Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние облучения на доменную структуру и переключение поляризации в сегнетоэлектриках

Диссертация: Влияние облучения на доменную структуру и переключение поляризации в сегнетоэлектриках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Также, на протяжении полувека, предпринимаются попытки использовать сегнетоэлектрические материалы для создания конкурентоспособных запоминающих устройств (ТеКАМ), основанных на существовании в сегнетоэлектриках двух устойчивых состояний поляризации, переключаемых электрическим полем. Предполагается, что сегнетоэлектрические запоминающие устройства по ряду параметров превзойдут аналогичные… Читать ещё >

Влияние облучения на доменную структуру и переключение поляризации в сегнетоэлектриках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Взаимодействие проникающей радиации с кристаллическим веществом
      • 1. 1. 1. Механизмы образования и основные типы радиационных дефектов в кристаллах
      • 1. 1. 2. Облучение нейтронами
      • 1. 1. 3. Облучение электронами и у — лучами
    • 1. 2. Взаимодействие лазерного излучения с веществом
    • 1. 3. Переключение поляризации в сегнетоэлектриках
      • 1. 3. 1. Локальный подход: кинетика доменной структуры
      • 1. 3. 2. Интегральный подход: ток переключения и петля диэлектрического гистерезиса
    • 1. 4. Экранирование деполяризующего поля
    • 1. 5. Явление усталости при циклическом переключении поляризации в сегнетоэлектриках
      • 1. 5. 1. Общая характеристика
      • 1. 5. 2. Влияние условий эксперимента на эффект усталости
      • 1. 5. 3. Механизмы усталости
      • 1. 5. 4. Кинетический подход
    • 1. 6. Кинетика доменов в неравновесных условиях
    • 1. 7. Влияние проникающей радиации на диэлектрические свойства сегнетоэлектриков
      • 1. 7. 1. Влияние у-облучения и облучения электронами на переключение поляризации
      • 1. 7. 2. Влияние облучения нейтронами на переключение поляризации в сегнетоэлектриках
    • 1. 8. Влияние лазерного излучения свойства сегнетоэлектриков
      • 1. 8. 1. Индуцированное лазерным излучением изменение показателя преломления в монокристаллах ниобата и танталата лития
      • 1. 8. 2. Влияние лазерного излучения на переключение поляризации и доменную структуру монокристаллов ниобата и танталата лития
    • 1. 9. Монокристаллы ниобата лития
    • 1. 10. Тонкие пленки цирконата-титаната свинца
  • ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРМИЕНТА
    • 2. 1. Исследуемые образцы
      • 2. 1. 1. Конгруэнтные и легированные монокристаллы ниобата лития
      • 2. 1. 2. Тонкие пленки титаната-цирконата свинца
    • 2. 2. Облучение исследуемых образцов
      • 2. 2. 1. Облучение монокристаллов ниобата лития интенсивным лазерным излучением
      • 2. 2. 2. Облучение тонких пленок рентгеновским излучением, нейтронами и электронами
    • 2. 3. Установка для исследования переключения поляризации в тонких пленках
    • 2. 4. Методики измерений
      • 2. 4. 1. Анализ токов переключения и петель диэлектрического гистерезиса в тонких пленках
      • 2. 4. 2. Визуализация доменной структуры в монокристаллах ниобата лития без травления
        • 2. 4. 2. 1. Оптическая визуализация
        • 2. 4. 2. 2. Сшовая микроскопия пьезоэлектрического отклика (РЕМ)
      • 2. 4. 3. Визуализация доменной структуры в монокристаллах ниобата лития после травления
        • 2. 4. 3. 1. Селективное химическое травление
        • 2. 4. 3. 2. Оптическая визуализация
        • 2. 4. 3. 3. Визуализация рельефа травления с помощью атомно-силовой микроскопии
      • 2. 4. 4. Статистическая обработка и фрактальный анализ оптических изображений
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПРОНИКАЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА ПРОЦЕССЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ПОЛЯРИЗАЦИИ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ
    • 3. 1. Циклическое переключение поляризации в сегнетоэлектрических тонких пленках
    • 3. 2. Влияние рентгеновского излучения на переключение поляризации в тонких пленках
    • 3. 3. Циклическое переключение тонких пленок в процессе облучения сивхротронным рентгеновским излучением
    • 3. 4. Влияние облучения электронами на переключение поляризации в тонких пленках
    • 3. 5. Влияние облучения нейтронами на переключение поляризации в тонких пленках
    • 3. 6. Краткие
  • выводы
  • ГЛАВА 4. ФОРМИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ НАНО-ДОМЕННЫХ СТРУКТУР В НИОБАТЕ ЛИТИЯ В РЕЗУЛЬТАТЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ИМПУЛЬСНЫМ ЛАЗЕРНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ
    • 4. 1. Поверхностные структуры, индуцированные интенсивным лазерным излучением
    • 4. 2. Формирование поверхностных нанодоменных структур с помощью ультрафиолетового импульсного лазерного излучения
      • 4. 2. 1. Основные типы поверхностных доменных структур
      • 4. 2. 2. Изолированные домены
      • 4. 2. 3. Доменная структура, состоящая из «доменных лучей»
    • 4. 3. Исследование поверхностной доменной структуры с помощью СЗМ
    • 4. 4. Компьютерное моделирование
    • 4. 5. Влияние импульсного инфракрасного лазерного излучения на формирование поверхностных нанодоменных структур
      • 4. 5. 1. Формирование самоподобных структур при однородном облучении
      • 4. 5. 2. Воздействие инфракрасного излучения через неоднородное пленочное покрытие
    • 4. 6. Механизм образования поверхностных доменных структур
    • 4. 7. Краткие
  • выводы

В настоящее время ведутся широкие исследования возможностей практического применения сегнетоэлектриков в различных областях техники, так как они обладают рядом уникальных свойств. Интерес к этим материалам сильно возрос в последнее время, благодаря развитию доменной инженерии, которая занимается разработкой методов создания в сегнетоэлектрических кристаллах доменных структур со строго заданной конфигурацией для применения в различных устройствах. Одной из наиболее важных задач доменной инженерии является создание фотонных кристаллов — нелинейно-оптических материалов с регулярной доменной структурой для построения эффективных преобразователей частоты когерентного излучения. Ниобат лития является хорошим модельным объектом для такого рода исследований, поскольку он относится к классу одноосных сегнетоэлектриков и обладает сравнительно простой доменной структурой, которая может быть легко визуализирована оптическими методами.

