Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Управление формой и свойствами профилированных кристаллов сапфира в процессе их выращивания

Диссертация: Управление формой и свойствами профилированных кристаллов сапфира в процессе их выращивания
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые сформулированы принципы выращивания профилированных кристаллов в автоматическом режиме с использованием датчика веса. На основе этих принципов разработана автоматизированная система, которая позволяет, наряду с управлением формой, контролировать качество профилированных кристаллов на всех стадиях выращивания (затравливание, разращивание, стационарный рост, изменение профиля и т. д… Читать ещё >

Управление формой и свойствами профилированных кристаллов сапфира в процессе их выращивания (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕДНИЕ
  • ГЛАВА 1. СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ САПФИРА И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ САПФИРАИЗ РАСПЛАВА (ОБЗОР)
    • 1. 1. Основные свойства кристаллов сапфира и области применения
    • 1. 2. Основные методы получения кристаллов сапфира из расплава
      • 1. 2. 1. Методы получения объемных кристаллов сапфира из расплава. «
        • 1. 2. 1. 1. Метод Вернейля
        • 1. 2. 1. 2. Метод Чохральского
        • 1. 2. 1. 3. ЩМ метод. ^
        • 1. 2. 1. 4. Метод направленной кристаллизации
      • 1. 2. 2. Способы получения профилированных 1фисталлов сапфира из расплава
        • 1. 2. 2. 1. Варианты способа Степанова с использованием капиллярной подпитки. «ЗР
        • 1. 2. 2. 1. 1, Метод ЕГв (ес^е-ёейпес! Шт-?е?1^гоу1Ь)
        • 1. 2. 2. 1. 2. Метод вариационного формообразования. ^
        • 1. 2. 2. 1. 3. Кристаллизация из элемента формы (СЕБ метод)
      • 1. 2. 3. Выращивание оксидных волокон из расплава
    • 1. 3. Выводы
  • ГЛАВА 2. МЕТОД НЕКАПИЛЛЯРНОГО ФОРМООБРАЗОВАНИЯ
    • 2. 1. Образование дефектов в местах встречи потоков расплава под фронтом кристаллизации
    • 2. 2. Принцип метода некапиллярного формообразования, выращивание монолитных кристаллов сапфира с постоянным поперечным сечением
    • 2. 3. Выращивание кристаллов сапфира переменного сечения с использованием некапиллярной подпитки
      • 2. 3. 1. Выращивание сапфировых тиглей
      • 2. 3. 2. Выращивание сапфировых полусферических заготовок ЖЖ методом
    • 2. 4. Выводы по Главе 2
  • ГЛАВА 3. ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА СЛОЖНОЙ ФОРМЫ ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОПТИКИ
    • 3. 1. Распределение температуры и термоупругих напряжений вблизи фронта кристаллизации в кристаллах сапфира, выращиваемых вЕБ методом
    • 3. 2. Причины образования трещин и поиск оптимальных условий выращивания сапфировых полусфер, свободных от трещин. $
      • 3. 2. 1. Тины разрушения в процессе выращивания
        • 3. 2. 1. 1. Численный анализ напряжений
        • 3. 2. 1. 2. Образование трещины
        • 3. 2. 1. 3. Распространение трещины
      • 3. 2. 2. Критерий критической скорости деформации. Я
    • 3. 3. Выращивание сапфировых полусфер вЕБ методом
      • 3. 3. 1. Использование установки с горизонтальным перемещением штока
      • 3. 3. 2. Формирование полусферической заготовки необходимой геометрии
      • 3. 3. 3. Параметры выращивания полусферы
      • 3. 3. 4. Управление выращиванием полусферической заготовки в режиме реального времени
    • 3. 4. Механические свойства кристаллов, выращенных ОЕ8 методом. ЮЗ
    • 3. 5. Выводы по Главе 3. цо
  • ГЛАВА 4. АВТОМАТИЗАЦИЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА С
  • ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДАТЧИКА ВЕСА. ц
    • 4. 1. Описание общей структуры автоматизированной системы управления
    • 4. 2. Затравливание. у]
    • 4. 3. Разращивание
      • 4. 3. 1. Коррекция программного изменения массы
    • 4. 4. Стационарный рост
    • 4. 5. Примеры использования автоматизации при выращивании профилированных кристаллов сапфира
      • 4. 5. 1. Выращивание крупногабаритных сапфировых лент для оптики
        • 4. 5. 1. 1. Выбор оптимальной ориентации
        • 4. 5. 1. 2. Расчет программной массы
        • 4. 5. 1. 3. Оптимизация элементов тепловой зоны, примеры выращивания
      • 4. 5. 2. Выращивание крупногабаритных сапфировых труб
        • 4. 5. 2. 1. Разращивание сапфировой трубы
        • 4. 5. 2. 2. Тепловая зона для выращивания крупногабаритных труб
      • 4. 5. 3. Выращивание кристаллов в групповом режиме
      • 4. 5. 4. Выращивание сапфировых стержней и лент с капиллярными каналами
      • 4. 5. 5. Выращивание кристаллов методом
    • 4. 6. Выводы по Главе 4
  • ГЛАВА 5. ВЫРАЩИВАНИЕ ПРОФШШЮВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА С ПРОСТРАНСТВЕННЫМИ СТРУКТУРАМИ ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА
    • 5. 1. Получение периодических структур в профилированных кристаллах сапфира
      • 5. 1. 1. Получение периодических структур способом Степанова/EFG
      • 5. 1. 2. Получение периодических структур GES методом
    • 5. 2. Выращивание волоком сапфира с переменным, но сечению составом
    • 5. 3. Получение структур переменного состава методом NCS
    • 5. 4. Получение пространственных структур переменного состава методом Степанова/EFG
    • 5. 5. Выводы по Главе 5
  • ГЛАВА. Ь. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОКСИДНЫХ ВОЛОКОН ДЛЯ КОМПОЗИТОВ
    • 6. 1. Выращивание однородно-ориентированных волокон сапфира методом внутренней 1фисталлизации
      • 6. 1. 1. Кристашшзация волокон
      • 6. 1. 2. Микроструктура ICM-волокон -сапфира
      • 6. 1. 3. Характеристики прочности сапфировых ICM-волокон
    • 6. 2. Выращивание других оксидных волокон. ^ ^
    • 6. 3. Некоторые применения оксидных волокон
      • 6. 3. 1. Применение волокон в жаропрочных композитах с матрицами на основе никеля
      • 6. 3. 2. Применение волокон в жаропрочных композитах с матрицами на основе алюминидов титана
      • 6. 3. 3. Применение волокон в оксид-оксидных композитах
    • 6. 4. Выводы го Главе 6

Актуальность проблемы.

На протяжении целого столетия, после того как французским ученым О. Вернейлем была разработана технология получения объемных кристаллов сапфира из порошка оксида алюминия в кислородно-водородном пламени, этот материал занимает одно из ведущих мест в получении синтетических кристаллов.

В последнее время интенсивно расширяются области применения кристаллов сапфира благодаря его уникальному сочетанию физико-механических и оптических свойств (высокая температура плавления, малый коэффициент трения, большая твердость, химическая инертность, оптическая прозрачйостъ в большом диапазоне длин волн, высокая прочность и теплопроводность, низкое термическое расширение при высоких температурах, радиационная стабильность и высокая стойкость к термоудару).

