Закономерности формирования и свойства ионно-синтезированных систем на основе нанокристаллических включений кремния в двуокиси кремния и аморфном кремнии
Диссертация
Создание излучателей света на основе кремния имеет исключительно важное значение, так как это в конечном итоге позволит интегрировать в монолитные схемы электрические и оптические системы обработки информации. В силу непрямо-зонности кремния и связанными с этим низкими люминесцентными свойствами, создание на его базе эффективных светоизлучательных приборов долгое время считалось нереальным… Читать ещё >
Список литературы
- Canham L.T. Appl. Phys. Lett., 1990, V. 57, P.1046.
- Бару В.Г., Елинсон М. И., Жмтов В. А., Захаров Л. Ю., Лузанов ВА., Мельник H.H., Степанов Г. В., Чернушич А. П. //Микроэлектроника, 1998, Т. 27, С. 45−48.
- Seifarth Н., Grotzschel R., Markwitz A., Matz W., Nitzsche P., Rebohle L. H Thin Solid Films, 1998, V. 330, P. 202−205.
- Dutt a A.K. //Appl. Phys. Lett., 1997, V. 68, P. 1189−1191.
- Furukawa К., Liu Y., Nakashima H., Gao D., Uchino К., Muraoka К., Tsuzuki Н. II Appl. Phys. Lett., 1998, V. 72, P. 725−727.
- Shimizu-Iwayama Т., Fujita K., Nakao S., Saitoh K, Fujita R., Itoh N. II J.Appl. Phys., 1994, V. 75, P. 7779−7781.
- Kanemitsu Y, Okatava S. Phys. Rev. B, 1998, V 58, P. 9652−9655.
- Zhuravlev K. S, Gilinsky A.M., Kobitsky A.Yu. II Appl. Phys. Lett., 1998, V.73, P.2962−2964.
- Min K.S., Shcheglov К. V., Yang C.M., Atwater H.A., Brongercma M.L., Polman A. H Appl. Phys. Lett., 1996, V. 69, P.2033−2035.
- Тетельбаум Д.И., Карпович Д. И., Степихова М. В., Шенгуров В. Г., Марков К. А., Горшков О. Н. //Поверхность, 1998,№ 5, С. 31−33.
- Mutti P., Ghislotti G., Bertoni S., Bonoldi L., Cerofolini G.F., Meda L., Grilli E., GuzziM. II Appl. Phys. Lett., 1995, V. 66, P. 851−853.
- Качурин ГА., Реболе Л., Скорупа В., Янков P.A., Тысченко И. Е., ФребХ., Лео К. И ФТП, 1998, Т. 32, С. 439−444.
- Skorupa W., Yankov R.A., Rebohle L., Frod H., Bohme Т., Leo К., Tyschenco I.E., Kachurin G.A. II Nuci. Instr. Meth. B, 1996, V. 103, P.
- Yuliang He, Chenzhong Yin, Guangxu Cheng, Luchun Wang, Xiangna Liu, G.Y. Hull J. Appl. Phys, 1994, V. 75, P. 797−803.
- Голубев В.Г., Давыдов В. Ю., Медведев A.B., Певцов A.B., Феоктистов H.A. II ФТТ, 1997, Т. 39, С. 1348−1353.
- Голубев В.Г., Медведев A.B., Певцов A.B., Селъкин A.B., Феоктистов H.A. II ФТТ, 1999, Т. 41, С. 153−158.
- Павлов Д.А. Структурная модификация пленок кремния в процессе роста и легирования. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, Н. Новгород, 2001, 344 с.
- LutskiiV.V.H Phys. St. Sol., 1970, V. 1, P.199−201.
- Леденцов Н.Н., Устинов В. М., Щукин В. А., Копьев П. С., Алферов Ж. И., Бимберг Д. // ФТП, 1998, Т. 32, С. 385−410.
- Arakawa Y, Sakaki Н. II Appl. Phys. Lett., 1982, V. 40, P. 939−943.
- Ландау Л.Д., Лившиц E.M. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М.: Наука, 1989, 767 с.
- Boeringer D. W., Tsu R. II Phys. Rev. В, 1995, V. 51, P.13 337−13 343.
- Двуреченский A.B., Якимов А.И. II Известия ВУЗов, материалы электронной техники, 1999, № 4, С. 4−8.
- Yakimov A.I., Dvurechenskii А. V. // Phys. Rev. В, 2000, V. 61. P.
- P.N. Favennec, H.L. Haridon, M. Salvi, D. Moutonnet, Y. Le Guillou // Electron. Lett. 1989, V. 25, P. 718.
- M.G. Grimaldi, S. Co/fa et.al. //J. Lumin., 1999, V. 80, P. 487.
