Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние импульсного светового воздействия на физические свойства приповерхностных слоев полупроводников

Диссертация: Влияние импульсного светового воздействия на физические свойства приповерхностных слоев полупроводников
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Воздействие лазерным излучением с надпороговыми плотностями энергии приводит к образованию различных дефектов, что показали исследования внутреннего трения образцов ваАБ, 1пАб и Бт Обнаружены пики ВТ, расположенные при температурах 220 (ОаАБ), 228 (ЬтАб) и 200 К (81). Определены энергии активации пиков Н = 0,35 (ОэАб), 0,37 (1пАб), 0,3 (81) эВ. Пики ВТ связаны с возникновением в приповерхностных… Читать ещё >

Влияние импульсного светового воздействия на физические свойства приповерхностных слоев полупроводников (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. Воздействие импульсного излучения на свойства полупроводниковых материалов
    • 1. 1. Электронно-деформационно-тепловая модель Влияния 10 импульсного светового воздействия на физические свойства полупроводников
      • 1. 1. 1. Генерация дефектов в полупроводниках при 15 допороговых значениях энергии импульса
      • 1. 1. 2. Генерация дефектов при надпороговых режимах 23 импульсного лазерного отжига
    • 1. 2. Воздействие лазерным импульсом, приводящее к 28 плавлению поверхности полупроводника
    • 1. 3. Плавление поверхности полупроводника при 33 воздействии импульса некогерентного излучения
      • 1. 3. 1. Анизотропное локальное плавление
      • 1. 3. 2. Механизмы локального зарождения жидкой фазы на 41 поверхности полупроводников
      • 1. 3. 3. Процессы кристаллизации аморфного кремния, 45 стимулированные импульсным воздействием
    • 1. 4. Выводы и постановка задачи на исследование
  • ГЛАВА 2. Методика проведения эксперимента
    • 2. 1. Образцы для исследования
    • 2. 2. Обработка импульсным лазерным излучением
    • 2. 3. Импульсная обработка некогерентным излучением
    • 2. 4. Методики исследования физических свойств образцов
  • ГЛАВА 3. Образование дефектов в полупроводниковых материалах при различных режимах импульсной лазерной обработки
    • 3. 1. Дефектообразование в полупроводниках при 62 режимах облучения, не приводящих к плавлению поверхности
    • 3. 2. Формирование дефектов в полупроводниках при 70 режимах лазерного облучения, приводящих к плавлению материала
  • ГЛАВА 4. Процессы плавления и кристаллизации полупроводников при импульсном световом облучении
    • 4. 1. Морфология локальных областей плавления ионно- 79 имплантированного кремния при импульсном облучении
    • 4. 2. Методика контроля плотности энергии некогерентного 88 излучения
    • 4. 3. Кинетика локального плавления кремния при 93 импульсном некогерентном облучении
      • 4. 3. 1. Кинетика доплавильного нагрева кристалла
      • 4. 3. 2. Кинетика роста локальной области плавления при 95 импульсном нагреве кристалла
    • 4. 4. Кристаллизация аморфного кремния, стимулированная 107 импульсным некогерентным излучением
    • 4. 5. Кристаллизация аморфного кремния, стимулированная 113 импульсным лазерным излучением

Актуальность темы

В настоящее время при создании полупроводниковых приборов на основе элементарных и бинарных полупроводниковых материалов одним из наиболее перспективных методов, позволяющих модифицировать свойства приповерхностных слоев, является обработка полупроводников концентрированными потоками энергии. Поверхностная обработка может осуществляться как в стационарном, так и в импульсном режимах. Импульсная обработка характеризуется рядом преимуществ по сравнению со стационарной [1], такими, как локальность воздействия (при помощи лазерного излучения), возможность, более точного управления процессом, уменьшением диффузионных и химических взаимодействий и т. д. Импульсное воздействие осуществляется при помощи ленточных нагревателей, электронных пучков, а также светового когерентного и некогерентного излучения. Импульсная обработка производится в довольно широком временном интервале: от фемтои пикосекундных длительностей импульса до десятков секунд. Так как спектральный диапазон источника излучения обычно соответствует области фундаментального поглощения света полупроводниками (а~10М04 см" 1), то световая энергия в основном поглощается в слоях толщиной ~10″ 3−10″ 5 см. Поэтому технология импульсного светового облучения особенно перспективна для обработки поверхности, тонких приповерхностных слоев, что особенно важно при производстве больших интегральных схем (БИС) и сверхбольших интегральных схем (СБИС) [2]. Световое импульсное воздействие нашло применение в технологии полупроводникового производства при проведении отжига ионно-имплантированных слоев, геттерирования дефектов, кристаллизации аморфных слоев, отжига и генерации дефектных центров в приповерхностных областях кристаллов. Основное преимущество импульсного светового воздействия по сравнению с другими методами отжига — возможность высокоэнергетичной обработки материала при малых значениях длительности воздействия. При этом значительно упрощается и чисто техническая сторона метода обработки. При проведении импульсной световой обработки открывается ряд перспектив в модификации свойств полупроводников, недоступных для традиционных методов. Например импульсную лазерную обработку (ИЛО) можно осуществить в замкнутых объемах через прозрачные для излучения окна или слой жидкости (Н2О), выполнить термическую обработку в тонких слоях, не прогревая весь объем полупроводника, за счет уменьшения длительности воздействия снижать роль диффузионных процессов и размытия фронтов распространения примеси при термической обработке.

