Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Управление рельефом поверхности самоупорядоченных глобулярных микроструктур для изделий электронной техники

Диссертация: Управление рельефом поверхности самоупорядоченных глобулярных микроструктур для изделий электронной техники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Автором лично проведен аналитический обзор современного состояния самоупорядоченных регулярных микроструктур с целью их применения в изделиях электронной техники. Определены требования к рельефу поверхности синтетических опаловых матриц для их использования в автоэмиссионных катодах. На основании данных требований предложена методика модификации рельефа поверхности синтетической опаловой матрицы… Читать ещё >

Управление рельефом поверхности самоупорядоченных глобулярных микроструктур для изделий электронной техники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ САМОУПОРЯДОЧЕННЫХ СТРУКТУР В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ
    • 1. 1. Самоупорядоченные глобулярные структуры
    • 1. 2. Требования к автоэмиссионным катодам
    • 1. 3. Автоэмиссионные наноструктуры
    • 1. 4. Приборы на основе автоэмиссионных структур
    • 1. 5. Тенденции развития автоэмиссионных катодов
  • ВЫВОДЫ К ПЕРВОЙ ГЛАВЕ
  • ГЛАВА 2. ФОРМИРОВАНИЕ АВТОЭМИССИОННОГО РЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ СИНТЕТИЧЕСКОЙ ОПАЛОВОЙ МАТРИЦЫ
    • 2. 1. Общие требования к автоэмиссионным материалам и их поверхности
    • 2. 2. Модификация рельефа поверхности синтетической опаловой матрицы методами вакуумного осаждения тонкопленочных покрытий и ионного травления
      • 2. 2. 1. Модификация рельефа поверхности синтетической опаловой матрицы осаждением тонкопленочных покрытий
      • 2. 2. 2. Модификация рельефа поверхности опаловой матрицы ионным травлением
      • 2. 2. 3. Формирование автоэмиссионного рельефа комбинацией методов осаждения и травления
    • 2. 3. Моделирование процесса модификации рельефа поверхности опаловой матрицы
  • ВЫВОДЫ ПО ВТОРОЙ ГЛАВЕ
  • ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАДАННОГО РЕЛЬЕФА ПОВЕРХНОСТИ
    • 3. 1. Вакуумный универсальный пост
    • 3. 2. Магнетронная распылительная система на постоянном токе
    • 3. 3. Автономный источник ионов
    • 3. 4. Дуговой испаритель торцевого типа
    • 3. 5. Технологические варианты реализации процесса модификации рельефа поверхности синтетических опаловых матриц
  • ВЫВОДЫ К ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ
  • ГЛАВА 4. ФОРМИРОВАНИЕ АВТОЭМИССИОННОГО РЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ СИНТЕТИЧЕСКОЙ ОПАЛОВОЙ МАТРИЦЫ ВАКУУМНЫМИ МЕТОДАМИ
    • 4. 1. Строение, свойства и формирование опаловых матриц
    • 4. 2. Модифицирование термическим испарением
    • 4. 3. Модифицирование магнетронным распылением
    • 4. 4. Модифицирование рельефа поверхности опаловых матриц методами ионно-лучевого травления
      • 4. 4. 1. Травление исходной опаловой матрицы
      • 4. 4. 2. Травление модифицированной методами вакуумного осаждения опаловой матрицы
    • 4. 5. Альтернативные способы использования модифицированных опаловых матриц в изделиях автоэмиссионной электроники
      • 4. 5. 1. Автоэмиссионные катоды на углеродных нанотрубках
      • 4. 5. 2. Автоэмиссионные катоды на инверсном опале
  • ВЫВОДЫ ПО 4-Й ГЛАВЕ

Уменьшение геометрических размеров элементов и приборов микроэлектроники с сохранением требуемых значений выходных параметров всегда являлось актуальной задачей. В последнее время, в связи с бурным развитием нанотехнологий, отдельные фрагменты электронных приборов, а иногда и сами приборы целиком выполнены в нанометровом масштабе.

