Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Транзисторы. 
Электронные аппараты

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

А — схема замещения; б — диаграммы токов, заряда и напряжения Полевые транзисторы. Среди транзисторов этого типа наибольшее распространение получили приборы, имеющие структуру металл — оксид — полупроводник (МОП-транзисторы) (от англ. MOSFET — metal oxide semiconductor field effect transistor). Их принцип действия основан на изменении электрической проводимости на границе диэлектрика (оксида… Читать ещё >

Транзисторы. Электронные аппараты (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Транзистором называют полупроводниковый прибор, содержащий два или более /?-и-переходов и способный работать как в усилительных, так и в ключевых режимах. В силовых электронных аппаратах транзисторы используются в качестве полностью управляемых ключей. Основные виды транзисторов: биполярные, полевые и биполярные транзисторы с изолированным затвором.

Биполярные транзисторы состоят из трех слоев полупроводниковых материалов с различным типом проводимости. В зависимости от порядка чередования слоев структуры различают транзисторы п-р-п- и р-п-р-типов (рис. 1.6). Среди силовых транзисторов большее распространение получили приборы п-р-п-типа. Средний слой структуры называют базой (В), внешний слой, инжектирующий (внедряющий) носители, называется эмиттером (Е), а собирающий носители слой — коллектором ©. Каждый из слоев имеет выводы для соединения с внешними источниками напряжения.

Структуры и символы биполярных транзисторов.

Рис. 1.6. Структуры и символы биполярных транзисторов:

а — транзистор я-р-я-типа; 6 — транзистор р-п-р-типа Рассмотрим более подробно процессы, возникающие при подключении источников напряжения к транзистору п-р-п-типа. Подача прямого напряжения на эмиттерный р-я-переход ВЕ > 0) и обратного напряжения на коллекторный вс < 0) соответствует нормальному включению транзистора, которое обычно используется в силовой электронике. Потенциальный барьер эмиттерного перехода уменьшается, а коллекторного — увеличивается. В результате происходит инжекция электронов из эмиттера в базу и дырок из базы в эмиттер. Большая часть электронов достигает коллекторного перехода и под воздействием поля обратного смещения втягивается в слой коллектора. Таким образом, формируются токи эмиттера iE и коллектора гс. Разностью этих токов создается ток базы iB:

Транзисторы. Электронные аппараты.

где (3 — коэффициент усиления по току.

Токи эмиттера и коллектора зависят от значения тока базы. Следовательно, биполярные транзисторы могут рассматриваться как электронные ключи, которые управляются током.

Биполярные транзисторы обычно включаются по схеме с общим эмиттером (рис. 1.7), на которой Rtl — сопротивление нагрузки и Ry — сопротивление цепи управления с источником напряжения иу. Выходной ВАХ называют зависимость тока коллектора ic от напряжения коллектор-эмиттер иСЕ, а входной ВАХ — зависимость тока базы iB от напряжения база-эмиттер иВЕ. Соответственно, передаточными (или проходными) характеристиками являются зависимости ic= f (iB) или иСЕ=f (iB) с учетом конкретного значения сопротивления нагрузки Rn. Статические выходные ВАХ при разных значениях тока базы представлены на рис. 1.8. В этой же системе координат дано зеркальное отображение линейной нагрузочной характеристики, определяемой сопротивлением Rn. Пересечение выходной характеристики (для определенного тока базы) с нагрузочной определяет режим работы транзистора, т. е. ток коллектора и напряжение иСЕ.

Подключение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.

Рис. 1.7. Подключение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.

Различают три режима работы транзистора: режим насыщения (см. рис. 1.8, область А), активный режим (область В) и режим отсечки (область С). В режиме отсечки (выключенное состояние) р-и-переходы транзистора смещены в обратных направлениях: иВЕ< 0, ивс< 0 (для транзистора п-р-п-типа). В режиме насыщения (включенное состояние) наоборот: иВЕ > 0, ивс > 0. В этом режиме справедливы соотношения:

Транзисторы. Электронные аппараты.

где IBsat — граничное значение тока базы, при котором наступает насыщение; s — коэффициент насыщения (х > 1); Е, /н — напряжение источника и ток нагрузки, соответственно. Коэффициент усиления (3 сильно зависит от тока коллектора и температуры кристалла транзистора.

Выходные статические ВАХ биполярного транзистора.

Рис. 1.8. Выходные статические ВАХ биполярного транзистора.

Таким образом, в силовых схемах биполярный транзистор используется как полностью управляемый электронный ключ. Если iB = 0, то он находится в состоянии низкой проводимости (выключен), а при iB > IBsat транзистор переходит в состояние насыщения (включенное). Биполярные транзисторы, номинальный ток которых превышает 50 А, рассчитаны на напряжение менее 1000 В и частоту коммутации до 10 кГц.

