Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Свойства некоторых полупроводниковых материалов (Т=300 К)

Реферат: Свойства некоторых полупроводниковых материалов (Т=300 К)
РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Трона,. Дырки,. 81 |1] 3,76. 7−10″ 5. 36 0,354(5]. 15 0,16 12]. Эффек; Дырки. 2] 500 |5]. 27 0,19(5]. 1 12] 10,9. Т"/т". 2−10,(i. 1] 140(4]. 063 0,067. 04−1019. Элек; 8−10м. 8−1019. 8−1019. 800 0,68. 7−1017. 6−1019. 6−1018. 5−1010. 5−10 1. 4−1013. 3−1018. 2−10е. 2−10е. 076 0,08. 043 0,04. Т,/т". М-10 2. А3 в5. 752 1,1. 6−107. 54 0,49. 36 2,17. 34 0,28. 3* 1018. 2−107. 2] 1900. 1] 3900. 1] 1450… Читать ещё >

Свойства некоторых полупроводниковых материалов (Т=300 К) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

№.

Параметр, единица измерения.

Полупроводник.

А4

А3В5

Si.

[1.2].

Ge.

[t2].

GaAs.

[1−3].

AlAs.

[1,2,4].

GaP.

[1,2,5].

1пР.

[1,2,5].

InSb.

[1,2,5].

In As |2,51.

GaN.

[2,5].

Атомный вес (средний).

28,09.

72,59.

72,32.

50,95.

50,35.

72,9.

128,3.

94,84.

41,9.

Плотность, г/см3

2,33.

5,33.

5,32.

3,81 |1] 3,76 [4].

4,13.

4,79.

5,78.

5,68.

6,15.

Тип кристаллической решетки.

алмаза.

цинковой обманки.

вюрцита.

Постоянная решетки, А.

5,431.

5,646.

5,653.

5,660.

5,451.

5,869.

6,48.

6,058.

а = 3,189; с — 5,185.

Удельная теплопроводность, Вт/см К.

1,24 [1] 1,5 [2].

0,64 [1] 0,6 [2].

0,56.

0,84.

0,752 [1] 1,1 [5].

0,800 [1] 0,68 [5].

  • 0,16(1]
  • 0,18(5]

0,27.

Пет данных.

Относительная диэлектрическая постояпая.

ИЗ [11 11,9 [2].

16,0.

13,2 [1] 12,9 [2,3].

10,1 12] 10,9.

11,1.

  • 12,6(2]
  • 12,4
  • 16,8(2]
  • 17,7

15,1.

10,4 |2] 12,2(5].

Электронное сродство, эВ.

4,05.

4,0.

4,07.

3,5 [41.

3,8.

5,34.

4,59.

4,9.

4,1.

Ширина запрещенной зоны, эВ.

1,12.

0,66.

1,43.

2,36 [2] 2,17.

2,26.

1,35.

  • 0,17(2]
  • 0,18

0,36 [2] 0,354(5].

  • 3,44(2]
  • 3,36(5]

Эффективная плотность квантовых состояний, СМ" 3

Зона проводимости.

2,8−1019

1,04-Ю19

4,7 1017 [2] 4,21-Ю17 [3].

1,5-Ю19

1,8−1019

5,7−1017

4,2 1016

8,7−10″ 5

2,3* 1018

Валентная зона.

1,04−1019

6,0 1018

7,0−1017 [2] 9,51−1018 [3].

1,7-Ю19

1,9 1019

1,1-Ю19

7,3−1018

6,6−1018

4,6−1019

Продолжение

№.

Параметр, единица измерения.

Полупроводник.

А4

А3 В5

Si.

[1.2].

Ое.

[1*2].

GaAs.

11−31.

AlAs.

(1,2,4].

ОаР.

[1,2,5].

InP.

(1,2,5].

InSb.

(1,2,5].

In As [2,51.

GaN.

[2,5].

Собственная концентрация носителей, см-3

1,5−1010

2,4−1013

«2−10е

М-10 2

— 2.

1,2−107

~2−10,(i

*8−10м

«мо-9

Эффек;

тивная масса.

элек;

трона,.

т«/т»

продольная.

0,98.

1,64.

0,063 [2] 0,067.

0,11.

[2].

1,1.

0,82.

0,073(1] 0,077 [2].

0,0145.

0,023.

0,27 [2] 0,19(5].

поперечная.

0,19.

0,082.

0,19.

дырки,.

т,/т"

тяжелые.

0,54 [1] 0,49 [2].

0,34 [1] 0,28 [2].

  • 0,5 [2]
  • 0,53
  • 0,22(2]
  • 0,76
  • 0,60
  • 12]

0,57.

0,64.

[2].

0,58.

0,40.

[2].

0,42.

0,40.

[2].

0,41.

0,8 [2].

легкие.

0,15 [1] 0,16 12].

0,043 [1] 0,04 [2].

0,076 [2] 0,08.

  • 0,22(2]
  • 0,15

0,18.

0,12.

0,016.

0,026.

Подвижность, см2/В-с.

электрона.

1900[1] 1450 [2].

3800 [1] 3900 [2].

  • 8800(1]
  • 8000(2]

1200 [ 11 180(2] 200(4].

  • 300(1]
  • 110(2]

78 000(1] 80 000(2].

  • 33 000 [2]
  • 40 000 [5]

400(2] 380 [5].

дырки.

1820 [2] 1900 [2].

420 (1] 140(4].

  • 150(1]
  • 75(2]
  • 750(1]
  • 1250(21

450 (2] 500 |5].

10 [21.

Собственное удельное сопротивление, Ом-см.

2,3* 105

«2−10е

1,6 1015

~1016

8,6−107

4 10 3

0,19.

МО25

Время жизни носителей, с.

2,5−10 1

мо-3

МО8

Нет данных.

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!