Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние природы полимерной матрицы, фоточувствительного генератора кислоты и физических факторов на литографические свойства химически усиленных фоторезистов

Диссертация: Влияние природы полимерной матрицы, фоточувствительного генератора кислоты и физических факторов на литографические свойства химически усиленных фоторезистов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Данная работа выполнена в соответствии с тематическими планами НИИ Химии Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского в рамках Аналитической ведомственной целевой программы «Развитие научного потенциала высшей школы» (per. номер 2.1.1/1473 и 2.1.1/12 613) и Федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России (2009;2013г.г.)» соглашение… Читать ещё >

Влияние природы полимерной матрицы, фоточувствительного генератора кислоты и физических факторов на литографические свойства химически усиленных фоторезистов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Общие представления о резистах
    • 1. 2. Историческое развитие микролитографии
      • 1. 2. 1. Развитие экспонирующего оборудования и полимерных резистов
    • 1. 3. Химически усиленные резисты
      • 1. 3. 1. Суть концепции химического усиления
      • 1. 3. 2. Фотогенератор кислоты как необходимый компонент химически усиленных резистов
    • 1. 4. Развитие химически усиленных резистов фенольного типа
      • 1. 4. 1. Механизмы реакций в резисте на основе поли (трет-бутоксикарбонилоксистирола)
      • 1. 4. 2. Модификация резистов фенольного типа путем сополимеризации
      • 1. 4. 3. Факторы, влияющие на растворение пленок химически усиленных резистов в водно-щелочном проявителе
    • 1. 5. Особенности формирования изображения в ЭУФ-литографии
      • 1. 5. 1. Механизм поглощения ЭУФ излучения и эффективность генерации кислоты
      • 1. 5. 2. Влияние полимерной матрицы на эффективность генерации кислоты
    • 1. 6. Проблемы формирования качественного изображения и способы их решения
      • 1. 6. 1. Проблема постэкспозиционной задержки
      • 1. 6. 2. Влияние строения полимерной матрицы на поглощение примесей основного характера
      • 1. 6. 3. Взаимозависимость в ряду «Разрешение — Чувствительность -Шероховатость»
      • 1. 6. 4. Влияние гидрофильно-гидрофобного баланса в системе полимер-проявитель на шероховатость
  • ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТ
    • 2. 1. Исходные вещества, очистка
    • 2. 2. Синтез и анализ сополимеров
    • 2. 3. Приготовление резистивных композиций, нанесение пленок, оценка толщины и поверхностных свойств
    • 2. 4. Спектрофотометрические и термогравиметрические исследования
  • ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
    • 3. 1. Влияние полимерной матрицы на литографические свойства химически усиленных резистов
      • 3. 1. 1. Резисты на основе трет-бутоксикарбонилоксистирола. Оптимизация условий проявления
      • 3. 1. 2. Модификация бинарного сополимера звеньями метакриловой кислоты
      • 3. 1. 3. Влияние условий постэкспозиционного прогревания на качество изображения
      • 3. 1. 4. Литографические характеристики резистов фенольного типа
    • 3. 2. Резисты на основе (мет)акрилатов
      • 3. 2. 1. Влияние химического строения полимерной матрицы и фотокатализатора на закономерности формирования изображения
      • 3. 2. 2. Влияние температуры постэкспозиционного прогревания на процесс химического усиления в метакрилатных системах
    • 3. 3. Исследование поверхностных свойств фоторезистов
    • 3. 4. Роль ФГК в резистивной композиции
      • 3. 4. 1. Ингибирующий эффект фотогенераторов кислоты
      • 3. 4. 2. Влияние ФГК на литографические характеристики резистов
      • 3. 4. 3. Эффективность гидролиза функциональных групп
    • 3. 5. Резисты для ЭУФ и электроно-лучевой литографии
  • ВЫВОДЫ

Сфера использования современных полимерных материалов довольно обширна. При этом на полимеры часто возлагаются ответственные задачи при изготовлении конструктивно сложных элементов различных приборов и устройств, используемых в стратегически важных областях. К одной из таких областей применения полимерных материалов относится микроэлектроника, без которой было бы немыслимо стремительное развитие нанотехнологий, ознаменовавших наступление XXI века.

