Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства

Диссертация: Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Важнейшие предпосылки для дальнейшего освоения соответствующих технологических аспектов фосфида галлия — наличие развитой технологии получения подложек большой площади, относительно небольшие энергозатраты на проведение эпитаксиальных процессов и достаточный опыт в области приборов на основе технологически близкого СаАя. Это позволяет считать фосфид галлия важным кандидатом на роль базового… Читать ещё >

Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 0. Ведение
  • 1. Фосфид галлия. История и современное состояние
    • 1. 1. Фосфид галлия. Ретроспектива
    • 1. 2. Основные свойства
    • 1. 3. Эпитаксиальные технологии
    • 1. 4. Хлоридный процесс
    • 1. 5. Собственные дефекты и фоновые примеси
    • 1. 6. Легирование и диффузия
    • 1. 7. Омические контакты для ваР
    • 1. 8. Фосфид-галлиевые приборы для высокотемпературных применений
  • 2. Базовая технология и эпитаксиальные структуры
    • 2. 0. Введение
    • 2. 1. Газофазная эпитаксия. Возможности и ограничения
    • 2. 2. Основные процессы ГФЭ
    • 2. 3. Подложки
    • 2. 4. Установка. Реактор
    • 2. 5. Технологические режимы
    • 2. 6. Эпитаксиальные структуры приборного назначения
    • 2. 7. Буферный слой и дислокации
    • 2. 8. Термостойкие омические контакты
    • 2. 9. Предварительное тестирование /?-я-переходов
  • 2.
  • Выводы
  • 3. Формирование и особенности микрорельефа р-гс-перехода
    • 3. 0. Введение
    • 3. 1. Неконтролируемая микронеоднородность концентрации легирующих примесей
    • 3. 2. Роль диффузии в процессах эпитаксии ваР
    • 3. 3. Дислокация как источник вакансий
    • 3. 4. Распределения концентрации цинка в присутствии дислокации
    • 3. 5. Легирование слоев с неоднородностью в ходе роста /?-и-структуры
    • 3. 6. Соотношение концентраций акцептора как фактор управления параметрами приборов
    • 3. 7. Выводы
  • 4. Приборы
    • 4. 1. Параметры приборов при высоких температурах
    • 4. 2. Выпрямительный диод
    • 4. 3. Стабилитрон
    • 4. 4. Динистор
    • 4. 5. Полевой транзистор. Постэпитаксиальные технологии
    • 4. 6. Полевой транзистор. Параметры и характеристики
    • 4. 7. Матричные структуры
    • 4. 8. Эмиттеры электронов
    • 4. 9. Выводы

Актуальность темы

.

Разработка электронных компонентов на основе фосфида галлия является частью обширной и разветвленной программы создания элементной базы высокотемпературной электроники, или электроники, ориентированной на высокотемпературные применения.

Особая актуальность (а вместе с тем, и проблемы) создания такой элементной базы, обозначившаяся в последние десятилетия, обязана дальнейшему развитию таких приоритетных направлений современной техники, как аэрокосмические технологии и вопросы безопасности ядерных реакторов, глубинное бурение и гелиоэнергетика, мониторинг двигателей внутреннего сгорания и создание робототехнических устройств для работы в экстремальных условиях [1−3].

Возможные пути решения проблемы, представляющиеся перспективными в настоящее время, связываются либо с созданием вакуумных микросхем, либо основаны на дальнейших разработках в области технологии широкозонных материалов, таких как СаР, ОаЫ, 5УС, способных обеспечить работоспособность приборов, по крайней мере, при Т>300°С. Каждый из этих материалов потенциально пригоден для достижения указанных целей, однако, в силу различных причин, связанных, например, со степенью «продвинутости» технологии или с экономической стороной проведения основных технологических процессов, тот или иной материал представляется оптимальным не только для своего температурного диапазона, но и для своей области использования.

Важнейшие предпосылки для дальнейшего освоения соответствующих технологических аспектов фосфида галлия — наличие развитой технологии получения подложек большой площади, относительно небольшие энергозатраты на проведение эпитаксиальных процессов и достаточный опыт в области приборов на основе технологически близкого СаАя. Это позволяет считать фосфид галлия важным кандидатом на роль базового материала в технологии массового производства приборов для таких применений, где условия можно квалифицировать как экстремальные, однако максимальная температура среды не превышает 400 °C (диагностика состояния двигателей внутреннего сгорания, сенсоры для нужд глубинного бурения, газоанализаторы для горнодобывающей промышленности).

Характерная особенность, которую можно отметить в физико-технологическом аспекте создания подобной инфраструктуры — необходимость комплексного подхода к разработкамэто, в свою очередь, сводится к требованию получения достаточно широкой гаммы разнообразных активных и пассивных элементов, совокупность которых способна обеспечить выполнение определенного набора законченных функций.