Переход транзистора из выключенного состояния во включенное и наоборот происходит не мгновенно, а в течение определенного времени. Переходные процессы обусловлены инерционностью процессов изменения концентрации носителей электрических зарядов в структуре транзистора и наличием в ней внутренних (собственных) емкостей. Соответствующая схема замещения биполярного транзистора приведена на рис. 1.9, а. При поступлении в базу транзистора импульса тока управления Im > IBsat (момент времени t = ?0 на рис. 1.9, 6) начинается процесс заряда входной емкости СВЕ до некоторого напряжения, при котором начинается увеличение тока базы непосредственно в структуре транзистора (момент времени t = tx). Этот процесс определяет время задержки на включение td^ony В момент времени t = t2 заряд в базе достигает граничного значения соответствующего наступлению режима насыщения, рост ic и спад иСЕ практически прекращаются. Время нарастания тока коллектора tri определяет фронт включения транзистора. Накопление в базе избыточного заряда AQ продолжается до момента времени t = t3. В момент времени t = t4 в базу транзистора поступает отрицательный (запирающий) импульс тока -1В2, начнется рассасывание избыточного заряда, что обусловливает задержку на выключение td^. В момент времени t = t5 транзистор начинает выходить из насыщения. Время спада ic (tj}) определяет фронт выключения (момент времени t = ?6). Из-за наличия выходной емкости восстановление.

иСЕ заканчивается позже. Существенное влияние на быстродействие оказывают коэффициент насыщения и токи управления, поступающие в базу.

Динамические процессы в биполярном транзисторе.

Рис. 1.9. Динамические процессы в биполярном транзисторе:

а — схема замещения; б — диаграммы токов, заряда и напряжения Полевые транзисторы. Среди транзисторов этого типа наибольшее распространение получили приборы, имеющие структуру металл — оксид — полупроводник (МОП-транзисторы) (от англ. MOSFET — metal oxide semiconductor field effect transistor). Их принцип действия основан на изменении электрической проводимости на границе диэлектрика (оксида) и полупроводника под воздействием электрического поля. На рис. 1.10 показана структура МОП-транзистора, состоящая из слоев металла, диэлектрика и полупроводника с проводимостью р-тина. Если к этой структуре подключить источник напряжения Е положительным выводом к металлу, то дырки полупроводника будут перемещаться в направлении отрицательного потенциала внешнего источника, обедняя основными носителями слой полупроводника, граничащий с диэлектриком. При определенном напряжении образуется тонкий слой с проводимостью /7-типа, в котором электроны преобладают над дырками. Электрическая проводимость (а следовательно, сопротивление) этого индуцированного /7-канала зависит от напряжения источника (электрического поля).

Принцип образования проводящего канала в структуре МОП-транзистора.

Рис. 1.10. Принцип образования проводящего канала в структуре МОП-транзистора.

Различают два типа МОП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным каналом. Оба типа имеют выводы из структуры транзисторов: сток (D), исток (S), затвор (G), а также вывод от подложки (fi), соединяемой обычно с истоком. В зависимости от типа электрической проводимости канала различают также транзисторы с п- и //-типами каналов. На рис. 1.11 изображены структуры и символы МОП-транзисторов с каналами /7-типа. Для понижения сопротивления областей, соединенных с выводами транзистора, их выполняют с повышенным содержанием носителей. Такие слои обозначают дополнительным верхним индексом, например п+. В транзисторах с индуцированным каналом последний образуется только при подаче напряжения соответствующей полярности на затвор относительно обедненных выводов истока и подложки. В результате они работают в режиме обогащения, что позволяет управлять током стока. В транзисторах со встроенным каналом ток в цепи сток — исток протекает и при отсутствии напряжения на затворе. Для управления током на затвор может подаваться напряжение как больше нуля для обогащения канала, так и меньше нуля для его обеднения носителями зарядов.

Характерным для структур МОП-транзисторов является наличие внутреннего диода, встречно подключенного к транзистору, который может проводить обратный ток. Для усиления эффекта обратной проводимости к транзистору может быть подключен внешний быстродействующий обратный диод. Принципиальным отличием МОП-транзисторов от биполярных является то, что они управляются напряжением (нолем, создаваемым этим напряжением), а не током. Основные процессы в полевых транзисторах обусловлены одним типом носителей, что повышает их быстродействие. Поэтому их называют также униполярными транзисторами.

Структуры и символы МОП-транзисторов с проводящим каналом и-типа.

