Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Эффекты гигантского магнитосопротивления в ферромагнитных наноконтактах

Диссертация: Эффекты гигантского магнитосопротивления в ферромагнитных наноконтактах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Предложен новый эффект усиления магнитосопротивления в ферромагнитных наноконтактах с большой спиновой асимметрией рассеяния электронов проводимости. Физическая причина заключается1 в одновременной реализации разных режимов проводимости в двух спиновых каналах — баллистического режима для одной спиновой проекцией электронов проводимости и диффузного для другой. Комбинации режимов проводимости… Читать ещё >

Эффекты гигантского магнитосопротивления в ферромагнитных наноконтактах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ
  • Цель работы
  • Положения, выносимые на защиту
  • Научная новизна и ценность работы
  • Практическая ценность работы
  • Апробация работы и публикации
  • Краткое содержание работы
  • Глава 1. ПРОВОДИМОСТЬ СТРУКТУР ИЗ НОРМАЛЬНЫХ И МАГНИТНЫХ МЕТАЛЛОВ. НАНОСТРУКТУРЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ
    • 1. 1. ЭФФЕКТ ГИГАНТСКОГО МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ (ГМС) В НАНОСИСТЕМАХ
      • 1. 1. 1. Введение
      • 1. 1. 2. Спин-поляризованное рассеяние носителей тока в металлических ферромагнетиках
      • 1. 1. 3. Экспериментальное обнаружение гигантского магнитосопротивления в различных структурах
      • 1. 1. 4. Объяснение гигантского магнитосопротивления в мультислоях на основе зонной теории
      • 1. 1. 5. Технические
  • приложения магниторезистивных ГМС датчиков
    • 1. 2. ТЕОРИЯ ПРОВОДИМОСТИ ТОЧЕЧНЫХ КОНТАКТОВ НОРМАЛЬНЫХ МЕТАЛЛОВ
      • 1. 2. 1. Введение в теорию проводимости контактов из нормальных металлов
      • 1. 2. 2. Классический предел (Максвслловский предел)
      • 1. 2. 3. Квазиклассическое приближение для баллистических контактов (Шарвиновский предел)
      • 1. 2. 4. Теории рассеяния электронов проводимости в точечных контактах
      • 1. 2. 5. Связь с другими формализмами
    • 1. 3. КВАЗИКЛАССИЧЕСКИЕ КИНЕТИЧЕСКИЕ УРАВНЕНИЯ ДЛЯ КОНТАКТИРУЮЩИХ МЕТАЛЛОВ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В ТЕОРИИ ЭФФЕКТА ГИГАНТСКОГО МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ МАГНИТНЫХ КОНТАКТОВ
  • Глава 2. МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ГЕТЕРОКОНТАКТОВ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МЕТАЛЛОВ.'
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Описание модели контакта. Вывод формулы для проводимости
    • 2. 3. Формула для коэффициента прохождения и определение магнитосопротивления
    • 2. 4. Типы контактов
    • 2. 5. Сравнение с экспериментальными данными
  • Глава 3. ЗАВИСИМОСТЬ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ ОТ ДЛИН СВОБОДНОГО ПРОБЕГА ЭЛЕКТРОНА ПРОВОДИМОСТИ
    • 3. 1. Формула для проводимости
    • 3. 2. Связь параметров длин свободного пробега с коэффициентом спиновой асимметрии
    • 3. 3. Магнитосопротивление допированного примесями гомоконтакта
    • 3. 4. Зависимости магнитосопротивления от длин свободного в гетероконтактах
    • 3. 5. Сравнение с экспериментальными данными
  • Глава 4. ТУННЕЛЬНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ФЕРРОМАГНИТНЫХ СТРУКТУР
    • 4. 1. Введение
    • 4. 2. ТМС контакта с прямоугольным барьером
    • 4. 3. ТМС контакта с трапецеидальной формой туннельного барьера

