Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние магнитного поля на подвижность дислокаций в ионных кристаллах

Диссертация: Влияние магнитного поля на подвижность дислокаций в ионных кристаллах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Влияние слабых (до 1 Тл) постоянных и импульсных магнитных полей на различные механические и микропластические характеристики конденсированных сред привлекает в последнее время большое внимание исследователей. Открываются всё новые возможности по изменению и управлению химическими реакциями в растворах, свойствами аморфных тел и характеристиками диамагнитных кристаллов с помощью магнитных полей… Читать ещё >

Влияние магнитного поля на подвижность дислокаций в ионных кристаллах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Экспериментальные данные о влиянии магнитного поля на характеристики твердого тела
    • 1. 2. Модель Ag — механизма в химических реакциях и твердом теле
    • 1. 3. Спиновая релаксация
    • 1. 4. Влияние колебаний решетки на процессы возбуждения
  • ГЛАВА 2. РЕЗОНАНСНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ОТРЫВЕ ДИСЛОКАЦИИ ОТ ТОЧЕЧНОГО СТОПОРА ПРИ НАЛОЖЕНИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ В НЕМАГНИТНЫХ КРИСТАЛЛАХ
    • 2. 1. Гамильтониан и базисные волновые функции
    • 2. 2. Энергетический спектр
    • 2. 3. Волновые функции в магнитном поле
    • 2. 4. Уравнения движения дислокации в полях напряжений
    • 2. 5. Резонанс при вынужденных колебаниях и параметрический резонанс
  • ГЛАВА 3. ДИССИПАТИВНЫЕ ПРОЦЕССЫ В СИСТЕМЕ ДИСЛОКАЦИЯ- ПРИМЕС
    • 3. 1. Эффект биения волновой функции в системе содержащей два энергетических уровня
    • 3. 2. Осцилляции квантовой силы и волновых функций валентных электронов
    • 3. 3. Релаксация модуля спина в магнитном поле

Актуальность темы

Влияние слабых (до 1 Тл) постоянных и импульсных магнитных полей на различные механические и микропластические характеристики конденсированных сред привлекает в последнее время большое внимание исследователей. Открываются всё новые возможности по изменению и управлению химическими реакциями в растворах, свойствами аморфных тел и характеристиками диамагнитных кристаллов с помощью магнитных полей. Одновременно с этим идет поиск теоретических моделей, на основе которых можно было бы объяснить и предсказать изменения пластических свойств различных сред под действием магнитного поля. Исследования в этой области помогают понять природу конденсированного состояния вещества и, в частности, процессы, происходящие в нем на микроуровне.

Развитие представлений о магнитопластическом эффекте [1] привело к пониманию того, что важнейшими задачами являются привлечение представлений о спин-зависимых процессах в конденсированных средах и поиск структурных элементов, отвечающих за те или иные свойства материалов. Анализ существующих экспериментальных данных и теоретических представлений показывает то, что магнитопластический эффект определяется совокупностью процессов, происходящих на различных уровнях строения вещества.

Существующие теории и модели на сегодняшний день не могут объяснить весь спектр явлений и их особенностей, наблюдаемых в экспериментах. И тем более, пока нет универсальной теории, объясняющей всю многогранность и широту проявлений влияния магнитных полей на характеристики конденсированных сред.

Широко распространены представления о спин-зависимых химических реакциях радикальных пар в растворах, однако их применимость для описания процессов в кристаллических телах остается под вопросом.

Цель и задачи работы.

Целью работы является развитие и углубление представлений о физических механизмах магнитопластического эффекта в диамагнитных кристаллах.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы основные задачи научной работы:

— критический анализ экспериментальных данных, теоретических моделей, описывающих магнитопластический эффект и физических явлений, важных для понимания физики процессов, происходящих в магнитном поле;

— поиск физических механизмов, на основе которых можно описать различные стадии магнитопластического эффекта в диамагнитных кристаллах;

— исследование роли и вклада различных взаимодействий внутри изучаемой системы;

— оценка характерного времени депиннинга дислокации как критерия, определяющего меру воздействия магнитного поля на внутреннюю структуру кристалла, и сравнение полученных оценок с известными экспериментальными данными.

Научная новизна.