Наряду с технологиями выращивания объемных кристаллов из расплава (варианты способов Вернейля, Чохральского, Киропулоса, горизонтальной направленной кристаллизации) активно развиваются методы выращивания кристаллов сапфира заданного профиля, базирующиеся на способе Степанова, в котором различные формы кристаллических изделий со сложным поперечным сечением, геометрией и размерами получаются благодаря кристаллгоации сформированного формообразователем жидкого столбика расплава.

Идеи и работы АБ. Степанова по кристаллизации отбыли новое направление и приведи к созданию индустрии профилированных кристаллов и дальнейшей разработке таких технологий как метод EFG (edge-deflnedfilm-fed growth), метод вариационного формообразования (VST — variable shaping technique), выращивание из элемента формы (GES — growth from an element of shape) и др.

Возможность получения кристаллов с разнообразными формами поперечного сечения резко снижает затраты на механическую обработку и производство готовых изделий, что позволило существенно расширить области применения профилированных кристаллов сапфира прежде всего в качестве конструкционного материала.

В настоящее время наиболее актуальной задачей при выращивании профилированных кристаллов сапфира является, прежде всего, повышение качества выращиваемых кристаллов, что позволило бы расширить области применения профилированного сапфира не только в качестве конструкционного, но и оптического материала. Наиболее распространенными дефектами в профилированных кристаллах сапфира, которые резко снижают его оптические и механические свойства, являются газовые и твердофазные включения и границы блоков. Необходимо рассмотреть возможность контроля возникновения и предотвращения возникновения дефектов на всех стадиях выращивания профилированных кристаллов: затравливания, разращивания, стационарного роста и изменения поперечного сечения выращиваемых кристаллов.

Растущий интерес к оптическим кристаллам с гетероструктурами или легированными пространственными структурами привел к тому, что актуальным становится вопрос о получении таких структур непосредственно в процессе роста кристалла.

В связи с этим разработка технологии выращивания монокристаллов с модулированными легированными структурами и контроля над получением структур в процессе роста представляет актуальную задачу. Ее решение означало бы переход к получению используемых в лазерной технике многофункциональных кристаллов и, следовательно, дальнейшее расширение областей применения таких кристаллов.

Цель работы.

Целью работы являлось:

• создание научных основ и разработка технологий, позволяющих одновременно с управлением формой контролировать и предотвращать образование наиболее распространенных дефектов (газовые и твердофазные включения, границы блоков) в объеме профилированных кристаллов сапфира на всех стадиях роста (затравливание, разращивание, стационарный рост, изменение профиля);

• разработка новых технологий для получения пространственных структур переменного состава задаваемой конфигурации и контрастности в паре матрица-активатор в профилированных кристаллах сапфира, легированных титаном;

• разработка новых технологий получения относительно дешевых монокристаллических и эвтектических оксидных волокон для создания на их основе жаропрочных композитных материалов.

Научная новизна работы.

Созданы новые пути управления совершенством формы и качества профилированных кристаллов сапфира непосредственно в процессе кристаллизации.

Разработан новый метод выращивания кристаллов с использованием некапиллярной подпитки (метод некапиллярного формообразования — ТФС5) для получения профилированных кристаллов с большим поперечным сечением и кристаллов переменного сечения. В отличии от классического способа Степанова выращивание кристаллов проводится с использованием смачиваемого расплавом формообразователя и отрицательного давления в мениске расплава. Метод ТФСБ позволяет управлять потоками расплава в мениске и предотвращать образование дефектов, связанных с наличием областей с минимальными компонентами скорости расплава, являющихся следствием встречных потоков расплава под фронтом кристаллизации.

Предложены и реализованы новые оригинальные приемы получения полусферических заготовок для защиты ПК детекторов или видеосистем в носовых частях ракет.

Проведено экспериментальное наблюдение распределения температуры в растущих профилированных кристаллах с использованием методики вращивания термопары в кристалл. На основании экспериментальных данных рассчитаны термоупругие напряжения для вариантов способа Степанова.

Для анализа возможных причин образования трещин в кристаллах, выращенных методом выращивания из элемента формы, были использованы результаты численного моделирования изменяющегося во времени напряженного состояния растущего кристалла. На основании модели были выбраны оптимальные соотношения между ростовыми параметрами, при которых выполняется условие пластической релаксации термоупругих напряжений.

Разработаны комплексные подходы для контролируемого получения высококачественных кристаллов сапфира сложных форм для высокотемпературной оптики. (.

Проведено изучение прочности профилированных кристаллов сапфира различной ориентации, выращенных различными вариантами способа Степанова в диапазоне температур 20-Т550°С. Показано, что зарождение трещины в кристаллах, выращенных методом GES, происходит на дефектах, расположенных в области максимальных напряжений вблизи поверхности кристаллов.

Разработаны принципы выращивания профилированных кристаллов в автоматическом режиме с использованием датчика веса. Автоматизированная система позволяет, наряду с управлением формой, контролировать качество профилированных кристаллов на всех стадиях выращивания. Разработан алгоритм автоматизированного процесса затравливания при выращивании профилированных кристаллов с использованием датчика веса. Проведен расчет программной скорости изменения массы на участках разращивания для различных профилей.

Впервые разработана лабораторная технология получения пространственных структур переменного состава в профилированных кристаллах сапфира, выращенных различными вариантами способа Степанова. Разработанные методики позволяют получать регулярные структуры различных типов: менять период в процессе выращивания кристалловосуществлять переход от периодических структур к однородно легированным или нелегированным участкам кристалла. Установлены оптимальные режимы выращивания волокон сапфира переменного состава без газовых и твердофазных включений. Исследован характер распределения включений в зависимости от степени переохлаждения на фронте кристаллизации.

На основе метода внутренней кристаллизации разработана новая технология получения однородно-ориентированных монокристаллических и эвтектических оксидных волокон, стоимость тсоторых позволяет использовать их для создания жаропрочных композитных материалов, работающих при температурах до 1200−1300°С (металлическая и интерметаллидная матрица) и до 15ОО-Г7О0°С (керамическая матрица).

Практическая значимость результатов.

Разработанная технология выращивания гфофилированных кристаллов с использованием некапиллярной подпитки позволила получить кристаллы сапфира постоянного поперечного сечения (стрежни с различной формой попереадого сечения, толстостенные трубы, пластины) и менять сечение в процессе кристаллизации (тигли диаметром до 65 мм, полусферические заготовки диаметром до 80 мм, резьбовые соединения) 15ез газовых и твердофазных включений в их объеме. Разработано устройство, позволяющее переходить с монолитной части кристалла к трубчатой и обратно. Разработан групповбй процесс выращивания сапфировых тиглей. Ъьфащено до 50 тиглей за один процесс.

Разработана технология выращивания высококачественных полусферических заготовок с малоизменяемой толщиной стенки при одновременном вращении и перемещении затравочного кристалла в.

Определена оптимальная с точки зрения образования малоугловых границ ориентация затравочного кристалла для получения крупногабаритных сапфировых лент высокого качества. Наличие сингулярной грани {0001} на боковых торцах ленты значительно увеличивает диапазон изменения температуры в процессе выращивания за счет высокой устойчивости грани при зацеплении ее за торцы формообразователя.

Разработаны новые тепловые узлы и формообразующие устройства для выращивания крупногабаритных профилированных кристаллов сапфира.

С использованием автоматизированной системы управления получены высококачественные профилированные кристаллы сапфира: ленты шириной до 120 ммтрубы диаметром до 85 ммстержни и ленты с капиллярными каналами диаметром до 0,5 мм.

Разработаны групповые способы выращивания с использованием автоматизированной системы управления. Выращены сапфировые ленты (до 10 кристаллов за один процесс), волокна (до 100 кристаллов за один процесс), трубки и стержни (до 50 кристаллов за один процесс).

Разработанные методики получения пространственных структур переменного состава в профилированных кристаллах сапфира позволили впервые вырастить структуры А1?)з~ А12ОъИъ+ с разницей в концентрации Т13+ составляющей несколько порядков: волокна с легированной центральной частьюпериодические структуры с периодом 5−200 мкм.

Методом внутренней кристаллизации получены и исследованы (механическая прочность, мшфоструктура) следующие волокна: сапфир (А1£>3 ¥-АО ТАР (УАЮз), эвтектика А1£)3- УЖ?^ Применение полученных оксидных волокон в композитах с металлической и: матрицей позволяет повысить температуру жаропрочных материалов, по крайней мере, на 75 °C. Показана также принципиальная возможность использования волокон в керамической матрице. ,.

Апробация работы.

Результаты исследовании докладывались на XI и XII международных конференциях по росту кристаллов (ICCG-XI, Hague, 1995; TCCG-XII, Jerusalem, 1998) — на Совещаниях по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова (Ленинград, 1985; Санкт-Петербзрг, 1993; 1998) — на П международном симпозиуме по моделированию роста кристаллов (Durbuy, 1996) — на международном симпозиуме ЗЕШ CIS (Зелено1рад, 1999) — I на международной конференции по композитным материалам (ГОС№Г2, Paris, 1999) — на Национальной конференции по росту кристаллов (НкНК-2000, Москва, 2000) — на европейской конференции по композитным материалам (ЕССМ-9, Brighton, 2000) — на семинарах по росту кристаллов (Grenoble, 1996, 1997; Beflln, 2001; Harbin, 2001).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 55 работ, в том числе З обзора и 11 патентов и авторских свидетельств.

Объем работы.

Диссертация состоит из введения, 6 глав и выводов по каждой главе, общих выводов по диссертации и библиографии.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

И ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

В ходе развития настоящей работы решалась проблема управления формой и качеством профилированных кристаллов сапфира непосредственно в процессе выращивания. Основные ее результаты заключаются в следующем:

1. Разработан новый метод выращивания кристаллов с использованием некапиллярной подпитки для получения профилированных кристаллов с большим поперечным сечением и кристаллов переменного сечения. В отличие от классического способа Степанова выращивание кристаллов проводится с использованием смачиваемого расплавом формообразователя и отрицательного давления в мениске расплава. Метод некапиллярного формообразования позволяет управлять потоками расплава в мениске и предотвращать образование дефектов" являющихся следствием встречных потоков расплава под фронтом кристаллизации. С использованием метода некапиллярного формообразования получены профилированные кристаллы сапфира постоянного поперечного сечения (стрежни с различной формой поперечного сечения" толстостенные трубы" пластины) и кристаллы с изменяемой формой поперечного сечения (тигли, резьбовые соединения) без газовых и твердофазных включений в их объеме. Предложены и реализованы новые оригинальные приемы получения полусферических заготовок с использованием некапиллярного формообразования.

2. Проведено экспериментальное наблюдение распределения температуры в растущих профилированных кристаллах с использованием методики вращивания термопары в кристалл. Выявлено, что наряду с нелинейным распределением температуры вдоль оси выращивания, характерным для метода ЕБО, в методе выращивания из элемента формы (<дЕ8) добавляется локальное искажение температурного поля над формообразователем. Рассчитанные термоупругие напряжения для ЕЕО и ОЕ8 вариантов максимальны вблизи фронта кристаллизации и могут приводить к пластической деформации и образованию дефектов структуры. Показано, что уровень термоупругих напряжений в СтЕБ варианте не выше, чем в методе ЕБО.

3. Разработаны комплексные подхода для контролируемого получения высококачественных кристаллов сапфира сложных форм с использованием метода выращивания из элемента формы. Для анализа возможных причин образования трещин в кристаллах" выращенных методом выращивания из элемента формы" были использованы результаты численного моделирования изменяющегося во времени напряженного состояния растущего кристалла. На основании модели были выбраны оптимальные соотношения между ростовыми параметрами, ври которых выполняется условие пластической релаксации термоупругих напряжений. Впервые разработана технология выращивания высококачественных полусферических заготовок с малоизменяемой толщиной стенки при одновременном вращении и перемещении затравочного кристалла в вертикальном и горизонтальном направлениях.

4. Впервые сформулированы принципы выращивания профилированных кристаллов в автоматическом режиме с использованием датчика веса. На основе этих принципов разработана автоматизированная система, которая позволяет, наряду с управлением формой, контролировать качество профилированных кристаллов на всех стадиях выращивания (затравливание, разращивание, стационарный рост, изменение профиля и т. д.). Разработан алгоритм автоматизированного процесса затравливания при выращивании профилированных кристаллов с использованием датчика веса. Проведен расчет программной скорости изменения массы на участках разращивания для различных профилей. Использование автоматизированной системы контроля позволяет значительно повысить выход годных кристаллов и расширить области использования профилированных кристаллов.

5. Разработаны новые тепловые зоны для выращивания крупногабаритных профилированных кристаллов сапфира. Показано, что использование пироуглеродных покрытий на графитовых тепловых узлах приводит к увеличению срока службы тепловых зон и повышению качества выращиваемых кристаллов за счет снижения массопереноса графита в зоне кристаллизации. Разработаны и успешно применены формообразующие устройства для выращивания профилированных кристаллов сапфира групповым способом, кристаллов с большими размерами поперечного сечения, кристаллов с продольными капиллярными каналами. Определена оптимальная с точки зрения образования малоугловых границ ориентация затравочного кристалла для получения крупногабаритных сапфировых лент высокого качества.

6. Проведено изучение прочности профилированных кристаллов сапфира различной ориентации, выращенных способом Степанова/EFG и GES методом в диапазоне температур 20−1550°С. Показана зависимость прочности от высоты наращиваемого за один оборот слоя для метода выращивания из элемента формы. В области высоких температур GES кристаллы не уступают по прочности кристаллам профилированного сапфира, выращенного EFG вариантом способа Степанова. Показано, что зарождение трещины в GES кристаллах происходит на дефектах, расположенных в области максимальных напряжений вблизи поверхности кристаллов.

7. Впервые разработана лабораторная технология получения пространственных структур переменного состава в профилированных кристаллах сапфира, выращенных различными вариантами способа Степанова. Разработанные методики позволяют получать регулярные структуры различных типов: менять период в процессе выращивания кристалловосуществлять переход от периодических структур к однородно легированным или нелегированным участкам кристалла. Установлены оптимальные режимы выращивания волокон сапфира переменного состава без газовых и твердофазных включений. Исследован характер распределения включений в зависимости от степени переохлаждения на фронте кристаллизации. Разработанные методики получения пространственных структур переменного состава в профилированных кристаллах сапфира позволили впервые вырастить структуры Al203 -Al203:Ti3+ с разницей в концентрации Ti3+ составляющей несколько порядков: волокна с легированной центральной частьюпериодические структуры с периодом 5200 мкм.

8. На основе метода внутренней кристаллизации разработана новая технология получения однородно ориентированных монокристаллических и эвтектических оксидных волокон, стоимость которых позволяет использовать их для создания жаропрочных композитных материалов, работающих при температурах до 1200−1300°С (металлическая и интерметаллидная матрица) и до 1500−1700°С (керамическая матрица). Методом внутренней кристаллизации получены и исследованы (механическая прочность, микроструктура) следующие волокна: сапфир (А1203), YAG (YsAlsOu), YAP (YAIO3), эвтектика Al?)3- УзА15 012. Применение оксидных полученных волокон в композитах с металлической и матрицей позволяет повысить температуру жаропрочных материалов, по крайней мере, на 75 °C. Показана также принципиальная возможность использования волокон в керамической матрице.

Настоящая работа была начата в лаборатории управляемого роста кристаллов, руководимой Борисом Маровичем Эпельбаумом, а затем продолжена в лаборатории оптической прочности и диагностики кристаллов, руководимой Николаем Владимировичем Классеном. Представленные в диссертации результаты были получены в совместных работах с сотрудниками Института физики твердого тела РАН, Черноголовка (Светлана Викторовна Беленко, Сергей Николаевич Россоленко, Павел Артемович Гуржиянц, Борис Марович Эпельбаум, Сергей Тихонович Милейко, Андрей Александрович Колчин, Вячеслав Михайлович Кийко, Борис Сергеевич Редькин, Михаил Юрьевич Старостин, Виталий Антонович Татарченко и др.), Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург (Петр Иосифович Антонов, Владимир Михайлович Крымов и др.), Института материаловедения, Гренобль (Fred Theodore, Thierry Duffar, Jean-Louis Santailler, Jean Delepine, Jean-Philippe Nabot и др.), Университета Гренобля (Fransua Louchet).

Всем им, а также коллегам по совместной работе в лаборатории автор приносит свою искреннюю признательность и благодарность.

Показать весь текст

Список литературы

  1. «Рубин и сапфир.» под рук. М.В.Классен-Неюподовой, Х. С. Багдасарова -М.: Наука, 1974,236 с.
  2. А.А.Чернов, Е. И. Гиваргизов, Х. С. Багдасаров, В. А. Кузнецов, Л. Н. Демьянец, А. Н. Лобачев «Современная кристаллография.», т. 3, М., «Наука», 1980,407 с.
  3. M.A.Verneuil «Memoire sur la reproduction artificielle du rubis par fusion (Artificial production of rubies by fusion).» Ann. Chim. Phys., v. 3, № 8, 1904, pp. 20−48.
  4. J.Czochralski «Measurement of velocity of crystallization of metals.» Z. Physik. Chem., v. 92,1917, p. 219.
  5. B.Cockayne, M. Chesswas, D.B.Gasson «Single-crystal growth of sapphire.» J. Mater. Sci. v. 2,1967, pp. 7−11.
  6. S.Kimura, K. Kitamura «Growth of oxide crystals for optical applications.» J. Ceram. Soc. Japan, v. 101, № 1, 1993, pp. 22−37.
  7. F. Schmidt, D. Viechnicki «Growth of sapphire disks from the melt by gradient furnace technique.» J. Am. Ceram. Soc., v. 53,1970, pp. 528−529.
  8. F. Schmidt, D. Viechnicki «Crystal growth using the heat exchanger method (HEM).» J.Cryst. Growth, v. 26,1974, pp. 162−164.
  9. C.P.Khattak, A.N.Scoville, F. Schmidt «Recent developments in sapphire growth by heat exchanger method (HEM).» SPIE Proc., v. 683 Infrared and Optical Transmitting Materials, 1986, pp. 32−35.
  10. М.И.Мусатов «Крупные кристаллы оптического корунда нулевой ориентациию.» В сб.: Тезисы докладов 5 Всесоюзного совещания по росту кристаллов, т.2, — Тбилиси, 1977, сс. 281−282.
  11. М.И.Мусатов, Л. ИБелевцева «Крупные кристаллы корунда высокого оптического качества.» Изв. АН СССР, Неорг.мат., т. 12, № 12, 1976, сс. 358−359.
  12. Х.С.Багдасаров «Проблемы синтеза тугоплавких оптических монокристаллов.» в кн. «Рост кристаллов», т. 11, Ереван, 1977, сс. 179 195.
  13. Kh.S.Bagdasarov «Fundamentals of High-Temperature Crystallization «-Crystallography Reports, v. 47, Suppl. 1,2002, pp. S27-S34.
  14. П.И.Антонов «Форма и свойства кристаллов, выращиваемых из расплава по способу Степанова.» Рост кристаллов, М., 1980, т.13, сс. 122−179.
  15. H.E.LaBelle, Jr. «EFG, the invention and application to sapphire growth.» J. Cryst. Growth, v. 50, 1980, pp. 8−17.
  16. П.И.Антонов, Л. М. Затуловский, А. С. Костыгов, Д. И. Левинзон, С. П. Никаноров, В. В. Пеллер, В. А. Татарченко, В. С. Юферев «Получение профилированных монокристаллов и изделий способом Степанова.», под ред. В. Р. Регеля, С. П. Никанорова, Л., «Наука», 1981 г., 280 с.
  17. P.Rudolph «Profilzuchtung von Einkristallen.», Berlin, Akad.-Verl., 1982, 202 P
  18. V.A.Tatarchenko «Shaped Crystal Growth.», Kluver Academic Publishers, Netherlands, 1993,287 p.
  19. P.I.Antonov, S.I.Bakholdin, S.P.Nikanorov «Growth of shaped single crystals of refractory compounds.» Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, v. 16,1988, pp. 19−57.
  20. V.A.Tatarchenko «Shaped Crystal Growth.» in Handbook of Crystal Growth, v. 2, ed. by D.T.J.Hurle, Elsevier Science, 1994, pp. 1011−1110.
  21. T.F.Ciszek «The capillary action shaping technique and its applications.» -Crystals: growth, properties and applications. Ed. by. J. Grabmaier etc., Berlin, v. 5,1981, pp. 109−146.
  22. P.Rudolph, T. Fukuda «Fiber crystal growth from the melt.» Cryst. Res. & Technol., v. 34, No 1,1999, pp. 3−40.
  23. P.I.Antonov, V.N.Kurlov «New advances and developments in the Stepanov method for the growth of shaped crystals» Crystallography Reports, v. 47, Suppl. 1,2002, pp. S43-S52.
  24. H.E.LaBelle, Jr., AXMlavsky «Growth of sapphire filaments from the melt.» -Nature, v. 216, No 3115,1967, pp. 574−575.
  25. H.E.LaBelle, Jr., A.I.Mlavsky «Growth of controlled profile crystals from the melt. Part I. Sapphire filaments.» Mat. Res. Bull., v. 6, No 7, 1971, pp. 571 580.
  26. H.E.LaBelle, Jr. «Growth of controlled profile crystals from the melt. Part П. Edge-defined, film-fed growth (EFG).» Mat. Res. Bull., v. 6, No 7, 1971, pp. 581−590.
  27. B.Chalmers, H.E.LaBelle, Jr., A.I.Mlavsky «Growth of controlled profile crystals from the melt. Part Ш. Theory.» Mat. Res. Bull., v. 6, No 7,1971, pp. 681−690.
  28. B.Chalmers, H.E.LaBelle, Jr., A.I.Mlavsky «Edge-defined, film-fed crystal growth.» J. Ciyst. Growth, v. 13/14,1972, pp. 84−87.
  29. Л.П.Егоров, Л. М. Затуловский, Д. Я. Кравецкий и др. «Аппаратурное оформление процесса выращивания профилированных кристаллов сапфира способом Степанова.» Изв. АН СССР, сер. физ., т. 43, № 9,1979, сс. 1947−1953.
  30. R.E.Novak, R. Metzl, A. Dreeben, S. Berkman, D.L.Patterson «The production of EFG sapphire ribbon for heteroepitaxial silicon substrates.» J. Ciyst. Growth, v. 50,1980, pp. 143−150.
  31. K.Wada, K. Hoshikawa «Growth and characterization of sapphire ribbon crystals.» J. Cryst. Growth, v. 50,1980, pp. 151−159.
  32. J.Jindra, J. Filip, B. Manek «Multiple growth of profiled sapphire crystals.» J. Cryst. Growth, v. 82,1987, pp. 100−105.
  33. В.Ф.Перов, В. С. Папков, И. А. Иванов «Дефекты в лентах сапфира, полученных способом Степанова.» Изв. АН СССР, сер. физ., т. 43, № 9, 1979, сс. 1977−1981.
  34. E.R.Dobrovinskaya, L.A.Litvinov, V.V.Pishchik «Morphology and structural perfection of shaped sapphire.» J. Cryst. Growth, v. 50,1980, pp. 341−344.
  35. Nicoara D., Nicoara I. Growth and characterization of shaped sapphire crystals. J. Cryst. Growth, v. 82,1987, pp. 95−99.
  36. A.I.Mlavsky, N. Pandiscio «Method of growing crystalline bodies from the melt.» US Patent, No 3 868 228,1975.
  37. Д.Я.Кравецкий, Л. П. Егоров, Л. М. Затуловский и др. «Получение способом Степанова профилированных кристаллов корунда и граната и некоторые области их применения.» Изв. АН СССР, сер. физ., т. 44, № 2, 1980, сс. 378−385.
  38. В.А.Бородин, Т. А. Стериополо, В. А. Татарченко «Выращивание профилированных кристаллов сапфира способом вариационного формообразования.» В кн.: Рост кристаллов, т. 15, М.: Наука, 1986, сс. 170−175.
  39. V.A.Borodin, V.V.Sidorov, T.A.Steriopolo, V.A.Tatarchenko «Variable shaping Growth of refractory oxide shaped crystals.» J. Cryst. Growh, v. 82, No 1,1987, pp. 89−94.
  40. M.Greul «Innovative economic process for the rapid prototyping of near net shape metal and ceramic parts.» Mat. Tech., 1996, April, pp. 140−142.
  41. Ю.Г .Носов, П. И. Антонов С.П.Никаноров «Способ получения монокристаллических трубок и устройство для его осуществления.» -Авторское свидетельство, № 1 306 173,1985.
  42. В.А.Бородин, В. В. Сидоров, Т. А. Стериополо, В. А. Татарченко, Т. Н. Яловец «Исследование процесса кристаллизации способом локального формообразования и создание установки «Кристаллизационный центр». -Изв.АН СССР, сер.физ., т. 52, № Ю, 1988, сс. 2009−2016.
  43. В.А.Бородин, В. В. Сидоров, Т. Н. Яловец «Выращивание сапфировых труб способом локального формообразования.» Кристаллография, т. 35, вып.1, 1990, сс. 185−189.
  44. V.A.Borodin, V.V.Sidorov, S.N.Rossolenko, T.A.Steriopolo, V.A.Tatarchenko, T.N.Yalovets «Local shaping technique and new growth apparatus for complex sapphire products.» J. Ciyst. Growth, v. 104,1990, pp.69−76.
  45. B.M.Epelbaum, K. Shimamura, V.V.Kochurikhin, T. Fukuda «On the potentiality of local shaper technique for multicomponent oxide crystal growth.» Ciyst. Res. & Technol., v. 33, No 5,1998, pp. 787−792.
  46. Л.Н.Дмитрук, В. И. Шелюбский «Многокалиллярное выращивание волокон сапфира.» Кристаллография, т. 24, № 5,1979, сс. 876−878.
  47. R.S.Feigelson «Pulling optical fibers.» J. Cryst. Growth, v. 79, 1986, pp. 669 680.
  48. S.T.Mileiko, V.I.Kazmin «Crystallization of fibres inside a matrix: a new way of fabrication of composites.» J. Mater. Sci., v. 27,1992, pp. 2165−2172.
  49. S.T.Mileiko, V. LKazmin «Structure and mechanical properties of oxide fibre reinforced metal matrix composites produced by the internal crystallization method.» Сотр. Sci. Tech., v. 45, 1992, pp. 209−220.
  50. В.А.Тиллер «Теория и практика выращивания кристаллов.» М.: Металлургиздат, 1968,294 с.
  51. Я.Е.Гегузин, А. С. Дзюба «Выделение газа, формирование и захват газовых пузырьков на фронте кристаллизации из расплава.» Кристаллография, т. 22, в. 2,1977, сс. 348−353.
  52. S.Miyazawa «Fluid-flow effect on gas-bubble entrapment in Czochralski-grown oxide crystals.» J. Crystal Growth, v. 49,1980, pp. 515−521.
  53. J.P.Kalejs «Impurity redistribution in EFG.» J. Crystal Growth, v. 44, No 3, 1978, pp. 329−335.
  54. V.A.Borodin, T.A.Steriopolo, V.A.Tatarchenko, T.N.Yalovets «Control over gas bubble distribution in shaped sapphire crystals.» Cryst. Res. & Technol., v. 20, No 3, 1985, pp. 301−306.
  55. Т.Н.Яловец, Л. В. Бондаренко, В. А. Бородин, Т. А. Стериополо «Основные типы пор в профилированном сапфире и механизмы их образования.»
  56. Материалы всесоюзного Совещания по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. Ленинград 16−18 марта 1988 г., Ротапринт, ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград, 1989 г., сс. 47−57.
  57. В.Н.Курлов «Выращивание профилированных кристаллов с использованием некапиллярной подпитки.» Известия Академии Наук, серия физическая, т. 58, №.9, 1994, сс. 5−11.
  58. В.В.Кафаров «Анализ процессов массопередачи на основе представления о межфазной турбулентности.» в кн.: Тепло- и массоперенос, т. 2, Минск, из-во АН БССР, 1962, сс. 152−160.
  59. V.N.Kurlov «The noncapillary shaping (NCS) method a new method of the crystal growth.» — J. Ciyst. Growth, v. 179,1997, pp. 168−174.
  60. V.N.Kurlov «Production of shaped sapphire crystals by NCS method.» The Twelfth International Conference on Crystal Growth (ICCG ХП), Jerusalem, Israel, July 26−31,1998, Abstracts, p. 10.
  61. В.Н.Курлов, Б. С. Редькин «Способ выращивания профилированных кристаллов сложных оксидов», А.С. СССР № 1 691 433, пр. 14.03.1989.
  62. В.Н.Курлов, С. В. Беленко, С. Н. Россоленко «Контроль и предотвращение образования газовых включений при выращивании профилированных кристаллов сапфира.» Материаловедение, 2003.
  63. И.В.Алябьев, С. В. Артемов, В. СЛапков, В. Ф. Перов «Способ получения монокристаллических профилированных изделий из сапфира.» А.с. № 1 362 093, пр. от 28.04.86.
  64. В.Н.Курлов «Способ выращивания профилированных кристаллов», Патент РФ № 2 077 616, пр. 9.06.1994.
  65. П. А. Гуржиянц, В. Н. Курлов, G.H. Россоленко «Выращивание крупногабаритных сапфировых тиглей различными вариантами метода Степанова.» Тезисы IX Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2000), Москва, 15−20 октября 2000, с. 26.
  66. В.Н.Курлов, П. А. Гуржиянц, С. Н. Россоленко «Выращивание крупногабаритных сапфировых тиглей методом некапиллярного формообразования.» Материаловедение, 2003.
  67. D.C.Harris «Frontiers in infrared window and dome materials.» SPIE, v. 2552, 1995, pp. 325−335.