Исследование физических свойств ферромагнитных наноструктур (магнитных многослойных систем, наноконтактов, нано-мостиков) приобрело большое значение в последние пятнадцать лет. Наноэлементы находят все новые применения в микроэлектронике и являются ключевыми рабочими элементами в различных сенсорах, устройствах памяти и фильтрах. При технологическом переходе от микроэлектроники к наноэлектронике возникает проблема расчета вольтамперной характеристики и других свойств электронных структур. Поэтому большой интерес вызывают магнитные и проводящие свойства наноструктур, которые в силу своей квантовой природы уже существенно отличаются от свойств однородных макроскопических систем и схем. Среди свойств наноструктур следует отметить гигантский эффект магнитосопротивления (ГМС), открытый в 1988 году в многослойных системах [Fe/Cr]n, а в 1999 году ГМС был обнаружен в наноконтактах. Оказалось, что изменение значения магнитосопротивления ферромагнитного наноконтакта л может достигать нескольких сот процентов при комнатной температуре. Также было обнаружено, что поведение и свойства доменных границ, геометрически запертых в ограниченном нанообъеме, оказывает определяющее влияние на резистивные свойства магнитного наноконтакта. Очевидными являются трудности экспериментального изучения магнитной структуры наноконтактов. Что касается теории, то, несмотря на отдельные успехи в изучении этих вопросов, в целом обсуждаемая область еще далека от полного понимания природы и механизмов рассматриваемых явлений. В частности, это связано с тем, что для этого необходим детальный учет как можно большего числа взаимодействий, который в силу их нелокальности весьма трудоемок как для численного анализа, так и для аналитической теории.

Другими интересными объектами являются туннельные мультислои и наноконтакты. Туннельные планарные структуры и контакты — это системы, где между проводящими ферромагнитными (FM) слоями находится диэлектрик непроводящий слой. Для электронов проводимости ферромагнитных слоев этот слой является энергетическим барьером. Если его толщина составляет 1−2 нм, то существует большая вероятность туннелирования электронов из одного ферромагнитного слоя в другой в силу их волновой природы. Именно этими процессами обусловлено наличие тока в направлении, перпендикулярном проводящим слоям. В таких планарных туннельных структурах С. Паркиным (S. Parkin) и его коллегами также был экспериментально обнаружен огромной величины эффект туннельного магнитосопротивления (ТМС) при комнатных температурах. Другими учеными было экспериментально показано что ТМС может достигать значений в 1000%.

Цель работы.

Целью данной работы является развитие квазиклассической теории проводимости в магнитных наноконтактах FMxlclFM2. Для этого проведено подробное исследование решения системы уравнений электронного транспорта и граничных условий, выведенных А. В. Зайцевым для микро-мостиков NxlclN2 и Sl/c/S2. Решение обобщено на случай контактов из разнородных ферромагнитных материалов (гетероконтактов из Ni и Fe, например). Исследование состоит в решении следующих задач:

1) Построение теории магнитосопротивления ферромагнитных гетероконтактов.

2) Учет протяженной доменной стенки, которую можно описывать линейным потенциальным барьером.

3) Изучение влияния спиновой асимметрии (величины спиновой поляризации) спиновых подзон проводимости на магнитосопротивление.

4) Рассмотрение влияния спин-зависящих длин свободного пробега на магнитосопротивление и определение оптимальных условий реализации его максимального значения.

5) Изучение туннельного магнитосопротивления как функции параметров контакта, длин свободного пробега и приложенного напряжения.

Положения, выносимые на защиту.

1) Впервые построена квазиклассическая теория магнитосопротивления в наноразмерных ферромагнитных гетероконтактах, в которой поперечные размеры контакта, величины спин-зависящих импульсов Ферми и длины сводного пробега электронов в каждой спиновой подзоне зоны проводимости контактирующих металлов произвольны. Доменная стенка учтена в приближении линейного профиля изменения намагниченности, протяженность которого равна длине наноконтакта.

2) Предложен новый эффект усиления магнитосопротивления в ферромагнитных наноконтактах с большой спиновой асимметрией рассеяния электронов проводимости. Физическая причина заключается1 в одновременной реализации разных режимов проводимости в двух спиновых каналах — баллистического режима для одной спиновой проекцией электронов проводимости и диффузного для другой. Комбинации режимов проводимости, приводящие к усилению магнитосопротивления, возможны только в ферромагнитных гетеро контактах.

3) Впервые показано, что в туннельных наноконтактах из ферромагнитных металлов величина туннельного магнитосопротивления может быть такой же большой, как и в планарных туннельных контактах. Однако, величина эффекта достигается за счет малости размера контакта, а не по причине спиновой фильтрации или резонансного туннелирования через барьер.

