Управление ростом кристаллов и моделирование процессов тепломассопереноса для условий микрогравитации
Диссертация
Практическая значимость работы: состоит в том, что разработанный метод управления ростом кристаллов полупроводников в условиях ослабленной интенсивности термогравитационной конвекции (защищенный патентами № 2 199 614 и № 2 199 615), позволяет в наземных экспериментах моделировать конвективные процессы, характерные для условий микрогравитации. Это дает возможность на земле в условиях приближенных… Читать ещё >
Список литературы
- Освенский В.Б. Состояние и основные пути развития технологии получения совершенных монокристаллов полупроводников В сб. Фундаментальные проблемы Российской металлургии на пороге XXI века. Монография в 4-х томах, М., 1998 с. 152−183.
- III Всесоюзная конференция «Применение лазеров в народном хозяйстве», 1989 г, г. Шатура, тезисы докладов, 196 с.
- Мильвидский М.Г., Верезуб H.A., Картавых A.B., Копелиович Э. С., Простомолотов А. И., Раков В. В. Выращивание монокристаллов полупроводников в космосе: результаты, проблемы, перспективы. // Кристаллография. 1997. -Т.42, № 5. — С. 913−923.
- Мильвидский М.Г., Картавых A.B., Копелиович Э. С., Раков В. В. Монокристаллы «космической пробы». // Наука в России. — 1999. № 1. — С.4−10.
- Milvidskii M.G., Kartavykh A.V., Kopeliovich E.S., Rakov V.V., Verezub N.A., Prostomolotov A.I. Semiconductors on the Way to Space Technologies. // Journal of Journals 1998. — P.6−13.
- Zemskov V.S., Kubasov V.N., Belokurova L.N. et al. Multiple materials melting (germanium — silicon solid solutions). Part of Experiment MA-150 //
- Apollo Soyuz Test Project, Summary Science Report. Vol. 1. Washington. NASA. — 1977.-P.539−553.
- Земсков B.C., Раухман M.P. Ликвация компонентов в расплавах индий-сурьма-висмут под действием силы тяжести // Физика и химия обработки материалов. 1982. — № 4. С.35−39.
- Danilevsky A.H., Boschert St., Benz K.W. The effect of the orbital attitude on the ng-growth of InP crystals // Microgravity Science and Technology. International Journal for Microgravity Research and Applications. XJ2. — 1997. -P. 106−112.
- Gillies D.C., Lehoczky S.L., Szofran F.R. et al. Effect of residual acceleration during microgravity directional solidification of mercury cadmium telluride on the USMP-2 mission // Journal of Crystal Growth. 1997. — Vol.174. — P. 101 106.
- Иванов А.И., Земсков И. С., Кубасов B.H. и др. Плавление, кристаллизация и формообразование в невесомости. Эксперимент «Универсальная печь» по программе «Союз» «Аполлон». М.: Наука. -1979.-256с.
- Catos Н.С., Witt A.F., Lichtensteiger М., Hermann C.J. Interface marking in crystals. Experiment MA-060 // Apollo Soyuz Test Project, Summary Science Report. Vol.1. Washington. NASA. — 1977. — P.429−447.
- Авдуевский B.C., Бармин И. В., Гришин С. Д. и др. Проблемы космического производства. М.: Машиностроение. — 1980. — 221с.
- Гришин С.Д., Дубовский В. Б., Обыденников С. С., Савичев В. В. Исследование малых ускорений на борту орбитальной научной станции «Салют-6» // Технические эксперименты в невесомости. — Свердловск: УНЦ АН СССР. 1983. — С.6−14.
- Авдуевский B.C., Корольков А. В., Купцов B.C., Савичев В. В. Исследование тепловой гравитационной конвекции в переменном поле вектора малых ускорений // ПМТФ. 1987.- № 1. — С.54−59.
- Авдуевский B.C., Лиходед А. И., Савичев В. В., Дубовский В. Б., Обыденников С. С., Плещинский М. И. Пространственная эволюция вектора остаточных ускорений на борту космических аппаратов // Космические исследования -1988. Т. 26. Вып.4. — С.621- 625.
- Сазонов В.В., Беляев М. Ю., Ефимов Н. И. и др. Определение квазистатической компоненты микроускорения на станции «Мир» // Космические исследования. 2001. — Т.39, № 2. — С.136−147.
- Бабкин Е.В., Беляев М. Ю., Ефимов Н. И., Сазонов В. В. и др. Неуправляемое вращательное движение станции «Мир» // Космические исследования. 2001. — Т.39, № 1. — С.27−42.
- Сазонов В.В., Комаров М. М., Полежаев В. И. и др. Микроускорения на орбитальной станции «Мир» и оперативный анализ гравитационной чувствительности конвективных процессов тепло-массопереноса // Космические исследования. — 1999.— Т. 37, № 1. —С. 86−101.
- Модель верхней атмосферы для баллистических расчетов. ГОСТ 2 272 177. М., Изд-во стандартов. — 1978.
- Хеннан Э. Анализ временных рядов. М.: Наука. — 1964. — 153с.
- Теребиж В.Ю. Анализ временных рядов в астрофизике. М.: Наука.- 1992. -210с.
- Отнес Р., Эноксон JI. Прикладной анализ временных рядов. М.: Мир.-1982.-221с.
- Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава (Конвекция и неоднородности) — М.: Мир. — 1991. — 143с.
- Процессы реального кристаллообразования Под ред. Н. В. Белова. М.: Наука. — 1977.-326с.
- Лодиз М.Р., Паркер М. У. Рост кристаллов М.: Мир. — 1978. — 456с.
- Современная кристаллография в 4-х томах М.: Наука. — 1986. — 680с.
- Татарченко В.А. Устойчивый рост кристаллов М.: Наука. — 1988. — 240с.
- Ishida M., Katano К., Kanubata M. Total simulation model of high pressure liquid encapsulated Czochralski crystal growth // J. Crystal Growth. 1990. -Vol.99, 1, Pt.2. — P.707−712.
- Гришин В.П., Ремизов O.A., Казимиров И. И., Федулов Ю. П. Некоторые особенности гидродинамики при выращивании кристаллов кремния методом Чохральского Научные труды ГИРЕДМЕТа. — 1975. — С. 11−19.
- Polezhaev V.I. Hydrodynamics, heat and mass transfer during crystal growth // In: Crystal Growth, Properties and Applications, v. 10, Springer-Verlag. — 1984.-P. 248−259.
- Полежаев В.И., Простомолотов А. И. Исследование процессов гидродинамики и тепломассообмена при выращивании кристаллов методом Чохральского // Изв. АН СССР. Сер. МЖГ, № 1. 1981. — С.55−65.