Для создания микронных доменных структур используются такие методы как аутдиффузия оксида лития (1л20), протонный обмен, диффузия титана (И) и воздействие электронным пучком. Тем не менее, до настоящего момента, использование электрического поля остается наиболее предпочтительным и надежным методом в доменной инженерии, который позволяет создавать объемные периодические структуры с микронными периодами. Однако некоторые приложения фотонных кристаллов требуют наличия доменных структур с субмикронными периодами. Поэтому, исследование формирования таких объектов, как нанодомены, и умение управлять нанодоменными структурами имеют важное фундаментальное значение.

Также, на протяжении полувека, предпринимаются попытки использовать сегнетоэлектрические материалы для создания конкурентоспособных запоминающих устройств (ТеКАМ), основанных на существовании в сегнетоэлектриках двух устойчивых состояний поляризации, переключаемых электрическим полем. Предполагается, что сегнетоэлектрические запоминающие устройства по ряду параметров превзойдут аналогичные устройства на ферритах. Записывать информацию можно электрическим полем, механическим напряжением и поглощаемым излучением, а считывать, используя эффект поля, 5 переключение поляризации, пирои пьезоэффекты или оптическое считывание. Для специальных применений важна присущая сегнетоэлектрикам значительная радиационная стойкость.

Актуальность работы обусловлена необходимостью детального исследования воздействия излучения на доменную структуру и переключение поляризации в сегнетоэлектриках. Особенно важными с этой точки зрения являются исследования особенностей формирования нанодоменных структур под действием импульсного лазерного излучения. Вместе с тем, исследование влияния проникающего излучения на переключение поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках является важной проблемой для применения в космических и оборонных отраслях промышленности.

Целью работы является исследование влияния проникающей радиации на переключение поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках цирконата-титаната свинца, а также формирования нано-доменной структуры в монокристаллах ниобата лития в результате воздействия импульсного лазерного излучения.

Объекты исследования. Влияние проникающей радиации на переключение поляризации изучалось в тонких пленках цирконата-титаната свинца РЬ2гхТ1]. хОз (ЦТС). Выбор материала обусловлен его применением при создании энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств, которые используются, в частности, для решения космических и оборонных задач.

Исследования кинетики доменной структуры в результате воздействия импульсного лазерного излучения проводились в монокристаллах конгруэнтного и легированного М§-0 ниобата лития 1л№>03. Эти материалы наиболее популярны для нелинейно-оптических и акустических применений. Развитие методов создания стабильных регулярных доменных структур с микронными и субмикронными периодами исключительно важно для создания устройств преобразования длины волны лазерного излучения с использованием эффекта квазифазового синхронизма [56]. Получение субмикронных периодов является принципиальным достижением, которое откроет качественно новые возможности при создании фотонных кристаллов.

Научная новизна работы заключается в следующем:

• Показано, что форма тока переключения наиболее чувствительна к воздействию проникающей радиации и существенно зависит от исходного состояния доменной структуры.

• Установлено, что облучение при циклическом переключении тонких пленок приводит к значительному ускорению процесса усталостиуменьшению величины переключаемого заряда.

• Показано, что самоорганизация поверхностных нано-доменных структур, образующихся в монокристаллах ниобата лития при воздействии импульсного лазерного излучения, обусловлена эффектом коррелированного зародышеобразования.

• Обнаружена аномальная эволюция доменной структуры в сильнонеравновесных условиях: рост доменных лучей вдоль выделенных кристаллографических направлений с дискретными поворотами, вызванными их взаимодействием.

• Продемонстрировано создание поверхностных периодических нано-доменных структур с помощью импульсного инфракрасного лазерного излучения.

Практическая ценность. Результаты исследований влияния проникающего излучения на свойства тонких пленок могут быть использованы для улучшения характеристик элементов энергонезависимой памяти, используемых в условиях воздействия проникающей радиации.

Развитый способ получения субмикронной периодической доменной структуры в ниобате лития с помощью импульсного лазерного излучения расширяет возможности применения этого материала для создания устройств акустоэлектроники и нелинейной оптики.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

1. Высокая чувствительность формы тока переключения в тонких пленках ЦТС к воздействию радиационного излучения, и существенная зависимость результата облучения от исходного состояния доменной структуры.

2. Существенное ускорение процесса усталости, вызванное воздействием проникающей радиации при циклическом переключении.

3. Формирование самоорганизованных поверхностных нано-доменных структур при облучении поверхности монокристаллов ниобата лития импульсным лазерным излучением.

4. Выявленные правила формирования нано-доменных структур за счет ориентированного роста и взаимодействия нано-доменных лучей в результате действия импульсного лазерного излучения.

5. Предложенный механизм образования поверхностных нано-доменных структур под действием пироэлектрического поля, возникающего при охлаждении поверхностного слоя после завершения импульса излучения.

Апробация работы. Основные результаты были представлены на 23 российских и международных конференциях и симпозиумах, в том числе International Joint Conference on the Applications of Ferroelectrics (2002, Nara, Japan), 7th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity (2002, St.-Petersburg), XVI конференции по физике сегнетоэлектриков (2002, Тверь), 7th International Symposium on Ferroic Domains and Mesoscopic Structures (2002, Giens, France), Scanning Probe Microscopy International Workshops (2003, 2004, Nizhny Novgorod), 10th European Meeting on Ferroelectricity (2003, Cambridge, U.K.), Materials Research Society Fall Meetings (2002, 2003, Boston, USA), 16th International Symposium on Integrated Ferroelectrics (2004, Gyeongju, Korea), 8th International Symposium on Ferroic Domains and Microto Nanoscopic Structures (2004, Tsukuba, Japan), International Conference on Photo-Excited Processes and Applications (2004, Lecce, Italy), 5-ой Международной конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (2004, Воронеж), Nanophysics and Nanoelectronics International Symposium (2005, Nizhny Novgorod), 17th International Symposium on Integrated Ferroelectrics (2005, Shanghai, China), XVII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (2005, Пенза), 11th International Meeting on Ferroelectricity (2005, Foz do Iguacu-Puerto Iguazu, Brazil-Argentina), International Symposium «Microand Nano-scale Domain Structuring in Ferroelectrics» (2005, Ekaterinburg), X International Symposium «Nanophysics and Nanoelectronics» (2006, Nizhny Novgorod), The 8th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity, (2006, Tsukuba, Japan), The 9th International Symposium on Ferroic Domains and Microto Nanoscopic Structures (2006, Dresden,.

Germany), 8th European Conference on Applications of Polar Dielectrics (2006, Metz, France), 5th International Seminar on Ferroelastic Physics (2006, Voronezh).