По величине воздействия на полупроводниковый материал импульсным некогерентным и когерентным (лазерным) излучением можно выделить два диапазона энергий:

1. со значениями плотности энергии светового импульса, при которых не наблюдается нарушения морфологии поверхности (допороговые режимы).

2. со значениями плотности энергии светового импульса, при которых наблюдается плавление поверхности материала (так называемые надпороговые режимы обработки).

Допороговые режимы импульсного воздействия, приводящие к процессам, протекающим в твердой фазе, открывают возможность более тонкой модификации свойств полупроводника (введение в приповерхностную область различных точечных дефектов и их отжиг) без разрушения облучаемой поверхности, что является особо ценным в технологии полупроводникового производства [2]. Во втором случае, когда модификация свойств полупроводника происходит при помощи жидкофазной реакции, появляется возможность расширения представления о механизмах плавления и кристаллизации кристаллических полупроводников, а также — о процессах кристаллизации аморфных слоев на кристаллических подложках, которые положены в основу ряда технологических процессов [3].

Также представляет несомненный интерес исследование обработки материалов двумя видами импульсного излучения: некогерентным (при помощи импульсных ламп, преимущественно — ксеноновых) и когерентным (при помощи лазера). Воздействие некогерентным излучением позволяет обрабатывать поверхности значительной площади, в то время, как обработка лазерным импульсом открывает возможности локальной модификации физических свойств полупроводников.

Наибольшее распространение в настоящее время имеют микроэлектронные приборы на основе кремния, в то же время для изготовления различных оптоэлек-тронных приборов, используются материалы типа А3В5: арсенид галлия, арсенид индия и др. Именно это и обусловило выбор материалов для исследования. *.

Цель работы:

Установить характер воздействия импульсного светового излучения на поверхность и приповерхностные слои полупроводников, в частности:

1. исследовать влияние допорогового воздействия импульсного когерентного излучения на фотоэлектрические свойства поверхности материалов типа АзВ5, установить характер возникающих при этом дефектов;

2. определить характер изменений, вносимых в кремний и материалы А3В5 при надпороговых значениях энергии импульса;

3. установить закономерности кристаллизации аморфного кремния при воздействии на него концентрированными потоками импульсного излучения;

4. исследовать особенности образования локальных областей плавления (ЛОП) на поверхности ионно-имплантированного кремния, математически описать кинетику роста ЛОП,.

5. разработать методику контроля величины плотности энергии некогерентного излучения.

Научная новизна.

Показано, что при допороговых режимах импульсного лазерного воздействия (^=1,06 мкм и ти=4мс) на поверхность арсенида галлия, в зависимости от плотности энергии излучения ¥-изл, образуются центры безизлучательной рекомбинации, приводящие к изменениям спектров ФЛ и ФП, либо осуществляется отжиг дефектов, что приводит к снижению скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда;

— впервые исследовано влияние лазерной обработки на характер внутреннего трения ОаАэ, ЬпАб и На температурной зависимости СГ1 выявлены пики внутреннего трения, обусловленные лазерно-индуцированными дефектами и определены их энергетические характеристики;

— на основе исследования процесса кристаллизации пленок аморфного кремния на кремнии под действием лазерного и некогерентного излучения, установлены закономерности процесса кристаллизации в зависимости от типа и плотности энергии воздействия;

— обнаружено влияние ионной имплантации на морфологию ЛОП, образующихся на поверхности кремния при воздействии импульсного некогерентного излучения;

— разработана математическая модель, описывающая кинетику роста локальных областей плавления на кремнии,.