Рис. 1.11. Структуры и символы МОП-транзисторов с проводящим каналом и-типа:

а — с индуцированным каналом; 6 — со встроенным каналом Статические выходные ВАХ МОГТ-транзистора с индуцированным каналом приведены на рис. 1.12. Управление транзистором с индуцированным каналом осуществляется подачей положительного напряжения uGS > Uth — пороговое значение, при котором начинает образовываться электропроводящий канал. По мере увеличения uGS происходят обогащение канала носителями и рост тока iD. Крутые участки ВАХ соответствуют резкому увеличению тока стока iD при увеличении напряжения затвор-исток uGS. Далее рост тока iD замедляется из-за обеднения канала под воздействием напряжения сток-исток uDS. На участке возрастания тока ВАХ может быть аппроксимирована линейной зависимостью, что соответствует постоянному сопротивлению Rps (on) = AUds/IdТочки пересечения ВАХ и нагрузочной характеристики определяют режим работы транзистора, т. е. значения iD и uDS. Область ВАХ, ограниченная напряжением usat = uGS — Uth|, соответствует полностью открытому состоянию МОП-транзистора. Закрытое состояние (режим отсечки) наступает при uGS < Uth, ток iD уменьшается до малого остаточного значения.

Полевые транзисторы являются приборами с малой коммутируемой мощностью (до 100 кВт). Обычно МОП-транзисторы рассчитаны на напряжение не выше 600 В и токи до 50 А. При повышении рабочего напряжения возрастает сопротивление транзистора в проводящем состоянии (Rps (on) ^ 1 Ом), что приводит к значительному падению напряжения сток-исток открытого транзистора. Выпускаются также транзисторы на напряжение до 100 В и токи до 100 А, имеющие сопротивление Rps (on) — 10 МОм. МОП-транзисторы имеют высокое быстродействие и способны работать на частотах 100 кГц и выше. Полевые транзисторы широко применяются в схемах вторичных источников питания, статических реле и многих других электронных устройствах.

Выходные статические ВАХ МОП-траизистора.

Рис. 1.12. Выходные статические ВАХ МОП-траизистора.

В МОП-транзисторах отсутствуют явления накопления и рассасывания носителей. Однако из-за конструктивных особенностей значения собственных межэлектродных емкостей в этих транзисторах больше, чем у биполярных. Главным фактором, определяющим время включения транзистора, является скорость заряда входных емкостей затвор-исток и затвор-сток. Для увеличения скорости заряда емкости затвора (повышения быстродействия) часто на начальном этапе используют форсированное включение от источника тока. На длительность процесса выключения существенно влияют выходная емкость сток-исток транзистора и сопротивление нагрузки.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Общепринятой русскоязычной аббревиатуры для этого типа приборов нет, можно использовать наименование МОП-БТ (биполярный транзистор с полевым управлением) [1]. Однако наиболее часто употребляют IGBT (от англ, insulated gate bipolar transistor). Эти транзисторы сочетают положительные свойства биполярного и полевого: имеют малые потери во включенном состоянии, подобно биполярному транзистору, и высокое входное сопротивление цепи управления, характерное для МОП-транзисторов. Структура IGBT во многом подобна структуре полевого транзистора (рис. 1.13, а). Принципиальная разница заключается в наличии нижнего слоя с проводимостью р+-тина, который придает ему свойства биполярного транзистора. На рис. 1.13, б показана соответствующая эквивалентная схема, выходная цепь на которой представлена биполярным транзистором р-п-р-типа, а дополнительному /?-я-переходу соответствует транзистор п-р-п-типа. При отсутствии напряжения затвор-эмиттер СЕ= 0) транзистор закрыт. Включение транзистора с каналом я-типа осуществляется подачей положительного напряжения затвор-эмиттер. Выходные ВАХ IGBT подобны характеристикам биполярных транзисторов, только управление выходным током ic осуществляется не током базы, а напряжением иСЕ (рис. 1.14). В закрытом состоянии IGBT способны выдерживать без пробоя значительное обратное напряжение [3].

Биполярный транзистор с изолированным затвором.

Рис. 1.13. Биполярный транзистор с изолированным затвором:

а — структура; б — эквивалентная схема; в — символьное обозначение.

Статические вольт-амперные характеристики IGBT.

Рис. 1.14. Статические вольт-амперные характеристики IGBT.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором относятся к ключам со средней коммутируемой мощностью (от 100 кВт до 10 МВт). В настоящее время широко применяются IGBT с номинальным напряжением 1200 В и током до 100 А. Рабочая частота таких приборов достигает 50 кГц. Созданы и используются также и высоковольтные /С/ГГ-модули на напряжение до 4,5 кВ и коммутируемым током до 2 кА. IGBTявляется основным прибором, используемым в преобразователях частоты для электропривода, а также в инверторах для систем бесперебойного электроснабжения.

Быстродействие IGBT определяется в значительной мере тем, что они сочетают свойства биполярных и полевых транзисторов. В начале включения переходные процессы сходны с процессами в МОП-транзисторах, а на конечном этапе включения затягивание спада напряжения коллектор-эмиттер соответствует характеристикам биполярного транзистора. При выключении IGBT характер процесса вначале аналогичен выключению полевого транзистора, а на конечном интервале — процессу в биполярном транзисторе из-за накопления избыточных зарядов в одной из областей структуры.

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой