Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Волны миллиметрового диапазона в средах с диэлектрической проницаемостью плазменного типа и неоднородных средах

Диссертация: Волны миллиметрового диапазона в средах с диэлектрической проницаемостью плазменного типа и неоднородных средах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Получена временная зависимость поля отраженного и проходящего импульса для исходных импульсов различной длительности при помощи неразделяющихся решений уравнений Максвелла в плазмоподобной среде. Установлено, что для коротких несинусоидальных импульсов, обратная продолжительность которых сравнима с плазменной частотой среды, искажение формы импульса увеличивается с уменьшением длительности… Читать ещё >

Волны миллиметрового диапазона в средах с диэлектрической проницаемостью плазменного типа и неоднородных средах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Нелинейная восприимчивость полупроводников в миллиметровом и субмиллиметровом диапазоне
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Факторы, определяющие оптические свойства полупроводников в миллиметровом и субмиллиметровом диапазоне
    • 1. 3. К точному решению задачи
    • 1. 4. Времена релаксации энергии и импульса
    • 1. 5. Оценка температуры носителей
    • 1. 6. Характеристика основных процессов рассеяния
      • 1. 6. 1. Рассеяние на ионизированных примесях
      • 1. 6. 2. Рассеяние на акустических фононах
      • 1. 6. 3. Рассеяние на неполярных оптических фононах
      • 1. 6. 4. Рассеяние на полярных оптических фононах
    • 1. 7. Важнейшие механизмы рассеяния для полупроводников типа AIIIBV
      • 1. 7. 1. Общие результаты
      • 1. 7. 2. Арсенид галлия
      • 1. 7. 3. Арсенид индия
      • 1. 7. 4. Фосфид индия
    • 1. 8. Значения Х^ для различных полупроводников типа AIIIBV
      • 1. 8. 1. Введение
      • 1. 8. 2. Общие результаты
      • 1. 8. 3. Арсенид галлия
      • 1. 8. 4. Арсенид индия
      • 1. 8. 5. Фосфид индия
    • 1. 9. Генерация третьей гармоники при отражении излучения от поверхности полупроводника
    • 1. 10. Основные результаты главы
  • Глава 2. Временное представление взаимодействия коротких несинусоидальных импульсов с плазмоподобной средой
    • 2. 1. Отражение и преломление коротких импульсов на границе плазмоподобной среды (решение во временной области)
    • 2. 2. Традиционные методы решения задачи
    • 2. 3. Метод неразделяющихся решений
    • 2. 4. Численный метод
    • 2. 5. Отраженный и проходящий импульсы при различных значениях параметра а
    • 2. 6. Основные результаты главы
  • Глава 3. Отражение и пропускание волн тонкими неоднородными пленками (точно решаемая модель)
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Базовые уравнения для s- и р-поляризованной волны
    • 3. 3. Выражения для поляризационных компонент электромагнитного поля внутри неоднородного диэлектрика
    • 3. 4. Поляризационная зависимость коэффициентов отражения
    • 3. 5. Оптимизация параметров слабоотражающих покрытий
    • 3. 6. Основные результаты главы
  • Глава 4. Математические методы оптики неоднородных сред в задачах квантовой механики
    • 4. 1. Введение
    • 4. 2. Собственные функции уравнения Шредингера для «расщепленного» потенциала
    • 4. 3. Уровни энергии частицы в «расщепленной» потенциальной яме
    • 4. 4. Основные результаты главы

Диссертационная работа посвящена теоретическому изучению эффектов, возникающих при взаимодействии излучения длинноволнового диапазона с веществом. Эти эффекты могут быть обусловлены как пространственной или временной неоднородностью самой среды, так и особенностями внешнего электромагнитного поля, в частности, его высокой напряженностью или малой продолжительностью импульса.