Очевидно, обоснованные предложения относительно типа и минимального функционального разнообразия элементарных приборов, составляющих некоторый функционально замкнутый набор, позволят сконцентрировать усилия разработок в более конкретных направлениях и выработать оптимальную систему приоритетов, обеспечивая, по возможности, преемственность технологической базыпо этой причине те элементы, которые были бы типичными для классической электроники, могут оказаться отнюдь не первоочередными для электроники высокотемпературной.

Понятие предельно допустимой рабочей температуры как характеристики базового материала, определяемой лишь его шириной запрещенной зоны, является, в известной мере, условным и неоднозначным. На первых этапах развития высокотемпературной электроники считалось, что для фосфида галлия (Ес=2,24эВ) эта температура соответствует ~500°С однако при таком упрощенном понимании не учитывались многие важные факторы, в частности, такие, как спектр мелких и глубоких уровней, формируемый неконтролируемыми дефектами и обусловленный конкретным технологическим процессом, или наличие и характер границ раздела разнородных материалов, которые могут явиться (и являются) источником медленно протекающих деградационных процессов.

В настоящее время стало ясно, что для большинства типов СаР-приборов, изготовленных по известным технологиям, этот предел составляет 400 °C, и лишь для некоторых простейших (диодов) можно констатировать величину 450 °C (500°С для не слишком продолжительной работы). Эта температура существенно ниже, чем, например, для карбида кремния. Однако, ряд привлекательных факторов, среди которых следует отметить и основные параметры самого материала (подвижности носителей.

50−200см /В-с [4], критическое поле начала ударной ионизации 06В/см [5,6]), и большой опыт, накопленный в технологии А’В5, обеспечивают широкие возможности для разработки конкурентоспособных приборов, что должно явиться дополнительным мотивом для дальнейшего продолжение исследований.

Целью настоящей работы было определение возможностей газофазной эпитаксии (ГФЭ) фосфида галлия как основы для создания элементной базы на рабочий диапазон до 400°Стакие возможности выявлялись в результате разработки и исследования ряда приборов с /^-«-переходом, а также математического моделирования некоторых технологических аспектов их получения.

Объектом разработки и исследования являлись диодные (выпрямительные, стабилитронные и эмиссионные), динисторные и транзисторные высокотемпературные элементы, а также матрицы, содержащие элементарные полевые транзисторывсе приборы были изготовлены на базе многослойных ОаР-/7-и-структур, полученных методом ГФЭ.

Методом исследования было измерение и последующий анализ некоторых (термочувствительных) электрофизических параметров /^-«-структур и приборных элементов на их основе, компьютерное моделирование элементарных механизмов формирования неконтролируемой технологической микронеоднородности /"-«-перехода, и установление взаимосвязей ряда выходных параметров приборов с параметрами подложки, спецификой легирования и технологическими режимами соответствующего технологического процесса.

Метод разработки геометрических параметров транзисторов и транзисторных матриц, а также комплектов фотошаблонов для их изготовлениякомпьютерное (в том числе, и ЗБ-) моделирование. Задачи исследования:

— развитие методов эпитаксиальной и постэпитаксиальной технологии фосфид-галлиевых структур, применительно к получению высокотемпературных приборов содержащих один или несколько /г-и-переходов;

— предложение и исследование математических моделей, адекватно описывающих элементарные механизмы массопереноса в процессе легирования СаР, и способствующих установлению взаимосвязей между исходными технологическими факторами и выходными параметрами структур и приборов;

— исследование электрофизических характеристик полученных приборов^ установление их взаимосвязи с параметрами соответствующих технологических режимов и выработка рекомендаций по оптимизации этих параметров;

— исследование влияния температуры в диапазоне от 25 °C до 500 °C на основные характеристики полученных элементов и приборов. Представляемые к защите научные положения.

Положение 1 (о влиянии дислокации на фронт диффузии ионов цинка в фосфиде галлия).

Повышенная концентрация вакансий галлия ¥-са, сопутствующая формированию винтовой дислокации в процессе эпитаксиального роста цинксодержащей /"-^-структуры, приводит к локальному аккумулированию ионов цинка, что сопровождается образованием крупномасштабных концентрационных страт и деформированием поверхности ^-«-перехода.

Положение 2 (о двухкомпонентном легировании /"-слоя диода). Дополнительное введение цинка в процессе легирования р-слоя п-п°-р-структуры {М^ - основная компонента) приводит к формированию переходов, обладающих высокой устойчивостью к работе в режиме лавинного пробоя в широком диапазоне токовуменьшение доли 2п ведет к увеличению порогового напряжения без изменения значений тока утечки и его температурной зависимости.

