Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Выращивание, состав, морфология и свойства твердых растворов редкоземельноалюминиевых боратов

Диссертация: Выращивание, состав, морфология и свойства твердых растворов редкоземельноалюминиевых боратов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Научная обоснованность выводов базируется на более 120 циклах по выращиванию кристаллов, продолжительностью каждого от трех недель до двух месяцев, 150 экспериментах по исследованию термической устойчивости YA1-, NdAl-, GdAl-, НоА1-боратов и их твердых растворов, рент-генофазовом и электронно-микроскопическом изучении продуктов термической диссоциации, около 90 снятых и рассчитанных… Читать ещё >

Выращивание, состав, морфология и свойства твердых растворов редкоземельноалюминиевых боратов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА.
    • 1.
    • 1.
    • 1.
      • 1. 3. 2. 1
  • ГЛАВА.
    • 2. 1. 1.
    • 2. 1. 5. 2
    • 2. 2.
  • ГЛАВА.
    • 3. 2.
  • Бораты со структурой хантита и 8 их производные
  • Общая характеристика редкоземельных боратов
  • Структурные особенности редкоземельно- 15 алюминиевых боратов 11А1з (ВОз)
  • Выращивание и состав кристаллов Б1А1з (В 03)
  • Практические возможности раствор-расплавной 30 кристаллизации
  • Расплавы-растворители
  • Фазообразование и области кристаллизации 34 КА1з (ВОз)
  • Химический состав кристаллов КА13(ВОз)
  • Основы термодинамической теории коэффици- 50 ентов распределения V
  • Морфология кристаллов ЯА|з (ВОз)
  • Методика исследований
  • Кристаллизация твердых растворов двойных боратов редкоземельных элементов со структурой хантита
  • Исходные вещества
  • Аппаратура
  • Приготовление шихты
  • Спонтанная кристаллизация
  • Выращивание на затравку
  • Определение температуры насыщения растворарасплава
  • Исследование однородности и термической устойчивости смешанных ИА1з (ВОз)4 боратов Физические предпосылки электронно-зондовых методов исследования вещества
  • Основные виды излучения и способы их регистрации
  • Пробоподготовка и режимы исследований
  • Исследование люминесцентных свойств кристаллов
  • Получение кристаллов твердых растворов редкоземельных боратов
  • Спонтанная кристаллизация
  • Выращивание кристаллов на затравках
  • Особенности фазообразования в системе
  • Ка0.05Д0.95)А1з (ВОз)4-(Ма0.05У0.95)2Оз-В2Оз-К2МО3О
  • ГЛАВА. ГЛАВА
  • Выводы
  • Литература

Морфологические особенности, состав и структура кристаллов смешанных редкоземельно-алюмиЖвых боратов

Термическая стабильность и люминесцентные свойства твердых растворов редкоземельно-алюминиевых боратов

Механизм и кинетика термического разложения Люминесцентные свойства кристаллов (У, Но) А13(В03)4 и РгА1з (ВОз)

В настоящее время известно довольно много безводных редкоземельных боратов, среди которых два минерала: водосодержащий брайчит (Се, Ьа)2В2204з ' 7Н20 и безводный пепроссиит (Се, Ьа) А13В309. Причем последний был открыт итальянскими минералогами недавно, в 1993 году.

По мере изучения физических свойств самой популярной среди них стала обширная группа тугоплавких и химически стойких боратов с общей формулой ИМз (ВОз)4, где К = иттрий или редкоземельный элемент, а М = А1, Сг, Оа, Бе и 8с. Появилась перспектива создания на основе этих материалов нелинейно-оптических элементов, высокоэффективных минилазе-ров, акустоэлектронных приборов и, что особенно важно, принципиально новых активно-нелинейных устройств. Особый интерес в связи с этим представляют кристаллы твердых растворов системы УА13(В03)4-ША1з (ВОз)4-Ос1А1з (ВОз)4 и иттрий-алюминиевого бората, активированного' эрбием, гольмием, иттербием и некоторыми другими редкоземельными элементами. В частности, кристаллы (Ш, У) А13(В03)4 (]ГУАВ) с концентрацией неодима 4−8 ат.% уже применяются в научном приборостроении. Тем не менее, до последнего времени по сути дела не было данных о влиянии условий кристаллизации на состав и структуру этих твердых растворов.

