Введение. 
Измерение скорости роста кристалла, растущего из водного раствора

Кристаллы встречаются повсюду. Широко применение кристаллов в технике, где используются те или иные их свойства. В промышленности применяют также искусственные кристаллы, т. е. те, которых ранее в природе не существовало, например кристаллы кремния, арсенида галлия, германия. Для производства и использования кристаллов необходимо понимание механизмов их роста, распределения примесей и дефектов в них. Информацию об этом получают с помощью различных методов, как микроскопических, так и макроскопических. Важным для технологии получения и физики кристаллизации макроскопическим параметром является величина скорости роста кристалла. Ее определению и посвящена данная работа.

Теоретическая часть

Если химический потенциал частиц в кристалле меньше чем в окружающей среде, то это приведет к возникновению кристаллических зародышей. Чтобы вызвать кристаллизацию, необходимо создать разность химических потенциалов кристаллизующегося компонента между исходной фазой и кристаллической, т. е. либо быстро изменить температуру, давление, либо удалить часть растворителя.

Рост кристалла осуществляется в процессе присоединения к поверхности новых атомов, молекул или более сложных агрегатов. В зависимости от химической природы кристаллизующегося вещества и температуры рост кристалла происходит либо по нормальному, либо по послойному механизму.

Первый тип роста реализуется на атомно-шероховатых поверхностях. Присоединение новых частиц к таким поверхностям происходит практически в любой точке, так как практически все ее точки энергетически равноценны.

Второй тип роста реализуется на атомно-гладких гранях, где изломы сосредоточены лишь на ступенях. Пришедшие из окружающей среды частицы адсорбируются на поверхности кристалла и затем совершают перемещения (прыжки) благодаря тепловому движению, как вдоль поверхности, так и по нормали к ней. В результате они могут перескакивать в соседние положения адсорбции и покидать поверхность. Блуждая по грани, некоторые атомы могут попасть на ступени, где атом соединяется с кристаллом соответственно двумя и тремя связями.

Характер роста кристалла (по нормальному или послойному механизму) определяется мерой прочности связей в кристалле и температурой окружающей среды. Первый параметр непосредственно связан с теплотой кристаллизации (плавления) Q и ответственен за стремление кристалла сохранять в процессе роста наиболее плотную упаковку с наименьшим числом неоднородностей на поверхности. Энергия теплового движения kT способствует напротив увеличению беспорядка. Отношение Q и kT служит критерием определения механизма роста кристалла: если Q/kT>2, то поверхность атомно-гладкая, а если Q/kT<2 — шероховатая.