Положение 3 (о возможности использования п°- слоя в качестве полуизолятора).

Функцию полуизолирующей подложки для полевого транзистора с р-каналом в температурном диапазоне до 400 °C может выполнять нелегированный п°-слой, причем толщина этого слоя упо должна быть >10мкм.

Положение 4 (о бинарном легировании р-слоя многопереходных р-п-структур).

Дополнительное введение цинка в процессе легирования р-слоя госструктуры (Mg — основная компонента) приводит к сглаживанию геометрического микрорельефа /^-«-переходов и снижению уровня технологических флуктуаций межпереходных расстояний.

Положение 5 (об эмиссии горячих электронов в вакуум).

Интегральный ток эмиссии электронов с периферии /"-«-перехода наиболее резко зависит от двух параметров: плотности дислокаций в плоскости /?-п-перехода и концентрации 2п компоненты в легировании р-слояэта зависимость не монотонная и в обоих случаях имеет максимум.

Основные результаты.

1) Выявлена роль винтовых дислокаций с точки зрения их взаимодействия с акцепторными ионами цинка в процессе роста слоя /?-типа.

2) Предложена и исследована кинетическая модель диффузии цинка вблизи дислокации в процессе эпитаксиального роста /?-«-структурустановлена ее роль в формировании свойств полученных /^-«-переходов.

3) Предложена и исследована модель двухкомпонентной (Mg и 2п) диффузииустановлена ее роль в формировании свойств полученных р-п-переходов.

4) Предложено использование дополнительного фактора управления технологическим процессом — изменение соотношения концентраций предоставляющего новые возможности в варьировании свойств приборов.

5) Разработана поэтапная технология получения полевых транзисторов с управляющим /"-«-переходом, а также базовых матричных кристаллов на их основе. Исследованы характеристики полученных приборов.

6) Разработана технология получения эмиттеров горячих электронов в газоразрядную средупредложено их использование для создания эффекта многоэлектронного инициирования сильноточного разрядаразработана конструкция защитного газоразрядного ограничителя токаизготовлены макетные образцы и исследованы их характеристики.

7) Исследованы характеристики полученных приборов (диод, динистор, транзистор) в диапазоне температур 25 +400°С (500°С).

Приоритет результатов.

Представляемые к защите результаты исследований электрофизических свойств СоР-приборов, полученных методами газофазной эпитаксии и ориентированных на высокотемпературное применение, получены впервые.

Значение результатов.

Исследование температурной зависимости обратной ветви вольтамперной характеристики (ВАХ) /"-«-переходов для случаев различного легирования р-области совместно с последующим анализом позволило установить взаимосвязь между плотностью дислокаций подложки, температурой и временем роста /"-слоя, с одной стороны, и необходимой толщиной буферного слоя, с другой.

Исследование характеристик макетных образцов на базе /"-«» -«-структур с использованием М^-легирования /"-слоя продемонстрировало возможность получения относительно высоковольтных (>300В) высокотемпературных (до ~500°С) выпрямительных диодов.

Использование бинарного 2"-Л/?-легирования позволило получить />-«-структуры, обратное смещение которых приводит к развитию существенно более однородного лавинного пробоя, имеющего неразрушающий характер в широком диапазоне пороговых напряжений и токов пробоя. На основе этих структур были изготовлены высокотемпературные (до ~500°С) стабилитроны, образующие ряд по напряжению стабилизации, лежащий в диапазоне 12+80 В.

Обнаружение эмиссионного тока обратносмещенных /^-«-переходов, достигающего заметной величины для структур с определенным соотношением «цинкового» и «магниевого» компонентов, дало возможность использовать такие структуры для многоэлектронного инициирования газового разряда. Разработка и изготовление соответствующих узлов инициирования, позволили сократить время задержки начала развития пробоя в защитных газовых разрядниках в 2−4 раза (до величины 5−8не).

Анализ процессов коллективной миграции в неоднородных средах, сопровождающей легирование растущих БаР-слоев, дал возможность объяснить особенности микрорельефа получаемых /^-«-переходов и способствовал пониманию причин качественных различий их свойств в зависимости от характера легирования.

Подход, основанный на использовании «°-слоя в качестве полуизолирующей подложки, позволил осуществить разработку, получение и исследование высокотемпературных (до 400°С) полевых транзисторов с /т-каналом и управляющим /^-«-переходом.

4.9 Выводы.

Основываясь на результатах предварительного исследования СаР-р-п-переходов и с учетом данных компьютерного моделирования, была произведена разработка и исследование ряда СоР-приборов, предназначенных для работы в высокотемпературной среде в диапазоне до 400 °C. В ходе работы были получены следующие результаты.

