Взаимодействие халькогенидов цинка и кадмия с халькогенидами висмута
Диссертация
При исследовании тройной взаимной системы (cdSe)3 + + Bi2ie3 «* (Cdie)3 + Bi2Se3 установлено, что характер взаимодействия в системе определяется равновесиями между фазами на основе твердых растворов Bi2SexTe3-x и cdSeYTeM (0 < х<3, 0 < Y < I). Показано, что равновесие взаимной реакции (CdSe)3 + Bi2le3 as. (CdTe)3 + Bi2Se3 сдвинуто в сторону образования фаз на основе CdSe и Bi2Te3. Построены… Читать ещё >
Список литературы
- Казанкин О.Н., Марковский Л. Я., Мирнов И. А. Неорганические люминофоры. Ленинград, «Химия», 1975.
- Кузнецов П.И., Поляков В.И, Авдеева Л. А. Экситонное поглощение пленок CdSe, полученных из элементоорганичес-ких соединений. Изв. АН СССР, «Неорган.материалы», 1980, т.16, JE6, с.972−975.
- Алмазов А.Б. Электронные свойства полупроводниковых твердых растворов. М., «Наука», 1966.
- Bogdankevich. О.У., ZverevM.M., Krasilnikov A.I. P^chenov А.Ш. Laser emission in electron-beam excited
- ZnSe. Phys.Stat.Solidi, 1967, v .16, Щ, p. K-5 K-6.
- Крайнюков Н.И., Кисиль И. И., Сысоев А. А. Сб. «Монокристаллы, сцинтилляторы, люминофоры"-. Вып. I, Харьковский Университет, 1967.
- Термоэлектрические материалы и преобразователи. Пер. с англ. под редакцией Карчевского А. И. М., «Мир», 1964.
- Крестовников А.Н., Романцева Л. А., Кулиева Г. А., Евдоки-менко Л.Т., Ципин М. И. Сб. «Термоэлектрические материалы», М., МИСиС, 1971.
- Ы.J.Goldcmid. Materials used in semiconductor devices. Hagarth Interscience Publ. 1965, M, Chapter7.
- Ерофеев P.С., Щербина Э. И. Исследование влияния термообработки на свойства образцов Bi2Ie2Se • Изв.АН СССР, «Неорган, материалы», 1981, т.17, Ж, с. 28−31.
- Алиева Т.Д., Аббинов Д. Ш., Салаев Э. Ю. Влияние обработки поверхностей термоэлектрических материалов на свойства элементов на основе твердых растворов Bi2Sexaie3-x • Изв. АН СССР, «Неорган, материалы», 1981, т.17, № 11,с. 1996−1999.
- Свойства элементов. Под редакцией Самсонова Г. В., М., «Металлургия', 1 1976.
- I.Barin, Knacke 0. 'ilhermociiemical properties of inorganic substances. Springer-Verlag, Berlin, 1973.
- Bar in I., Knacke 0., Kubashewsky 0. 'I'hermochemical properties of inorganic substances.Sprin.-Ver.Berlin 1977.
- Несмеянов A.H. Давление пара химических элементов, м., Изд. АН СССР, 1961.
- Справочник «Химия». Пер. с немецкого под редакцией Гаврюченкова Ф. Г., Ленинград, «Химия», 1975.
- Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. М., «Металлургия», 1962.
- Шанк Ф. «Структуры двойных сплавов». Пер. с английского под редакцией Новикова И. И., М., «Металлургия», 1973.
- Вол А. Е. Строение и свойства двойных металлических систем. М., «Физматгиз», Т. 1,2, 1962.
- Полупроводниковые хаяькогениды и сплавы на их основе.
- Под ред. Абрикосова Н. Х., М., «Наука», 1975.
- Brebrick R.F. Partial Presaires of Zn and ZnTe up to 9I7°C. J.Electrochem.Soc. 1969, v. II6, Ш, p. 1274−1279.