Научная новизна и ценность работы.

Новизна и ценность данной работы заключается в универсальном подходе решения задачи проводимости, который полезно сочетает в себе квазиклассическую теорию проводимости в проводниках и квантовую теорию непосредственно для узкой области контакта. Основываясь на теории, развитой для гомоконтактов (контактов из тех же самых магнитных материалов), было построено более общее описание проводимости в гетероконтактах. Универсальность заключается еще и в том, что в рамках единого подхода возможно исследование металлических контактов как с проводящей, так и непроводящей непосредственной областью контакта, но в последнем случае толщина непроводящего слоя подразумевается малой и достаточной для наличия туннельной проводимости. Развитая здесь модель позволяет выявить условия, при которых МС является положительной или отрицательной величиной, выявить особенности его поведения от длин свободного пробега электронов проводимости. Зависимости магнитосопротивления могут быть как монотонными, так и немонотонными функциями размера контакта или других параметров теории.

Впервые выполненный анализ значений МС с учетом возможного различия спин-зависящих длин свободного пробега (ДСП) показал, что при определенных параметрах ДСП величина МС может практически не зависеть от радиуса контакта, что облегчает задачу экспериментального изготовления магнитных наноконтактов, обладающих высоким МС.

Данные результаты являются новыми и вносят существенный вклад в наши представления о природе эффекта ГМС в магнитных системах.

Практическая ценность работы.

Большой прикладной интерес к многослойным магнитным системам связан с возможностью их использования в магнитоэлектронике. Такие эффекты, как баллистическое магнитосопротивление, туннельное магнитосопротивление, анизотропное магнитосопротивление, а также возможность получать структуры с требуемой величиной и знаком коэффициента спиновой асимметрии в каждом слое, позволяют создавать на их основе компактные датчики магнитного поля, ячейки энергонезависимой памяти в запоминающих устройствах, магниторезистивные развязки, спиновые фильтры и многое другое.

Автор данной работы надеется, что развитая им теория и результаты, полученные на основе квазиклассического подхода, прояснят некоторые аспекты явления ГМС и дадут простую расчетную базу определения оптимальных условий для максимального значения ГМС в вышеперечисленных приложениях, а также послужат дальнейшим стимулом развития теории проводимости в наноконтактах.

Апробация работы и публикации.

Различные разделы данной работы были представлены на международных конференциях в г. Москве — НМММ-ХХ (2006), в г. Стамбуле (Турция) — ICNM-2007, в г. Кисловодске «Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии» (2007), а также г. Казань — EastMag-2007 и др. По результатам работы опубликованы три статьи и шесть тезисов, одна статья находится в печати [Useinov, A.N. Tunneling magnetoresistance in ferromagnetic nanojunctions/ A. N. Useinov, L. R. Tagirov, R. G. Deminov // Physica Status Solidi (b) {отослана на рецензию 5 декабря 2007 г.)]. Публикации автора по теме диссертации представлены в конце работы отдельным списком.

Краткое содержание работы.

Первая глава носит обзорный характер. В ней излагаются основы эффекта ГМС и его применения, а также дается обзор наиболее существенных экспериментальных и теоретических результатов, известных на момент написания диссертации.

Во второй главе изложен подробный вывод выражений для проводимости наноконтакта, полученных автором на основе решения уравнений больцмановского типа для квазиклассических одночастичных функций Грина. Приведены зависимости МС от размера наноконтакта для возможных типов контактов при различных толщинах ДС.

В третьей главе представлены результаты анализа зависимости МС от длин свободного пробега. Также делается анализ и сравнение полученных результатов с экспериментальными данными работ по ГМС в наноконтактах.

Четвертая глава посвящена туннельному магнитосопротивлению, в особенности его зависимости от приложенного напряжения и величины спиновой асимметрии спиновых подзон проводимости. Описан расчет коэффициента прохождения электрона через энергетический барьер моделирующий туннельный слой диэлектрика.