  68. R.L.Gentilman «Current and emerging materials for 3−5 micron Ж transmission.» SPIE Proc., v. 683 Infrared and Optical Transmitting Materials, 1986, pp. 2−11.
  69. W.L.Wolfe «Optical materials for the infrared.» SPIE Proc., v. CR38 Critical reviews, 1991, pp. 55−68.
  70. J.A.Cox, D. Greenlaw, G. Terry, K. McHenry, L. Fielder «Comparative study of advanced Ж transmissive materials.» SPIE Proc., v. 683 Infrared and Optical Transmitting Materials, 1986, pp. 49−62.
  71. P.C.Archibald, D.K.Burge «Optical measurements on advanced performance domes.» SPIE Proc., v. 505 Advances in Optical Materials, 1984, pp. 52−56.
  72. A.Horowitz, S. Biderman, G. Ben-Amar, U. Laor, M. Weiss, A. Stern «The growth of single crystals of optical materials via the gradient solidification method.» -J. Cryst. Growth, v. 85,1987, pp. 215−222.
  73. S.Biderman, A. Horowitz, YJEinav, G. Ben-Amar, D. Gazit, A. Stern, M. Weiss «Production of sapphire domes of near net shape single crystals.» SPIE, v. 1535 Passive Materials for Optical Elements, 1991, pp. 27−34.
  74. A.Horowitz, S. Biderman, D. Gazit, Y. Einav, G. Ben-Amar, M. Weiss «The growth of dome-shaped sapphire crystals by the gradient solidification method (GSM).» J. Cryst. Growth, v. 128,1993, pp. 824−828.
  75. A.Horowitz, S. Biderman, Y. Einav, G. Ben-Amar, D. Gazit «Improved control of sapphire crystal growth.» J. Cryst. Growth, v. 167,1996, pp. 183−189.
  76. F. Schmidt, C.P.Khattak «Current status of sapphire technology for window and dome applications.» SPIE Proc., v. 1112 Window and Dome Technologies and Materials, 1989, pp. 25−30.
  77. C.P.Khattak, F. Schmid «Growth of near-net-shaped sapphire domes using the heat exchanger method.» Materials Letters, v. 7, No 9,10,1989, pp. 318−321.
  78. C.P.Khattak, F. Schmid «Production of near-net-shaped sapphire domes using the heat exchanger method (HEM).» SPIE Proc., v. 1760 Window and Dome Technologies and Materials HI, 1992, pp. 41−47.
  79. H.E.LaBelle, Jr. «Producing single crystal sapphire domes by the EFG method.» Fourth Quarter and Final Report, Contract No. N60530−85-C-0141, 1986. Work performed for the naval Weapons Center, China Lake CA 93 555.
  80. J.W.Locher, H.E.Bennett, P.C.Archibald, C.T.Newmyer «Large diameter sapphire dome: fabrication and characterization.» SPIE Proc., v. 1326 Window and Dome Technologies and Materials П, 1990, pp. 2−6.
  81. J.W.Locher, H.E.Bates, W.C.Severn, B. GPazol, A.C.DeFranzo «80 mm EFG sapphire dome blanks yield high quality, low cost single crystal dome.» SPIE Proc., v. 1760 Window and Dome Technologies and Materials Ш, 1992, pp. 4854.
  82. В.Н.Курлов, Б. М. Эпельбаум «Способ выращивания монокриеталлических сапфировых полусферических заготовок.», Патент РФ № 2 078 154, пр. 22.09.1994.
  83. V.N.Kurlov, B. M Epelbaum «Fabrication of near-net-shaped sapphire domes by noncapillary shaping method.» J. Cryst. Growth, v. 179,1997, pp. 175−180.
  84. B.H. Курлов «Выращивание сапфировых полусферических заготовок из расплава» Тезисы IX Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2000), Москва, 15−20 октября 2000, с. 193.
  85. P.I.Antonov, S. LBakholdin, E.A.Tropp, V.S.Yuferev «An experimental and theoretical study of temperature distribution in sapphire crystals grown from the melt by Stepanov’s method.» J. Ciyst. Growth, v. 50,1980, pp. 62−68.
  86. А.Л.Алишоев, Л. М. Затуловский, Ю. К. Лингарт, Д. Л. Шур «Прямое экспериментальное исследование распределения температуры в профилированных кристаллах сапфира при варьируемых условиях выращивания.» Изв. АН СССР, сер. физ., т. 52, № 10, 1988, сс. 19 851 987.
  87. А.Л.Алишоев, Л.М.За1уловский, Ю. К. Лингард, Д. Л. Шур «Прямое экспериментальное исследование распределения температуры в профилированных кристаллах сапфира при варьируемых условиях выращивания.» Изв. АН СССР, сер. физ., т. 52,1988, № 10, сс. 1985−1987.
  88. V.M.Krymov, V.N.Kurlov, P.I.Antonov, F. Theodore, J. Delepine «Temperature distribution near the interface in sapphire crystals grown by EFG and GES methods.» J. Cryst. Growth, v. 198/199,1999, pp. 210−214.
  89. K.Lagerlof, A. Heuer, J. Casting, J. Riviere, G. Mitchell «Slip and twinning in sapphire.» J. Am. Ceram. Soc., v. 77, No 2,1994, pp. 385−397.
  90. F.Theodore, T. Duffar, JX. Santailler, J. Pesenti, M. Keller, P. Dusserre, F. Louchet, V.N.Kurlov, «Crack generation and avoidance during the growth of sapphire domes from an element of shape.» J. Cryst. Growth, v. 204,1999, pp. 317−324.
  91. P.A.Gmjiyants, M.Yu.Starostin, V.N.Kurlov, F. Theodore, J. Delepine «Effect of growth conditions on the strength of shaped sapphire.» J. Cryst. Growth, v. 198/199,1999, pp.227−231.
  92. J.T.APollock, G.F.Hurley «Dependence of room temperature fracture strength on strain rate in sapphire.» J. Mater. Sci., v. 8,1973, pp. 1595−1602.
  93. H.Conrad «Mechanical behavior of sapphire.» J. Amer. Ceram. Soc., v. 48/4, 1964, pp. 195−201.
  94. R.W.Rice «Corroboration and extension of analysis of c-axis sapphire filament fractures from pores.» J. Mater. Sci. Lett., v. 16,1997, pp. 202−205.
  95. T.Bretheau, J. Castaing, J. Rabier, P. Veyssiere 'Mouvement des dislocations et plasticite a haute temperature des oxides binaries et ternaries.» -Advances in Physics, v. 28,1979, pp. 835−1014.
  96. G.F.Hurley, J.T.A.Pollock «Mechanical and structural characterization of sapphire ribbons and continuous filaments.» Metallurgical Transactions, v. 3, 1972, p. 397−402.
  97. V.N.Kurlov, F. Theodore «Growth of sapphire crystals of complicated shape.» Cryst. Res. & Technol., v. 34, N 3,1999, pp.293−300.
  98. B.S.Fraser, A. Hemingway «High performance faceted domes for tactical and strategic missiles.» SPIE Proc., v. 2286,1992, pp. 485−492.
  99. F.Theodore, J. Delepine, J.P. Nabot, V.N.Kurlov «Filiere pour le tirage de monocristaux a partir d’un bain fondu.» CEA Patent N 9 712 680 du 10 Oktobre 1997.