Представленная работа посвящена изучению раствор-расплавной кристаллизации (Ш, У) А13(В03)4, (0а, У) А13(В03)4, (Но, У) А13(В03)4, (УЪ, У) А13(В03)4 и (Ьи, У) А13(В03)4 и, прежде всего, выявлению зависимости между условиями их выращивания, составом, однородностью, внешней и внутренней морфологией. В основу диссертации положены результаты работы, выполненной автором с 1994 по 1999 г.

Научная обоснованность выводов базируется на более 120 циклах по выращиванию кристаллов, продолжительностью каждого от трех недель до двух месяцев, 150 экспериментах по исследованию термической устойчивости YA1-, NdAl-, GdAl-, НоА1-боратов и их твердых растворов, рент-генофазовом и электронно-микроскопическом изучении продуктов термической диссоциации, около 90 снятых и рассчитанных дифрактограммах, 20 рентген-дифракционных томограммах, более 800 выполненных рентге-носпектральных анализах. Научная новизна.

Впервые систематически исследованы условия воспроизводимой кристаллизации (Y, Nd) Al3(B03)4, (Y, Gd) Al3(B03)4, (Y, Ho) A13(B03)4, (Y, Yb) Al3(B03)4 и (Y, Lu) A13(B03)4.

Впервые выявлена корреляция между составом твердых растворов редкоземельно-алюминиевых боратов и условиями выращивания в сложных пяти-, шестикомпонентных системах.

Впервые обнаружено необычное регулярное распределение редкоземельных элементов в кристаллах (Y, Nd) — и (Y, Gd)^K>MHHHeBbix боратов, как следствие различной устойчивости политипных модификаций крайних членов этих серий твердых растворов.

Впервые изучена термическая стабильность YA1-, NdAl-, GdAl-боратов и твердых растворов на их основе, механизм и кинетика их разложения при температурах на 200−3 00 °C ниже значений, регистрируемых методом ДТА. Этот экспериментальный факт предполагает некоторые уточнения классического определения фазовых переходов первого рода, по крайней мере, для подобного рода инконгруэнтно плавящихся соединений.

Практическая значимость.

Конкретизированы технологические параметры получения на затравках кристаллов (Nd, Y)-anK)MmffleBoro бората заданного состава для активно-нелинейных устройств.

Получены кристаллы (У, Но) А1-бората, позволившие оценить перспективы их практического использования.

Выявлены допустимые рабочие температурные диапазоны применения этих кристаллов, которые не должны превышать 900 °C в продолжительном режиме эксплуатации.

Защищаемые положения:

— Состав кристаллов (У, Ш) А13(В03)4, выращиваемых из поликомпонентных растворов-расплавов, однозначно определяется составом исходной шихты, температурой и скоростью кристаллизации.

— В неравновесных условиях спонтанной кристаллизации твердых растворов редкоземельно-алюминиевых боратов контрастно проявляется закономерное разупорядочение состава в пределах одного кристалла, связанное с принадлежностью крайних членов этих твердых растворов к разным структурным типам.

— В атмосфере воздуха редкоземельно-алюминиевые бораты начинают разлагаться на алюмобораты А14В209, А118В4033 и ортоборат соответствующего редкоземельного элемента ЯВ03при температурах на 200−300°С ниже значений, установленных методом дифференциально-термического анализа.

Публикации и апробация работы.

