Библиографический список. 
Новые конструкционные материалы на основе карбида кремния

• 1. Абызов А. М. Кинетика химического осаждения карбида кремния из газовой фазы метилсилана / А. М. Абызов, Е. П. Смирнов // Неорганические материалы. — 2000. — Т. 36. — № 9. — С. 1059 — 1066.
• 2. Аникин, М. М. Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4Н / М. М. Аникин // ФТП. — 1993. — Т.27. — № 1. — С. 102- 107.
• 3. Бакин, А. С. О некоторых особенностях кристаллизации SiC из газовой фазы на подложку методом сублимации / А. С. Бакин, С. И. Дорожкин, Ю. М. Таиров // ФТП. — 1994. — Т. 28. — № 10. — С. 1849 — 1851.
• 4. Болдырев, В. В. Механохимия твердых неорганических веществ / В. В. Болдырев, Е. Г. Аввакумов // Успехи химии. — 1971. — Т. XL: Bbin.10.-C.1835- 1856.
• 5. Бритун, В. Ф. Механизмы структурных перестроек в гексагональном карбиде кремния при высоких давлениях и температурах / В. Ф. Бритун, Г. С. Олейник, А. Н. Пилянкевич // Укр. Физ. Журн. — 1988. — Т.33.-№ 5.-С. 791 -794.
• 6. Брохин, И. С. Исследование растворимости и фазового состава в системе кремний — углерод / И. С. Брохин // ЖНХ. — 1958. — Т. 3: Вып. 4. -

С. 847−853.

• 7. Брохин, И. С. Исследование растворимости и фазового состава в системе кремний — углерод / И. С. Брохин, В. Ф. Функе // Твердые сплавы: Вып. 1. — М.: Металлургиздат, 1959. — С. 226 — 239.
• 8. Верма, А. Полиморфизм и политипизм в кристаллах / А. Верма, П. Кришна. — М.: Мир, 196. — 274 с.
• 9. Влияние примесей на политипизм карбида кремния / Ю. А. Водаков [и др.] // Письма в ЖТФ. — 1979. — Т. 5: Вып. 6. — С. 367 — 370.
• 10. Высокотемпературная коррозия композиционной керамики на основе A1N на воздухе и в продуктах сгорания промышленного топлива / В. А. Лаврснко [и др.] // Порошковая металлургия. — 2004. — № 3 / 4. — С. 80 -89.
• 11. Гаршин, А. П. Абразивные материалы / А. П. Гаршин, В. М. Гропянов, Ю. В. Лагунов. — Л.: Машиностроение, 1983. — 231 с.
• 12. Гаршин, А. П. Структура и свойства конструкционных износостойких материалов на основе карбида кремния, получаемых методом реакционного спекания: дис. … д-ра техн. наук / А. П. Гаршин. — СПб.: СПб ГПУ, 2000. — 267 с.
• 13. Геворкян, Э. С. Пористые керамические фильтры из карбида кремния / Э. С. Геворкян // Сверхтвердые материалы. — 2004. — № 5. — С. 54−57.
• 14. Гнесин, Г. Г. Рентгенографическое исследование взаимодействия кремния с углеродом / Г. Г. Гнесин, А. В. Курдюмов, Г. С. Олейник // Порошковая металлургия. — 1972. — № 5. — С. 78 — 81.
• 15. Данишевский, А. М. Разрешенная во времени импульсная экситонная фотолюминесценция чистых кристаллов и пленок 6H-SiC / А. М. Данишевский, Ю. А. Рогачев // ФТП. — 1996. — Т. 30. — № 1. — С. 17.
• 16. Диоды на основе 6H-SiC, полученные совмещением газотранспортной и сублимационной эпитаксии / А. А. Лебедев [и др.] // ФТП. — 1996.-Т. 30.-№ 10.-С. 1805- 1808.
• 17. Евстропов, В. В. Нейтронно-облученные SiC (6Н) р-п — структуры: токопрохождснис / В. В. Евстропов, А. М. Стрсльчук // ФТП. — 1996. -Т. 30.-№ 1.-С.92.
• 18. Зеленые карбидкремнисвыс бН-свстодиоды / Б. И. Вишневская [и др.] // Письма в ЖТФ. — 1990. — Т. 16. — № 23. — С. 56 — 59.
• 19. Иванов, П. A. SiC СВЧ полевые транзисторы: граничная частота
• — мощность / П. А. Иванов, Б. В. Царенков // ФТП. — 1991. — Т. 25. — № 11. -С. 1913;1921.
• 20. Иванов, П. А. Полевой транзистор на основе 6H-SiC: температурная зависимость проводимости и-канала / П. А. Иванов // ФТП. — 1994.
• — Т.28. — № 7. — С. 1161 — 1171.
• 21. Иванов, П. А. Полупроводниковый карбид кремния — технология и приборы / П. А. Иванов, В. Е. Челноков // ФТТП. — 1995. — Т.29. — № 11.-С. 1921 — 1943.
• 22. Исследование люминесценции кристаллов а-SiC, ионнолегированных бором, алюминием и галлием / В. М. Гусев [и др.] // ФТП. — 1975. — Т.9. — № 7.-С. 1238−1941.
• 23. Исследование микроструктуры керамоматричных композитов в системе SiC-C_f / Л. А. Плясунова [и др.] // Новые огнеупоры. — 2004. — № 10.-С41.-46.
• 24. Исследование процесса выращивания монокристаллических слитков SiC из газовой фазы / В. И. Левин [и др.] // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. — 1978. — Т. 14. — № 6. — С. 1062 — 1066.
• 25. Казаков, В. Г. Процессы и аппараты производства тонких порошков из абразивных материалов / В. Г. Казаков, В. В. Равикович, А. И. Курасов. — М.: УПНЦ «Энергомаш», 1996. — 326 с.
• 26. Кайнарский, И. С. Карборундовые огнеупоры / И. С. Кайнарский, Э. В. Дегтярева. — М.: Металлургиздат, 1963. -252 с.
• 27. Кальнин, А. А. Экспериментальное наблюдение неравновесных фазовых переходов в SiC под влиянием тсрмомехапичсского воздействия / А. А. Кальнин, И. Пецольдж, Ю. М. Таиров // ФТТ. — 1987. — Т.29. — № 2. — С. 575−577.
• 28. Карбидокрсмнисвые нагреватели, излучатели, резисторы: Каталог / Министерство черной металлургии СССР, ЦНИИ информ. и тсхникоэкон. исслед. черной металлургии. — М.: Черметинформация, 1978. — 40 с.
• 29. Карбид кремния: сборник статей / под ред. Г. Хениша и