— на основе эффекта анизотропного локального плавления поверхности полупроводников разработана методика определения плотности энергии импульса некогерентного излучения.

Практическая значимость. Данные, полученные при исследовании влияния импульсного светового воздействия на полупроводниковые материалы могут быть использованы для разработки технологических процессов производства полупроводниковых приборов, в частности — для оптимизации процессов импульсного отжига дефектов и примесей. Метод ВТ может быть использован для исследования процессов дефектообразования в результате лазерного отжига полупроводников.

Предложенный метод контроля плотности энергии импульса некогерентного излучения, в силу своей простоты и экспрессности, может быть успешно использован в полупроводниковом производстве.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту.

1. Обнаруженная зависимость характера дефектообразования в GaAs от плотности энергии лазерного излучения миллисекундной длительности при допо-роговых режимах. .

2. Экспериментальные исследования методом ВТ дефектообразования в полупроводниках, подвергнутых лазерной обработке с надпороговой плотностью энергии излучения.

3. Кинетика роста локальных областей плавления, образующихся при импульсном некогерентном воздействии.

4. Обнаруженные различия процессов кристаллизации пленок аморфного кремния на кремнии при обработке лазерным и некогерентным излучениями.

5. Методика контроля плотности энергии некогерентного излучения, основанная на эффекте локального плавления.

Апробация работы.

Основные результаты и положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

Международной научно-технической конференции «Физические аспекты надежности, методы и средства диагностирования интегральных схем» (Воронеж 1993 г.);

X International Conference «Ion implantation technology», (Catania, Italy, 1994);

III Международной конференции «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов» (Воронеж, 1994 г.);

Всероссийском семинаре «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Нижний Новгород 1994 г.);

4th European Conference Exhibition SET'94 (Warszawa, Poland, 1994);

Научно-практических конференциях ВВШ МВД России (Воронеж, 1995 -1999 г.);

Международного семинара «Релаксационные явления в твердых телах», (Воронеж, 1995);

Всероссийской научно-практической конференции «Охрана-97» (Воронеж, 1997 г.);

Конференции «Реализация региональных научно-технических программ Центрально-черноземного региона» (Воронеж, 1997 г.).

Конференциях «Современные методы в теории краевых задач» «Понтрягинские чтения-IX-X» (Воронеж, 1998;1999 г.).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 19 работ.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Работа содержит /5:? страниц текста, включая 31 рисунков и библиографию из Ю6 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. В результате выполненных исследований было определено пороговое значение плотности энергии лазерного излучения (А.=1,06 мкм, ти=4 мс), приводящее к нарушению морфологии поверхности ОаАБ, которое составило ~ 90 Дж/см2.

2. Установлено, что при малых значениях ¥-изл (20 Дж/см2) импульсная лазерная обработка является эффективным способом уменьшения скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда. При плотности энергии в пределах 20<¥-ИЗл<70 Дж/см2 ИЛО генерирует дефекты, являющиеся центрами безизлучательной рекомбинации. Определена температура отжига дефектов (Т=400 С), возникающих в ОаАэ под действием ИЛО при допороговых плотностях энергии.

3. Воздействие лазерным излучением с надпороговыми плотностями энергии приводит к образованию различных дефектов, что показали исследования внутреннего трения образцов ваАБ, 1пАб и Бт Обнаружены пики ВТ, расположенные при температурах 220 (ОаАБ), 228 (ЬтАб) и 200 К (81). Определены энергии активации пиков Н = 0,35 (ОэАб), 0,37 (1пАб), 0,3 (81) эВ. Пики ВТ связаны с возникновением в приповерхностных слоях точечных дефектов, изменение фона ВТ имеет дислокационную природу. Показана сходность процессов дефектообразова-ния при механической обработке полупроводников и при импульсном лазерном воздействии.

4. Экспериментально определена зависимость морфологии ЛОП при импульсном некогерентном облучении ионно-имплантированного кремния от дозы ионной имплантации. Разработана методика контроля величины плотности энергии некогерентного излучения, основанная на анализе эффекта локального плавления. Предложена модель, описывающая кинетику роста локальных областей плавления на кремнии.

