Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений AIIIBV современной точности обработки

Диссертация: Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений AIIIBV современной точности обработки
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Ужесточение требований к пластинам диаметром 76 мм и более касается в первую очередь геометрических параметров пластин, в частности параметра неоднородности по толщине пластины. Параметр разнотолщинности закладывается на операции двухстороннего шлифования свободным абразивом, а остаточные приповерхностные нарушения удаляются на последующей операции химико-механического полирования. Задача состоит… Читать ещё >

Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений AIIIBV современной точности обработки (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. Особенности обработки полупроводниковых пластин бинарных соединений АШВУ в соответствии с современными требованиями. (Литературный обзор)
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Требования к качеству полупроводниковых пластин бинарных соединений АШВУ
    • 1. 3. Физико-химические свойства полупроводниковых соединений АШВУ и их влияние на процессы обработки подложек.££
    • 1. 4. Основные этапы обработки полупроводниковых материалов. Д
    • 1. 5. Выводы и постановка задачи
  • Глава II. Методы исследования и визуализации приповерхностных нарушений, возникающих в пластинах соединений АШВУ в процессе механической и химико-механической обработки
    • II. 1 Разработка методики косого шлифа для определения глубины нарушенного слоя в пластинах арсенида галлия, фосфида галлия и фосфида индия
  • П. 2 Определение глубины нарушенного слоя методом послойного удаления материала.^г
    • II. 3 Оценка качества поверхности полупроводниковых пластин арсенида галлия, фосфида галлия и фосфида индия после проведения процесса химико-механического полирования
  • Н.4 Материалы, исследуемые в работе
  • Глава III. Разработка технологии двухстороннего шлифования свободным абразивом пластин арсенида галлия, фосфида галлия, фосфида индия большого диаметра
    • III. 1. Сравнительный анализ качества поверхности и геометрических параметров пластин, полученных методами резки алмазным кругом с внутренней режущей кромкой и многопроволочной резки
    • III. 2 Прогнозирование глубины приповерхностных нарушений при механической обработке пластин фосфида галлия, арсенида галлия и фосфида галлия
    • II. L3.Исследование глубины повреждений в приповерхностных слоях пластин при проведении процесса шлифования в зависимости от размера абразивных частиц
    • III. 4 Влияние удельного давления, скорости подачи суспензии и механических свойств материала на качество проведения процесса шлифования пластин арсенида галлия, фосфида галлия и фосфида индия
    • III.
  • Выводы по главе III
  • Глава 4. Разработка технологии прецизионного химико-механического полирования пластин фосфида галлия, арсенида галлия и фосфида индия./?Г
    • IV. 1. Исследование качества поверхности пластин фосфида галлия и арсенида галлия после проведения процесса одностороннего химикомеханического полирования
    • III. 2. Исследование возможности снижения параметра разнотолщинности в полированных пластинах арсенида и фосфида галлия диаметром 76 мм
    • 1. У.З Выбор компонентов полирующей суспензии для химикомеханического полирования пластин фосфида индия
    • 1. У
  • Выводы по главе IV
  • Выводы

Применение монокристаллических пластин соединений АШВУ в качестве основы для создания широкого спектра приборов оптоэлектроники и СВЧ-техники диктует жесткие требования как к структурному совершенству и однородности распределения электрофизических свойств, так и к качеству поверхности.

Характеристики эпитаксиальных слоев, такие как микротвердость, плотность дислокаций, подвижность носителей заряда и другие существенно зависят от качества поверхности и геометрических параметров исходной пластины. В связи с этим, получение высококачественной поверхности пластин, максимально совершенной по структуре и геометрии является исключительно важной задачей.

Увеличение объема рынка приборов на основе соединений АШВУ, в частности на основе арсенида галлия, фосфида галлия и фосфида индия, по всей видимости, будет осуществятся за счет увеличения диаметра исходных пластин. Тенденции к увеличению диаметра, с одной стороны, и постоянно растущие требования к качеству поверхности выпускаемых пластин, с другой, делают исключительно важной проблему совершенствования технологических процессов обработки пластин.

