Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Возбуждение люминесценции и дефектообразование в ионных кристаллах под действием синхротронного излучения (5-30 ЭВ)

Диссертация: Возбуждение люминесценции и дефектообразование в ионных кристаллах под действием синхротронного излучения (5-30 ЭВ)
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Несмотря на то, что практика применения методов спектроскопии ВУЗ? в ближайшем будущем отметит свой 100-летний юбилей, интерес к этой области исследований, особенно в спектроскопии твердого тела, не ослабевает. Это связано прежде всего с широким распространением в настоящее время экспериментальной техники, основанной на использовании синхротронного излучения (СИ), обладающего несомненными… Читать ещё >

Возбуждение люминесценции и дефектообразование в ионных кристаллах под действием синхротронного излучения (5-30 ЭВ) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ .Л
  • ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
    • 1. 1. Оптические свойства электронов в твердом теле
    • 1. 2. Особенности электронных возбуждений в ионных кристаллах
    • 1. 3. Автолокализация, миграция, размножение и распад на дефекты электронных возбуждений в ионных кристаллах
    • 1. 4. Экспериментальные методы исследования собственных электронных возбуждений в ионных кристаллах
  • ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ В ПУЧКЕ СИНХРОТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
    • 2. 1. Характеристики синхротронного излучения ускорителя электронов ФИАН С
    • 2. 2. Оптическая схема установки. Конструкция и свойства монохроматора нормального падения
    • 2. 3. Автоматизированная установка управления экспериментом сбора информации и обработки результатов измерений
  • ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ МИГРАЦИИ, РАЗМНОЖЕНИЯ И РАСПАДА ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ А/айг, КВгжСъВг
    • 3. 1. Особенности электронных возбуждений в кристаллах
  • Ми Вт 1 К8>г И СвВг
    • 3. 2. Исследование процессов размножения анионных электронных возбуждений в кристаллах КВг и СьБг
    • 3. 3. Катионные экситоны в С$Вт
  • ГЛАВА 4. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА В ВУФ ОБЛАСТИ СПЕКТРА И МЕХАНИЗМЫ ОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В ¿/Г
  • — з
    • 4. 1. Электронные возбуждения и центры окраски в кристаллах Li F
    • 4. 2. Оптические свойства в БУФ области спектра центров окраски в Li F
    • 4. 3. Исследование механизмов образования центров окраски в UF
  • ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ВОЗБУЖДЕНИЯ СОБСТВЕННОЙ И
  • ПРИМЕСНОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В КРИСТАЛЛАХ ТИПА ФЛЮОРИТА
    • 5. 1. Структура электронных возбуждений кристаллов Ме?
  • Me = Са, Sr, Ва)
    • 5. 2- БУФ спектры возбуждения люминесценции кристаллов СаР2″ активированных редкоземельными элементами
      • 5. 3. Исследование собственной люминесценции кристаллов типа флюорита при импульсном возбуждении синхротронным излучением
  • ГЛАВА. б. СПЕКТРЫ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КИСЛОРОДОСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ
    • 6. 1. Размножение электронных возбуждений в
    • 6. 2. Фотонное умножение в E/i^SiOti-MtL. б .3 Фотонное умножение в Z^GeO^-Mn
    • 6. 4. Фотонное умножение в М^^СуМгс и SiOs-Ce
    • 6. 5. Заключительные замечания

Исследование оптических свойств твердых тел является одним из основных методов получения информации об их электронной структуре. Особенностью ионных кристаллов, к которым относятся щелоч-но-галоидные кристаллы (ЩГК), галоидные соли щелочноземельных металлов, окислы и сульфиды щелочноземельных металлов, окислы металлов третьей группы, системы типа фосфатов, нитратов, сульфатов и т. п., является наличие широких запрещенных зон (их ширина больше б эВ) в энергетическом спектре электронов между занятыми состояниями валентной зоны и незаполненными состояниями зоны проводимости. Поэтому начало оптического поглощения этими кристаллами приходится на область вакуумного ультрафиолета (БУФ), и для изучения их собственных электронных возбуждений необходимо применение методов ВУФ спектроскопии.

Несмотря на то, что практика применения методов спектроскопии ВУЗ? в ближайшем будущем отметит свой 100-летний юбилей, интерес к этой области исследований, особенно в спектроскопии твердого тела, не ослабевает. Это связано прежде всего с широким распространением в настоящее время экспериментальной техники, основанной на использовании синхротронного излучения (СИ), обладающего несомненными преимуществами по сравнению с излучением других источников ВУЗ? (см."например, обзоры / 1−3 /). Такие свойства СИ, как широкий непрерывный спектр, высокая интенсивность, узкая направленность, высокая степень поляризации, импульсная временная структура делают СИ незаменимым инструментом спектроскопических исследований и открывают принципиально новые возможности изучения электронных возбуждений широкощелевых ионных кристаллов.

Интерес к изучению ионных кристаллов связан с их широким применением в качестве оптических материалов в ВУФ, в качестве сцинтилляционных детекторов ядерных излучений и люминесцентных материалов для газоразрядных приборов. Представляет интерес и исследование возможности применения ионных кристаллов в качестве активных сред лазеров (в частности, в ВУФ области) и оптических запоминающих устройств. Особое значение имеет исследование механизмов создания радиационных дефектов в ионных кристаллах. Эти исследования в настоящее время стали очень актуальными в связи с проблемой поиска и разработки радиационностойких материалов для ядерной энергетики. Решение этой проблемы должно опираться на ясное понимание механизмов радиационного дефектообразования, хорошими модельными системами для изучения которых являются ионные кристаллы.

В 1969 г. на синхротроне ФИАН С-60 были осуществлены первые в мире измерения спектров возбуждения люминесценции синхротронным излучением для некоторых люминофоров (КС С. — Тв, КВгТ6, КЭ-TÍ-, NaCe-A?, у203 -Ей, Ае205-Се И др.) /4−6/. В дальнейшем, как сам синхротрон С-60 (система инжекции, вакуумная система и др.), так и аппаратура для использования СИ были в значительной степени модернизированы. В частности, был создан новый разветвленный канал вывода СИ / 7 /, оснащенный несколькими установками для диагностических / 8 /, спектроскопических / 9,10, II /, метрологических / 12,13,14 / и прикладных / 15 / исследований. В настоящее время синхротрон (c)IAH С-60 представляет собой по-существу первый в СССР специализированный источник СИ, не уступающий по своим параметрам (в ВУФ и мягкой рентгеновской областях спектра) лучшим зарубежным синхротронам типа DES Y (ФРГ), IN? — SON I (Япония) и др. и приближающийся по своим свойствам к накопителям типа ВЭПП-2М, ACO (Франция), DORIS (ФРГ).