Ключевую роль в микроэлектронике играет уникальная планарная технология изготовления интегральных микросхем (ИМС), которая базируется на методах литографии и применении резистивных материалов. Последние представляют собой полимерные пленки, нанесенные на полупроводниковую пластину, в которых с помощью того или иного вида излучения формируется рисунок будущей ИМС. Требования, предъявляемые к резистам по сочетанию высокой чувствительности, разрешающей способности, плазмостойкости и низкой шероховатости, с каждым новым уровнем генерации литографии все более ужесточаются. К этому следует добавить, что задача создания «идеального» резиста усложняется противоречивостью выше перечисленных свойств. Поэтому для продвижения микроэлектроники в область наноразмеров разработка резистивных материалов всегда будет актуальной задачей.

Одним из современных направлений научных исследований в этой области является создание полимерных резистов с химическим усилением.

РХУ), в которых формирование изображения происходит благодаря превращениям функциональных групп в присутствии фоточувствительного соединения. Однако накопленные к настоящему времени научные знания по этому направлению не ознаменовались созданием строгой количественной теории, поскольку ставили своей целью решение конкретных технологических задач. Поэтому каждое 7 исследование, посвященное изучению механизмов формирования фотолитографического изображения в резистивных композициях различного состава и строения имеет научную значимость. Необходимость в проведении системных научных исследований вызвана приближением возможностей литографического процесса к своему пределу, когда размер изображения становится соизмеримым с размерами макромолекул полимеров, и когда существенное влияние на его качество начинают оказывать даже такие тонкие взаимодействия, как водородные или Ван-дер-Ваальсовы связи. Поэтому обогащение имеющихся знаний новыми закономерностями физико-химических превращений в полимерной матрице, их диффузионных, кинетических и энергетических аспектов, влияния свойств, строения и состава полимерной матрицы на литографические характеристики резиста является тем фундаментом, на котором будет в дальнейшем строиться количественная теория создания фоторезистивных материалов с заданными свойствами.

Целью данной диссертационной работы является выявление закономерностей формирования изображения в резистах с химическим усилением, обусловленных влиянием таких параметров, как состав бинарных и тройных сополимеров фенольного и (мет)акрилатного ряда, используемых в качестве полимерной основы, тип и концентрация ониевых солей как фоточувствительных генераторов кислоты, условий прогревания и проявления.

Для достижения поставленной цели при выполнении работы решались следующие задачи:

1) Исследование влияния т/зет-бутоксикарбонильной, изоборнилильной, т/?ет-бутильной, этокситильной, а также дифенилметилсилильной и диметилфенилсилильной групп в функциональном звене полимерной цепи на эффективность химического превращения и протекание побочных реакций кислотно-каталитического гидролиза.

2) Изучение влияния температур постэкспозиционного прогревания (ПЭП) на протекание побочных реакций функциональных групп и ухудшение качества литографического изображения резиста с химическим усилением на основе бинарных и тройных сополимеров с метилметакрилатом и метакриловой кислотой.

3) Исследование влияния молекулярной массы бинарных сополимеров 4-гарет-бутоксикарбонилоксистирола (ТБОКС) с метилметакрилатом (ММА) в резисте с трифенилсульфоний трифлатом на тип и литографические характеристики изображения.

4) Исследование влияния строения следующих фоточувствительных солей:

8ЬРб.

С (СН3)3.

ФГК: 6974.

ФГК: 6990.

ФГК: ИОС-1, (ИОС-2).

СРзБО.

ФГК. ТФСТФ на эффективность превращения функциональных групп в модельной системе на основе сополимера ТБОКС-ММА.

Объектами исследования в данной работе являются резисты на основе бинарных и тройных сополимеров 4-трет-бутоксикарбонилоксистирола, 2-этоксиэтилметакрилата (ЭЭМА), изоборнилметакрилата (ИБМА) и изоборнилакрилата (ИБА), дифенилметилсилилметакрилата (ДФМСМ), диметилфенилсилил-метакрилата (ДМФСМ) и трет-бутилметакрилата (ТЕМА) с метилметакрилатом (ММА) и метакриловой кислотой (МАК) синтезированных методом традиционной радикальной термоинициированной сополимеризации в растворителе.

Методы исследования.