Ужесточение требований к пластинам диаметром 76 мм и более касается в первую очередь геометрических параметров пластин, в частности параметра неоднородности по толщине пластины. Параметр разнотолщинности закладывается на операции двухстороннего шлифования свободным абразивом, а остаточные приповерхностные нарушения удаляются на последующей операции химико-механического полирования. Задача состоит в том, что^бы на операции двухстороннего 1 шлифования свободным абразивом внести минимальные нарушения, что позволит снизить припуски на последующую обработку и тем самым минимизировать возможность ухудшения геометрических параметров заложенных на этапе шлифования. Кроме того, детальное изучение технологических факторов проведения процесса химико-механического полирования позволитразработать промышленную технологию получения монокристаллических пластин арсенида галлия и фосфида галлия диаметром 76 мм с минимальным значением разнотолщинности.

Целью настоящей диссертационной работы было изучение особенностей процессов двухстороннего шлифования свободным абразивом и химико-механического полирования пластин арсенида галлия, фосфида галлия и фосфида индия большого диаметраоптимизация технологических режимов для обеспечения требуемого качества поверхности и геометрических параметров пластин для повышения экономической эффективности производства.

Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи:

1. Определение методики экспериментальных исследований глубины поврежденных слоев в пластинах на всех этапах механической обработки, начиная с процесса резки и далее шлифования свободным абразивом и химико-механического полирования.

2. Проведение прогнозирования нарушений, формируемых в пластинах полупроводниковых соединений АШВУ при шлифовании свободным абразивом. Анализ степени влияния собственных механических свойств и размера абразивного порошка, применяемого в процессе шлифования, на характер нарушений в шлифованных пластинах.

3. Исследование процесса двухстороннего шлифования свободным абразивом с целью определения глубины нарушенного слоя в пластинах АШВУ в зависимости от размера абразивных частиц шлифовальной суспензии и разработка технологии двухстороннего шлифования свободным абразивом пластин большого диаметра я.

4. Оптимизация режимов процесса химико-механического полирования для получения зеркально-полированной поверхности и обеспечения мирового уровня геометрических параметров в полированных пластинах.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, общих выводов, содержит 39 рисунков, 24 таблицы и список используемой литературы из 108 наименований. Полный объем диссертации 150 страниц.

Выводы.

1. Разработана технология пластин арсенида и фосфида галлия диаметром 76 мм, позволяющая получать пластины, не содержащие дефектов полированной поверхности и высоким уровнем геометрических параметров.

2. В качестве основного метода определения глубины нарушений внесенных на этапе двухстороннего шлифования выбран метод косого шлифа. Разработана методика и определены основные режимы приготовления образцов арсенида галлия, фосфида галлия и фосфида индия для определения глубины нарушенного слоя методом косого шлифа.

3. Проведено сравнительное исследование качества поверхности и геометрических параметров пластин фосфида галлия диаметром 76 мм после операции многопроволочной резки и резки алмазным кругом с внутренней режущей кромкой. Установлено, что применение многопроволочной резки по сравнению с дисковой резкой позволяет снизить глубину вносимых нарушений с 25−30 мкм до 10 мкм и получать пластины после операции резки с параметром разнотолщинности на уровне 2−3 мкм.

4. Проведено прогнозирование глубины приповерхностного нарушенного слоя, возникающего при шлифовании свободным абразивом пластин соединений АШВУ. Использование расчетного соотношения позволило оценить влияние собственных механических свойств материалов и размера абразивных частиц на глубину формируемого нарушенного слоя в процессе шлифования пластин фосфида галлия, арсенида галлия и фосфида индия. Расчетное соотношение глубин трещиноватого слоя после обработки свободным абразивом с размером зерна 22 мм и.

-^го размером зерна 15 мм равно 1,67.

5. Показано, что использование более мелкого абразива ведет к снижению глубины трещиноватого слоя в пластинах фосфида галлия с 27 до 18 мкм, арсенида галлия с 32 до 22 мкм, в пластинах фосфида индия с 36 до 27 мкм.

6. Разработанная технология двухстороннего шлифования с использованием абразивного зерна размером 15 мкм позволила получать пластины диаметром 76 мм со средним значением разнотолщинности на уровне 2 мкм.

7. Разработана технология двухстадийного химико-механического полирования пластин фосфида галлия и арсенида галлия диаметром 76 мм, которая в случае проведения процесса двухстороннего шлифования пластин с использованием абразивного зерна размером 15 мкм, позволяет получать пластины с параметром разнотолщинности 6−8мкм.

8. Экспериментально обоснованная технология двухстадийного полирования позволила получить опытные образцы полированных монокристаллических пластин фосфида галлия диаметром 100 мм с параметром разнотолщинности не выше 12 мкм.