Р. Роя. — M.: Мир, 1972. — 386 с.

• 30. Карбидкремниевые ^-«-структуры, полученные жидкостной эпитаксией / В. А. Дмитриев [и др.] // Письма в ЖТФ. — 1985. — Т. 11. — № 4. — С. 238 — 241.
• 31. Кац, И. С. Основные закономерности процесса получения карбида кремния в промышленной электропечи сопротивления / И. С. Кац // Труды ВНИИАШ. — Л., 1975. — С. 44 — 51.
• 32. Керамика для машиностроения / А. П. Гаршин [и др.]. — М.: Мосиаучтсхлитиздат, 2003. — 384 с.
• 33. Конструкционные карбидокремниевыс материалы / А. П. Гаршин А.П. [и др.]. — 1975. — 152 с.
• 34. Костикова, К. П. Энергия дефектов упаковки и пластическое течение в карбиде кремния в интервале температур 20 — 1200 °C / К. П. Костикова // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. — 1991. — Т. 27. — № 6. — С. 1218−1221.
• 35. Машиностроительная керамика / А. ГГ Гаршин [и др.]. — СПб.: Изд-во СПб ГПУ, 1997. — 726 с.
• 36. Механические свойства и микроструктура композиционного материала на основе наноалмаза и SiC / Е. А. Екимов [и др.] // Неорганические материалы. — 2002. — Т. 38. — № 11. — С. 1324 — 1329.
• 37. Мохов, Е. Н. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников: сборник / Е. П. Мохов, Ю. А. Водаков, Г. А. Ломакина. -Л.: Изд-во ЛИЯФ, 1979.-С. 136.
• 38. Мохов, Е. Н. Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига: дис. … д-ра физ.-мат. наук в форме научного доклада / Е. Н. Мохов. — СПб.: ЛИЯФ РАН. 1998. — 47 с.
• 39. Огнеупоры и футеровки / Пер. с япон. С. И. Жужи и Б. В. Крылова; под науч. ред. д-ра тсхн. наук, проф. И. С. Кайнарского. — М.: Металлургия, 1976.-416 с.
• 40. Олейник, Г. С. Самоармированные керамические материалы / Г. С. Олейник // Препринт ИПМНАН Украины, № 9. — Киев, 1993.
• 41. Олейник, Г. С. Актуальные проблемы в материаловедении / Г. С. Олейник, Н. В. Даниленко. — Киев: ИПМНАН, 1996.
• 42. Олейник, Г. С. Политипообразование в неметаллических веществах / Г. С. Олейник, Н. В. Даниленко И Успехи химии. — 1997. — Т. 66.-№ 7.-С. 615−640.
• 43. Орданян, С. С. Методы получения, свойства области применения конструкционных керамических материалов на основе карбида кремния / С. С. Орданян, В. Д. Чупов // Огнеупоры и техническая керамика. — 2004. № 8.-С.-28−30.
• 44. Основы проектирования и технологии изготовления абразивного и алмазного инструмента / Ю. М. Ковальчук [и др.]; под общ. ред. Ю. М. Ковальчука. — М.: Машиностроение, 1984. — 288 с.
• 45. Особенности получения композиционных материалов на основе алмаза, карбида кремния и кремния при низких давлениях / С. К. Гордеев // Неорганические материалы. — 2001. — Т. 37. — № 6. — С. 691 — 696.
• 46. Павлов, В. А. Влияние дефектов упаковки на механические свойства металлов / В. А. Павлов, Н. И. Носкова, Р. И. Кузнецов // Физика металлов и металловедение. — 1967. -Т. 24. — № 5. — С. 947 — 965.
• 47. Параносенков, В. П. Самосвязанный карбид кремния ОТМ — 923 / В. П. Параносенков, А. А. Чикина, И. Л. Шкарупа // Огнеупоры и техническая керамика. — 2004. — № 2. — С. 23−25.
• 48. Пат. 10 111 225 А1 Германия, МПК 7С 04 В 35/565.
• 49. Пат. 3 350 394 В2 10 251 063А Япония, МПК 7С 04 В 35/565.
• 50. Пилянкевич, А. Н. Энергия дефектов упаковки в карбиде кремния / А. Н. Пилянкевич, В. Ф. Бритун, В. А. Котко // Укр. Физ. Журн.- 1988.-Т. 33.-№ 7.-С. 1085- 1088.
• 51. Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки / А. А. Лебедев [и др.] // ФТП. — 1995. — Т.29. — № 7. — С. 1231 — 1236.
• 52. Получение тонких пленок кубического карбида кремния термическим разложением метилтрихлорсилана в водороде / Л. М. Иванова [и др.] // Неорганические материалы. — 2005. — Т. 41. — № 3. — С. 297 — 300.
• 53. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников / Ю. А. Водаков [и др.]; ЛИЯФ. — Л., 1979.
• 54. Производство абразивных материалов / А. С. Полубелова [и др.]. — Л.: Машиностроение, 1968. — 179 с.
• 55. Порада, А. Н. Электротермия неорганических материалов /

