Плазмохимическое осаждение. 
Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств. 
Интегральные схемы

Плазмохимическое осаждение позволяет формировать пленки при очень низкой температуре подложки. Это достигается за счет реакции между газами в тлеющем разряде, который обеспечивает основное количество энергии, необходимое для протекания реакции. Хотя температура электронов в разряде может достигать — 10⁵ °С, температура образца в пределах.

100…400°С. Данный метод, часто называют плазменным осаждением.

Большое число неорганических и органических соединений можно осаждать этим методом, однако в технологии изготовления СБИС этот метод используется для осаждения только двух веществ: нитрида кремния и двуокиси кремния. Нитрид кремния, получаемый плазмохимическим осаждением, служит как герметизирующий материал при пассивировании поверхности сформированных п/п приборов. Помимо этого плазмохимический нитрид кремния и окисел используется в качестве изолятора между различными слоями металлизации.

Осаждение двуокиси кремния происходит при реакции силана с закисью азота в аргоновой плазме. Нитрид кремния формируют при реакции силана с аммиаком в аргоновой плазме или путем ведения силана в азоговый разряд.

Результирующие реакции можно записать следующим образом:

Обычно для осаждения диэлектрических пленок плазмохимическим методом используют реактор с параллельным расположением электродов и радиальным направлением газового потока (Рис. 10.2, а) и плазмохимический реактор с горячими стенками (Рис. 10.2, 5).

В ходе плазмохимического осаждения необходимо осуществлять контроль многих параметров процесса, таких, как частота разряда, расстояние между электродами, мощность, общее давление парогазовой смеси, парциальное давление реагентов, скорость откачки, температура подложки; тщательно отбирать материал для электродов и оптимизировать геометрические параметры реактора. Во многих случаях параметры процесса взаимосвязаны, поэтому учет их влияния и объяснения наблюдаемых эффектов довольно затруднительны.