В заключении сформулированы основные результаты диссертации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В настоящей работе была рассмотрена модель контакта двух различных ферромагнитных металлов, сильно различающихся свойствами проводимости спиновых подзон. Контакт моделировался круговым отверстием, сделанным в непроводящей мембране. Расчет МС проводился в рамках квазиклассической теории электронного транспорта. В рамках этой модели было получено общее выражение для проводимости контактирующих металлов при параллельной и антипараллельной намагниченности. Контакт обладает, как правило, минимальным сопротивлением в случае когда доменной стенки в области контакта нет. Если же намагниченности соседних берегов контакта антипараллельны, то ситуацию можно интерпретировать в рамках зонной теории как взаимную замену спиновых подзон в одном из доменов. Возникает дополнительное сопротивление, связанное с процессами рассеяния электронов на доменной стенке. Рассмотрены контакты между ферромагнитными металлами, в которых параметры спиновых подзон проводимости отличаются, и положение дна зоны проводимости каждой спиновой подзоны различно. Получается, что поляризованные по спину электроны проводимости должны преодолеть энергетический барьер, перескакивая из подзоны одного металла в подзону другого с тем же направлением спина (в предположении сохранения электронного спина). Доменная стенка, зажатая размером контакта в 1−5 нм, моделировалась наклонным потенциалом.

Результат и оригинальность работы заключается в комплексном исследовании зависимостей магнитосопротивления от параметров и геометрии материалов: размера контакта, коэффициентов спиновой асимметрии и величины длин свободного пробега электронов. Найдены условия, когда магнитосопротивление положительно или отрицательно. Полученные теоретические зависимости МС хорошо согласуется с экспериментальными данными Со-Со, Ni-Мюметалл наноконтактов и туннельных структур из CoFeB/MgO.