9. Проведены исследования влияния состава полирующей суспензии на качество полированной поверхности пластин фосфида индия. Установлены оптимальные соотношения компонентов полирующей суспензии. На основании результатов проведенных исследований была разработана технология химико-механического полирования пластин фосфида индия диаметром 50 мм, позволяющая получать пластины, не содержащие дефектов обработки.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А. И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем : Учебное пособие для вузов. М.: Высшая школа, 1980, 327 с.
  2. Ю. Д., Райнова Ю. П. Физико-химические основы ф технологии микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. М.:1. Металлургия, 1979, 408 с.
  3. Н., Уисмен У. Арсенид галлия в микроэлектронике. М.: Мир 1988,217с.
  4. О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967
  5. Telford М. Larger waffer boosting GaAs and InP electronics. III-Vs Review. 2000, № 5, p 32−41
  6. Mills A. High-Brighness LEDs lighting up the future. III-Vs Review 2001, № 1 p 32−37.
  7. С. JI., Джумалиев А. С., Козаков Г. Т., Циплин А. Ю. Влияние шероховатости поверхности подложек GaAs (100) на магнитные свойства эпитаксиальных пленок Fe. Журнал технической физики. 2000, № 3, с. 50−56.
  8. П. Н., Друзь Б. Л., Калашникова Н. А. Влияние дефектов обработки пластин арсенида галлия на дефектообразование в эпитаксиальных пленках. Электронная техника. 1991, вып.1, с.26−29т
  9. О., Такао О., Shigeru M. The effect of substrate preparations on the surface morphologies of the epitaxial layers of GaAs. J. Electrochem. Soc. 1977, p 1907−1912 .
  10. З.Лаврентьева Л. Г., Пороховниченко Л. П. Влияние условий начальной стадии роста на формирование структурно-примесных неоднородностей и параметры р-п перехода в эпитаксиальных слоях арсенида галлия. Электронная техника Сер.6. 1975, № 12, с. 37−44.
  11. Minor A., Jaque N., Farber N. Preparation of carbon free GaAs surface AEC analyst. J. Electrochem. Soc. 1981, vol 128, № 1 p 149−154.
  12. А. П., Воробьев В. Л., Ольховикова Т. И., Хохлова И. М. Влияние дефектов границ раздела на излучательные характеристики эпитаксиальных слоев фосфида галлия. Обзоры по электронной техники Сер.6, М: УНИИ Электроника. 1990, с. 1−28.
  13. В. И., Ольховикова Т. И. Термодинамический анализ образования дефектов роста в эпитаксиальных слоях фосфида галлия. Электронная техника. Сер.6 М: ЦНИИ Электроника. 1990, вып. З, с.42−4317.Book of SEMI.
  14. А.П., Пальмов В. А., Витенберг Ю. Р. Шероховатость поверхности, теорико-вероятностный подход. М.: Наука. 1975, 344 с.
  15. Tokuyama Т., Fujii Y., Sugita S., Kishino S. Japanees Journal of Applied Physics., vol 6, 1967, p. 1252
  16. Matsushita H., Ishida M. And Kikawa J. Improvements in GaAs wafer processes to achieve better flatness. Japanees Journal of Aplied Physics, 1998, № 43 p. 6−10.
  17. Г. M., Шафриковский И. М., Кристаллография. М: ВШ, 1964
  18. Ю. А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М: Радио и связь, 1982, 234 с.
  19. N. С. Structure property relationship. Journal Electrochem. Soc. 1975, Vol 122, № 9, p.287−300.
  20. Hanneman R. H., Westbrook I. H. Effects of absorption of the indentation deformations of non-metallic solids. Phil. Mag., 1968, vol 18, № 151, p.73−88
  21. В. E., Литвинов Ю. M., Малюков Б. М. Определение металлографической полярности монокристаллов GaP. Изв. СО АН СССР Серия химических наук, 1975, вып. 4, с. 118- 121
  22. Травление полупроводников под ред. С. Н. Горина. М.:Мир, 1965, 381с.
  23. Н. С., Lavine М. С. Characteristics of the (111) surfaces of the III -V intermetallic compounds. J. Ellectrochem. Soc., 1960, № 5 p. 427 —433
