Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка средств верификации сложных цифровых микросхем с учетом радиационного воздействия в САПР

Диссертация: Разработка средств верификации сложных цифровых микросхем с учетом радиационного воздействия в САПР
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Стоит отметить ещё одно важное обстоятельство при проектировании радиационно-стойких сверхбольших интегральных схем (СБИС) — это стоимость разработок. В настоящее время жесткая конкуренция при создании микросхем фактически не оставляет времени на исправление ошибок, которые возникают в процессе проектирования и выявляются при тестировании готового изделия. При создании радиационно-стойких изделий… Читать ещё >

Разработка средств верификации сложных цифровых микросхем с учетом радиационного воздействия в САПР (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Задачи верификации и генерации тестов сложных цифровых систем
    • 1. 1. Виды радиационного воздействия, влияющие на различные параметры СБИС
    • 1. 2. Возможности САПР по учету эффектов радиации
    • 1. 3. Проблемы верификации и генерации тестов сложных цифровых схем с учетом радиационного воздействия
  • Глава 2. Разработка научных основ построения средств верификации сложных цифровых систем и библиотеки элементов с учетом радиации
    • 2. 1. Анализ основных неисправностей сложных цифровых систем при радиационном воздействии
    • 2. 2. Методы создания неисправных вследствие радиационного воздействия библиотечных элементов на схемотехническом уровне
    • 2. 3. Методы создания неисправных вследствие радиационного воздействия библиотечных элементов на функционально-логическом уровне
    • 2. 4. Методы преобразования библиотеки элементов схемотехнического уровня в библиотеку элементов функционально-логического уровня с учетом радиационного воздействия
  • Глава 3. Алгоритмы моделирования неисправностей, формирования библиотек и генерации тестов сложных цифровых систем с учетом радиации
    • 3. 1. Алгоритм преобразования схемотехнического базиса в функционально-логический базис и формирование библиотеки
    • 3. 2. Алгоритмическая основа генерация тестов с учетом радиационного воздействия на схемотехническом уровне
    • 3. 3. Алгоритмическая основа составления тестов с учетом радиационного воздействия на функционально-логическом уровне
    • 3. 4. Алгоритмы моделирования неисправностей радиационного воздействия на схемотехническом и функционально-логическом уровнях проектирования
  • Глава 4. Программное обеспечение для генерации тестов и верификации сложных цифровых схем с учетом радиации
    • 4. 1. Структура и особенности реализации программных средств синтеза тестов и верификации сложных цифровых схем
    • 4. 2. Программное обеспечение создания библиотеки неисправных элементов
    • 4. 3. Методические принципы внедрения разработанных программных средств

Актуальность темы

В современных условиях для проектирования интегральных схем (ИС) необходимо учитывать новые тенденции в проектировании изделий электронной компонентной базы. Это постоянное снижение проектных норм и увеличение степени интеграции при росте функциональных возможностей, внедрение новых методов проектирования с использованием сложно-функциональных (СФ) блоков, что привело к появлению нового специализированного класса ИС «система на кристалле» (СнК).

Рассматривая микроэлектронику военного и двойного назначения, следует отметить существенные изменения методов проектирования, моделирования и тестирования, связанных с влиянием дестабилизирующих факторов и, прежде всего, радиационного воздействия. Данные изменения вызваны тем, что при переходе на новые глубоко субмикронные проектные нормы стали проявляться и оказывать существенное влияние на работу микросхемы физические явления, которые ранее не проявлялись или не оказывали влияние на работу ИС. Кроме того, уточнение реальной радиационной обстановки и изменение условий эксплуатации привело к необходимости учета новых видов излучения (прежде всего космического пространства) и существенной корректировке «традиционных» видов излучения, что отразилось в новом комплексе государственных стандартов (КГС) «Климат-7» и развивающих его последующих руководящих документов.

Стоит отметить ещё одно важное обстоятельство при проектировании радиационно-стойких сверхбольших интегральных схем (СБИС) — это стоимость разработок. В настоящее время жесткая конкуренция при создании микросхем фактически не оставляет времени на исправление ошибок, которые возникают в процессе проектирования и выявляются при тестировании готового изделия. При создании радиационно-стойких изделий стоимость ошибки только увеличивается, как так разработка таких изделий продолжается более длительное время, требует значительно больших затрат по сравнению с классом нестойких к радиации гражданских изделий и выявляется значительно позднее на стадии приемосдаточных испытаний на воздействие специальных факторов. Поэтому в новых условиях важнейшей задачей является предельное сокращение сроков и стоимости разработки при обеспечении безошибочной проектной информации, что достигается внедрением достоверных моделей поведения 1 элементов и методов I тестирования на ранних стадиях проектирования с учетом радиации.

