Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние структурных характеристик пористых полупроводниковых и диэлектриков на их оптические свойства

Диссертация: Влияние структурных характеристик пористых полупроводниковых и диэлектриков на их оптические свойства
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые установлена зависимость эффективности процессов генерации гармоник в пористом кремнии от среднего размера пор и нанокри-сталлов. Обнаружено падение сигналов второй и третьей гармоник в микропористом кремнии более, чем на порядок по сравнению с кристаллическим кремнием. В мезопористом кремнии, напротив, зафиксирован рост эффективности генерации второй и третьей гармоник по сравнению… Читать ещё >

Влияние структурных характеристик пористых полупроводниковых и диэлектриков на их оптические свойства (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ ПОРИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ и
  • ФОТОННЫХ СРЕД НА ИХ ОСНОВЕ
    • 1. 1. Электрохимическое травление
      • 1. 1. 1. Пористый кремний
      • 1. 1. 2. Окисленный пористый кремний
      • 1. 1. 3. Пористый фосфид галлия
      • 1. 1. 4. Пористый оксид алюминия
    • 1. 2. Фотонно-кристаллические структуры на основе пористых полупроводников
    • 1. 3. Щелевые кремниевые структуры
    • 1. 4. Выводы
  • 2. ЛИНЕЙНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОРИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ и ДИЭЛЕКТРИКОВ 49 2.1. Модели эффективной среды
    • 2. 1. 1. Ламинарная структура
    • 2. 1. 2. Модель Максвелла-Гарнетта
    • 2. 1. 3. Модель Бруггемана
    • 2. 1. 4. Обобщение моделей эффективной среды на случай анизотропии
    • 2. 1. 5. Влияние размеров компонентов пористой среды на её- оптические свойства
      • 2. 1. 5. 1. Сферические частицы
      • 2. 1. 5. 2. Частицы в форме эллипсоида
    • 2. 2. Двулучепреломление в наноструктурированных полупроводниках и диэлектриках
      • 2. 2. 1. Методика измерений
      • 2. 2. 2. Пористый кремний
        • 2. 2. 2. 1. Двулучепреломление пористого кремния
        • 2. 2. 2. 2. Дисперсия показателей преломления и моделирование оптической анизотропии в пористом кремнии
        • 2. 2. 2. 3. Роль динамической деполяризации в дисперсии оптических параметров пористого кремния
      • 2. 2. 3. Окисленный пористый кремний
        • 2. 2. 3. 1. Двулучепреломление окисленного пористого кремния
        • 2. 2. 3. 2. Дисперсия оптических параметров и моделирование оптической анизотропии в окисленном пористом кремнии
      • 2. 2. 4. Пористый фосфид галлия
      • 2. 2. 5. Пористый оксид алюминия
      • 2. 2. 6. Двулучепреломление в щелевых кремниевых структурах в широком диапазоне
    • 2. 3. Упорядоченные оптически неоднородные среды (фотонные кристаллы) на основе пористых полупроводников
      • 2. 3. 1. Одномерные фотонно-кристаллические структуры на основе пористого кремния
        • 2. 3. 1. 1. Спектры отражения
        • 2. 3. 1. 2. Дисперсионные свойства
        • 2. 3. 1. 3. Одномерные фотонно-кристаллические структуры на основе окисленного пористого кремния
      • 2. 3. 2. Двумерные фотонно-кристаллические структуры на основе пористого оксида алюминия
    • 2. 4. Неупорядоченные оптически неоднородные системы на основе пористых полупроводников
      • 2. 4. 1. Эффекты локализации света при его рассеянии
      • 2. 4. 2. Рассеяние света в пористом фосфиде галлия
        • 2. 4. 2. 1. Спектры рассеяния света в пористом фосфиде галлия
        • 2. 4. 2. 2. Динамика рассеяния света в пористом фосфиде галлия
    • 2. 5. Усиление эффективности комбинационного рассеяния света в щелевых кремниевых структурах
    • 2. 6. Выводы к главе 2
  • 3. ФАЗОВОЕ СОГЛАСОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ГЕНЕРАЦИИ ОПТИЧЕСКИХ ГАРМОНИК В ПОРИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ДИЭЛЕКТРИКАХ С ДВУЛУЧЕПРЕЛОМЛЕНИЕМ ФОРМЫ
    • 3. 1. Фазовое согласование процесса генерации второй гармоники в объёме двулучепреломляющего мезопористого кремния
      • 3. 1. 1. Условия фазового согласования
      • 3. 1. 2. Экспериментальное исследование генерации второй гармоники в объёме пористого кремния
        • 3. 1. 2. 1. Зависимость сигнала второй гармоники в пористом кремнии от угла падения излучения
        • 3. 1. 2. 2. Фазовое согласование для генерации второй гармоники в пористом кремнии при заполнении пор диэлектрическими жидкостями
    • 3. 2. Фазовое согласование процесса генерации третьей гармоники в объёме двулучепреломляющего мезопористого кремния
      • 3. 2. 1. Решение волнового уравнения и условия фазового согласования
      • 3. 2. 2. Экспериментальное исследование генерации третьей гармоники в объёме пористого кремния
    • 3. 3. Генерация третьей гармоники в объёме двулучепреломляющего окисленного пористого кремния
      • 3. 3. 1. Условия фазового согласования
      • 3. 3. 2. Экспериментальное исследование генерации третьей гармоники в объёме окисленного пористого кремния
    • 3. 4. Выводы
  • 4. МОДИФИКАЦИЯ НЕЛИНЕЙНОЙ ВОСПРИИМЧИВОСТИ В ПОРИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ДИЭЛЕКТРИКАХ
    • 4. 1. Эффективная нелинейно-оптическая восприимчивость нанокомпозитной среды
    • 4. 2. Эффективные нелинейные восприимчивости пористых полупроводников и диэлектриков: модель
      • 4. 2. 1. Нелинейная восприимчивость кристаллического кремния
        • 4. 2. 1. 1. Вторая гармоника
        • 4. 2. 1. 2. Третья гармоника
      • 4. 2. 2. Симметрия кубической восприимчивости двулучепреломляющего пористого кремния и окисленного пористого кремния
      • 4. 2. 3. Оценки величин кубической восприимчивости двулучепреломляющего пористого кремния
    • 4. 3. Эффективные нелинейные восприимчивости пористых полупроводников и диэлектриков: эксперименты
      • 4. 3. 1. Генерация второй гармоники в микро- и мезопористом кремнии
      • 4. 3. 2. Генерация третьей гармоники в микро- и мезопористом кремнии
      • 4. 3. 3. Причины роста эффективности процесса генерации третьей гармоники в мезопористом кремнии
      • 4. 3. 4. Генерация третьей гармоники в окисленном пористом кремнии
    • 4. 4. Выводы
  • 5. НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОПТИЧЕСКИ НЕОДНОРОДНЫХ СРЕДАХ НА ОСНОВЕ ПОРИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
    • 5. 1. Генерация второй гармоники в многослойных структурах на основе микропористого кремния
    • 5. 2. Генерация второй и третьей гармоник в структурах на основе мезопористого кремния
      • 5. 2. 1. Изотропные слои мезопористого кремния
      • 5. 2. 2. Анизотропные слои пористого кремния
        • 5. 2. 2. 1. Генерация второй гармоники
        • 5. 2. 2. 2. Генерация третьей гармоники
    • 5. 3. Эффекты локализации света в нелинейно-оптических взаимодействиях в пористом фосфиде галлия
      • 5. 3. 1. Ориентационные зависимости сигнала второй и третьей гармоник
      • 5. 3. 2. Роль эффектов локализации света и фазового согласования в нелинейно-опических процессах в пористом фосфиде галлия
    • 5. 4. Выводы

Возрастающие потребности в передаче данных требуют создания новых приборов и устройств, позволяющих в широком спектральном диапазоне осуществлять быстрое переключение и изменять частоту сигнала. Дальнейшее развитие таких систем будет в основном определяется возможностью генерировать, переключать и детектировать оптический сигнал, используя нелинейно-оптические процессы. В то же время современные телекоммуникационные технологии требуют миниатюризации устройств для управления распространением изучения. Однако большинство имеющихся на сегодня нелинейно-оптических кристаллов обладают либо сравнительно малой нелинейной восприимчивостью, но при этом в них возможна большая длина нелинейно-оптического взаимодействия, например за счёт фазового согласования процесса, либо, наоборот, при большой нелинейной восприимчивости длина взаимодействия очень мала и зачастую ограничена несколькими длинами волн. В связи с этим встает необходимость в развитии новых подходов, которые приведут к формированию новых искусственных материалов на основе наноструктур, позволяющих сочетать высокую нелинейную восприимчивость с большой длиной взаимодействия.