Основная задача данной диссертационной работы заключалась в разработке и применении аппаратуры и методики измерения спектров возбуждения люминесценции (в том числе разрешенных во времени) и спектров создания радиационных дефектов синхротронным излучением с энергией фотонов 5−30 эВ с целью исследования процессов миграции, размножения и распада с рождением дефектов собственных электронных возбуждений в широкощелевых ионных кристаллах трех классов: ЩГК (на примере ЦР, МаВт, КВг, СзВг), фторидах щелочноземельных металлов (Сл/^, ¿-Гр^ «^ и кислоР°ДосоДеР-жащих соединениях (на примере Уд 0^, , О у и др.).

С точки зрения применения спектральной аппаратуры ВУФ область спектра естественным образом подразделяется на две области: область использования монохроматоров нормального падения (энергии фотонов.

30 эВ) и область использования монохроматоров скользящего падения (энергии фотонов, большие 30 эВ). Коротковолновая граница применения монохроматоров нормального падения связана с отсутствием материалов, имеющих существенно отличный от нуля коэффициент отражения при нормальном падении для излучения с /пУ> 30 эВ. С другой стороны, область спектра/? У30 эВ можно рассматривать как наиболее информативную для физики ионных кристаллов, т.к. именно на эту область приходится край их фундаментального поглощения, связанный с возбуждением анионов, в этой же области спектра для большинства ионных кристаллов начинается размножение электронных возбужденийдля ряда ионных кристаллов в эту область попадают также энергии фотонов, соответствующие возбущению катионов. В связи с вышесказанным, а также учитывая необходимость создания монохроматоров специальной конструкции для использования в пучке СИ, была разработана аппаратура для области спектра 5−30 эВ на основе монохроматора нормального падения, специально сконструированного для работы в пучке СИ ускорителя электронов ШАН С-60. С методической точки зрения был сделан упор на разработку и применение методов исследования так называемых спектров действия СИ на кристаллы (спектров возбуждения люминесценции, спектров создания радиационных дефектов), т.к. именно эти методы дают информацию о таких важных характеристиках электронных возбуждений в ионных кристаллах, как их миграция, автолокализация, люминесценция, размножение, распад с рождением дефектов. В качестве объектов исследования были выбраны некоторые ЩГК (бромиды и фториды щелочных металлов: ЫаВг, К&Г, , ¿-1Р) и кристаллы со структурой типа флюорита (,, ВлР^), как наиболее изученные в области применимости лабораторных источников ВУФ ионные кристаллы, а также ряд имеющих прикладное значение люминофоров на основе кислородосодержащих соединений, не изученных ранее в высокоэнер-гетичной области спектра.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Разработана аппаратура и методика исследования возбуждения люминесценции широкощелевых ионных кристаллов синхротронным излучением синхротрона ФИАН С-60 с энергией фотонов 5−30 эВ при температурах 300 и 80 К.

2. С помощью комплексного исследования спектров возбуждения люминесценции и спектров отражения изучены процессы размножения собственных электронных возбуждений ряда широкощелевых ионных кристаллов. Показано, что в кристаллах МхЗг, КВг, С$&Г, ^^з «0Дин из основных механизмов размножения сводится к созданию горячими фотоэлектронами вторичных экси-тонов. Количественно изучены процессы фотонного умножения для многих важных для техники люминофоров на основе кислородосодержащих соединений (У^, ?^ $?0^, Н/^ Се Оу, ,.

3. Для кристаллов в области энергий фотонов 12−20 эВ осуществлено исследование электронных возбуждений ионов цезия. Обнаружен эффективный перенос энергии от катионных экситонов на примесные центры люминесценции, интерпретированный как замораживаемая при охлаждении прыжковая диффузия катионных экситонов Френкеля.

4. Впервые разработана и на примере кристаллов & Г реализована высокочувствительная люминесцентная методика измерения спектров создания радиационных дефектов синхротронным излучением (10−25 эВ). Показано, что в ИР р2 и центры эффективно образуются при оптическом создании рекомбинирующих электронов и дырок при условии подвижности анионных вакансий.

5. Разработана методика измерения в пучке СИ разрешенных во времени спектров возбуждения люминесценции с разделением быстрой.

5 не) и длительной (^>1 мке) компонент свечения. Для кристаллов В<*{~2 обнаружена кратковременная люминесценция (Т*" ^ I не) с порогом возбуждения в области.

18 эВ, соответствующей началу переходов из катионной зоны в зону проводимости.

Диссертация состоит из Введения, шести глав, Заключения и трех приложений. В первой главе на основе литературных данных рассмотрены особенности электронных возбуждений ионных кристаллов, а также экспериментальные методы их исследования. Во второй главе приведены результаты расчета характеристик СИ синхротрона ШШ С-60, описаны конструкция и основные параметры экспериментальной установки, а также автоматизированная система регистрации спектральных и кинетических измерений. В третьей главе изложены результаты исследования миграции и распада электронных возбуждений кати;

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В данной работе с помощью СИ с энергией фотонов 5−30 эВ проведено исследование процессов миграции, размножения и распада с рождением дефектов собственных электронных возбуждений в широкощелевых ионных кристаллах трех классов: ЩГК, щелочноземельных фторидах и кислородосодержащих соединениях. Основные результаты исследования сводятся к следующему:

1. Разработана методика и аппаратура для исследования возбуждения люминесценции широкощелевых кристаллов при температурах 300 и 80 К синхротронным излучением с энергией фотонов 5−30 эВ.

1.1. Создан канал вывода СИ на область спектра 5−30 эВ, оснащенный вакуумным монохроматором нормального падения без входной щели, специально сконструированным для работы в пучке СИ синхротрона ШАН С-60.

1.2. Создана аппаратура для исследования люминесценции широкощелевых кристаллов при 300 К и 80 К, включающая в себя азотный криостат, вторичный монохроматор на видимую и ультрафиолетовую области спектра и два канала детектирования люминесценции на основе ФЭУ-106, оснащенные системой счета фотонов.

1.3. На базе ЭВМ EDP 11/05 и аппаратуры в стандарте КАМАК созданы автоматизированные системы регистрации и обработки спектров возбуждения люминесценции и исследования временных характеристик люминесценции в наносекундном диапазоне.

2. Для широкощелевых кристаллов трех классов: ЩГК (на примере Mo. Br э КВг и Cs? r), галоидных солей щелочноземельных металлов (на примере C&Fg, SrF^ и BtO-F^) и кислородосодержащих соединений (на примере, ZfySt ty «iMcj^nOif ,.

V^S*) осуществлено количественное исследование размножения электронных возбуждений и фотонного умножения. Показано, что один из основных механизмов размножения сводится к созданию горячими фотоэлектронами вторичных экситонов. На примере кристаллов С$Вг и К&Г исследовано участие катионов в процессах размножения электронных возбуждений.

2.1. Исследование при 80 К свечения анионных автолокализован-ных экситонов в (4,5 эВ) выявило две области резкого возрастания выхода свечения при № > 14 эВ и > 20 эВ, связанные с созданием горячими фотоэлектронами вторичных экситонов и утроением числа электронных возбуждений соответственно.

2.2. Исследование люминесценции Т£ центров в К8г — ТС выявило две области резкого возрастания выхода свечения при.