Основные результаты исследований воздействия слабых магнитных полей на процессы в ионных кристаллах получены впервые и заключаются в следующем:

— предложена модель открепления дислокации от стопора при наложении магнитного поля, показывающая возможность такого процесса в области малых расстояний между взаимодействующими ионами;

— сформулированы представления о биении квантовой силы, действующей в системе, определена роль резонансных процессов в эффекте открепления дислокации;

— сформулированы положения о способах передачи энергии возбужденных квантовых состояний решетке кристалла;

— предложен механизм открепления дислокаций от примесного атома, заключающийся в изменении модуля спина двухэлектронной системы, вследствие наличия релаксационных процессов квантовых колебаний атомов.

Практическая значимость работы.

Полученные в работе результаты и разработанные модели, изложенные в оригинальных главах 2, 3 могут быть использованы для последующего развития физической теории магнитопластического эффекта, а также для интерпретации экспериментально наблюдаемых эффектов открепления и закрепления дислокаций в магнитном поле. Результаты исследования могут быть включены в курс лекций, посвященных пластическим свойствам твердого тела.

Положения, выносимые на защиту:

— квантовомеханическая модель связанного состояния, гамильтониан, энергетический спектр. Классический подход для описания движения атомов взаимодействующей системы. Смешивание состояний при учете спин-орбитального взаимодействия валентных электронов системы дислокация-стопор;

— квантовые силы, возрастающие при изменении расстояния между уровнями вызванного наложением магнитного поля, релаксация модуля спина, влияние на них магнитного поля. Диссипация энергии связанного состояния;

— механизм влияние магнитного поля на скорость процессов открепления дислокации, оценки времен депиннинга;

— резонансные эффекты в системе дислокация-стопор в магнитном поле, резонанс при вынужденных колебаниях и параметрический резонанс, их влияние на процессы депиннинга, оценка характерных времен депиннинга, обусловленных резонансными явлениями;

Апробация работы.

Основные результаты докладывались и обсуждались на конференциях: The XXI International Conference on Relaxation Phenomena in Solids (Voronezh, Russia, October 5−7, 2004), The Fifth International Seminar on Ferroelastic Physics (Voronezh, Russia, September 10 — 13, 2006), X конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (Владивосток, 26−29.04.2006 г.), Седьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (Санкт-Петербург, 5−9 декабря 2005 г.).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 3 печатные статьи и 4 тезиса докладов различных конференций.

Личный вклад автора.

Автор являлся фактическим исполнителем всех поставленных задач, участвовал в обсуждении результатов и проводил подготовку научной публикации для печати.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов, списка литературы. Работа изложена на 102 страницах машинописного текста, содержит 6 рисунков и библиографию из 123 наименований.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

Для объяснения влияния магнитного поля на открепление дислокаций от парамагнитного стопора необходимо учитывать одновременное влияние магнитного поля и спин-орбитального взаимодействия на электронный спектр системы двух электронов. Их наличие приводит к расщеплению триплетного уровня на три подуровня и к смешиванию различных состояний.

2. В системе ион дислокации — парамагнитный центр существует квантовая осциллирующая сила, приводящая к диссипации энергии связанного состояния, обусловленной взаимодействием с фононной подсистемой кристалла. Магнитопластический эффект обусловлен релаксацией модуля спина двух валентных электронов, возникающей благодаря диссипации энергии из системы двух связанных электронов.

3. Включение магнитного поля ускоряет релаксационные процессы, характеризующие движение в паре дислокация-примесь путем увеличения расстояния между триплетными уровнями и увеличения частот колебаний, пропорциональных расщеплению, что создает возможность для передачи упругих сил со стороны сегмента дислокации для разрушения химической связи в системе двух электронов. Зависимость от магнитного поля определяется величиной зеемановского расщепления уровней.