1) Использование бинарного цинк-магниевого легирования и варьирование соотношения компонентов при прочих равных (оптимальных) условиях позволило получить гамму диодных элементов, в том числе и выпрямительные диоды (до 300У) и стабилитроны (до 80В).

2) Была разработана технология получения и проведено исследование «многопереходного» прибора — высокотемпературного динистора.

3) Разработана поэтапная технология получения полевых (р-канальных) транзисторов с управляющим /"-«-переходом, а также базовых матриц на их основе. Исследованы характеристики полученных приборов.

4) Разработана технология получения эффективных эмиттеров электронов в газоразрядную средупредложено их использование для создания эффекта многоэлектронного инициирования сильноточного разрядаразработана конструкция защитного газоразрядного ограничителя токаизготовлены макетные образцы и исследованы их характеристики.

5) Исследованы характеристики полученных приборов (диод, динистор, транзистор) в диапазоне температур 25+450(500)°С.

Заключение

.

Основная цель диссертационной работы — разработка ряда фосфид-галлиевых приборов, предназначенных для работы в температурном диапазоне до 400 °C, исследование их наиболее термочувствительных электрофизических параметров, выявление взаимосвязей между этими параметрами и технологическими режимами эпитаксии, а также выработка обоснованных рекомендаций для улучшения некоторых из этих параметров с точки зрения последующего практического использования подобных приборов.

Достижению этой цели способствовали проведенные исследования и разработки, наиболее общие результаты которых могли бы быть сформулированы следующим образом:

— развиты модельные представления, учитывающие специфические особенности диффузии цинка и магния в слое СаР в процессе эпитаксии, и выявлено значение этой специфики для процессов формирования микропрофиля /"-«-перехода;

— исследованы важнейшие характеристики и параметры ряда приборов, образующих функционально замкнутую группу: выпрямительного диода, полевого транзистора, динистора;

— разработаны и исследованы новые для фосфида галлия приборы: стабилитроны, эмиттеры горячих электронов в газоразрядную среду, матрицы на основе полевых транзисторов;

— продемонстрирована возможность использования нелегированного «°-слоя в качестве полуизолирующего слоя /"-канального транзистора для работы в диапазоне до 400 °C.

— было показано, что структурная однородность СаР-слоев, обеспечиваемая хлоридным процессом, и связанная с ней однородность основных электрофизических параметров, достаточны для получения на их основе микросхем средней степени интеграции.