Нелинейная зависимость диэлектрической проницаемости вещества от напряженности внешнего поля впервые была описана и определена экспериментально несколько десятилетий назад [1 — 4], когда изобретение лазера позволило получить когерентное излучение высокой мощности. За это время были хорошо изучены нелинейные свойства материалов в оптическом и ближнем инфракрасном диапазоне, продвижение же в дальний инфракрасный диапазон оказалось сопряжено с существенными техническими трудностями [5, 6]. Вплоть до недавнего времени не существовало перестраиваемых источников излучения длинноволнового диапазона, достаточно мощных для того, чтобы стало возможным наблюдение и использование в нем нелинейнооптических свойств веществ. Что касается проводившихся ранее теоретических исследований, то они были затруднены вследствие недостатка экспериментальных данных. Между тем, было экспериментально обнаружено и исследовано влияние электромагнитного поля на оптические свойства полупроводников в миллиметровом диапазоне и намечен подход к вычислению в нем их нелинейных восприимчивостей [7 — 11]. Появление в последнее время лазеров на свободных электронах [12] и других методов генерации мощного длинноволнового излучения делает возможным практическое изучение нелинейных свойств материалов в рассматриваемом диапазоне. Имеющиеся экспериментальные данные [13, 14] и результаты, полученные в настоящей работе, позволяют предположить в нем более высокие абсолютные значения нелинейных восприимчивостей, нежели в оптическом и ближнем инфракрасном диапазонах, то есть потенциально возникает возможность эффективного применения методов, требующих ярко выраженных нелинейных свойств веществ, в частности, нелинейной спектроскопии.

Кроме реализации таких возможностей, как высокая мощность и широкий частотный диапазон излучения, современные источники электромагнитных волн позволяют варьировать длительность импульса от традиционных длинных квазимонохроматических импульсов до коротких видеоимпульсов [15 — 19]. При взаимодействии коротких импульсов с плазмоподобными средами, когда продолжительность импульса сравнима с плазменной частотой среды, свойства последней успевают существенно измениться за время взаимодействия, что в некоторых случаях приводит к сильному искажению фронта как отраженного, так и проникшего вглубь среды импульса. При этом применение традиционных методов расчета этих импульсов, основанных на преобразовании Фурье, то есть на представлении импульса в виде набора бегущих гармонических волн, оказывается неэффективным или невозможным [20]. Проблемы, связанные с особенностями такого представления импульса, можно решить использованием временного подхода, развитого в настоящей работе, основанного на рассмотрении неразделяющихся решений волнового уравнения [21].

Наряду с временной неоднородностью среды, связанной с малой продолжительностью импульса, ее пространственная неоднородность также оказывает заметное влияние на отражение и прохождение электромагнитного излучения. Современные математические методы [22 — 26] и технологии позволяют рассчитывать и наносить тонкие диэлектрические покрытия с достаточно сложной координатной зависимостью профиля диэлектрической проницаемости, которые могут существенным образом влиять на отражательные свойства среды. Применение таких покрытий позволяет при значительно меньшей их толщине по сравнению с однородными аналогами добиться большего (или, при необходимости, меньшего) пропускания излучения в более широком частотном диапазоне. Кроме того, возможно использование таких покрытий для получения поляризационных фильтров. Тем не менее, вплоть до недавнего времени было найдено точное решение, описывающее отражательные свойства таких сред, лишь для нескольких профилей диэлектрической проницаемости с одним свободным параметром [27 — 30]. Для более сложных случаев применяются численные методы, основанные на приближении неоднородного слоя набором однородных слоев. Предлагаемый в работе профиль с двумя свободными параметрами позволяет точно описывать широкий спектр покрытий, как с монотонным, так и немонотонным профилем диэлектрической проницаемости.

Таким образом, задачей настоящей диссертационной работы является теоретическое изучение некоторых эффектов, могущих возникнуть при взаимодействии электромагнитного излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазона, генерируемого современными источниками, с плазменными и неоднородными средами.

Диссертация состоит из четырех глав. В первой главе предлагается метод расчета нелинейных восприимчивостей полупроводников в длинноволновом диапазоне и демонстрируются результаты для ряда полупроводников типа AIIIBV. Этот метод применим и к полупроводникам других типов, но именно для полупроводников типа AIIIBV имеется наиболее полная и достоверная информация о характеристиках в рассматриваемом диапазоне.

Во второй главе предлагаются основанные на временном подходе методы расчета отраженного и прошедшего внутрь плазмоподобной среды импульсов для короткого несинусоидального исходного импульса. В качестве иллюстрации рассматриваются результаты, полученные для ряда соотношений продолжительности импульса и плазменной частоты среды.

В третьей главе получено аналитическое решение задачи об отражении электромагнитного излучения для нового координатного профиля диэлектрической проницаемости среды. Предлагаемый профиль позволяет реализовать малые значения коэффициентов отражения для произвольно поляризованных электромагнитных волн, падающих под произвольным углом.

Четвертая глава демонстрирует развитие метода, предложенного в третьей главе для описания отражения волны от неоднородного покрытия, в квантовомеханической задаче о нахождении энергетических уровней частицы в «расщепленном» потенциале.

В заключении сформулированы основные выводы и результаты работы.

Научная новизна работы состоит в том, что:

— выработан новый эффективный подход к вычислению нелинейных восприимчивостей полупроводников в миллиметровом диапазоне. Получены зависимости нелинейных восприимчивостей от температуры кристалла, длины волны и концентрации ионизированных примесей;

— изучены эффекты, возникающие при взаимодействии коротких несинусоидальных электромагнитных импульсов с плазменными средами, и разработаны методы расчета поля отраженной и прошедшей внутрь среды волнпредложен новый координатный профиль диэлектрической проницаемости, допускающий точное аналитическое рассмотрение взаимодействия поля электромагнитной волны с неоднородным покрытием.

— предложен метод решения задачи нахождения энергетических уровней частицы в потенциальной яме с «расщепленным» потенциалом.

Основные результаты, полученные в диссертационной работе, могут быть сформулированы следующим образом.

— Определены основные механизмы рассеяния носителей, от которых зависят нелинейнооптические свойства полупроводников AIIIBV в миллиметровом и субмиллиметровом диапазоне.

— Рассчитаны зависимости нелинейных восприимчивостей третьего порядка указанных полупроводников от температуры кристалла, длины волны внешнего электромагнитного поля и концентрации ионизированных примесей. Обнаружено, что их максимальные значения на два порядка превышают величины нелинейных восприимчивостей в видимом и ближнем ИК диапазонах.

— Получена временная зависимость поля отраженного и проходящего импульса для исходных импульсов различной длительности при помощи неразделяющихся решений уравнений Максвелла в плазмоподобной среде. Установлено, что для коротких несинусоидальных импульсов, обратная продолжительность которых сравнима с плазменной частотой среды, искажение формы импульса увеличивается с уменьшением длительности импульса.

— Получено аналитическое решение задачи об отражении произвольно поляризованного электромагнитного излучения от неоднородного покрытия с координатной зависимостью диэлектрической проницаемости вида.

U (z) = f z cos— + M sinсодержащей два ч L Lj свободных параметра MnL, c помощью которой может быть описан ряд как монотонных, так и немонотонных профилей диэлектрической проницаемости.

Рассчитаны комплексные коэффициенты отражения для некоторых профилей такого вида. Показано, что определенные профили позволяют реализовать малые значения коэффициентов отражения для электромагнитных волн в широком диапазоне углов падения и частот.

Получено точное решение уравнения Шредингера для модели «расщепленного» потенциала, содержащей семь свободных параметров, и рассчитаны положения энергетических уровней частицы в таком потенциале.

Материалы диссертации опубликованы в изданиях [53, 54, 58, 62, 70] и доложены на конференциях [53, 54, 75].