  24. К. Травление кристаллов теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990, с.497
  25. Mankefors S., Nilsson P. O., Kanski J. Semiconductor polar surfaces: mechanisms of the stability of non-reconstructed III-V (111) surfaces. Surfaces Science. 1999, № 3, p. L1049-L1054
  26. Ю. M. Трещиностойкость полупровниковых соединений III-V. Влияние ионности и металлизации в связи. Труды VI всесоюзной конференции Физика разрушения. Киев, 1989, с 26−27
  27. Lee S. М. Sim S. М., Chung Y. W., Yang Y. К., Cho Н. К. Fracture strength measurement of silicon ships. Jap. Appl. Phys. Pt. 1 1997, № 6a, p.3374−3380
  28. Jairath P., Farkos I., Huand S. K., Stell M., Tseng S. M. Chemical-mechanical polishing process based on nanoindentation measurement of dielectric films. J. Electrochem. Soc. 1995 v. 142, № 9, p.3098−3103
  29. Runnels S. R. Feature-scale fluid-bassed erosion modeling for chemical-mechanical polishing. J. Electrochem. Soc. 1994, v. 141, № 7, p. 1900−1904
  30. С. П. Обоснование и разработка прецизионного способа двухстороннего шлифования свободным абразивом пластин кремния большого диаметра. Автореферат диссертации. М.:МИЭТ, 2001, 20с
  31. W. Т., Lio С. W., Dai В. Т., Yeh С. F. Effect of mechanical characterictic on the chemical-mechanical polishing of dielectric thin films. Thin solid films. 1996, v.290−291, p.458−463
  32. Liu C. W., Dai В. Т., Tseng W. Т., Yet C. F. Modeling of the wear mechanism daring chemical-mechanical polishing. J. Electrochem. Soc. 1996, v.143, № 2 p.716 —721
  33. Bulsara V. H., Ahn Y., Chandrasekal S., Farrs T. N. Mechanism of polishing. J. of Appied Mechanics. 1998, vol.65, p410−416
  34. В. В. Кабанова Е. Г. Прочностные характеристики эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных различными примесями. Неорганические материалы. 1999, том 35, № 12, с. 1420 -1424
  35. Н. В. Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра. Автореферат диссертации. М.:МИЭТ, 2002, с 27.
  36. Litvinov М., Litvinov Y., Khusnetdinov I. Mechanical properties and machinability of АШВУ semiconductors compounds. ICSC-2001, Obninsk, 2001, p.620−625
  37. С. С., Дашевский М. Л. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988, 574 с.
  38. Л. И., Нашельский А. Я., Колесник Л. И. Полупроводниковые фосфиды АШВУ и твердые растворы на их основе. М.: Металлургия, 1974, 231 с.
  39. А. Я. Технология полупровдниковых монокристаллов . М.: Металлургия, 1972.
  40. Р.Н. Современное состояние технологии подложек для изготовления ИС на основе арсенида галлия. М.: ТИИЭР, 1988, т.76, № 7, с 48−6049.0rito F., Okada H., Nakajima N. And Fukuda T. J. Electronic Materials. 1986, № 15, p 87
  41. Hashio K., Sawada S., Tatsumi M., Fujita K., Akai S. Low dislocation density Si-doped GaAs single crystal grown by the vapor-pressure-controlled Czochralski method. J. Of the Crystal Growth, 1997, p.34−41
  42. Kao I., Plasad V., Chiang F. P., Blaqavat M., Wei S. Modeling and experimental for large silicon wafers manufacturing. In Silicon materials science and technology. 1998, vol.1, p.607−618
  43. Hauser C., Nasch P.M. Advanced slicing techniques for single crystals. Proc. Of the First Internat. School of Crystal Growth Technoljgy, Beatenberg, Switzerland, 1998, Book of Lecture Notes, 1998, p.204−216
  44. Kao I., Plasad V., Chiang F. P., Bhaqavat m., Wei S. Modeling and experiments on wiresaw for large silicon wafers manufacturing. In Silicon Materials Science and Technology. 1998, vol.1, p.607−618
  45. Takada A., Yamagishi H., Minami H., Imai M. Research and development of super silicon wafer. In Silicon Materials Science and Technology. 1998, vol.1, p.376−395