Одной из основных причин длительного времени разработки является сложность синтеза тестовой последовательности и верификации готовых I изделий. Существующие алгоритмы синтеза тестовой последовательности ориентированы на выявление одиночных константных неисправностей. Их эффективность заметно падает с увеличением числа вентилей. При этом они г совершенно не учитывают особенностей неисправностей, вызванных воздействием радиации на ИС, а также особенности тестирования на радиационную стойкость изделий с отсутствующими производственными дефектами.

Поэтому одной из главных задач создания радиационно-стойкой электронной компонентной базы является разработка подсистемы верификации и генерации тестов, которая бы использовала усовершенствованные алгоритмы, ориентированные' на выявление неисправностей, вызванных воздействием радиации. Такая подсистема должна стать компонентом САПР изделий вычислительной техники специального назначения и сократить время верификации за счет введения новых алгоритмов.

Таким образом, выдвинуты актуальные задачи по созданию подсистемы САПР для разработки радиационно-стойких микросхем, которые потребовали своего решения.

Наиболее перспективной технологией создания радиационно-стойких ИС является КМОП технология, так как она обладает высокой функциональной насыщенностью, низкой потребляемой мощностью, малыми затратами на изготовление и значительной наработкой методов повышения радиационной стойкости. Поэтому в данной работе основное внимание уделено изделиям, выполненным на основе КМОП технологии.

Диссертация выполнена по программам важнейших работ Министерства образования и науки по планам НИР и ОКР ФГУП «НИИЭТ»: «Гармонизация», «Тибр», «Множество-ТСВ» и др., а также в соответствии с межвузовской научно-технической программой И.Т.601 «Перспективные информационные технологии в высшей школе» и научному направлению ГОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия» (ВГЛТА) «Разработка средств автоматизации управления и проектирования (в промышленности)». I I.

Цель работы состоит в разработке научных основ построения средств верификации и генерации тестов сложных цифровых КМОП систем с учетом радиации, на основе комплекса математических моделей, алгоритмов, и программных средств моделирования поведения неисправных элементов и методов генерации тестов с учетом радиационного воздействия.

Для достижения цели необходимо решить следующие задачи:

1. Провести анализ современного состояния средств синтеза тестов в системах автоматизации проектирования и возможностей учёта в них радиационного воздействия.

2. Проанализировать основные типы неисправностей, возникающих при радиационном воздействии на СБИС, и сформулировать основные проблемы, возникающие при верификации таких СБИС.

3. Разработать математические модели неисправных после радиационного воздействия КМОП элементов на схемотехническом и функционально-логическом уровнях.

4. Разработать и сформировать библиотеку неисправных элементов вследствие радиационного воздействия. 1.

5. Разработать алгоритмическую основу генерации структурных, функциональных и случайных тестов, учитывающих особенности импульсного и статического радиационного воздействия на СБИС.

6. Разработать программное обеспечение подсистемы верификации и синтеза тестовой последовательности и внедрить его в единую среду сквозного проектирования дизайн центра.

Методика исследования. Для решения поставленных задач 1 использованы: теория автоматизации проектирования, теория вероятностичисленные методы вычислительной математики. А также методы модульного, структурного и объектно-ориентированного программированияимитационное, структурное и параметрическое моделирование, методы системного анализа и вычислительные эксперименты.

Научная новизна. В результате проведенного исследования получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной: I.