Работа поддержана грантом Евросоюза NMP4-CT-2003;505 282 и программой поддержки ведущих научных школ Российской Федерации (НШ-2665.2006.2).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Prinz, G. A. Spin-polarized transport / G. A. Prinz // Phys. Today. — 1995. -V. 48, № 4. -P. 353 — 354.
  2. Gregg, J. F. Spin electronics a review / J. F. Gregg, C. Dennis, I. Petej, E. Jouguelet // J. Phys. D: Appl. Phys. — 2002. — V. 35, — P. R121 — R155.
  3. Zutic, I. Spintronics: Fundamentals and applications. / I. Zutic, J. Fabian, Das S. Sarma // Reviews of modem physics, -2004. V. 76, — P. 323 — 410.
  4. , А. В. Использование поляризованного по спину тока в спинтронике / А. В. Ведяев // Успехи Физических Наук, 2002. — Т. 172, № 12.-С. 1458−1461.
  5. , В. Г. Изменение сопротивления металлов или полупроводников в магнитном поле. / В. Г. Сидякин, Ю. М. Алтайский // Техника физического эксперимента, изд. Киевского университета. 1965. -С. 148.
  6. , К. Физика редкоземельных соединений / К. Тейлор, М. Дарби //М.:Мир. 1974. с. 255
  7. Dieny, В. Giant magnetoresistance in spin-valve multilayers / В. Dieny // J. Magn. Magn. Mater. 1994. — V. 136, — P. 335 — 359.
  8. Gurney, B.A. Direct Measurement of Spin-Dependent Conduction-Electron Mean Free Paths in Ferromagnetic Metals / B. A. Gurney, V. S. Speriosu, J. -P. Nozieres, H. Lefakis, D. R. Wilhoit, O. U. Need // Phys. Rev. Lett.- 1993.-V. 71,-№ 24.-P. 4023−4026.
  9. Vedyaev, A. The mechanisms of suppression and enhancement of GMR and TMR in magnetic sandwiches / A. Vedyaev, D. Bagrets, A. Bagrets, N. Ryzhanova, N. Strelkov, B. Dieny, C. Lacroix // J. Magn. Magn. Mater.- 2002. V. 242 — 245. — P. 453 — 456.
  10. Baibic, M.N. Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices / M.N. Baibich, J.M. Broto, A. Bert et al. // Phys. Rev. Lett.- 1988.-V. 61.-P. 2472−2476
  11. Binasch, G. Enhanced magnetoresis-tance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange / G. Binasch, P. Griinberg, F. Saurenbach, W. Zinn // Phys. Rev. B. 1989. — V. 39, — P. 4828 — 4830.
  12. Dieny, B. Magnetotransport properties of magnetically soft spin-valve structures (invited) / B. Dieny, V. S. Speriosu, S. Metin, S. S. P. Parkin, B. A. Gurney, P. Baumgart, D. R. Wilhoit // J. Appl. Phys. 1991. — V. 69, -P. 4774−4779.
  13. Tagirov, L.R. Low-Field Superconducting Spin Switch Based on a Superconductor/Ferromagnet Multilayer / L.R. Tagirov // Phys. Rev. Lett., — 1999.-V. 83,-№ 10. -P. 2058 -2061.
  14. Garcia, N. Magnetoresistance in excess of 200% in Ballistic Ni Nanocontacts at Room Temperature and 100 Oe / N. Garcia, M. Munoz, Y.- W. Zhao. // Phys. Rev. Lett. 1999. — V. 82, — P. 2923 — 2926.
  15. Tatara, G. Domain Wall Scattering Explains 300% Ballistic Magneto-conductance of Nanocontacts / G. Tatara, Y.-W. Zhao, M. Munoz, N. Garcia // Phys. Rev. Lett. 1999. -V. 83, — P. 2030 — 2033.
  16. Zhuravlev, M.Ye. Size Effect in the Giant Magnetoresistance of Segmented Nanowires / M.Ye. Zhuravlev, H.O. Lutz, A.V. Vedyaev // Phys. Rev. B. -2001.-V. 63,-№ 17.-P. 174 409−1 174 409−7.
  17. Sullivan, M.R. Ballistic magnetoresistance in nickel single-atom conductors without magnetostriction / M. R. Sullivan, D. A. Boehm, D. A. Ateya, S. Z. Hua, H. D. Chopra // Phys. Rev. B. 2005. — V. 71. — P. 24 412 (8).
  18. Zhuravlev, M.Ye. Spin blockade in ferromagnetic nanocontacts / M.Ye. Zhuravlev, E.Y. Tsymbal, S.S. Jaswal, A.V. Vedyaev, B. Deny // Appl. Phys. Lett. -2003. -V. 83, -№ 17. P. 3534 — 3536.
  19. Chopra, H.D. The quantum spin-valve in cobalt atomic point contacts / H.D. Chopra, M.R. Sullivan, J.N. Armstrong, S.Z. Hua // Nature Mater.- 2005. V. 4,-P. 832−837.
  20. Zhao, Y. W. From ballistic to non-ballistic magnetoresistance in nanocontacts: theory and experiments / Y. -W. Zhao, M. Munoz, G. Tatara, N. Garcia // J. Magn. Magn. Mater. — 2001. — V. 223, — P. 169 -174.