Получение и исследование новых материалов с требуемыми структурными и оптическими свойствами представляет собой актуальную задачу современной лазерной физики, решаемую методами нанотехнологии. Для этого проводится &bdquo-сборка" тем или иным способом нанокристаллов или нанокластеров, электронные и оптические свойства которых определяются их размером и формой. Оптические свойства ансамбля наночастиц будут определяться не только взаимодействием между атомами, но и взаимным расположением нанокластеров, а также их объемной долей. Важным примером таких сред являются пористые полупроводниковые и диэлектрические материалы, образующиеся в результате процесса электрохимического травления. Они представляют собой нанокомпозитные среды, образованные пустотами в объеме (порами) и оставшимися после удаления части материала нанокристаллами или нанокластерами полупроводника.

Всё- вышесказанное объясняет актуальность детального изучения оптических свойств пористых полупроводников и диэлектриков, поскольку указанные материалы, как свидетельствуют результаты недавних исследований, могут обладать высокой эффективной нелинейной восприимчивостью и позволяют осуществить фазовое согласование нелинейно-оптических процессов. Широкое применение могут найти и линейные оптические свойства пористых сред, например двулучепреломление формы. Надо отметить, что важным достоинством устройств на основе пористых полупроводников является возможность легко интегрировать их с существующими полупроводниковыми оптическими и электронными элементами. С фундаментальной точки зрения пористые полупроводники и диэлектрики, структурные параметры которых можно варьировать в широких пределах, меняя режимы их изготовления, являются замечательными модельными объектами для изучения электродинамики нанокомпозитных сред, в частности исследования влияния таких факторов как квантово-размерный эффект, адсорбция молекул и эффекты локального поля на оптические свойства наносистем. В рамках настоящей работы основное внимание уделяется проявлениям эффектов локальных полей и исследованием возможностей управления с их помощью фотонными свойствами пористых полупроводников и диэлектриков.

Детальное исследование роли именно эффектов локального поля на линейные и нелинейные оптические свойства пористых полупроводников и составляло цель диссертационной работы. Для этого были поставлены и решались следующие конкретные задачи:

1. Разработка методов формирования пористых полупроводников и диэлектриков, а также структур на их основе.

2. Изучение влияния структуры пористых полупроводников на линейные оптические свойства пористых полупроводников, в частности величины эффективного показателя преломления и двулучепреломления для оптически однородных сред и длину свободного пробега фотона для рассеивающих сред.

3. Развитие теоретического подхода, позволяющего описать двулучепре-ломление формы в пористых полупроводниках и диэлектриках.

4. Исследования возможности увеличения длин нелинейно-оптических взаимодействий за счёт достижения фазового синхронизма в пористых полупроводниках с двулучепреломлением формы.

5. Определение модификации тензора эффективной нелинейной восприимчивости пористых полупроводников и диэлектриков и установление связи компонент тензора со структурными параметрами пористых сло-ёв.

6. Изучение особенностей нелинейно-оптических процессов в многослойных периодических структурах на основе пористых полупроводников.

7. Исследование нелинейно-оптических процессов в оптически неоднородных пористых полупроводниках, обладающих сильным рассеянием света.

В настоящей работе в качестве объектов исследования рассматриваются такие среды, как пористый кремний (ПК), окисленный пористый кремний (ОПК), пористый фосфид галлия (ПФГ), пористый оксид алюминия (ПОА). Данные материалы представляют большую часть пористых сред, представляющих интерес для фотоники. Важно отметить, что они допускают варьирование как структурных, так и оптических параметров в широких пределах. Так, в зависимости от материала и условий формирования размеры пор и нанокластеров составляли от единиц нанометров микропористые материалы) до долей микрометра (макропористые материалы).

Для решения поставленных задач использовались разнообразные экспериментальные и теоретические методы. Модельные образцы низкоразмерных структур формировались посредством химического и электрохимического травления полупроводниковых кристаллов. Исследование структурных свойств низкоразмерных объектов проводилось методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии, рентгеновской дифракции. Оптические свойства изготовленных слоев пористых полупроводников изучались методами спектроскопии видимого и инфракрасного диапазонов, генерации второй и третьей оптических гармоник, спонтанного комбинационного рассеяния света, комбинационного антистоксова рассеяния света. Эксперименты выполнялись с использованием наносекундных и пикосекундных лазерных систем на основе кристаллов ШгУАв, Ш-.УУО^ фемтосекундной лазерной системе на основе кристалла Спфорстерита, параметрического генератора света и волоконно-оптического генератора континуума. Для описания оптических свойств пористых полупроводников использовались теоретические модели, основанные как на статическом, так и на динамическом приближениях эффективной среды. Выполненный в работе теоретический анализ нелинейно-оптических процессов основан на решении волнового уравнения с нелинейным источников в приближении медленно меняющихся амплитуд.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитированной литературы.

5.4. Выводы.

В результате исследования нелинейно-оптических процессов в оптически неоднородных средах нами были получены следующие результаты:

1. Уменьшение фазовой расстройки для процесса генерации ВГ в многослойных периодических структурах на основе микропористого кремния приводит к существенному увеличению эффективности данного процесса, которой можно управлять, меняя как величину периода структуры, так и угол падения излучения на структуру.

2. Многослойные структуры, сформированные анизотропными слоями ПК, открывают дополнительные возможности для фазового согласования процессов генерации ВГ и ТГ. В частности, в тех случаях, когда длина, а р=55% • • б? р=22%.

• • ?

— р=12% ;

• - ?

— Уровень сигнала ВГ в с-ваР — 1 1 ¦ ¦ • • 1. ¦ ¦ ' волны излучения на основной частоте или частоте гармоники попадает в ФЗЗ, обнаружено существенное изменение ориентационных зависимостей сигналов ВГ и ТГ, обусловленное различием в положении ФЗЗ для обыкновенных и необыкновенных волн.

3. Обнаружено усиление эффективности генерации оптических гармоник и суммарной частоты в ПФГ по сравнению с с-СаР. При этом сигнал гармоник оказывается в сильной степени деполяризован. Эффективность данных процессов существенно зависит от длины волны накачки. Зависимости сигнала ВГ от времени жизни фотона в пористом слое указывают на возможность так называемого фазового квазисогласования в оптически неоднородном слое ПФГ при рассеянии излучения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В работе были изучено влияние структурных характеристик пористых полупроводников и диэлектриков на их оптический отклик. В результате выполненных экспериментальных и теоретических исследований были получены следующие результаты:

1. Разработаны методы изготовления образцов пористого кремния, окисленного пористого кремния, пористого фосфида галлия и пористого оксида алюминия с анизотропным расположением пор, что дало возможность получать слои с большой величиной двулучепреломления (до 0,24 в инфракрасном диапазоне), в том числе при нормальном падении света на образец, а также реализовать новые фотонные среды, проявляющие эффекты слабой локализации оптического излучения. Развита методика формирования многослойных периодических структур на основе пористого кремния и окисленного пористого кремния.