Для исследования синтезированных методом радикальной полимеризации сополимеров и резистивных композиций на их основе использовались такие физико-химические методы, как фотолитография, Фурье ИК-спектроскопия, УФ-спектроскопия, микроинтерферометрия, гель-проникающая хроматография, бесконтактное высокочастотное титрование и термогравиметрический анализ. Эффективность превращения функциональных групп оценивали по изменению краевого угла смачивания водой с использованием цифровых методов анализа изображения.

Научная новизна и практическая значимость работы.

В результате выполнения диссертационной работы впервые синтезированы и исследованы тройные сополимеры на основе функциональных (мет)акрилатов с метилметакрилатом и метакриловой кислотой. На их основе получен ряд новых резистивных композиций с химическим усилением и исследованы особенности формирования в них изображения и их литографические характеристики. Впервые на примере резистивной композиции сополимера ЭЭМА-ММА-МАК с сульфониевой солью, показано, что в резистивных системах на основе сополимеров характеризующихся низкой энергией активации реакции деблокирования, возможно формирование как позитивного, так и негативного изображения при проявлении в одном и том же водно-основном проявителе. Доказано, что инверсия изображения, приводящая к ухудшению литографического изображения, вызвана протеканием ряда побочных реакций каталитического кислотного гидролиза лабильной группы.

10 функционального звена полимерной основы резиста при повышенных температурах ПЭП. Впервые на примере бинарного сополимера ТБОКС-ММА показано, что инверсии изображения имеет место и в системах, не содержащих полярных карбоксильных групп, как считалось ранее. На этом же резисте впервые установлено, что переход от позитивного к негативному изображению не происходит, если среднечисловая молекулярная масса сополимера Мп < 12 000.

Практическая значимость работы состоит в создании перспективной резистивной композиции на основе тер-сополимера ИБА-ММА-МАК в сочетании с 8 мас.% ФГК: ТФСТФ, которая показала чрезвычайно высокие характеристики по чувствительности и контрасту как и в электроно-лучевой, так и в ЭУФ литографии: D = 1.6 мкКл/см, у = 11.5 и D = 5 мДж/см2, у = 9.7, соответственно, что отвечает требованиям современной нанолитографии и несомненно подчеркивает практическую значимость проведенных исследований.

На защиту выносятся следующие положения:

— зависимость литографических свойств химически усиленных фоторезистов от состава и строения полимерной матрицы и природы фоточувствительной соли и их взаимодействия между собой;

— формирование негативного изображения в водно-основном проявителе вместо позитивного как результат влияния молекулярной массы и протекания побочных реакций при кислотном гидролизе полимерной матрицы в условиях высоких температур постэкспозиционного прогревания.

Апробация работы и публикации.

По материалам диссертации опубликовано 4 статьи в рецензируемых журналах, одна принята к печати (Булгакова С. А, Джонс М. М., Пестов.

А.Е., Торопов М. Н., Чхало Н. И., Гусев С. А.,. Скороходов Е. В, Салащенко.

H.H. Химически усиленные резисты для литографии высокого разрешения «Микроэлектроника». 2013. № 2) и опубликовано 11 тезисов докладов на.

11 конференциях различного уровня. На большинстве конференций результаты проведенных исследований были представлены в виде устных докладов и стендовых сообщений, в том числе на IX-ой и ХП-ой Нижегородская сессии молодых ученых г. Нижнего Новгорода (2004 г. и 2009 г.), 1-ой и Н-ой Санкт-Петербургской конференции молодых ученых «Современные проблемы науки о полимерах» (2005 г. и 2006 г.), 24th Annual Meeting of the Polymer Processing Society (2008 г.), European polymer congress (2009 г.) и 5-ой Всероссийской Каргинской конференции «Полимеры — 2010» (2010 г.).

Данная работа выполнена в соответствии с тематическими планами НИИ Химии Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского в рамках Аналитической ведомственной целевой программы «Развитие научного потенциала высшей школы» (per. номер 2.1.1/1473 и 2.1.1/12 613) и Федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России (2009;2013г.г.)» соглашение № 14.В37.21.0799. По результатам работы автору были присуждены стипендия имени Академика Г. А. Разуваева (2011 и 2012 г. г.), а также именная стипендия Президента Российской Федерации (2011 и 2012 г. г.).

Личный вклад автора заключается в непосредственном участии на всех этапах работы — от постановки задачи, планирования и выполнения экспериментов до обсуждения и оформления результатов. Большая часть представленных в диссертации экспериментальных данных получена автором самостоятельно.