По теме диссертации опубликовано и принято к печати 35 работ. Результаты работы доложены и обсуждены на VII Международном конгрессе кристаллографов (Сиэттл, США, 1996 г.) — XXX Международном геологическом конгрессе (Пекин, Китай, 1996 г.) — Международной конференции «Эволюция Земной коры» (Санкт-Петербург, 1996 г.) — XV Международной конференции по росту кристаллов и эпитаксии (Калифорния, США, 1997 г.) — II Российском симпозиуме «Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур» (Обнинск, 1997 г.) — III Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение» (Александров, 1997 г.) — I Национальной кристаллохимиче-ской конференции (Черноголовка, 1998 г.) — XVII Российской конференции по электронной микроскопии (Черноголовка, 1998 г.) — XII Международной конференции по росту кристаллов (Иерусалим, 1998 г.) — на XVII Международной конференции по конденсированным средам (Гренобль, Франция, 1998 г.), II Уральском кристаллографическом совещании «Кристаллография — 98» (Сыктывкар, 1998 г.), IX Международном Симпозиуме по нелинейным электромагнитным системам (Павия, Италия, 1999), V Международной конференции материаловедческой ассоциации (Пекин, Китай, 1999), XIV Международном совещании по рентгенографии минералов (С.Петербург, Россия, 1999), XI Американской конференции по росту кристаллов и эпитаксии, Аризона, США, 1999), XVIII Международном Конгрессе Союза кристаллографов (Глазго, Великобритания, 1999), X Международной конференции по химии бора (Дарэм, Великобритания, 1999), III Международной конференции по высокотемпературным растворам (Бордо, Франция, 1999), на 13 Международном Симпозиуме по бору и его соединениям (Динар, Франция), III Международной конференции: рост монокристаллов, проблемы прочности и тепломассопереноса (Обнинск, Россия, 1999). Структура работы.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов. Общий объем 164 страниц, включая 119 страниц текста, 38 таблиц, 50 рисунка и список литературы из 127 библиографических наименований.

Выводы:

1. Изучены условия выращивания из раствора в расплаве кристаллов следующего состава: (ШхУ1х)А1з (ВОз)4, (х = 0.05, 0.1, 0.4, 0.6, 0.65, 0.75), (ОёхУ1.х)А1з (ВОз)4 (х = 0.1, 0.2, 0.4, 0.6, 0.65, 0.7, 0.75), (НохУ,.х)А1з (ВОз)4 (х = 0.01, 0.03 и 0.05), (УЬХУ1.Х)А13(В03)4 (х = 0.005, 0.025 и 0.05) и (ЬихУ,.х)А13(В03)4 (х = 0.005, 0.025 и 0.05). В качестве растворителей использовались сложные поликомпонентные расплавы на основе тримолибдата калия. Для получения однородных кристаллов (Шо.о5Уо.95)А13(ВОз)4 — наиболее важного в практическом отношении представителя этой группы твердых растворов — предложен растворитель с небольшим содержанием (У, Кс1)20з (до 3 мас.%).

2. По данным аналитической электронной микроскопии установлено, что коэффициент распределения неодима между жидкой фазой и кристаллами меньше единицы. Содержание неодима в кристаллах возрастает с увеличением его количества в исходном растворе-расплаве, а также при повышении температуры кристаллизации и понижении скорости роста кристаллов. Коэффициенты распределения гадолиния, гольмия и иттербия и лютеция близки к единице.

3. Анализ тонкой морфологии граней кристаллов (У, 0ё) А13(В03)4 и (У, Ш) А13(В03)4 показал, что она является внешним структурно-чувствительным фактором, по которому в определенной мере можно судить о структурных изменениях в процессе кристаллизации твердых растворов.

5. Изучено термическое поведение кристаллов редкоземельно-алюминиевых боратов в атмосфере воздуха при температурах ниже зафиксированных с помощью ДТА. Установлено, что при прокаливании они разлагаются на алюмобораты А14В209, А118В4О33 и орто-борат соответствующего редкоземельного элемента КВ03.

6. Сопоставление полученных результатов с более ранними публикациями по соединениям А^ВОд и А118В4О33 дает основание утверждать о полной идентичности их структур.

7. Исследование люминесцентных характеристик кристаллов (Нох, У1. х)А1з (ВОз)4 и РгА13(В03)4 дает возможность рассматривать их как перспективную матрицу для высокоэффективного преобразования энергии посредством редкоземельных ионов (Но), апконверси-онных процессов и получения эффективной генерации в ИК области спектра.

Показать весь текст

Список литературы

  1. A.B., Леонюк Н. И., ТимченкоТ.И., Белов H.B. Доклады АН СССР (1979), т. 246, № 1,сс. 91−93.
  2. A.B., Леонюк H.H., Резвый В. Р. Доклады АН СССР (1982), т. 262, сс. 1384−1386.
  3. Л.И. Исследование условия кристаллизации, строения и некоторых свойств редкоземельно-железистых и редкоземельно-галлиевых боратов. Дисс. канд. геол.-мин. наук, Москва, 1978.
  4. Л.И., Кононов О. В., Кощуг Д. Г., Леонюк Н. И. Доклады АН СССР (1979). т. 245, № 3, сс. 582−584.
  5. Л.И., Леонюк Н. И., Тимченко Т. И. В кн. Геология, методы поисков, разведки и оценки месторождений камнесамоцветного сырья. Труды семинара. Москва-Иркутск (1978), сс. 76−77.
  6. B.C., Коваленко В. И., Рябчиков И. Д. «Коэффициенты распределения редких элементов в магматических породах». М.: Наука (1984), 251 с.
  7. С.Ф., Ахметова ГЛ., Коваленко B.C., Леонюк Н. И., Пашкова A.B. Кристаллография (1978), т. 23, вып. 1, сс. 198−199.
  8. В.А., Кравченко В. Б., Матвеева И. Г. Физика тв. тела (1967), т. 9, вып. 11, сс. 3353−3354.
  9. Н.В. Материалы 11 съезда ММА (1978), Новосибирск. Изд. «Наука», Москва, сс. 310−317.
  10. ЕЛ., Альшинская Л. И., Симонов М. А., Леонюк Н. И., Тимченко Т. И. Белов Н.В., Ж. структурной химии (1978), т. 19, № 2., сс. 382−384.
  11. ЕЛ., Альшинская Л. И., Симонов М. А., Леонюк Н. И., Тимченко Т. И. Белов Н.В., Ж. структурной химии (1978), т. 19, № 2., сс. 382−384.
  12. ЕЛ., Азизов A.B., Леонюк Н. И. Ж.структурной химии (1981), т.22, № 3, сс. 196−199.
  13. Е.Л., Леонюк Н. И., Пашкова A.B., Тимченко Т. И. Кристаллография (1988), т. 33, вып. 5, сс. 1287−1288.
  14. Е.Л., Пашкова A.B., Тимченко Т. И., Белов Н. В. Доклады АН СССР (1981)6 т. 261, № 2, сс. 361−365.
  15. Е.Л., Симонов М. А., Пашкова A.B., Тимченко Т. П., Белов Н. В. Доклады АН СССР (1980), т. 255, № 4, сс. 854−858.
  16. Е.Л., Тимченко Т. Н. Кристаллография (1983), т. 28, вып. 6, сс. 1118−1123.
  17. В.И., Куратев И. И., Леонюк Н. И., Пашков В. А., Пашкова A.B., Тимченко Т. Н., Шестаков A.B. Доклады АН СССР (1978), т. 240, сс. 585 587.
  18. Верма А, Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. М.: Мир, (1969) 273 с.
  19. A.B., Субботин В. В., Яковенчук В. Н., Пахомовский Я. А., Меньшиков Ю. П., Зайцев А. Н. Зап. ВМО (1990), № 6, сс. 76−86.
  20. И.Е., Тимченко Т. И., Козлова О. Г. Рост кристаллов (1972), т. 5, сс. 107−109.
  21. Н.И., Белова E.H., Белов H.B. ЗВМО (1955), т.84, сс. 405−414
  22. Н.И., Белова E.H., Белов Н. В. Доклады АН СССР (1955), т. 104, № 1, сс, 78−81
  23. В.Г., Раевский Е. В., Рубина Н. М., Рашкович Л. Н., Силичев О. О., Фомичев A.A. Письма в ЖТФ (1979), т. 5, вып. 22, сс. 1400−1403.
  24. Л.М., Куратев И. И., Леонюк Н. И., Тимченко Т.П., Шестаков
  25. A.B. Письма в ЖТФ (1981), т. 7, вып. 21, сс. 1297−1299.
  26. П.М., Волошин A.B., Пахомовский Я. А. Зписки ВМО (1993) № 3, сс. 65−79
  27. С.А., Лаптев В. В., Манцев С. Ю. Квантовая электроника (1991) т. 18, № 2, сс.149−150.
  28. О.В., Кузьмичева Г. М., Кутовой С. А., Мартынов A.A., Панютин
  29. B.Л., Чижиков В. И. Квантовая электроника (1998), т.25, № 1, сс.53−57.
  30. Г. Г. Секториальное строение кристаллов. Изд-во АН СССР (1948), 40 с.
  31. Г. Г. Морфология и генезис кристаллов. М.: Наука (1973), 327 с.
  32. Н.И. Ж. Неорг. материалы, (1976), т. 12, № 3, сс. 554−555.
  33. Н.И. Физико-химические основы выращивания, закономерности строения, морфология и свойства монокристаллов тугоплавких боратов. Дисс.. докт. хим. наук, Москва, 1985.
  34. Н.И., Алыпинская Л. И., Тимченко Т. И., Пашкова A.B., Белов Н. В. В кн. Проблемы изоморфизма. Материалы IV Всесоюзн. симп. по изоморфизму, 4.1, Казань (1978), сс. 107−114
  35. Н.И., Леонюк Л. И. В сб. Морфология и фазовые равновесия минералов. ММА (1982), Варна, 1986, сс 75−80.
  36. Н.И., Масалова О. Н. Вестник Моск. ун-та, сер. Геология (1972), № 5, сс. 103−104
  37. Н.И., Пашкова A.B. В Кн. Проблемы кристаллологии, т. 2, М.: МГУ, (1976), сс. 305−309.
  38. Н.И., Пашкова A.B., Гохман Л. З. Изв. АН СССР, сер. Неорган. материалы (1977), т. 22, вып. 8, сс. 2171−2174
  39. Н.И., Пашкова A.B., Семенова Т. Д. Ж. Неорганич. материалы (1975), т. 11, № 1, сс. 181−182.
  40. Н.И., Семенова Т. Д., Тимченко Т. И., Шефталь H.H. Вестник Моск. ун-та, сер. Геология (1972), № 2, сс. 112−114.
  41. Н.И., Тимченко Т. И., Алыпинская Л. И., Пашкова A.B., Азизов A.B., Белов Н. В. В кн. Неоднородность материалов и рост кристаллов: Материалы XI съезда ММА, Новосибирск, 1978, М. Наука (1980), сс. 310 316.
  42. Н.И., Тимченко Т. И., Пашкова A.B. Доклады АН СССР (1979) т. 245, № 5, сс. 1109−1112.
  43. Лодиз Р, Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, (1974), 540 с.
  44. И.Р., Воевудская C.B., Жирнова А. П. Изв. АН СССР, сер. Неорган, материалы (1985), т. 21, сс. 1532−1536.
  45. И.В., Меркулова М. С. Сокристаллизация. М.: Химия, (1975), 295 с.
  46. Рез И.С. VIII Всесоюзная конф. по когерентной и нелинейной оптике. Тезисы доклада. Тбилиси, «Менциереба» (1976), т. 1, с. 211.
  47. В.Б., Кузьмичева Г. М., Мухин Б. В. Ж.неорг. химии (1997), № 42, с. 9
  48. И.Д. Термодинамический анализ поведения малых элементов при кристаллизации из силикат! -ых расплавов. М.: Наука (1965), 119 с.
  49. Ю.Л., Андрущенко Н. С., Безрукова Э. А., Титова А. Г., Мелех Б. Т. Ж. неорган, химии (1972), т. 17, в. 3, сс. 852−856.
  50. Е.В., Азизов A.B., Симонов М. А., Леонюк Н. И., Белов Н. В. Доклады АН СССР (1978), т. 243, № 3, сс. 655−658.
  51. Т.И., Азизов A.B., Пашкова A.B. Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы (1984), т. 20, сс. 1708−1710.
  52. В.А. «Рост кристаллов из растворов-расплавов». М. «Наука» (1978) 267с.
  53. Т.И., Леонюк Н. И., Бутузова Г. С. Кристаллография (1980), т. 25, № 4, сс. 908−909.
  54. Т.И., Леонюк Н. И., Пашкова A.B., Журавлева О. Л. Доклады АН СССР (1979), т. 246, № 3, сс. 613−615.
  55. Т.И., Пашкова A.B., Азизов A.B., Трошин А. Ю. Доклады АН СССР (1981), т.258, № 1, сс. 106−109.
  56. Т.И., Шестаков A.B. Доклады АН СССР (1978), т. 240, сс. 585 587.
  57. Е.Б. Изв. Акад. наук, серия Неорганические материалы (1996), т. 32, № ю, сс. 1208−1212.
  58. B.C. Энергетическая кристаллохимия. М.:Наука, 1975.
  59. B.C., Таусон В. Л., Акимов В. В. Геохимия твердого тела. М.: ГЕОС (1997), 500 с.
  60. А.П. Минералогия ультраагпаитовых щелочных пород. М.: Наука, (1990), 195 с.
  61. A.A., Гиваргизов Е. И., Багдасаров Х. С., Кузнецов В. А., Демьянец Л. Н., Лобачев А. Н. Современная кристаллография, т. 3. Образование кристалов. М.: Наука, (1980).
  62. Чинь Тхи Ле Тхы, Победимская Е. А., Надежина Т. Н., Хомяков A.B. Вестник МГУ. Сер. 4. Геология. (1992), т. 5, сс. 69−78.
  63. И.И., Михеев В. И., Мокиевский В. А. ЗВМО (1952), ч.81, № 1, сс.28−40.
  64. В.Н., Иванюк Г. Ю., Пахомовский Я. А. Доклады АН (1996), т. 346, № 3, сс. 375−379.
  65. Al’shinskaya L.I., Leonyuk N.I., Timchenko T.I. Krist. und Technik (1979), v. 14, № 8, pp. 897−903.
  66. Azizov A.V., Leonyuk N.I. J. Crystal Growth (1981), v. 54, n. 2, pp. 296−298.
  67. Ballman A. Amer. Mineral. (1962), v. 47, pp. 1380−1383.
  68. Blasse G., Bril A, J. Inorgan. Nucl. Chem. (1966), v.29, pp. 266−267
  69. Blasse G., Kiliaan H.S., De Vries A.J. Journal of Luminescence (1988), v. 40, 41, pp. 639−640.
  70. Bambauer H.U., Kindermann B. Z. Krist. (1978) v. 147, pp. 63−74.
  71. Capponi J.-J, Chenavas J. and Joubert J.-C. Bull. Soc. Fr. Mineral. Cristallogr. (1972), v.95, pp. 412−417.
  72. Chang T.I., Luo Z., Chen G., Wang G. J. Cryst. Res. Techn. (1994), v. 29, n. 3, p p. K47-K50.
  73. Chao G.Y., Mainwaring P.R., Baker J. Can. Miner. (1978), V. 18, № 3, pp.335 340.
  74. Chen Ch. J. Crystal Growth (1988), v. 89, pp. 295−300.
  75. Dornberger-Schiff K. Deutsche Academie der Wissenschaften, Berlin Abhandlungen, Klasse fur Chemie, Geologie und Biologie (1964), v. 3, pp. 1106.
  76. Elwell D., Capper P. and Lawrence C.M. J. Crystal Growth (1974), v. 24/25, pp. 651−658.
  77. Elwell D., Scheel H.J. Crystal growth from high-temperature solutions. London New York — San Francisco: Acad. Press. (1975), 630 p.
  78. Filimonov A.A., Leonyuk N. I, Timchenko T.I., Rez, I.S. Krist. und Technik (1974), v.9, pp. 63−66.
  79. Garsche M., Tillmanns E., Almen H., Schneider H. and Kupcik V. Eur. J. Miner. (1991), v. 3, pp. 793−808.
  80. Goldschmidt V.M. Geochemestry. Engl., Oxford (1958).
  81. Gorller-Walrand C, Huygen E., Binnemans K, Fluyt L., Journal of Phys. Cond. Mater, (1994), v. 6, p. 7796−7782.
  82. Gruber J. B, Hills M. E, Journal of Appl. Phys, (1991), v.69, p.8183−8188.
  83. Gruber J. B, Hills M. E, Macfarlane R.M. et al, Journal of Chem. Phys. (1989), v.134, p. 241−248.
  84. Hong H. Y-P. and Dwight K. Mat. Res. Bull. (1974), v. 9, pp. 1661−1666.
  85. Hu X. B, Jiang S.S., Huang X. R, Liu W. J, Ge C. Z, Wang J. Y, Pan H. F, Jiang J. H, Wang Z.Z. J. Crystals Growth (1997), v. 173, pp.460−466.
  86. Jambor J.L., Puziewich A. J. Am. Miner. (1993) v. 78, n. 9−10, pp. 1108−1112.