4. Существующие в системе дислокация-парамагнитный центр резонансные эффекты приводят к нарастанию амплитуды колебаний иона, принадлежащего дислокации, и, как следствие, к его отрыву от стопора. Однако оценка скорости такого процесса говорит о малом вкладе такого механизма в общем процессе открепления дислокации от стопора.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.И., Даринская Е. В., Колдаева М. В., Петржик Е. А. Магнитопластический эффект: основные свойства и физические механизмы // Кристаллография. — 2003. — Т. 48, № 5. — С. 826−854.
  2. В.И., Даринская Е. В., Перекалина Т. М., Урусовская А. А. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля // Физика твердого тела. 1987. — Т. 29, № 2. — С. 467 470.
  3. В.И., Даринская Е. В., Гектина И. В., Лаврентьев Ф. Ф. Исследование магнитопластического эффекта в кристаллах цинка // Кристаллография. 1990. — Т. 35, № 4. — С. 1014−1016.
  4. В.И., Даринская Е. В., Перекалина Т. М., Петржик Е. К. «In situ» изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления // Физика твердого тела. 1991. — Т. 33, № 10. -С. 3001−3010.
  5. В.И., Воска Р., Даринская Е. В., Петржик Е. А. Магнитопластический эффект в кристаллах NaCl, LiF и А1 в переменном магнитном поле // Физика твердого тела. 1993. — Т. 35, № 1.-С. 70−72.
  6. Alshits V.I., Darinskaya E.V., Kazarinova E.L. et. all. Magnetoplastic effect in non-magnetic crystals and internal friction // J. Allows and Compounds. -1994.-V.211.-P. 548−553.
  7. В.И., Даринская E.B., Казакова О. Л. Магнитопластический эффект в облученных кристаллах NaCl и LiF // ЖЭТФ. 1997. — Т. 111, № 2.-С. 615−626.
  8. В.И., Даринская Е. В., Михина Е. Ю., Петржик Е. А. О природе влияния электрического тока на магнито-стимулированнуюмикропластичность монокристаллов А1 // Письма в ЖЭТФ. 1998. — Т. 67, № 10.-С. 788−793.
  9. В.И., Даринская Е. В. Магнитопластический эффект в кристаллах LiF и продольная релаксация спинов // Письма в ЖЭТФ. -1999.-Т. 70, № 11.-С. 749−753.
  10. В.П., Даринская Е. В., Легеньков М. А., Морозов В. А. Движение дислокаций в кристаллах NaCl при комбинированном воздействии механических и электромагнитных импульсов, создаваемых электронным пучком // ФТТ. 1999. — Т. 41, № 11. — С. 2004−2006.
  11. В.И., Даринская Е. В., Колдаева М. В. Особенности дислокационной динамики при импульсном нагружении кристаллов NaCl // ФТТ. 2001. — Т. 43, № 9. — С. 1635−1642.
  12. В. И., Беккауер Н. Н., Смирнов А. Е., Урусовская А. А. Магнитопластический эффект при макродеформировании кристаллов PbS и NaCl // Изв. РАН (сер. физич.) 2003. № 6. — С. 775−777.
  13. А.А., Алыпиц В. И., Смирнов А. Е., Беккауер Н. Н. Эффекты магнитного воздействия на механические свойства и реальную структуру немагнитных кристаллов // Кристаллография. -2003,№ 5. С. 855−872.
  14. Е.В., Хартманн Е.О влиянии концентрации точечных дефектов в кристаллах NaCl и LiF на поле насыщения магнитопластического эффекта // ФТТ. 2003. № 11. — С. 2013−2016.
  15. В.И., Урусовская А. А., Смирнов А. Е., Беккауер Н. Н. Деформация кристаллов LiF в постоянном магнитном поле // Физика твердого тела. 2000. — Т. 42, № 2. — С.270−272.
  16. Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов, Иволгин В.И. Фотовозбуждение магниточувствительных точечных дефектов в ионных кристаллах // Кристаллография. 1998. — Т. 43, № 5. — С. 912−916.
  17. Ю.И., Моргунов Р. Б., Лопатин Д. В., Баскаков А. А. Влияние импульсного магнитного поля до 30 Тл на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl // Кристаллография. 1998. — Т. 63, № 6. — С. 1115−1118.
  18. Дунин-Барковский Л. Р., Моргунов Р. Б., Tanimoto У. Влияние постоянного магнитного поля до 15 Тл на эффект Портевена-Ле Шателье в кристаллах NaCl: Eu // Физика твердого тела. 2005. — Т. 47, № 7.-С. 1241−1246.