- Wai Lek Ng, Lourenco M.A., Gwilliam R.M., Ledain S., Shao G., Homewood K.P. // Nature, 2001, V.410, P.192−194.
- Lannoo M., Delerue C., Allan G. II Journal of luminescence, 1996, V.70, P. 170−184.
- Kim К. // Phys. Rev. B, 1998, V.57, P. 13 072−13 076.
- Свиридов В.В., Шевченко Г. П., Потапенко Л.Т. II Неорганические материалы, 1997, Т. 33, С. 1057−1059.
- Chen G.S., Boothroyd С.В., Humphreys C.J. II Microscopy of Semiconducting Materials, 1993, № 134, P. 503−508.
- Isihnkawa Y, Shibata N. Fukatsu S. II Jpn. J. Appl. Phys., 1997, V. 36, P. 40 354 037.
- Isihnkawa Y, Shibata N. 11 Appl. Phys. Lett., 1996, V. 68, P. 2249−2251.
- Isihnkawa Y., Shibata N., Fukatsu S. II Journal of Crystal Grown, 1997, V. 175−176, P. 493−498.
- Качурин Г. А., ЛайерА.Ф., Журавлев КС. П ФТП, 1998, Т. 32, С. 1371−1377.
- Лайер А. Ф., Сафронов Л. Н., Качурин Г.А. II ФТП, 1999, Т. 33, С. З 89−394.
- Kachurin G.A., Tyschenko I.E., Zhuravlev K.S., Pazdnikov N.A., Volodin V.A., Gutakovsky A.K., Leier A.F., Skorupa W" Yankov R.A. //Nucl. Instr. Meth. B, 1997, V. 122, P.571−574.
- Lalic N., Linnros J. // Journal of luminescence, 1999, V. 80, P. 263−267.
- Shimizu-Iwayama Т., Hole D.T., Townsend P.D. И J. Appl. Phys., 1998, V.83, P. 6018−6022.
- Shimizu-Iwayama Т., Hole D.T., Boyd I. W. II J. Phys.: Condens Matter, 1999, V. ll, P. 6595−6604.
- Zhuravlev K.S., Gilinsky A.M., Kobitsky A.Yu. // The materials of the 6th Itn. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», St. Peterburg (June 22−26), 1998, P. 469 472.
- Withrow S.P., Write C.W., Meldrum A., BudaiJ.D., Hembree D.M., Barbour J.C. II J. Appl.Phys., 1999, У. 86, P. 396−401.
- Markwitz A., Rebohle L., Hofmeister H" Skorupa W. //Nucl. Instr. Meth. B, 1999, V. 147, P. 361.
- Zhu J.G., White C.W., BudaiJ.D., Withrow S.P., Chen Y. II J. Appl. Phys., 1995, V. 78, P. 4386−4389.
- Pavesi L., Negro L.D., Franzo G" Prido F. 11 Nature, 2000, V. 408, P. 440−444.
- M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamota. II Appl. Phys. Lett., 1999, V. 75, P.184−186.
- M. Fuj’ii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamota, Ch. Urakawa, H. Ohta II J. Appl. Phys., 2000, V. 87, P.1855−1857.
- Mimura, M. Fujii, S. Hayashi, D. Kovalev, F. Koch. II Phys.Rev., 2000, V. 62, P.12 625−12 627.
- Zhu J.G., White C.W., BudaiJ.D., Withrow S.P., Chen Y. II Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1995, V. 358, P. 175.
- Силинъ A.P., Трухин A.H. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02. Рига, Изд. «Зинатне», 1985, 244 с.
- S. Guha, Расе M.D., Dunn D.N., Singer L.I. II Appl. Phys. Lett., 1997, V 70, P. 1207−1209.
- X. Zhao, Sh. Komuro, H. Isshiki, Y. Aoyagi, T. Sugano // Appl. Phys. Lett., 1999, V. 74, P.120.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, 455 с.
- Качурин Г. А., Яновская C.F., Журавлев К. С., М.-О. Ruault //ФТП, 2001, Т.35, № 10, С. 1235−1240.
- Тетелъбаум Д.И., Шенгуров В.F., Шенгуров Д. В. и др. //Поверхность. 1998, № 5, С. 34.
- Butty J., Peyghambarian N., Kao H.Y., Mackenzie J.D. II Appl. Phys. Lett., 1996, V. 69, P.3224−3226.
- Goodwin T.J., Leppert V.J., Smith CA., Risbud S.H., Niemeyer M., Power P.P., Lee H.W.H., Hrubesh L. W. II Appl. Phys. Lett., 1996, V. 69, P.3230−3232.
- Okamoto S., Kanemitsu Y., Sung Min К., Atwater H.A. 11 Appl. Phys. Lett., 1998, V. 73, P.1829−1831.