A. Н. Порада, М. И. Гасик. — М.: Металлургия, 1990. — 232 с.

• 56. Пушкарев, О. И. Исследование поверхностной прочности и трсщиностойкости высокотвердых керамических материалов методом микровдавливания / О. И. Пушкарев // Огнеупоры и техническая керамика. — 2002.-№ 10. — С. 18 — 21.
• 57. Пушкарев, О. И. Взаимосвязь структуры абразивных зерен карбидкремниевых материалов с технологией их производства и эксплуатации / О. И. Пушкарев, Е. В. Славина // Технология машиностроения. — 2006. — № 6. — С. 25 — 28.
• 58. Пушкарев, О. И. Методы и средства контроля физикомеханических характеристик абразивных материалов / О. И. Пушкарев,

B. М. Шумячер: монография / ВолгГАСУ. — Волгоград, 2004. — С. 144.

• 59. Пушкарев, О. И. Определение разрушаемости шлифматериалов в лабораторной шаровой мельнице / О. И. Пушкарев, В. М. Шумячер // Огнеупоры и техническая керамика. — 2004. — № 5. — С. 44 — 47.
• 60. Пушкарев, О. И. Получение абразивных материалов в системе SiC — А1₂Оз / О. И. Пушкарев // Огнеупоры и техническая керамика. — 2002. -№ 12. -С. 8- 10.
• 61. Пушкарев, О. И. Прогнозирование работоспособности шлифматериалов по результатам микромеханических испытаний их зерен / О. И. Пушкарев, В. М. Шумячер // Станки и инструменты. — 2006. — № 3.
• -С. 14- 17.
• 62. Пушкарев, О. И. Прочность абразивного зерна при шлифовании / О. И. Пушкарев, В. М. Шумячер // Технология машиностроения. — 2006. № 7.-С. 26−27.
• 63. Пушкарев, О. И. Режущая способность абразивной суспензии при доводке / О. И. Пушкарев, В. М. Шумячер // Технология машиностроения. — 2006. — № 2. — С. 18 — 19.
• 64. Райхель, Ф. Механо-химическая активация процессов роста кристаллов карбида кремния / Ф. Райхель, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. — 1983. — №. 19. — Т. 12. — С. 67 — 72.
• 65. Рамм, М. Г. О кинетической зависимости растворимости азота в карбиде кремния / М. Г. Рамм, Е. Н. Мохов, Р. С. Веренчикова // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. — 1979. — Т. 15. — № 12. — С. 2233 — 2234.
• 66. Рост и структурное совершенство эпитаксиальных слоев SiC при их выращивании «сэндвич"-методом в открытой системе / М. М. Аникин [и др.] // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. — 1984. — Т.20.-№ 10.-С. 1768−1772.
• 67. Санкин, В. И. Электронный транспорт в условиях ваньештарковской локализации в политипах карбида кремния / В. И. Санкин, И. А. Столичное //ФТП.- 1997.-Т.31. — № 5. — С. 577 — 583.
• 68. Связь «дефектной» электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами / А. Н. Андреев // ФТП. — 1994. — Т.28. — № 5. — С. 729 — 735.
• 69. Синие SiC-бН-светодиоды / Б. И. Вишневская [и др.] // ФТП. — 1988. — Т.22. — № 4. — С. 664 — 669.
• 70. Соболев, В. В. Оптические спектры и электронная структура кубического карбида кремния / В. В. Соболев, А. Н. Шестаков // ФТП. — 2000. — Т.34. — № 4. — С. 447 -451.
• 71. Сохор, М. И. О карбиде кремния вюрцитной структуры / М. И. Сохор, В. П. Глухов // Кристаллография. — 1965. — Т. 10. — Вып. 3. — С. 418 -421.
• 72. Сохор, М. И. О взаимосвязи упаковок сфалеритного и вюрцитного типа в карбиде кремния / М. И. Сохор // Высокотемпературные карбиды. — Киев: Наукова думка, 1975. — С. 35−40.
• 73. Сычев, А. Е. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез наноматериалов / А. Е. Сычев, А. Г. Мержанов // Успехи химии. — 2004.-Т. 73.-№ 2.-С. 157- 170.
• 74. Таиров, Ю. М. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов / Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков. — М.: Высшая школа, 1990.-422 с.