- Jardan A.S., Zupp R.R. Calculation of the minimum Pressure, P-T Diagrams and solidus of ZnTe. J.Electrochem.
- Soc.1969, v. II6, p.1264−1268.т. 3, Ш, с. 390−391.
- Mills K.S. Thermodynamic data for inorganic Sulphides, Selenides and Tellurides. London, 1974.
- Томашик B.H., Грыцив В. И. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений А-^В^. Киев, «Наукова думка», 1982.
- Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. Под ред. Абрикосова Н. Х. М., «Наука», 1967.
- Lorenz М.Е. Phase equilibria in sistern Cd Т. е.
- J. Phys. Chem. of Solids, 1962, v .23, № 9, p.939−947.
- Steiniger j., Brebrick R.P., Strauss A.J.Phase diagram of Zn Cd — Те Ternary Sistem. J.Electrochem. Soc. 1970, v. II7, № 10, p. 1305−1309.
- Абрикосов H.X., Банкина В. Ф., Харитонович К. Ф. Исследование диаграммы состояния Se. Журн. структ. химии, 1.60, т.5, № 9, с. 20II-20I6.
- Gather B., Blachnic R. i’ernare chalkogenhaltige Sisteme. Z. Metallkund, 1975, v.66, № 6, p. 356−359.
- Годовиков А.А. Рентгенографическое исследование отдельных представителей системы Bi Se. Журн. структ. химии, 1962, т. З, ЖЕ, с. 44−50.
- Langston S.A., Lewis В. Compounds with С^З tetradymite tipe structure. J. Phys. and Chem. of Solids, 1963, v.24, MI, p. 1387−1389.
- Абрикосов H.X., Банкина В. Ф. Исследование диаграммы состояния системы Bi Те. Журн. неорган, химии, 1958, т. З, вып. З, с.659−667.
- Boling J.P. Some termal data for BigTe^.
- J. Chem. Phys. I960, v.33, Щ, p.305−306.
- Brebrick R.F., Smith T.J.Homogenity Ranges BigTe^ and Te2 -pressure along the three-phases curves for Bi^Te^and 55−58 at.% Т. е. J. Phys. and Chem. of Solids.1969,v.30, Щ, p. 719−731.
- Satterwite C.B., Ure R.W. Electrical and termal properties of Bi^Te^. Phys. Rev"1957,v .108, № 5, p. II64-II70.
- Glatz A.G. Evolution of the Bismuth Tellurium phase sistem. J. Electrochem. Soc.1965,v .112, № 12, p. 1204−1207.
- Chung-Chiung Liu, John C. Angus. Electromotive Force investigation of the Bi Те sistem. J.Electroc.Soc.1969, v. II6, № 8, p. 1054−1060.
- Matsumura Akira, Hayas Chi Akio. Equilibrium phase Diagram of Bi-Sb-Te sistem. Sumitomo El.Techn.Rev.1968, J6 II, p. I03-III.
- Brown A., Lewis B. The sistems Bismuth-Tellurium and Antimony-Tellurium. J. Phys. and Chem, of Sol.1962, v.23, p. 1597−1604.
- Brebrick R.F. Characterization of phases in the 50−60 at.% region of Bi-Te sistem. J.Appl.Cryst.1968,v .1, Jfc I, p. 241−246.
- Стасова M.M. О кристаллической структуре селенидов висмута и теллуридов сурьмы и висмута. Журн.структ.химии, 1967, т. 8, № 4, с. 655−661.
- Стасова М.М., Карпинский О. Г. О слойности в структурах селенидов и теллуридов висмута и теллуридов сурьмы. Журн.структ.химии, 1967, т.8, № I, с. 85−88.
- Ормонт Б.Ф. Структуры неорганических веществ. М., «Гостехгеоиздат», 1950.
- Физика и химия соединений A1*./*. Пер. с английского под ред. Медведева С. А., м., «Мир», 1970.