5. При воздействии на пленки аморфного кремния на кремнии лазерным импульсом с плотностью энергии ¥-изл =50 Дж/см2 на поверхности пленки аморфного кремния на кремнии происходит зарождение жидкой фазы и процесс ускоренной жидкофазной кристаллизации. При воздействии расфокусированным лучом с Уизл =40 Дж/см2 осуществляется процесс твердофазной кристаллизации аморфного кремния.

Под действием импульсного некогерентного излучения, в отличие от лазерного воздействия, реализуется твердофазная ударная кристаллизация аморфного кремния. При увеличении плотности энергии некогерентного излучения до 70 Дж/см2 процесс твердофазной кристаллизации аморфного кремния носит эстафетный характер.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов/ A.B. Качурин, Е.В. Нида-ев, Л. С. Смирнов.-М.: Наука, 1982, 208 с.
  2. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники/ В. А. Лабунов, В. В. Борисенко, Д. И. Заворский и др. //Зарубежнаая электронная техника.-1983.-№ 11.-С. 3−66.
  3. Л.Н. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации аморфных пленок. -Новосибирск: Наука, 1985. 224 с.
  4. С.А., Емельянов В. И., Коротеев Н. И. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика// Успехи физ. Наук. 1985. Т. 147, Вып.4., С. 675.
  5. И.Б., Смирнов Л. С. Импульсный отжиг полупроводников. Состояние проблемы и нерешенные вопросы//Физика и техника полупроводников. 1985 Т. 19, № 4. С. 569.
  6. A.B., Качурин Г. А., Нидаев Е. В., Смирнов Л. С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1982. 208 с.
  7. Cohesive Properties of Semiconductor under Laser Irradiation ./ Ed. Lauge L.D. Hauge, Boston, Lancaster: Martinus Nijhoff Publ., 1983.
  8. П.К., Тимошенко В. Ю. Образование дефектов в полупроводниках при импульсном лазерном облучении//Поверхность. ФизикаЮ химияЮ механика, 6,1995. С. 5−33.
  9. B.C., Кив А.К., Ниязова O.P. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводников M наука, 1981 368 с.
  10. В.Л., Холодарь Г. А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наук. Думка, 1969. 186 с.
  11. М.И., Лущик И. Б., Машовец Т. В., Холодарь Г. А., Шейнкман М. К., Эланго М. А. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных воз-буждений\Успехи физ. Наук. 1985. Т. 147. № 3. С. 523
  12. Physics and Chemistry of III—V Compound Semiconductors Interfase // Ed. by Wi-lims C.W. N.-Y.- London: Plenum Press, 1985 465 p.
  13. В.Ф., Крылов O.B. Электронные явления в адсорбции и катализе полупроводниках и диэлектриках М. Наука, 1979 236 с.
  14. С.В., Задков В. Н. Коротеев Н.И., Шумай И. Л. Трансформация оптического фононного спектра кремния в процессе воздействия мощных пикосе-кундных лазерных импульсов \ Письма В ЖТФ. 1986., Т. 44, № 2, С. 98 ,
  15. В.А., Поляников A.B., Ируцков Е. Г., Полыгалов Г. А. Механизм образования и ионизации точечных дефектов в полупроводниках при импульсном лазерном облучении// Изв. АН СССР Сер. физ., 1985, Т 49, № 5, С. 1146.
  16. П.К., Петров A.B. Изменение параметров поверхностных состояний кремния при лазерном облучении//Физика и техника полупроводников. 1984, Т.18, № 3, С. 555.
  17. П. К. Петров A.B. О локализации и термической устойчивости дефектов, обусловленных лазерным облучением германия\ Физика и техника полупроводников. Т. 1, № 12, С. 234.
  18. П.К., Киселев В. Ф. Нетермические процессы в полупроводниках при лазерном облучении \Изв. АН СССР. Сер. физ. 1986, Т. 50, № 3, С. 435.
  19. Ю.В., Кашкаров П. К., Джиджоев М. С., Платоненко В. Т., Попов В. К. Дефектообразование в фосфиде галлия при лазерном облучении//Физика и техника полупроводников 1985, Т. 19, № 7, С. 1287.