— развиты принципы построения моделей библиотечных элементов на схемотехническом уровне с учётом эффектов импульсного и статического радиационного воздействия, позволяющие учесть критерии неисправностей воздействия радиации в схемах высокой степени интеграции;

— разработан метод модификации параметров библиотечных элементов на функционально-логическом уровне, отличающийся возможностью получения неисправных элементов вследствие специального воздействия, позволяющий учесть факторы статического и импульсного излучений в соответствие с требованиями нового комплекса государственных стандартов «Климат-7»;

— предложен метод преобразования схемотехнического базиса в функционально-логический базис, в отличие от известных ранее, метод позволяет получить библиотеку элементов, содержащую для каждого типа элементов несколько неисправных, учитывающих радиационное воздействие при различных параметра мощности дозы и накопленной дозы в соответствие с КГС «Климат-7»;

— разработана алгоритмическая основа метода синтеза структурных тестов, расширяющая Б-алгоритм Рота, в отличие от классического алгоритма разработанный алгоритм позволяет учесть воздействие на логическое состояние элемента токов ионизации, вызванных импульсным излучением;

Основные положения, выносимые на защиту:

— модели неисправных библиотечных элементов на схемотехническом и функционально-логическом уровнях;

— алгоритмы синтеза структурных и случайных тестов с учетом влияния радиационного воздействия на схемуметодика осуществления функционального тестирования радиационно-стойких сложных цифровых микросхем;

— программное обеспечение подсистемы комплексного тестирования радиационно-стойких сложных цифровых микросхем.

Практическая значимость и результаты внедрения. На основе предложенных методов, математических моделей и алгоритмов разработано программное обеспечение, которое внедрено в ФГУП «НИИ Электронной техники» (г. Воронеж), ОАО «Воронежский завод полупроводниковых приборов — Сборка» (г. Воронеж). Полученные результаты внедрены в Воронежском институте высоких технологий на кафедре информационных систем и технологий в виде программно-аппаратных комплексов, которые эффективно используются для проведения лабораторных работ, курсового и дипломного проектирования, подготовки аспирантов и переподготовке преподавателей и специалистов. Анализ результатов внедрения показал высокую эффективность разработанных средств.

Разработанный комплекс методов, моделей, алгоритмов и программное обеспечение позволяют существенным образом улучшить эффективность подсистемы верификации САПР радиационно-стойких КМОП СБИС. Основной практический вывод диссертационной работы заключается в создании средств синтеза тестов с учетом статического и импульсного радиационного воздействия для верификации сложных цифровых микросхем. 1 Универсальность разработанных средств позволяет их использовать на других предприятиях аналогичного профиля.

На основе предложенных методов и моделей создана библиотека неисправных элементов, подвергшихся влиянию импульсного и статического радиационного воздействия, на основе которой разработано программное обеспечения для синтеза случайных и функциональных тестов.

Полученные средства позволяют определить наиболее критичные к радиационному воздействию блоки и компоненты микросхем и сократить время осуществления функционального контроля, что приводит к существенному экономическому эффекту.

Апробация работы. Научные результаты и положения диссертационной работы обсуждались на научно-технических конференциях и совещаниях • по выполнению НИР и ОКР на ведущих предприятиях электронной промышленности. ,.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на конференциях: «Информационные системы и модели в научных исследованиях, промышленности и экологии» (г. Тула, 2008 г.);

Математические методы в технике и технологиях" (г. Саратов, 2008 г.);

Системные проблемы надёжности, качества, информационно-телекоммуникационных и электронных технологий в управлении инновационными проектами" (ИННОВАТИКА-2009) — «Радиационная стойкость электронных систем — Стойкость 2009» (г. Москва, 2009 г.).

Публикации результатов работы. По теме диссертации опубликовано 16 печатных работ, включая 4 работы, опубликованные в журналах определённых ВАК.

Десять работ написаны без соавторов. В работах, выполненных в соавторстве, автору принадлежит более 50% процентов материала по основным научно-техническим решениям и эффективности их реализации.

Структура и объём работы. Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения списка литературы и приложений. Материалы диссертации изложены на 165 страницах, включая 132 страницы машинописного текста, 34 рисунка, 8 таблиц, список литературы из 103 наименований и 2 приложения.

Основные результаты работы:

1. Проведён анализ возможностей учета действия радиации в подсистеме синтеза тестов современных средств автоматизации проектирования СБИС.

2. Проведён анализ основных радиационных эффектов, произведена классификация неисправностей библиотечных элементов вследствие действия радиации.

3. Разработаны модели неисправных библиотечных элементов на схемотехническом уровне, при этом учтены эффекты как импульсного излучения, так и деградация электрических параметров вследствие накопленной дозы статического излучения.

4. Предложен метод модификации параметров библиотечных элементов I на функционально-логическом уровне с учетом радиационного воздействия.

5. Предложен метод преобразования библиотеки неисправных в результате радиационного воздействия элементов схемотехнического уровня в библиотеку неисправных элементов функционально-логического уровня. Реализовано программное обеспечение для приближенного вычисления параметров библиотечных элементов.