- Бердников B.C., Полежаев В. И., Простомолотов А. И. Течение вязкой жидкости в цилиндрическом сосуде при вращении диска // Изв. АН СССР. Сер. МЖГ, 5. 1985. — С.33−40.
- Бунэ А. В. Теплообмен в печах для роста кристаллов из расплава. Глобальные численные модели // В кн. Численные методы в задачах тепломассообмена. ИМП РАН, М. 1997. — С.271−288.
- Мильвидский М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников М.: Металлургия. — 1984. — 256с.
- Мильвидский М.Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений М.: Металлургия. — 1974. — 356с.
- Нашельский А.Я. Монокристаллы полупроводников -М.: Металлургия. -1978.-199с.
- Пфанн В. Зонная плавка М.: Мир. — 1968. — 468с.
- Вигдорович В.Н., Вольпян А. Е., Курдюмов Г. М. Направленная кристаллизация и физико-химический анализ М., Химия. — 197. — 200с.
- Favier J. J, Wilson L.O. // J. of Crystal Growth. 1982. — Vol. 58. — P.103 -109.
- Полежаев В.И., Никитин C.A., Федюшкин А. И. Конвекция и распределение примеси в кристаллах при направленной кристаллизации в невесомости // В сб. Технологические эксперименты в невесомости. Свердловск. 1983. — с.124−140.
- Proceedings of the first NATO workshop on Computer Modeling in Crystal Growth from the Melt, Parma, Italy, 6−7 Apr. 1989 // J. of Crystal Growth. -1989.-Vol. 97, № 1.- P. 1−243.
- Гидромеханика и тепломассообмен при получении материалов / Под ред. Авдуевского B.C., Полежаева В. И. М.: Наука. — 1990. — 212с.
- Ma Bichun, Wang Yonghong, Xu Xiaolin, Sum Tianliang. Preliminary Approach to VMLEC Semi Insulating GaAs // Rare metals. — v. 11, 4 — 1992. — P.287−290.
- Sabhapathy P., Salcudean M.E. Numerical study of Czochralski growth of silicon in an axisymmetric magnetic field // J. of Crystal Growth. 1991. Vol. 113. —P.164−180.
- Scheel H.J. Striations: an intrinsic problem? // From: First Intern. School on Crystal Growth Technology. Beatenberg, Switzerland, Sept. 5−16, Book of Lecture Notes. 1998. — P.86−108.
- Lie K.H., Walker J.S., Riahi D.N. Melt motion in the float zone process with an axial magnetic field // J. of Crystal Growth. 1991. — Vol. 109. — P.167 -173.
- Kozutaka Terashima., Jokji Nishio., Shoichi Washizuka., Masayuki Watanabe. Magnetic field effect on residual impurity concentrations for LEC GaAs crystal growth // J. Crystal Growth. 1987. — Vol.84. — P.247−252.
- Series R.W., Hurle D.TJ. The use of magnetic fields in semiconductor crystal growth.//J. of Crystal Growth. 1991.-Vol.113.-P.305−328.
- Лебедев А.П., Полежаев В. И., Орса A.B. Гидродинамические процессы в методе Чохральского с плавающим тиглем Препринт № 369 ИПМ АН СССР, М. — 1989. — 52с.
- Нашельский А.Я., Гнилов С. В. Расчеты процессов выращивания легированных монокристаллов М.: Металлургия. — 1986. — 22с.
- Мильвидский М.Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений -М.: Металлургия. 1974. — 356с.
- Кравченко Л.Н. Цифровые интегральные микросхемы на арсениде галлия Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук. М. — 1989. — 72с.
- Мильвидский М.Г. Особенности дефектообразования в бездислокационных монокристаллах полупроводников // Изв. ВУЗов, «Материалы электронной техники» 1998. — № 3. — С. 4−12.
- Witt A., Gatos Н., Microscopic Rates of Growth in Single Crystals Pulled from the Melt: Indium Antimonide // J. of Electrochem. Soc. — 1981. P.70−75.
- Carlberg Т. Some aspects on the formation of striations during crystal growth from the melt // J. of Crystal Growth. 1987. — Vol. 85. — P.32−39.
- Lu Y.C., Shian J.J., Feigelson R.S., Route R.K. Effect of vibrational stirring on the quality of Bridgman grown CdTe // J. of Crystal Growth. — 1990. -Vol.102.-P.807−813.
- Alexander J. D., Amirondin S., Ouazzani J., Rozenberg F. Analysis of the low Bridgman Stockbarger crystal growth. Transient and periodic acceleration // J. of Crystal Growth. — 1991. — Vol.113. — P.21−28
- Alexiev D., Buteher K.S.A., Tansley T.L. Vibration stirring of a liquid phase Epitaxial GaAS melt // J. of Crystal Growth. 1992. — Vol.125. — P. 378 380.
- Caram R., Banan M., Wilcox W. Directional solidification of Pb-Gn eutectic with vibration // J. of Crystal Growth. 1991. — Vol.144. — P.249−254.
- Верезуб H.A., Жариков E.B., Мяльдун A.3., Нуцубидзе М. Н., Простомолотов А. И. Физическое моделирование низкочастотных вибрационных воздействий кристалла на течение и теплообмен в методе Чохральского Препринт ИМП РАП № 543. М. — 1995. — 68 с.
- Shyy Wei, Chen Ming-Hsiung. Interaction of thermocapillary and natural convection flows during solidification: normal and reduced gravity conditions // J. of Crystal Growth. 1991. — Vol.108. — P.247−261.
- Murray B.T., Coriell S.R., McFadden G.B. The effect of gravity modulation on solute convection during directional solidification // J. of Crystal Growth. 1991. — Vol. 110. — P.713 -723.
- Tillberg E., Carlberg T. Semi-confined Bridgman Growth of Germanium crystals in microgravity // J. of Crystal Growth. 1990. — Vol.99. — P. 12 651 272.
- Muller G. A comparative study of Crystal Growth Phenomena Under Reduced and Enhanced Gravity // J. of Crystal Growth. 1990. — Vol.99. -P.1241−1257.
- Witt A.F., Gatos H.C., Lichtensteiger M., Herman C.J. Crystal Growth and Segregation under Zero gravity: Ge // J. Electrochem. Soc. 1978. -Vol.ll — P.1852−1861.
- Chernov A.A. How does the flow within the boundary layer influence morphological stability of a vicinal face // J. of Crystal Growth. 1990. -Vol. 118.-P. 333−347.
- Braun R. J, Davis S.H. Oscillatory instabilities in rapid directional solidification: bifurcation theory // J. of Crystal Growth. 1991. — Vol.112. — P.670−690.
- Ginde Rajid M., Myerson Allan S. Cluster size estimation in binary supersaturated solutions // J. of Crystal Growth. 1992. — Vol.116. — P.41−47.