  19. Galligan J.M., Pang C.S. The electron drag on mobile dislocations in cooper and aluminum at low temperatures. Strain rate, temperature and field dependence // J. Appl. Phys. 1979. — V. 50, № 10. — P. 6253−6256.
  20. H.A., Красников В. Л., Белозерова Е. П. Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов LiF // Физика твердого тела. -1999. Т. 41, № 6. — С. 1035−1041.
  21. Ю.И., Моргунов Р. Б. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl // Письма в ЖЭТФ. 1993. — Т. 58, № 3. — С. 189−192.
  22. Ю.А., Казакова О. Л., Моргунов Р. Б. Подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl в постоянном магнитном поле // Физика твердого тела, 1993.-Т. 35, № 5. — С. 1384−1386.
  23. Ю.И., Моргунов Р. Б. Магнитная память монокристаллов NaCl с дислокациями // Физика твердого тела. 1993. — Т. 35, № 9. — С. 25 822 585.
  24. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Tyutyunnik A.V. The influence of permanent magnetic and alternative electric fields on the dislocation dynamics in ionic crystals // Phys. Stat. Sol. (b). 1995. — V. 189. — P. 75−80.
  25. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние постоянного магнитного поля на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl // Физика твердого тела. 1995. — Т. 37, № 5. — С. 1352−1361.
  26. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние постоянного магнитного поляна скорость пластического течения монокристаллов NaCl:Ca // Физика твердого тела. 1995. — Т. 37, № 7. — С. 2118−2121.
  27. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов // Письма в ЖЭТФ. 1995. — Т. 61, № 7. — С. 583−586.
  28. Ю.И., Моргунов Р. Б., Тютюнник А. В. Исследование in situ динамики дислокаций в монокристаллах NaCl, обработанных постоянным магн. полем // Изв. РАН (сер. физич.). 1995. — Т. 59, № 10. — С. 3−7.
  29. Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов С. Е., Карякин A.M. Релаксационные явления при пластическом деформировании ионных кристаллов в постоянном магнитном поле // Изв. РАН (сер. физическая). 1996. -Т. 60, № 9.-С. 173−178.
  30. Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов С. Е., Головин Д. Ю. Долгожи-вущие состояния дефектов структуры в монокристаллах NaCl, индуцированные импульсным магнитным полем // Физика твердого тела. -1996. Т. 38, № 10. — С. 3047−3049.
  31. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Lopatin D.V., Baskakov A.A. Influence of a strong magnetic fields pulse on NaCl crystal microhardness // Phys. Stat. Sol. (a).- 1997, — V. 160. С 3−10.
  32. Ю.И., Моргунов Р. Б. Магниточувствительные реакции между дефектами структуры в ионных кристаллах // Известия РАН (сер. химическая). 1997, № 4. — С. 739−744.
  33. Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов С. Е. Влияние постоянного магнитного поля на преодоление дислокациями короткодействующих препятствий в монокристаллах LiF // Физика твердого тела. 1997. -Т. 39, № 3,-С. 495−496.
  34. Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов С. Е., Киперман В. А., Лопатин Д. В. Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1997. — Т. 39, № 4. — С. 634−639.
  35. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В.Е. In situ исследование влияния магнитного поля на подвижность дислокаций в деформируемых монокристаллах КС1: Са // Физика твердого тела. -1997. Т. 39, № 4. — С. 630−633.
  36. Ю.И., Моргунов Р. Б. Магнитопластические эффекты в кристаллах // Известия РАН (сер. физическая). 1997. — Т. 61, № 5. -С. 850−859.
  37. Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов С. Е. Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированного импульсом магнитного поля // Известия РАН (сер. физическая). 1997. — Т. 61, № 5. — С. 965−971.