6. Разработан алгоритм синтеза тестов с учетом радиационного воздействия импульсного излучения на схемотехническом уровне. Предложена методика осуществления функционального тестирования микросхем с учетом специального воздействия.

7. Разработаны программные средства подсистемы комплексного тестирования сложных цифровых микросхем с учетом радиационного воздействия. 1.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , A.A. Методы решения сеточных уравнений Текст.: Учеб. пособие для вузов / А. А. Самарский, Е. С. Николаев. — М.: Наука, 1978. — 591 с.
  2. , Н.П. Численные методы в теории упругости и теории оболочек Текст. / Н. П. Абовский, Н. П. Андреев, А. П. Деруга и др.- Красноярск: Изд-во краен, ун-та, 1986. 384 с.
  3. , А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС Текст. /
  4. A.Ю.Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков А.И. М.: Радио и связь, 1994.
  5. ГОСТ 25 645.106−84. Пояса Земли радиационные естественные. Термины и определения. Госкомитет СССР по стандартам, 1984.
  6. ГОСТ 25 645.150−90. Лучи космические галактические. Модель изменения потоков частиц. Госкомитет СССР по стандартам, 1991.
  7. , Т.М. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах Текст. / Под ред. Т. М. Агаханяна. М.:Энергоатомиздат, 1989. — 256 с.
  8. , В.Н. Проектирование микроэлектронных компонентов космического назначения: монография Текст. / В. Н. Ачкасов.- Воронеж: Воронежский государственный университет. 2005.- 301с.
  9. , В.Н. Алгоритм моделирования работы ИС в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР изделий электронной техники Текст. /
  10. B.Н. Ачкасов // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2004. — Вып. 1−2. — С.61−65.
  11. , В.Н. Алгоритм моделирования работы ИС в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР ИЭТ Текст. / В. Н. Ачкасов // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. Вып.5. М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. -С. 109−110.
  12. Ю.Хоуорд, Д. К. Диалоговое логическое моделирование сложных СБИС с помощью специализированного компьютера Текст. / Д. К. Хоуорд, Р. НМалм, Л. М. Уоррен // Электроника. -1983. № 25. С. 43−46.
  13. , В.Н. Физические процессы радиационного воздействия в транзисторе Текст. / В. Н. Ачкасов, Ю. В. Гуляев // Моделирование систем и процессов — Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет 2006. Вып.1. -С. 2−6.
  14. , Ф.П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Текст. / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов: Минск. Наука и техника, 1978. — 232 с.
  15. , П.Р. Инструментальные средства автоматизации проектирования -1.>изделий микроэлектроники дизайн-центра Текст. / П. Р. Машевич, В. К. Зольников, К. И. Таперо — Воронеж: Воронежский государственный университет. 2006. 276 с.
  16. Н.Васин, C.B. Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами. Текст. / Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 1999.
  17. , Д.Г. Моделирование эффекта разогрева, возникающего в элементной базе при воздействии радиации Текст. / Д. Г. Хорюшин, А. В. Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. -2006. -№ 1(26).-С. 110−112.
  18. , В.М. Создание промышленной инфраструктуры разработки, производства и испытания вычислительных комплексов для систем управления двойного назначения Текст. / В. М. Антимиров, П.Р.
  19. , В.Н. Ачкасов // Авиакосмическое приборостроение. 2005. — № 8.-С. 9−11.
  20. , В. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие Текст. / В. Немудров, Г. Мартин — Москва: Техносфера. 2004. — 216 с.
  21. Новые DSP новый рывок в производительности. Chip News, N10, 2000 г. Текст. // Chip News — 2000. — № 10. — С.21−25.