  87. Jarchow O., Lutz F., Klaska Zs., Zc.Kristallogr. (1979), v.19, B.149, n. 1−2, p. 162−164
  88. Ji Y, Liang J., Chen Zh. and Xie S. J. Am. Ceram. Soc. (1991), v. 74, n. 2, pp. 444−446.
  89. Jiang J.H. and Wang Z.G. J. Crystal Growth (1997), v. 173, pp. 460−466.
  90. Johnson L.F., Ballman A.A. J. Appl. Phys. (1969), v. 40, pp. 297−301.
  91. Joubert J.-C., White W.B., Roy R. J. Appl. Cryst., (1968) v. l, pp. 318−319.
  92. Jung S.-T., Kang J.-K. and Chung S.-J. J. Crystal Growth (1995) v. 149, pp.207−214.
  93. Jung S.T., Choi D.Y., Chung S.J. J. Crystal Growth (1996), n. 160, pp. 305−309.
  94. Jung S. T, Choi D.Y., Kang J.K. and Chung S.J. J. Crystal Growth (1995(1)), v. 148 pp.207−210.
  95. Kaminskii A.A., Federov V.A., Sarkisov S.E., Bohm J., Reiche P., Schultz D., Phys. Stat. Sol., (1979), v. a 53, p. K219-K224.
  96. Kellendonk F. and Blasse G. J. Chem. Phys. (1981), v. 75, n. 2, pp.561−571. Kindermann B. Z. Krist. (1977) v. 146, pp. 67−72.
  97. Kuleshov N.V., Shcherbitsky V.G. et al, Journal of Luminescence, (1997), v.71, pp.25−29.
  98. Maltseva L.I., Leonyuk N.I., Timchenko T.I. Krist. und Technik. (1980), v. 15, № 1, pp. 35−42.
  99. Mills A. Inorg. Chem. (1962), v.l., pp.960−961.
  100. Milton Ch, Ingram B, Clark J. R, Dwornik E.J. Amer. Miner. (1965), v. 50, pp. 593−612.
  101. Morley J. P, Faulkner T. R, Richardson F. S, Schwartz R. W, Journal of Chem. Phys, (1981), v.75, p.539−547.
  102. Newham R. E, Redman M.J. J. Amer. Ceram. Soc. (1963), v. 46, pp. 253−256. Nikolov V. and Peshev P. J. Crystal Growth (1994), v. 144, pp. 187−192.
  103. Reddy B. R, Nash-Stevensoon S, Venkateswarlu P, Journal of Opt. Soc. Am, 1994), v. Bll, pp.923−928.
  104. ReidM.F, Richardson F. S, Tanner P. A, Molec. Phys. 60 (1987) 881.
  105. Ruff O, Ascher E, Z. Anorg. Allgem. Chem. (1929), v. 185, pp. 369−374.
  106. Scholze H, Z. Anorg. Allgem. Chem. (1956), v. 248, pp. 272−277.
  107. Tanner P, Journal of Chem. Soc. Faraday Trans, (1987), v. II 83, pp.553−560.
  108. Tanner P, Journal of Chem. Soc. Faraday Trans, (1987(2)), v. II 83, pp. 13 671 375.
  109. Takahashi T, Yamada O, Ametani K. Mater. Res. Bull. (1975), v. 10, pp. 153 156.
  110. Ventura G. D, Parodi G. C, Montana A, Chaussidon M. Eur.J.Miner. (1993), v. 5, pp. 53−58.
  111. Wang G, Gallagher H. G, Han T.P.J, and Henderson B. J. Crystal Growth (1996), v. 163, pp. 272−278.
  112. Wang G, Gallagher H. G, Han T.P.J, and Henderson B. J. Crystal Growth1995), v. 153, pp. 169−174.
  113. Wang G, He M. and Luo Z. Mat. Res. Bull. (1991), v. 26, pp. 1085−1089.
  114. Wang Q, Zhang S, Wu S, Dong X, Journal of Luminescence, (1988), v. 40/41, pp.181−187.
  115. Weidelt J. Z. Anorg. Allgem. Chem. (1970), v. 46, pp. 26−33.
  116. Xue D. and Zhang S, Journal of Phys. Cond. Mater, (1996), v. 8, p. 1949−1956.
  117. Zhang X, Jourt J.P. Bouffard M, Mary G, Phys.Stat.Sol, (1994), v. bl84, p.559−567.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!