  38. Ю.И., Моргунов Р. Б. О роли обменных сил в формировании пластических свойств диамагнитных кристаллов // Доклады РАН. -1997.-Т. 354, № 5.-С. 632−634.
  39. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е. Термодинамические и кинетические аспекты разупрочнения ионных кристаллов импульсным магнитным полем // Физика твердого тела. 1997. — Т. 39, № 11. -С. 2016−2018.
  40. Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов С. Е. Роль внутренних механических напряжений в магнитостимулированном движении дислокаций // Кристаллография. 1998. — Т. 43, № 4. — С. 689−693.
  41. Ю.И., Моргунов Р. Б., Шмурак С. З. Оптическое возбуждение магниточувствительных центров в ионных кристаллах // Доклады РАН. 1998. — Т. 360, № 6. — С. 753−755.
  42. А.А., Алыпиц В. И., Беккауер Н. Н., Смирнов А. Е. Деформация кристаллов NaCl в условиях совместного действия магнитного и электрического полей // Физика твердого тела. 2000. -Т. 42, № 2. — С. 267−269.
  43. Ю.И., Моргунов Р. Б., Тюрин А. И., Иволгин В. И. Магнитныйрезонанс в короткоживущих комплексах структурных дефектов в монокристаллах NaCl // Доклады РАН. 1998. — Т. 361, № 3. -С. 352−354.
  44. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е., Жуликов С. Е., Дмитриевский А. А. Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl // Письма в ЖЭТФ. 1998. — Т. 68, № 5. — С. 400−405.
  45. Ю.И., Моргунов Р. Б., Лопатин Д. В., Баскаков А. А., Евгеньев Я. Е. Обратимые и необратимые изменения пластических свойств кристаллов NaCl, вызванные действием магнитного поля // Физика твердого тела. 1998. — Т. 40, № 11. — С. 2065−2068.
  46. Ю.И., Моргунов Р. Б., Тютюнник А. В., Жуликов С. Е., Афонина Н. М. Влияние магнитных и электрических полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl // Физика твердого тела. -1998.-Т. 40, № 12.-С. 2184−2188.
  47. В.В., Осипьян Ю. А., Шалынин А. И. Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных оборванных связях в кремнии // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1982. — Т. 83, № 2(8). — С. 699−714.
  48. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние слабого магнитного поля на состояние структурных дефектов и пластичность ионных кристаллов // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1999. — Т. 115, № 2. — С. 605−624.
  49. О.И., Алексеенко В. И. Внутреннее трение в магнитообработанном материале с дислокациями // Физика твердого тела. 1997. — Т. 39, № 7. — С. 1234−1236.
  50. О.И. Дислокационное внутреннее трение материала с вакансиями в импульсах слабого магнитного поля // Физика твердого тела. 2002. — Т. 44, № 2. — С. 289−290.
  51. А.А., Орлов A.M., Гончар Л. И. Влияние слабого магнитного поля на подвижность дислокаций в кремнии // ЖЭТФ. 2001. — Т. 120, № 1(7).-С. 134−138.
  52. В.И. Реакция системы дислокация примесь на электромагнитное воздействие // Ж. Тех. Физ. — 2000. — Т. 70, № 6. — С. 63−66.
  53. В.А., Пахотин В. А., Шульдинер А. В. О возможном влиянии магнитного поля на разрыв механически нагруженных ковалентных химических связей // ФТТ. 2002. — Т. 44, №. 11.- - С. 1990−1993.
  54. Е.А., Даринская Е. В., Ерофеева С. А., Паухман М. Р. Влияние легирования и предварительной обработки на магнитостимулирован-ную подвижность дислокаций в монокристаллах InSb // Физика твердого тела. 2003. — Т. 45, № 2. — С. 254−256.
  55. Ю.А., Моргунов Р. Б., Баскаков А. А., Орлов A.M., Скворцов А. А., Инкина Е. Н., Танимото Й. Магниторезонансное упрочнение монокристаллов кремния // Письма в ЖЭТФ. 2004. — Т. 79, №. 3. — С. 158−162.
  56. Ю.А., Головин Ю. И., Лопатин Д. В., Моргунов Р. Б., Николаев Р. К., Шмурак С. З. Влияние импульсного магнитного поля на микротвердость монокристаллов Сбо // Письма в ЖЭТФ. 1999. — Т. 69, № 2.-С. 110−113.
  57. Ю.А., Головин Ю. И., Лопатин Д. В., Моргунов Р. Б., Николаев Р. К., Шмурак С. З. Влияние постоянного магнитного поля на фотопроводимость монокристаллов Сбо // Физика твердого тела. 1999. — Т. 41, № 11.-С. 2097−2099.
  58. Ю.А., Головин Ю. И., Моргунов Р. Б., Николаев Р. К., Пушнин И. А., Шмурак С. З. Инверсия знака магнитопластического эффекта в монокристаллах Сбо при фазовом переходе sc fee 11 Физика твердого тела. — 2001. — Т. 43, № 7. — С. 1333−1335.
  59. Ю.И., Дмитриевский А. А., Николаев Р. К., Пушнин И. А. Влияние ультраслабого ионизирующего облучения на магнитопластический эффект в монокристаллах фуллерита Сб0 // Физика твердого тела. 2003. — Т. 45, № 1. — С. 187−190.
  60. Ю.И. Магнитопластичность твердых тел // Физика твердого тела. 2004. — Т. 46, № 5. — С. 769−803.
  61. Ю.И., Моргунов Р. Б., Баскаков А. А., Бадылевич М. В., Шмурак С. З. Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS // Письма в ЖЭТФ. 1999. — Т. 69, № 2.-С. 114−118.
  62. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние магнитного поля на макросвойства реальных диамагнитных кристаллов (часть 1) // Материаловедение. 2000. — Т. 115, № 3. — С. 2−9.
  63. Ю.И., Моргунов Р. Б. То же (часть 2) // Материаловедение. -2000.-Т. 115, № 4.-С. 2−7.
  64. Р.Б., Головин Ю. И. Возможный механизм влияния магнитного поля на состояние метастабильных комплексов точечных дефектов в ионных кристаллах // Известия вузов. Материалы радиоэлектронной техники. 1999. — Т. 53, № 6. — С. 217−218.
  65. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е., Жуликов С. Е., Лопатин Д. В. Релаксационные процессы, стимулированные слабым магнитным полем в подсистеме точечных дефектов в ионных кристаллах // Кристаллография. 1999. — Т. 44, № 5. — С. 885−889.
  66. Ю.И., Моргунов Р. Б., Дмитриевский А. А., Шмурак С. З. Анизотропия оптического гашения магнитопластического эффекта в монокристаллах NaCl // Кристаллография. 2000. — Т. 64, № 1. -С. 154−155.
  67. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е., Дмитриевский А. А. Эффекты разупрочнения ионных кристаллов, вызванные изменениемспиновых состояний в условиях парамагнитного резонанса // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 2000. — Т. 117, № 6. — С. 1080−1093.
  68. Garanin D.A., Luchnikov А.Р., Lutovinov V.S. The influense of magnetic field on dielectric relaxation process // J. Phys. (Fr.). 1990. — V. 51, № 11. -P. 1229−1238.
  69. Ю.И., Моргунов Р. Б., Ликсутин С. Ю. Влияние импульса сильного магнитного поля на механические свойства полиметилметакрилата // Высокомол. соединения (серия Б). 1998. — Т. 40, № 2.-С. 373−376.
  70. Ю.И., Моргунов Р. Б., Ликсутин С. Ю. Термодинамические и кинетические аспекты влияния импульсного магнитного поля на микротвердость полиметилметакрилата // Высокомол. соединения (серия Б). 1999. — Т. 42, № 2. — С. 277−281.
  71. Ю.И., Моргунов Р. Б. Новый тип магнитопластических эффектов в линейных аморфных полимерах // Физика твердого тела. -2001.-Т. 43, № 5.-с. 827−832.
  72. М.Н., Зон Б.А. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz-Si // ЖЭТФ. 1997. — Т. 111, № 4. — С. 1373−1397.
  73. М. Н., Семенова Г. В., Сушкова Т. П., Постников В. В., Агапов Б. Л. Влияние импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых растворов в системе Sb-As/ // Физика твердого тела. -2003.-Т. 45,№ 4.-с. 609−612.
  74. М. Н., Татаринцев А. В., Битюцкая Л. А., Селезнев Г. Д. Долговременные изменения топологии поверхности кристаллов Cz-Si после воздействия импульсного магнитного поля // Конденсир. среды и межфаз. границы. 2003, № 2 .- С. 213−215.