  21. Garcia, N. Magnetoresistance in Ballistic Nanocontacts and Its Manipulation in Electrodeposited Nanometric Ni Contacts / N. Garcia, Y.- W. Zhao, M. Munoz, I.G. Saveliev // IEEE Trans. Magn. 2000. — V. 36, -P. 2833−2838.
  22. Butler, W. H. Spin-dependent tunneling conductance of, Fe|MgO|Fe sandwiches / W. H. Butler, X. -G. Zhang, Т. C. Schulthess, J. M. MacLaren // Phys. Rev. B. 2001. — V. 63. — P. 54 416 — 54 416−12.
  23. Mathon, J. Theory of tunneling magnetoresistance of an epitaxial Fe/Mg0/Fe (001) junction / J. Mathon, A. Umerski // Phys. Rev. B. 2001. — V. 63. — P. 220 403 — 220 403−4.
  24. , A.B. Сопротивление туннельного барьера с пинхолом / А. В. Ведяев, М. Е. Журавлев, Е. Ю. Цымбал, Б. Дени / ЖЭТФ, 2007. -Т. 131. -В. 1 ,-С. 97−106.
  25. Mitani, S. Tunnel-MR and spin electronics in metal-nonmetal granular systems / S. Mitani, H. Fujimori, K. Takanashi, K. Yakushiji et al. II J. Mag. Magn. Mat. 1999. — V. 198 — 199, — P. 179 — 184.
  26. Moruzzi, J. L. Calculated Band Structure Properties / J. L. Moruzzi, J. F. Janak, A. R. Williams // Pergamon Press, New York, NY. 1978.
  27. Goodfellow Catalogue, 1996/1997.
  28. Garcia, E. A. Surface crystallization of melt-spun Pd40Ni40P20 glass /
  29. Escorial A. Garcia, A.L. Greer // J. Materials Science 1987. — V. 22, — № 12. P. 4388−4394.
  30. Kiibler, J. Formation and coupling of magnetic moments in Heusler alloys / J. Kiibler, A.R. Williams, C.B. Sommers // Phys. Rev. В 1983. -V. 28, -P. 1745−1755.
  31. Pierre J. Half metallic ferromagnets / J. Pierre, L. Ranno // Инт. ссылка: http: //www2 .ted .ie/Phy sics/People/Michael. Coey/ oxsen/ne wsletter/j anuary9 8/halfmeta.htm
  32. , К. -I Room-temperature magnetoresistance in an oxide material with an ordered double-perovskite structure / К. -I. Kobayashi, T Kimura, H. Sawada, K. Terakura, Y. Tokura // Nature 1998. — V. 395, — Iss. 6703. -P. 677−680.
  33. Vedyaev, A. B. Quantum effects in giant magnetoresistance due to interfaces in magnetic sandwiches / A.B. Vedyaev, M. Chshiev, B. Dieny // J. Magn. Magn. Mater. 1998. — V. 184. — P. 145 — 154.
  34. , А. В. Гигантское магнитосопротивление / А. В. Ведяев, А. Б. Грановский // Природа 1995. — № 8. — С. 72 — 79.
  35. Alps Electric to Begin Production of TuMR Thin- Film Head HRUHM Series, A division of Japan «Corporate News Network KK (JCN) Электронный ресурс. -2007. Режим доступа: http://www.japancorp.net/Article.Asp?ArtID=12 100, свободный.
  36. Datta, S. Electronic Transport in Mesoscopic Systems / S. Datta // Cambridge University Press, Cambridge, UK. 1997.
  37. Washburn, S. Resistance fluctuations in small samples: be careful when playing with ohm’s law, in: B. Kramer (Ed.), Quantum Coherence in Mesoscopic Systems // Plenum Press, New York, 1991. — P. 341 — 367.
  38. Maxwell, J. C. A Treatise on Electricity and Magnetism. V. 1. Dover Publ. inc., New York. — 1954.
  39. Sharvin, Yu. V. A possible method for studying Fermi surfaces / Yu. V. Sharvin // Sov. Phys. Journal of Experimental and Theory physics. — 1965. -V. 21, — P. 655 — 656. Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики — 1965. — Т. 48. — С. 984 — 985. •
  40. Knudsen, М. Kinetic Theory of Gases / M. Knudsen // Methuen, London. 1934.
  41. Jansen, A.G.M. Point contact spectroscopy in metals / A. G. M. Jansen, A.P. Gelder, P. Wyder // J. Phys. C. 1980. — V. 13 — P. 6073 — 6118.
  42. Biittiker, M. Transmission, reflection and the resistance of small conductors / in: Chamberlain J.M., Eaves L., Portal J.C. (Eds.), Electronic Properties of Multilayers and Low Dimensional Semiconductors // Plenum Press, New York. 1990.-P. 51−73.