  20. Ю.В., Зотеев A.B., Кашкаров П. К. Влияние лазерного облучения на люминесцентные свойства монокристаллов GaP:S//h3b. Вузов. Физика. 1988 № 1.С. 66.
  21. Н.Г., Бурдель К. К., Джиджоев М. С., Зенков Ю. В., Кашкаров П. К., Платоненко В. Т. Попов В.К. Исследование индуцированных лазерным облучением повреждений в GaP с помощью каналирования//Изв. АН СССР, Сер. физ. 1986. Т.50№ 4. С. 812.
  22. Е.С., Петров В. И., Джиджоев М. С., Зенков Ю. В., Кашкаров П. К., Платоненко В. Т., Попов В. К. Дефектообразование в фосфиде галлия, индуцированное лазерным облучением //Изв АН СССР. Сер физ. 1986. Т. 50. № 4. С. 816.
  23. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1984 384 с.
  24. В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках Радио и связь, 1981.248 с.
  25. П.К., Петров В. И., Птицын Д. В., Тимошенко В. Ю. Образование упорядоченных структур на поверхности GaAs при импульсном лазерном облучении // Физика и техника полупроводников 1989 Т 23 № 11 С. 2080.
  26. А.И., Кашкаров П. К., Джиджоев М. С., Попов В. К. Образование дефектов в материалах А3В5 при импульсном лазерном облучении //Вест. МГУ. Сер. Физика, астрономия. 1988 Т. 29. № 3. С. 73.
  27. М.В., Каказей Н. Г. Электронный парамагнитный резонанс в механически нарушенных твердых телах. Киев Наук, думка, 1979, 198 с.
  28. С.Н., Пертров A.B., Штанько И. М. Исследование генерации парамагнитных центров при резком охлаждении поверхности кремния\ Физика и техника полупроводников 1983, Т. 17, № 10, С. 1900.
  29. С.Ю., Ковальчук Ю. В., Погорельский Д. В. Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения//ФТП. -1986. -Т.20. № 11. -С.1945−1969.
  30. Г. А., Нидаев Е. В., Попов А. И. Дефектообразование в приповерхностных областях кремния при лазерном воздействии//Физика и техника полупроводников 1982, Т. 16, № 6, С. 1078.
  31. Richter Н., Orlowski Т.Е., Kelly М., Margaritondo G. Pulse laser unduced melting of semiconductors process// J. Appl Phys 1984, V. 56, № 8, P. 2352.
  32. Liu Y.S., Chiang S.W., Katz W. The laser influence on semiconductors// Laser and Electron Beam Interactions with Solids. / Ed. Eppleon B.R., Celler G.K. N.- Y.: Am-serdam. Oxford North- Holland, Elsevier Science Publishing Co., Inc. 1982 P. 249.
  33. Nakayama Т., Inchikawa H., Itoh N. The process in GaP under coherent pulse radiation// Surf. Sci. Lett. 1982, V. 123, P.639.
  34. Yon Allmen M.F., Anisotropic melting and epitaxial regrowth of laser-irradiated sili-con//Appl. Phys. Lett. 1978.-V.33. № 11. -p.824−825.
  35. Динамика нагрева, плавления и перекристаллизации полупроводников милли-секундными импульсами лазерного излучения /В.В. Гафийчук, С. Г. Кияк, Г. В. Савицкий и др. //Изв. АН СССР. Сер. физич. -1985. -Т.49, № 4. -С.769−772.
  36. Анизотропное плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения/С.Г. Кияк, А. Ю. Бончик, В. В. Гафийчук, и др.//Докл. АН УССР. Сер. А. Физ.-мат. и техн. наук.-1987. -№ 5. С.61−65.
  37. Формирование регулярного рельефа на поверхности полупроводников под действием миллисекундных лазерных импульсов/ С. Г. Кияк, А. Ю. Бончик, В. В. Гафийчук, А.Г. Южанин// Укр. физ.журн. -1987. -Т.32, № 7. -С.1979−1983.
  38. Образование периодических структур на поверхности кремния под действием миллисекундного импульса неодимового лазера/В.П.Вейко, И. А. Дорофеев, Я. А. Имас и др.// Изв. АН СССР. Сер. физ. -1985. -Т.49, № 6. С. 1236.
  39. Локальное плавление кремния лазерным излучением миллисекундной дли-тельности/А.В.Демчук, А. М. Пристрем, Н. И. Данилович, В. В. Лабунов //Поверхность. Физика, химия, механика. -1987. № 12. -С. 89−97.
  40. Образование и развитие поверхностных периодических структур на кремнии при воздействии лазерного излучения миллисекундной длительности/ А. В. Демчук, Н. И. Данилович, В. В. Лабунов, А. М. Пристрем // Поверхность. Физика, химия, механика. -1988. -№ 1. -С. 101.
  41. Ю.В., Перевертайло В. М., Григоренко Н. Ф. Капиллярные явления в процессах роста и плавления кристаллов. -Киев: Наук, думка, 1983. -83 с.
  42. Г. Введение в физику твердого тела. -М.: Наука, 1976. -791 с.
  43. Tognato R. On internal premelting in metals //Phys. Stat. Sol. -1982. A.73, № 1. P.237−241.
  44. А.П. О локальном плавлении на кристаллических дефектах// ФММ. 1990. -№ 3. -С. 39−47.
  45. А.П., Шмаков В. А. О локальном плавлении кристалла вблизи дис-локации//ФММ. 1982. -Т.54, № 6. -С. 1045−1050.
  46. Формирование периодических структур на поверхности полупроводников под действием лазерного излучения / С. Г, Кияк, А. Ю. Бончик, В. В. Гафийчук и др. // Изв. АН СССР. Сер. физ. -1988. -Т.52, № 11. -С.2276−2281.
  47. .С., Осипов В. В. Нелинейная теория стационарных затрат в диссипа-тивных системах// ЖЭТФ. -1978. Т.74, В.5. -С.1675−1696.
  48. В.В. Неустойчивость температур при нагреве полупроводников импульсным длинноволновым излучением // ФТТ. -1984. -Т.26, № 7. С. 2230−2231.
  49. В.В., Гашпар В. Э. Возникновение неоднородных структур при импульсном разогреве полупроводников//ФТП. -1985. -Т.27, В.5. -С. 1354−1358.
  50. Bosch М.А., Lemons R.A. Laser-induced melt dynamics of Si and Si02 //Phys. rev. Lett. -1981. V.47, № 16. P. 1151−1155.
  51. Celler G.K., Robinson Mc.D., Trimble L.E. Spatial melt instabilities in radiatively melted crystalline silicon //Appl. Phys. Lett. 1983. -V.43, № 9. -P.868−871.
  52. Celler G.K., Jackson K.A., Trimble L.E., Robinson Mc.D., Lishner D.J. Faseted melting and superheating of crystalline Si irradiated with incoherent light //Energy
  53. Deam-sSolid Interact, and Transient Therm. Processing. Symp. Boston, Mass., 1983. N.Y., 1984. -P409−415.
  54. A.C. 1 238 635 СССР, МКИ HOI 21/66. Способ выявления термически активных дефектов полупроводников/ И. В. Золотухин, А. И. Плотников. (СССР) -2 с.
  55. Heinig К.Н. Effects of local melting on semiconductor surfaces// Zentralinst. Kern-forsh. Rossendorf. Drezden. 1985. Pt. 1. -P.265−279.
  56. Heinig K.H., Voelskow M.V., Zetsche A., Treutrer C. Local melting by nucleation on the surface of single crystalline silicon // Zentralinst. Kernforsh. Rossendorf. Drezden. 1985. Pt.l. -P.280−286.
  57. Fattahov Ya.V., Khaibullin J.B., Bayazitov R.B., Misyurev E.M. Anisotropic local melting of semiconductors incoherent light pulses// Phys. Stat. Sol.(a). -1989. V.112, № 2- -P.669−702.
  58. Особенности импульсного фотонного отжига антимонида индия/В.П.Астахов, Ю. А. Данилов, В. А. Дудник, Е. А. Питиримова //ФИЗХОМ. -1988. -№ 1. -С.34−88
  59. Улучшение структуры полупроводниковых слоев геттерированием с использованием лазерного излучения / В. А. Горушко, В. А. Пилипенко, Н. И. Стержанов, В.А. Яковлева//Электронная техника, сер. физ. -1984. № 1. -С.107−108.
  60. Анизотропное локальное плавление монокристаллического и имплантированного кремния импульсами некогерентного света/ Я. В. Фаттахов, И. Б. Хайбуллин, Ю. М. Баязитов, Е. М. Мисюрев, Р. Гретчел//Поверхность. Физика, химия, механика.-1989. № 11.-С.61−69.
  61. Влияние длительности светового импульса на анизотропное локальное плавление кремния / Я. В. Фаттахов, И. Б. Хайбуллин, Ю. М. Баязитов, Е.М.Мисюрев// Письма в ЖТФ. -1988. Т.14 -В.16.-С.1474−1478.