  75. Я.Б., Бучаченко А. Л., Франкевич Е. Л. Магнито-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике // Успехи Физ. Наук. 1988. -Т. 155, № 1,-С. 3−45.
  76. М. Н., Семенова Г. В., Сушкова Т. П., Долгополова Э. А., Постников В. В. Воздействие импульсных магнитных полей на реальную структуру кристаллов арсенида индия // Письма в ЖТФ. -2002, № 19,-С. 50−55.
  77. М. Н., Татаринцев А. В., Гитлин В. Р., Косцова О. А., Долгополова Э. А. Магнитостимулированное геттерирование в кремнии // Конденсир. среды и межфаз. Границы. 2004, № 3 .- С. 260−263.
  78. М. Н., Татаринцев А. В., Косцова О. А., Косцов А. М. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля // Ж. техн. физ. 2003, № 10. — С. 85−87.
  79. М. Н., Семенова Г. В., Татаринцев А. В., Шумская О. Н. Влияние предварительной импульсной магнитной обработки кристаллов фосфида индия на кинетику их окисления // Письма в ЖТФ. 2005, № 17. — С. 89−94.
  80. М. Н., Постников В. В., Палагин М. Ю. Селективное воздействие слабого магнитного поля на сегнетоэлектрические кристаллы с водородными связями // Письма в ЖТФ. 2003, № 12. — С.62−67.
  81. М. Н., Постников В. В., Палагин М. Ю., Косцов А. М.Влияние слабых магнитных полей на реальную структуру и физические свойства кристаллов триглицинсульфата // Изв. РАН. Сер. физ. 2003, № 8. — С. 1076−1078.
  82. М. Н., Постников В. В., Палагин М. Ю.Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на кристаллы триглицинсульфата // ФТТ. 2003. — Т. 45, № 9. — С. 1680−1684.
  83. М. Н., Постников В. В., Палагин М. Ю.Селективное воздействие слабого магнитного поля на сегнетоэлектрические кристаллы дигидрофосфата калия // Конденсир. среды и межфаз. границы. 2004, № 2.-С. 128−132.
  84. А.Л., Сагдеев Р. З., Салихов К. М. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. Новосибирск: Наука. — 1978. — 296 с.
  85. М. Н., Постников В. В., Вережников В. Н., Матвеев Н. Н., Колесникова Е. Д. Предкристаллизационная обработка гибкоцепных полимеров импульсными магнитными полями // Конденсир. среды и межфаз. границы. 2004, № 1 .- С. 75−80.
  86. М. Н., Постников В. В., Колесникова Е. Д. Селективный эффект предкристаллизационной обработки гибкоцепных полимеров постоянным магнитным полем // Письма в ЖТФ. 2004, № 3.- С. 20−23.
  87. Т. В., Дронов М. А., Ефимова М. А., Латышев А. Н., Левин М. Н., Москииов В. А. Влияние магнитного поля на свойства фотоматериалов // Химия высок. Энергий. -2005, № 3 .- С. 213−217.
  88. М. Н., Постников В. В., Дронов М. А. Воздействие импульсных магнитных полей на ВТСП керамику YBa2.Cu[3]0[7-x] // Письма в ЖТФ, — 2003. Т.29, № 11 .- С. 7−13.
  89. М. Н., Постников В. В., Палагин М. Ю. Воздействие слабых импульсных магнитных полей модифицированную древесину // Письма в ЖТФ. 2005. — Т.31, № 9. — С. 14−19.
  90. Matveev N.N., Postnikov Y.V. Identification of crystal-crystal transition in cellulose using pyroelectric currents // Ferroelectrics. 1994. — V. 153. -P. 341−346.
  91. IT.H., Постников В. В., Саушкин В. В., Мордвинов В. В. Термополяризационные свойства древесины березы // Пласт, массы. -1995, № 1.-С. 19−20.
  92. Matveev N.N., Klinskikh A.F., Postnikov V.V., Kordenko O.I. Polarization crystal-crystal structural transition in cellulose // Ferroelectrics. 1996. -V.185.-P. 189−192.
  93. М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта //Физика твердого тела. 1991. — Т. 33, № 10. — С. 3112−3114.
  94. Molotski М., Fleurov V. Influence of static and alternative magnetic fields on plasticity of crystals // Phil. Mag. Lett. 1996. — V. 73, № 1. — P. 11−15.
  95. Molotski M., Fleurov V. Spin effectsin plasticity // Phys. Rev. Lett. 1997. -V. 78,№ 14.-P. 2779−2782.
  96. Molotski M., Fleurov V. Manifestations of hyperfme interaction in plasticity //Phys. Rev. 1997,-V.B56,№ 17.-P. 10 809−10 811.