  43. Imry, Y. Physics of mesoscopic systems / in: Grinstein G., Mazenko G. (Eds.), Directions in Condensed Matter Physics // World Scientific, Singapore. 1986. — P. 101 — 163.
  44. Landauer, R. Spatial variation of currents and fields due to localized scatterers in metallic conduction / R. Landauer // IBM J. Res. Dev. 1957. -V. l.-P. 223−231.
  45. Mahan, J. Many-Particle Physics / J. Mahan // Plenum Press, New York. 1990.
  46. Economou, E. N. Green’s Functions in Quantum Physics / E.N. Economou //Springer, Berlin. 1983.
  47. Lee, P. A. Relation between conductivity and transmission matrix / P. A. Lee, D. S. Fisher // Phys. Rev. B. 1981. -V. 23, — P. 6851 — 6854.
  48. Baranger, H. U. Electrical linear-response theory in an arbitrary magnetic field: a new fermi-surface formation / H. U. Baranger, A. D. Stone // Phys. Rev. B. 1989. — V. 40, — P. 8169.
  49. Rammer, J. Quantum field-theoretical methods in transport theory of metals / J Rammer, H. Smith // Rev. Mod. Phys. 1986. -V. 58, — № 2. -P. 323 -359.
  50. Tagirov, L.R. Ballistic versus diffusive magnetoresistance of a magnetic point contact / L.R. Tagirov, B.P. Vodopyanov, K.B. Efetov // Phys. Rev. B.- 2001. -V. 63, -P. 104 428 104 428−4.
  51. Tagirov, L. R. Multivalued dependence of the magnetoresistance on the quantized conductance in nanosize magnetic contacts / L. R. Tagirov, B. P. Vodopyanov, K.B. Efetov // Phys. Rev. В -2002. -V. 65, -P. 214 419−214 419−7.
  52. Garcia, N. Ballistic magnetoresistance in transition-metal nanocontacts: The case of iron / N. Garcia, M. Munoz, Y. -W. Zhao // Appl. Phys. Lett. -2000. -V. 76,-P. 2586−2587.
  53. , J. -E. Magnetoresistance of nanocontacts with constrained magnetic domain walls / J. -E. Wegrowe, T. Wade, X. Hoffer, L. Gravier, J. M. Bonard, J. Ph. Ansermet // Phys. Rev. B. 2003. -V. 67. -P. 104 418 (7)
  54. Jubert, P. O. Magnetic domain walls in constrained geometries / P. O. Jubert, R. Allenspach, A. Bischof // Phys. Rev. B. -2004. V. 69, -P. 220 410®-220 410−4.
  55. Imamura, H. Conductance Quantization and Magnetoresistance in Magnetic Point Contacts / H. Imamura, N. Kobayashi, S. Takahashi, S. Maekawa // Phys. Rev. Lett. 2000. — V. 80. — P. 1003 -1006.
  56. , А. К. Влияние доменной границы на электропроводность магнитного наноконтакта / А. К. Звездин, А. Ф. Попков // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики -2000. Т. 71. -Вып. 5,6. — С. 304 — 308.
  57. Useinov, A.N. Giant magnetoresistance in nanoscale ferromagnetic heterocontacts / A.N. Useinov, R.G. Deminov, L.R. Tagirov, G. Pan // J. Phys.: Cond. Mat. 2007. — V. 19, — P. 196 215 — 196 215−10.
  58. Bruno, P. Geometrically Constrained Magnetic Wall / P. Bruno // Phys. Rev. Lett. 1999. — V. 83, — P. 2425 — 2428.
  59. , JI.JI. Магнитные конфигурации в области наноконтакта между ферромагнитными «берегами» / JI. JI. Савченко, А. К. Звездин, А. Ф. Попков, К. А. Звездин // Физика Твердого Тела. -2001. -Т. 43, Вып. 8. — С. 1449 — 1454.
  60. Molyneux, V. A. Stable two- and three-dimensional geometrically constrained magnetic structures: The action of magnetic fields / V. A. Molyneux, V. V. Osipov, E. V. Ponizovskaya // Phys. Rev. В 2002. -V. 65,-P. 184 425 — 184 425−6.
  61. Labaye, Y. Domain walls in ferromagnetic nanoconstriction / Y. Labaye, L. Berger, J. M. D. Coey // J. Appl. Phys. -2002. -V. 91, Iss. 8. -P. 5341 -5346.
  62. Kazantseva, N. Transition to Linear Domain Walls in Nanoconstrictions / N. Kazantseva, R. Wieser, U. Nowak // Phys. Rev. Lett. 2005. -V. 94. -P. 37 206 — 37 206−4
  63. Eid, К. CPP magnetoresistance of magnetic multilayers: mean-free- path is not the culprit / K. Eid, D. Portner, R. Loloee, Jr. W. P. Pratt, J. Bass // J. Magn. Magn. Mater. 2001. — V. 224, — Iss. 3. — P. 205 — 209.