  62. С.П., ГерасименкоН.Н., Мясников A.M. Анизотропное локальное плавление на дефектах кремния// Поверхность. Физика, химия, механика. -1988. № 5.-С.69−73.
  63. Phillot S.R., Sidney Y., Dieter W. How do crystals melt? //Comput. Phys. -1989. V.3, № 6. -P.6−31.
  64. Патент 212 141 ГДР. МЕСИ HOI 21/18. Die methode der lokale einfuhrung der beimishungen und der verbesserung der kristallen des falbfabrikate materials/ K.H.Heinig, M.V.Voelskow, H. Woittennnek, J. Mattai, A. Zetsche, R. Klabes (DDR). -6p.
  65. Е.Б. Перегрев твердых тел при плавлении// Изв. АН СССР. Сер. физ. -1989. -Т.53,№ 3. С.591−594.
  66. С.Ю., Ковальчук Ю. В., Погорельский Д. В. Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного, излучения//ФТП. -1986. -Т.20, № 11. -С.1945−1969.
  67. Lemons R.A., Bosch М.А. Microscopy of Si films during laser melting// Appl. Phys. Lett. 1982. -V.40, № 8. -P.703−706.
  68. Kuzz Y., Lompre L.A., Liu J.M. Fundamentals of pulsed laser irradiation of silicon// J. Phys.(France). 1983. -1983 -V.44, № 10. -P.5−36.
  69. Hawkins W.K., Biegelsen D.K. Origin of lamellae in radiatively melted silicon films// Appl. Phys. Lett. 1983. -V.42, № 4. -P.358−360.
  70. Biegelsen D.K., Fennell L.E., Zesch J.C. Origin of oriented crystal growth of radiantly melted Silicon on Si02// Appl. Phys. Lett. 1984. -V.45, № 5. -P.546−548.
  71. Peercy P. S., Tsao J.Y., Stifler S.R., Thompson M.O. Explosive ciystallization in amorphous Si initiated by long pulse width laser irradiation//Appl. Phys. Lett. 1988. 52. № 3, P. 203−205.
  72. Stolk J., Polman D. Experimental test of kinetic theories for heterogeneous freezing in Si//Phys. Rev. B. 1993, 47, № 1, P. 5−13.
  73. A.B., Александров Л. Н. Импульсный лазерный отжиг аморфных слоев кремния//"Теплофизическая нестабильность жидкостей в связи с явлениями плавления и кристаллизации", Свердловск, 1987, С. 147−153.
  74. Tong S.K., Ebihara К., John Р.К., Wong S.K., Chik K.P. Crystal growth in amorphous silicon thin films induced by incoherent light flashes//Appl. Phys. Lett., 1983, 42, № 12, P. 1026−1028.
  75. JI.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. -М.:Высшая школа, 1975. -206 с.
  76. П.И., Клочков В. П. Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник.//Киев: Наукова думка, 1975. 704 с.
  77. Внутреннее трение и дефекты в металлах/Постников B.C. М.: Металлургия, 1969. 332 с.
  78. C.B., Прибылов H.H., Рембеза С. И. Исследование влияния импульсного когерентного излучения на физические свойства полупроводников// Тезисы докладов Научно-практической конференции ВВШ МВД России, Воронеж, 4.2, 1996, с. 23.
  79. C.B., Прибылов H.H., Логинов В. А., Рембеза С. И. Наблюдение изменений, вносимых в арсенид галлия при импульсном световом воздействии// Тезисы докладов Научно-практической конференции ВВШ МВД России, Воронеж, 4.2, 1997, с. 52−53.
  80. В.А., Митрохин В. И., Рембеза С. И., Железный C.B. Исследование влияния лазерной обработки на внутреннее трение в кремнии// Физика и технология материалов и изделий электронной техники, Воронеж, ВГТУ, 1994, с. 5659.
  81. С.В., Логинов В. А., Митрохин В. И., Рембеза С. И., Внутреннее трение в полупроводниках, подвергнутых лазерной обработке// ФХОМ, 1996, № 3,с. 47−50.
  82. В.А., Медведев Н. М., Митрохин В. И. и др. Внутреннее трение в материалах А3В5, имплантированных ионами бора//ФТП. 1986. Т.20. Вып.5. С.913−915.
  83. Б.М. Даринский, Н. В. Измайлов, В. А. Логинов, Митрохин В. И, Ярославцев Н. П. Неупругая релаксация в твердых телах, связанная с нарушениями поверх-ности//ФТТ, Т.29, N12,1987,c.3529−3533.
  84. В.И. Исследование некоторых процессов неупругой релаксации в полупроводниках АзВ5.:Дис. канд.физ.-мат.н. Воронеж, 1986. 128 с.