2. Экспериментально и теоретически исследовано явление двулучепреломления формы в пористых полупроводниках и диэлектриках. Определены величины показателей преломления и величин двулучепреломления в широком спектральном диапазоне в зависимости от пористости и средних размеров пор и нанокластеров. С использованием приближения эффективной среды развита теоретическая модель, описывающая двулучепреломле-ние формы, и указаны границы применимости этой модели. Разработан новый подход, принимающий во внимание размер пор и и наночастиц и учитывающий эффекты динамической деполяризации.

3. Экспериментально изучено рассеяние света в пористом фосфиде галлия. Методом оптического гетеродинирования рассеянного сигнала определено время жизни фотона в пористом слое и длина его свободного пробега. Установлено, что последняя величина уменьшается с увеличением пористости, что указывает на усиление рассеяния света.

4. Впервые теоретически установлена возможность и экспериментально реализовано фазовое согласование генерации второй и третьей гармоник в слоях пористого кремния и генерации третьей гармоники в окисленном пористом кремнии. Определены условия фазового синхронизма для этих материалов. Показано, что заполнение пор диэлектрическими жидкостями позволяет изменить условия синхронизма и добиться фазово согласованной генерации второй гармоники в мезопористом кремнии. С использованием перестраиваемого по длине волны излучения параметрического генератора света реализован режим синхронной генерации третьей гармоники в пористом кремнии и окисленном пористом кремнии. Наличие синхронной генерации подтверждается существенным увеличением сигнала гармоники и изменением вида её- ориентационных зависимостей. Все экспериментальные данные находятся в хорошем согласии с результатами расчётов.

5. Впервые установлена зависимость эффективности процессов генерации гармоник в пористом кремнии от среднего размера пор и нанокри-сталлов. Обнаружено падение сигналов второй и третьей гармоник в микропористом кремнии более, чем на порядок по сравнению с кристаллическим кремнием. В мезопористом кремнии, напротив, зафиксирован рост эффективности генерации второй и третьей гармоник по сравнению с кристаллическим кремнием. В мезопористом кремнии обнаружено увеличение сигналов второй и третьей гармоник с возрастанием пористости пленок пористого кремния. Обнаружена также тенденция к деполяризация гармоник с ростом пористости. Полученные результаты не могут быть объяснены в рамках приближения эффективной среды. Предложено объяснение полученных результатов, связывающее рост эффективности процессов генерации гармоник с увеличением локального поля в пористом слое за счёт рассеяния на наночастицах и порах и многократной интерференции рассеянного излучения.

6. Проведенные эксперименты по генерация гармоник в многослойных периодических структурах на основе как микро-, так и макропористого кремния подтверждают возможность управления эффективностью генерации гармоник в таких структрах путем изменения как величины периода структуры, так и угла падения излучения на структуру. Обнаружена модификация ориентационных зависимостей сигналов гармоники в многослойных структурах, образованных анизотропными слоями пористого кремнияданный эффект обусловлен различием в положении фотонных запрещенных зон для обыкновенных и необыкновенных волн.

7. Обнаружен рост эффективности генерации оптических гармоник и суммарной частоты в пористом фосфиде галлия более, чем на порядок по сравнению с кристаллическим фосфидом галлия (до 1% при интенсивно.

11 2 сти излучения накачки в 10 Вт/см). Установлено, что эффективность данных процессов существенно зависит от длины волны накачки, возрастая по мере уменьшения последней. Данный эффект рассматривается как проявление слабой локализации света в пористом слое. Зависимости сигнала ВГ от времени жизни фотона в пористом фосфиде галлия указывают на возможность так называемого фазового квазисогласования в оптически неоднородном слое пористого фосфида галлия при увеличении длины пробега фотона в нем за счет рассеяния излучения.

Автор выражает свою искреннюю признательность и благодарность профессорам П. К. Кашкарову, В. Ю. Тимошенко, A.M. Желтикову за постоянное внимание к работе, поддержку и инициирование ряда исследований и всем коллегам, работавшим вместе с ним при выполнении данных исследований: А. И. Ефимовой, A.B. Федотову, Д.А. Сидорову-Бирюкову, A.B. Зотеву, В. М. Гордиенко, Е. А. Астровой, Б. П. Горшунову, A.A. Волкову, С. О. Конорову, В. А. Мельникову, C.B. Заботнову, Е. Ю. Прутковой, К. П. Бестемьянову, A.A. Подшивалову, Л. П. Кузнецовой, Г. М. Зайцеву, Д. А. Мамичеву, И. А. Остапенко, H.A. Пискунову, А. Ф. Константиновой, К. Б. Имангазиевой, Е. М. Степович, A.A. Иванову, Д. А. Иванову, С. А. Гаврилову, Э. Гроссу, Д. Ковалеву, Н. Кюнцнеру, Й. Динеру, Ф. Коху, В. В. Яковлеву, Г. И. Петрову, Т. С. Перовой, Дж. Хаусу, чья неоценимая помощь и содействие на всех этапах работы весьма способствовала ее выполнению.

Автор также весьма благодарен своей семье за помощь, поддержку и понимание, без которых выполнении данной работы было бы невозможным.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Rouquerol J., Avnir D., Fairbridge C. W., Everett D. H., Haynes J. H., Pernicore N., Ramsey J. D. F., Sing K. S. W., Unger К. K. Recommendations for the characterization of porous solids // Pure Appl. Chem. 1994. — V. 66, No. 8. — P. 1739−1758.
  2. В. П., Конников С. Г. Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах AnIBv. Часть I. // Физика и техника полупроводников 2007.- Т. 41, вып. 7 — С. 854 — 866.
  3. Uhlir A. Electrolytic shaping of germanium and silicon // Bell Syst. Tech. -1956. V. 35, No. 2. — P.333−347.
  4. Imai K. A new dielectric isolation method using porous silicon // SolidState Electron. 1981. — V. 24, No. 2. — P. 159−164.
  5. Bomchil G., Halimaoi A., Herino R. Porous Silicon: the Material and Its Application in Silicon-on-Insulator technologies // Appl. Surf. Sci.- 1989.-V. 41/42.- P.604−613.
  6. B.A., Бондаренко В. П., Борисенко В. Е. Получение, свойства и приме-нение пористого кремния // Зарубежная электронная техника.- 1978.- № 15.- С.3−27.
  7. L. Т. Silicon Quantum Wire Array Farbrication by Electrochemical and Chemical Dissolution of Wafers // Appl. Phys. Lett-1990.- V.57- P.1046−1048.
  8. Cullis A.G., Canham L. T., Calcott P. D. J. The structural and luminescence properties of porous silicon //J. Appl. Phys. 1997. — V. 82., No. 3. — P.909−965.
  9. Smith R. L., Collins S. D. Porous silicon formation mechanisms //J. Appl. Phys 1992 — V.70, No. 8, — P. R1-R30.
  10. Lehmann V., Gosele U. Porous silicon formation: A quantum wire effect // Appl. Phys. Lett. 1991. — V. 58, No. 8. — P. 856−859.
  11. Pickering C., Beale M. I. J., Robbins D. J., Pearson P. J., Greet R. Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degenerate and non-degenerate silicon //J. Phys. C: Sol. St. Phys.- 1984 V. 17, No. 10.- P. 6535−6552.
  12. Parkhutik V., Ibarra E. The role of hydrogen in the formation of porous structures in silicon // Mater. Sci. Engineer. B- 1999 V. 58, No. 1−2-P. 95−99.
  13. Theifi W. Optical properties of porous silicon // Surf. Sci. Rep 1997-V. 29.- P. 91−192.
  14. Pavesi L. Porous silicon microcavities //La Rivista del Nuovo Cimento. -1997. V. 20, Ser. 4, No. 10 — P. 1 — 76
  15. Lehmann V., Stengl R., Luigart A. On the morphology and the electrochemical formation mechanism of mesoporous silicon // Mat. Sci. Eng. B. 2000. — V. 69−70, — P. 11−22.
  16. Cullis A. G., Canham L. T. Light from silicon // Nature 1991- V.353-P. 335.
  17. Kiinzner N., Kovalev D., Diener J., Gross E., Timoshenko V.Yu., Polisski G., Koch F., Fujii M. Giant birefringence in anisotropically nanostructured silicon // Opt. Lett.- 2001. V. 26, No. 16 — P. 12 651 267.
  18. Golovan L. A., Ivanov D. A., Melnikov V. A., Timoshenko V. Yu., Zheltikov A. M., Kashkarov P. K., Petrov G. I., Yakovlev V. V. Form birefringence of oxidized porous silicon // Appl. Phys. Lett. 2006.- V. 88, No. 12, — P.241 113−1 — 241 113−3.
  19. Salonen J., Lehto V.-P., Laine E. Thermal oxidation of free-standing porous silicon films // Appl Phys. Lett.- 1997 V. 70, No. 5 .- P. 637−639.
  20. Unagami T. Oxidation of Porous Silicon and Properties of Its Oxide Film // Jpn. J. Appl. Phys 1980.- V. 19, No. 2 — P. 231−241.
  21. Yon J.J., Barla K., Herino R., Bomchil G. The kinetics and mechanism of oxide laye formation from porous silicon formed on p-Si substrates // J. Appl. Phys. 1987. — V. 62, No. 3. — P. 1042−1048.
  22. Nakamura M., Mochizuki Y., Usami K., Itoh Y., Nozaki T. Infrared absorption spectra and compositions of evaporated silicon oxides (SiOx) // Sol. St. Comm. 1984. — V. 50, No. 12. — P. 1079−1081.
  23. Sutherland R. L. Handbook on Nonlinear Optics. New York: Dekker, 1996. 685 p.
  24. Erne В. High quantum yield III-V photoanodes: PhD. thesis, University of Utrecht, Utrecht, the Netherlands, 1995. 156 p.
  25. Tjerkstra R. W., Gomez Rivas J., Vanmaekelbergh D., Kelly J. J. Porous GaP multilayers formed by electrochemical etching // Electrochemical and Solid-State Letters.- 2002.- V. 5, No. 5.- P. G32-G37.
  26. Bret B. P. J. Multiple light scattering in porous gallium phosphide: PhD. thesis, University of Twente, Enschede, the Netherlands, 2005 144 p.
  27. А. И., Караванский В. А., Образцов A. H., Тимошенко В. Ю. Интенсивная фотолюминесценция в пористом фосфиде галлия // Письма в ЖЭТФ 1994.- Т. 60, вып.4 — С.262−266.
  28. А. В., Кашкаров П. К., Образцов А. Н., Тимошенко В. Ю. Электрохимическое формирование и оптические свойства пористого фосфида галлия // ФТП 1996 — Т. 30, вып. 8 — С.1473−1478.
  29. I. М., Kravetsky I. V., Monecke J., Cordts W., Marowsky G., Hartnagel H. L. Semiconductor sieves as nonlinear optical materials // Appl. Phys. Lett. 2000. — V. 77, No. 15, — P. 2415−2417.
  30. Saito M., Miyagi M. Anisotropic optical loss and birefringence of anodized alumina film // JOSA A.- 1989.- V. 6, No. 12, P. 1895−1901.
  31. Masuda H., Yada К., Osaka A. Self-ordering of cell configuration of anodic porous alumina with large-size pores in phosphoric acid solution // Jpn. J. Appl. Phys.- 1998.- V. 37, No. 11A P. L1340-L1342
  32. Jessensky O., Miiller F., Gosele U. Self-organized formation of hexagonal pore arrays in anodic alumina // Appl. Phys. Lett.- 1998.- V. 72, No. 10.- P. 1173−1175.
  33. De Laet J., Terryn H., Vereecken J. Development of an optical model for steady state porous films on aluminium formed in phosphoric acid // Thin solid films 1998.- V. 320.- P. 241−252.
  34. Yasui K., Nishio K., Nunokawa H., Masuda H. Ideally ordered anodic porous alumina with sub-50 nm hole intervals based on imprinting using metal molds //J. Vac. Sci. Tech. В.- 2005.- V. 23, No. 4.- P. L9 L12.
  35. Sakoda K. Optical Properties of Photonic Crystals. Berlin Heidelberg: Springer, 2001. — 226 p.
  36. Yablonovitch E. Inhibited Spontaneous Emission in Solid-State Physics and Electronics // Phys. Rev. Lett.- 1987.- V. 58, no. 20 .- P. 2059−2062.-i
  37. John S. Strong localization of photons in certain disordered dielectric superlattices // Phys. Rev. Lett .- 1987 .- V. 58, No. 23 .- P. 2486 -2489.
  38. С.В. Фотонные кристаллы / в А. В. Фёдоров (ред.) Оптика наноструктур. СПб.: Недра, 2005. С. 1−48.
  39. Masuda Н., Ohya М., Ason Н. Nakao М., Nohtomi М., Tamamura Т. Photonic crystal using anodic porous alumina // Jpn. J. Appl. Phys.-1999- V. 38, No. 12 P. L1403-L1405.