В заключение автор выражает искреннюю благодарность доктору физико-математический наук, профессору Жиляеву Юрию Васильевичу — за общее руководство и помощь в ходе выполнения работы, старшему научному сотруднику Федорову Леониду Михайловичу — за осуществление технологических операций и полезные советы, а также всем сотрудникам лаборатории «Физических явлений в эпитаксиальных структурах», прямо или косвенно способствующих успешному завершению работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Presents and future needs in high-temperature electronics for the well logging industry. In: Proc. IEEE Conf. On High-Temperature Electronics (Tusson, 1981). New York, 1981, p.17−18.
  2. Thomas E.Z., Roger J.C., Dawson L.R.
  3. Resent advantage in GaP junctions devices for High Temperature Electronics application. Proc. IEEE, v. IE-29, 2, May 1982, p.129−135.
  4. Zipperian Т.Е., Thomas E., Dawson L.R.
  5. Heterojunction materials and devices technology for high-temperature electronics applications. IEEE Trans.Electron. Devices, 1982, 29, 10, pi690.4. Jonson R.H., Eknoyan O.
  6. High field electron drift velocity measurements in gallium phosphide. J. Appl. Phys., 1985, 58, N3, p.1402−1403.5. Szi S.M., Gibbons G.
  7. Avalanche breakdown voltage in abrupt and linearly graded Ge, Si, GaAs, and GaP junctions. Appl Phys. Lett, 18, v5, p. l 1−14.6. Кюрегян A.C., Юрков C.H.
  8. ФТП, 23, в.10, (1989), c. l 126−1132.7. Горюнова H.A.
  9. Автореферат диссертации на соискание доктора физ-мат. наук. ЛГУ, 1950.8. WelkerH.
  10. Z. Naturforsch., 1952, v 7а, p. 744
  11. Wolff G" Keck P. H., J. D. Broder J. D. Phys. Rev., 1954, 94, p.753.10. Frosch C. J., L. Derik L.
  12. J. Electrochem. Soc., 1961, 108, p. 251.
  13. Wolff G. R.A.Herbert R. A., Broder J. D.
  14. Semiconductors and Phosphors. Intersci. Publ., New York, 1958, p.463−469.12. Chochralski J.Z.1. Phys. Chem., 1917,92,21 913. Bridgman P.W.
  15. Proc. Amer. Acad., 1925, 60, 305.14. Реньян B.P.
  16. Технология полупроводникового кремния. M. 196 915. Effer D., Anteil G. R.
  17. J. Electrochem. Soc., 1960, 107, p.252−253.16. Anteil G. R., Effer G. R.
  18. J. Electrochem. Soc., 1959, 106, p.509−511.
  19. Gershenzon M., Mikulyak R.M.,
  20. J. Electrochem. Soc., 1960, 107, p.548−550.18. Graham W. A.
  21. Organometallic Compounds in the preparation of High-Purity Metalls. Paper press Conf. Ultrapurificat. Semicond. Mater., Boston, April, 1961.
  22. Grimmeis H.G., Scholz H. Phys. Lett., 8,233,1964.20. Zalen R., Paul W.
  23. Phys. Rev., 134, A1628, (1964).
  24. Dean P. J., Thomas D. G. Phys. Rev., 150,690, (1966)
  25. Lorenz M.R., Pettit G.A., Taylor R.C.
  26. Band gap of GaP from 0° to 900° К and light emission from diodes at high temperature. Phys. Rev., 171, 1968, p.876.
  27. Nelson H., Pankove J. I., Doustmanis G. C. Proc. IEEE, 52, 1360 (1964).24. Cowley A.M., Sze S.M.
  28. J. Appl. Phys., v36, p.3212, (1965)25. Welker H.
  29. J. Electron., 1,181, (1955).26. Moss T.S., Ellis B.
  30. Proc. Phys. Soc., 83,217, (1964).27. Kasami A.
  31. J. Phys. Soc. Japan, v24, p.551, (1968)1.otin J., Onnest J.C., Barbaste R., Askenazi S., Skolnik M.S., Stradling R.A. Solid state Commun. V16, p.373, (1975)
  32. Panish M.B., Casey H.C. J. Appl. Phys., v40, p. 169, (1969)
  33. М.Г., Пелевин O.B., Сахаров Б.А.
  34. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М. 1974.
  35. В.Н., Кожитов JI.B.
  36. Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия. М.1984.
  37. Hisashi Seki and Hiroshi Eguchi.
  38. Vapor Transport of Gallium in Ga-PCl3-H2 Sistem.
  39. Jap. J. of Appl. Phys., vlO, Nol, 1971.
  40. В.Б., Акчурин P.X.
  41. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М.1983. Jurgens T.F.
  42. High-temperature electronics applications in space explorations.1.: Proc. IEEE Conf. On High-Temperature Electronics (Tusson, 1981).1. New York, 1981, p.3−7.1. Джонс M.
  43. Образование пирамид в эпитаксиальных пленках GaAs. В сб. «Арсенид галлия», пер. с англ., под ред. Визеля А. А., М.1972, с.36−40.
  44. В.Е., Жиляев Ю. В., Попов И. В., Соболев Н. Н. Силовые полупроводниковые приборы. Итоги науки и техники. Серия «Силовая преобразовательная техника», т.4, М. 1986.