  85. A.I. Plotnikov, S.I. Rembeza, V.A. Loginov, S.V. Zhelezny. The control of the Si surface quality with local melting region method// Electron Technology, Warsawa, 1994, 27,¾, p.97−106.
  86. A.I. Plotnikov, S.I. Rembeza, V.A. Loginov, S.V. Zhelezny. Local melting regions morphology on ion implanted Si after incoherent light radiation// Abstracts of X Int. Conference «Ion implantation technology», Catania, Italy, 1994, р.3119.
  87. Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников: М.: Мир, 1973. -475 с.
  88. А.И., Логинов В. А., Рембеза С. И., Железный С. В. Методика контроля энергии некогерентного излучения// Реализация региональных научнотехнических программ Центрально-черноземного региона. Материалы конференции, Воронеж, ВГТУ, 1997, с. 153−155.
  89. П.И., Клочков В. П. Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник.//Киев: Наукова думка, 1975. 704 с.
  90. .М., Самарский A.A., Тихонов А. Н. Сборник задач по математической физике.//М.: Наука, 1972. 688 с.
  91. С.С. Теплопередача и гидродинамическое сопротивление. Справочное пособие.// М.: Энергоиздат, 1990. 367 с.
  92. А.И., Логинов В. А., Рембеза С. И. Исследование природы центров поверхностного плавления полупроводников в условиях импульсного нагре-ва//Высокочистые вещества. 1989. № 6. С.174−178.
  93. И.Л., Железный C.B. Кинетика задачи Стефана в условиях локальных поверхностных источников// Тез. докл. Воронежская весенняя математическая школа «Современные методы в теории краевых задач» «Понтрягинские чтения-IX», Воронеж, 1998, с. 231.
  94. И.Л., Железный C.B. Статистическое описание кинетики многоцентровой задачи Стефана // Тез. докл. Воронежская весенняя математическая школа «Современные методы в теории краевых задач» «Понтрягинские чтения-X», Воронеж, 1999, с. 28.
  95. И.Л., Железный C.B. Статистическое описание кинетики локального плавления при импульсном нагреве// Тез. докл. межвузовской научно-практической конференции ВВШ МВД России, Воронеж, ВВШ МВД России, 4.2, 1999, с.97−98.
  96. А.И., Железный C.B. Лазерная кристаллизация аморфного крем-ния//Физика и технология материалов и изделий электронной техники, Воронеж, ВГТУ, 1994, с. 48−51.
  97. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов. Справочник./Н.Н. Ры-калин, A.A. Углов, И. В. Зуев, А. Н. Кокора.//М.: Машиностроение, 1985. 469с.
  98. Л.Н. Кинетика зарождения новой фазы при импульсном нагреве полупроводников/ЯТисьма в ЖТФ, 1982. Т.8, Вып.24, С. 1486−1490.
  99. Л.Н. Кинетика зарождения новой фазы при импульсном нагреве полупроводников//Письма в ЖТФ, 1982. Т.8, Вып.24, С.368−371.
  100. А.И., Логинов В. А., Рембеза С. И., Железный C.B. Влияние механических нарушений поверхности на аморфизацию кремния при ионной имплантации бора// Тезисы докладов Научно-практической конференции ВВШ МВД России, Воронеж, 1995, с. 28.
  101. А.И., Логинов В. А., Рембеза С. И., Железный C.B. Влияние поверхностной плотности центров плавления на перегрев твердой фазы в условиях импульсного нагрева полупроводников// Физика и химия обработки материалов, 1992, № 4, с.52−54.
  102. В заключении хочу выразить глубокую признательность своему научному руководителю доктору физико математических наук, профессору С. И. Рембезе.
  103. Искренне благодарю В. А, Логинова, А. И. Плотникова, И. Л. Батаронова и H.H. Прибылова за помощь в выполнении работы.
  104. Я благодарен сотрудникам кафедры физики Воронежского института МВД России за дружескую обстановку в крЛлективе, внимание и помощь.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!