В заключение хочу выразить искреннюю благодарность А. В. Шепелеву и А. Б. Шварцбургу за постоянную помощь в подготовке диссертационной работы.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Н. Нелинейная оптика. М.: Мир, 1966 — 566 с.
  2. С. А., Хохлов Р. В. Проблемы нелинейной оптики. М.: ВИНИТИ, 1964.-296 с.
  3. Шен И. Р. Принципы нелинейной оптики. М.: Наука, 1989. — 560 с.
  4. Ф., Мидвинтер Дж. Прикладная нелинейная оптика. М.: Мир, 1976.-264 с.
  5. Mayer A., Keilmann F. Far-infrared nonlinear optics. II. x0) contributions from the dynamics of free carriers in semiconductors // Phys. Rev. 1986. — Vol. B33.-P. 6962−6968.
  6. Barmentlo M., Hooft G. W., Eliel E. R., van der Ham E. W. M., Vrehen Q. H. F., van der Meer A. F. G., van Amersfoort P. W. Sum-frequency generation with a free-electron laser: a study of gallium phosphide // Phys. Rev. 1994. -Vol. A50.-P. R14-R17.
  7. И. Н., Шепелев А. В., Шварцбург А. Б. Адаптивное управление миллиметровым и субмиллиметровым излучением // Компьютерная оптика. 1989. № 5. — С. 62−66.
  8. И. Н., Шепелев А. В., Шварцбург А. Б. Способ амплитудной модуляции электромагнитного излучения. Авторское свидетельство № 167 1088(1991).
  9. Ekzhanov R. I., Shepelev А. V. Nonlinear susceptibilities of semiconductors in millimeter range // SPIE Proc. 1998. — Vol. 3158. — P. 220−223.
  10. Kohler R., Tredicucci A., Beltram F., Beere H. E., Linfield E. H., Davies A. G., Ritchie D. A., Iotti R. C., Rossi F. THz semiconductor-heterostructure laser // Nature (London). 2002. — Vol. 417. — P. 156−159.
  11. Keilmann F. Nonlinear far-infrared spectroscopy of solids // Infrared Phys. -1991. Vol. 31. No 4. — P. 373−380.
  12. Dekorsy Т., Yakovlev V. A., Seidel W., Helm M., Keilmann F. Infrared-phonon-polariton resonance of the nonlinear susceptibility in GaAs. // Phys. Rev. Lett. 2003. — Vol. 90. No 5. — P. 55 508−1 — 55 508−4.
  13. А. Б. Видеоимпульсы и непериодические волны в диспергирующих средах (точно решаемые модели) // УФН. 1998. — Т. 168. № 1.-С. 85−96.
  14. JI. Д., Блискавицкий А. А. Оптомикроволновые методы формирования излучения сверхширокополосных антенн // УФН. 1993. — Т. 162. № 2.-С. 160−164.
  15. Pastol Y. et al. Coherent broadband microwave spectroscopy using picosecond optoelectronic antennas // Appl. Phys. Lett. 1989. — Vol. 54. No 4. -P. 307−309.
  16. Fattinger C., Grischkovsky D. Terahertz beams // Appl. Phys. Lett. 1989. -Vol. 54. No 6.-P. 490−492.
  17. Stingl A. et al. Generation of 11-fs pulses from a Ti: sapphire laser without the use of prisms // Opt. Lett. 1994. — Vol. 19. No 4. — P. 204−206.
  18. Sun E., Rusch W. Time-domain physical-optics // IEEE Trans. Ant. Propag. 1994. — Vol. 42. No. 1. — P. 9−15.
  19. Shvartsburg. A. B. Time-domain optics of ultrashort waveforms. — Oxford: Clarendon, 1996.-204 p.
  20. А. В. Синтез слоистых сред с заданными амплитудно-фазовыми свойствами // Ж. вычисл. матем. и матем. физики. 1985. — Т. 25. № п.-С. 1647−1688.
  21. Furman Sh., Tikhonravov А. V. Basics of optics of multilayer systems. Gif sur Yvette: Editions Frontiers, 1992. — 242 p.
  22. Tikhonravov A. V. Some theoretical aspects of thin film optics and their applications // Applied Optics. 1993. — Vol. 32. No 28. — P. 5417−5426.
  23. А. Г., Тихонравов А. В., Трубецков M. К. Нелокальный метод оптимизации многослойных оптических систем // Математическое моделирование. 1995. № 7. — С. 105−127.