  40. Masuda H., Ohya M., Ason H., Nishio K. Photonic band gap in naturally occurring ordered anodic porous alumina // Jpn. J. Appl. Phys.- 2001.-V. 40, No. 11B.- P. L1217-L1219.
  41. Mikulskas I., Juodkazis S., Jagminas A., Meskinis S., Dumas J. D., Vaitkus J., Tomasiunas R. Aluminium oxide film for 2D photonic structure: room temperature formation // Opt. Mat 2001 — V. 17- P. 343 — 346.
  42. Vincent G. Optical properties of porous silicon superlattices // Appl. Phys. Lett 1994.- V. 64, No. 18, — P.2367−2369.
  43. Setzu S., Solsona P., Letant S., Romestain R., Vial J.C. Microcavity effect on dye impregnated porous silicon samples // Eur. Phys. J. Applied Physics.- 1999.- V. 7 .- P. 59−63.
  44. Pavesi L., Panzarini G., Andreani L.C. All-porous silicon-coupled microcavities: experiment versus theory // Phys. Rev. В.- 1998.- V. 58, No. 23.- P. 15 794−15 800.
  45. Reece P.J., Lerondel G., Zheng W.H., Gal M. Optical microcavities with subnanometer linewidth based on porous silicon // Appl. Phys. Lett. -2002 V. 81, No. 26.- P. 4895−4897
  46. Zangooie S., Janson R., Arwin H. Reversible and irreversible control of optical properties of porous silicon superlattices by thermal oxidation, vapor adsorption, and liquid penetration //J. Vac. Sei. Technol. A-1998.- V. 16 P. 2901−2912.
  47. Canham L., Stewart M. P., Buriak J.M., Reeves C.L., Anderson M., Squire E. K., Allcock P., Snow P.A. Derivatized porous silicon mirrors: implantable optical components with slow resorbability // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000 V. 182 — P. 521−525.
  48. Chan S., Fauchet P. M., Li Y., Rothberg L. J., Miller B. L. Porous silicon microcavities for biosensing applications // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000-V. 182.- P. 541−546.
  49. Mattei G., Alieva E.V., Petrov J.E., Yakovlev V.A. Enchancement of adsorbate vibration due to interaction with microcavity mode in porous silicon superlattice // Surf. Sei 1999.- V. 427−428.- P. 235−238.
  50. Kuzik L. A., Yakovlev V. A., Mattei G. Raman scattering enhancement in porous silicon microcavity // Appl. Phys. Lett 1999- V. 75, No. 13-P. 1830−1832.
  51. Saarinen J. J., Weiss S. M., Fauchet P. M., Sipe J. E. Optical sensor based on resonant porous silicon structures // Optics Express. 2005. — V. 13, No. 10. — P. 3754−3764.
  52. Guillermain E., Lysenko V., Orobtchouk R., Benyattou T., Roux S., Pillonnet A., Perriat P. Bragg surface wave device based on porous silicon and its application for sensing // Appl. Phys. Lett. 2007. — V. 90, No. 24. — P. 241 116−1 — 241 116−3.
  53. Lerondel G., Romestain R., Vial J. C., Thonissen M. Porous silicon lateral superlattices // Appl. Phys. Lett. 1997 — V. 71, No. 2 — P. 196−198.
  54. Griming U., Lehmann V. Fabrication of 2-D infrared Photonic Crystals in macroporous silicon./ Ed. Soukoulis C. M. Photonic Band Gap Materials, Dordrecht: Kluwer, 1996.-P. 453−464.
  55. Schilling J., Muller F., Matthias S., Wehrspohn R. B., Gosele U., Busch K. Three-dimensional photonic crystals based on macroporous silicon withmodulated pore diameter // Appl. Phys. Lett 2001 — V. 78, No. 9 — P. 1180−1182.
  56. Matthias S., Muller F., Gosele U. Simple cubic three-dimensional photonic crystals based on macroporous silicon and anisotropic posttreatment //J. Appl. Phys.- 2005.- V. 98, No. 2. P. 23 524−1 — 23 524−1.
  57. Richter S., Hillebrand R., Jamois C., Zacharias M., Gosele U., Schweizer S. L., Periodically arranged point defects in two-dimensional photonic crystals // Phys. Rev. B. 2004. — V. 70, No. 19. — P. 193 302−1 — 193 302−4.
  58. Genereux F., Leonard S.W., van Driel H.M., Birner A., Gosele U. Large birefringence in two-dimensional silicon photonic crystals // Phys. Rev. B. 2001. — V. 63. — P. 161 101−1 — 161 101−4.
  59. В.А., Границына Л. С., Власова E.H., Волчек Б. З., Нащекин A.B., Ремешок А. Д., Астрова Е. В. Одномерный фотонный кристалл, полученный с помощью вертикального анизотропного травления кремния // ФТП. 2002. — Т. 36, вып. 8. — С. 996−1000.
  60. Е.В., Perova T.S., Толмачев В. А., Ремешок А.Д., Vij J., Moore А. Двулучепреломление инфракрасного света в искусственномкристалле, полученном с помощью анизотропного травления кремния // ФТП. 2003. — Т. 37, вып. 4, С. 417−421.
  61. Kendall D.L. Vertical etching of silicon at very high aspect ratios // Ann. Rev. Mater. Sei. 1979. — V. 9. — P. 373−403.
  62. Е.Ю., Тимошенко В. Ю., Головань JI.A., Кашкаров П. К., Астрова Е. В., Перова Т. С., Горшунов Б. П., Волков A.A. Инфракрасная и субмиллиметровая спектроскопия щелевых кремниевых структур. // ФТП. 2006. — Т. 40, вып. 7. — С. 855 — 860.
  63. M., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1970. 856 с.
  64. А., Юх. П. Оптические волны в кристаллах. М.: Наука, 1987. -616 с.
  65. Maxwell Garnett J.C. Colours in metal glasses and in metallic films // Phil. Trans. R. Soc. Lond.- 1904.- V. 203.- P. 385−420
  66. Bruggeman D. A. G. Berechnung verschiedener physikalisher Konstanten von heterogen Substanzen // Ann. Phys.(Leipzig).- 1935- V. 24-P. 634−664.
  67. Л. Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. М.: Физматлит, 2003.- 656 с.
  68. Looyenga Н. Dielectric constants of heterogeneous mixtures // Physica-1965.-V. 31.-P. 401−406.
  69. Bergman D. J. The dielectric constant of a composite material a problem in classical physics // Phys. Rep — 1978 — V. 43 — P.377.
  70. А.П. Электродинамика композитных материалов. М.: УРСС, 2001. -208 с.
  71. Венгер €. Ф., Гончаренко А. В., Дмитрук М. Л. Оптика малих части-нок i дисперсних середовищ. Кшв: Наукова думка.- 1999. -348 с.
  72. J. Б., Herman I. P. Use of hybrid phenomenological and statistical effective-medium theories of dielectric functions to model the infrared reflectance of porous SiC films // Phys. Rev. В.- 2000.-V. 61, No. 15.-P. 10 437 10 450.
  73. Ghiner A. V., Surdutovich G. I. Method of integral equations and an extinction theorem for two-dimensional problems in nonlinear optics // Phys. Rev. A.- 1994.- V. 50, No. l P. 714−723
  74. Kovalev D., Heckler H., Polisski G., Koch F. Optical Properties of Si Nanocrystals // Phys. Stat. Sol. (b).- 1999.- V. 215.- P. 871−932.
  75. Bisi O., Ossicini S., Pavesi L., Porous Silicon: a Quantum Sponge Structure for Silicon Based Optoelectronics // Surface Science Reports 2000 — V. 38, 1−126 .
  76. М.И., Возный B.JL, Резниченко В. Я., Гайворонский В. Я. Оптические свойства пористого кремния // ЖЭТФ.- 2001- Т.120, № 2(8).- С.409−413.