- Ramagopal Ananth, Gill W.N. Self-consistent theory of dendrite growth with convection // J. of Crystal Growth. 1991. — Vol.108. — P. 173−189.
- Tarabaev L.P., Mashikhin A.Yu., Esin V.O. Dendrites crystal growth in supercooled melt//J. of Crystal Growth. 1991. — Vol.114. — P. 603−612.
- Nobuyuki Kobayashi. Hydrodynamics in Czochralski growth computer analysis and experiments // J. of Crystal Growth. — 1981. — Vol.52. — P. 425 434.
- Coriell S.R. McFadden G.B. Buoyancy effects on morphological instability during directional solidification // J. of Crystal Growth. 1989. — Vol.94. -P. 513−521.
- Masatoshi Saiton, Akira Hirata. Numerical calculation of the two-dimentional unsteady solidification problem // J. of Crystal Growth. — 1991. -Vol.113. P.147−156.
- Tewari S.N., Chopra H.A. Break down of a planar liquid-solid interface during directional solidification- influence of convection // J. of Crystal Growth. — 1992. — Vol.118. -P.183−192.
- Lester H.J., Peric M. Numerical simulation of a 3-D Czochralski melt flow by a finite volume multigrid algoritm // J. of Crystal Growth. — 1992. -Vol.123. -P.567−574.
- Zhengyi Xu, Chogru Huo, Peiwen Ge, Zhenhe Zhu. Characteristics of Crystal Growth from Solution: sealing lows // J. of Crystal Growth. — 1994. — Vol.137. P.538−544.
- Brown R., Do Hyum Kim. Modeling of directional solidification: from School to detailed numerical simulation // J. of Crystal Growth. — 1991. -Vol.109.-P.50−65.
- Yen C.T., Tiller W.A. Dynamic oxygen concentration in silicon melts during Czochralski crystal growth. // J. of Crystal Growth. 1991. — Vol.113. -P.549−556.
- Basil N. Antar. Convective instabilities in the melt for solidification mercury cadmium telluride // J. of Crystal Growth. — 1991. — Vol.113. — P. 92−102.
- Seppo A., Korpela I., Chait A., Mattiessen D. Lateral or radial segregation in solidification of binary alloy with a waved liquid solid interface // J. of Crystal Growth. — 1994. — Vol.137. -P.623−632.
- Kaddeche S., Ben Hadid H., Henry D. Macrosegregation and convection in the horizontal Bridgman configuration // J. of Crystal Growth. — 1994. — Vol.135.-P.341−353.
- Дайковский А.Г., Полежаев В. И., Федосеев А. И. Численное моделирование переходного и турбулентного режимов конвекции на основе нестационарных уравнений Навье-Стокса Препринт ИПМ АН СССР. № 101.- 1978−56с.
- Грязнов B. JL, Полежаев В. И. Численное решение нестационарных уравнений Навье-Стокса для турбулентного режима естественной конвекции Препринт ИПМ АН СССР. № 81. — 1977. — 56с.
- Земсков B.C. Исследование кристаллов твердых растворов германий-кремний-сурьма, полученных в эксперименте «Универсальная печь» программы Союз — Аполлон. // Физика твердого тела. — 1978. — Т.21, № 4.-С. 979−1000.
- Бабский В.Г., Копачевский Н. Д., Мышкис А. Д. и др. Гидромеханика невесомости // Под общей редакцией Мышкиса А. Д. М.: Наука. — 1976. 540с.
- Полежаев В.И., Белло М. С., Верезуб Н. А. и др. Конвективные процессы в невесомости. М.: Наука. — 1991. — 240с.
- Полежаев В.И., Федюшкин Ф. И. Гидродинамические эффекты концентрационного расслоения в замкнутых объемах // Изв. АН СССР. Механика жидкости и газа. 1980. — № 3. — С.11−18.
- Дубовик К.Г., Никитин С. А., Полежаев В. И. и др. Конвективные процессы в невесомости и их значение в задачах космической технологии // Гидромеханика и тепломассообмен в невесомости. М.: Наука. 1982.-С.61−72.
- Бессонов О.А., Брайловская В. А., Полежаев В. И. Пространственные эффекты конвекции в расплавах: концентрационные неоднородности, возникновение несимметрии и колебания // Механика жидкости и газа. 1997. — № 3. — С.74−82.
- Земсков B.C., Белокурова И. Н., Хавжу Д. М. О распределении примеси в поперечном сечении кристаллов при направленной кристаллизации в невесомости // Физика и химия обработки материалов. — 1985. № 6. — С.75 — 80.
- Гершуни Г. З., Жуховицкий Е. М., Юрков Ю. С. О вибрационной тепловой конвекции в условиях невесомости // Гидромеханика и тепломассообмен в невесомости. М.: Наука. — 1982. — С.90−98.
- В.В.Сазонов, В. С. Юферев. Тепловая конвекция, вызванная квазистатической компонентой поля микроускорений орбитальной станции «Мир». // Механика жидкости и газа. 2000. — № 3. — С.39−45.
- Stahlin W., Wolfensbergrr R. Gadolinium gallium granat. Eigenschften Herstellung Verwendung // J. Chimia. 1978. — Vd 35, № 4. — P. 147−152.106. 7508: Отчет / НИЦЭВТ. № 854. — Москва, — 1976. — 63c.
- Brandle C.D. Czochralski growth of large oxide Crystals Crystal Growth // Journal Approach, north Holland Company. 1979. — P.189−215.
- Tocajuk M.C. Observation of helical dislocations in a GGG Crystal by an etching method//J. of Crystal Growth. 1976. — Vol.36. — P.189−215.
- Иванов И.А., Марков Т. И., Соловкина O.M. и др. Декорирование дислокаций в монокристаллах гадолиний галлиевого граната // Электронная техника, сер. Материалы. — 1982. — Вып.8(16а). — С. 12−13.
- Пасечник Г. Д. Оптимизация теплового поля при получении подложечных материалов для микросхем ЦМД // Вопросы электронной техники, сер. ЭВТ. 1983. — Вып. 5. — С. 101−107.
- Чернов А.А., Тавир Е. И., Багдасаров Х. С. и др. // Современная кристаллография. М.: Наука, 1980.- ТЗ. — С.405.
- Жариков В.Е., Кириков В. П., Лаптев В. В. и др. Получение бездефектных кристаллов ГГГ // М.13 ИЭМС, 1978. С.83−84.
- Plaskett T.S., Klokholm Е., Cronemeger D.S., Yin Р.С. Magnetic anisotropic in Pt-substituted E113 Fes O12 films // Appl. Physic. Lett. 1974. -Vol. 25. — P.357−360.