  22. , В.Н. Методика проектирования радиационно-стойких ИС Текст. / В. Н. Ачкасов, В. К. Зольников // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. М.: СПЭЛС-НИИП — 2003. — С.38−39.
  23. Ачкасов, В А. Исследование и разработка методов и алгоритмов автоматизированной генерации тестов проверки ТЭЗ’зов Текст. / A.B. Ачкасов: отчет по НИР «Турнир» // ФГУП «НИИЭТ». У11 759, — Воронеж, 2007.
  24. Исследование и разработка алгоритмов и экспериментальных программ для специализированного процессора моделирования Текст. / Научно -технический отчет по НИР ТРОПИК // ФГУП «НИИЭТ» 2007 г. — У42 917.
  25. , К. Логическое проектирование СБИС Текст. / К. Киносита, К. Асада, О. Карасу М- Мир. — 2003. — 309 с.
  26. , Т. Программные средства тестируемости и автоматическая генерация тестов для СБИС Текст. / Т. Киркленд, И. В. Флорес // Электроника 1996. -№ 5 С. 34−38.
  27. , В.В. Автоматизация контроля цифровых функциональных модулей Текст. / В. В. Кондратьев Б.Н.Махалин М.- Радио и связь. 1990. -156 с.
  28. , В.Н. Особенности графической подсистемы АРМ проектировщика КМОП БИС Текст. / В. Н. Ачкасов, В. П. Крюков, В. Е. Межов // Оптимизацияи моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр.
  29. Воронеж: ВГТУ, 2002. С.50−54.
  30. , C.B. Методика формирования единой информационной среды распределенной обработки данных в системе управления Текст. / C.B. Величко // Известия ВУЗов. Северо-Кавказский регион. Технические науки.- 2004.- № 3- С. 61−64.
  31. , В.М. Развитие управляющих вычислительных комплексов двойного назначения Текст. / В. М. Антимиров В.Н.Ачкасов, П. Р. Машевич, Ю.К.Фортинский// Приводная техника. 2005. — № 3(55). -С. 56−61.
  32. , И.П. Введение в автоматизированное проектирование технических устройств и систем Текст. / И. П. Норенков М.: Высшая школа.- 1986. — 456 с.
  33. ГОСТ 18 298–79. Термины и определения.39.ГОСТ Р ИСО 9000 2001.
  34. Aitcen, Robert С. Modeling the unmolable: Algorithmic fault diagnostic Текст. / Robert C. Aitcen // IEEE Des. Fnd Test Comput, -997 № 3 — C. 98 103. I
  35. , В.Н. Алгоритм определения стойкости микроэлектронных компонентов к специальным факторам в САПР ИЭТ Текст. / В. Н. Ачкасов // Системы автоматизации проектирования. 2006. — Вып.2. — № 3. — С. 9698.
  36. Андрюхин, А. И Оптимизация времени построения тестов. Текст. // Электронное моделирование 1996 — № 5 — С. 71−72.
  37. , Ф. Верификация проектов: каков объем моделирования можно считать достаточным. Текст. / Ф. Бьюлоу // Электроника. 12 13. — 1990. -С. 38−44.
  38. , А.И. Методы и средства повышения тестируемости цифровых БИС. Текст. / А. И. Коробков, М. Ю. Павлов, И. И. Шагурин // Изв. Вузов. Электроника. 1997- № 3−4 — С. 85−92.
  39. , А.Е. Структурный метод построения тестовых последовательностей для K-МОП интегральных схем Текст. /А.Е. Люлькин // Микроэлектроника 1995- 24.,№ 2 — С.150−155
  40. , А.Р. Новый алгоритм тестирования ОЗУ. Текст. / А. Р. Микитюк // Современные проблемы радиотехники, электроники и связи: Науч. тех. конф. Минск 4−5 мая 1995 г. Минск. 1995 — С. 318−319.
  41. Романенко, Ю. А Организация функционального диагностирования сложных объектов на базе динамических тестов. Текст. / Ю. А. Ромащенко // Информационные технологии в проектировании и производстве 1996. — № 3 — С. 53−59.
  42. Scott, A VHDL/Verilog sinthesis adds boudary SCAN Текст. /A.Scott // Electron/ENG (GR.Brit) 1994−66-№ 813 С 5−12.
  43. Williams, T.W. Testind logic network and designing fori testability Текст. / T.W.Williams, K.S.Parker // IEEE Trans, Computer. 1979. — № 10. — C. 9−10.
  44. , И.П. Автоматизация проектирования комплементарныхмикросхем с учетом одиночных событий Текст.: монография /