  100. Ф.Теодор, Т. Дюффар, Ж. Л. Санталье, Ж. Песенти, М. Келлер, П. Дюссер, Ф. Люше, В. Н. Курлов «Выращивание сапфировых полусфер GES методом.» Известия Академии Наук, серия физическая, т. 63, №.9, 1999, сс. 1687−1693.
  101. М.Ю.Старостин, П. А. Гуржиянц, В. Н. Курлов, Ф. Теодор «Прочность сапфира, выращенного различными вариантами метода Степанова.» -Известия Академии Наук, серия физическая, т. 63, № 9, 1999, сс. 17 471 754.
  102. D.C.Harris, F. Schmid, J.J.Mecholsky, Y.L.Tsai SPIE., v. 2286, 1994, pp. 16.
  103. J.W.Fisher, W.R.Compton, N. A. Jaeger, D.C.Harris SPIE Proc., v. 1326, 1990, pp. 11.
  104. J.T.A.Pollock, G. Hurley J. Mat. Sci., v. 8,1973, pp. 1595.
  105. G.H.Hurley Appl. Polym. Symp., v.21,1973, pp. 121.
  106. М.Ю.Старостин, Т. Н. Яловец, А. Ж. Розенфланц, В. А. Бородин -Известия Академии Наук, серия физическая, т. 58, №.9,1994, сс. 57.
  107. В.А.Иванцов, В. И. Николаев, Р. С. Чуднова, В. В. Шпейзман Известия Академии Наук, серия физическая, т. 58, №.9,1994, сс. 63.
  108. R.M.Cannon in Adv. in Ceramics, v. 10. Structure and properties of MgO and AI2O3 ceramic. Ed. Kingery. American Ceramic Society, 1984, p. 819.
  109. V.A.Tatarchenko, T.N.Yalovets, G.A.Satunkin, L.M.Zatulovsky, L.P.Egorov, DYa. Kravetsky «Defects in shaped sapphire crystals.» J. Cryst. Growth, v. 50,1980, pp. 335−340.
  110. W.Bardsley, D.T.J.Hurle, G.C.Joyce «Weighing method of automatic Czochralski crystal growth. 1. Basic theory.» J. Cryst. Growth, v. 40, No 1, 1977, pp. 13−20.
  111. D.T.J.Hurle, B. Cockayne «Czochralski growth.» in Handbook of Crystal Growth, v. 2, ed. by D.T.J.Hurle, Elsevier Science, 1994, pp. 99−211.
  112. S.N.Rossolenko, I.S.Pet'kov, V.N.Kurlov, B.S.Red'kin «Servo-controlled crystal growth by the Czochralski method estimating the state vector of the controlled object.» J. Cryst. Growth, v. 116,1992, pp. 185−190.
  113. V.N.Kurlov, S.N.Rossolenko «Growth of shaped sapphire crystals using automated weight control.» J. Cryst. Growth, v. 173,1997, pp. 417−426.
  114. V.N.Kurlov, S.N.Rossolenko, S.V.Belenko «Growth of sapphire core-doped fibers.» J. Cryst. Growth, v. 191, 1998, pp. 520−524.
  115. В.Н.Курлов, С. Н. Россоленко «Выращивание крупногабаритных сапфировых лент для использования в оптике.» Известия Академии Наук, серия физическая, т. 63, №.9,1999, сс. 1711−1718.
  116. В.Н.Курлов, Б. М. Эпельбаум, С. Н. Россоленко «Эффективные приемы выращивания крупногабаритных кристаллов сапфира.» Известия Академии Наук, серия физическая, т. 63, №.9,1999, сс. 1705−1710.
  117. V.N.Kurlov, S.N.Rossolenko «Growth of shaped sapphire crystals using automated weight control.» Proceedings of 2nd international Workshop on Modelling in Crystal Growth, Durbuy, Belgium, 13−16 October, 1996, pp.195 197.
  118. В.А.Татарченко «Устойчивый рост кристаллов.» Москва, Наука, 1988, с. 135.
  119. П.И.Антонов, И. Л. Шулытина, С. И. Бахолдин, В. П. Власов, М. П. Щеглов «Формирование реальной структуры кристаллов лейкосапфира сложного профиля на начальном этапе роста.» Изв. АН, сер. физ., т. 58, № 9, 1994, сс. 42−51.
  120. П.И.Антонов, С. И. Бахолдин, Е. В. Галактионов, Э. А. Тропп «Влияние анизотропии на термоупругие напряжения, возникающие при выращивании профилированных монокристаллов.» Изв. АН СССР, сер. физ., т. 44, № 2,1980, с. 255−268.
  121. В.В.Воронков «Огранение кристаллов, вытягиваемых из расплава.» -Изв. АН СССР, сер. физ., т. 47, № 2,1983, сс. 210−218.
  122. T.N.Yalovets, P.A.Guijiyants, V.N.Kurlov, F. Theodore, J. Delepine «One of the possibilities to improve optical quality of as-grown shaped sapphire crystals» Cryst. Res. & Technol., v. 34,1999, No. 7, pp. 821−824.
  123. F.Theodore, T. Duffar, F. Louchet «Modelling plastic stress relaxation in shaped sapphire crystal growth.» J. Cryst Growth., v. 198/199,1999, pp. 232 238.
  124. F.Theodore «Preformage de cristaux de saphir optique. Optimisation de la croissance hors fissuration par simulation numerique du probleme thermomecanique.» These pour obtenir le grade de doctor, CEA Grenoble, 1998, p. 214.
  125. Б.С.Редькин, В. Н. Курлов, В. А. Татарченко «Устройство для выращивания ленточных кристаллов», А.С. СССР № 1 332 892, пр. 1.08.1985.
  126. I.S.Pet'kov, B.S.Red'kin «Stability analysis of movable menisci.» J. Cryst. Growth, v. 104,1990, pp. 20−22.
  127. В.Н.Курлов «Выращивание ленточных кристаллов молибдата гадолиния способом Степанова.» Известия Академии Наук, серия физическая, т. 58, №.9,1994, сс. 101−106.
  128. V.N.Kurlov «Last developments in sapphire shaped crystal growth.» SEMI CIS Executive Mission and Exhibit, Zelenograd, Russia, May 17−19, 1999, Abstracts, pp. 44−45.
  129. ГШ.Антонов «Физические основы управления формой и структурой профилированных кристаллов.» Диссертация на соискание доктора физ.-мат. наук, Ленинград, 1982 г., 458 с.
  130. V.N.Kurlov, B.M.Epelbaum «EFG growth of sapphire tubes up to 85 mm in diameter.» J. Cryst. Growth, v. 187,1998, pp. 107−110.
  131. V.N.Kurlov, S.N.Rossolenko «Multi-crystal growth of sapphire by the Stepanov with use of computer control.» The Eleventh International Conference on Crystal Growth (ICCG XI), The Hague (The Netherlands), 1823 June, 1995, Abstracts, p. 488.
  132. A.M.Bilgic, E. Voges, U. Engel, J.A.C.Broekaert «A low-power microwave induced helium plasma source at atmospheric pressure based on microstrip technology.» J. Anal. At. Spectrom., v. 72,2000, pp. 579−580.
  133. G.A.Satunkin, S.N.Rossolenko, V.N.Kurlov, B.S.Red'kin, V.A.Tatarchenko, A.M.Avrutik «Algorithm for the transitional portions during the CZ crystal growth using a computer control.» Cryst Res. & Technol., v. 21, 1986, pp. 1257−1264.
  134. А.А.Каминский, Л. К. Каминов и др. «Физика и спектроскопия лазерных кристаллов.» М., Наука, 1986, 272 с.
  135. T.Fukuda, Y. Okano, N. Kodama, F. Yamada, S. Hara, D.H.Yoon «Growth of bubble-free /'/-doped Al/)3 single crystal by Czochralski method. Cryst Res. Technol., v. 30, No 1, 1995, pp. 185−188.