14 эВ и! п)> 27 эВ, связанные с созданием вторичных анионных экситонов горяими фотоэлектронами, возникающими при ионизации анионов и катионов соответственно.

2.3. Исследование люминесценции С$Вг, и.

СвВГ.

— 1п показало, что характерное для других бромидов резкое возрастание выхода свечения в области 14 эВ в СэВг отсутствует, т.к. размножение анионных электронных возбуждений в этой системе усложнено созданием катионных электронных возбуждений (при^^>12 эВ). Вторичные анионные экситоны в.

ОеВг создаются в области 1г1/> 20 эВ фотоэлектронами, возникающими при ионизации катионов.

2.4. Исследование спектров возбуждения собственной и актива-торной люминесценции Ся/^ и Ог/^ - ТК (ТК = Ей, Се ¡-Ъу) показало наличие областей резкого возрастания выхода собственного свечения при М > 23 эВ и активаторного свечения при Ш> 25″ эВ, связанных с созданием вторичных экситонов и вторичных электронно-дырочных пар. Активаторное свечение в возбуждается по рекомбинационному (Се?* ,) и захватному (Ей2*) механизмам.

2.5. Исследование спектров возбуждения люминесценции технических люминофоров «У20, и др. показало, что возрастание эффективности свечения при 14 эВ для и ПРИ кр > 15 эВ для связано с созданием вторичных экситонов.

2.6. В области ьи- 15−30 эВ для многих систем.

КВг-те, СзВг-Гп, у203 -Ей, ?.1Л2 $ 10Ч-Мп, ^?ваО^-Мп, получено абсолютное фотонное умножение: квантовый выход фотолюминесценции превышает I (см. табл.4).

3. На примере кристаллов.

СяВг изучены особенности катионных электронных возбуждений в ЩГК, свидетельствующие о существовании катионных экситонов. Рассмотрена возможность миграции и распада катионных экситонов.

3.1. Измерение при 90 К спектра отношения эффективностей люминесценции центров и анионных автолокализованных экситонов в С$Вт -1м. позволило выделить область эффективного создания катионных электронных возбуждений в С$Вг (12−20,5 эВ).

3.2. В Севг-1и. и С$ВгТв обнаружена эффективная передача энергии к.

1/1 и — центрам люминесценции в области создания катионных экситонов. При = 12−13,5 эВ процесс частично замораживается при охлаждении от 300 К к 90 К. Рассмотрена возможность интерпретации этого эффекта как результат прыжковой диффузии катионных автолокализованных экситонов Френкеля к примесным центрам.

3.3. Показано, что процессы распада катионных возбуждений в КВт и С$Вт не сводятся к их полному превращению в анионные возбуждения. Селективное создание в С$Вт катионных экситонов фотонами 13 эВ приводит к эффективному образованию катионных дефектов ры возбуждения и времена затухания собственной люминесценции.

5.1. Разработана методика измерения в пучке синхротронного излучения разрешенных во времени спектров возбуждения люминесценции с разделением быстрой (5 не) и длительной (Т* > I мке) компонент свечения.

5.2. Для кристаллов CaF^ (при 90 К) и За/-^ (при 300 К и 90 К) обнаружено существование кратковременной люминесценции (Т^ I не) при импульсном возбуждении синхротронным излучением.

5.3. Обнаружено, что кратковременная люминесценция в &aFz возбуждается в области 18 эВ, соответствующей ионизации катионов. Кратковременная люминесценция в BaF^ интерпретируется как излучательный переход электрона из валентной зоны в катионную зону.

Проведенное исследование показало, что применение синхротронного излучения для исследования широкощелевых кристаллов дает важную информацию о природе собственных электронных возбуждений, их миграции, размножении и распаде с рождением дефектов.

Полученные результаты важны для построения общей теории элек-' тронных возбуждений широкощелевых кристаллов и особенно для решения проблемы прогнозирования радиационной устойчивости твердых тел, а также для прогноза возможностей получения и применения фотолюминесценции кристаллов с квантовым выходом выше единицы!

Дальнейший прогресс в развитии экспериментальной техники применения синхротронного излучения к изучению широкощелевых кристаллов должен опираться на расширение температурной области исследований до 4 К, на расширение спектральной области исследований до энергий фотонов, больших 30 эВ, на дальнейшую разработку высокочувствительных методак измерения спектров создания радиационных дефектов синхротронным излучением.

В заключение автор считает приятным долгом выразить глубокую благодарность своим научным руководителям члену-корреспонденту АН ЭССР, доктору физ.-мат.наук, профессору Лущику Ч. Б. и кандидату физ.-мат.наук Александрову Ю. М. за постановку задачи и руководство в процессе работы.

Автор благодарен сотрудникам Лаборатории электронов высоких энергий ФИАН заведующему сектором синхротронного излучения кандидату физ.-мат.наук Якименко М. Н., кандидату физ.-мат.наук Сырейщи-ковой Т.И., Федорчуку Р. В., Глаголеву К. В. и сотруднику МГУ Коло-банову В.Н. за сотрудничество при создании экспериментальной установки и помощь в проведении экспериментов.

Автор благодарит сотрудников ИФ АН 3CGP кандидата физ.-мат. наук Васильченко Е. А., кандидата физ.-мат.наук Кузнецова А. И., кандидата физ.-мат.наук Лущик Н. Е. и кандидата физ.-мат.наук Са-вихину Т.И., сотрудников ИОФАН CGCP кандидата физ.-мат.наук Баты-гова С.Х. и кандидата физ.-мат.наук Мирова С. Б., сотрудника Ленинградского политехнического института кандидата физ.-мат.наук Родного П. А. за плодотворное сотрудничество и многочисленные обсуждения.

Хочу также поблагодарить Благова М. И., Хазизова Р. Г. и Шубина Л. Е. за помощь в создании и отладке электронных схем, Акимова.

A.B. и особенно кандидата физ.-мат.наук Пащенко Г. С. за помощь при автоматизации экспериментов, кандидата физ.-мат.наук Абрамова.