- Besser P.Y., Mel Y.E., Glass H.L., Heinz D.M. Substrate matching regiments for bubble domain formation in CVD garnet films // Magn. and Magn. Mater. 17- th AIP Ann Conf. Chicago. -111.- 1971. Part 1. — New-York. — 1972. — P. 125.
- Brandle C.D., Barns R.L. Crystal ctoichiometry of Czochralski growth rare-earth gallium garnets //J. of Crystal Growth. 1974. — Vol. 26. — P.169−173.
- Миль Б.В. Выращивание кристаллов гадолиний-галлиевого граната // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. 1969. — Т. 5. — С. 1604−1608.
- Белов К.П. Редкоземельные магнетики и их применение. М: Наука, 1980. -239 с.
- Allibert М., Chalillon С., Lissalde F. Etude du diagrammed de phase dans de systems Gd203 Ga203 // J. of Crystal Growth. — 1974. — Vol. 23. — P.289−293.
- Carruthers J.R., Kokta M., Barns R.L. Nonstochiometry and crystal growth of gadolinium gallium garnet // J. of Crystal Growth. 1973. — Vol. 19. -P.204−208.
- Чернов А.А., Гиваргизов Е. И., Багдасаров Х. С. и др. // В кн. Современная кристаллография. Образование кристаллов / М.: Наука, 1980.-Т.З.-С. 340−345.
- Brandle C.D., Valentino A.V. Czochralski growth of rare earth gallium garnets // J. of Crystal Growth. 1972. — Vol. 12. — P.3−8.
- Благородные металлы (Справочник) / Под ред. Е. М. Савицкого. М.: Металлургия. — 1984. — 592с.
- Mattheus J.W., Klokholm Е., Plaskett T.S. Dislocation in Gadolinium Gallium Garnet (GdsGasO^). Nature of prismatic loops and helical dislocations. — JBM // J. of Res. And Develop. — 1973. — Vol. 17. — P.426−432.
- Слухоцкий A.E. Применение токов высокой частоты в электротермии. -М.: Машиностроение. 1973. — 119с.
- Emerson A. Applications of Radiofrequens Heating // Semiconductor Products. 1961. -№ 10. -P.25−35.
- Черкасов H.M. Электрооборудование и автоматизация кристаллизационных установок. М.: Металлургия. — 1974. — 148с.
- Mills A.D., Linares R.S. Growth of ZnO Sb205 — spinel crystal // J. Acta Crystalog. — 1962. — Vol. 15, № 10. — P. 1048−1052.
- Whiffin P.A., Brice J.C. The suppression of thermal oscillations in Czochralski growth // J. of Crystal Growth. 1971. — Vol. 10. — P.91−96.
- Brandle C.D. Growth 3 (diameter Gd3Ga5Oi2 crystal // of rare earth gallium garnets // J. Appl. Phys. 1978. — Vol. 49. — P. 1855−1858.
- Belt R., Moss Ih., Latove J. X-ray perfection and residual defects in Gadolinium Gallium substrates // Mat. Res. Bull. J. of Crystal Growth. -1976. Vol.32, № 1. — P.357−362.
- O’Kone D.F., Sadagopan V., Giess E.A. Crystal Growth and characterization of gadolinium gallium garnet // J. of Electrochem. Soc. -1973,-Vol.120.-P.127−133.
- Keig G.A. GGG substrate growth and fabrication // AIP Conf. Proc. 1973 -V.10.-P.237−241.
- Brandle C.D., Miller D.S., Nielsen J.W. The elimination of defects in Czochralski grown rare-earth gallium garnets H J. of Crystal Growth. 1972. -Vol. 12. — P.195−200.
- Landlois W.E. Effect of the Buoyancy parameter on Czochralski bulk flow in Garnet Growth // J. of Crystal Growth. 1976. — Vol. 12. — P.195−200.
- Robert C., Linares N. Growth of garnet laser crystals // Sol. State Comm. -1964.-Vol.2.-P.229−331.
- Пугачев В.А., Николаев Е. И., Рахманин JI.H. Исследование процесса роста и структура монокристаллов гадолиний-галлиевого граната // Электронная техника. Сер. Материалы. 1976. — Вып.З. — С.11−15.
- Пат. 2615.554 ФРГ, МКИ G11C. Verfaren zur Herstellung von Einkristallen auf der Basis Seltene Erden/ Gallium Granat/ D. Mateika.
- Арсеньев П.А., Багдасаров X.C. Выращивание диэлектрических лазерных кристаллов // Изд. «Дониш» Душанбе. 1986. — 69с.
- Никитин В.Н., Полежаев В. И. Трехмерные эффекты переходных и турбулентных режимов тепловой гравитационной конвекции в методе Чохральского // Механика жидкости и газа. 1999. — №.6 — С.81−90.
- Полежаев В.И., Бунэ А. В., Верезуб Н. А. и др. Математическое моделирование конвективного тепломассообмена на основе уравнений Навье Стокса. М: Наука, 1987. — 271с.
- Carruthers J.R. Flow transition and interface shapes in the Czochralski growth oxide crystals // J. of Crystal Growth. 1976. — Vol. 36. — P.212−217.
- Brandle C.D. Simulation of fluid flow in Gd3Ga5012 melts // J. of Crystal Growth. 1977. — Vol. 42. — P.400−408.
- Takagik K., Fukasawa Т., Ishil M. Inversion of the direction of the solid-liquid interface on Czochralski Growth of GGG-crystals // J. of Crystal Growth. 1976. — Vol. 32. — P.89−93.
- Brandle C.D., Miller D.C. Crystal stoichiometry of Czochralski grown rare-earth gallium garnets // J. of Crystal Growth. 1974. — Vol. 24/25. — P.432−435.
- Carruthers Y.R., Kokta M., Barus R.L., Crasso M. Nonstochiometry and crystal growth of gadolinium gallium garnet // J. of Crystal Growth. 1973. -Vol. 19. — P.264−271.
- Brice J.C., Wiffin P.A.C. Charges in fluid flow during Czochralski Growth //J. of Crystal Growth. 1977. — Vol. 38. — P.245−248.
- Takagik F., Fukasawa Т., Yshil M. Inversion of the direction of the solid-liquid interface on the crystal growth // J. of Crystal Growth. 1976. — Vol. 32. — P.89−92.
- Miller D.C., Valentino A.J., Shick L.K. The effect of melt flow phenomena of the perfection of Czochralski Growth gadolinium gallium garnet // J. of Crystal Growth. 1978. — Vol. 44. — P.121−125.
- Kobayashi N. Hydrodynamics in Czochralski growth computer analysis and experiments // J. of Crystal Growth. 1981. — Vol. 52. — P.425−434.