  45. И.П.Потапов, В. М. Антимиров, К. И. Таперо Воронеж: Воронеж, гос. ун-т.-2007.- 165 с.
  46. , И.П. Моделирование радиационных эффектов в структуре Si/Si02 Текст. / И. П. Потапов, // Моделирование систем и процессов -Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет 2006. Вып. 1. — С. 49−53.
  47. , И.П. Основы автоматизированного проектирования Текст.: учеб. для вузов. / И. П. Норенков М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2000.-360 с.
  48. Фаронов, B.B. DELPHI программирование на языке высокого уровня Текст. / В. В. Фаронов: Спб.:Питер 2007.- 640 с.
  49. Мырова, 'JI. О. Анализ стойкости систем связи к воздействию излучения Текст. / JI.O. Мырова, В. Д. Попов, В. И. Верхотуров., М.: «Радио и связь».- 1993.-268 с.
  50. , B.C. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Текст. / B.C. Паршенков, В. Д. Попов, A.B. Шальнов — М.: Энергоатомиздатю. г 1988. 256 с.
  51. Cadence Circuit Components and Device Models Manual Product Version 6.0 May 2005 Текст./ Cadence Design Systems, Inc., 555 River Oaks Parkway, San Jose, CA 95 134, USA
  52. , Ю.К. Разработка и применение информационных технологий в электронной промышленности Текст.: монография / И .Я. Львович, Ю. К. Фортинский, В. К. Зольников Воронеж: Воронеж, гос. унт, 2009.- 282 с.
  53. , Г. Е. Математический анализ. Спецкурс Текст. / Г. Е. Шилов. -М.: Наука, 1965. 628 с.
  54. , A.B. Моделирование радиационных эффектов в КМОП приборах в САПР. Текст. / А. В. Ачкасов, А. И. Яньков // Приводная техника. 2006. — № 6(64). — С. 24−26.
  55. , A. 2001 Technology Roadmap for Semiconductors Текст. / D. Edenfeld, A. Kahng, M.: Rodgers: USA. 2002. — 120 с
  56. Edenfeld, D. Technology Roadmap for Semiconductors 2003 Текст. / D. Edenfeld, A. Kahng, M. Rodgers, Y. Zorian: USA. 2004. — 223 c.
  57. Hamdioui, S. The State-of-art and Future Trends in Testing Embedded Memories Records of the 2004? International Workshop on Memory Technology Текст. / S. Hamdioui // Design and Testing (MTDT) 2004. — № 4. — C. 34−35.
  58. Adams, R. High Performance Memory Testing: Design Principles, Fault Modeling and Self-Test Текст. / R. Adams: Kluwer Academic Publishers. -2003.-132 c.
  59. Hamdiou, S. An Experimental Analysis of Spot Defects in SRAMs: Realistic Fault Models and Tests Текст. / S. Hamdioui, A. Goor // In Proc. of Ninth
  60. Asian Test Symposium, № 5. 2000. — C. 131−138.i
  61. SandeepGupta, N. Testing of Digital Systems Текст. / N. SandeepGupta: Cambridge University Press. 2003. — 324 c.
  62. Ferris-Prabhu, A. Role of Defect Size Distribution in Yield Modeling Текст. / A. Ferris-Prabhu // IEEE Transaction on Electron Devices, vol. ED-32, № 9-C. 32−35.
  63. Hess, C. Harp Test Structure to Electrically Determine Size Distributions of Killer Defects Текст. / C. Hess, ' L. Weiland // IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. vol. 11. — № 2. — C. 45−48.
  64. Hamdioui, S. Efficient Tests for Realistic Faults in Dual-Port SRAMs Текст. /
  65. Hamdioui, A. Goor // IEEE Transactions on Computers, vol. 51. № 5. — C. 13−14.
  66. Hamdioui, S. Evaluation for Intra-Word Faults in Word-Oriented RAMs Тест. / S. Hamdioui, J. Reyes, Z. Alars: Proceedings of the 13th Asian Test Symposium 2004. C. 34−45.
  67. Hamdioui, S. Testing Static and Dynamic Faults in Random Access Memories Тест. / S. Hamdioui, Z. Alars, Ad. Goor: Proceedings of the 20-th IEEE VLSI Test Symposium. 2002. — C. 54−56.
  68. Hamdioui, S. Importance of Dynamic Faults for New SRAM Technologies Текст. / S. Hamdioui, R. Wadsworth, J. Reyes^ A. Goor // Proceedings of the Eighth IEEE European Test Workshop (ETW'03). 2003. — C. 45−49.
  69. Nag, P. Modeling the Economics of Testing: A DFT Perspective Текст. / P. Nag, A. Gattiker, S. Wei, R. Blanton, W. Maly // IEEE Design and Test of Computers. № 2. — 2002. — C. 24−29.