• 75. Таиров, Ю. М. Структурные исследования монокристаллов карбида кремния аи^{-модификаций} / Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, М. А. Чернов // Кристаллография. — 1979. — Т. 24. — № 4. — С. 772 — 777.
• 76. Твердофазный переход 6H-3C-SiC / С. И. Власкина [и др.] // Докл. АН УССР. 1981. Сер. А (физико-математические и технические науки). — 1981. — № 3. — С. 50 — 53.
• 77. Технология неорганических порошковых материалов и покрытий функционального назначения / Ю. П. Удалов [и др.] - СПб.: ООО «Янус», 2001.-428 с.
• 78. Уманский, А. П. Композиционные износостойкие материалы на основе карбида кремния / А. П. Уманский, О. В. Душко, О. И. Пушкарев // Огнеупоры и техническая керамика. — 2005. — № 2. — С. 22 — 24.
• 79. Урусов, В. С. Теория изоморфной смесимости / В. С. Урусов. — М.: Наука, 1977.-251 с.
• 80. Физика и технология широкозонных полупроводников: тезисы докладов III Всесоюзного совещания / А. В. Суворов [и др.]; Дагестанский государственный университет. — Махачкала, 1986.
• 81. Шаталин, А. С. Новые конструкционные материалы на основе керамики и композитов с керамической матрицей. Ч. II. Композиты с керамической матрицей / А. С. Шаталин, А. Г. Ромашин // Перспективные материалы. — 2002. — № 2. — С. 13 — 22.
• 82. Эпитаксиальные слои карбида кремния, полученные из раствора-расплава / В. Ф. Бритун [и др.] // ЖТФ. — 1986. — Т.56. — № 1. — С. 214−217.
• 83. Юдин, Б. Ф. Исследования в области термодинамики и кинетики высокотемпературных твердофазных процессов: дис. … д-ра хим. Наук / Б. Ф. Юдин. — Л.: ЛЭТИ, 1972. — 259 с.
• 84. Adamiano, A. TECHNICAL NOTES, Stabilization of cubic Silicon Carbide / A. Adamiano, L. S. Staikoff // J. Phys. Chem. Solid. — 1965. — Vol. 26. — P. 669 — 672.
• 85. Adamsky, R. F. Synthesis and crystallography of the wurzitc form of Silicon Carbide / R. F. Adamsky, К. M. Merz // Zeitschrift fur Kristallographie. — 1959. — B.lll. — S. 350 — 361.
• 86. Anikin M. M., Ivanov P. A., Lebedev A. A., Pytko S. N., Strclchuk

A. M., Syrkin A. L. In: Semiconductor Interfaces and Microstructurcs, cd. by Z.C. Feng (World Scientific, Singapore, 1992). P. 280.

87. Baumhaner, H. Uber die Kristalle des Carborudums /.

H. Baumhaner // Zeitschrift fur Krystallographie und Mineralogie. — 1972. ;

B.50.-S. 33 -39.

88. Bean, A. R. The solubility of carbon in pulled silicon crystals /.

A. R. Bean, R. C. Newman II J. Phys. Chem. Solids. — 1971. — Vol. 32. — P. 1211−1219.

• 89. Beitrag zur Frage der Phasenstabilit at von Siliziunikarbid / R. Kicffer [ct al.] // Bcr. Dtsch. Keram. Gcs. — 1966. — B.43. — No. 10. — S.621 -623.
• 90. Bhatnagar, M., Baliga B. J. // IEEE Trans. Electron. Dev.40, 645
• (1993).
• 91. Blue LEDs, UV photodiodes and high-temperature rectifiers in 6HSiC / J. A. Edmond [et al.] // Physica B. — 1993. — Vol. 185. — P. 453 — 460.
• 92. Boron-implanted diodes / M. Chczzo [ct al.] // Appl. Phys. Lett. — 1993. — Vol.63. — No.9. — P. 1206 — 1208.
• 93. Byrappa, K.; Ohachi, T. Crystal growth technologybooks, google. Com / books? id = win 7M66SjYIC. — Springer, 2003. — 180 — 200. ISBN 3 540 003 673.
• 94. Campbell, R. B. Silicon Carbide Junction devices / R. B. Campbell, H. C. Chang // Semiconductors and Semimetals. — 1971. — Vol.7B. — P. 625 — 683.
• 95. Chakrabarti, О. P. Influence of Free Silicon Content on the Microhadness of Rb SiC / О. P. Chakrabarti // Ceram. Forum Inbern. — 1997. -