- Carruthers J.R. Flow transition and interface shapes in the Czochralski growth of oxide crystals // J. of Crystal Growth.- 1976. Vol. 36. — P.212−215.
- Mateika D. Substrates fur Epitaxial garnet lasers crystal growth and quality // Philips GmbH Forschungs Laboratorium Hamburg. Published in «Current Topics in Materials Science». 1983. — Vol.11. — P. l-108.
- Cockayne В., Lent В., Roslington J.M. Interface shape changes during the Czochralski growth of gadolinium gallium garnet single crystals // J. of Mat. Sci. -1976. Vol.11. — P.279−283.
- Zydzik G. Interface transitions in Czochralski growth of Garnets // J. of Mat. Res. Bull. 1975. — Vol.10. — P.701−705.
- Miyazawa Y., Mori M. and Homma S. Interface shape transitions in Czochralski growth YAG crystals // J. of Mat. Res. Bull. 1978. — Vol.13. -P.675−678.
- Miyazawa Y., Mori M. and Homma S. Interface shape transitions in Czochralski growth DAG crystals // J. of Crystal Growth. 1978. — Vol. 43. -P.541−545.
- Cockayne В., Chesswas M., Gasson D.B. Facetting and optical perfection in Czochralski growth and Ruby // J. of Mat. Sci. 1969. — Vol.4. — P.450−456.
- Kobayashi N., Ariuzumi Т. Computational Studies of the convection caused by crystal rotational in crucible // J. of Crystal Growth. 1980. — Vol.49. -P.419−422.
- Kobayashi N. Difficulties countered in Czochralski growth of some oxide single crystals // J. of Crystal Growth. 1981. — Vol.55. — P.339−342.
- Hopp M., Recker K. Fnd Mateika D. The Elimination of defects in Czochralski growth rate-earth gallium garnets // Fortschr. Miner. 1980. Vol.58. — P245−247.
- Кудрявцев B.B., Ремизов O.A., Алексеев Ю. Л. Экспериментальное исследование температурного поля расплава при выращиваниимонокристаллов // М.: Транспорт. 1965. — С.25−30. — (ТР. МИИТ: вып.224).
- Miller D.C., Pernell J. Intrinsic density hi (T) in GaAs: Deduced from band grip and effective mass parameters and derived independently from Cr acceptor capture and emission coefficient // J. of Crystal Growth. 1981. -Vol.53. — P.523−527.
- Ремизов О.А. К вопросу получения монокристаллов с управляемой плотностью дислокаций и монокристаллов совершенной структуры И М.: Транспорт 1971. — С.65−70. — (Тр. МИИТ: вып.350).
- Billig Е. Some defects in crystals grown from the melt 1. Defects caused by thermal stress // Proc. Roy.Soc. 1965. — A 235, № 1200. — P 37−55.
- Инденбом B.JI. Напряжения и дислокации при росте кристаллов // Изв. АН СССР. Сер.Физика. 1973. — Т. З7, № 11. — С.2258−2267.
- Инденбом B.JI. Ростовые дислокации в непластичных кристаллах // Рост кристаллов. Сб. Тез. V Всес. Сов.(Тбилиси, 1977). 1977. — С.260.
- Чернов А.А., Гиваргизов Е. И., Багдасаров Х. С. и др. Современная кристаллография М.: Наука. — 1980. — ТЗ. — С.209.
- Kobayashi N. and Arizumi Т. The numerical analysis of the Solid-Liquid interface shapes during the crystal growth by the Czochralski method // J. Appl. Physics. 1970. — Vol. 9, № 4. — P.361−367.
- Akiyama M., Yamaguchi Y. Distribution temperature in Si-ignots during process growth crystals // J. Appl. Physics. 1962. — Vol.33, № 5. — P.125−132.
- Сахаров Б.А., Шашков Ю. М., Силкин В. Б. Тепловое поле в монокристаллах кремния // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.- 1968, № 12. С.58−65.
- Vincentkuo H.S. and William R. Wilcox influence of crystal dimension on the interfacial temperature gradient // J. of Crystal Growth. 1972. — Vol.12.- P.191−194.
- Ariuzumi Т., Kobayashi N. Theoretical studies of the temperature distribution in a crystal being grown by the Czochralski method // J. of Crystal Growth. 1972. — Vol. 13−14. — P.615−618.
- Milvidskii M.G., Bochkarev E.P. Creation of defects during the growth of semiconductor single ciystals and films // J. of Crystal Growth. 1978. -Vol.44 — № 1. — P.61−74.
- Шашков Ю.М. Выращивание кристаллов методом вытягивания // М.: Металлургия. 1982. — 312с.
- Степанов А.Е., Кириллова Л. Г. Моделирование процессов выращивания монокристаллов по методу Чохральского // Математическое моделирование процессов выращивания кристаллических полупроводниковых материалов. Киев: Наукова Думка. — 1988. — С.157−173.
- Косушкин В.Г., Потепалов В. П., Лебедев В. В. Теоретические и экспериментальные исследования распределение температуры при выращивании кристаллов соединений, А В в градиенте температуры // Электронная техника, сер. Материалы. 1982. — Вып. 4. — С.23−26.
- Шашков Ю.М., Силкин В. Б., Никитин В. М. Выращивание монокристаллов методом вытягивания // Изв. АН СССР. Сер.Физика. -1972. Т.36, № 3. — С.546−549.
- Zalevski Е., Zmiya Y. Distribution of temperature in semi-transparent single crystals during the process of the Czochralski pulling. 11 Analysis of Thermal fields // J. Acta Phys. 1977. — Vol.51. — № 6. — P.819−826.
- Полежаев В.И., Простомолотов А. И. Исследование процессов гидродинамики и тепломассообмена при выращивании кристаллов методом Чохральского // Механика жидкости и газа. 1981. — № 1. -С.46−55.
- Мильвидский М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия — 1984. — С.81−98.
- Никитенко В.И., Инденбом В. А. Сопоставление напряжений и дислокаций в кристалле германия // Напряжения и дислокации в полупроводниках. М.: Наука. — 1982. — С.34−42.
- Мильвидский М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников М.: Металлургия. — 1984. — С.64−80.
- Cockayne В., Roslington J.M., Vere A.W. Macroscopic strain in facetted regions of garnet crystals //J. of Mat. Sci. 1973. — Vol.8. — P.382−388.
- Glass H.L., Besser P.J., Hamilton T.N., Stermer P.L. Substrate facet replication by Epitaxial magnetic garnet films // J. of Mat. Res. Bull. 1973. — Vol.8. -P.309−313.
- Gill G.P., Fairholme R.J. The effect of substrate defects of Epitaxial magnetic garnet films //J. ofMat. Res. Sci. 1973. — Vol.8. — P. l 115−1121.