  24. А. В., Тихонравов А. В., Трубецков М. К. Приближенный метод определения спектральных коэффициентов многослойных покрытий со слабо неоднородными слоями // Вестник МГУ, сер. 3, Физика, астрономия.- 1999. № 3, — С. 39−41.
  25. Lekner J. Exact reflection amplitudes for the Rayleigh profile // Physica A. -1982.-Vol. 116.-P. 235−247.
  26. Wait J. R. Electromagnetic waves in stratified media. Oxford: IEEE Press, 1970.-392 p.
  27. Casperson L. W. Beam modes in complex lenslike media and resonators // JOSA. 1975. — Vol. 65. — P. 399−404.
  28. Jackson J. Classical electrodynamics, 2nd edition. New York: Wiley, 1975.- 808 p.
  29. Brown F., Horman S. R., Palevsky A., Button K. J. Characteristics of a 30-kW-peak, 496 цт, methyl fluoride laser // Opt. Commun. 1973. — Vol. 9. — P. 28−30.
  30. Boyd G. D., Bridges T. J., Pollack M. A., Turner E. H. Microwave nonlinear susceptibilities due to electronic and ionic anharmonicities in acentric crystals // Phys. Rev. Lett. 1971. — Vol. 173. No 26. — P. 387−392.
  31. Ringot J., Lecoq Y., Garreau J. C., Szriftgiser P. Generation of phase-coherent laser beams for Raman spectroscopy and cooling by direct current modulation of a diode laser // Eur. Phys. J. D. 1999. — Vol. 7. — P. 285−288.
  32. Bakker Y. J., Cho G. C., Kurtz H. et al. Distortion of terahertz pulses in electro-optic sampling // J. Opt. Soc. Amer. 1988. — Vol. 15. No 6. — P. 17 951 800.
  33. Grischkovsky D., Keiding S., van Exter M., Fattinger Ch. Far-infrared time-domain spectroscopy with terahertz beams of dielectrics and semiconductors // J. Opt. Soc Amer. 1990. — Vol. 7. No 10. — P. 2006−2011.
  34. Dekorsy Т., Auer H., Waschke C. et al. THz-wave emission by coherent optical phonons // Physica B. 1996. — Vol. 219&220 — P. 775−782.
  35. E. И., Фомин В. M., Климин С. Н. Кинетические и оптические свойства полупроводников в сильных полях. Кишинев: Молдавский госуниверситет, 1986. — 86 с.
  36. Е. А., Екжанов Р. И., Сисакян И. Н.,. Шварцбург А. Б, Шепелев А. В. Отражение излучения дальнего ИК диапазона от горячей плазмы полупроводников // Квантовая электроника. 1990. — Т. 17. № 2.-С. 247−250.
  37. М. Yu., Shvartsburg А. В., Shepelev А. V. Harmonic generation in the reflection of microwave radiation on the semiconductor surface // SPIE Proc. 1996. — Vol. 2843. — P. 134−136.
  38. Winnerl S., Regl H.-J., Blomeier T. et al. Interaction of millimeter and submillimeter wave fields with miniband electrons in semiconductor superlattice // Phys. Stat. Sol. 1997. — Vol. B204. No 1. — P. 58−60.
  39. Ю. И. Оптические свойства полупроводников. М.:Наука, 1977.-366 с.
  40. Mayer A., Keilmann F. Far-infrared nonlinear optics. I. xm near ionic resonance // Phys. Rev. 1986. — Vol. B33. — P. 6954−6961.
  41. Handbook on semiconductors / ed. Moss T.S. Amsterdam: North-Holland Publishing Company, 1980. — Vol. 2. — 596 p.
  42. Е. И., Фомин В. М. Исследование термодинамических и кинетических свойств полупроводников с помощью интегрирования по траекториям. Кишинев: Молдавский госуниверситет, 1991.-78 с.
  43. Campi D., Coli G. Green’s-function approach to the optical nonlinearities in semiconductors and quantum-confined structures // Phys. Rev. B. 1996. — Vol. B54. No 12. — P. R8365-R8368.
  44. .М. Электронные явления переноса в полупроводниках. -М.: Наука, 1985.-320 с.
  45. К. Физика полупроводников. -М.:Мир, 1977. 616 с.
  46. С. // Ann. Phys. 1921. — Vol. 64. — P. 513−518
  47. Brooks H. Advances in electronics and electron physics. Vol. 7. New York: Academic, 1955. — 488 p.