  45. Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ. 216с. Д., 1980.1. Ланно М., Бургуэн Ж.
  46. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория.264с. М. 1984. Scheffler М., Jean Pol Vigneron J.P.
  47. Tractable approach for calculating lattice distortions around simple defects. Phys. Rev. Lett. 1982, v.49, p. 1765
  48. C.B., Фистуль В.И.
  49. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. 352с. М. 1997.1. Морозов А.Н.
  50. Природа, механизмы образования и концентрация собственных точечных дефектов в полупроводниковых соединениях А3В5.
  51. Автореферат дисс. на соискание степени к. ф-м.н., М. 1983.42. Мастеров В. Ф. и др.
  52. Взаимодействие примесных и собственных дефектов в кристаллах фосфида галлия"
  53. В сборнике «Легированные полупроводники», М. 1982, с.26−28.43. Lin-Chung P.J.
  54. Complex defects in GaAs and GaP.
  55. Defect Semiconductors. 2: Symp., Boston, Mass., Nov., 1982, p.267−270. N.Y. 1983.44. Матаре Г.
  56. Электроника дефектов в полупроводниках. 464с. М. 1974.
  57. Petroff P.M., Kimerling L.C.
  58. Dislocation climb model in compound semiconductors with zinc blende structure. Appl. Phys. Lett. 29,461 (1976)
  59. Watanabe M, Fujitu T, Ushirawa J.
  60. Grows and characterization of low dislocation large GaP single crystals. 15-th Conf. Solid St. Devices and Mater., Tokyo, 30 Aug-1 Sept., 1983, p. 161.
  61. Toshifumi Sugiura, Akira Tanaka, Minoru Hagino.
  62. Reduction in dislocation density in In-doped GaP LPE layers grown from indium solvent. J. Appl. Phys. 48, 4815 (1977)
  63. Grachev V.M., Aref ev I.S., Berkova A.V.
  64. Single gallium phosphide crystals with reduced dislocation density. Sov. Phys. Crystallogr. 27, 384 (1982)
  65. Ivashchenko, Ikizli M. N., Samorukov В. E.
  66. Multicharged state of oxygen in gallium phosphide. Sov. Phys. Semicond. 12, 49 (1978)
  67. Ermoshkin N., Evarestov R.A. Quasimolecular model of oxygen centers in GaP:0. Sov. Phys. Semicond. 16, 1095 (1982)51. Jaros M, Dean P.J.
  68. Electronic structure of oxygen in gallium phosphide. Phys. Rev. В 28, 6104 (1983)
  69. A.B., Бондаренко Г. Г., Крутоголов Ю. К., Майор В. И., Кунакин Ю. И. Дефектообразование в фосфиде галлия, выращенном в присутствии кислорода. ЖТФ, т.61, 9, (1997) с.52−55.
  70. B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р.
  71. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. 368с. М. 1981.
  72. И.М., Жиляев Ю. В. Лебедев А.А. Кузнецов Н. И. Рекомбинационный центрв р+п°-переходах, выращенных газотранспорной эпитаксией. Препринт ФТИ № 1024
  73. JI.C., Гореленок А. Т., Емцев В. В., Каманин A.B., Полоскин Д. С., Шмидт Н. М. Поверхностное геттерирование фоновых присесей и дефектов. ФТП, 2001, 35 № 2, с. 1841. Niculescu Е., Marian Р.
  74. Energy levels for donor impurities in GaAs and GaP. Rew. Roum. Phys., 1985, 30, N10, p.843−849.1. Фистуль В.И.
  75. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. 432с. М. 2004.
  76. В.А., Величко О. И., Федорчук С. К. Моделирование диффузии магния в арсениде галлия.
  77. Термическая диффузия Mg в Al xGai, xAs. Инженерно-физический журнал, т.64, N5−6, с.433−436.
  78. В.А., Величко О. И., Федорчук С. К. Моделирование диффузии магния в арсениде галлия.
  79. Перераспределение ионно-имплантированной примеси. Инженерно-физический журнал, т.68, N1, с.39−43.
  80. Akira Usami, Yutaka Tokuda, Hiroyuki Shiraki.
  81. Rapid thermal diffusion of Zn into n-type GaAso.6Po4 from Zn-doped.
  82. J. Appl. Phys. 66, 3590 (1989)
  83. H.H., Кудыкина T.A. Рекомбинационная модель диффузии цинка в GaAs. ФТП, т.31, N7, (1997), с.697−702.1.ngini R.L.
  84. Sol. St. Electron., 1962, 5, p. 127 Кейзи X.
  85. Диффузия в полупроводниковых соединениях А3В5. В сб. ст. «Атомная диффузия в полупроводниках» под ред. Шоу Д. М. 1975, с.406−494.
  86. А.П., Рубец В. П., Нуждин М. Ю., Калинкин И.П.
  87. Влияние термодиффузии на совершенство кристаллической структуры приконденсации из паровой фазы. ЖТФ, 2002, 72, № 4, с. 120.1. Малкович Р, Ш.
  88. К анализу координатно-зависимой диффузии. ЖТФ, 2006, 76, № 2, с. 137.