B. 74. -№ 2. — P. 98 — 101.

• 96. Cheung, Rebecca. Silicon Carbide Microelectromechanical Systems for Harsh Environments / Rebecca Cheung // books.google.com/books. id = hJySnYNE3B0C&hl = en. — Imperial College Press, 2006. — c. 3. — ISBN 1 860 946 240.
• 97. Cheng p., Needs R. J., Heine V., Jones I. L. // Phase Transit. 16(7), 263(1989).
• 98. Cheng, C. Inter-layer interactions and the origin of SiC polytypes /

C. Cheng, R. J. Needs, V. Heine // J. Phys. C: Solid State Phys. — 1988. — Vol 21.-No. 6.-P. 1049−1063.

• 99. Chezzo, M., Brown, D. M., Downey, E., Kretchmer, J., Hennessy, W., Polla, D. L., Barkhru, H. // IEEE El. Dev. Lett., 13, 639 (1992).
• 100. Cooper, J. A., Melloch, M. R., Xie, W., Palmour, J. W., Carter

C.H. In: Silicon Carbide Related Materials, ed. by Spenser M.G., Devaty R.P., Edmond J.A., Asif Khan M., Kaplan R., Rahman M. (Inst. Phys. Conf. Ser. 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993). — P. 711.

• 101. Davis, R. F., Carter, С. H., Hunter, С. E. USA Patent No. 4, 866,005 (Sept. 12, 1989).
• 102. Davis, R. F., Kelner, G., Shur, M., Palmour, J. W., Edmond, J. A. // Proc. IEEE, 79, 677(1991).
• 103. Das Dreistoffsystem: Molybd an-Silizium-Kohlenstoff / H. Nowotny [et al.] // Monathefte fur chemie. 1954. B. 85. S. 255 — 272.
• 104. Down — Woo Shin and Sam Shik Park. Silicon / Silicon Carbide Composites Fabricated by Infiltration of a Silicon Melt into Charcoal // J. Amer. Ceram, Soc. 1999. Vol. 82. № 11, P. 3251 — 3253.
• 105. Drowart, J., Maria, G.de. — In book: Silicon Carbide — a High Temp. Semicond. «Pergamon Press», L. — N.Y. — 1960. — P. 16.
• 106. Dubey, M. Use of Lattice Imaging in the Electron Microscope in the Structure Determination of the 126R Polytype of SiC / M. Dube, G. Singh // Acta Cryst. — 1978. — A 34. — No. 1. — P. 116 — 120.
• 107. Dunbar, P. The limit of non-stoichiometry in Silicon Carbide / P. Dunbar, P. Birney, W. D. Kingcry // J. of Mater. Sci. — 1990. — Vol. 25. — № 6. — P. 2827 — 2834.
• 108. Dynamic charge storage in 6H silicon carbide / С. T. Gardner [ct al.] //Appl. Phys. Lett. — 1992.-Vol.61.-No 10.-P. 1185- 1186.
• 109. Edmond J.A., Waltz D.G., Brueckner S., Kong H.S., Palmour J.W., Carter C.H. // Proc. 1^st High Temperature Electronics Conference (Albuquerque NM, USA, 1991). — P. 499.
• 110. Effects of Sintering Temperatures on the Physical and Crystallographic Properties of 0-SiC / R. M. Williams [et al.] // Amer. Ceram. Soc. Bull. — 1985. — Vol.64. — No. 10. — P. 1385- 1389.
• 111. Epitaxial Growth of Silicon Carbide Layers by Sublimation «Sandwich method» (I) / Yu. A. Vodakov [ct al.] // Kristall imd Tcchnik. — 1979. — B. 14. — No.6. — S. 729 — 740.
• 112. Formation and Morphology of 2H-SiC Whiskers by the Decomposition of Silicon nitride / J. Li [et al.] ft J. Amer. Ceram. Soc. — 1990. -Vol. 73.-№ 4.-P.919−923.
• 113. Glasov, P. A. Springer Proc. In Phys., ed. by Harris G. L., Yang C. Y.-W. (Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, 1989, Vol.34). — P.13.