- Glass H.L. X-ray double crystal analysis of facets in Czochralski grown gadolinium gallium garnet // J. ofMat. Res. Bull. 1972. — Vol.7. — P. 10 871 092.
- Glass H.L., Hamilton T.N. Replication of substrate growth band and core structures by Epitaxial CVD garnet films // J. of Mat. Res. Bull. 1972. -Vol.7.-P.761−767.
- Glass H.L. X-ray double crystal topography of Epitaxial magnetic bubble domain garnet // J. of Mat. Res. Bull. 1972. — Vol.7. — P.385−390.
- Прохоров И.А., Захаров Б. Г. Рентгеноструктурные исследования совершенства структуры монокристаллов гадолиний-галлиевого граната // Электронная техника. Сер. Материалы. 1977. — Вып.б. -С.43−48.
- Matthews J.W., Klokholm Е., Plaskett T.S. Dislocation in Gadolinium Gallium Garnet (Gd3Ga5Oi2). Nature of Prismatic loops and helical Dislocations IBM // J. of Res. and Developm. 1973. — Vol. 17. — P.426−430.
- Lai K., Mader S. Characterization of dislocation in gadolinium gallium garnet single crystals by transmission x-ray Topography // J. of Crystal Growth. 1976. — Vol. 32, № 1. — P.357−362.
- Glass H.L. X-ray Topographic analysis of dislocations and growth bands in melt grown Gadolinium Gallium Garnet Crystal // J. of Mat. Res. Bull. -1973. Vol.8. — P.43−48.
- Kishino S., Isomae S., Tokagi K., Ishii I. X-ray topographic study of lattice defects in a Gadolinium Gallium Garnet single crystal // // J. of Mat. Res. Bull. 1974. — Vol.9. — P.1301−1305.
- Takagi K., Fukuzawa Т., Iahii M. Analysis of dislocations in Gd3Ga5012 by a repeated etching technique // J. of Crystal Growth. 1980. — Vol. 45, № 2. — P.159−163.
- Рахманин JI.H., Парамонов B.B., Пугачев В. А. Химическое травление галлий-гадолиниевого граната // Электронная техника. Сер. Материалы. -1988. — Вып.7. — С. 15−20.
- Presscott M.J., Basterfield J. The observation of dislocation in Yttrium Gallium Garnet by a Photoelastic method // J. of Mat. Res. Sci. 1967. -Vol.2. — P.583−588.
- Miller D.C. Defects in garnet substrate and Epitaxial magnetic garnet films revealed phosphoric and etching // J. of Electrochem. Soc. 1973. — Vol.120. — P.678−682.
- Stacy W.T. Dislocations facet regions and growth striations in garnet substrate and layers // J. of Crystal Growth. 1974. — Vol.24/25. — P. l 37−144.
- Takagi K., Ikeda Т., Fukazawa T. Growth streak in angle crystals of Gadolinium Gallium Garnet by automatic diameter control // J. of Crystal Growth. 1977. — Vol. 38, № 2. — P.206−212.
- Картавых A.B., Копелиович Э. С., Мильвидский М. Г., Раков В. В. Анализ осевых профилей распределения примеси в монокристаллах Ge(Sb), выращенных методом бестигельной зонной плавки в космосе // Кристаллография. -1998. Т.43, N 6. — С. 1136−1141.
- Картавых А.В. Микрогравитационная чувствительность легированных расплавов полупроводников при их кристаллизации в космосе // Кристаллография. 2000. — Т.45, № 6. — С. 1108−1113.
- Картавых А.В., Копелиович Э. С., Мильвидский М. Г., Раков В. В. Наземная отработка космических экспериментов по бестигельной зонной плавке Ge с воздействием вращающих магнитных полей // Кристаллография. -2001.- Т.46, N 1. С. 159−164.
- Земсков B.C., Белокурова И. Н., Шульпина И. Л., Сорокин Л. М. и др. Кристаллизация твердых растворов Ge — Si — Sb в различных условиях
- Академия Наук СССР. Уральский научный центр. Технологические эксперименты в невесомости. — 1985. С. 163−169.
- Картавых А.В., Копелиович Э. С., Мильвидский М. Г., Раков В. В. Формирование примесной неоднородности при выращивании монокристаллов германия в условиях микрогравитации // Кристаллография. -1997. Т.42, N 4. — С.755−761.
- Сазонов. В.В., Комаров М. М., Беляев М. Ю., Ефимов Н. И., Зыкова С. Г. Оценка микроускорений на борту орбитальной станции «МИР» по показаниям оптического звездного датчика // Космические исследования. -1996. Т.34, № 5. — С.491- 499.
- Юферев B.C., Колесникова Э. Н. Влияние силы Кориолиса на конвекцию жидкости в условиях невесомости при наличии угловых и линейных колебаний орбитальной станции около ее центра масс // Письма в ЖТФ. 1995. -Т.21. — Вып. 13. — С.23−28.
- Ветлов В.И., Новичкова С. М., Сазонов В. В., Матвеев Н. В., Бабкин Е. В. Режим гравитационной ориентации международной космической станции // Препринт Института прикладной математики им. М. В. Келдыша РАН. 2000, № 24. — 28с.
- Сидоров B.C., Захаров Б. Г., Серебряков Ю. А., Стрелов В. И. Модернизированная установка «Зона 03″ для роста кристаллов с моделированием условий кристаллизации, характерных для микрогравитации // Приборы и техника эксперимента. — 1999, № 2. — С.148−152.
- Волков П.К., Захаров Б. Г. Гидродинамика и конвективный тепломассоперенос в условиях слабой гравитации // Докл. АН. 1998. -Т.361, № 5. С.616−619.
- Волков П.К., Захаров Б. Г., Серебряков Ю. А. Конвекция в расплавах и неоднородности примеси в кристаллах полупроводников // Кристаллография. 2000. — Т.45, № 5. — С.935−943.
- Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. — 1970. — 285с.
- Захаров Б.Г., Стрелов В. И., Сидоров B.C. Устройство для выращивания кристаллов. — Патент РФ № 2 199 615, заявлено 28.01.2002. Приоритет от 28.01.2002. Бюл. № 6, 27.02.2003.
- Стрелов В.И., Захаров Б. Г., Ананьев П. А., Серебряков Ю. А. Способ выращивания кристаллов. — Патент РФ № 2 199 614, заявлено 28.01.2002. Приоритет от 28.01.2002. Бюл. № 6, 27.02.2003.
- Волков П.К., Захаров Б. Г., Осипьян Ю. А. Определение модельных сред и условий для исследования динамики расплавов полупроводников на земле и в космосе // ДАН, 1999. Т.367, № 1. — С.35−39.