B.Н. и Шиканяна A.A. за помощь в проведении расчетов на ЭВМ, Молчанова C.G. и Мурашову В. А. за полезные дискуссии, Волянскую А. И. за содействие в работе, а также всех сотрудников группы эксплуатации ускорителя, обеспечивших его работу при проведении измерений.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Сборник «Синхротронное излучение в исследовании твердых тел» под ред. А. А. Соколова, 1970, М., Мир, 292 с.
  2. Сборник «Синхротронное излучение. Свойства и применения» под ред. К. Кунца (пер. с англ.), 1981, М., Мир, 526 с.
  3. М.Н. Мощные источники ультрафиолетового и рентгеновского излучения. УФН, 1974, т.114, в.1, с.55−66.
  4. С.Н. Возбуждение люминесценции КСС в области от 6 до 40 эВ. Материалы XIX Совещания по люминесценции, Рига, 1970, чЛ, с.95−97.
  5. С.Н., Ильмас Э. Р., Лущик Ч. Б., Михайлин В. В. Фотонное умножение в кристаллах КСв и МаСв.. ЗЯТ, 1973, т. 15, в.5, с.1574−1578.
  6. .Н., Михайлин В. В., Орановский В. Е., Ореханов П. А., Пастерняк Й., Пачесова С., (Заламатов A.C., Фок М. В., Яров A.C. Использование синхротроиного излучения для исследования люминесценции кристаллов. Труды ФИАН, 1975, т.80, с.140−173.
  7. Ю.М., Благов М. И., Махов В. Н., Молчанов С. С., Мурашова В. А., Пащенко Г. С., Сырейщикова Т. И., Федорчук Р. В., Якименко М. Н. Ускоритель ФИАН С-60 источник синхротроиного излучения. — Препринт ФИАН № 168, 1980, 53 с.
  8. В.Н., Пащенко Г. С., Якименко М. Н. Исследование ускоряемого электронного сгустка методом вращающегося диска. Краткие сообщения по физике ФИАН, 1977, № 5, с.15−19.
  9. Ю.М., Козлов М. Г., Махов В. Н., Федорчук Р. В., Якименко М. Н. Установка для исследования спектров поглощения вообласти длин волн 100−900 А. Оптика и спектроскопия, 1978, т.45, в.1, с.178−181.
  10. Ю.М., Колобанов В. Н., Махов В. Н., Федорчук Р.В.,
  11. Якименко М. Н. Монохроматор нормального падения для работы свакуумным ультрафиолетовым излучением синхротрона ФИАН нао
  12. МэВ в области длин волн 400−2500 А. Препринт ФИАН М64, 1979, 12 с.
  13. Ю.М., Колобанов В. Н., Махов В.Н., Сырейцикова
  14. Т.И., Якименко М. Н. Установка для измерения временных характеристик люминесценции в наносекундном диапазоне. ЖПС, 1982, т.36, в.6, с.941−947.
  15. Ю.М., Кривоспицкий А. Д., Лаврищев В. П., Мазуренко С. Н., Якименко М. Н. Использование синхротронного излучения в рентгенолитографии. Письма в ЖГФ, 1979, т.5, в.14, с.840−843.
  16. Дж. Принципы теории твердого тела (пер. с англ.), М., 1. Мир, 1974, 472 с.
  17. Т. Оптические свойства полупроводников (пер. с англ.), М., Изд.иностр.лит., 1961, 304 с.
  18. Тауц Ян, Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра (пер. с англ.), М., Мир, 1967, 74 с.
  19. Дж. Оптические спектры твердых тел в области собственного поглощения (пер.с англ.), М., Мир, 1968, 174 с.
  20. Ф., Пастори Парравичини Дж. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах (пер. с англ.), М., Наука, 1982, 392 с.
  21. Ргепкеб On the transformation of Cicjhi into heat in solids Phys.Rev. — 1331} кЗ?, /7−44- NolO}p, 1276-/234.
  22. Wannier G. H, The structure of excitation? ei/e?s in insulting ciystaes.- Pbys. Re (/,?19Z? i/^Z, A/o3,p. 131- /97.
  23. Mott fr/.F. Conduction, in. po&r crystals. IT. %e conduction, ?and and uetrai/iofet absorption of авкаё- katcde nysbxCs-TranS.Faraday Soc.} 19Ь8, vt34}part3, pS00−506.
  24. Ч.Б. Электронные возбуждения ионных кристаллов в области вакуумного ультрафиолета. В кн.: Физика вакуумного ультрафиолетового излучения, 1974, Киев, Изд. «Наукова думка», с. 171−192.
  25. CA. е. Free and se? f-trapped excitons in aeka? i ha^cdes: spectra, and olyhQmics.? /си.: Excitons, ?d ty Ralh? ct E. I. and Sturze M. D%, Ш2? Amsterdam,? MrtA
  26. Hoeeand Pu#ei$hi"cj Company 7 p, 506−541,
  27. Haense? R, Investigation ef opticae properties ofiiatiutcs and s o rareAiez fy synchrotron radiation. -MSY-ВегШ FV-69/Z, i969, Hawturg.
  28. Onode.ro. Y, Energy Sands in. Csl7. <7. Phys. SoC. JQpQK, i9es- Mo2, pM9−4go.
  29. Placmtihi M,? Lyntk DM} O&ott C.G. Terworeffactance of Li Г fatwaen. /2 and 30 uv* -Pkys.Rm B? 4976, lл /3, Mo i2, p. SS30-?5b3.
  30. MertJ.R Joumik C^GoutC, Esotro и ic 4a*dstructure of f? uorite, — Phys. Rev* BJ m?,*Mf/i/o2,p.92S-933.
  31. Saiee l/? Skifamkt /V. Excitation of ike Cs-Ep cere &i/e? ш cesium Midzs at 30!? s Ptyc. stect, sot (e)7 1972, и SO,
  32. А.А., Саар А.М.-Э., Эланго М. А. Экситонные и зонные эффекты в К-спектрах Li в ионных соединениях. ИТ, 1974, т.16, в.6, с.1720−1724.
  33. Ч.Б. Фотофизические процессы и миграция энергии в щелоч-ногалоидных кристаллофосфорах. В кн.: Физика щелочно-галоид-ных кристаллов, 1962, Рига, Изд.Латв.ун-та, с.245−261.
  34. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. УФН, 1977, т.122, в.2, с.223−251.
  35. Ч.Б., Васильченко Е. А., Либлик П. Х., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е. Люминесценция, автолокализация и распад на дефекты экси-тонов в ионных кристаллах. Изв. АН СССР, сер.физ., 1982, т.46, № 2, с.343−348.
  36. Lushciiik С., LuskckikA*, Vaste’chc^ko Е. Excitons and point defect czeation in aebec Midei- В ми.: Defects in ¿-и St* fating Ciystags. td'fy Tucltkevick V, M, and %bmrts лie¿-i7 «Zindine"Pu&iskiu^ House Riga,
  37. Spriuger- Vereig Berten, HeideMerg York, р. 32Ъ -342,
  38. Kauzig И/. Trapped си йР/ЫЬ ha Mes. -Prec. Tatern, Covcf* Semiconductor Physics, 1вбО- Prague, p. 70S- ?H,
  39. P.A., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б., Соовик Т. А. Автолокализация экситонов и оптические явления в ионных кристаллах. -Изв. АН СССР, сер.физ., 1967, т.31, № 12, с.1982−1985.
  40. Kaiser М, А/.г Patterson P.A. Evidence for a triplet sfate of tU $eei-trappe? excito». ?"Л'Ш^ ciysta. e
  41. Ret/. Lett., и 19, Vo H, p. 652−654,
  42. И.Л., Либлик П. Х., Лущик Ч. Б. Краевая люминесценция экситонов в ионных кристаллах.- Письма. в ЖЭТФ, 1975, т.21, в.2, с.161−163.
  43. Lubhckik CL В., Киимапи. L, LiMik P., Liidja Luskckik ME, РЫкаиО!/ Patas A, So*vi* T
  44. Edge ?uwLneiceuce e-f excito и£ ¿-и loh it ciystate —1.minescence, 1975} (/. 11 7 tio 3−4} p. 285−229,
  45. Антонов-Романовский B.B. Кинетика фотолюминесценции кристал-лофосфоров, 1966, М., Наука, 324 с.
  46. Фок М. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров, 1964, М., Наука, 284 с.
  47. Э.Р., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. Фотонное умножение -элементарный акт сцинтилляционного процесса. Труды ИФА АН ЭССР, 1964, т.26, с.213−215.
  48. Э.Р., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. Фотонное умножение в кристаллах. I Спектры возбуждения люминесценции ионных кристаллов в области от 4 до 21 эВ. Опт. и спектр., 1965, т.18, в. З, с.453−460.
  49. Э.Р., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. Фотонное умножение в кристаллах. П Механизмы фотонного умножения. Опт. и спектр., 1965, т.18, в.4, с.631−636.
  50. Э.Р., Лущик Ч. Б. Элементарные процессы размножения электронных возбуждений в ионных кристаллах. Труды ИФА АН ЭССР, 1966, т.34, с.5−28.
  51. Ч.Б., Савихина Т. Н. Фотолюминесценция кристаллов с квантовым выходом большим единицы. Изв. АН СССР, сер.физ., 1981, т.45, № 2, с.267−271.
  52. Luskcklk Cb., Liidja I, The мееАаисЗУи. of -СогмаЪ'ои, of coPor cmters cu ioxtc ciudad ву uC-erat/io^eir Irr^iatiu^.- Pro с. 2иЫги, Conf, ZewtMuductor Puyst’cs, Praque, 49eO, p. 74?-721.
  53. Ч.Б., Лийдья Г. Г., Эланго М. А. Электронно-дырочный механизм создания центров окраски в ионных кристаллах. ФГТ, 1964, т.6, в.8, с.2256−2262.
  54. И.К. Современные представления о механизме рекомбинаци-онной люминесценции щелочно-галоидных кристаллов. Изв. АН СССР, сер.физ., 1966, т.30, № 4, с.564−569.
  55. Ч.Б., Вале Г. К., Эланго М. А. Электронные возбуждения ионных кристаллов и элементарные механизмы создания центров окраски. Изв. АН CCGP, сер.физ., 1967, т.31, № 5, с.820−828.
  56. И.К., Лущик Ч. Б., Эланго М. А. Экситонный механизм создания F-центров в бездефектных участках ионных кристаллов. -ФГТ, 1968, т.10, в.9, с.2753−2759.
  57. Hersk ИМ, Proponed excitouic /nechanism o-f color-center -forwa-tiott ?h adka? i Mides.-Pkys. № 2.1/., 4Ш, v:4b89 A/o 2, p. 928−932 .
  58. PooPey 2). F-centre productiou ¿-и авкаА hafrdes fy Q&ctron- fACOmfciAatcOu and a sufee^uewt Ц o. уер? аеемеп1: ъе^иеиее- a dtecusuoi* oftke e-eectwu
  59. Ме томкьайои -Prot.Pkyi. S"rv 1966, * /,/?. Stf,
  60. PooteyD, ho. anion replacement $е^иенсег ?u авЛавс к a frdes W гева. iiou to F- centre production e&ctrou-hote rz&owf?nationProc., fJo4? f>.2ST--262.
  61. Е.А., Лущик А. Ч., Лущик H.E., Лущик Ч. Б., Соовик X.A., Тайиров M.M. Образование вакансий и интерстициалов в щелочно-галоидных кристаллах при оптическом создании эксито-нов. ФГГ, 1981, т.23, в.2, с.481−487.
  62. Ч.Б., Витол И. К., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Соовик Х. А., Тайиров М. М. Туннельная перезарядка френке-левских дефектов в С$Вг . ИТ, 1981, т.23, в. б, с.1636−1642.
  63. Lushcfiik Е^ан^о A. t&Hdina-R., Lusbchlk А.} Maaros А,}ЫиглкктеЪ (/ 77, Р4оом. L. MecAattisrnS of ccd (on defeats. сгеаЛои. ш аи^ 1ЭЯ07 * S, 132> -152,
  64. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Соовик Х. А., Тайиров М. М. Распад экситонов на дефекты и поляризованная люминесценция при рекомбинации дефектов в Cs Br-, Письма ЩГФ, 1980, т.32, в.9, с.568−571.
  65. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Соовик Х. А., Таийров М. М. ВУФ-спектроскопия экситонов и френкелев-ские дефекты в Cs? r . Труды ИФ АН ЭССР, т.51, с.7−38, 1980.
  66. М. Модуляционная спектроскопия (пер. с англ.) М., Мир, 1972, 416 с.
  67. М.А., Жураковский А. П., Кадченко В. Н., Соркин Б. А. Люминесценция и электронная эмиссия ионных кристаллов, облученных ультрамягкими рентгеновскими лучами (энергия квантов 60−240 эВ). Изв. АН СССР, сер.физ., 1977, т.41, № 7, с.1314
  68. В.В., Орановский В. Е., Пачеоова С. И., Фок М.В. Спектр возбуждения люминесценции в области фундаментального поглощения и электронная структура нитрида алюминия. Труды ФИАН, 1977, т.97, с.41
  69. Zimmerer Q, Iw&biiflatioH, of lonic with ^mdro^ron, ictdiaiiOH,. В кн.: 2&fects> iw custars ty Tuckkeviek V.M. and Shirts И, К,"?шаЪа" Puffckiuej Houi
  70. Бранно M,} Qakwieeer CL} Brown ЕС. Co&ratio* o-F KCe and шйавъ fy iir u^ravco^et iadi&tiOit,-$o?,