Одной из отличительных особенностей объектов микроэлектроники является регулярность расположения элементов (транзисторов, эмиссионных центров, микропор, и др.). Формирование таких упорядоченных структур микро и нанометрового диапазона на данный момент осуществляется различными литографическими методами. Однако данные методы работают уже на пределе своих возможностей, что приводит к увеличению общей трудоемкости их изготовления и удорожанию технологии. Во всем мире осуществляется активный поиск и разработка новых технологий, основанных на физических процессах самоорганизации систем, которые позволили бы повысить разрешающую способность и технологичность. Благодаря достижениям в области технологий создания самоорганизующихся упорядоченных наноструктур (фуллеренов, углеродных нанотрубок, нанопористого анодного оксида алюминия, синтетических опаловых матриц и др.) в последние годы появилось большое количество исследований, посвященных их применению в микрои наноэлектонике. Причем некоторые структуры (фуллерены, нанотрубки) могут использоваться самостоятельно, тогда как другие (нанопористый анодный оксид алюминия, синтетическая опаловая матрица) являются основой и требуют дальнейшей модификации с использованием дополнительных технологических операций.

Наиболее ярким и актуальным применением, в котором требуются как упорядоченность элементов, так и форма каждого элемента, являются автоэмиссионные катоды, являющиеся компонентами ряда приборов микроэлектроники (вакуумные диоды, триоды, ЭЛТ, ионные источники, FED дисплеи и т. д.) — Основные преимущества вакуумных автоэлектронных приборов перед полупроводниковыми приборами и приборами, основанными на термоэмиссии, обусловлены физической природой автоэлектронной эмиссии: малая инерционность, высокая стойкость к воздействию температуры и радиации, низкие напряжения, малый разброс энергий электронов. Также для автоэлектронных микроприборов характерно сверхвысокое быстродействие вследствие переноса электронов от катода к аноду за очень короткое время (менее одной пикосекунды).

Классическими автоэмиссионными материалами являются элементы вольфрам (W), углерод ©, и некоторые соединения (например, LaB6 и А1203). Особое внимание из этих материалов в последнее время уделяется углероду в связи с его особыми структурами — углеродными нанотрубками.

В качестве материала основы (подложки), как привило, используют кремниевые и стеклянные пластины — для планарных катодов большой площади, либо конструкционные материалы (металлы) для катодов электровакуумных приборов. Однако общим является то, что поверхность основы — гладкая, а автоэмиссионный рельеф формируется литографическими методами.

Исследованиями формирования упорядоченных самоорганизующихся структур и приборов на их основе занимались Самойлович М. И., Белянин А. Ф., Булыгина Е. В. (формирование, исследование свойств и создание приборов на основе синтетических опаловых матриц), Татаренко Н. И., Кравченко В. Ф. (формирование и применение упорядоченных структур в технологии автоэмиссионной микроэлектроники), Суэтин Н. В., Пащенко П. В., Ильичев Э. А., Петрухин Г. Н. (формирование углеродных наноструктур для автокатодов, в т. ч. на структурированных поверхностях), Шешин Е. П. (автоэмиссионные свойства углеродных материалов), Татаринова Н. В. вакуумная электроизоляция и природа автоэлектронной эмиссии) и другие ученые.

На сегодняшний день в области создания приборов микро и наноэлектроники на регулярных самоупорядоченных структурах остаются открытыми вопросы управления структурой поверхности рельефообразующего слоя, поскольку именно в этом состоит основное отличие технологий формирования изделий в целом: в классической технологии рельеф формируется литографическими методами на плоской подложке, тогда как при использовании принципа самоупорядоченности необходимо модифицировать рельефообразующий слой.

Таким образом, возникла необходимость разработки технологии управления рельефом поверхности регулярных структур, проверки классической теории формирования тонкопленочных покрытий различными методами на таких структурах, а также разработки специального лабораторного вакуумного оборудования для реализации этих задач.

Цель работы.

Создание методики формирования и управления формой рельефа поверхности самоупорядоченных глобулярных структур для их использования в устройствах микро и наноэлектроники.

Для достижения этой цели в работе решались следующие основные задачи:

1. На основании анализа исследований в области создания устройств микроэлектроники на основе синтетических опаловых матриц определить наиболее эффективные методы их модификации.

2. Разработать математические модели изменения рельефа поверхности синтетических опаловых матриц методами нанесения тонких пленок в вакууме и ионного травления.

3. Создать лабораторное оборудование, позволяющее проводить исследование влияния на процесс модификации синтетических опаловых матриц различных методов нанесения тонких пленок и ионного травления.

4. На основе теоретических и экспериментальных исследований разработать методику практической реализации выбранных методов модификации рельефа поверхности синтетических опаловых матриц.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Впервые построены математические модели модификации рельефа поверхности самоупорядоченных глобулярных наноструктур — синтетических опаловых матриц, при формировании на их поверхностях тонкопленочных покрытий и при их ионном травлении.

2. Теоретически и экспериментально подтверждено, что для эффективного управления рельефом синтетических опаловых матриц требуется комбинация методов вакуумного осаждения и ионно-лучевого травления тонкопленочных покрытий.

3. Впервые для метода магнетронного распыления и ионно-лучевого травления пленки Л на синтетической опаловой матрице экспериментально получены геометрические характеристики рельефа поверхности в зависимости от толщины осажденного тонкопленочного покрытия и глубины его травления.

Практическая ценность работы заключается в том, что.

1. В результате анализа существующих методов нанесения тонкопленочных покрытий и вакуумно-плазменного травления разработана лабораторная установка для проведения исследований по управлению рельефом самоупорядоченных глобулярных микроструктур, объединяющая методы магнетронного распыления и ионно-лучевого травления в едином технологическом цикле.

2. Выявлены наиболее эффективные технологические режимы магнетронного распыления и ионно-лучевого травления, позволяющие управлять процессом модификации рельефа поверхности самоупорядоченных глобулярных микроструктур — синтетических опаловых матриц.

В работе использованы теория планирования эксперимента и математической статистики, теоретические модели расчета автоэмиссионных характеристик покрытий.

Практическая и экспериментальная части работы выполнялись в лабораториях МГТУ им. Н. Э. Баумана, НИИФП, МИЭТ и НИИЯФ МГУ.

Достоверность результатов диссертационных исследований обеспечивается использованием современного аналитического и измерительного оборудование, анализом и учетом возможных источников погрешностей и статистической обработкой результатов измерений.

Результаты выполненной работы по модификации формы рельефа поверхности синтетических опаловых матриц целесообразно использовать при проектировании перспективной элементной базы функциональных изделий автоэмиссионной электроники, оптоэлектроники, волоконной и интегральной оптики, микро и наноэлектронике, а предложенная компоновка лабораторной вакуумной установки и технологические варианты модификации синтетических опаловых матриц рекомендуется использовать при проектировании исследовательского и промышленного оборудования в ОАО «НИИ точного машиностроения», ФГУП «НИИ физических проблем им. Ф.В. Лукина», ФГУП «НПП «Торий» и в других предприятиях по изготовлению изделий электронной техники и вакуумного технологического оборудования для их производства.

Диссертационная работа представляет собой обобщение результатов разработок и исследований, полученных автором лично, а также с сотрудниками МГТУ им. Н. Э. Баумана — Булыгиной Е. В., Бесединой К. Н., Яновичем C.B., НИИФП — Петрухиным Г. Н., НИИЯФ МГУ — Пащенко П.В.

Научный руководитель Панфилов Ю. В. принимал участие в постановке задач, обсуждении полученных результатов и редактировании статей.

Автором лично проведен аналитический обзор современного состояния самоупорядоченных регулярных микроструктур с целью их применения в изделиях электронной техники. Определены требования к рельефу поверхности синтетических опаловых матриц для их использования в автоэмиссионных катодах. На основании данных требований предложена методика модификации рельефа поверхности синтетической опаловой матрицы вакуумными методами осаждения тонкопленочных покрытий и ионного травления. Разработан и реализован структурно-компоновочный вариант лабораторной установки для реализации процесса модификации по предложенной методике, сочетающий методы ионного распыления, ионно-лучевого травления и дугового испарения в едином технологическом цикле, модернизированы технологические источники, реализующие данные методы и отработаны их режимы работы. Проведены эксперименты по модификации рельефа поверхности синтетической опаловой матрицы на лабораторной установке и обработаны результаты исследований на СЗМ. Сформулированы выводы по работе.

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на VIII и XI Молодежной научно-технической конференции учащихся, студентов, аспирантов и молодых ученых «Наукоемкие технологии и интеллектуальные системы» (Москва, 2006 и 2009), на 1 -й и 2-й Всероссийской конференции молодых ученых и специалистов «Будущее машиностроения России» (Москва, 2008;2009), на 1-й и 2-й Всероссийской школе-семинаре студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноинженерия» (Москва-Калуга, 2008;2009), на Международной конференции «Вопросы инженерной нанотехнологии» (Москва, 2008), на XI, XII, XIII, XIV Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» (Москва, 2005;2008), на XVII и XXII Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике» (Москва, 2005, 2009), на IV международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология» (Москва, 2009), на XVI, XVIII научнотехнической конференции с участием зарубежных специалистов «Вакуумная наука и техника» (Ялта, 2008, Сочи, 2010).

По теме диссертации опубликованы 2 статьи в рецензируемых научных журналах и 9 докладов на всероссийских и международных научно-технических конференциях.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 87 наименований. Работа содержит 139 страниц машинописного текста, в том числе 13 таблиц и 89 рисунков.

Общие выводы.

1. Проведенный анализ материалов и технологий создания регулярных структур на поверхности изделий микроэлектроники показал, что для формирования необходимой топологии автоэмиттеров, газовых сенсоров, волноводов и т. д. рекомендуется использовать самоупорядоченные глобулярные микроструктуры на основе синтетических опаловых матриц, формируемых по принципу самоорганизации и имеющих необходимые геометрические характеристики.

2. Наиболее эффективным средством модификации (управления) рельефа самоупорядоченных глобулярных наноструктур является комбинация вакуумного осаждения тонкопленочных покрытий магнетронным распылением и ионно-лучевого травления, т.к. они позволяют сократить число литографических операций для получения функциональных элементов изделия, например, автоэлектронных эмиттеров.

3. Для оценки формы рельефа поверхности регулярных упорядоченных структур при ее модификации вакуумными методами термического испарения, ионно-плазменного распыления и ионно-лучевого травления тонкопленочных покрытий рекомендуется использовать разработанную методику, описывающую косинусоидальные зависимости скоростей осаждения и травления на субмикронном глобулярном рельефе поверхности, позволяющую выводить результаты в графическом виде и рассчитывать радиус кривизны в любой точке поверхности.

4. Проведенные исследования показали, что при модификации поверхности вакуумными методами осаждения тонкопленочных покрытий толщиной 30.800 нм происходит увеличение радиуса кривизны профиля опаловых глобул, пропорциональное толщине наносимого покрытия, причем этот эффект не зависит от метода осаждения.

5. При исследовании рельефа поверхности синтетических опаловых матриц с нанесенными тонкими пленками Тл толщиной 650.800 нм обнаружено пропорциональное уменьшение радиуса кривизны профиля опаловых глобул в зависимости от глубины (50.400нм) ионно-лучевого травления, однако при продолжительном травлении (520 нм) на глобулах появляются дополнительные выступы вследствие эффекта перераспыления.

6. При модификации поверхности синтетической опаловой матрицы методами магнетронного распыления и ионно-лучевого травления в едином вакуумном цикле необходимо следовать разработанным рекомендациям:

• первой операцией необходимо осуществлять нанесение тонкопленочного покрытия, толщина которого должна быть достаточна для предотвращения растрескивания опаловой матрицы при последующем ионном травлении (не менее 100 нм для тонкопленочных покрытий ТТ), при этом энергия ионов должна быть минимально необходимой для реализации процесса травления (порядка 2 кэВ для пленок Тл).

• толщина тонкопленочного покрытия должна обеспечивать возможность ионного травления на требуемую глубину с сохранением сплошности покрытия. Для этого толщина должна превышать глубину последующего травления не менее, чем в 2 раза.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Spindt С .A., Holland С.Е., Rosengreen A., Brodie 1. Field Emitter Arrays For Vacuum Microelectronics // IEEE Transactions Electroninc Devices. 1991. V.38, № 10. P. 2355−2363.
  2. Holland C.E., Rosengreen A., Spindt C.A. A Study Of Field Emission Microcodes // IEEE Transactions Electronic Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 23 682 372.
  3. М.И., Васильев Г. Ф. Автоэлектронная эмиссия. М.:1. ФИЗМАТЛИТ, 1958. 272 с.
  4. Shoulders K.R. Microelectronics Using Electron Beam Activated machine techniques // Advances In Computers. 1961. V. 2. P. 135−239.
  5. Spindt C.A. A Thin-Film Field Emission Cathode // Journal of Applied Physics. 1968. V. 39, № 7. P. 3504−3505.
  6. Physical Properties Of Thin-Film Field Emission Cathodes / Spindt C.A. et al. // Journal of Applied Physics. 1976. V. 47, № 12. P. 5248−5263.
  7. Field Emission Cathode structures, Devices Utilizing Such Structures, And Methods Of Producing Such Structures: US Patent № 3 789 471 / C.A. Spindt, K.R. Shoulders, L.N. Heynick. 5.02.1974.
  8. Djubua B.C., Chubun N.N. Emission Properties Of Spindt-type Cold Cathodes With Different Emission Cone Material // IEEE Transactions Electronic Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2314−2316.
  9. P-N Junction Controlled Field Emitter Array Cathode: US Patent 4 513 308 /
  10. R. Green, F. Gray. 23.04.1985.
  11. Gray H.F., Campisi G.J., Green R.F. A Vauum Field Transistor Using Silicon Field Emitter Arrays // International Electron Devices Meeting. 1986. P. 776 778.
  12. Gray H.F., Campisi G J. A Silicon Field Emitter Array Planar vacuum FET Fabricated With Microfabrication techniques // Material Research Society Symposia Proceedings. V. 76, Science And Technology Of Microfabrication. 1987. P. 25−30.
  13. Gray H.F., Shaw J.L. High Frequency FEAs For RF Power Applications // 10th International Vacuum Microelectronics Conference. Kyongju. 1997. P. 220−225.
  14. Lee R.A. Return Of The Vacuum Valve // Electron And Wireless World.1989. V. 1639. P. 443−447.
  15. Aspects of Field Emission from Silicon Diode Arrays / R. J Harvey et al. // IEEE Transactions Electronic Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2323−2328.
  16. Oxidation-sharpened Gate Field Emitter Array Process / N.E. McGruer et al. // IEEE Transactions Electronic Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2389−2391.
  17. Emission Characteristic of Si-FEA With Junction FET / M. Kitano et al. // 10th International Vacuum Microelectronics Conference. Kyongju. 1997. P. 38.
  18. GaN FEA Diod With Integrated Anode / R. Underwood et al. // 10th International Vacuum Microelectronics Conference. Kyongju. 1997. P. 132−136.
  19. Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристалл-лов и устройство для его осуществления (варианты): патент 2 099 808 РФ / Е. И. Гиваргизов заявл.01.04.1996- опубл. 20.12.1997. Бюлл. № 35.
  20. Холодный эмиттер для вакуумных приборов: патент 2 075 129 РФ / Н. В. Татанирова и др. заявл. 10.02.1992- опубл. 10.03.1997. Бюлл. № 7.
  21. Холодноэмиссионный пленочный катод и способ его получения: патент 2 194 328 РФ / А. А. Бляблин и др. заявл. 19.05.1998- опубл. 10.12.2002. Бюлл. № 34.
  22. М.И., Белянин А. Ф. Алмазные и алмазоподобные углеродные пленки: формирование и строение // Тонкие пленки в оптике и электронике. Материалы XV Международного симпозиума. Харьков. 2003. С. 6−38.
  23. Холодный эмиттер электронов: патент 2 249 876 РФ / П. Г. Габдуллин и др. заявл. 06.11.2003- опубл. 10.04.2005. Бюлл. № 10.
  24. Carbon nanotube array and field emission device using same: US Patent7046474 / L. Liu, S. Fan. 20.06.2006.
  25. Н.И., Кравченко В. Ф. Автоэмиссионные наноструктуры иприборы на их основе. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. 192 с.
  26. Article comprissing enhanced nanotube emitter structure and process for fabrication article: US Patent 6 250 984/ S. Jin, G. Kochanski, W. Zhu. 26.06.2001.
  27. Электровакуумный прибор: a.c. 713 386 СССР / B.A. Лабунов, B. A Сокол., Н. И. Татаренко заявл. 17.06.1978- опубл. 05.10.1979. Бюлл. № 28.
  28. Способ изготовления тонкопленочного вакуумного микроприбора: патент 1 729 243 СССР / Н. И. Татаренко заявл. 01.12.1988- опубл. 10.11.1995. Бюлл. № 31.
  29. Keller F., Hunter M.S., Robinson D.L. Structural Features Of Oxide Coatings On Aluminum // Journal of Electrochemical Society. 1953. V.100, № 9. P. 411−419.
  30. О’Sullivan J.P., Wood J.C. The Morphology And Mechanism Of Formation Of Porous Anodic Films On Aluminum // Proceedings Of Royal Society, 1. ndon A. 1970. V. 317. P. 511−643.
  31. Thompson G.E. Porous Anodic Alumina: Fabrication, Characterization
  32. And Applications // Thin Solid Films. 1997. V. 297. P. 192−201.
  33. Hexagonal Pore Arrays With A 50−420 nm Interpore Distance Formed By Self-Organization In Anodic Alumina / A.P. Li et al. // Journal of Applied Physics.1998. V. 84, № 11. P. 6023−6026.
  34. Self-ordered Pore Structure Of Anodized Aluminum On Silicon And Pattern Transfer / D. Crouse et al. // Applied Physics Letters. 2000. V. 76, № 1. P. 49−51.
  35. Self-repair Of Ordered Pattern OfNanometric Dimensions Based On Self-compensation Properties Of Anodic Porous Alumina / H. Masuda et al. // Applied Physics Letters. 2001. V. 78, № 6. P. 826−828.
  36. Alumina Nanotemplate Fabracation On Silicon Substrate / N.V. Myung et al. //Nanotechnology. 2004. V. 15. P. 833−838.
  37. Govyadinov A.N., Zakhvitcevich S.A. Field Emitter Arrays Based on Natural Selforganized Porous Anodic Alumina // 10th International Vacuum Microelectronic Conferens. Kyongju. 1997. P. 735−737.
  38. Zakhvitcevich S., Govyadinov A. Nanodimensional Field Emitter Arrays Based on Porous Anodic Alumina // Physics, Chemistry and Applications of Nanostructures. 1997. P. 297−300.
  39. Nonlithographic Technique for The Production of Large Area High Density Gridded Field Emission Sources / E.R. Holland et al. // Journal of Vacuum Science & Technology B. 1999. Vol. 17(2). P. 580−582.
  40. Baker F.S., Osnorn A.R., Williams J. Field Emission from Carbon Fibres: A New Electron Source // Nature. 1972. Vol. 239. P. 96.
  41. Colin Lea Field Emission from Carbon Fibres // Journal of Physics D: Applied Physics. 1973. Vol. 6. P. 1105.
  42. Baker F.S., Osborn A.R., Williams J. The carbon-fibre field emitter // Journal of Physics D: Applied Physics. 1974. Vol. 7. P. 2105.
  43. A.H., Павловский И. Ю., Попов А. П. Автоэлектронная эмиссия в графитоподобных пленках // ЖТФ. 2001. Т. 71, Вып. 11. С. 89−95.
  44. .В., Макуха В. И., ШешинЕ.П. Автоэлектронные эмиттеры с развитой рабочей поверхностью // Электронная техника. Сер. 1: Электроника СВЧ. 1984. № Ю. С. 44−47.
  45. Эмиссионные характеристики автокатодов из пластин пирографита / Б. В. Бондаренко и др. // Электронная техника. Сер. 1 Электроника СВЧ. 1988. № 1.С. 34−38.
  46. Е. П. Матричные автоэлектронные катоды из углеродных материалов // Тезисы докладов 22 конференции по эмиссионной электронике. Т. 2. М.: 1994. С. 56−57.
  47. Электронный эмиттер и способ его формирования (варианты): патент 2 083 018 РФ / Р. К. Кейн, Д. И. Джаски заявл.31.07.1992- опубл. 27.06.1997. Бюлл. № 18.
  48. Е.П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов. М.: Изд-во МФТИ, 2001. 288 с.
  49. Э.Г. Методы получения углеродных нанотрубок // Успехи химии. 2000. Т. 69, № 1. С. 41−59.
  50. Field Emission from Well-aligned, Patterned Carbon Nanotube Emitters / H. Murakami et al. // Applied Physics Letters. 2000. V. 76, № 13. P. 1776−1778.
  51. Fabrication of Well-aligned Carbon Nanofiber Array And Its Gaseous-phase Adsorption Behavior / C. T Hsieh // Applied Physics Letters. 2004. V. 84, № 7. P. 1186−1188.
  52. Field Emitter Based on Porous Aluminum Oxide Templates / D.N. Davydov et al. // Journal of Applied Physics. 1999. V. 86, № 7. P. 3983−3987.
  53. Formation And Field Emission of Carbon Nanofibre Films on Metallic Nanowire Arrays / S.H. Tsai et al. // Electrochemical And Solid-State Letters.1999. № 2 (5). P. 247−250.
  54. Ultralow Biased Field Emitter Using Single-wall Carbon Nanotube Directly Grown onto Silicon Tip by Thermal Chemical Vapor Deposition / K. Matsumoto et al. // Applied Physics Letters. 2001. Vol. 78, № 4. P. 539−540.
  55. One-step Formation of Aligned Carbon Nanotube Field Emitters at 400° С / Y. Shiratori et al. // Applied Physics Letters. 2003. Vol. 82, № 15. P. 2485−2487.
  56. Intense Electron Beam Emission from Carbon Nanotubes and Mechanism / Q. Liao et al. // Journal Physics D: Applied Physics. 2007. V. 40. P. 6626−6630.
  57. А.Ф., Самойлович М. И., Житковский В. Д. 3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2005. № 1. С. 31−35.
  58. Brodie I. Physical Consideration in Vacuum Microelectronic Devices // IEEE Transactions Electronic Devices. 1989. V. 36, № 11. P. 2641−2644.
  59. Yakoo K.I. Vacuum Microelectronics // Journal Vacuum Society Japan.1989. V. 32, № 2. P. 63−67.
  60. Zimmerman S., Babie W.T. A Fabrication Method for The Integration of Vacuum Microelectronic Devices // IEEE Transactions Electronic Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2294−2303.
  61. Gulyaev Y.V., Sinitsyn N.I. Super-miniaturization of Low-power Vacuum Microwave Devices // IEEE Transactions Electronic Devices. 1989. V. 36, № 11. P. 2742−2743.
  62. Field-emitter-array Development for Microwave Applications (Part 1)/ C.A. Spindt et al. // 9th International Vacuum Microelectronics Conference. St.
  63. Petersburg. 1996. P. 638−639.
  64. Field-emitter-array Development for Microwave Applications (Part 2) / C.A. Spindt et al. // 10th International Vacuum Microelectronics Conference. Kyongju. 1997. P. 200−203.
  65. B.A., Соколов Д. В., Трубецков Д. И. Электронные СВЧ-приборы с электростатическим управлением и модуляцией эмиссии // Радиотехника и электроника. 1990. Т. 5, Вып. 11. С. 2241−2258.
  66. Н.И., Петров А. С. Вакуумная микроэлектроника: реальность и перспективы // Успехи современной радиоэлектроники. 1998. № 7. С. 10−31.
  67. Polycrystalline Diamond Emitter: US Patent № 4 164 680 / H.F. Villalobos. 14.08.1979.
  68. Field Emission Device: US Patent № 4 663 559 / A.O. Christensen. 5.05.1987.
  69. Gray H.F. Vacuum Microelectronics 1996: Where We Are And Where We Are Going // 9th International Vacuum Microelectronics Conference. St.-Petersburg, 1996. P. 1−3.
  70. Brodie I. Vacuum Microelectronics The Next Ten Years // 10th International Vacuum Microelectronics Conference. Kyongju. 1997. P. 1−6.
  71. Microwave Devices: Carbon Nanotubes as Cold Cathodes / B.K. Teoet al. //Nature. 2005. Vol. 437. P. 968.
  72. On-chip Electron-impact Ion Source Using Carbon Nanotube Field, Emitters / C.A. Bower et al. // Applied Physics Letters. 2007. Vol. 90, № 12. P. 3739.
  73. Heo S.H., Ihsan A., Cho S.O. Transmission-type Microfocus X-ray Tube Using Carbon Nanotube Field Emitters // Applied Physics Letters. 2007. Vol. 90, № 18. P. 26−28.
  74. Wedge-shaped Field Emitter Arrays for Flat Display / A. Kaneko et al. // IEEE Transactions Electronic Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2395−2397.
  75. Talin A.A., Dean K.A., Jaskie J.E. Field Amission Displays: A Critical Review // Solid State Electronics. 2001. № 45. P. 963−976.
  76. Carbon Nanotubes for Full-Color Field-Emission Displays / W.B. Choi et al. // Japan Journal of Applied Physics. 2000. Vol. 39. P. 2560−2564.
  77. Antony J., Qiang Y. Cathodoluminescence from A Device of Carbon Nanotube Field-emission Display With ZnO Nanocluster Phosphor // Nanotechnology. 2007. Vol. 18, № 29. 295 703.
  78. Фотонные кристаллы и нанокомпозиты на основе опаловых матриц / А. Ф. Белянин и др. М.: Издательство ОАО ЦНИТИ «Техномаш». 2007. 303 с.
  79. Технология тонких пленок. Справочник / Под ред. JI. Майссела, Р. Глэнга: Пер. с англ- Под. ред. М. И. Элинсона, Г. Г. Смолко. М.: Советскоерадио. 1977. Т.1. 664 с.
  80. Г. С. Эмиссионные свойства катодов на основе углеродных нанотрубок. Дисс.. канд. техн. Наук (01.04.14). М. 2007. 96 с.
  81. В.П., Бычков С. П. Физические основы электронных технологий: Учебное пособие. М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2007. 102 с.
  82. Ю.В. Расчёт режимов процесса нанесения тонких плёнок в вакууме и параметров оборудования. М.: МВТУ им. 1. Н. Э. Баумана, 1988. 20 с.
  83. .С., Киреев В. Ю. Ионное травление микроструктур.
  84. М.: Советское радио, 1979. 104 с.
  85. B.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии. М.:1. Техносфера, 2004. 143 с.
  86. Магнетронное распыление магнитных материалов / В. Е. Минайчев и др. М.: ЦНИИ «Электроника», 1985. 32 с.
  87. Scoles G.J. Handbook of rectifier circuits. Chichester: Ellis Horward1. mited, 1980. 238 p.
  88. A.B. Научное и технологическое обеспечение нанесения упрочняющих наноразмерных тонкопленочных покрытий для изделий электронной техники. Дисс. .канд. техн. наук (05.27.06). М. 2004.188 с.
  89. Д.В. Экспериментальное исследование процессов надмолекулярной кристаллизации на примере аморфного кремнезема // Вестник Отделения наук о Земле РАН. 2001. Т.22, № 1. С. 1−3.
  90. Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский институт точного машиностроения"1. ОАО НИИТМ)
  91. Рекомендации по подбору технологических источников
  92. Компоновка технологических источников в рабочей камере-
  93. Маршруты технологических операций.
  94. Начальник отдела конструкторских разработок ОАО «НИИ точного машиностроения"1. Шубников А.В.
  95. Утверждаю» Первый проектор проектор по учебной ТУ им. Н. Э. Баумана, профессор1. Юдин Е.Г.2012 г.
  96. Акт об использовании в учебном процессе результатов диссертационной работы Моисеева Константина Михайловича
  97. Результаты диссертационной работы Моисеева К. М. «Управление рельефом поверхности самоупорядоченных глобулярных микроструктур» используются в учебном процессе кафедры «Электронные технологии вмашиностроении»:
  98. В курсе лекций «Микро и нанотехнологии" —
  99. В цикле лабораторных работ по осаждению тонкопленочныхпокрытий по этой йсе дисциплине-
  100. При разработке основной образовательной программы «Основы наноэлектроники и нанотехнологий» для бакалавров по направлениям 210 100 «Электроника и наноэлектроника» и 152 200 «Наноинженерия».
  101. Руководитель НУ К «Машиностроительные технологии"т.н., профессор ^^ Колесников А.Г.1. Заведующий кафедрой л"^
  102. Электронные технологии в машиностроении"'д.т.н., профессор Панфилов Ю.В.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!