ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². 
Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΠ»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики Π½Π° ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π·ΠΊΠ΅ UΠΊΠ±. Биполярный транзистор эмиттСрный эрли. H12 (Ie=8мА). DUΠΊΠ± = const. DUΠΊΠ± = const. H11 (Ucb=0B). H11 (Ucb=1). H11 (Ucb=1). DIэ= const. DIΠ­ =const. H22 (Ie=4). H22 (Ie=4). H22 (Ie=4). UΠΊΠ± = 6. 545 455. 333 333. 80 952. 70 588. 66 667. 66 667. 62 069. 57 143. 42 857. 41 176. 38 889. 33 333. 33 333. 24 096. 20 408. 11 111. UΠΊΠ±. UΠΊΠ±. UΠΊΠ±. Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

НСзависимо ΠΎΡ‚ ΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора, Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (IΠΊ) опрСдСляСтся Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Iэ Π΄Π»Ρ схСмы с ΠžΠ‘) ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (UΠΊΠ± для схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром):

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.
ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.
ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

Частная производная опрСдСляСт Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ падСния напряТСния ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ постоянном Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии u2; этот ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ называСтся Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ся h11.

h11 =.

dUΠΊΠ± = const.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

Частная производная опрСдСляСт Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΡ€ΠΈ постоянном Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ i1; этот ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π±Π΅Π·Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ, ΠΎΠ½ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ся коэффициСнтом ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ся h12.

h12 =.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

dIΠ­ =const.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

Частная производная опрСдСляСт Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ постоянном Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии u2. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π±Π΅Π·Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ, ΠΎΠ½ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ся коэффициСнтом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ся h21.

h21 =.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

dUΠΊΠ± = const.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

Частная производная опрСдСляСт Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΡ€ΠΈ постоянном Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ проводимости, называСтся Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ транзистора ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ся h22.

h11 (Ucb=0B).

h11 (Ucb=1).

h11 (Ucb=1).

Uбэ.

dUbe.

dIe.

h11.

Uбэ.

dUbe.

dIe.

h11.

Uбэ.

dUbe.

dIe.

h11.

0,075.

0,025.

0,15.

166,6667.

0,075.

0,025.

0,15.

166,6667.

0,075.

0,025.

0,15.

166,6667.

0,1.

0,025.

0,3.

83,33 333.

0,1.

0,025.

0,3.

83,33 333.

0,1.

0,025.

0,35.

71,42 857.

0,125.

0,025.

0,4.

62,5.

0,125.

0,025.

0,5.

0,125.

0,025.

0,6.

41,66 667.

0,15.

0,025.

0,85.

29,41 176.

0,15.

0,025.

0,15.

0,025.

1,05.

23,80 952.

0,175.

0,025.

1,5.

16,66 667.

0,175.

0,025.

1,7.

14,70 588.

0,175.

0,025.

8,333 333.

0,2.

0,025.

2,25.

11,11 111.

0,2.

0,025.

2,45.

10,20 408.

0,2.

0,025.

5,5.

4,545 455.

0,225.

0,025.

2,9.

8,62 069.

0,225.

0,025.

4,15.

6,24 096.

0,225.

h22 =.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

dIэ= const.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

биполярный транзистор эмиттСрный эрли.

h12 (Ie=8мА).

UΠΊΠ±.

dUkb.

dUbe [Π΄Π΅Π»].

h12.

0,5.

0,1.

0,0075.

0,075.

3,5.

3,5.

0,35.

0,02.

0,57 143.

4,5.

4,5.

0,45.

0,0175.

0,38 889.

0,5.

0,0275.

0,055.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

h22 (Ie=4).

h22 (Ie=4).

h22 (Ie=4).

UΠΊΠ± [B].

dUc [B].

dI [mA].

h22 [Cm].

UΠΊΠ± [B].

dUc [B].

dI [mA].

h22 [Cm].

UΠΊΠ± [B].

dUc [B].

dI [mA].

h22 [Cm].

0,5.

0,125.

0,125.

0,5.

0,15.

0,15.

0,5.

0,225.

0,225.

3,5.

0,075.

0,075.

3,5.

0,15.

0,15.

3,5.

0,17.

0,17.

4,5.

0,025.

0,025.

4,5.

0,075.

0,075.

4,5.

0,075.

0,075.

0,0005.

0,0005.

0,001.

0,001.

0,025.

0,025.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΠ»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики Π½Π° ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π·ΠΊΠ΅ UΠΊΠ± [3,9][Π’].

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

UΠΊΠ± = 6 [Π’].

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