  71. State CowMun,} 1970, * *, M> 11,
  72. Boo-tk R>3.?Syr*on$ MX.R., Lea, КRadicdto" daware produced wtti Synchrotron ladiaiton, г Pad, PkyS, aud Скш.} 1Щ V. 10, № S/t9 p. 315−34?.
  73. Wtstem vM № ?,} MtPkerson, А Risfay J, S, Smchrotron, bbdia-tion. itfteuiity -for 50-Mev to SO-Gei/ e&ctrons.
  74. Mom.Dato, W Nuce. Data (>>21−105.
  75. А.Г. Определение амплитуд бетатронных и синхротронных колебаний электронов методом скоростной киносъемки. ШЭТФ, 1962, т.42, № 2, с.606−609.
  76. Skiiewski М.¡-Siechmann И/, Ыота^-сиШеиее monochrowodor •for tfa /CLCuum uHraviotd: mdia Ион -frohn, а и e&ctron. %u*chrotroK -J. Oft. Soc. Ante л, 19af i/.S?f hfo /, p. 112 HS,
  77. Samson. J. A,/?. Techniques oi Vacuum Mrai/iofet SpeciruSd&pyf Wtfey and Sous }№л/York, 19(7,72. 3>?-fraction Gratings -Rue!ed and horapole. Mi*J&ookf ed. JOB ¿-и. — Ум п. Company, Longjumeanf France, 1976.
  78. Ю.М., Махов B.H., Сырейщикова Т. Н., Якименко М. Н. Автоматизированная установка для спектроскопических исследований в пучке синхротронного излучения. Труды ФИАН, 1982, т. 135, c. II7-I2I.
  79. Ю.М., Махов В. Н., Сырейщикова Т. И., Якименко М. Н. Использование ФЭУ-71 в режиме счёта фотонов для исследования временных процессов в наносекундаом диапазоне. ПТЭ, 1982,1. I, с.168−169.
  80. KhiM Se&K?trFluorescence decay of aromatic i/apours, I. The iso&cted pkenan thr-еме y*o&cuu>-Austra&aH 7Chen7 1373, *26,p*1−2
  81. Llnfyi/ist LK) Lop&z-De&ado R^ Martin. KM, Tramer A, Li-feilwe ano! tlwe-ieso^veot -fluorescence measurements a/M ACOunchrotrom radiationOptics Commun, 1914, ¿-л 10 fMo 3, /?. 2R2> -28I.
  82. Lopez-De&ado R, Tramer A^Munro LH. A tfew pbct&ed uokt s ourse for ufe time studies and time ies ved
  83. Spectroscopy: eke synchrotron, radiation. fr&iM electron, btortvje riuu-Cbeni.Ptiys, 197? t} v. J>" p. 72−83,
  84. Lopzz-Ъе<�уado R, Comments On the application of Synchrotron, radiation, to time-ге^оёvedspectrerf&ioWMetref, tiuct. Instrui Metí-s,/Щ* P’W-2?3.
  85. Monahan, K.M.?RehnV. EKp&itlug the unique time iimtture of synchrotron. vadlatiOH. at QSRL %~Мисвч1.tirum.MM^, №Z} И /52,/г. 2SS--2S9*
  86. Munro LH. Time-resofvtc/ Spectroscopy with synchrotron r^clto. tiOit,-Век Burse^es.PAys. СЬем., 19819i/. ^ ^ 2J
  87. Ю.М., Махов В. Н. Исследование электронных возбуждений в широкощелевых кристаллах люминесцентными методами с помощью синхротронного излучения. Тез.докл. Всесоюзного совещания по молекулярной люминесценции, Харьков, 1982, с. 9.
  88. Ю.М., Васильченко Е. А., Лущик Н. Е., Лущик Ч. Б., Махов В.Н, Сырейцикова Т. И., Якименко М. Н. Распад анионных и катионных экситонов с рождением анионных и катионных дефектов в С$Вг. ЕГТ, 1982, т.24, в. З, с.740−746.
  89. Ю.М., Васильченко Е. А., Лущик Н. Е., Лущик Ч. Б., Махов В. Н., Сырейцикова Т. И., Якименко М. Н. Миграция, размножение и распад электронных возбуждений (10−30 эВ) в кристаллах ЫаВг, КВк и
  90. CsBr. Тез.докл. У Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1983 г., с. 139.
  91. Ю.М., Лущик Н. Е., Лущик Ч. Б., Махов В. Н., Сырей-щикова Т.И., Якименко М. Н. Спектры возбуждения собственной и примесной люминесценции А1аЬг, КВг иСвВу* синхротронным излучением 5−30 эВ. Труды ИФ АН ЭССР, 1984, т.55, с.7Z-i05.
  92. Ч.Б., Гиндина Р. И., Лущик Н. Е., Плоом Л. А., Пунг Л.А.,
  93. Х.А., Эланго A.A. Электронные возбуждения и радиационные дефекты в кристаллах Na? r . Труды ИФ АН ЭССР, 1975, т.44, с.3−44.
  94. М.М. Низкотемпературный распад экситонов с рождением дефектов в КВг и КВг-Св . £ГТ, 1983, т.25, в.2, с.450--455.
  95. М.М. Экситонный и электронно-дырочный механизмы создания F, Н- и о(, 1 пар в кристаллах k? r и К&Г-С2. -Труды ИФ АН ЭССР, 1983, т.54, с.73−101.89. l/asi€c/*"?o LuzUkikN^LuthckikCb. Мутной, of excrtons am/ ?to€e$ с* crysMs of
  96. LuHiiwsceHce, 1972, M>2? pt 111−131.
  97. E.A. Экситонные процессы в кристаллах Cs? r и aß-r-те . Труды ИФ АН ЭССР, 1972, т.39, с.47−63.
  98. Ч.Б., Лийдья Г. Г., Лущик Н. Е., Васильченко Е. А., Калдер К. А., Канк P.A., Соовик Т. А. Экситонные механизмы возбуждения люминесценции примесных центров в ионных кристаллах. Изв. АН СССР, сер.физ., 1973, т.37, № 2, с.334−340.
  99. А.Ч. Вт^ центры в облученных рентгеновской и ВУФ-ра-диацией кристаллах Cs? r . — Труды ИФ АН ЭССР, 1980, т.51,с.39−56.
  100. B&cbsdtvidt J) t) Haense? R<> Kock B. Et) Weesen U<} Skt? owski M, Fette siructure o-f ihe extrewe uitvavcofetofthe pOtasUun. Ufrcte ciutfags at 10KX-Phys. stat. sot. ftl 1971, tfo2, p. W-?93.
  101. H.C. Создание вторичных экситонов и электронно-дырочных пар в монокристалле КЗ . ФТТ, 1975, т.17, в.4, с.1085−1088.
  102. R-, R?'a*d Cs-h
  103. Rue?o ff GM Far и&кхшоШ reflectance spectre ghuLiha efectrouic structure of соиСс flt^s.&i/. B}1. Ш- кMo2/p, € 62−689,
  104. Е€аиао M., Pruuemann X, ZhurakovsMu A R Recoin fanat? On ёимс№ъс&исе a*d енегдц trrausf&r lu conic ci
  105. Iwatt М.?КипгС. Pkotoemission ?"vesitjatiQH of autoiouizLLLQ Ма*-2р core exciious? h MaCBy
  106. C, 1918} к H, A/c S,/?* 90S- .
  107. Sprassee $k?Pewsk? M^ i/. к±1р coro exct? ou? ¿-и potass tum Aa&'des studied at Рои- -betMperatures with high resolution. -Sot. State Cunntu"., 1119, * Wo H, p> i091−109