  89. Н.И., Лахно В. Д., Сычев В., Шейнкман М. К. Диффузия вакансионных центров в полярных кристаллах.1. ФТТ, 2007, 49, № 5, 779
  90. В.Ф., Гущинская Е.В, Малышев С. А. Диффузия цинка в незащищенную поверхность InP. ФТП, 2004, 38, № 1, с. 6868. Malina V., Soukupova R.1.w resistance ohmic contacts to p-type GaP. Thin Solid Films, 1985, 125, N1−2, L21-L23.
  91. Anderson W.T., Criston L.A., Giuliani G. F., Dictrich H.B. Ohmic contacts to GaAs for high temperature device applications.1.: Proc. IEEE Conf. On High-Temperature Electronics (Tusson, 1981).70. Malina V., Soukupova R.
  92. Vacuum deposited ohmic contacts to n-type GaP. Thin Solid Films, 1985, 125, N1−2, L17-L19.71. Chaffin R.J., Dawson L.R.
  93. Gallium Phosphide High temperature diodes.1.: Proc. IEEE Conf. On High-Temperature Electronics (Tusson, 1981). New York, 1981, p.39−42.
  94. Kasumoto Y., Hayastri Т., Komiga S.
  95. Gallium Phosphide High temperature diodes. J.Appl. Phys., 1985, 24, vlO, p.6201.73. Keune D.L., Grefield M.G.
  96. Gallium Phosphide high temperature electrolumenescence pnpn-switchs and control rectifires. J.Appl. Phys., 1972, 43, v8, p.3417−3421.
  97. Ю.А., Макаренко В. Г., Муратов В. Ф. Вольтамперные характеристики /"-«-структур GaP Изв. АН УзССР, 1985 (Деп. ВИНИТИ № 44 533)75. Иверсон У.Р.
  98. Заитересованность министерства обороны в GaAs БИС. Электроника, 1983,№ 15 с. 63.
  99. Frits I.J., Biefeld H.M., Hughee R.C.
  100. High-temperature resistivity of Cr-doped epitaxial GaP. Appl. Phys. Lett. 1982, 41, 10, p. 140.
  101. Zipperian T.E., Dawson L.R., Chaffin R.J.
  102. A Gallium Phosphide hightemperature bipolar junction transistor. In: Proc. IEEE Conf. On High-Temperature Electronics (Tusson, 1981). New York, 1981, p.59−61
  103. Werchold M.H., Ecnoyan 0., Kao Y.C.
  104. A GaP MESFET to high temperature applications.
  105. Electron Сотр. 32 Conf., San-Diego, Calif., 10−12 May, 1982. New York 1982, p.332−334.
  106. Werchold M.H., Ecnoyan O., Kao Y.C., A high temperature GaP MESFET.
  107. EE Electron Devices Lett.», 1982, 11, p.314−316.
  108. Werchold M.H., Ecnoyan O., Kao Y.C., A high temperature GaP MESFET.
  109. EE Trans. Compon., Hybrid Manuf. Technol.", 1982, 5, 4, p.332−344.
  110. Zipperian Т.Е., Dawson L.R.
  111. A GaP/AlxGai.xP Heterojunction bipolar junction transistor for high-temperature electronics applications. «Int.Electron Devices Meet. San-Francisco, 13−15 Dec., 1982, Tech. Dig.» New York, 1982, p. 181−184.
  112. Разработки GaP-приборов с высокими рабочими температурами. New Electronics, 1982, 111, № 6, с. 13.
  113. М.М., Никитин В.Г.
  114. Высокотемпературный диод на основе эпитаксиальных слоев GaP. Письма в ЖТФ, т.24, в.9,1998, с.1−7.84. Szi S.M., Gibbons G.
  115. Avalanche breakdown voltage GaP-junctions. Appl. Phys. Lell. 1966, 18, 5, pi 1.85. Stapleton R.E.
  116. Development of an 1100°F capacitor.1.: Proc. IEEE Conf. On High-Temperature Electronics (Tusson, 1981). New York, 1981, p.25−28/
  117. P.С., Жиляев Ю. В., Сералиев T.A., Куликов А. Ю. Шамрай В.Б. Анализ фазовых равновесий в системе GaP-PCl3-H2 при газовом травлении GaP. Известия ЛЭТИ, 1984, в.8, с.21−24.
  118. А.Д., Жиляев Ю. В., Ипатова И. П., Куликов А. Ю., Макаров Ю. Н. Численное моделирование роста слоев арсенида галлия в хлоридном газотранспортном процессе. Препринт ФТИ№ 1102, 1987.88. Маннинг Дж.
  119. Кинетика диффузии атомов в кристаллах, 277с. М. 1971.89. Малкович Р.Ш.
  120. Математика диффузии в полупроводниках. 390с. СПб, 1999.90. Михлин С.Г.
  121. Линейные уравнения в частных производных. 432с. М., 1977.91. Лодыженская О. А.
  122. Краевые задачи математической физики. 408с. М. 1973
  123. В.И., Дубовский Б. П., Шутяев В.П.
  124. Методы решения задач математической физики. 320с. М. 2002.
  125. А.Д., Зайцев В. Ф., Журов А.И.
  126. Методы решения нелинейных уравнений математической физики и механики. 254с. М.2005.94. Алексидзе М.А.
  127. Решение граничных задач методом разложения по неортогональным функциям. 352с. М.1978
  128. .И., Эфрос А. Л. Легированные полупроводники. М. 1979.96. Трушин Ю. В.