Объем и структура диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, выводов и списка цитируемой литературы (80 наименования). Работа изложена на 126 страницах машинописного текста, включая 17 таблиц, 65 рисунков. Работа соответствует пунктам 4., 6., 9. паспорта специальности 02.00.06 -высокомолекулярные соединения.

выводы.

1. Синтезированы и исследованы тройные сополимеры на основе функциональных (мет)акрилатов с метилметакрилатом и метакриловой кислотой. На их основе получен ряд новых резистивных композиций с химическим усилением.

2. Установлено, что на процесс формирования фотолитографического изображения и его качество оказывают существенное влияние состав полимерной матрицы химически усиленных резистов, строение функционального мономера и фоточувствительной соли, а также условия прогревания.

3. Впервые на примере резистивной композиции на основе сополимера ЭЭМА-ММА-МАК с сульфониевой солью, показано, что инверсия изображения в водно-основном проявителе в результате высоких температур постэкспозиционного прогревания происходит в системах, характеризующихся низкой энергией активации реакции деблокирования функциональных групп.

4. Впервые обнаружен эффект инверсии изображения для систем, не имеющих в своем составе карбоксильных групп (бинарный сополимер ТБОКС-ММА) и показано, что в основе его лежат побочные реакции автокаталитического гидролиза.

5. На примере системы ТБОКС-ММА с трифенилсульфонийтрифлатом выявлена связь эффекта обращения изображения с молекулярной массой сополимера и впервые показано, что независимо от температуры прогревания, перехода позитивного изображения в негативное не происходит, если среднечисловая молекулярная масса сополимера 12 000< Мп<50 000.

6. Установлено, что фотогенераторы кислоты являются активным компонентом резистивной композиции, вступающим во взаимодействие с полимерной матрицей, результатом чего является ингибирование растворимости пленок резистов. Показано, что повышение ингибирующей способности триарилсульфониевых солей в ряду ТФСТФ < 6974 < 6990 связано с уменьшением энергии взаимодействия соответствующего аниона с катионом:

СЖ3803- > 8ЬЖ6- > РГ6-).

Впервые показано, что чувствительность и контраст образцов возрастают в ряду, обратном ряду ингибирования.

7. Установлено, что с увеличением концентрации фотогенераторов кислоты чувствительность резистов повышается, и что наилучшей активностью в процессах химического усиления обладает трифенилсульфонитрифлат.