Публикации и личный вклад автора. Основные результаты исследований опубликованы в 45 печатных работах, из них 6 статей во всероссийских и зарубежных реферируемых печатных изданиях. Диссертационная работа выполнена в лаборатории сегнетоэлектриков отдела оптоэлектроники и полупроводниковой техники НИИ ФПМ Уральского государственного университета им. A.M. Горького в рамках исследований, проводимых при частичной поддержке грантов РФФИ (04−02−16 770), РФФИ-ГФЕН (03−02−39 004), РФФИ-ННИО (04−02−4 007), РФФИ-НЦНИ (05−02−19 468), Министерства образования и науки РФ (48 859, 49 130 и РНП 2.1.1.8272 программы «Развитие научного потенциала высшей школы»), CRDF FSTM (RUE1−5037-EK-04), CRDF BRHE (EK-005-XI).

Все основные результаты работы были получены лично автором или при его активном участии. Выбор направления исследований, обсуждение результатов и формулировка задач проводились совместно с научным руководителем профессором В. Я. Шуром и E.JI. Румянцевым. Эксперименты по циклическому переключению тонких сегнетоэлектрических пленок и облучению монокристаллов ниобата лития проводились автором лично. Экспериментальная установка для циклического переключения в тонких пленках была создана совместно с И. С. Батуриным. Облучение импульсным лазерным излучением проводилось автором лично в лаборатории квантовой электроники института электрофизики УрО РАН. Анализ оптических изображений с поверхностными нано-доменными структурами проводился совместно с А. И. Лобовым. Исследование поверхностных доменных структур в ниобате лития с помощью сканирующей зондовой микроскопии проводилось совместно с Е. И. Шишкиным и Е. В. Николаевой.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате проведенной работы по исследованию влияния проникающей радиации на переключение поляризации в тонких пленках цирконата-титаната свинца и лазерного излучения на доменную структуру в монокристаллах ниобата лития были получены следующие основные результаты:

1. Показано, что изменение характера переключения в результате радиационного облучения тонких пленок обусловлено увеличением неоднородного внутреннего поля смещения, причем распределение поля смещения определяется доменной структурой, существующей при облучении.

2. Установлено, что рентгеновское облучение тонких пленок непосредственно при циклическом переключении приводит к существенному ускорению процесса усталости.

3. Показано, что особенности переключения в пленках, облученных нейтронами, могут быть отнесены за счет влияния областей разупорядочения, играющих роль неполярных включений нанометровых размеров.

4. Установлено, что в пленках, облученных электронами и рентгеновским излучением, возрастает скорость увеличения дисперсии функции распределения внутреннего поля смещения, что ускоряет процесс усталости.

5. Все наблюдаемые эффекты, связанные с радиационно-стимулированными изменениями процесса переключения в тонких пленках, объяснены в рамках единого подхода, основанного на учете определяющей роли объемного экранирования деполяризующих полей и его ускорения в результате облучения.

6. Впервые на примере монокристаллов ниобата лития обнаружена и исследована кинетика одномерного роста сегнетоэлектрических доменов при переключении поляризации в сильно неравновесных условиях, созданных импульсным ультрафиолетовым и инфракрасным лазерным излучением.

7. Впервые выявлены законы ориентированного роста и взаимодействия нанодоменных лучей при формировании самоподобных поверхностных доменных структур.

8. Впервые продемонстрировано создание строго периодических поверхностных нано-доменных структур без приложения электрического.

124 поля за счет облучения пластины ниобата лития с неоднородным пленочным покрытием, нанесенным методами фотолитографии, инфракрасным лазерным излучением.

9. Высказано предположение, что поверхностные нано-доменные структуры образуются под действием пироэлектрического поля, возникающего при охлаждении поверхностного слоя после завершения лазерного импульса. Продемонстрирована определяющая роль эффекта коррелированного зародышеобразования в формировании самоорганизованных структур.

УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ.

А — коэффициент, характеризующий скорость увеличение дисперсии функции распределения внутреннего поля смещения при циклическом переключении.

AFM — атомно-силовая микроскопия.

CLN — конгруэнтный ниобат лития.

Ст — измерительная емкость в схеме Сойера-Тауэра.

CVD — метод создания тонких пленок с помощью осаждения из газовой фазы d — толщина образца D — электростатическая индукция Db — фрактальная размерность djnt — характерное расстояние взаимодействия доменных лучей.

Е, Е — электрическое поле.

Еа — поле активации.

Еь — поле смещения.

Ес — коэрцитивное поле.

Edep — деполяризующее поле.

Еех — внешнее электрическое поле.

El — поле в диэлектрическом зазоре.

Eioc — локальное электрическое поле.

Ет Е"а. Enu — усредненные локальные пороговые поля, характеризующие переключение вблизи неполярных включений.

Erd — остаточное деполяризующее поле.

Es — поле, создаваемое спонтанной поляризацией.

Escr — поле внешнего экранирования.

Eth — пороговое поле f (Eb) — функция распределения внутреннего поля смещения FeRAM — запоминающие устройства на основе сегнетоэлектриков Fr (HT) — высокотемпературная орторомбическая сегнетофаза Fr (LT) — низкотемпературная орторомбическая сегнетофаза FT — тетрагональная сегнетофаза I — плотность энергии лазерного излучения j — ток переключения jmax — максимальное значение тока переключения.

126 imaxn ~ нормированное максимальное значение тока переключения к — постоянная Больцмана.

L0 — характерная длина, с которой скейлинговое преобразование переходит в случайное.

4 — характерный размер разбиения во фрактальном анализе методом box-counting.

Ld — толщина диэлектрического зазора на поверхности сегнетоэлектрика Ls — длина экранирования LSCO — (La, Sr) Co03 Ммассовое число атома.

MgO:LN — ниобат лития, легированный оксидом магния Nколичество импульсов переключения.

Nb — количество разбиений во фрактальном анализе методом box-counting пе — обычный показатель преломления п0 — необычный показатель преломления Р — поляризация р — скорость образования зародышей Рс — кубическая параэлектрическая фаза.

PFM — пьезоэлектрическая мода сканирующей зондовой микроскопии Р,. — остаточная поляризация Ps — остаточная поляризация — проекции вектора спонтанной поляризации на направление перпендикулярное поверхности образца Q — переключаемый заряд Qs — полный переключенный заряд г — параметр компьютерного моделирования, определяющий вероятность ветвления.

Rm — измерительное сопротивление в схеме Мерца.

Ros — сопротивление обратной связи в схеме преобразователя ток-напряжение.

5 — площадь электродов SBT — SrBi3Ta09.

Sw — площадь стенки Г — температура.

Г — период переключающего поля.

Т, Т — время нахождения в состоянии с различным направлением поляризации Тс — температура Кюри.

