Вт 206 и Вт 212. Отчет № 3 О 108/600 ФГУП «ПИИФИ» -2007−90 с.
  15. М.И., Емельянов В:А., Строганов А. В. Геронтология кремниевых интегральных схем М.: Наука, 2004. — 240 с.
  16. И.В., Песков Е.В. Исследование свойств тонких плёнок из многокомпонентных сплавов с помощью специального аналитического оборудования
  17. Сборник докладов научно- технической конференции «Датчики и детекторы для авиационной техники ДДАТ-2003г.» Пенза — 2003 — С. 167−172.
  18. Физика тонких пленок / Под ред. Г. Хасса, М. Франкомба и Р. Гофмана, Пер. с англ. М.: Мир 1978.- Т. VIII — 360 с.
  19. Д., Паунд Г. Испарение и конденсация, М.: Металлургия, 1966,196 с.
  20. Дж. В. Термодинамика. Статистическая механика. М. Наука. -1982.-584 с.
  21. Kaischew R., Stranski I.N. Zur kinetischen Beschreibung der Keimbildungsgeschwindig-keit. // Z.Phys.Chem. 1934. Bd.26. — № 4/5. — s. 317 — 326.
  22. M. Кинетика образования новой фазы М.: Наука. 1986. — 206 с.
  23. Г. В. Кинетическая модель трехмерного решеточного газа для неоднородного многослойного адсорбата // Поверхность. 1994. — № 3. — с. 29 -39.
  24. Volmer V., Weber A. Keimbildung in uebersaetigen Daempfen. // Z.Phys.Chem. 1926. Bd A119. — № ¾. s. 277 — 301.
  25. Becker R., Doering W. Kinetische Behandlung der Keimbildung in uebersaetigen Daempfen. // Ann. der Phys. 1935. — Folge 5. — Bd 24. — № 8. s.712 — 752.
  26. Ф.М., Гринин А. П. Кинетика гомогенной конденсации на этапе образования новой фазы // Колл. Журн. 1984.- т.46, — № 3. — с.460 — 465.
  27. С. А., Осипов А. В. Процессы конденсации тонких пленок // Успехи физических наук, 1998. — т. 168, — № 10. — с. 1083 — 1116.
  28. Д. В. Исследование процесса роста металлических кластеров на поверхности кристаллов методом молекулярно-динамического моделирования. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Воронеж — 2006 — 121 с.
  29. С. А., Слезов В. В., Дисперсные системы на поверхности на поверхности твердых тел С-Петербург: Наука — 1996 — 242 с.
  30. К. // Pro с. Cambridge Phil. Soc.- 34−100- 1938
  31. Sondheimer F. H. Advan // Phys. 1 — 1 — 1952
  32. Mayadas A.F., Shatzkes M. Electrical-Resistivity Model for Polycrystalline films: the Case of Arbitrary Reflection1 on External Surfase //Phys. Rev.
  33. B.: 1970 v. l — № 4 — P. 1382−1389.
  34. Tellier C.R., Tosser A.J. Approximete Expression for the Polycrystallines Metallic Films // Thin Solid Films, 1976 V.33 — № 1 — p. 19−26.
  35. Tellier C.R., Tosser A.J., Pichard C.R. Thin Polycristalline Metallic-Films Conductivity under the Assumption of Isotropic Grain-Boundary Scattering // J. Mater Sci. 1981 -v.l6-№ 3-P. 944−948.
  36. Tellier G.R., Tosser A.J. Size effect in thin films. Amsterdam-Oxford-New-York:"Elsevier Scientific Publ. Company" 1982 — 310 p.
  37. Ю.Ф. Физика металлических пленок. Размерные и структурные эффекты / М.: Атомиздат, 1979 246 с.
  38. И.Ю., Саенко В. А. Тонкие металлические пленки (технология и свойства) / Сумы: Изд-во СумРУ- 2002- 187 с.
  39. И.Е. Расчет параметров электропереноса тонких поликристаллических пленок металлов // Изв. вузов. Физика. 1988- № 6 С. 42—47.
  40. Ю.М., Опанасик Н. М., Проценко И. Ю., Шелкопляс О. В. Расчет параметров электропереноса тонких металлических пленок в условиях внешнего и внутреннего размерных эффектов //УФЖ. 1997 т. 42 — № 7 — С. 826−830.
  41. И.Е., Черноус А. Н., Шелкопляс О. В., Исследование электрофизических свойств двухслойных пленочных систем на основе титана, кобальта и никеля // Вопросы атомной науки и техники, Вып. 2 (3) 3 (4), Харьков — 1998 — С. 102−106.
  42. О.А., Черноус A.M. Зернограничное рассеяние электронов в пленках меди // Вопросы атомной науки и техники, Вып. 1 (9), Харьков 19 991. C. 76−78.
  43. Д. Т., Мамаев КН. Малобазные тензодатчики сопротивления. М.: Машиностроение 1968 — 187 с.
  44. Н.П. Тензорезисторы. М.: Машиностроение 1990 — 222 с.
  45. Canali С., Malavasi D., Morten М., TaroniA. Piesoresistive effect in thick-film resistors // Journal of physics 1980 — № 6 — P. 3282—3288
  46. Рузга 3. Электрические тензометры сопротивления. М.: Мир 1964 — 356с.
  47. Morten В., Pirrozi L., Prudeziati, Taroni A. Strain sensitivity in film and cermet resistor: measured and. physical quantities // Journal of physics D.: Applied Physics. 1979-Voi. 12-№ 5
  48. A. H., Литвинов A. H. Экспериментальные исследования тензочувствительности тонкопленочных резисторов // Сб. докл. Международного симпозиума «Надежность и качество», Пенза 1999 — С. 343−345.
  49. А.Н. Об анизотропии тензочувствительности резистивных материалов // Сб. докл. МНТК «Материалы для пассивных радиоэлектронных компонентов», Пенза 2005 — С. 88−92.
  50. Е.Б., Однодворец Л. В., Проценко- И.Е. Микроскопическая теория тензочувствительности многослойных поликристаллических пленок // Вопросы атомной науки и техники, Вып. 1 (9) Харьков — 1999 — С. 76 — 78.
  51. Е.Б., Проценко И. Е. Корреляция электрофизических свойств металлических пленок с числом- (s + d) электронов // Вопросы атомной науки и техники, Вып. 2 (10) — Харьков — 1999 — С. 94 — 96.
  52. F.Khater, M. E1-Hiti // Phys. Stat. Sol.(a). 1988, V.108, № 1, p.241−249.
  53. Патент РФ № 1 820 416, МКИН01С 17/00 Высокотемпературный тен-зорезистор и способ его изготовления / Волохов И. В. Зеленцов Ю.А., Песков Е. В. заявка № 4 879 488/21, заявлено 30.10.90, — опубл. 07.06.93, бюлл.№ 21 — 5 с.
  54. И. В. Зеленцов Ю.А., Песков Е. В. О возможности создания высокостабильных тонкоплёночных тензорезисторов // Материалы IV Межрегионального совещания «Тонкие плёнки в электронике» Москва-Улан-Удэ — 1993 -С. 221−224
  55. И. В. Зеленцов Ю.А., Песков Е. В. Применение тонких пленок для тонкопленочных тензорезисторов в высокотемпературных чувствительных элементах датчиков давления // Радиотехника № 10 — 1995 — С. 54
  56. С.В. Критерии оценки работоспособности резистивных материалов при высоких удельных нагрузках // Сб. докл. МНТК «Материалы для пассивных радиоэлектронных компонентов», Пенза 2005 — С. 93 — 98
  57. Г. С., Кравчун С. Н., Третьякова О. Н. Теплоперенос в тонкой пленке с изменяющимися тепловыми свойствами в условиях периодического нагрева // Электронный журнал «Труды МАИ» № 25 — 2006
  58. Г. В., Виницкий И. М. Тугоплавкие соединения. М. Металлургия -1976−451 с.
  59. А. С. Теплопроводность твердых тел. М. Энергоатомиздат — 1984−157 с.
  60. П. Е., Фоменко П. А. Повышенные импульсные электрические нагрузки в производстве тонкопленочных резисторов // Электронная техника -1971 Серия VI — Микроэлектроника — вып. 8 — С. 115 — 120
  61. П. А. Импульсная отбраковка резисторов со скрытыми дефектами резистивного слоя// Электронная техника 1973 — серия III — Микроэлектроника — вып. 2 — С. 58 — 60
  62. ОСТ 11 073.026−74 Микросхемы интегральные гибридные. Конструирование. Обеспечение тепловых режимов, 1974 128 с.
  63. И.И., Клокова Н. П., Лазарев Э. М. Тонкопленочные резисторы из тензорезистивных сплавов // Приборы и системы управления, 1985, № 8 — С. 24−26
  64. Анализ результатов сборки и настройки тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления типа Вт 206 и Вт 212 за 2006 год Отчет № 75 О 301/600 -ФГУП «НИИФИ» — .2007 — 109 с.
  65. . В. Курс теории вероятностей.— М.: Гостехиздат — 1950 —215 с.
  66. Рао С. Р. Линейные статистические методы и их применение.— М.: Наука-1968−129 с.
  67. Г. Математические методы статистики М.: Мир — 1975 — 343 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!