  48. Sze S. M. Physics of semiconductor devices. New York: A Wiley-Interscience Publications, 1981. — 868 p.
  49. Бонч-Бруевич В. JI, Калашников С. Г. Физика полупроводников. — М: Наука, 1990.-672 с.
  50. Anderson D. A., Aspley N., The Hall effect in III-V semiconductors assessment // Semicond. Sci. Technol. 1986. — Vol. 1. — P. 187−202.
  51. Stillman G. E., Wolfe С. M., Dimmock J. O. Hall coefficient factor for polar mode scattering in n-type GaAs // J. Phys. Chem. Solids. — 1977. -Vol. 31.-P. 1199−1204.
  52. Dargys A., Kundrotas I. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP. Vilnius: Science and Encyclopedia Publishers, 1994. -46 p.
  53. Kalna K., Roy S., Asenov A., Elgaid K., Thayne I. Scaling of pseudomorphic high electron mobility transistors to decanano dimensions // Solid-State Electronics. 2002. — Vol. 46. — P. 631−638.
  54. E. В., Шепелев А. В. Температурная и частотная зависимость нелинейной восприимчивости GaAs в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах // Электромагнитные волны и электронные системы. 2003. — Т. 8. № 5. — С. 41−45.
  55. Р., Гильберт Д. Методы математической физики. — M.-JL: ГИТТЛ, 1951.-476 с.
  56. А. Б. Импульсная электродинамика негармонических сигналов // УФН. 1994. — Т. 164. № 3. — С. 333−335.
  57. В. А., Прудников А. П. Интегральные преобразования и операционное исчисление. М.: Физматгиз, 1961. — 542 с.
  58. Е. В., Шварцбург А. Б., Шепелев А. В. Временное представление отражения электромагнитных импульсов от плазмоподобной среды // Радиотехника и электроника. 2003. — Т. 48. № 6. — С. 684−686.
  59. Н., Southwell W. Н. Broadband gradient-index antireflection coating for ZnSe // Appl. Opt. 1984. — Vol. 23. — P. 2770−2773.
  60. В. Л. Электромагнитные волны в плазме. М.: Наука, 1967. -346 с.
  61. Jackson J. Classical Electrodynamics. 2nd ed. New York: Wiley, 1975 -256 p.
  62. Kildemo M., Hinderi O., Drevillon B. A direct robust feedback method for growth control of optical coatings by multiwavelength ellipsometry // JOSA A. -1997.-Vol. 14.-P. 931 -936.
  63. Shvartsburg A., Petite G., Hecquet P. Broadband antireflection properties of thin heterogeneous dielectric films // JOSA A. 2000. — Vol. 17. — P. 2267−2272.
  64. Л. Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. М.: Наука, 1989. -768 с.
  65. И. С., Рыжик И. М. Таблица интегралов, сумм рядов и произведений. М.: Физматгиз, 1963. — 1100 с.
  66. Е. В., Шварцбург А. Б. Широкополосные безотражательные свойства тонких неоднородных покрытий для произвольно поляризованных электромагнитных волн в широком диапазоне углов падения // Оптика и спектроскопия. 2003. — Т. 95. № 5. — С. 771−776.
  67. Ю. Н., Нефедова В. В. Туннелирование в ангармонической жидкости // ЖЭТФ. 1991. — Т. 100. № 3. — С. 892- 896.
  68. Flugge S. Practical quantum mechanics. — Berlin: Springer-Verlag, 1971. — 623 p.
  69. В. P. О туннелировании электрона в квантовых проволоках // ЖЭТФ. 1991. — Т. 100. № 3. — С. 924−927.
  70. Э. Т., Ватсон Д. Н. Курс современного анализа. Т. 2. 2-е изд. -М.: Физматгиз, 1963. 515 с.
  71. Bardeen J., Shockley W. Deformation potentials and mobilities in non-polar crystals // Phys. Rev. 1950. — Vol. 80. No 1. — P. 72−80.
  72. Harrison W. A. Scattering of electrons by lattice vibrations in nonpolar crystals // Phys. Rev. 1956. — Vol. 104. — P. 1281−1290.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!