- White C. W., Budai J.D., Withrow S.P., Zhu J.G., Sonder E., Zuhr R.A., Meldrum A., Hembree D.M., HEnderson D.O., Prawer S. //NIMB, 1998, V. 141, P. 228−240.
- Bonafos С., Garrido В., Lopez M., Romano-Rodrigues A., Gonzalez-Varona О., Perez-Rodriguez A., Morante J.R., Rodriguez R. IINIMB, 1999, V. 147, P.373−377.
- Bonafos C., Garrido В., Lopez M., Romano-Rodrigues A., Gonzalez-Varona О., Perez-Rodriguez A., Morante J.R. //Appl. Phys. Lett., 1998, V. 72, P. 3488−3491.
- Pham M.T., Moller D" Matz W., MucklichA., Oswalds. // J. Phys. Chem. В., 1998, V. 102, P. 4081−4088.
- Силинъ A.P. II Физика и химия стеклообразующих веществ, 1976, В. 4, С.64−67.
- Силинъ A.P. II Физика и химия стекла, 1978, Т.4, № 3, С.263−266.
- Simmons J.G., Taylor G.W. //Phys. Rev. В, 1972, V. 6, P.4804−4808.
- Griscom D.L. II Phys. Rev. B, 1979, V. 20, P. 1823−1834.
- Hughes R.C. II Phys. Rev. Lett., 1973, V.30, P. 1333−1336.
- Calabrese E, Fowler W.B. //Phys. Rev. B, 1978, V. 18, P. 2888−2896.
- Chelikowsky J.R., Schluter M. // Phys. Rev. B, 1977, Y. 15, P. 4020−4029.
- YipK.L. Fowler W.B. //Phys. Rev. B, 1974, V.10, P. 1400−1408.
- GrasseD., Kosar O., PeislH., etal. II Phys. Rev. Lett., 1981, V. 46, P. 261−264.
- Бреховский СМ., Витол И. К., Закис Ю. Р. // Оптика и спектроскопия, 1971, Т.30, № 1, С. 115−118.
- Cohen A.J. II Phys. Rev., 1957, V. 105, P. 1151−1155.
- Hetherington G., JackK.H., Ramsay O., et al. H Phis. Chem. Glasses., 1965, V.6, P. 6−15.
- Халипов B.X., Пивоваров С. С. Оптические и спектральные свойства стекол. Рига, 1977, с. 56−57.
- Санаев Б., Икрамов Г. И., Усманов С. Х. и др. II Физика и химия стекла, 1977, Т. 3, С. 376−379.
- Spitzer W.G., KleinmanD.A. //Phys. Rev. 1961, V.121, P. 1324−1335.
- Greaves G.N. II J. Non-Crystalline Solids, 1979, V. 32, P. 295−311.
- Shelby J.E. // J. Appl. Phys, 1979, V. 50, P. 3702−3706.
- Закис Ю. P., Ланда Л. М., Силинъ A.P., Трухин A.H. II Изв. АН СССР. Сер. физ., 1971, Т. 35, С. 1498−1500.
- Трухин А.Н., Эцен С. С., Шендрик А. В. // Изв. АН СССР. Сер. физ, 1976, Т. 40, С. 2329−2333.
- Zhang J., BaoX., LiN., Song H. //J. Appl. Phys, 1998, V. 83, P. 3609−3613.
- Garrido В., Samitier S., Moreno J. A., et al II J. Appl. Phys, 1997, V. 61, P.126−134.
- Hosono H., KawazoeH., MatsunamiN. II Phys. Rev. Lett, 1998, Y. 80, P.317−320.
- Hosono H., Weeks R.A. II Phys. Rev. B, 1989, V. 40, 10 543- 10 549.
- Hosono H" MatsunamiN. //Phys. Rev. B, 1993, Y. 48, P. 13 469−13 474.
- Hoffmann G., Hermann L., Puskas L., Kovacs P., Nagy A. Il J. Appl. Phys., V.10, P. 1509−1519.
- Devine RA.B. //Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res., 1990, В 46, P. 261−264.
- Моден A., Шо M. Физика и применение аморфных полупроводников: Перевод с англ., М.: Мир, 1991, 670 С.
- Аморфные полупроводники. Под редакцией М. Бродски. Перевод с англ, М.: Мир, 1982. 419 С.
- Pankove J.I., Carlson D.E. II Appl. Phys Lett, 1976, V. 29, P. 620.
- Street R.A., Knights J. С., Biegeison D.K. //Phys. Rev. В 18, 1978, P. 1880.
- Re bohle L., J. von Borany, FrodH, Skorupa W. II Nucl. Instr. Meth. B, 1996, V.46, P. 567.