  64. Bass, J. Version 7/21/01 current-perpendicular-to-plane (CPP) magnetoresistance / J. Bass, Jr. W.P. Pratt // Physica B: Cond. Mat. -2002. V. 321, -P. 1 -8.
  65. Ren, Y. Oscillation effect and sign-change behaviour of the bias-dependent tunnelling magnetoresistance in ferromagnetic junctions / Y. Ren, Zh. Li, M. Xiao, A. Hu. // J. Phys.: Cond. Mat. 2005. — V. 17. — P. 4121 — 4134.
  66. , JI. Д. Теоретическая физика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц // Том III. Квантовая механика (нерелятивистская теория). Серия: Теоретическая физика, Изд.: ФИЗМАТЛИТ., -2001. Твердый переплет, 808 с.
  67. , В. П. Основы нано-электроники / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин // Учебное пособие. М.: Унив. книга. Логос. Физматкнига. — 2006. — 496 с.
  68. Stearns, М.В. Reevaluation of spin-dependent cross sections of solutes in Fe /М.В. Stearns//J. Apll. Phys. 1993.-V. 73.-№ 10.-P. 6396−6398.
  69. Jansen, R. Resonant tunneling via spin-polarized barrier states in a magnetic tunnel junction / R. Jansen, J.C. Lodder // Phys. Rev. B. -2000. -V. 61. -P. 5860−5863.
  70. Mathon, J. Phenomenological Theory of Giant Magnetoresistance / in: MJ. Thornton and M. Ziese (Eds.), Spin Electronics. -2001. // Springer-Verlag Berlin Heidelberg. 2001. — P. 569.
  71. Valet, T. Theory of the perpendicular magnetoresistance in magneticmultilayers / Т. Valet, A. Fert // Phys. Rev. B. 1993. -V. 48, -P. 7099−7113.
  72. , A.A. Основы теории металлов / А. А. Абрикосов // Учеб. руководство. -М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1987. 520 с.
  73. Stearns, М.В. On the origin of ferromagnetism and the hyperfine fields in Fe, Co, and Ni / M.B. Steams // Phys. Rev. B. 1973. -V. 8, -№ 9. -P. 4383−4398.
  74. Garcia, N. Negative and Positive Magnetoresistance Manipulation in an Electrodeposited Nanometer Ni Contact / N. Garcia, H. Rohrer, I. G. Saveliev, Y.-W. Zhao // Phys. Rev. Lett. -2000. -V. 85. -P. 3053 -3056.
  75. Altmann, K. N. Effect of Magnetic Doping on the Electronic States of Ni / K. N. Altmann, N. Gilman, J. Hayoz, R. F. Willis, F. J. Himpsel // Phys. Rev. Lett. 2001. -V. 87, — № 13. — P. 137 201 — 137 201−4.
  76. Ren, Y. Oscillation effect and sign-change behaviour of the bias-dependent tunnelling magnetoresistance in ferromagnetic junctions / Y. Ren, Zh. Li, M. Xiao, A. Hu. // J. Phys.: Cond. Mat. 2005. — V. 17. — P. 4121 — 4134.
  77. Parkin, S. P. Giant tunneling magnetoresistance at room temperature with MgO (lOO) tunnel barriers / S. P. Parkin, C. Kaiser, A. Panchula, P. M. Rice, B. Hughes, M. Samant, S. Yang // Nature Mater. -2004. -V. 3. P. 862 867.
  78. Yuasa, S. Gaint room-temperature magnetoresistanse in single-crystal Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions / S. Yuasa, T. Nagahama, A. Fukushima, Y. Suzuki, K. Ando // Nature Mater. -2004. -V. 3, -P. 868 871.
  79. Seneor, P. Large magnetoresistance in tunnel junctions with an iron oxide electrode / P. Seneor, A. Fert, J. -L. Maurice, F. Montaigne, F. Petroff, A. Vaures // App. Phys. Lett. 1999. — V. 74, — № 26. — P. 4017 — 4019.
  80. , C.A. Осцилляции туннельного магнитосопротивления в структуре ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик / С. А. Игнатенко, A. JI. Данилюк, В. Е. Борисенко // Журнал Технической Физики. -2005. -Т. 75. Вып. 6.-С. 8- 12.
  81. Beletskii, N.N. Magnetoresistance and spin polarization of electron current in magnetic tunnel junctions / N.N. Beletskii, G.P. Berman, A.R. Bishop, S.A. Borisenko, V.M. Yakovenko // Phys. Rev. B. -2007. -V. 75, -P. 174 418 174 418−8.
  82. Rippard, W. H. Ultrathin Aluminum Oxide Tunnel Barriers / W. H. Rippard, A. C. Perrella, F. J. Albert, R. A. Buhrman // Phys.Rev.Let.- 2002. V. 88, -№ 4. — P. 46 805 — 46 805−4.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!