• 114. Glass, R. C., Harris, С. I., Tsvetkov, V. F., Fewster, P. F., Sundgreen, J. E., Jansen, E. In: Silicon Carbide and Related Materials, ed. By M. G. Spenseer, R. P. Devaty, J. A. Edmond, M. Asif Khan, Rahman M. (Inst. Pgys. Conf. Ser. No. 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993).-P.165.
• 115. Griffits, L. B. Defect structure and polytypism in silicon carbide / L. B. Griffits И J. Phys. Chem. — 1966. Vol. 27. — No. 2. — P. 257 — 266.
• 116. Growth of high quality 6H-SiC epitaxial films on vicinal (0001) 6H-SiC waters / J. A. Pow’ell [ct al.] // Appl. Phys. Lett. — 1990. — Vol.56. — No. 15.-P. 1442- 1444.
• 117. Growth of large SiC single crystals / D. L. Barrett [et al.] // J. Cryst. Growth. — 1993. — Vol. 128. — P. 358 — 362.
• 118. Gultcr, R. A. Synthesis, Sintering, Microstructurc, and mechanical Properties of Ceramics made by Exothermic Reactions / R. A. Gultcr, К. M. Rigtrup, A. V. Vorkar // J. Amer. Ceram. Soc. — 1992. — Vol. 75. — № 1. — P. 36
• 119. Haas, E. Uber das verhalten von Kohlenstoff beim Zonenziehen von Silicium / E. Haas, W. Brandt, J. Martin // Solid-State Electronics. — 1969.
• — Vol. 12.-№ ll.-S. 915−921.
• 120. Hase T., Suzuki H., Iseki T. // J. Ceram. Soc. Jpn. 87. 576 (1979).
• 121. Heuer, A. H. p-а Tansformation in Polycrystalline SiC: I, Microstructural Aspects / // J. Amer. Ceram. Soc. — 1978. — Vol.61. — No. 9 — 10.-P. 406−412.
• 122. Jepps, N. W. The 6H-«3C „Reverse“ Transformation in Silicon Carbide Compact / N.W. Jepps, T. F. Page // J. Amer. Ceram. Soc. — 1981. — Vol. 64. — No. 12. — P. C — 177 — C — 178.
• 123. Kamimura, K., Tanaka, H., Miyazaki, S., Homma, T., Yonekubo, S., Omuma, Y. // In the same place. — P. 109.
• 124. Kata, D. Lis, J., Pampuch, R., Stobierski, L. Int. J. Sefl — Propag. High-Temp. Synth. 10. 217 (2001).
• 125. Knippenberg, W. F. Growth phenomena in Silicon Carbide / W. F. Knippenberg // Philips Research Reports. — 1963. — Vol. 18. — № 3. — P. 161 -274.
• 126. Knippenberg, W. F. Growth Phenomena in Silicon Carbide / W. F. Knippenberg // Philips Research Reports. — 1963. — Vol. 18. — JSfc 3. — P. 161−170.
• 127. Kong, H. S. Chemical vapor deposition and characterization of 6H-SiC thin films on off-axis 6H-SiC substrates / H. S. Kong, J. T. Glass, R. F. Davis // J. Appl. Phys. — 1988. — Vol. 64. — No.5. — P. 2672 — 2679.
• 128. Konstantinov, A. O., Ivanov, P. A. In: Silicon carbide and Related Materials, ed. By Spenser M.G., Devaty R.P., Edmond J.A., Asif Khan M., Rahman M. (Inst. Phys. Conf. Ser. No. 1137, Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1997),-P. 37.
• 129. Kordina, O., Bergman, J. P» Henry, A., Janzen, E., Savage, S., Andre, J., Rambetg, L.P., Lindefelt U., Hermansson, W., Bergman, K. // Submitted to Appl. Phys. Lett.
• 130. Larkin, D. J., Neudeck, P. G., Powell, J. A., Matus L. G. // In the same place. — P. 51.
• 131. Lely, J. A. Darstellung von Einkristallen von Silicium-carbid und

Bchcrrschung von Art und Mcngc dcr eigebauten Vcrunrcinigungcn / J. A. Lely If Bcrichte Deutschcn Keramischcn Geselschaft c.v. — 1955. B.32. — No.8. ;