  136. Г. С.Круглик, Г. А. Скрипко, А. П. Шкадаревич, Н. В. Кондратюк, Э. А. Жданов «Генерационные характеристики лазера на кристаллео ,
  137. Al?>3.Ti при когерентной накачке.» Квантовая электроника, т. 13, № 6, 1986, сс. 1207−1213.
  138. V.N.Kurlov, S.V.Belenko «Growth sapphire shaped crystals with continuously modulated dopants.» J. Cryst. Growth, v. 191, 1998, pp. 779 782.
  139. V.N.Kurlov, S.V.Belenko «In situ preparing of bulk crystals with regularly doped structures.» Advanced Materials, v. 7,1998, pp. 539−541.
  140. В.Н.Курлов, С. В. Беленко «Получение периодических структур в профилированных кристаллах сапфира, активированных ионами П^, Сг3+» Неорганические материалы, т. 34, № 5,1998, сс. 697−699.
  141. С.В.Беленко «Выращивание профилированных кристаллов сапфира с пространственными структурами переменного состава.» Кандидатская диссертация, Черноголовка, 2001,118 с.
  142. B.S.RedTrin, V.N.Kurlov, V.A.Tatarchenko «The Stepanov growth of LiNb03 crystals.» J. Cryst. Growth, v. 82, 1987, pp. 106−110.
  143. Б.С.Редькин, В. Н. Курлов, В. А. Татарченко «Получение профилированных кристаллов ниобата лития с регулярной доменной структурой.» Известия АН СССР, сер. физ., т. 49, № 12, 1985, сс. 24 122 414.
  144. В.Н.Курлов, Б. С. Редышн, В. А. Татарченко «Устройство для выращивания ленточных кристаллов», АС. СССР № 1 385 881, пр. 16.05.1986.
  145. В.Н.Курлов, Б. СРедькин, В. А. Татарченко «Устройство для выращивания ленточных кристаллов», А.С. СССР № 1 385 657, пр. 16.05.1986.
  146. В.Н.Курлов, Б. С Редькин «Устройство для выращивания кристаллов», А.С. СССР № 1 609 205, пр. 11.11.1988.
  147. В.Н.Курлов, Б. С. Редькин, В. А. Татарченко «Устройство для выращивания ленточных кристаллов из расплава», А.С. СССР № 1 415 821, пр. 16.05.1986.
  148. С.В.Беленко, В. Н. Курлов «Получение in situ модулированных структур в профилированных кристаллах сапфира» Тезисы IX Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2000), Москва, 15−20 октября 2000, с. 25.
  149. В.Н.Курлов, С. В. Беленко «Устройство для выращивания кристаллов в виде стержней и трубок из расплава.» Патент РФ № 2 178 469, пр. 18.02.2000.
  150. K.Shimamura, N. Kodamo, T. Fukuda «A new crystal growth method for in situ core doping.» J. Cryst. Growth, v. 142,1994, pp. 400−402.
  151. P.Rudolph, K. Shimamura, T. Fukuda «The radial selectivity of in-situ core-doped crystal rods grown by the double die EFG method.» Cryst. Res. Technol., v. 29, No 6,1994, pp. 801−807.
  152. Л.Н.Дмитрук «О выращивании волокон галогенидов тяжелых металлов переменного состава методом Степанова.» Известия АН СССР, сер. физ., т. 49, № 12, 1985, сс. 2432−2434.
  153. В.Н.Курлов, СВ. Беленко «Получение различных комбинаций структур переменного состава в профилированных кристаллах сапфира модифицированными EFG и NCS методами.» Неорганические материалы, т. 34, № 12,1998, сс. 1461−1465.
  154. W.W.Mullins, R.F.Sekerka «Stability of a planar interface during solidification of a dilute binary alloy.» J. Appl. Phys., v. 35, No 2,1964, pp. 444−451.
  155. В.Н.Курлов, Б. С. Редькин, В. А. Татарченко «Устройство для выращивания ленточных кристаллов», А.С. СССР № 1 376 629, пр. 16.05.1986.
  156. V.N.Kurlov, V.M.Kiiko, A.A.Kolchin, S.T.Mileiko «Sapphire fibers grown by a modified internal crystallization method.» J. Cryst. Growth, v. 204,1999, pp. 499−504.
  157. V.N.Kurlov, S.T.Mileiko, A.A.Kolchin, M.Yu.Starostin, V.M.Kiiko «Growth of oxide fibers by the internal crystallization method» -Crystallography Reports, Vol. 47, Suppl. 1, 2002, pp. S53-S62.
  158. V.M.Kiiko, S.T.Mileiko «Evaluation of room temperature strength of oxide fibres produced by the internal crystallization method.» Compos. Sci. and Technol., v. 59,1999, pp. 1977−1981.
  159. R.Asthana, S.N.Tewari, S.L.Draper «Strength degradation of sapphire fibers during pressure casting of a sapphire-reinforced M-base superalloy.» Metall. Mater. Trans., v. 29A, 1998, pp. 1527−1530.
  160. A.A.Kolchin, D.B.Skvortsov, G.M.Strukova, V.N.Kurlov «Coating ICM-oxide fibers in a bundle by metal and compaund layers.» Proceedings of the International Conference on Composite Materials, ICCM-12, Paris, France, July 1999.
  161. S.T.Mileiko «Oxide fibres.» in: Strong Fibres (Handbook of Composites, Vol.1), eds. W.W.Watt and B.V.Perov (North-Holland, Amsterdam), 1985, pp. 87−114.
  162. S.T.Mileiko «Metal and ceramic based composites.» Elsevier, Amsterdam, 1997, 704 p.
  163. S.T.Mileiko, V.N.Kurlov, A.A.Kolchin, V.M.Kiiko «Fabrication, properties and possible usage of single-crystalline YAG fibers.» J. European Ceram. Soc., v. 22, 2002, pp. 1831−1837.
  164. S.T.Mileiko, V.N.Kurlov, A.A.Kolchin, M.Yu.Starostin, V.M.Kiiko, D. Hui «Oxide fibres for structural and smart composites.» Proceedings of the European Conference on Composite Materials ECCM-9, Brighton, England, June 2000.
  165. S.T.Mileiko, V.M.Kiiko, A.A.Kolchin, A.V.Serebryakov, V.P.Korzhov, M.Yu.Starostin, N.S.Sarkissyan «Oxide-fibre/Ni-based matrix composites I: Fabrication and microstructure.» — Compos. Sci. Technol., v. 62, 2002, pp. 167 179.
  166. S.T.Mileiko, V.M.Kiiko, A.A.Kolchin, V.P.Korzhov, V.M.Prokopenko «Oxide-fibre/M-based matrix composites II: Mechanical behaviour.» -Compos. Sci. Technol., v. 62, 2002, pp. 180−194.
  167. S.T.Mileiko «Oxide-fibre/M-based matrix composites ID: A creep model and analysis of experimental data.» — Compos. Sci. Technol., v. 62, 2002, pp. 195−204.
  168. A.A.Kolchin, V.M.Kiiko, N.S.Sarkissyan, S.T.Mileiko «Oxide/oxide composites with fibres produced by using internal crystallization method.» -Compos. Sci. and Technol., v. 61, 2001, pp. 1079−1082.
  169. S.T.Mileiko, V.M.Kiiko, A.A.Kolchin, V.N.Kurlov «Oxide fibers produced by internal crystallization method and their usage in oxide-matrix composites» Proceedings of the Conference on High Temperature Ceramic Matrix Composites 4, Munich, October 2001.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!