Ьпах ~ время, соответствующее максимальному значению тока переключения х — время переключения иех — разность потенциалов на образце ит — измеряемое напряжение в схемах Мерца, Сойера-Тауэра иои1 — выходное напряжение в схеме преобразователя ток-напряжение.

Vобъем зародыша.

Уёеп — скорость генерации вершины.

— скорость роста вершины ^ - дисперсия функции распределения внутреннего поля смещения ¥-с1 — пороговая энергия образования радиационных дефектов ???7 — энергия деполяризующего поля? — энергия электрона при фотоэффете Я — длина волны, а — дисперсия функции распределения периода в процессе образования квазипериодических структур, индуцированных УФ излучением.

Ф — работа выхода фотоэлектрона со — частота лазерного излучения.

ИК — инфракрасное лазерное излучение.

НЛ — ниобат лития.

СЗМ — сканирующая зондовая микроскопия.

УФ — ультрафиолетовое лазерное излучение.

ЦТС, Р2Т — цирконат-титанат свинца й — постоянная Планка д — диэлектрическая проницаемость воздуха ь — диэлектрическая проницаемость в объеме сегнетоэлектрика.

81 — диэлектрическая проницаемость поверхностного зазора.

— диэлектрическая восприимчивость — удельная поверхностная энергия стенки.

БЛАГОДАРНОСТИ.

В качестве заключительного слова мне хотелось бы поблагодарить все тех, кто помогал мне в этом нелегком труде.

В первую очередь хочу выразить глубокую благодарность моему научному руководителю, профессору Владимиру Яковлевичу Шуру, который является для меня ярким примером успешного человека не только в науке, но и в жизни. Более того, Владимир Яковлевич является прекрасным учителем, который учит нас преодолевать трудности и, не смотря ни на что, двигаться к своей цели. Поэтому его роль в успешном завершении моей диссертации трудно переоценить!

Отдельное спасибо хочу сказать моей учительнице по физике Скулкиной Надежде Александровне. Именно с ее помощью мне удалось открыть для себя этот удивительный мир физики.

Спасибо родителям, которые хоть и далеки от науки но, не смотря ни на что, всегда поддерживали все мои начинания и предоставляли полную свободу выбора.

Спасибо всем сотрудникам, аспирантам и студентам Лаборатории сегнетоэлектриков. Отдельную благодарность хочу выразить Батурину Ивану, который для меня всегда являлся старшим товарищем, хотя мы вместе прошли путь от студенчества до соискания степени кандидата наук. Спасибо Шишкину Евгению, Николаевой Екатерине и Пелегову Дмитрию, которые помогали мне осваиваться в мире экспериментальной физики. Отдельное спасибо Алевтине Геннадьевне и Елене Пелеговой за поддержку и помощь в решении всех административных вопросов.

Спасибо администрации Уральского госуниверситета, сотрудникам и преподавателям физического факультета за предоставленную возможность учиться и одновременно работать в научной группе мирового уровня.

Спасибо тем, кто прочитал этот труд! Надеюсь, он будет для Вас полезным!

С уважением,.

Дмитрий Кузнецов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.И., О критериях лазерного разрушения прозрачных твердых тел // Известия челябинского научного центра. Сер. общая и техническая физика. — 2003. — Т. 18, вып.1. — С.21−26.
  2. В.И., Элементарная теория лазерного пробоя прозрачных твердых тел // Известия челябинского научного центра. Сер. общая и техническая физика. 2003. — Т. 18, вып.1. — С. 14−20.
  3. Д., Тейлор Д., Полярные диэлектрики и их применение // Москва, Мир, 1981.-С.526.
  4. .Р., Любавский Ю. В., Овчинников В. М., Основы лазерной техники // Москва, Сов. Радио. 1972. — С.250.
  5. A.A., Деппе Д., Кочаровский В. В., Кочаровский Вл.В., Пестов Д. С., Скалли М. О., Новые схемы полупроводниковых лазеров и освоение терагерцового диапазона // Успехи Физических Наук. 2003. — Т.173, вып.9.- С.1015−1021.
  6. Г. А., Ашкин Ю., Прохождение излучения через вещество. Экспериментальная ядерная физика // Москва, Изд.иностр.литер. 1955. -С.210.
  7. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Т., Физика полупроводников // Москва, Наука. 1977. — С.234.
  8. .В., Воробьев A.A., Действие излучений на ионные структуры // Москва, Госатомиздат. 1962. — С.250.
  9. Ф.В., Прохоров A.M., Использование лазерного источника энергии для создания реактивной тяги // Успехи Физических Наук. 1976. — Т. 199. -С.425−446.
  10. B.C., Действие излучений на полупроводники // Москва, Физматиз.- 1963.-С.120.
  11. B.C., Ухин H.A., Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах // Москва, Атомиздат. 1969. — С.312.
  12. В.А., Стариченко К. М. Гурьев A.B., Движение примесных ионов галогенов в германате свинца // Физика Твердого Тела. 1988. — Т. ЗО, вып.5.- С.1143−1147.
  13. Р.И., Федоренко А. И., Фокусировка столкновений и радиационные нарушения в кристаллах // Радиационная физика неметаллических кристаллов. Труды совещания. 1967. — С.34−54.
  14. В.А., Городниченко Е. С., Влияние импульсного лазерного излучения на морфологию и фотоэлектрические свойства кристаллов InSb // Физика и техника полупроводников. 2003. — Т.37, вып.4. — С.414−416.
  15. Дж., Винйард Дж., Радиационные эффекты в твердых телах // Москва, Изд.иностр.литер. 1960. — С.123.
  16. JI.H., Гомоюнова М. В., Эмиссионная электроника // Москва, Наука, 1966.-С. 176.
  17. Н.Ф., Доменная структура монокристаллов ниобата лития, выращенных методом Чохральского: Дис. канд. физ.-мат. наук // Москва, Издательство МГУ. 1978. — С. 160.
  18. И.С., Физика кристаллических диэлектриков // Москва, Наука. -1968. С. 234.
  19. В.А., К теории доменных стенок в сегнетоэлектриках // ЖЭТФ. -1958. Т.35, вып.5. — С.1175−1180.
  20. Ф., Ширане Д., Сегнетоэлектрические кристаллы // Москва, Мир. -1965.-С.555.
  21. С.Т., Действие облучения на материалы // Москва, Атомиздат. 1967. — С.401
  22. Р.Ф., Литвинов В. Л., Ухин И. А., Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий // Москва, Атомиздат. -1971. С. 176.
  23. Д.К., Батурин И. С., Шур В.Я., Menou N., Muller С., Schneller Т., Sternberg А., Кинетика переключения поляризации в облученных тонких пленках PZT// ФТТ. 2006. — Т.48, № 6. — С. 1104−1106.
  24. Ю.С., Ниобат и танталат лития материалы для нелинейной оптики // Москва, Наука. — 1975. — С.225.
  25. Ю.С., Электрооптический и нелинейнооптический кристалл ниобата лития // Москва, Наука. 1987. — С.264.
  26. М., Гласс А., Сегнетоэлектрики и родственные им материалы // Москва, Мир, 1981.-С.736.
  27. Г. С., Оптика // Москва, Наука. 1976. — С.759
  28. A.A., Прохоров A.M., Лазерное разрушение прозрачных твердых тел // Успехи Физических Наук. 1986. — Т.148. — С.179−208.
  29. Е.В., Законы импульсной переполяризации кристаллов триглицинсульфата // Кристаллография. 1969. — Т.14, вып.6. — С.1074−1077.
  30. Е.В., Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках // Ташкент, Фан, 1986.-С. 140
  31. Е.В., Стародубцев C.B., Влияние радиационных эффектов на сегнетоэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата // Бюллетень Академии наук СССР, сер.физ. 1967. — Т.31, вып.11. — С.1791−1795.
  32. Г. И., Охапкин В. А., Чепелев Ю. Л., Шур В.Я., Эмиссия электронов при переключении сегнетоэлектрика германата свинца // Письма в ЖЭТФ. -1984.-Т.39, вып.9. С.397−399.
  33. Дж., Действие мощного лазерного излучения // Москва, Мир. 1974. -С.254.
  34. A.C., Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике // Соросовский образовательный журнал. 1996. — Т.10. — С.83−91.
  35. Г. А., Физика сегнетоэлектрических явлений // Ленинград, Наука. 1985. — С.396.
  36. С.П., Кузьмин И. И., Физика радиационных повреждении в сегнетоэлектрическом титанате бария П Известия АН СССР, Сер. физ. -1970. Т.34, вып. 12. — С.2604−2611.
  37. С.П., Кузьмин И. И., Харченко В. А., Влияние облучения на электрофизические свойства монокристаллов и керамики титаната бария // Известия АН СССР, Сер. физ. 1967. — Т.31, вып. 11. — С. 1751 -1761.
  38. C.B., Романов A.M., Прохождение заряженных частиц через вещество // Ташкент, Изд. АН УзССР. 1962. — С.124
  39. А.Л., Попок В. Н., Hole D.E., Бухараев A.A., Взаимодействие мощных импульсов лазерного излучения со стеклами, содержащими имплантированные металлические наночастицы // Физика Твердого Тела. -2001. Т.43. — С.2100−2103.
  40. В.Н., Механическое разрушение прозрачных диэлектриков сфокусированным лазерным излучением // Письма в ЖТФ. 2000. — Т.26, вып.24. — С.19−23.
  41. Сэм М.Ф., Лазеры и их применение // Соросовский образовательный журнал. 1996. — Т.6. — С.92−98.
  42. Е., Фракталы // Москва, Мир. 1991. — С.254.
  43. Е.Г., Гавриляченко В. Г., Семенчев А. Ф., Доменная структура многоосных сегнетоэлектрических кристаллов // Ростов-на-дону, изд. Ростовского университета. 1990. — С. 192.
  44. В.М., Сегентоэлектрики полупроводники // Москва, Наука. -1976.-С.408.
  45. В.М., Фотосегнетоэлектрики // Москва, Наука. 1979. — С.408.
  46. С.А., Мовнин С. М., Физические основы электронной техники // Москва, Высшая школа. 1982. — С. 153.
  47. К., Физическая электроника // Москва, Энергия. 1977. — С.121.
  48. И.Л., Зеленина Л. К., Матвеев О. А., Тепловое воздействие импульсного лазерного излучения на реальную структуру монокристаллов CdTe // Физика Твердого Тела. 2000. — Т.42, вып.З. — С.548−550.
  49. Шур В.Я., Доменная структура одноосных сегнетоэлектриков: Дис. докт. физ.-мат. наук// Свердловск, УПИ. 1990. — С.335.
  50. Шур В.Я., Ломакин Г. Г., Румянцев Е. Л., Якутова О. В., Пелегов Д. В., Sternberg A., Kosec М., Переключение поляризации в гетерофазных наноструктурах: релаксорная PLZT керамика // Физика Твердого Тела. -2005. Т.47, вып.7. — С.1293−1297.
  51. Шур В.Я., Румянцев Е. Л., Николаева Е. В., Шишкин Е. И, Батурин И. С., Кинетический подход к объяснению эффетка усталости в сегнетоэлектриках // Физика Твердого Тела. 2002. — Т.44, вып.11. — С.2049−2054.
  52. В.А., Получение устойчивого монодоменного состояния сегнетоэлектриков // Известия АН СССР, Сер. физ. 1960. — Т.24, вып.11. -С.1329−1333.
  53. Abe R, Theoretical treatment of the movement of 180° domain in BaTi03 single crystal // Journal of the Physical Society of Japan. 1959. — V.14, N.5. — P.633−642.
  54. Al-Shareef H.N., Auciello 0., Kingon A.I., Electrical properties of ferroelectric thin-film capacitors with hybrid (Pt, Ru02) electrodes for nonvolatile memory applications // Journal of Applied Physics. 1995. — V.77, N.5. — P.2146−2154.
  55. Al-Shareef H. N, Dimos D, Boyle T. J, Warren W. L, Tuttle B. A, Qualitative model for the fatigue-free behavior of SrBi2Ta209 // Applied Physics Letters. -1996. V.68, N.5. — P.690−692.
  56. Armstrong J. A, Bloembergen N, Ducuing J. Pershan P. S, Interactions between light waves in a nonlinear dielectric // Physical Review. 1962. — V.127, N.6. -P.1918−1939.
  57. Asano G, Morioka H, Funakubo H, Shibutami T. Oshima N, Fatigue-free Ru02/Pb (Zr, Ti)03/Ru02 capacitor prepared by metalorganic chemical vapor deposition at 395 degrees C // Applied Physics Letters. 2003. — V.83, N.26. -P.5506−5508.
  58. Ashkin A, Boyd G. D, Dziedzic J. M, Smith R. G, Ballman A. A, Levinstein H. J, Nassau K, Optically-induced refractive index imnomogenities in LiNb03 and LiTa03 //Applied Physics Letters. 1966. — V.9, N.l. — P.72−74.
  59. Barry I.E., Eason R. W, Cook G, Light-induced frustration of etching in Fe-doped LiNb03 //Applied Surface Science. 1999. — V.143, N. l-4. — P.328−331.
  60. Barry I.E., Ross G. W, Smith P.G.R, Eason R. W, Cook G, Microstructuring of lithium niobate using differential etch-rate between inverted and non-inverted ferroelectric domains // Materials Letters. 1998. — V.37, N.4−5. — P.246−254.
  61. Bertolotti M, Papa T, Sette D, Vitali G, Electron Microscope Observation of High-Energy-Neutron-Irradiated Germanium // Journal of Applied Physics. -1965.-V.36, N.11. P.3506−3512.
  62. Bertolotti M., Papa T., Sette D., Vitali G., Evidence for Damage Regions in Si, GaAs, and InSb Semiconductors Bombarded with High-Energy Neutrons // Journal of Applied Physics. 1967. — V.38, N.6. — P.2645−2647.
  63. Bertolotti M., Radiation effects in semiconductors // New York, Plenum Press. -1968. -P.311.
  64. Bittner R., Humer K., Weber H.W., Cakare L., Sternberg A., Lesnyh D.A., Kulikov D.V., Trushin Y.V., Dielectric properties of irradiated ferroelectric and antiferroelectric thin films // Integrated Ferroelectrics. 2002. — V.47. — P. 143 152.
  65. Bittner R., Humer K., Weber H.W., Kundzins K., Sternberg A., Lesnyh D.A., Kulikov D.V., Trushin Y.V., Neutron irradiation effects in PZ and PZT thin films // Integrated Ferroelectrics. 2005. — V.72. — P.47−51.
  66. Bittner R., Humer K., Weber H.W., Tyunina M., Cakare L., Sternberg A., Kulikov D.V., Trushin Y.V., Dielectric properties of reactor irradiated ferroelectric thin films // Integrated Ferroelectrics. 2001. — V.37, N. l-4. — P.605−613.
  67. Boyland A.J., Mailis S., Barry I.E., Eason R.W., Kaczmarek M., Latency effects and periodic structures in light-induced frustrated etching of Fe: doped LiNb03 // Applied Physics Letters. 2000. — V.77, N.18. — P.2792−2794.
  68. Bratkovsky A.M., Levanyuk A.P., Ferroelectric phase transitions in films with depletion charge // Physical Review B. 2000. — V.61, N.22. — P.6 115 042−6 115 050.
  69. Brown P.T., Mailis S., Zergioti I., Eason R.W., Microstracturing of lithium niobate single crystals using pulsed UV laser modification of etching characteristics // Optical Materials. 2002. — V.20, N.2. — P. 125−134.
  70. Bunton P., Binkley M., Asbury G., Laser ablation from lithium niobate // Applied Physics A-Materials Science & Processing. 1997. — V.65, N.4−5. — P.411−417.
  71. Buse K., Light-induced charge transport processes in photorefractive crystals .2. Materials // Applied Physics B-Lasers and Optics. 1997. — V.64, N.4. — P.391−407.
  72. Camlibel L., Spontaneous polarization measurements in several ferroelectric oxides using a pulsed-field method // Journal of Applied Physics. 1969. — V.40, N.4.- P.1690−1693.
  73. Chen F.S., Optially induced change of refractive indices in LiNb03 and LiTa03 // Journal of Applied Physics. 1969. — V.40, N.8. — P.3389−3396.
  74. Chon U., Shim J.S.Jang H.M., Lead-free layered perovskite film capacitor for ferroelectric random access memory // Eco-Materials Processing & Design. -2003. V.439. — P.1−6.
  75. Chynoweth A.G., Radiation damage effects in ferroelectric triglycine sulfate // Physical Review. 1959. — V. l 13, N.l. — P.159−166.
  76. Dearaujo C.A., Cuchiaro J.D., Mcmillan L.D., Scott M.C.Scott J.F., Fatigue-Free Ferroelectric Capacitors with Platinum-Electrodes // Nature. 1995. — V.374, N.6523.- P.627−629.
  77. Dimos D., Al-Shareef H.N., Warren W.L., Tuttle B.A., Photoinduced changes in the fatigue behavior of SrBi2Ta209 and Pb (Zr, Ti)03 thin films // Journal of Applied Physics. 1996. — V.80, N.3. — P.1682−1687.
  78. Explorer user manual // Thermomicroscopes Co. 2001. — P.
  79. Fatuzzo E., Mertz W., Ferroelectricity // Amsterdum, North-Holland Publishing Company. 1967. -P.287.
  80. Galinetto P., Ballarini D., Grando D., Samoggia G., Microstructural modification of LiNb03 crystals induced by femtosecond laser irradiation // Applied Surface Science. 2005. — V.248, N. l-4. — P.291−294.
  81. Glass A.M., Investigation of the electrical properties of Sri. sBasNb206 with special reference to pyroelectric detection // Journal of Applied Physics 1969. -V.40, N.12. — P.4699−4713.
  82. Glower D.D., Hester D.L., Hysteresis Studies of Reactor-Irradiated Single-Crystal Barium Titanate // Journal of Applied Physics. 1965. — V.36, N.7. -P.2175−2180.
  83. Gopalan V., Jia Q.X., Mitchell T.E., In situ video observation of 180° domain kinetics in congruent LiNb03 // Applied Physics Letters. 1999. — V.75, N.16. -P.2482−2484.
  84. Grossman M., Bolten D., Lohse O., Boettger U., Waser R., Tiedke S., Correlation between switching and fatigue in PbZr03Ti07O3 thin films // Applied Physics Letters. 2000. — V.77, N.12. — P.1894−1896.
  85. Harris E., Dakss M., Optical damage to LiNb03 from GaAs laser radiation // IBM Journal of Research and Development. 1969. — V.13, N.6. — P.722−723.
  86. Hayashi M., Kinetics of domain wall motion in ferroelectric wwitching. I. General formulation // Journal of the Physical Society of Japan. 1972. — V.33, N.3. — P.616−628.
  87. Hooton J.A., Mertz W.J., Etch patterns and ferroelectric domains in BaTi03 single crystals // Physical Review 1955. — V.98, N.2. — P.409−413.
  88. Kaenzing W., Space charge layer near the surface of a ferroelectric // Physical Review 1955. — V.98, N.2. — P.549−550.
  89. Kalinin S.V., Bonnel D.A., Electrostatic and magnetic force microscopy, «Scanning probe microscopy: theory, techniques and applications» // New York, WILEY-VCH. 2001. — Ch.7. — P.205−251.
  90. Keating J., Murphy G., Gamma-irradiation effects in single-crystalline barium titanate //Physical Review. 1969. — Y.184, N.2. — P.476−480.
  91. Kholkin A.L., Colla E.L., Tagantsev A.K., Taylor D. V, Setter N, Fatigue of piezoelectric properties in Pb (Zr, Ti)03 films // Applied Physics Letters. 1996. -V.68, N.18. — P.2577−2579.
  92. Kholkin A.L., Iakovlev S.O., Baptista, J.L., Direct effect of illumination on ferroelectric properties of lead zirconate titanate thin films // Applied Physics Letters. 2001. — V.79, N.13. — P.2055−2057.
  93. Kovalevich V.I., Shuvalov L.A., Volk T.R., Spontaneous polarization reversal and photorefractive effect in single-domain iron-doped lithium niobate crystals // Phys. Status Solidi. 2006. — V.45. — P.245−252.
  94. Kuznetsov D.K., Shur V.Ya., Baturin I. S, Menou N, Muller Ch" Schneller T., Sternberg A., Effect of penetrating irradiation on polarization reversal in PZT thin films // Ferroelectrics. 2006. — V.340. — P.161−167.
  95. Lampbeck P.V., Jonker J.H., The nature of domain stabilization in ferroelectric perovskites // J.Phys.Chem.Solids. 1986. — V.47.N.5. — P.453−461.
  96. Landauer L., Electrostatic Considerations in BaTi03 Domain Formation during Polarization Reversal // Journal of Applied Physics. 1957. — V.28, N.2. — P.227−234.
  97. Larsen P.K., Dormans G.J., Taylor D.J., Vanveldhoven P.J., Ferroelectric Properties and Fatigue of PbZro.51Tio.49O3 Thin-Films of Varying Thickness Blocking Layer Model // Journal of Applied Physics. 1994. — V.76, N.4. -P.2405−2413.
  98. Lenzo P.V., Turner E.H., Spencer E.G., Ballman A.A., Electrooptic coefficients and elastic-wave propagation in single-domain ferroelectric lithium tantalate // Applied Physics Letters. 1966. — V.8, N.4. — P.81−82.
  99. Little E.A., Dynamic behavior of domain walls in barium titanate // Physical Review. 1955. — T.98, N.4. — P.978−984.
  100. Lupascu D.C., Fatigue in ferroelectric ceramics and related issues // Berlin, Springer. -2004. -P.225.
  101. Mailis S., Riziotis C., Smith P.G.R., Scott J.G., Eason R.W., Continuous wave ultraviolet radiation induced frustration of etching in lithium niobate single crystal // Applied Surface Science. 2003. — V.206. — P.46−52.
  102. Mailis S., Sones C.L., Scott J.G., Eason R.W., UV laser-induced ordered surface nanostructures in congruent lithium niobate single crystals // Applied Surface Science. 2005. — V.247, N. l-4. — P.497−503.
  103. Majumder S.B., Agrawal D.C., Mohapatra Y.N., Katiyar R.S., Fatigue and dielectric properties of undoped and Ce doped PZT thin films // Integrated Ferroelectrics. 2000. — V.29, N. l-2. — P. A63-A74.
  104. Majumder S.B., Mohapatra Y.N.Agrawal D.C., Fatigue resistance in lead zirconate titanate thin ferroelectric films: Effect of cerium doping and frequency dependence//Applied Physics Letters. 1997. — V.70, N.l. — P. 138−141.
  105. Matsuura K., Nakabayashi M., Tamura T., Honda K. Ohtani S., PZT capacitor with Ir/Ir02/Ir electrode fabricated by RTA // Integrated Ferroelectrics. 1996. -V.12, N.2−4. — P.139−149.
  106. Menou N., Castagnos A.M., Muller C., Johnson J., Wouters D.J., Baturin I., Shur V.Y., Failure analysis of FeCAPs. Electrical behaviour under synchrotron X-ray irradiation // Integrated Ferroelectrics. 2004. — V.61. — P.89−95.
  107. Merz W.J., Domain formation and domain wall motions in ferroelectric BaTi03 single crystals // Physical Review 1954. — V.95, N.3. — P.690−698.
  108. Merz W.J., Domain properties in BaTi03 // Physical Review. 1952. — V.88, N.2. -P.421−422.
  109. Merz W.J., Switching time in ferroelectric BaTi03 and its dependence on crystal thickness //Journal of Applied Physics. 1956. — V.27, N.8. — P.938−942.
  110. Miller R.C., On the origin of barkhausen pulses in BaTi03 // J.Phys.Chem.Solids. 1960.-V.17, N. l-2. — P.93−100.
  111. Miller R.C., Savage A., Further experiments on the sidewise motion of 180° domain walls in BaTi03 // Physical Review. 1956. — V. l 15, N.5. — P. 1176−1180.
  112. Miller R.C., Savage A., Velocity of sidewise 180° domain-wall motion in BaTi03 as a function of the applied electric field // Physical Review. 1958. -V.112, N.3. — P.755−762.
  113. Miller R.C., Weinreich G., Mechanism for the sidewise motion of 180° domain walls in barium titanate // Physical Review. 1960. — V. l 17. — P.1460−1465.
  114. Muller M., Soergel E., Buse K., Influence of ultraviolet illumination on the poling characteristics of lithium niobate crystals // Applied Physics Letters. -2003. V.83, N.9. — P.1824−1826.
  115. Myers L.E., Quasi-phasematched optical parametric oscillators in bulk periodically poled lithium niobate: PhD thesis // Stanford University. 2006. -P.129.
  116. Nassau K., .Levinstein H.J., Ferroelectric behavior of lithium niobate // Applied Physics Letters. 1965. — V.7, N.3. — P.69−70.
  117. Nassau K., Levinstein H.J., Loiacono G.M., The domain structure and etching in ferroelectric lithium niobate // Applied Physics Letters. 1965. — V.6, N.ll. -P.228−229.
  118. Ohnishi N., Iizuka T., Etching study of microdomains in LiNb03 single crystals // Journal of Applied Physics. 1975. — V.46, N.3. — P.1063−1067.
  119. Park C.H., Chadi D.J., Microscopic study of oxygenvacancy defects in ferroelectric perovskites // Physical Review B. 1998. — V.57. — P. R13961-R13964.
  120. Pawlaczyk C.Z., Tagantsev A.K., Brooks K., Reaney I.M., Klissurska R., Setter N., Fatigue, Rejuvenation and Self-Restoring in Ferroelectric Thin-Films // Integrated Ferroelectrics. 1995. — V.8, N.3−4.
  121. Pendergass L.L., Ferroelectric microdomain reversal at room temperature in lithium niobate // Journal of Applied Physics. 1987. — V.62, N.l. — P.231−236.
  122. Robels U., Arlt G., Domain wall clamping in ferroelectricity by orientation of defects // Journal of Applied Physics. 1993. — V.73, N.7. — P.3454−3460.
  123. Russ J.C., The image processing // New York, CRC Press. 2006. — P.500.
  124. Saurenbach F., Terris B.D., Imaging on ferroelectric domain walls by force microscopy//Applied Physics Letters. 1990. — V.56, N.17. — P.1703−1705.
  125. Sawyer C.B., Tower C.H., Rochelle salt as a dielectric // Physical Review. -1930.-V.35, N.l.-P.269−275.
  126. Schloss L.F., Mclntyre P.C., Polarization recovery of fatigued Pb (Zr, Ti)03 thin films: Switching current studies II Journal of Applied Physics. 2003. — V.93, N.3. — P.1743−1747.
  127. Scott J.F., Araujo C.A., Meadows H.B., Mcmillan L.D., Shawabkeh A., Radiation Effects on Ferroelectric Thin-Film Memories Retention Failure Mechanisms II Journal of Applied Physics. — 1989. — V.66, N.3. — P.1444−1453.
  128. Scott J.F., Dearaujo C.A.P., Mcmillan L.D., Radiation-Damage in Ferroelectric Thin-Film Memories //Ferroelectrics. 1991. — V. 116, N. 1−2. — P. 107−110.
  129. Scott J.G., Boyland A.J., Mailis S., Grivas C., Wagner O., Lagoutte S., Eason R.W., Self-ordered sub-micron structures in Fe-doped LiNb03 formed by light-induced frustration of etching // Applied Surface Science. 2004. — V.230, N. l-4. — P.138−150.
  130. Shur V.Y., Baturin I.S., Shishkin E.I., Belousova M.V., New approach to analysis of the switching current data, recorded during conventional hysteresis measurements II Integrated Ferroelectrics. 2003. — V.53. — P.379−390.
  131. Shur V.Y., Baturin I.S., Shishkin E.I., Belousova M.V., New approach to analysis of the switching current data in ferroelectric thin films // Ferroelectrics. 2003. -V.291. — P.27−35.
  132. Shur V.Y., Nikolaeva E.V., Shishkin E.I., Ferroelectric nanodomain structures in LiNbC>3 and LiTa03: Investigation by scanning probe microscopy // Physics of Low-Dimensional Structures. 2003. — V.3−4. — P. 139−147.
  133. Shur V.Y., Rumyantsev E.L., Lomakin G.G., Yakutova O.V., Pelegov D.V., Sternberg A., Kosec M., Field induced evolution of nanoscale structures in relaxor PLZT ceramics // Ferroelectrics. 2005. — V.316. — P.23−29.
  134. Shur V.Y., Rumyantsev E.L., Nikolaeva E.V., Shishkin E.I., Baturin I.S., Kinetic approach to fatigue phenomenon in ferroelectrics // Journal of Applied Physics. -2001. V.90, N.12. — P.6312−6315.
  135. Shur V.Y., Rumyantsev E.L., Nikolaeva E.V., Shishkin E.I., Baturin I.S., Kinetic approach for describing the fatigue effect in ferroelectrics // Physics of the Solid State. 2002. — V.44, N. l 1. — P.2145−2150.
  136. Shur V.Y., Rumyantsev E.L., Nikolaeva E.V., Shishkin E.I., Fursov D.V., Batchko R.G., Eyres L.A., Fejer M.M., Byer R.L., Nanoscale backswitched domain patterning in lithium niobate // Applied Physics Letters. 2000. — V.76, N.2. — P.143−145.
  137. Shur V.Ya., chapter in Ferroelectric thin films: synthesis and basic properties" // New York, Gordon&Breach. 1996. — Ch.6. — P.193.
  138. Shur V.Ya., Correlated Nucleation and Self-organized Kinetics of Ferroelectric Domains, «Nucleation Theory and Applications» // Weinheim, WILEY-VCH. -2005.- Ch.6.-P.178.
  139. Shur V.Ya., Gruverman A.L.Rumyantsev E.L., Dynamics of domain structure in uniaxial ferroelectrics //Ferroelectrics. 1990. — V.lll. — P.123−131.
  140. Shur V.Ya., Kuznetsov D.K., Lobov A.I., Nikolaeva E., Dolbilov M.A., Orlov A.N., Osipov V.V., Formation of self-similar surface domain structures in lithium niobate under highly-nonequilibrium conditions // Ferroelectrics. 2006. — V.341. — P.85−93.
  141. Sietz F., Koehler J.S., Interpretation of the Quenching Experiments on Gold // Solid. State Physics. 1956. — V.2. — P.305−308.
  142. Soergel, E., Visualization of ferroelectric domains in bulk single crystals // Applied Physics B-Lasers and Optics. 2005. — V.81, N.6. -P.729−751.
  143. Stach E.A., Radmilovic V., Deshpande D., Malshe A., Alexander D., Doerr D., Nanoscale surface and subsurface defects induced in lithium niobate by a femtosecond laser // Applied Physics Letters. 2003. — V.83, N.21. — P.4420−4422.
  144. Stolichnov I., Tagantsev A., Setter N., Cross J.S., Tsukada M., Top-interface-controlled switching and fatigue endurance of (Pb, La)(Zr, Ti)03 ferroelectric capacitors //Applied Physics Letters. 1999. — V.74, N.23. — P.3552−3554.
  145. Tagantsev A.K., Stolichnov I., Colla E.L., Setter N., Polarization fatigue in ferroelectric films: Basic experimental findings, phenomenological scenarios, and microscopic features // Journal of Applied Physics. 2001. — V.90, N.3. — P. 13 871 402.
  146. Turner E.H., High-frequency electro-optic coefficients of lithium niobate // Applied Physics Letters. 1966. — V.8, N. l 1. — P.303−304.
  147. Varley J.H.O., A mechanism for the displacement of ions in an ionic lattice // Nature. 1954. — V.174. — P.886−890.
  148. Varley J.H.O., New interpretation of irradiation-induced phenomena in alkali halides // J.Nucl.Energy. 1954. — V.l. — P.130−132.
  149. Verdier C., Lupascu D.C., Rodel J., Unipolar fatigue of ferroelectric lead-zirconate-titanate // Journal of the European Ceramic Society. 2003. — V.23, N.9. — P.1409−1415.
  150. Wengler M.C., Heinemeyer U., Soergel E., Buse K., Ultraviolet light-assisted domain inversion in magnesium-doped lithium niobate crystals // Journal of Applied Physics. 2005. — V.98, N.6.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!