S. 229−231.

• 132. Liaw, P. Epitaxial Growth and Characterization of P-SiC Thin Films / P. Liaw, R. F. Davis // J. Electrochem. Soc. — 1985. — Vol. 132. — No.3.
• — P. 642 — 648.
• 133. Lopez-Honorato, E. TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties: Journal of Nuclear Materials. — 2009. — c. 219. — DOJ: 1016/ j. jnuemat. 2009. 03.013 -dx. doi. org/ 10.1016 /j. jnuemat. 2009. 03.013.
• 134. Luthra, К. L., Corman, G. S., Melt Infiltrated (MI) SiC / SiC Composites for Gas Turbine Applications. 2001 CRD 112, Oktober 2001. — lip.
• 135. Matsunami, H. In: Silicon Carbide and Related Materials, ed. by Spencer M. G., Devaty R. P., Edmond J. A., Asif Khan M., Rahman M. (Inst. Phys. Conf. Ser. No. 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993). — P.45.
• 136. Mehrwald, K. N. SiC-Patentubersicht / K. N. Mehrwald // Ber. Dtsch. Ges. — 1969. — В 46. — No 10. — S. 593 — 600.
• 137. Microstructural Developments in Pressureless-Sintered [3-SiC Materials with Al, B, and C Additions / S. Shinozaki [et al.] // Amer. Ceram. Soc. Bull. — 1985.-Vol.64.-No.10.-P. 1389- 1393.
• 138. Morkoc, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Bums, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies // Journal of Applied Physics, 1994. — C. — 1963.-DOJ: 10.1063/ 1.358 463-dx. doi. org/ 10/1063/1.358 463.
• 139. Nakamura, T. Chemical reaction at high temperature and high pressure VII. Solid State Reaction of Silicon with Graphite to Form Silicon Carbide and Stability / T. Nakamura, K. Shimizu, J. Osugi //Rev. Phys. Chem. of Japan. — 1969. — Vol. 39. — No. 2. — P. 104 — 109.
• 140. Naslain R., Cristin F. Si-Matrix Composite Materials for Advanced Jet Endines // MRS Bulletin. — 2003. — 09. — PP. 854 — 858.
• 141. Ncudcck, P. G" Petit, J. B" Salupo, C. S. // Proc. 2″ ^d High Temperature Electronics Conference (Charlotte NC, USA, 1994). P. X — 23.
• 142. Nobuo, Setana Influence of Oxygen of 2H-SiC Whiskers / Nobuo Setana, Koichi Ejiri // J. Amer. Ceram. Soc. — 1969. — Vol. 52. — № 1. — P. 60 — 61.
• 143. Nozaki T., Yatsurugi Y., Akiyama N., Concentration and Behavior of Carbon in Semiconductor Silicon // J. Electrochem. Soc. 1970. Vol. 117. № 12.-P. 1566- 1568.
• 144. O’Donoghue, M. Gems — books.google.com / books? id = ZwcM5H-vvHNoC & pg = PA89 — Elsevier. — 2006. C. 89. — ISBN 0−75- 65 856−8.
• 145. Ogbuji, L. U. Origin of Long-Period Polytypism in Poly crystalline SiC / L. U. Ogbuji // Phys. Status Solid. A. — 1982. — Vol. 72. — No.2.-P. 455−461.
• 146. Olcsinski, R. W., Abbaschian, G. J. // Bull Alloy Phase Diagrams. — 1984. — Vol. 5. — № 5. — P. 486 — 489.
• 147. O’Sullivan, D.; Pomeroy, M. J.; Hampshire, S.; Murtagh, M. J. Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits — www.mrs.org /s mrs /sec subscribe. asp? CID = 2238&DID = 82 906 & action = detail // MRS Proceedings. — 2004. 13.19 — C. 2913 — 2921. — DoJ. 10.1557/YMR. 2004.0373-dx.doi.org. / 10 557/JMR. 2004.-0373.
• 148. Palmour, J. W., Edmond, J. A., Kong, H. S., Carter, С. H. 11 Proc. 28^{, h} Intersociety Energy Conversion Conf. (Amer. Chem. Soc, 1993). — P.

I. 249.

• 149. Palmur, J. W., Edmond, J. A., Kong, H. S., Carter, С. H. In the same place. — P. 499.
• 150. Palmour, J. W., Kong, H. S., Waltz, D. G., Edmond, J. A. // Proc. 1^st High Temperature Electronics Conference (Albuquerque NM, USA, 1991) — P.511.
• 151. Palmour, J. W., Larkin L. A. // Proc. 2^nd High Temperature Electronics Conference (Charlotte NC, USA, 1994) — P. XI-3.
• 152. Palmour, J. W., Weitzel, С. E., Nordquist, K., Carter, С. H. In: Silicon Carbide and Related Materials, ed. by Spenser M. G., Devaty R. P., Edmond J. A., Asif Khan M., Kaplan R., Rahman M. (Inst. Phys. Conf. Ser. 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993). — P. 495.
• 153. Pampuch, R. J. Eur. Ceram. Soc., 19, 2395 (1999).
• 154. Peng, J. Binner, J. Bradshaw, S. Mater, J. Synth. Process., 9, 633
• (2001).
• 155. Powell, J. A. Low-Temperature Solid-State Phase Transformation in 2H Silicon Carbide / J. A. Powell, H. A. Will // J. Appl. Phys. — 1972. — Vol. 43. № 4.-P. 1400- 1416.
• 156. Rai, R. S. Lattice imaging studies on 201R polytype of silicon carbide / R. S. Rai, G. Singh // J. Mater. Sci. Lett. — 1984. — Vol.3. — No.6. — P. 528−532.
• 157. Ramsdell, L. S. Developments in Silicon Carbide Research /

L. S. Ramsdell, J. A. Kohn // Acta Cryst. — 1952. — Vol. 5. — No.2. — P. 215 — 224.

• 158. Rijswtik, W.₅. Effects of Carbon as a Sintering Aid in Silicon Carbide / W.₅ Rijswtik, DJ. Shancfield // J. Amcr. Ceram. Soc. — 1990. — Vol. 73.-No.l.-P.148 — 150.
• 159. Robert Vassen and Detlev Storen. Processing and Properties of nanograin Silicon Carbide // J. Amcr. Ceram. Soc. — 1999. — Vol. 82. — № 10. — P. 2585−2593.
• 160. Rogachev N.A., Kuznetsov A.N., Terukov El., Chelnokov V.E., Trapeznikova IN. In: Silicon Carbide and Related Materials, ed. by Spencer

M. G., Devaty R.P., Edmond J.A., Asif Khan M., Rahman M. (Inst. Phys. Conf. Ser. No. 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993). — P. 121.