  46. Kojima m., Kuboki T., Tasaka M., Havashi c., Aihra T. Development of wiresawing technology for manufacturing compact heat sinks for ULSI packages. Int. J. Japan Soc. Prec. Eng., 1998, vol.32, № 2, p.90−97
  47. Sahoo R. K., Plasad V., Kao I., Gupta K. P. Towards an integrated approach for analysis and desigh of wafer silicon by wire saw. Trans. Of ASME. J. Of Electron. Pack. 1998, vol.120, № 1 p.35−40
  48. H. А., Литвинов Ю. M., Раскин A. A., Яковлев С. П. Новое в технологии обработки пластин большого диаметра для изготовления СБИС. Зарубежная электроника 20 006 вып.4 с. 17−29
  49. A.A., Белоусова Ю. Е., Голодаева H. JL, Гончарова Н. В., Звягинцев И. В., Мальвинова О. В. и др. Проволочная резка в производстве пластин полупроводниковых соединений А1ПВУ. Электронная промышленность. 2003, № 36 с
  50. Обработка полупровдниковых материалов. Под ред. Новикова Н. В., Бертольди В. Киев: Наукова Думка, 1982, 234 с
  51. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. Под ред. Луфт Б. Д. М: Радио и связь, 1982, 136 с.
  52. Я. А., Кириченко И. В., Курбанов K.P. Строение нарушенного слоя в кристаллах германия, кремния и арсенида галлия. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1972, т.8, № 2, с 209−212
  53. В. И. Корбань В. И. Исследование поверхности монокристаллических подложек для эпитаксии после механической обработки. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: Наукова думка, 1973, № 13 с.3−16
  54. А. И., Енишерлова К. Л., Русак Т. Ф., Гриднев В. Н. Методы контроля нарушенных слоев при механической обработке монокристаллов. М.: Энергия. 1978, 69 с.
  55. И. А., Матвеева Л. А., Нечепорук Б. Д. Исследование нарушенных приповерхностных слоев в кристаллах арсенида галлия. Поверхность: Физика, химия, механика, 1992, с. 73−77
  56. Lavon В. R. Partial cone clack formation in a brittle material leaded wiht sliding spherical indenter. Proc. Roy. Soc. 1967, vol .299, p 307−316
  57. Корбань и др. Обработка монокристаллов в микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1988
  58. Проспект фирмы «Nalco Chemical», 2000
  59. Проспект фирмы «Nissan Chemical», 2001
  60. Проспект фирмы «Rodel», 1998.
  61. Parta S. Dutta and Ronald J. Gutmann Atomically flat surfaces of compound semiconductors by chemical-mechanical polishing. CMPMIC Conference 2000, p 441−450
  62. Steigerwold J. E., Murarka P. P., Gutmann Chemical-mechanical planarization of microelectronic materials. J. Wiley. 1997
  63. Kanaya M., Yashiro H., Ohtani N., Takahashi. J. Materials Science Forum. 1998, p.264−268
  64. Matsushita K., Fujisawa A., Ando N. Characterization of pure water-treated GaAs surfaces by measuring contact angles of wafer droplets. J. of Electroch. Soc. 2001, № 148(8), p. G401-G405
  65. Sawafuji J. and Nishizawa J. GaAs substrate with atomically flat polished surface. J. of Electroch. Soc. 1999, № 149(11), p.4253−4255
  66. E. П., Болховитянов Ю. В., Милер Н. А. Химико-механическая полировка подложек германия и арсенида галлия с использованием гипохлорита натрия. Электронная техника. 1972, Сер. 2, № 1, с. 129−135
  67. Watanabe J., Susuki J., Kobayshi A. High precision polishing of semiconductor materials using hydrodynamic principle. Cikp Ann, 1981, vol.30, p.94−95
  68. Garmley J. V., Mantea M. J. Polishing of semiconductor crystals. Rev.Soc. Justrum. 1981, vol 52, № 8, p. 1256−1259
  69. JI. H., Бойкив М. Н., Няшина А. В.Кинетика растворения арсенида галлия в растворах гипохлорита натрия. Электронная техника. 1973, № 7, с.38−41
  70. Д. И., Врублевский J1. Д., Зайцев И. И., Короткевич Н. М. Заключительная химико-механическая полировка пластин арсенида галлия. Электронная техника. Сер.2, 1977, № 2, с. 101−108