8. Разработана резистивная композиция на основе тер-сополимера ИБА-ММА-МАК с 8 мас.% трифенилсульфонийтрифлата (ТФСТФ), которая показала чрезвычайно высокие характеристики по чувствительности Б и контрасту у, как в электроннолучевой, так и в ЭУФ-литографии: Б = 1.6 мкКл/см2, у = 11.5 и Б = 5 мДж/см2, у = 9.7, соответственно, что отвечает требованиям современной нанолитографии.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ito Н. Rise of chemical amplification resists from laboratory curiosity to paradigm enabling Moore’s law // Proc. SPIE «Advances in Resist Materials and Processing Technology XXV». 2008. -V. 6923. -P. 1−15,
  2. O. // Liebigs Ann.Chem., 1944, — V. 556, p. — 65
  3. Dammel R. R. Diazonaphthoquinone-based resists // SPIE Optical Engineering, 1993, — Vol. TT 11, Bellingham, WA
  4. Grant B. D., Clecak N. J., Twieg R. J., and Willson C. G. Deep UV photoresists I. Meldrum’s diazo sensitizer // IEEE Transaction on Electron Devices. -1981. -V.28. -№.11. -P. 1300−1305,
  5. Willson C. G., Miller R. D., McKean D. R., and Pederson L. A. New Diazoketone Dissolution Inhibitors for Deep U. V. Photolithography // Proc. SPIE «Advances in Resist Technology and Processing IV», -1987. -V.771. -P.2−10,
  6. Sugiyama H., Ebata K., Mizushima A., and Nate K., Technical Papers of SPE Regional Technical Conference on Photopolymers, Society of Plastics Engineers, Brookfield, CT, 51, 1988,
  7. Reichmanis E., Wilkins C. W. Jr., and Chandross E. A. A novel approach to о nitrobenzyl photochemistry for resists // J. Vac. Sci. Technol., -1981. -V.19, -№ 4. -P.1338−1343,
  8. Ito H., Willson C. G., and Frechet J. M. J. Positive/negative mid UV resists with high thermal stability // Proc. SPIE «Advances in Resist Technology and Processing IV», -1987. -V.771. -P.24−31.
  9. Ito H., Willson C.G., Frechet J.M.J. New UV Resists with Negative or Positive Tone // Digest of Technical Papers of 1982, Symposium on VLSI Technology, 1982, — p. 86−87,
  10. Ito H., Willson C.G. Applications of Photoinitiators to the Design of Resists for Semiconductor Manufacturing // ACS Symposium Series 242, Polymers in Electronics, American Chemical Society, 1984, — p. 11−23,
  11. Ito H. Chemical Amplification Resists for Microlithography // Adv. Polym. Sci., 2005, — V. 172, — p. 37−245,
  12. Ito H., «Deep UV resist systems» in Radiation Curing in Polymer Science and Technology, Fouassier J. P. and Rabek J. F., eds., Elsevier, London, 1993, 237.
  13. Reichmanis E., Houlihan F. M., Nalamasu O., and Neenan T. X. Chemical Amplification Mechanisms for Microlithography // Chem. Mater. -1991. -V.3. -№ 3. -P. 394−407.
  14. MacDonald S. A., Willson C. G., and Frechet J.M. J. Chemical Amplification in High-Resolution Imaging Systems // Acc. Chem. Res. -1994. -V.27. -№ 6. -P. 151−158.
  15. Ito H. Functional Polymers for Microlithography: Chemically Amplified Imaging Systems in Desk Reference of Functional Polymers, R. Arshady, ed., American Chemical Society, Washington, D. C., 341, 1997.
  16. H. Ito Chemical Amplification Resists: Laboratory Curiosity to Paradigm // J. Photopolym. Sei. Technol. -2007. -V.20. -№ 3. -P. 319−332.
  17. Pappas S.P. Photogeneration of Acid: Part 6. Review of Basic Principles for Resist Imaging Applications // J. Imaging Technol. 1985. — V. 11. -№ 4. -P. 146−157.
  18. Dektar J.L., Hacker N.P. Triphenylsulfonium Salt Photochemistry. New Evidence for Triplet Excited State Reactions // J. Org. Chem., 1988, -V. 53, -p. 1833−1835
  19. Barclay G.G., Medeiros D.R., Sinta R.F. Thermal Stability of Sulfonate Ester Photoacid Generators in Phenolic Matrixes // Chem Mater, 1995, — V.7. -№ 7.-P. 1315−1324
  20. Crivello J.V. and Lam J.H.W. Diaryliodonium salts. A new class of photoinitiators for cationic polymerization. // Macromolecules. 1977, -V.10. -№ 6, -P.1307−1316.
  21. Johnson D. W., Egbe M. I., Chen C., Lin L., Liao Y., Bukasa N.C., Suzuki Y. Evaluation of Ter-system resist for 193 nm imaging // Proc SPIE «Advances in Resist Technology and Processing XIV». 1997, -V. 3049, — p. 997−1009.
  22. Allen R. D., Wallraff G. M., Hinsberg W. D., Simpson L. L. High performance acrylic polymers for chemically amplified photoresist applications //J. Vac. Sci. Technol. B. -1991. -V.9, -№ 6. -P.3357−3362.
  23. Ito H., Sherwood M. NMR analysis of chemically amplified resist films // Proc. SPIE «Advances in Resist Technology and Processing XVI» 1990. -V. 3678-P. 104−116.
  24. Булгакова C. A, Лопатин А. Я, Мазанова Л. М «Новые химически усиленные резисты на основе фенолсодержащих полимеров для DUV-литографии» // Поверхность. Рент-ген., синхротр. и нейтрон.исслед. -2005. -№ 5. -С.38−43.
  25. Holmes S., Levy R., Bergendahl A., Holland K., Maltabes J., Knight S., Norris K. C., and Poley D. Deep-ultraviolet lithography for 500-nm devices // Proc. SPIE «Optical/Laser Microlithography III», -1990. -V.1264, -P.61−71.
  26. Ito H., Alexander D.-F. and Breyta C. Dissolution Kinetics and FAG Interaction of Phenolic Resins in Chemically Amplified Resists // J. Photopolym. Sci. Technol. -1997. -V.10. -№ 3. -P. 39708.
  27. Kozawa T., Tagawa S., Cao H. B., Deng H., Leeson M.J. Acid distribution in chemically amplified extreme ultraviolet resist // J. Vac. Sci. Technol. B. 2007. -V. 25. -P. 2481−2485
  28. Mack C. A. Absorption and exposure in positive photoresist // Appl. Opt. -1988. -V.27.- 4913
  29. Fedynyshyn T. H., Russell B., G. and J. Roberts Polymer Matrix Effects on Acid Generation // Proc. of SPIE. «Advances in Resist Materials and Processing Technology XXV». -2008. -V. 6923. P. 1−12.
  30. Szmanda C. R., Kavanagh R., Bohland J., Cameron J., Trefonas P., and Blacksmith R. Simple method for measuring acid generation quantum efficiency at 193 nm // Proc. SPIE «Advances in Resist Technology and Processing XVI» -1999. -V. 3678. -P.157 166.
  31. Dentinger P., G. Cardinale, C. Henderson, A. Fisher and A. Ray-Chaudhuri Photoresist Film Thickness for Extreme Ultraviolet Lithography // Proc. SPIE «Emerging Lithographic Technologies IV». 2000. -V.3997. -P. 588−599.
  32. Hinsberg, W., MacDonald, S. A., Clecak, N. Airborne Contamination of a Chemically Amplified Resist. 2. Effect of Polymer Film Properties on Contamination Rate // Chem. Mater. 1993. — V. 5. — p. 348 — 356.
  33. Nalamasu O., Cheng M., Timko A. G., Pol V., Reichmanis E., and Thompson L. F. An overview of resist processing for deep-UV lithography // J. Photopolym. Sci. Technol. -1991. -V. 4. № 3. -P.299−318.
  34. Oikawa A., Santoh N., Miyata S., Hatakenaka Y., Tanaka H., and Nakagawa K. Effect of using a resin coating on KrF chemically amplified positive resists // Proc. SPIE «Advances in Resist Technology and Processing X». 1993. -V. 1925. -P.92−102.
  35. Roschert H., Przybilla K.-J., Spiess W., Wengenroth H., and Pawlowski
  36. G. Critical process parameters of an acetal-based deep-UV photoresist // Proc.122
  37. SPIE «Advances in Resist Technology and Processing IX». -1992. -V.1672. -P. 33−46.
  38. Kawai Y., Otaka A., Nakamura J., Tanaka A., and Matsuda T. Environmental Stability of a KrF Chemically Amplified Positive Resist with an Organic Base II J. Photopolym. Sei. Technol. -1995. -V.8. -№ 4. -P.535−542.
  39. Pawlowski G., Dammel R., Przybilla K.-J., Roschert H., and Spiess W. Novel photoacid generators: key components for the progress of chemically amplified photoresist systems // J. Photopolym. Sei. Technol. -1991. -V.4. -№ 3. -P.389−402.
  40. Huang W.-S., Kwong R., Katnani A., and Khojasteh M. Evaluation of a new environmentally stable positive tone chemically amplified deep-UV resist // Proc. SPIE «Advances in Resist Technology and Processing XI». -1994. -V.2195. P.37−47.
  41. Ito H., England W. P., Sooriyakumaran R., Clecak N. J., Breyta G., Hinsberg W. D., Lee H., and Yoon D. Y. Approach toward environmental stabilization of chemical amplification resists // J. Photopolym. Sei. Technol. -1993.-V.6. -№ 4. -P.547−562.
  42. Park, G. S. In Diffusion in Polymers- Crank, J., Park, G. S., Eds.- Academic Press: New York, 1968- Chapter 5.
  43. Rice B.J., Cao H., Chandhok M., Meagley R. Effect of Processing Parameters on Line Width Roughness // Proc. SPIE, Advances in Resist Technology and Processing XX. 2003. — V. 5039. — PP. 384 — 392.
  44. Watanabe M., Yabe S., Machida S., and Taguchi T. Study of Resist Pattern Roughness on 0.15mm KrF Lithography // J. Photopolym. Sei. Technol. 1999. — V. 12. — PP. 643 — 648
  45. Perkins F.K., Dobisz E.A., Marrian C.R. Determination of acid diffusion rate in a chemically amplified resist with scanning tunneling microscope lithography // J. Vac. Sci. Technol. B. 1993. -V. 11. -№ 6. — P. 2597−2603.
  46. Zhang P.L., Webber S., Mendenhall J., Byers J., Chao K. Diffusion of photoacid generators by laser scanning confocal microscopy // Proc SPIE, -1998.-V. 3333.-P. 794−805.
  47. Cho J.Y., Choi S. J., Choi Y. J., Kim H. L. and Kim. K. H. Explanation of LER using the Concept of Gel Layer in Chemically Amplified Photoresists // Proc. SPIE, «Advances in Resist Technology and Processing XXI». -2004. -V. 5376.-P. 782−789
  48. Cho J.Y., Choi S. J., Kim B.U., Park J. M., and Lee S. J. Gel Layer Model for Photoresist Development // Proc. SPIE, «Advances in Resist Technology and Processing XVII». 2000. -V. 3999. — P. 432 — 441
  49. Cho J.Y., Lee S.J. and Choi S.J. Gel Layer Model for Photoresist Development // J. Mater.Proc. Manufac. Sci. -1999. -V. 7. -P. 313−321.
  50. Choi S.-J. and Cho J.-Y. Quantitative Description of Phenolic Polymer Dissolution Using the Concept of Gel Layer // Proc. SPIE, «Advances in Resist Technology and ProcessingXVIII. «2001. -V. 4345. — P. 952−962.
  51. Cho J.Y. and Choi S.-J. Quantitative Description of Phenolic Polymer Dissolution Using the Concept of Gel Layer. 2. Base Cation Size Effect // Proc. SPIE. 2002. — V. 4690. — P. 912 — 920.
  52. Ю.Д. «Высокомолекулярные соединения: Учеб. для вузов» // Юрий Денисович Семчиков. Н. Новгород: Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского- М.: Издательский центр «Академия», 2003. — 368 с., с.118−122.
  53. Chai, C.L.L. Purification of laboratory chemicals / C.L.L. Chai, W.L.F. Armarego. Butterworth-Heinemann, 2003, 613 P.
  54. А., Проскауэр Э., Риддик Дж., Тупс Э. Органические растворители. Физические свойства и методы очистки / Под ред. Варшавского A.M. М.: Изд-во Иностр. лит., 1958.
  55. Ю. С. Физико-химические свойства высокомолекулярных соединений. / Липатов Ю. С., Киев: «Наукова Думка», 1971 г., 536с., -с.7−36.
  56. Khan F. L. A., Sivagurunathan P., Asghar J. FTIR study of hydrogen bonding interactions between alkyl esters and hexanol, p-cresol in carbon tetrachloride // Indian J. Pure Appl.Phys. 2008. -V. 46. — P. 12−19.
  57. Lee J. Y., Painter P. C., Coleman M. M. Hydrogen Bonding in Polymer Blends. 3. Blends Involving Polymers Containing Methacrylic Acid and Ethers Groups // Macromolecules. -1988. V.21. — P.346−354.
  58. C.A., Джонс M.M., Мазанова Л. М., Лопатин А. Я. Влияние строения фоточувствительного генератора кислоты на процесс химического усиления в резисте // Высокомолек. соед. 2006. — Сер.А.-Т.48. — № 3.- С. 440−446
  59. Manju М., Veeraiah М.К., Prasannakumar S., Made Gowda N. M, Sherigara B.S. Synthesis and Characterization of Copolymers of Methyl Methacrylate and 2-Ethoxyethyl Methacrylate // Am. J. Polym. Sci. -2012. -V.2. -№ 3. -P.22−27.
  60. Kim J.-B., Kim H. II Polymer. 1999. V. 40. № 14. P. 4055.
  61. Colwin E.W. Silicon Reagents in Organic Synthesis. London: Acad. Press, 1988.
  62. Olah G. A., Prakash G. K. S., Wang Q., Li X. Hydrogen fluoride-antimony^) fluoride / In Encyclopedia of Reagents for Organic Synthesis (Ed: L. Paquette), J. Wiley & Sons. New York, 2004
  63. Cammarata L., Kazarian S. G., Salter P. A. and Welton T. Molecular states of water in room temperature ionic liquids // Phys. Chem. Chem. Phys. -2001.-V.3-P. 5192−5200
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!