• 161. Sakai, T. Effects of carbon on phase transformation of p-SiC with А1₂0з / T. Sakai, H. Watanabe, T. Aikawa // J. of Mater. Science Letters. — 1987. — Vol.6. — No.7. — P. 865 — 866.
• 162. Sakai, T. Phase Transformation and Thermal Conductivity of HotPress Silicon Carbide Containing Alumina and Carbon / T. Sakai, T. Aikawa //

J. Amer. Ceram. Soc. — 1988. — Vol. 71. — No.l. — P. C — 7 — C — 9.

163. Scace, R.I., Slack G.A. — In book: Silicon Carbide — a High.

Temper. Semicond., «Pergamon Press», L. — N.Y. — 1960. — P. 64.

• 164. Scace, R. I. Solubility of Carbon in Silicon and Germanium / R. I. Scace, G. A. Slack // J. Chem. Phys. — 1959. — Vol. 30. — № 6. — P. 1551 — 1555.
• 165. Silicon Carbide UV Photodiodes / D. M. Brown [et al.] // IEEE Trans. Electron Dev. — 1993. — Vol. 40. — P. 325 — 333.
• 166. Silicon Carbide — 1973. Proceedings of the 3^rd International Conference, Miami Beach, FI., 1973 (Eds. R. C. Marshall, J. W. Faust, С. E. Ryan). — Univ. S.C. Press, Columbia, SC, 1974.
• 167. Spiram, S., Clarke, R. C., Hanes, M. N., McMullin, P. G., Brandt, C. D., Smith, T. J., Burk, A. A., Hobgood, H. M., Barret, D. L., Hopkins, R. H. In: Silicon Carbide Related Materials, edd. by Spenser, M. G., Ddevaty, R. P., Edmond, J. A., Asif Khan, M., Kaplan, R., Rahman, M. (Inst. Phys. Conf. Scr. 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993).- P. 491.
• 168. Stevens, R. Defects in Silicon Carbide / R. Stevens //. J. Mat. Sci.
• — 1979.-Vol.7.-P. 517−521.
• 169. Tairov, Yu. M. General principles of growing large-size single crystals of various Silicon Carbide polytypes / Yu. M. Tairov, V. F. Tsvetkov // J.Cryst. Growth. — 1981.-Vol. 52. — Part l.-P. 146- 150.
• 170. Tairov, Yu. M. Investigation of kinetic and thermal conditions of Silicon Carbide epitaxial layer growth from the vapor phase / Yu. M. Tairov, V.F. J. Tsvetkov // Cryst. Growth. — 1979. — Vol. 46. — No. 3. — P. 403 — 409.
• 171. Tairov, Yu. M., Tzvetkov, V. F. // Crystals. — Vol. 10. Springer — Verlag. — Berlin, 1984.
• 172. Tajima, Yo. Solid Solubility of Aluminum and Boron in SiliconCarbide / Yo Tajima, W. D. Kingery // J. Amer. Ceram. Soc. — 1982. — Vol. 65. — No. 2. — P. — 27 — 29.
• 173. The growth of crystals and the equilibrium structure of their surfaces / W. K. Burton [et al.] // Philosophical Transactions. Series A. — 1951.
• — Vol. 243. — A. 866. — P. 299 — 358.
• 174. The Light Emitting Diodes on the Basis of Fast Electron Irradiated SiC-Springer Proceed / Yu. A. Vodakov [et al.] // Phys. — 1992. — V. 71. — P.374−379.
• 175. Uber den polymorphen Ubergang a-[3-SiC bei hohen Drucken / M. I. Sochor [et al.] // Kristall und Technik. — 1972. — B.7. — No.4. — S. 445 — 456.
• 176. Whitney, E. D. Investigation of the phase transformation between a-, and P-silicon carbide at high pressures / E. D. Whitney, P.T.B. Shaffer // High Temperatures — High Pressures. — 1969. — Vol. 1. — P.107 — 110.
• 177. Whitaker, Jerry C. The electronics handbook — books, google. Com / books? id = FdSQSAC3 _EwC&hl=en. — CRC Press. 2005. — c. 1108. ISBN 849 318 890.
• 178. P-a Tansformation in Polycrystallinc SiC: I, Microstructural Aspects / A. H. Heuer // J. Amer. Ceram. Soc. — 1978. — Vol.61. — No. 9 — 10. — P. 406−412.