  77. JI.A., Константинова А. Ф., Имангазиева К. В., Крутко-ва Е.Ю., Тимошенко В. Ю., Кашкаров П. К. Дисперсия оптической анизотропии в пленках наноструктурированного кремния // Кристаллография 2004 — Т. 49, № 1- С. 174−178
  78. Kiinzner N., Diener J., Gross E., Kovalev D., Timoshenko V. Yu., Fujii M. Form birefringence of anisotropically nanostructured silicon // Phys. Rev. В .- 2005.- V. 71, No.19 P. 195 304−1 — 195 304−8.
  79. Kochergin V., Christophersen M., F511 H. Effective medium approach for calculations of optical anisotropy in porous materials // Appl. Phys. B.-2004 V. 79, P. 731−739.
  80. И. E. Основы теории электричества. М.: Физматлит, 2003. -616 с.
  81. Ч. Физика твердого тела. М.: Наука, 1990. 789 с.
  82. Meier М., Wokaun A. Enhanced fields on large metal particles: dynamic depolarization // Opt. Lett. 1983. — V. 8, No. 11. — P. 581−583.
  83. Wokaun A., Gordon J.P., Liao P.F. Radiation damping in surface-enhanced Raman scattering // Phys. Rev. Lett. 1982. — V. 48, No. 14. -P. 957−960.
  84. Martin O.J.F., Piller N.B. Electromagnetic scattering in polarizable backgrounds // Phys. Rev. E. 1998. — V. 58, No. 3. — P. 3909−3915.
  85. Draine B.T. The discrete-dipole approximation and its application to interstel- lar graphite grains // Astrophys. J. 1988. — V. 333. -P. 848−872.
  86. Soller В. J., Hall D. G. Dynamic modifications to the plasmon resonance of a metallic nanoparticle coupled to a planar waveguide: beyond the pointdipole limit // J. Opt. Soc. Am. B. 2002 .- 19, No.5 P. 1195−1203.
  87. Mallet P., Guerin C. A., Sentenac A. Maxwell-Garnett mixing rule in the presence of multiple scatttering: Derivation and accuracy // Phys. Rev.
  88. B. 2005. — V. 72, No. 1. — P. 14 205−1 — 14 205−9.
  89. Guerin C.A., Mallet P., Sentenac A. Effective-medium theory for finite-size aggregates // J. Opt. Soc. Am- 2006 V. 23, No. 2. — P. 349−358.
  90. С.В. Фотонные среды на основе нано и микроструктурированного кремния. Дисс.. канд. физ.-мат. наук. М.: МГУ, 2006. -122 с.
  91. Kozlov G., Volkov A.A. Coherent source submillimeter wave spectroscopy. / in G. Griiuner (Ed.). Millimeter and Submillimeter Wave Spectroscopy of Solids. Berlin: Springer, 1998 .- P. 51 -110.
  92. Дж. Теория электричества. М.:ГИТТЛ, 1947. 538 с.
  93. М. И. Об измерении дисперсии показателя преломления пористого кремния // Оптика и спектроскопия. 2002.- Т. 93, № 1 .С. 142
  94. Pastrnak J., Vedam К. Optical anisotropy of silicon single crystal // Phys. Rev. В .- 1971.- V. 3, No. 8.- P. 2567 2574.
  95. M.E., Салонен Я., Шабанов И. Ю. Аномальное двулучепре-ломление света в свободных пленках пористого кремния // ЖЭТФ.-2000.- Т. 117, № 2.- С. 368 374.
  96. О. Г., Фролова Е. К., Федорович Р. Д., Данько Д. Б. Двулуче-преломление пористого кремния // ФТТ. 2000. — Т. 42, вып. 7.1. C. 1205−1206.
  97. Kovalev D., Polisski G., Diener J., Heckler H., Kiinzner N., Timoshenko V. Yu., Koch F. Strong in-plane birefringence in nanostructured silicon // Appl. Phys. Lett.- 2001.- V. 78, — P. 916−918 .
  98. JI.П., Ефимова А. И., Осминкина Л. А., Головань Л. А., Тимошенко В. Ю., Кашкаров П. К. Исследование двулучепреломле-ния в слоях пористого кремния методом инфракрасной Фурье-спектроскопии. // ФТТ.- 2002.- Т. 44, вып. 5, — С. 780−784.
  99. Mihalcescu I., Lerondel G., Romestain R. Porous silicon anisotropy investigated by guided light // Thin Solid Films.- 1997- V. 297, No. 1−2-P. 245−249.
  100. E. M., Гречушников В. H., Дистлер Г. И. и др. Оптические материалы для инфракрасной техники, М.: Наука, 1965.- 332 с.
  101. D. Е., Studna A. A. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, and InSb from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. В.- 1983, — V. 27, No.2.- P. 985−1009.
  102. А.И., Круткова Е. Ю., Головань Л. А., Фоменко М. А., Кашкаров П. К., Тимошенко В. Ю. Двулучепреломление и анизотропия оптического поглощения в пористом кремнии // ЖЭТФ. 2007. — Т. 132, вып. 3, — С. 680−693.
  103. Головань J1.A., Кашкаров П. К., Тимошенко В. Ю., Желтиков A.M. Генерация оптических гармоник в наноструктурах пористых полупроводников // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия, — 2005 № 2 — С. 31−40.
  104. I. М., Kravetsky I. V., Langa S., Marowsky G., Monecke J., Foil H. Porous III—V compounds as nonlinear optical materials // Phys. Stat. Sol. (a).- 2003.- V. 197, No. 2.- P. 549 555
  105. Шен И.P. Принципы нелинейной оптики. М.: Наука, 1989 560 с.
  106. Diener J., Kiinzner N., Kovalev D., Gross E., Timoshenko V. Yu., Polisski G., Koch F. Dichroic Bragg reflectors based on birefringent porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 2001.- V. 78, No. 24.- P. 3887−3889.
  107. Golovan L. A., Kashkarov P. K., Syrchin M. S., Zheltikov A. M. One-Dimensional Porous-Silicon Photonic Band-Gap Structures with Tunable
  108. Reflection and Dispersion // Physica Status Solidi (a).- 2000.- V. 182.-P. 437−442.
  109. Kruger M., Hilbrich S., Thonissen M., Scheyen D., Thei? W., Luth H. Suppression of ageing effects in porous silicon interference filters // Opt. Comm-1998.- V. 146, No. 1.- P. 309 315.
  110. А. Распространение и рассеяние волн в случайно неоднородных средах. Т. 1- М: Мир, 1981 280 с.
  111. Anderson P. W. Absence of diffusion in certain random lattices // Phys. Rev.- 1958, — V. 109, No. 5. P. 1492−1505.
  112. Anderson P. W. The question of classical localization. A theory of white paint? // Philos. Mag.- 1985 V. 52.- P.505−511.
  113. Kramer В., MacKinnon A. Localization: theory and experiment. // Rep. Prog. Phys.- 1993.- V. 56.- P. 1469−1564.
  114. John S., Stephen M. J. Wave propagation and localization in a long-range correlated random potential. // Phys. Rev. В.- 1983 V. 28, No. 11. -P. 6358−6368.
  115. John S. Electromagnetic absorption in a disordered medium near a photon mobility edge. // Phys. Rev. Lett 1984 — V. 53, No. 22. — P. 2169−2172.
  116. Sheng P. Scattering and localization of classical waves in random mediaSingapore: World Scientific, 1990 660 p.
  117. Ioffe A. F., Regel A. R. Non-crysyalline, amorphous, and liquid electronic semiconductors // Progress in Semiconductors I960 — V. 4 — P. 237.
  118. B.O., Bennett H.E., Willardson R.W., Beer A.C. (eds.). Optical Properties of III-V Compounds. Semiconductors and Semimetals. V. 4-New York: Academic, 1 967 134. Sutherland R. Handbook on Nonlinear Optics. New York: Marcel Dekker, 1996, — 685 p.
  119. Р. М., Imhof A., Bret В. P. J., Gomez Rivas J., Lagendijk A. Time-resolved pulse propagation in a strongly scattering material // Phys. Rev. E 2003 — V. 68, No. 1.- P. 16 604−1 — 16 604−9
