ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ тСнзорСзисторов. 
Π˜Π·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ биотСхничСских ΠΈ мСдицинских Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ систСм

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Основа тСнзорСзистора прСдставляСт собой Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΡƒΡŽ полоску ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΈΡ‚Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅Π΅ΠΌ Π±ΡƒΠΌΠ°Π³ΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Π»Π°ΠΊΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Ρ‘Π½ΠΊΡƒ, ΠΈΠ· ΡΡ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° выполняСтся ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅. ΠŸΡ€ΠΈ высокой Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ (Π΄ΠΎ 400 Β°Π‘) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π° ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ»ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π½ΡŒ, пропитанная высокотСмпСратурным Ρ†Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ. Для измСрСния Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ ΠΊΡ€Π°Π΅Π²Ρ‹Ρ… эффСктов ΠΈΠ»ΠΈ мСстах ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ напряТСний, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ΄Π΅Ρ‚алях, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ тСнзорСзисторов. Π˜Π·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ биотСхничСских ΠΈ мСдицинских Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ систСм (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ тСнзорСзисторы

Основа тСнзорСзистора прСдставляСт собой Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΡƒΡŽ полоску ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΈΡ‚Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅Π΅ΠΌ Π±ΡƒΠΌΠ°Π³ΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Π»Π°ΠΊΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Ρ‘Π½ΠΊΡƒ, ΠΈΠ· ΡΡ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° выполняСтся ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅. ΠŸΡ€ΠΈ высокой Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ (Π΄ΠΎ 400 Β°Π‘) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π° ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ»ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π½ΡŒ, пропитанная высокотСмпСратурным Ρ†Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ.

На ΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΠΊΡƒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ Π±ΡƒΠΌΠ°Π³ΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Π»Π°ΠΊΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Ρ‘Π½ΠΊΡƒ Π½Π°ΠΊΠ»Π΅ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ пластинку ΠΈΠ· Π·ΠΈΠ³Π·Π°Π³ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎ ΡƒΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 0,02…0,05 ΠΌΠΌ. К ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π°ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ.

(ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ сваркой) Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Π΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ. Π‘Π²Π΅Ρ€Ρ…Ρƒ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ покрываСтся слоСм Π»Π°ΠΊΠ°. Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‡ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π΅Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊ ΠΈΡΠΏΡ‹Ρ‚ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ, воспринимаСт Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π΅Ρ‘ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностного слоя. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ прСобразоватСля являСтся Π΄Π»ΠΈΠ½Π° Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ, занимаСмая ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΎΠΉ (рис. 4.1). НаиболСС часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ с Π±Π°Π·Π°ΠΌΠΈ 5…10 ΠΌΠΌ, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ сопротивлСниями 30…500 Ом.

Устройство ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ тСнзорСзистора.

Рис. 4.1. Устройство ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ тСнзорСзистора.

Для изготовлСния ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… тСнзорСзисторов ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ высокий коэффициСнт Ρ‚Π΅Π½Π·ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт сопротивлСния (ВКБ). НаиболСС употрСбляСмым ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ для изготовлСния тСнзорСзисторов являСтся константановая ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠ° Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 20…30 ΠΌΠΊΠΌ.

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ основы для ΠΏΠ»Ρ‘Π½ΠΊΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π±Π°ΠΊΠ΅Π»ΠΈΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π»Π°ΠΊ ΠΈ ΠΊΠ»Π΅ΠΉ Π‘Π€-2. РСзисторы, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π° ΠΏΠ»Ρ‘Π½ΠΊΠ΅ ΠΈΠ· ΠΊΠ»Π΅Ρ Π‘Π€-2, способны Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ ΠΎΡ‚ -40 Π΄ΠΎ +70 Β°Π‘, Π° Π½Π° Π±Π°ΠΊΠ΅Π»ΠΈΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π»Π°ΠΊΠ΅ — Π΄ΠΎ 200 Β°C. Для ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоких Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ высокотСмпСратурныС ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π΅ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΡΡ… Π‘-58, БН-15 (Π΄ΠΎ 400 Β°Π‘) ΠΈΠ»ΠΈ Ρ†Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ… Π‘-56, ВН-12 (Π΄ΠΎ 800 Β°Π‘) ΠΈ Ρ‚. Π΄.