  70. , M.B. Методы формирования библиотеки логических элементов для моделирования радиационного воздействия Текст. / М. В. Конарев // Системы управления и информационные технологии. 2009. — № 2.2(36). -С. 260−263.
  71. , М.В. Алгоритмическая основа генерации тестов с учетом радиационного воздействия Текст. / М. В. Конарев // Программные продукты и системы. 2009. — № 4. — С. 155−157.
  72. , М.В. Методология модификации параметров логических элементов на функционально-логическом уровне для учета радиационного воздействия в САПР Текст. / М. В. Конарев // Инженерная физика. 2009. -№ 10.-С. 33−35.
  73. , М.В. Методы формирования библиотеки логических элементов для моделирования радиационного воздействия Текст. / М. В. Конарев // Информационные технологии моделирования и управления. 2009. — № 4(56). — С. 596−600.
  74. , М.В. О методах моделирования неисправностей радиационного воздействия Текст. // М. В. Конарев // Информационные технологии моделирования и управления. 2009. — № 5(57). — С.663−669.
  75. , М.В. Моделирование радиационного воздействия на микросхемы Текст. / М. В. Конарев, С. А. Цыбин // Моделирование системи процессов 2008. № 3,4 — С. 46−53.i
  76. , М.В. К вопросу о приближенном решении краевых задач на геометрических графах. Текст. / М. В. Конарев // Информационные технологии моделирования и управления. 2007. — № 5(39). — С. 537−542.
  77. , М.В. Решение краевых задач на геометрических графах Текст. / М. В. Конарев // Моделирование систем и процессов. 2007. — № 4 — С.14−19.
  78. Konarev, M.V. New radiation effects in a double purpose microelectronics and methods of its modeling. Текст. / M.V. Konarev, N.I. Bazarskaya // Jlec. Наука. Молодежь. 2009. — Том 1. — С. 218−220.
  79. Hagdy, A. Cost driven ranking of mamory elements for par-tial intrusion Текст. / A. Hagdy, K. Rohin // IEEE Desm and Test Comput -1997. — № 3 — C. 45−50.
  80. Robert, A. Modeling the unmolable: Algorithmic fault diagnostic Текст. / A. Robert // IEEE Des. Fnd Test Comput 1997. № 3 — C. 98−103.
  81. Agrawal, V. Statisticall Fault Analisis Текст. / V.D. Agrawal, S.K.Jain // IEEE. Design Test, Feb. 1985.- C. 38−44.
  82. Agrawal, V. Proc. Des. Autom. Conf,. 18th, Nfshville Текст. / V.D.Agrawal, S.C. Seth, P. Agrawal: Tennesse. 1981. — C. 196−203.
  83. Armstrong, D. A deductive method for simulaton fault in logic circuits. Текст. / D. Armstrong // IEEE Trans. 1972. № 5. — C. 464−471.
  84. Chapell, S. A compaarison of parallel and deductive simulation techniques Текст. / S.K.Chapell, H.Y.Chang, C.H.Elmendort, L.D.Schmidt // IEEE Trans. 1974. -№ 11. -C. 1132−1139.
  85. Рао, С. A direcded seach test generation system per sequotial cicuits Текст. / С. Pau // Proc. Nat. Sci. Counc. Repabl. China. J Phys/ Sci and Eng. 1992. -№ 1 — C. 55−62.
  86. Goel. P. PODEM-X: An Automatic Test Generation SYSTEM for VLSI Logic Structures. Текст. / P. Goel, B.C.Rosales: 18th Design Automation Conference. 1981. — C. 260−268.
  87. Goel, P. An implicit enumeration algorithm to generate test for combinational logic circuits Текст. / P. Goel // IEEE Trans. Comput.- 1981. -C. 30−35.
  88. Goldstein, L. Controllability and observability analisys of digital circuits Текст. / L. Goldstein // IEEE Trans, on circuits and syst., v. cas-26 № 9. -C. 685−693.
  89. , F. Система проектирования БИС с контролируемой тестируемостью. Текст. / F. Yoshivo, T. Masaaki // NTTR. J.- 1995. -№ 11-С. 129−134.
  90. Hurrcey, В. PTesting IC’s: Getting the cove the problems Текст. / В. Hurrcey // Computer 1996. — № 11. — C. 32−33.1.'
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!