  97. Molotski M., Fleurov V. Dislocation paths in a magnetic field // J. Phys. Chem. -2000. V. В104, № 16.-P. 3812−3816.
  98. Molotski M.I. Theoretical basis for electro- and magnetoplasticity // Mat. Sci and Engin. 2000. — V. A287. — P. 248−258.
  99. А. Л., Берлинский В. Л. Спиновый катализ новый тип катализа в химии // Успехи химии. — 2004, № 11 .- С. 1123−1130.
  100. Salikhov К.М., Molin Yu.N., Sagdeev R.Z. and Buchachenko A.L. Spin polarization and magnetic field effects in radical reactions, edited by Yu.N. Molin, 1984, Elsevier, Amsterdam.
  101. АЛ. Магнитные эффекты в химических реакциях // Успехи химии. 1976. — Т. 45, № 5. — С. 761−792.
  102. Бучаченко АЛ Химическая поляризация электронов и ядер. М.: Наука, — 1974.-246 с.
  103. АЛ. Второе поколение магнитных эффектов в химических реакциях // Успехи химии. 1993. — Т. 62, № 12. — С. 1139−1149.
  104. А.Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский. Спиновая релаксация дырок в Ge квантовых точках // Письма в ЖЭТФ. 2005. -Т. 82, № 5.-С. 336−340.
  105. A.F. Zinovieva, A.V. Nenashev, and A.V. Dvurechenshii. Hole spin relaxation during the tunneling between coupled quantum dots // Phys. Rev. B. -2005. V. 71. — P.33 310−33 313.
  106. A.F. Zinovieva, A.V. Nenashev, and A.V. Dvurechenshii, Wave functions and g factor of holes in Ge-Si quantum dots // Phys. Rev. B. 2003. — V.67. -P. 205 301−205 305.
  107. S. Dickmann, P. Hawrylak Spin relaxation in two-electron quantum dot // Pis’ma v ZhETF. 2003. — V. 77. iss.l. — P. 34−37.
  108. Ш. Кубарева И. С., Кубарев С. И., Ермакова Е. А. О методе расчета магнитных эффектов и спектров РИДМР для промежуточных короткоживущих комплексов парамагнитных частиц // ДАН. 1995. -Т. 388, № 5.-С. 634−638.
  109. И.С., Кубарев С. И. обменный механизм спиновой конверсии. Модель спинового катализа // Химическая физика. 1997. — Т. 16, № 6. -С. 110−120.
  110. ПЗ.Кубарева И. С., Кубарев С. И., Ермакова Е. А. Импульсное воздействие магнитного поля на промежуточные комплексы парамагнитных частиц // Химическая физика. 1997. — Т. 16, № 6. — С. 121−132.
  111. И.С., Кубарев С. И., Пономарев O.JL, Шапкарин И. П. Влияние спиновых взаимодействий на спиновую динамику геминальных радикальных пар // ДАН. 2003. — Т. 388, № 5. — С. 634−638.
  112. И.С., Кубарев С. И., Шапкарин И. П. Управление каналом рекомбинации в геминальных радикальных парах с большой констаной СВТ // ДАН. 2001. — Т. 379, № 2. — С. 219−222.
  113. И.С., Кубарев С. И., Ермакова Е. А., Шапкарин И. П. Управление с помощью спиновых эффектов каналом рекомбинации в геминальных радикальных парах, не содержащих магнитных ядер // Химическая физика. 2002. — Т. 21, № 2. — С. 26−34.
  114. И.С., Кубарев С. И., Шапкарин И. П. Управление с помощью спиновых эффектов каналом рекомбинации в геминальных радикальных парах, не содержащих магнитных ядер // Химическая физика. 2002. — Т. 21, № 2. — С. 35−44.
  115. С.В. Методы квантовой теории магнетизма. М.: Наука. -1975.- 528 с.
  116. Л.Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика. Часть I. М.: Наука, — 1976.-584 с.
  117. Л.Д., Лифшиц Е. М. Механика. М.: Наука. — 1988. — 215 с.
  118. .М., Фёклин В. Н. Резонансные эффекты при отрыве дислокации от точечного стопора при наложении магнитного поля в немагнитных кристаллах // Известия РАН. Серия физическая. 2005. -Т. 69, № 8. -С. 1179−1182.
  119. .М., Фёклин В. Н. Влияние магнитного поля на движение дислокаций в немагнитных кристаллах // Вестник ВГУ. 2006, № 1. -С. 21−26.
  120. .М., Фёклин В. Н. Спиновые эффекты в немагнитных кристаллах в магнитном поле // Физика твердого тела. 2006. — Т. 48, № 9.-С. 1614−1616.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!