  108. A.A. Катионные возбуждения щелочногалоидных кристаллов в области ультрамягкого рентгеновского излучения. Автореферат канд.диссертации. Тарту, 1981.
  109. Юб. Reader J, Energy of iouizedcesium (СгJ¿-j%
  110. Phus, йш. AP 1Ш, * 13, Mo2, tp. Sol-Sit.
  111. Soctoko CXJ Suaauo ?, Msorptieu spectra of excitous? it a^kaZi Unites си Ue VACUUM-uetYa/ie№ r^i&n.0, PtySocfy*", 1№, I/.
  112. S>abda sit., Toyozawa X Theory ef ibe УлЬн-ТеШг ?/fact ou the opt? ca? Spectra. of deflorate excito*1 phy$. Japan, im, * iS, Mo ifp. Ш-W,
  113. С.И., Перлин Ю. Е., Цукерблат B.C. Поляризационный дихроизм оптических спектров ян-теллеровских экситонов. -OTT, 1978, т.20, b. II, с.3201−3210.
  114. Ю.М., Лущик Ч. Б., Махов В. Н., Сырейщикова Т. И., Якименко М. Н. Использование синхротронного излучения для исследования механизма образования Р^-центров окраски в LiF. -OTT, 1982, т.24, в. б, с.1696−1700.
  115. D.M., Глаголев К. В., Махов В. Н., Миров С. Б., Сырейщикова Т. И., Якименко М. Н. Оптические свойства в ВУФ области спектра и механизмы образования центров окраски в Ц F. -- ШС, 198 $, т.40, в.2, с. 244−249.
  116. Ю.М., Махов В. Н., Сырейщикова Т. И., Якименко М.Н.
  117. ИЗ. Махов В. Н. Спектроскопия центров окраски в L/F. Сб. докл. Всесоюзного совещания по использованию синхротронного излучения СИ-82, Новосибирск, 1982, с. 347−351.
  118. PooUyb.} Ruhcimuk ?4/, A. RecotuPcua. ttou ?u"iiues, cei*ce ??ta?k*ic Uttdes, -«7, РЬ^ С, 19Щ «3, tfo % />. MS-Ш9,
  119. Rao ?X, Mora wee Rife Л Ъех1: ег R. M Vacuum ultYMCotct r^fPectii/iHes of LiF, fi/aF W MR -Phf, Rev. В, i 9 IS, Л 42, Vol2, p. Sm-S9S0,
  120. Okucta A. Ofi the R centers PcUium -fifi/ertde*-3. Pbcf$> Soi. Japan, 19 617к 16, fi/o3,p- 1Ш 1H2.
  121. Э.Д., Чернов С. А. Релаксированные и нерелаксированные дырки в ионных кристаллах. Химия тв. тела, 1978, в.2, с. 71−89.
  122. Ra’h2Icj НА Paraparetic Resonance study of radiation. cldLMOae Ш feueriole, J, Рки$, СЬем4960}к 17, Vo 4/2, fi M-92.
  123. M ?Wer LV^euk R, H. Lunibtesceuee 7? Ynppluaj aud
  124. F centers et* Fluoride ciysta AppL Ptys, 1970, к И, bto S, fi. 26*7 -369I,
  125. А.И., Раджабов E.A. X^ центры в кристаллах ?/F. — Опт. и спектр., 1980, т.48, № 3, с.618−619.124. ?osi Uj? usso&itC^Coi/a?. RadCaiive Wethes о/ ZKCtied M аиЫ R. ceuters ¿-м a в fa ¿-с kaecdts, Phys, stat, So? (e), 1972, * Щ Mo jf p* 341−34Я,
  126. Best L, Busweodi C., Sfitkoio в, LtfeHne o-fiui -First exciM liaU oi rte R+cmter си Li F. Ptys, Lett% A, 197 022, p.4S9- 4eOt
  127. И.A., Хулугуров B.M., Лобанов Б. Д., Максимова Н. Т. Люминесценция и вынужденное излучение центров окраски в LiF. -Изв. АН СССР, сер.физ., 1979, т.43, № 6, с.1125−1132.
  128. GeePerwQH W.} Luicj R? Hock KrP. Liitih Q. F+c**ter l iodPi^CzaitouL and tuneatfu gaier operai ¿-ок. ¿-л ОН dof>f?ed аёЬвс UMes-ftys* s tot, soi, (а), 1980,1. No 17 pAH-W.
  129. .Д., Максимова Н. Т., Хулугуров В. М., Парфианович И.А.-агрегатные центры в кристаллах Li F Mg, ОН. — ШС, 1980, т.32, в.6, c. I079-I083.
  130. М.И., Сойфер Л. М. Исследование примесного поглощения кристаллов UF в вакуумной ультрафиолетовой области спектра. Изв. АН СССР, сер.физ., 1965, т.29, № 3, с.443−445.
  131. .Д., Смольская Л. П., Парфианович И. А., Георгиевская Л. М., Непомнящих А. И., Максимова Н. Т. 0 природе центров свечения и центров окраски в кристаллах Li F Li^O . — Химия тв. тела, 1978, в.2, с.98−100. .
  132. А.Н., Угланова В. В. Природа примесного поглощения в области 140 нм в кристаллах фтористого лития. Сб. научных трудов ВНИИ монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых химических веществ, Харьков, 1979, № 3, с.32−37.
  133. Farge К? L&-mß-ert M^SmoeuchowskiR, MeectHiswe. de •formation, des centres MSo€. S-faie Сотым*., fSK, * Ыо 7, A 231−226.
  134. .Д., Хулугуров В. М., Парфианович И.A. F агрегатные центры в кристаллах Li F — Li^O. — Изв. Вузов, Физика, 1978, № 4 (191), с.81−85.
  135. В.А., Феофилов П. П. Перестраиваемые лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах. Квантовая электроника, 1980, т.7, № б, C. II4I-II60.
  136. Meyer А*, nW fi, F. Fuiront с sirudure o-Firhe M Ceuter ¿-и UC4 Li F, — 1<�Э6Ь} к /33,/¿-5Й, pJW-iMZ.
  137. .П., Вайсбурд Д. И., Москалев В. А. Создание и превращение F^ t F,, F^ центров в кристаллах UF при импульсном облучении плотными пучками электронов. — Письма в ЖГФ, 1981, т.7, в.13, с.791−794.
  138. .Д., Максимова Н. Т., Щепина Л. И. Рентгенолюминесцен-ция центров окраски в кристаллах Li F . Опт. и спектр., 1981, т.51, в. б, c. II04-II05.
  139. Саар А.М.-Э., Майсте A.A., Эланго М. А. Проявление электронно-дырочного взаимодействия в K-спектре поглощения Li в LiF• -OTT, 1973, т.15, в.8, с.2505−2507.
  140. CiydaPs wltk the Wuorrte- structure, ed, 191k, C&rzudou Press, Ox-ford.
  141. Siarosttu, M V4%ep?to/ M, P%} AMzeet/ А, в, Еиегаи structure of the adkatme-eartk -ffuendes,-T/iys.seat. u <�№*>, Mo 2, f. 7S7- 72 b.
  142. Рооёе RX, SzAjwan Leakey R, С.? 7 JeuikCu. J. Lcesegang 3, E&ctrouic structure of Hie а? ка?шеearth fluorides studied pkotoe Cedron. spectroscopy-PltyS, Ы B, iS 1S7 * 12, M> 12, p. 5S72-S877,