- Стрелов В.И., Захаров Б. Г., Сидоров B.C. Образование полос роста в монокристаллах Ge, выращиваемых в условиях слабой тепловой конвекции при вибрационных воздействиях на расплав // Кристаллография, 2001, т.46, № 4, с.759−764.
- Strelov V.I., Zakharov B.G., Sidorov V.S. Investigations into growth of semiconductor crystals with high microhomogeneity of properties under microgravity // J. of Crystal Growth. Vol. 241. 2002. — P.74 — 84.
- Гершуни Г. З., Жуховицкий E.M. Вибрационная тепловая конвекция в невесомости // Гидромеханика и процессы переноса в невесомости. Свердловск. 1983. -С.86−105.
- Гершуни Г. З., Жуховицкий Е. М. Конвективная устойчивость несжимаемой жидкости М., Наука, 1972 — 392с,
- Fewster P.F., Andrew N.L. Absolute lattige-parameter measurement // J.Appl.Cryst. 1995. — V. 28. — P.451−460.
- Боуэн Д.К., Таннер Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. Перевод с англ. С.-Петербург.: Наука. -2002.-274с.
- Segmuller A., Angilelo J., La Placa Sam J. Automatic x-ray diffraction measurement of the curvature of substrate wafers for the determination of linear strain patterns // J.Appl.Phys. 1980. — V.51, № 12. — P.6224−6229.
- Gensic Y.E., Marcos H.M., Van Nitert L.G. Laser oscillations in Nd-doped yttrium aluminum, yttrium gallium and gadolinium garnets // J. Appl. Phys. — 1964.-Vol.4.-P.182−184.
- О’делл Т. Магнитные домены высокой подвижности. — М: Мир, 1978, 194 с.
- Балбашов A.M., Червоненкис А. Я. Магнитные материалы для микроэлектроники. М.: Энергия, 1979, 217 с.
- Ситидзе Ю., Сато X. Ферриты. М.: Мир, 1964, 408 с.
- Белов К.П., Белянчикова М. А., Левитин Р. З., Никитин С. А. Редкоземельные ферромагнетики и антиферромагнетики. — М.: Наука, 1965,316 с.
- Brandle C.D., Miller D.C., Nielseu J.W. The elimination of defects in Czochralski grown rare-earth gallium garnets // J. of Crystal Growth. — 1972. Vol.12.-P.195−200.
- Digiuseppe M.A., Soled S.L., Wenner V.M., Macur J.R. Phase diagram relationships of the garnet — perovskite transformations in Gd2 O3 — Ga2 O3 and Sm2 O3 Ga2 O3 systems // J. of Crystal Growth. — 1980. — Vol.49. -P.746 — 748.
- Пат. № 4. 199.369. США, МКИ 156/617.
- Разработка монокристаллов и подложек кальций-магний-цирконий замещенного ГГГ для магнитооптических устройств и технология их производства: Отчет / п.я. В — 2836- Руководитель работы Л. Н. Рахманин. № Ф 25 582. — Калуга, 1985, — 64с.
- Hayakawa Н., Maeda К., Yokoyama Т., Pujli Y. High Average Power Nd: Gd3Ga5Oi2 Slab Laser. //Jap. J. Appl. Phys., Vol. 26, № 10, October 1987, P. 1623−1625.
- Timoshechkin M.I., Sigachev V.B., Strelov V.I. Cr, Ce, Nd: GGG Material for Efficient Solid-State Lasers // Advance program of topical meeting on advanced solid-state Lasers, March 5−7, 1990, Salt Lake City, Utah, USA. P.8−12.
- Maeda K., Wada N., Umino M., Abe M., Concentration Dependence of Fluorescence Lifetime of Nd3+ Doped Gd3Ga50i2 Lasers // Jap. J. Appl. Phys. Vol. 23. № 10. October. 1984. P. L759-L760.
- Дорошенко M.E., Осико В. В., Сигачев В. Б., Тимошечкин М. И., Пугачев В. А., Стрелов В. И. Эффективный лазер на кристалле гадолиний-галлиевого граната с неодимом (X = 1,06 мкм). М.: Препринт ИОФАН, № 95, Москва, 1990. 23.с.
- Разработка монокристаллов и активных элементов ОКГ на основе гадолиний-галлиевого граната, активированного неодимом (TTT.Nd) илабораторной технологии их получения: Отчет п.я. В-2836- Руководитель работы В. И. Стрелов.- № Ф42 115. Калуга, 1989, — 92с.
- M.S. Mangir and D.A. Rockwell Measurement of Heating and Energy Storage in Flashlamp-Pumped Nd: YAG and Nd-Doped Phosphate Laser Glasses. // IEEE J. Quant.Elektr., Vol QE-22, № 4, April. 1986. P.574−580.
- Yoshida K., Yahida H., KatoY. IEEE J.Quant. Elertron., 1988. Vol.24. № 6. P. 1188−1192.
- Кертес И., Kpoo H., Осико В. В., Прохоров A.M., Сигачев В. В., Стрелов В. И., Тимошечкин М. И. Эффективный лазер на кристаллах ГГГ // Тезисы докладов XIII Международной конференции по когерентной и нелинейной оптике, г. Минск, 1988, часть 4, С. 80.
- Иванов М.А., Осико В. В., Сигачев В. Б., Стрелов В. И., Тимошечкин М. И., Эффективный лазер на кристалле гадолиний-галлиевого граната с хромом и неодимом. М.: Препринт ИОФАН № 43, Москва, 1989. 25. с
- Denisov A.L., OstroumovV.G., Saidov Z.S., Smirnov V.F., Shcherbakov I.A. et al. Spectral and luminescence properties of Cr3+ and Nd3+ ions in gallium garnet crystals // J. Opt. Soc. Amer. B, 1986. Vol.3, № 1. P.95−100.
- Жариков E.B., Забазнов A.M., Осико B.B., Прохоров A.M. и др. Фотохромные свойства кристалла гадолиний-скандий-галлиевого граната. М.: Препринт ИОФАН, 1985, № 238. Юс.
- Жаров В.П., Зубов Б. В., Лощилов В. И., Прохоров A.M. и др. Исследование оптических и теплофизических свойств биоткани методом импульсной фототермической радиометрии. М.: Препринт ИОФАН, 1987, № 146.21с.
- Каминский А.А. Современные тенденции развития физики и спектроскопии лазерных кристаллов // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1981.Т.45. № 2. С.348−358.
- Данилов А.А., Зубенко Д. А., Калитин С. П. и др. Спектрально-люминесцентные свойства редкоземельных гранатов с хромом //
- Оптически плотные активные среды. Труды физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР. Изд."Наука». 1990. — Т.26. — С. 5−49.
- Осико В.В., Сигачев В. Б., Стрелов В. И., Тимошечкин М. И. Лазер на кристалле эрбий-гадолиний-галлиевого граната // Квантовая электроника. Т.18. № 2. 1991. — С. 179−181.
- Осико В.В., Прохоров A.M., Сигачев В. Б., Тимошечкин М. И. Эффективный лазер на кристалле гадолиний-галлиевого граната с хромом и неодимом // ДАН СССР. 1989. — Т.307, № 1. — С.105−109.
- Ашуров А.А., Басиев Т. Т., Воронько Ю. К. и др. Безизлучательные потери на лазерном переходе 41цгг —* 4hm иона Ег 3+ в кристаллах Y3 AI5O12, GCI3SC2AI3O12, Y3Ga5Oi2, Gd3Ga5012, CaF2 // Квантовая электроника. Т.5. № 5.- 1978. С.1028−1035.
- Osiko V.V., Prokhorov. A.M., Sigachev V.B., Strelov V.I. end and. In: Digest of Topical Meeting on Advanced Solid-State Lasers, 1990. Washington, Optical Society of America, 1990. P.229.
- В.Л. Индембом., В. Б. Освенский Теоретические и экспериментальные исследования возникновения напряжений и дислокаций при росте кристаллов. // В кн. Рост кристаллов М.: Наука, 1980. С. 240−250.
- Вахрамеев С.С., Освенский В. Б., Смирнов В. А. Связь дислокационной структуры монокристаллов с полем термических напряжений в процессе выращивания слитка из расплава. // В сб. докл. IV Всесоюзного совещания по росту кристаллов. Ереван, 1972. — С. 50−58.
- Инденбом В.Л., Житомирский И. С., Чебанова Т. С. Внутренние напряжения, возникающие при выращивании кристаллов в стационарном режиме. // Кристаллография М.: Наука, 1973, т.18. С. 3948.
- Инденбом В.Л., Житомирский И. С., Чебанова Т. С. // Сб. Рост кристаллов. М.: Наука, 1968, т.8, ч. II. С. 303.
- Бурачас С.Ф., Тиман Б. Л. Изучение условий выращивания кристаллов методом Чохральского // В кн. Получение и исследование монокристаллов. — Харьков. ВНИ монокристаллов. 1978.- № 1.- С. 1 — 5.
- Тиман Б.Л., Бурачас С. Ф. Анализ условий выращивания кристаллов методом Чохральского // Физика и химия кристаллов. — Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1977.— С. 14.
- Рахманин Л.Н., Синдер М. И., Мильман Ю. В., Пугачев В. А. Исследование напряжений в кристаллах гадолиний-галлиевого граната // Электронная техника, сер. Материалы, 1981, вып. 1(150). — С.22−25.
- Белов А.А., Захаров В. Ю., Стрелов В. И. Построение математической модели расчета тепловых полей в монокристаллах выращиваемых по методу Чохральского // Электронная техника, Серия 6, Материалы, выпуск 4(249), 1990. С.44−47.
- Стрелов В.И., Пугачев В. А. Изменение межфазной границы при росте кристаллов ГГГ большого диаметра по методу Чохральского // Электронная техника, Серия 6, Материалы, Выпуск 5(226), 1987. — С. 2831.
- Разработка монокристаллов ГГГ 0 102мм и базовой технологии их производства на установке «СКИФ-3» с освоением на предприятии п.я. В-8556: Отчет п.я. В — 2836- Руководитель работы Стрелов В. И. № Ф26 863. — Калуга, 1986. — 56с.
- Polezhaev V.I. Calculation of Cryatal Growth Process of GaAs ICHMT, Turkey, 1997, May, 22−27, Abstracts. — P.67−69.
- Kobayashi S., Miyahara S., Fujiwara Т., Kubo Т., Fujiwara H. Turbulent heat transfer through the melt in silicon Czochralski growth // J. of Crystal Growth. Vol. 109. 1991. -P.l49−154.
- Исследование процесса и разработка технологии выращивания монокристаллов ГГГ 0 40 50 мм в иридиевых тиглях с толщиной стенки 1−2 мм: Отчет п.я. В — 2836- Руководитель работы Пугачев В. А. -№ 9 499. — Калуга, 1982. — 76с.
- Пугачев В.А., Стрелов В. И., Рахманин JI.H. и др. Элементы технологии выращивания монокристаллов ГГГ большого диаметра // Электронная техника, серия Материалы, 1984. — вып.14 (199). — С.26−30.
- Tocajuk M.C., Fukaz L.M., Yshil M. Analysis of dislocations in Gd3Ga5Oi2 by a repeated etching technique // J. of Crystal Growth. 1980. -Vol.43. -P. 19−24.
- Иванов И.А., Дьяков Ю. Н. Распределение дислокаций в монокристаллах гадолиний -галлиевого граната // Электронная техник, сер.Материалы. — 1982, вып.2(186). — С.23−26.
- А.С. № 1 228 524 СССР. Способ получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната / Стрелов В. И., Пугачев В. А., Макаров А. В., Богопольский Е. В. Заявка № 3 793 306. Приоритет от 29 сентября 1984 г. Зарегистрирован 3.01.1986г.
- А.С. 1 740 506 СССР. Способ выплавления остатков расплава тугоплавких металлов / Рахманин JI.H., Стрелов В. И., Губарев О. П. Заявка № 4 775 295. Приоритет от 27 декабря 1989 г. Зарегистрирован 15.02.1992 г. Бюл. № 22 от 15.06.92.
- А.С. № 1 580 886 Способ получения монокристаллов граната состава Gd2)6Ca0j4Ga4>iMgo)25Zro.650i2 / Рахманин Л. Н., Стрелов В. И. Заявка № 4 627 991. Приоритет 28.12.1988 г. Зарегистрирован 22.03.90 г.
- Сирота Н.Н., Попов П. А., Сидоров А. А., Стрелов В. И. и др. Теплопроводность и термические свойства замещенного гексагаллатастронция SrGaiiMgo-sOi9 в интервале температур (5 300) К // ДАН СССР. Т.321. № 1. Изд. «Наука». — 1991. — С. 91 — 94.
- Zhang L.H. GGG and related compounds // J. of Cryst. Growth. 1985. -Vol.11. P. 283−289.
- Стрелов В.И., Макаров А. В., Шелыгов А. П. и др. Особенности выращивания монокристаллов ГГГ: Cr, Nd // Электронная техника. Серия 6 Материалы. Вып.8 (245). 1989. — С.34 — 37.
- А.С. № 1 704 501 СССР. Способ получения монокристаллов легированного гадолиний-галлиевого граната / Стрелов В. И., Макаров А. В., Пугачев В. А. Заявка № 4 792 394. Приоритет 27 декабря 1989 г.