АссортимСнт ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… тСнзорСзисторов, выпускаСмых ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρ‘Π½ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 4.2.

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡ тСнзорСзисторов: пСрвая Π±ΡƒΠΊΠ²Π° (П) ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅ΡˆΡ‘Ρ‚ΠΊΠ° Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΈ; ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» Ρ‚Π΅Π½Π·ΠΎΡ€Π΅ΡˆΡ‘Ρ‚ΠΊΠΈ прСдставлСн Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ (К — константан); Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΡ Π±ΡƒΠΊΠ²Π° опрСдСляСт основу (Π‘ — бумаТная, П — плёночная); Π΄Π°Π»Π΅Π΅ слСдуСт Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Ρ€Π΅ΡˆΡ‘Ρ‚ΠΊΠΈ. ПослСдняя Π±ΡƒΠΊΠ²Π° (X ΠΈΠ»ΠΈ Π“), Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Ρƒ Ρ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² сСрии ΠŸΠšΠ‘, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ Π½Π°ΠΊΠ»Π΅ΠΉΠΊΠΈ (X — Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 30 Β°C, Π“ — Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ +180 Β°Π‘).

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Ρ‚Π΅Π½Π·ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ G Π²ΡΠ΅Ρ… ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 4.2 тСнзорСзисторов Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 2 ± 0,2. ΠΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°ΠΊΠ»Π΅ΠΉΠΊΠ΅ Π½Π° ΠΌΠ΅Ρ‚алличСскиС Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ) составляСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 30 мА (точная Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° указываСтся Π² ΠΏΠ°ΡΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π΅). ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ допустимыС ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ 0,3%.

Из Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ° 4.1 Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·Π³ΠΈΠ±Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ хотя ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅, Π½ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹, поэтому дСформация Ρ€Π΅ΡˆΡ‘Ρ‚ΠΊΠΈ Π² ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π²Ρ‹ΡΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… тСнзорСзисторов составляСт 2% ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ. Π’ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ.

Π’ΠΈΠΏΡ‹ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… тСнзорСзисторов ΠΈ ΠΈΡ… ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹.

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ тСнзорСзистора.

Π‘Π°Π·Π°, ΠΌΠΌ.

НоминальноС сопротивлСниС, Ом.

Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Π² ΠΌΠΌ.

Π”Π»ΠΈΠ½Π°.

Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π°.

БумаТная основа.

2ΠŸΠšΠ‘-5−50Π₯.

2ΠŸΠšΠ‘-5−100Π“.

2ΠŸΠšΠ‘-20−100Π₯.

9,1.

2ΠŸΠšΠ‘-30−200Π“.

9Π”.

2ΠŸΠšΠ‘-30−400Π₯.

ΠŸΠ»Ρ‘Π½ΠΎΡ‡Π½Π°Ρ основа.

2ПКП-5−100.

2ПКП-10−100.

2ПКП-15−200.

2ПКП-20−100.

9,1.

2ПКП-30−400.

Иногда экспСримСнтаторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ тСнзорСзисторы, Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ (со ΡΠ²ΠΎΠ±ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ подвСсом ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΈ). ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ достоинством Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… тСнзорСзисторов являСтся большая ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… измСрСниях. Однако ΠΈΠ·-Π·Π° слоТности изготовлСния, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π²Ρ‹ΠΊΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ тСнзорСзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ распространСниС.

Для измСрСния Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ ΠΊΡ€Π°Π΅Π²Ρ‹Ρ… эффСктов ΠΈΠ»ΠΈ мСстах ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ напряТСний, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ΄Π΅Ρ‚алях, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ся ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ±Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ тСнзорСзисторы Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠœΠŸΠ‘. Π˜Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 4.3.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 4.3

Π’ΠΈΠΏΡ‹ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ±Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… тСнзорСзисторов ΠΈ ΠΈΡ… ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹.

Π‘Π°Π·Π°, ΠΌΠΌ.

НоминальноС сопротивлСниС, Ом.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π» измСнСния сопротивлСния, Ом.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Ρ‚Π΅Π½Π·ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

50…125.

2,8…3,2.

80…200.

2,6…3,0.

Π‘Π°Π·Π°, ΠΌΠΌ.

НоминальноС сопротивлСниС, Ом.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π» измСнСния сопротивлСния, Ом.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Ρ‚Π΅Π½Π·ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

100…250.

2,4…2,8.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