  143. Sea urn out Z Нч H*ye* W*9 frrk 2). LtJ Supers f> Аи? M/estijatott of trapped ho? e$ and -trapped e. xCiiou$ с (л йвкл&ие e^rtk f&orides. -Proc, Roy, Soc, Loud. A, 1310, v. 315-? Mo 1S20t, />•
  144. Ю.Б., Захаров Г. М., Никитинская Т. И., Рейтеров В. М., Родный П. А. Рентгенолгоминесценция фторидов кальция и бария. Опт. и спектр., 1972, т.32, в.4, с.756−757.
  145. Т.И., Родный П. А., Михрин С. Б. Кинетика люминесценции фторидов кальция и стронция малой длительности.при возбуждении рентгеновскими импульсами. Опт. и спектр., 1975, т.39, в.2, с.411−413. •
  146. WitfraMsRT^Ra/l&r M,№, Hay*i?Stott J, R Time-vesofM Spectroscopy of s-etf-trzxpped ?xcitous ?u. Muorite Qytfa&r %←. /&
  147. И.JI., Лущик Ч. Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися экситонами. Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, № 9, с.1785−1792.
  148. К.А., Малышева А. Ф. Экситонные и электронно-дырочные процессы в кристаллофосфорах на основе Caf^ и Srf? . Опт. и спектр., 1971, т.31, в.2, с.252−258.
  149. К.А. Электронные возбуждения кристаллов типа АН (ВУП^* Труды ИФА АН ЭССР, 1974, т.42, с.81−108.
  150. ЬоиМсЩои. А. З, Beaumont «7,//. ЬкШиис Bumimsceuce excitation. sp*ctru*c of CaF2- J, Phys, С, 1976, a 9,1. No /7№ 9-СШ
  151. Захаров Г. M, Никитинская T.И., Родный П. А., Ягов Г. В. Особенности люминесценции кристаллов СаРг -&-<2¥-'тл SriC -Eu** при кратковременном рентгеновском возбуждении. Изв. АН СССР, сер.физ., 1974, т.38, № 6, с.1274−1276.
  152. H.H., Никитинская Т. И., Рейтеров В. М., Родный П. А., Трофимова Л. М., Юрков С.И. Особенности рентгенолюминесценири
  153. CclFz-Eu. Опт. и спектр., 1978, т.45, в. б, с.1201−1202.
  154. Ю.М., Батыгов С. Х., Глаголев К. В., Колобанов В. Н., Махов В. Н., Сырейцикова Т. И., Якименко М. Н. ВУФ спектры возбуждения люминесценции кристаллов, активированных редкоземельными элементами. ФГТ, 1982, т.24, в.4, с.1172−1175.
  155. Tomiku Т/ Mjuata 77 Opiate siudieS 6>f авкл^ №"oride.s and? K^kaec'ue earth -fluorides ¿-и !/(У/itgten. «7. /ИуГ.
  156. Soc. Уараи, 1в69, и 27, МоЪ, р-?58−678.
  157. В.Г., Капленов И. Г., Семенов A.B. Кинетические соотношения в рекомбинационной люминесценции вольфрамата кальция и бората магния. ФГТ, 1980, т.22, в.4, с.965−969.
  158. Ю.М., Махов В. Н., Родный П. А., Сырейцикова Т. И., Якименко М. Н. Собственная люминесценция BaF^ при импульсном возбуждении синхротронным излучением. Препринт ФИАН № 84, 1984, Ю с.
  159. H.H., Захаров Н. Г., Родный П. А. Спектрально-кинетическое исследование характеристик собственной люминесценции кристаллов типа флюорита. Опт. и спектр., 1982, т.53, в.1, с. 89−93.
  160. В.А., Ершов H.H., Красильников С. Б., Федьков Е. А. Свечение синглетных и триплетных экситонов в кристаллах типа флюорита при рентгеновском возбуждении. Опт. и спектр., 1982, т.53, в.5, с.910−912.
  161. A.B., Родный П. А. Кинетика экситонного излучения в кристаллах типа флюорита. ФГТ, 1983, т.25, в.2, с.589−591.
  162. Фотонное умножение в кристаллах. Труды ИФА АН ЭССР, 1966, т.34, т.34, 182 с. 162. lernas /?., Т./ IwestigatCOi* of ettmchzscencej? XC ?taiton procedes? t* sowe о худей -dcrutna-ted Compounds ву 3 ±o 21 ev photo us-J. LumiHesceuce,
  163. И.А., Миленина P.B. Центры люминесценции в фосфорах
  164. У20ъ -?i и £с203 -?i. Труды ИФА АН ЭССР, 1972, т.39, с.250−261.-2/6164. Спектральные трансформаторы с фотонным умножением. Труды ИФА АН ЭССР, 1972, т.40, 140 с.
  165. Э.Р., Лущик Ч. Б., Савихина Т. Н., Федоров В. В. Безртутные люминесцентные лампы с фотонным умножением. Изв. АН СССР, сер.физ., 1969, т.33, № 5, с.904−907.
  166. Э.Р., Лущик Ч. Б. Спектральные трансформаторы с фотонным умножением для неоновых люминесцентных ламп. Труды ИФА АН ЭССР, 1972, т.40, с.3−23.
  167. Э.Р., Савихина Т. И. Фотонное умножение в кристаллофос-форах разных классов. Труды ИФА АН ЭССР, 1966, т.31, с. I0I-I20.
  168. З.Л., Неуструев В. Б., Эгаггейн М. И. Спектральное распределение выхода и абсолютный выход люминесценции некоторых органических люминофоров. ШПС, 1965, т. З, в.1, с.49−55.
  169. R. С. Spectral properties rare earth ox? Me phosphors, J. Е? ес±госМеги, SV? v и /4/, Vol, р. 3H-34?.
  170. Т.И. Спектры возбуждения люминесценции кислородосо-держащих кристаллофоофоров в области 3−21 эВ. Труды ИФА АН ЭССР, 1972, т.40, с.24−52.
  171. В.Н. О расчете оптических констант по методу Крамер-са-Кронига. Труды ИФ АН 3CGP, 1979, т.50, с.79−94.
  172. В.Н., Кузнецов А. И. Фундаментальное поглощение и YA?03 . ФГТ, 1978, т.20, в. З, с.689−694.
  173. И.Л., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах. -Труды ИФ АН 3CGP, 1976, т.46, с.5−80.
  174. А.И., Абрамов В. Н., Роозе Н. С., Савихина Т. И. Авто-локализованные экситоны в Y? 02 . Письма в ШЭТФ, 1978, т.28, в.10, с.652−655.
  175. Ki^eu Zb9LuJwta? w. Efficiency Of (ЫШе-тц pkos/>kor$.7f, Correction wM clber property.
  176. J, ЕЯесАгоЖм Soc>} Ш0, к Ш7 M>3,
  177. Т.И., Мерилоо И. А. Спектры возбуждения люминесценции Sr3(P04)2 Т4Ъ+ и в области 4−21,2 эВ.
  178. Труды ИФ АН ЭССР, 1980, т.51, с.87−95.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!