- Чижиков Д.М., Счастливый В. П. Селен и селениды.1. М., «Наука», 1964.
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ.
- Справочник. А. В. Новоселова, Лазарев В. Б. (отв.редактор), М., «Наука», 1979.
- Новоселова А.В., Пашинкин А. С. Давление пара летучих халькогенидов металлов. М., «Наука», 1978.
- Термодинамические константы веществ. Справочник под ред. Глушко В. П. М., Изд. ВИНИТИ, 1970−1978.
- Регель А.Р., Глазов В. М. Периодический закон и физические свойства электронных расплавов. М., «Наука», 1978.
- Чижиков Д.М., Счастливый В. П. Теллур и теллуриды.1. М., «Наука' 1966.51. a? ebrick R.F., Smith l.j. Partial and total Vapor Pressures over molten Bigi’e^. J.Electrochem.Soc.1971,v .118, № 6, p.991−996.
- Стасова M.M. Рентгенографическое исследование области гомогенности в системе Bi Se. Изв. АН СССР, «Неорган, материалы», 1965, т.1, № 12, с.2134−2137.
- Стасова М.М. Кристаллическая структура селенида висмута Bi4Se3 . Изв АН СССР, «Неорган.материалы», 1968, т.4, № I, с. 28−31.
- Стасова М.М. Рентгенографическое исследование некоторых халькогенидов висмута и сурьмы. Журн.структ.химии, 1964, т.5, № 4, с.793−794.
- Семилетов С.А. Электронографическое исследование структуры сублимированных слоев системы Bi -Se, Bi i’e.
- Труды ИКАН, 1954, Изд. АН СССР, с. 76−83.
- Rubenstein М. Solubilitiers of some II-YI compoundsin Bismuth. J.Electr.Soc. 1966, v .113, № 6, p.623−626.57. 'i'ai H., Hory S. Equilibrium Phase Diagram for the Gd’ie-Sb and Cd’l’e-Bi Sistems. Japan Institute of Met.1970,v .34, № 8, p.843−846.
- Новоселова А.В., Шер А.А., Один И. Н., Гетерогенные равновесия и термоэлектрические свойства сплавов в системах CdTe Bi2'l1e3, CdTe — Sb2Te3. Журн. неорган, химии, 1981, т.26, № 4, с. 1048−1052.
- Витриховский Н.И., Мизецкая И. Б., Олийнык Г. С. Свойства сплавов системы CdSe CdTe . Изв. АН СССР, «Неорган, материалы», 1971, т.7, № 5, с. 757−759.
- Strauss A.J., Steiniger J. Phase Diagram of the CdSe--CdTe Pseudobinary sistem. J.Electrochem. Soc.1970,v .117, № II, p. I420-I425.
- Новоселова А.В., Шер. А.А., Один И. Н. Исследование взаимодействия в системах сульфид (селенид) кадмия сульфид (селенид) сурьмы (висмута). Журн.неорган.химии, 1978, т.23, № 12, с.3321−3325.
- Бегларьян М.Л., Абрикосов Н. Х. Исследование системы Bi2Se3 Bi2Te3 . Докл. АН СССР, 1959, т.129, с.135−136.
- Mc.Hugh J.P., Tiller Y/.A.Solid-liquid phase equilibria in the pseudobinary sistem Bi2Te3-Bi2Se3. Trans. Metal. Society AIME, 1959, v.215, № 4, p.65I-655.
- Гордякова Г. Н., Синани С. С. Анизотропия свойств образцов твердых растворов системы Bigle^ Bi2Se3, полученных методом порошковой металлургии. Изв. АН СССР, «Неорган, материалы», 1965, т.1, № 7, с.1098−1103.
- Ерофеев Р.С., Щербина Э. И. Особенности энергетического спектра сплава Bi2Te2Se . Изв. АН СССР, «Неорган, материалы», 1982, т.18, № II, с.1802−1805.
- Банкина В.Ф., Абрикосов Н. Х. Система Bi2ie3 Bi2Se3 Журн.неорган.химии, 1964, т.9, № 4, с.931−934.
- Ullner Н.А. On the solid solutions in pseudobinary sisiem B^Se^-B^Te^. Ann. Physik, 1967, V. 41, H I, p. 44−47.
- Абрикосов H.X., Банкина В. Ф. Упорядочение структуры твердого раствора в системе Bi2Sej- Bi Те .
- Изв. АН СССР, «Неорган.материалы», I966, T.2,N I, с. II-14.
- Misra S., Bever M.B. On the solid solutions of Bismuth ielluride and Bismuth Selenide. J. Phus. Chem. of Solids.1964, V.25, II, p.1233−1241.
- Старк H.K., Чижевская C.H., Свечникова Т. Е. Стабильность термоэлектрических свойств твердых растворов п -типа на основе в±21е^ . Изв.-АН СССР, «Неорган.материалы», 1982, т.18, № II, с.1824−1829.
- Smiifa P.I.J. Evidence for a native donor in ZnSe from high temperatire electrical measurements.
- Sol. State Communs. 1969, V.7, № 24, p. I757-I763.1. TT YT72.ubota H. Electrical properties of АххВах Compaunds
- CdSe and ZnTe. Japan J. Appl.Phys.1963,V .2, № 5, p. 259−265.
- Thomas D.G., Sadowsky E.A. The High lemperaiire condac-tiviti of ZnTe in zinc vapor. J.Phys. Chem. of Solids.1964,V .25, № 4, p. 395−399.
- Smith P.T.J. Native defects in ZnTe J. Phys. Chem. of Solids, 1971, v.32, № 21, p.2201−2207.
- Pisher A.G., Carides J.N., Dresner J. Preparation and properties of n-iipe ZnTe. Sol. State Communes1964, V.2, В 6, p.157−159.
- Будь Ю.В., Санин К. В. Влияние давления пара кадмия на электропроводность кристаллов теллурида кадмия при высокой температуре. Физ. и техн. полупроводников, 1971, т.5, № 2, с. 284−292.
- Whelan R.S., Shaw D. Evidence of a Doubly Ionized Native
- Donor in CdTe. Phys. Stat. Solidi.1968, V.29, № I, p. 154−152.
- Zanio K.R. Condaciiviiy of Cadmium Telluride at 600 °C and 700 °C. Bull. American Phys. Soc.1969, Ser. П, V .14, J& 8, p. 833−834.
- Медведев С.А., Максимовский C.H., Киселева К. В., Клевков Ю. В., Сентюрина Н. Н. 0 природе точечных дефектов в нелегированном CdTe . Изв. АН СССР, «Неорган, материалы», 1973, т.9, В 3, с.356−360.
- Goldsmid H. Recent studies of Bismuth ielluride and i±s alloys. J. Appl. Phys. 1961, У .32, MO, p.2198−2205.
- G.Offergeld, Van Cakenberghe. Determination de la composition a. fusion congruente de semiconducteurs binaires par analyse thermique differeniielle (appl. a Bigle^ ei BigSe^). J. Phys. Chem. of Sol. 1959, V. II, № 3,4, p.3I0−3I4.
- Kroger F.A. On ±he relaiion beiween non-s±oichiomelri and the formation of donor and acceptor centres in compounds. J. Phys. Chem. of Solids. 1958, V.7, $ 2,3, p.276−288.
- Дмитриева A.K., Дудкин Л. Д., Ерофеев Р. С., Иванова А. Б., Щербина Э. И. Особенности влияния Sn и рь на свойства Bi2Se3 . Изв. АН СССР, «Неорган, материалы», 1978, т.14, В 3, с. 432−436.
- Боечко В.Ф., Псарев В. И. Условия кристаллизации и свойства монокристаллов Bi2Se3 р-типа. Изв. АН СССР, «Неорганические материалы», 1975, т. II, № 8, с.1510−1511.