  120. Bergman J., Chemla D., Liao P., Glass A., Pinczuk A., Hart R., Olson D. Relationship between surface-enhanced Raman scattering and the dielectric properties of aggregated silver films // Opt. Lett.- 1981 .- V. 6, No. 1, P. 33−35.
  121. В.И., Коротеев Н. И. Эффект гигантского комбинационного рассеяния света молекулами, адсорбированными на вповерхности металла // УФН .- 1981 .- Т. 135, вып. 2 .- С. 345−360.
  122. Boyraz О., Jalali В. Demonstration of a silicon Raman laser // Opt. Express .- 2004 V. 12, No. 21 .- P. 5269−5273.
  123. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 456 с.
  124. Giordmaine J. A. Mixing of light beams in crystals // Phys. Rev. Lett. -1962. V. 8, No. 1. — P. 19−20.
  125. Maker P. D., Terhune P. W., Nisenoff M., Savage С. M. Effects of dispersion and focusingon the production of optical harmonics// Phys. Rev. Lett. -1962. -V. 8, No. 1. P. 21.
  126. Moss D.J., van Driel H.M., Sipe J.E. Dispersion in the anisotropy of optical third-harmonic generation in silicon // Opt. Lett.- 1989.- V. 14, No. 1- P. 57−59.
  127. С. В., Коноров С. О., Головань JI. А., Федотов А. Б., Желти-ков А. М., Тимошенко В. Ю., Кашкаров П. К., Чжан X. Синхронная генерация третьей гармоники в анизотропно наноструктурированном кремнии// ЖЭТФ.- 2004.- Т. 126, вып. 1(7).- С. 36−46.
  128. S.V., Konorov S. О., Golovan L.A., Fedotov А. В., Timoshenko V.Yu., Zheltikov A.M., Kashkarov P.K. Modification of cubic susceptibility tensor in birefringent porous silicon // Phys. Stat. Sol. (a) .- 2005.- V. 202, No. 8.- P. 1673−1677.
  129. Дж. Нелинейные оптические параметрические процессы в жидкостях и газах.- М.: Мир, 1987. 512 с.
  130. Hui P.M., Stroud D. Theory of second harmonic generation in composites of nonlinear dielectrics // J. Appl. Phys.- 1997.- V. 82, No. 10.- P. 47 404 743.
  131. Hui P.M., Cheung P., Stroud D. Theory of third harmonic generation in random composites of nonlinear dielectrics //J. Appl. Phys 1998.- V. 84, No. 7.- P. 3451−3458.
  132. Haus J.W., Inguva R., Bowden C.M. Effective-medium theory of nonlinear ellipsoidal composites // Phys. Rev. A 1989 — V. 40, No. 10 — P. 57 295 734.
  133. Sipe J.E., Boyd R.W. Nonlinear susceptibility of composite optical materials in Maxwell Garnet model // Phys. Rev. A 1992 — V. 46, № 3.- P. 1614−1629.
  134. Boyd R.W., Gehr J.E., Fisher G.L., Sipe J.E. Nonlinear optical properties of nanocomposite materials // Pure Appl. Opt.- 1996.- V. 5.- P. 505−512.
  135. H. Нелинейная оптика. M., Мир 1966.- 424 с.
  136. Bedeaux D., Bloembergen N. On the relation between macroscopic and microscopic nonlinear susceptibilities // Physica.- 1973.- V. 69.- P. 5766.
  137. Boyd R. W. Nonlinear optics. San Diego., Academic Press 2003 — 578 p.
  138. Gehr R.J., Fischer G.L., Boyd R.W., Sipe J.E. Nonlinear optical response of layered composite materials // Phys. Rev. A 1996 — V. 53, No. 4. -P. 2792−2798.
  139. Gehr R.J., Fischer G.L., Boyd R.W. Nonlinear-optical response of porous-glass-based composite materials //J. Opt. Soc. Am. В.- 1997 V. 14, No. 9 — P. 2310−2314.
  140. Fischer G.L., Boyd R.W., Gehr R.J., Jenekhe S.A., Osaheni J.A., Sipe J.E., Weller-Brophy L.A. Enhanced nonlinear optical response of composite materials // Phys. Rev. Lett.- 1995 V. 74, No. 10.- P. 18 711 874.
  141. Bloembergen N., Chang R.K., Jha S.S., Lee G.H. Optical second-harmonic generation in reflection from media with inversion symmetry // Phys. Rev.- 1968.- V. 174, No. 3.- P. 813−822.
  142. O.A., Баранова И. М., Ильинский Ю. А. Вклад поверхности в генерацию отраженной второй гармоники для центросимметрич-ных полупроводников // ЖЭТФ.- 1986.- Т. 91, № 1(7).- С. 287−290.j
  143. Tom H.W.K., Heinz T.F., Shen Y.R. Second-harmonic reflection from silicon surfaces and its relation to structural symmetry // Phys. Rev. Lett. 1983.- V. 51, No. 21 — P. 1983−1986
  144. Sipe J.E., Moss D.J., van Driel H. M. Phenomenological theory of optical second- and third-harmonic generation from cubic centrocymmetric crystals // Phys. Rev. В.- 1987, — V. 35, No. 3.- P. 1129−1141.
  145. Sipe J.E., Mizrahi V., Stegeman G.I. Fundamental difficulties in the use of second-harmonic generation as a strictly surface probe // Phys. Rev. B. 1987.- V. 35, No. 17.- P. 9091−9094.
  146. Bloembergen N., Burns W.K., Matsuoka M. Reflected third harmonic generated by picosecond laser pulses // Opt. Comm. 1969 V. 1, No. 4 .P. 195−198.
  147. Ю.И., Шаскольская М. П. Основы кристаллофизики. М, Наука, 1979. -640 с.
  148. Fiore A., Berger V., Rosencher Е., Bravetti P., Nagle J. Phase matching using an isotropic nonlinear optical material // Nature.- 1998.- V. 391.-P. 463−465.
  149. Zheltikov A.M. Nanocrystal materials with modified symmetry // Laser Physics 2001- V. 11, No. 9.- P. 1024−1028.
  150. Kanemitsu Y., Okamoto S., Mito A. Third-order nonlinear optical susceptibility and photoluminescence in porous silicon // Phys. Rev. B. -1995. V. 52, No. 15. — P. 10 752 — 10 755.
  151. J., Jiang H.B., Wang W.C., Zheng J.B., Zhang F.L., Нао P.H., Hou X.Y., Wang X. Efficient infrared-upconversion luminescence in porous silicon: A quantum-confinement-induced effect // Phys. Rev. Lett. -1992. V. 69, No. 22 .- P. 3252 — 3255.
  152. JI.А., Гончаров А. А., Тимошенко В. Ю., Шкуринов А. П., Кашкаров П. К., Коротеев Н. И. Обнаружение двухступенчатого процесса возбуждения фотолюминесценции в кремниевых наноструктурах // Письма в ЖЭТФ. 1998. — Т. 68, вып. 10. — С. 732−736.
  153. B.C., Караванский В. А., Климов В. И., Маслов А. П. Эффект размерного квантования и сильные оптические нелинейности в пористом кремнии // Письма в ЖЭТФ. 1993. — Т. 57, № 7. — С. 394 397.
  154. Klimov V.I., Dneprovskii V.S., Karavanskii V.A. Nonlinear-transmission spectra of porous silicon: manifestation of size quantization // Appl. Phys. Lett. 1994. — V. 64, No. 20. — P. 2691−2693.
  155. Klimov V.I., McBranch D., Karavanskii V.A. Strong optical nonlinearities in porous silicon: Femtosecond nonlinear transmission study // Phys. Rev.
  156. B. 1995. — V. 52, No. 24. — P. R16989-R16992.
  157. А.Л., Караванский В. А., Коваленко С. А., Меркулова С. П., Лозовик Ю. А. Наблюдение когерентных фононных колебаний в пленках пористого кремния // Письма в ЖЭТФ. 2000. — Т. 71, № 7.1. C. 430−436.
  158. Maly P., Trojanek F., J. Valenta, V. Kohlova, S. Banas, M. Vacha, F. Adamec, J. Dian, J. Hala, I. Pelant. Luminescence and nonlinear optical properties of porous silcon // J. Lumin. 1994. — V. 60−61. — P. 441−444.
  159. Matsumoto Т., Daimon M., Mimura H., Kanemitsu Y., Koshida N. Optically induced absorption in porous silicon and its application to logic gates // J. Electrochem. Soc.- 1995 V. 142, № 10 .- P. 3528−3523.
  160. Diener J., Shen Y.R., Kovalev D.I., Polisski G., Koch F. Two-photon-excited photoluminescence from porous silicon // Phys. Rev. B. 1998. -V. 58, No. 19 .- P. 12 629−12 632.
  161. Henari F.Z., Morgenstern K., Blau W.J., Karavanskii V.A., Dneprovskii V.S. Third-order optical nonlinearity and all-optical switching in porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1995 .- V. 67, № 3 P. 323−325.
  162. Liu H., Fonseca L.F., Weisz S.Z., Jia W., Resto 0. Observation of picosecond nonlinear optical response from porous silicon //J. Lumin.-1999 V. 83−84 .- P. 37−42.
  163. Lettieri S., Fiore 0., Maddalena P., Ninno D., Di Francia G., La Ferrara V. Nonlinear optical refraction of free-standing porous silicon layers // Opt. Comm.- 1999 .- V. 168 P. 383−391.
  164. Lettieri S., Maddalena P. Nonresonant Kerr effect in microporous silicon: Nonbulk dispersive behavior of below band gap //J. Appl. Phys-2002 .- V. 91, No. 9 .- P. 5564−5570.
  165. JI.A., Зотеев А. В., Кашкаров П. К., Тимошенко В. Ю. Исследование пористого кремния методами комбинационного рассеяния света и генерации второй гармоники // Письма ЖТФ 1994 .- Т. 20, № 8. С. 66−69.
  166. Aktsipetrov О.А., Melnikov A.V., Moiseev Yu.N., Murzina T.V., van Hasselt C.W., Rasing Th., Rikken G. Second harmonic generationand atomic-force microscopy studies of porous silicon // Appl Phys. Lett.-1995.- V. 67, № 9.- P. 1191−1193.
  167. Cavanagh М., Power J.R., McGilp J.F., Munder Н., Berger M.G. Optical second-harmonic generation studies of the structure of porous silicon surfaces // Thin Solid Films.- 1995.- V. 225.- P. 146−148.
  168. Brudny V., Mendoza B.S., Mochan W.L. Second-harmonic generation from spherical particles // Phys. Rev. В.- 2000.- V. 62, No. 16. P. 1 115 211 162.
  169. Makeev E.V., Skipetrov S.E. Second-harmonic generation in suspension of spherical particles // Opt. Comm.- 2003 V. 224.- P. 139−147.
  170. Moss D. J., van Driel H. M., Sipe J. E. Third harmonic generation as a structural diagnostic of ion-implanted amorphous and crystalline silicon // Appl. Phys. Lett 1986.- V. 48, No. 17.- P. 1150−1152.
  171. Wang C.C., Bomback J., Donlon W.T., Huo C.R., James J.V. Optical third-harmonic generation in reflection from crystalline and amorphous samples of silicon // Phys. Rev. Lett.- 1986.- V. 57, No. 13 P. 16 471 650.
  172. Yakovlev V.V., Govorkov S.V. Diagnostics of surface layer disordering using optical third harmonic generation of a circular polarized light // Appl. Phys. Lett.- 2001.- V. 79, No. 25.- P. 4136−4138.
  173. Zabotnov S.V., Konorov S.O., Golovan L.A., Fedotov A.B., Timoshenko V.Yu., Zheltikov A.M., Kashkarov P.K. Modification of cubic susceptibility tensor in birefringent porous silicon // Phys. Stat. Sol. (a) 2005.- V. 202, No. 8.- P. 1673−1677.
  174. Vinogradov A.P., Merzlikin A.M. Band theory of light localization in one-dimensional disordered system // Phys. Rev. E- 2004 V. 70, No. 2.-P. 26 610−1 — 26 610−4.
  175. Bloembergen N., Sievers A. Nonlinear optical properties of periodic laminar structures // Appl. Phys. Lett.- 1971-V. 17, No. 11- P. 483−485.
  176. Bertolotti M. Wave interactions in photonic band structures: An overview // Journal of Optics A: Pure and Applied Optics. 2006. -V. 8, No. 4. — P. S9-S32.
  177. Armstrong J.A., Bloembergen N., Ducuing J., Pershan P. S. Interactions between Light Waves in a Nonlinear Dielectric // Phys. Rev.- 1962.- V. 127, No. 6.- P. 1918−1939.
  178. Е.Ю., Чиркин A.C. Стохастический квазисинхронизм в нелинейно-оптических кристаллах с нерегулярной доменной структурой // Квант, электр-2004 Т. 34, № 3.- С. 227−232.
  179. Skipetrov S.E. Disorder is the new order // Nature- 2004 V. 432-P. 285−286.
  180. A.B., Андреева O.A., Балакин A.B., Буше Д., Масселин П., Ожередов И. А., Прудников И. Р., Шкуринов А. П. О механизмах генерации второй гармоникив одномерных периодических средах // Квант, электроника. 1999 — Т. 28, No. 7 — С. 75−80.
  181. Т.В., Майдыковский А. И., Мартемьянов М. Г., Федянин А. А., Акципетров О. А. Гигантская третья гармоника в фотонных кристаллах и микрорезонаторах на основе пористого кремния // Письма в ЖЭТФ 2002 — Т. 75, вып. 1.- С. 17−21.
  182. Coffinet J. P., DeMartini F. Coherent excitattion of polaritons in gallium phosphide // Phys. Rev. Lett.- V. 22, No. 2.- P. 60−64.
  183. Tiginyanu I. M., Kravetsky I. V., Marowsky G., Hartnagel H. L. Efficient optical second harmonic generation in porous membranes of GaP // Phys. Stat. Sol. (a).- 1999.- V. 175. R5-R6.
  184. Reid M., Cravetchi I. V., Fedosejevs R., Tiginyanu I.M., Sirbu L., Boyd R. W. Enhanced terahertz emission from porous InP (111) membranes // Appl. Phys. Lett.- 2005.-V. 86, No. 2 P. 21 904−1 — 21 904−3.
  185. Reid M., Cravetchi I., Fedosejevs R., Tiginyanu I.M., Sirbu L., Boyd R. W. Enhanced nonlinear optical response of InP (100) membranes // Phys. Rev. В.- 2005, — 71, No.8.- P. 81 306−1 81 306−4.
  186. Hayashi S., Kanamori H. Raman scattering from the surface phonon mode in GaP microcrystals // Phys. Rev. В.- 1982.- V. 26, No. 12.- P. 70 797 082.
  187. Tiginyanu I.M., Irmer G., Monecke J., Hartnagel H.L. Micro-Raman-scattering study of surface-related phonon modes in porous GaP // Phys. Rev. В.- 1997.- V. 55, No. 11- P. 6739−6742.
  188. А. И., Караванский В. А., Образцов A. H., Тимошенко В. Ю. Интенсивная фотолюминесценция в пористом фосфиде галлия // Письма в ЖЭТФ.- 1994.- Т. 60, вып. 4 С. 262−266.
  189. В. В., Дравин В. А., Мельник Н. Н., Заварицкая Т. В., Лой-ко Н.Н., Караванский В. А., Константинова Е. А., Тимошенко В. Ю. Ионная имплантация пористого фосфида галлия // ФТП.- 1998.Т. 32, № 8. С. 990−994.
  190. Kurtz S. K., Perry Т. T. A powder technique for the evaluation of nonlinear optical materials //J. Appl. Phys. -1968 V. 39, No. 8.-P. 3798−3813.
  191. Adachi S. Optical dispersion relations for GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, Ala-GaixAs, and InixGaxAsyPiy // J. Appl. Phys 1989 -V.66, No. 12, — P. 6030−6040.
  192. Baudrier-Raybaut M., Ha’idar R., Kupecek P., Lemasson P., Rosencher E. Random quasi-phase-matching in bulk polycrystalline isotropic nonlinear materials // Nature.- 2004, — V. 432.- P. 374−375.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!