- Weisbuch С., Vinter В. Quantum semiconductor structures. Fundamentals and applications. Boston et al.: Academic Press, inc. 1991. 252 P.
- BabicD., TsuR., Greene R. F. II Phys. Rev. B, 1992, V. 45, P. 14 150−14 160.
- Khurgin J.В., Forsythe E.W., Tompa G.S., Khan B.A. // Appl. Phys. Lett., 1996, V. 69, P. 1241−1243.
- ZiJ., BuscherH., Falter С., Ludwig W. //Appl. Phys. Lett., 1996, V.69, P.200−203.
- Eckstein W. Computer simulation of ion solid interaction. Berlin — Heidelberg, Springer-Verlag, 1991, 296 P.
- Komoda T. II Nucl. Instr. and Meth. B, 1995, V. 96, P. 387.100 .Баронский П. И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Наукова думка, Киев, 1975, 704 С.
- Maeda J. II Phys. Rev. В, 1995, V. 30, 1518−1520.
- Буренков А.Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Темкин М.М/1 Пространственные распределения энергии, выделенной в каскадах атомных столкновений в твердых телах. М., Энерготехиздат, 1985. 248 с.
- Гиббоне Дж.Ф. П Тр. ин.-та инжинеров по элекротехнике и радиоэлектронике. 1972, Т. 60, № 9, С. 53.
- Аморфный кремний и родственные материалы. Под редакцией Фрицше X. -М.: Мир, 1991,544 с.
- Физические процессы в облученных полупроводниках. Под редакцией Смирнова U.C. Новосибирск: Наука, 1977, 256 с.
- А1. Тетелъбаум Д. И., Горшков О. Н., Трушин С. А., Степшова М. В. Свойства системы SiC>2:Si, полученной методом ионной имплантации кремния в Si02 Вестник ННГУ. Сер. «Физика твердого тела». 1998, в.2, С. 162−166.
- А2. Тетелъбаум Д. И., Горшков О. Н., Трушин С. А., Степихова М. В. Усиление фотолюминесценции наноструктурированной системы «кремний в Si02″ при ионном легировании фосфором. Изв. РАН. Сер. физ. 1999, Т.63, № 2. С. 348 351.
- А5. Тетелъбаум Д. И., Трушин С. А. Компьютерное моделирование формирование аморфно-кристаллической двухфазной наносистемы при ионном облучении кремния. Изв. РАН. Сер. физ. 2000, Т.64, № 4. С.2168−2169.
- А8. Tetelbaum D.I., Trushin S.A., Krasil’nik Z.F., Gaponova D.M., Mikhailov A.N. Luminescence of silicon nanostructured by irradiation with heavy ions. Optical Materials. 2001. V. 17. No. 1−2. P. 57−59.
- A9. Tetelbaum D.I., Trushin S.A., Burdov V.A., Golovanov A.I., Revin D.G., Gaponova D.M. The influence of phosphorus and hydrogen ion implantation on the photoluminescence of Si02 with Si nanoinclusions. Nucl. Instr. Meth. В 2001. V. 174. P. 123−129.
- А10. Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Trushin S.A., Revin D.G., Gaponova D.M., Eckstein W. The enhancement jf luminescence in ion implanted Si quantum dots in Si02 matrix by means of dose alignment and doping. Nanotechnology, 2000, V. 11, P. 295−297.
- А25. Тетельбаум Д. И., Трушин СЛ., Горшков О. Н., Бурдов В. А., Ревин Д. Г.,
- A31. Tetelbaum D.I., Trushin S.A., Krasil’nik Z.F., Gaponova D.M. Luminescence of silicon nanostructured by irradiation with heavy ions. Abstracts of the European spring meeting on research of materials (E-MRS-2000, Strasbourg, 2000). G/Pl.7.31.8.2.
- А34. Тетельбаум Д. И., Трушин CA., Гапонова Д. М., Ревин Д. Г., Галованов А. И. Влияние режимов имплантации на фотолюминесцентные свойства квантовых точек кремния в матрице Si02, легированных фосором и водородом. (Ульяновск 2000). С. 100.
- А35. Тетельбаум Д. И., Трушин С. А., Гапонова Д. М., Ревин Д. Г., Галованов А. И. Фотолюминесцентная диагностика нановключений кремния (квантовых точек) в аморфном кремнии, полученных методом ионной бомбардировки. (Ульяновск 2000). С. 101.
- A43. Eckstein W., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Novikov V.A., Tetelbaum D. I
- Trushin S.A. The formation modeling and properties of nanocrystals in insulator• th matrices (Si02-Si, Zr02(Y):Zr) by ion implantation. Abstracts on XIIP Intern. Conf.
- On Ion Implantation Technology (IIT 2000)» (Alpbach, Austria, Sept. 17−22,2000). P. Pl-22.