- Боечко В.Ф., Псарев В. И. Электрофизические свойства монокристаллов Bi2Se3 р-типа. Укр.физ. журнал, 1975, т.20, М, с.687−689.
- Голыщан Б.М., Кудинов В. А., Смирнов И. А., Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 #1. М., «Наука», 1972.
- Champnes С.Н., Kipling A.L. Proc. Intern. Conferencephys. Semicond. Paris, 1964, p.1287.
- Miller G.R., Che-Yuli. Evidence for ihe existence of antistructure defects in Bismuth telluride by density measurements. J. Phys. Chem. of Solids.1965, V.26, № I, p.173−177.
- Федорович H.A. Диффузия примесей в термоэлектрических материалах. Автореф. канд. дисс. Ин-т полупроводников АН СССР, 1965.
- Shewman P.G. Diffusion in Solids. New York, 1. Mc Graw Hill, 1963.91. 1Уриева E.A., Кутасов B.A., Смирнов И. А. Теплопроводность кристаллической решетки твердых растворов на основе Bigle^• Физ. тверд, тела, 1964, т.6, № 8,с.2453−2455.
- Кутасов В.А., Смирнов И. А. Рассеяние фононов на антиструктурных дефектах Bi в Bi2Te^ . Изв. АН СССР, «Неорган-ич. материалы», 1967, т. З, № 2, с.387−390.
- Гордякова Г. Н., Горбатова А. Н., Синани С. С., Термоэлектрические свойства Bi2ie3 и твердых растворов системы Bi2Se3 Bi2Te^ . Изв. АН СССР, «Неорганические материалы», 1968, т.10, № 7, с.1191−1195.
- Баранский П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев, «Наукова думка», 1975.
- Свечникова Т.Е., Старк Н. К., Чижевская С. Н. Исследование термоэлектрических свойств твердых растворов системы Bi2Te3 Bi2Se3 . Изв. АН СССР, «Неорган, материалы», 1981, т.17, № II, с.1996−2000.
- Абрикосов Н. Х, Свечникова Т. Е., Чижевская С. Н. Легирова*ние твердого раствора В12Хе2^88Зе0д|алогенидами У группы. Рукопись деп. в ВИНИТИ, 1977, 101−77 Д.
- Боечко В.Ф., Псарев В. И. В сб. «Полуметаллы и полупроводники с узкими запрещенными зонами». Львов, 1973, с.125−129.
- Horak J., Iichy L., Vasko A., Weissens±ein J. Lailice Defects in Lead-Doped BigSe^ Crystals. Phys.Sial. sol. b), I975, V.69, № 2, KI27-KI3I.
- Bergmann G. Unlersuchungen fiber die Allerungserschi-nungen des Ge doiierlen Bi^Te^.
- Phys. Sial. Solidi, 1966, V. I4, $ 2, p.3II-3I8.
- Абрикосов H.X., Данилова-Добрякова Г.Т. Исследование, области твердого раствора Geie в Bi2ie3. Изв. АН СССР, «Неорган.материалы», 1972, т.8, Jfc 7, с.1221−1223.
- I. Гордякова Г. Н., Кокош Г. В., Синани С. С. Изучение термоэлектрических свойств твердых растворов Bi2Ie3 -BigSe^. Журн.техн.физики, 1958, т.28, № I, с.3−17.
- Синани С.С., Гордякова Г. Н. Твердые растворы Bi2Te3 -- Bi2Se3 как материал для термоэлементов. Журн.техн. физики, 1956, т.26, № 10, с.2398−2399.
- Иоффе А.Ф. Полупроводниковые термоэлементы. Изд. АН СССР, 1.60.
- Охотин А.С., Пушкарский Н. С., Боровикова Р. П., Симонов В. А. Методы измерения характеристик термоэлектрических . материалов и преобразователей. М., «Наука», 1974.