  71. П. С. Влияние состава полирующей суспензии на качество поверхности полупроводников АШВУ. Оптико-механическая промышленность, 1971, № 1, с.49−51
  72. Kadaky Н., Journal Surface Sci. Soc. Jap. 1996, vol.17, № 9, c.523−528
  73. Flade Т., Jurisch M., Klenwechter A., Kohler A., Kretzen U. State of the art 6″ GaAs wafer made of conventionally grow LEC cristals. J. of Cryctal Growth, 1999, № 5, p.198−199
  74. Guidici David C. Wafer flatness: an overview of measurement considerations and equipment correlation Solid State Tech. 1979, p. 59−61
  75. Lida A., KohraK. Phys. Stat. Sol. 1979, p.533−536
  76. Справочник методов исследования и контроля структурных и электрофизических свойств полупроводниковых материалов. Под ред. Батавина В. В., Хашимова Ф. Р. М.: НИИМВ, 1979, 274 с.
  77. Karaki-doy Т., Kageyama Т., Kasai Т., Nakagawa Т. A new polishing technique of GaAs single crystals and its mechanism. Int. J. Jap. Sol. Prec. Eng., 1996, vol.30, № 1, p. 16−22
  78. Bulsara V. H., Ahn Y., Chandrasekar S., Farris T. N. Mechanics of polishing. J. of App. Mech., 1998, vol.65, p.410−416
  79. Buijs М. And Houten К. L. Thee-bough abrasion of brittle materials as studied by lapping. Wear. 1993, vol 166, p.237−245
  80. Chauhan R., Ahn Y., Chndrasekar S., Farris T. N. Role of indentation fracture in free abrasive machining of ceramics. Wear, 1993, vol 162, p.246−257
  81. Roberts G. Depths of cracks produced by abrasion of bittle materials. Scripta Materialia. 1999, vol.40, № 1, p. 101−108
  82. Evans A. G., Wilshaw T. R. Acta Metall. 1976, 24,939
  83. Lawn B. R, Wilshaw T. R. J. Mater. Sci. 1975, № 10, p. 1049
  84. Cook R. F. Pharr G. M., J. Am. Ceram. Soc. 1990, № 73, p.787
  85. S. С., Pinardi К., Maes Н. Е., R. Van Overstraeten and М. Willander. Effect of elastic constants on the stresses in stripes and substrates: 2D FE calculation. Semicond. Sci. Technol. 1998 № 13, p.864−870
  86. Ю. А., Никаноров С. П. Упругие свойства и силы связи кристаллов с решетками алмаза и сфалерита. Физика тв. тела, 1984, 26, вып. И, с 3224—3232
  87. Hitachi. Cable Review, 2002, № 19, р.56
  88. С.ВВ., Хохлов А. И., Чуканов С. В., Яковлев С. П. Особенности обработки пластин кремния большого диаметра.Электронная промышленность.2003, № 3, с.24−32
  89. Г. Р., Шульга В. Г., Хохлов А. И. Минимизация формируемой на операции одностороннего химико-механического полирования разнотолщинность тонких кремневых пластин. Вестник МГТУ. Сер. Приборостроение, 1995, № 3, с. 109−120.
  90. А.И., Чуканов C.B., Шульга В. Г. Методы и оборудование для монтажа пластин кремния большого диаметра на технологическом этапе химико-механического полирования .Известия вузов ¡-Электроника, 1998, № 4, с.37−41
  91. В. А., Гусев В. К. Гидродинамические условия химического полирования полупроводниковых пластин. Журнал прикладной химии, 1970, т.43, № 6, с. 1238−1245
  92. В. А., Гусев В. К. О химическом полировании пластин. Электронная техника. Сер.7, 1973, № 1, с.36−41
  93. Травление полупроводников: сборник статей. М.: Мир, 1965, 382 с.
  94. С. М. Физико-химические аспекты процессов на границе раздела полупроводник раствор. Новосибирск СО АН СССР, 1973, 92с.
  95. О внедрении результатов диссертационной работы Мальвиновой О. В. «Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений АШВУсовременной точности обработки»
  96. АО «Элма-Мал^хйт»" о А. А .1. Акт
  97. О внедрении результатов диссертационной работы Мальвиновой О. В. «Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений АШВУсовременной точности обработки»
  98. Зам. директора ЗАО"Элма-Малахит">^^^^^^акалкин В. И. Зам. директора по качеству ^^^ У^^^^Пономарева O.A. Начальник НПО 20---------Цыпленков И.Н.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!