  129. Радиационные процессы в многокомпонентных материалах. 384С., СПб. 200 297. Пашотин Е. А.
  130. Легирование структурно-неоднородных эпитаксиальных слоев фосфида галлия. Диффузионное перераспределение цинка. Письма в ЖТФ В 13,2009, с. 33−40.98. На Ц.
  131. Вычислительные методы решения прикладных граничных задач. 294с. М. 1982.99. Ануфриев И.
  132. МаЛаЬ 5.3/б.х. 712с. СПб. 2003.
  133. В., Абраменкова И.
  134. МАТЛАБ. Специальный справочник. 602с. СПб, 2002.
  135. Е.Ф., Садовничий В. А., Колесов А. Ю., Розов Н. Х. Автоволновые процессы в нелинейных средах с диффузией. 432с. М. 2005.102. Румянцев А. В.
  136. Метод конечных элементов в задачах теплопроводности. Калининград, 1995.
  137. Ю. В., Панютин Е. А., Федоров Л. М.
  138. Двухкомпонентное акцепторное легирование эпитаксиального фосфида галлия и его использование в приборах высокотемпературной электроники. Письма в ЖТФ В 2, 2008, с. 81−86.
  139. Силовая полупроводниковая преобразовательная техника. ФТП, т. 11, в. 11, 1977, с.2065−2068.
  140. Ю.В., Криволапчук В. В., Куликов А. Ю., Панютин Е. А., Сералиев Т.А.
  141. Исследование ВАХ фоефид-галлиевых силовых диодов. Всесоюзная научно-техническая конференция «Создание комплексов высоковольтной преобразовательной и сильноточной техники», Москва, 25−27 ноября 1986 г., М.1986, с. 69−70.
  142. Ю.В., Куликов А. Ю., Панютин Е. А., Сералиев Т. А. Высокотемпературные диоды на фосфиде галлия.
  143. В сб. ст. «Силовые полупроводниковые приборы». Таллин, «Валгус», 1986, с.с. 263−266.108. МихинД.В.
  144. Кремниевые стабилитроны. М., 1965.
  145. Ю.В., Криволапчук В. В., Панютин Е. А., Сералиев Т. А. Исследование параметров высокотемпературных стабилитронов. Всесоюзная научно-техническая конференция «Создание комплексов высоковольтной преобразовательной и сильноточной техники».
  146. Москва, 25−27 ноября 1986 г., М.1986, с. 70−71.
  147. Р.Е., Гутцвиллер Ф. В., Холоньяк Н, Фон Застров Е.Е. Полупроводниковые управляемые вентили. М. 1 968 111. БлихерА.
  148. Физика тиристоров. 262с. JI. 1981.112. Горбатюк А.В.
  149. Динамика и устойчивость быстрых регенеративных процессов в структурах мощных тиристоров. Препринт ФТИ № 962, 1985.
  150. Ю. В., Панютин Е. А.
  151. Локализация фронта включенного состояния тиристора. Сб. ст. «Силовые полупроводниковые приборы», Таллин, 1986.
  152. Ю. В., Панютин Е. А., Федоров Л. М.
  153. Высокотемпературные динисторы на основе фосфида галлия. Письма в ЖТФ В 17, 2009, с. 50−57.
  154. Полевые транзисторы на арсениде галлия.
  155. Сб. статей под ред. Ди Лоренцо Д. В. и Канделуола Д. Д. М. 1988.
  156. Ю.В., Панютин Е. А., Федоров Л. М. Высокотемпературные фосфид-галлиевые полевые транзисторы. Письма в ЖТФ, 20, июнь, 1994, с.26−31.
  157. Yu.V. Zhilyaev, L.M. Fedorov, E.A. Panyutin. GaP-Devices for high temperature applications, in23ed Int. Symp. of Compound Semicond", St. Pet., Sempt/ 23−27, 1996.
  158. Yu.V. Zhilyaev, E.A. Panyutin, L.M. Fedorov.
  159. GaP-Devices for high temperature applications, in «MRS meeting-99», Nov.29-Dec.3, Boston-Massachusetts 1999, p.413.
  160. Ю.В., Панютин E.A., Федоров JI.M.
  161. Матричные кристаллы на основе фосфида галлия, предназначенные для высокотемпературных применений.
  162. Всесоюзная конференция по микроэлектронике. Звенигород, ноябрь, 1994″, М. 1994.
  163. Ю.В., Панютин Е. А., Федоров Л.М.
  164. GaP-матрицы полевых транзисторов для высокотемпературных применений. «2-я Российская конференция по физике полупроводников, г. Зеленогорск (СПб), февраль, 1996», СПб. 1996.
  165. Ненакаливаемые катоды. Под ред. М. И. Елинсона. М.1974 М. 1 977 122. Грибников З.С.
  166. Теория внешней эмиссии горячих электронов из кремниевых /"-«-переходов. ФТТ, 1961, № 3, с. 3 414 123. Ховатсон A.M.
  167. Введение в теорию газового разряда. 178с. М. 1980.124. Райзер Ю.П.
  168. Физика газового разряда. 592с. М. 1987.
  169. Тухас В. А, Хромой Ю. Д, Панютин Е. А., Жиляев, Ю.В., Киселев Ю. В. Особенности пробоя газа при многоэлектронном инициированиис использованием GaP-эмиттеров.4.я Всесоюзная конференция по физике газового разряда. Махачкала, сентябрь 1987». Махачкала, 1987.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!