Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Способы изменения состояния n — p перехода

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Первый элемент это буква или цифра, указывающая на материал, из которого изготовлен диод: Г (или 1) германий, К (или 2) кремний, А (или 3) арсенид галия, И (или 4) фосфид индия. Это все буквы русского алфавита (кроме букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э), означающие классфификацию изготовленных приборов, изготовленных, но единой технологии. Тиристор с допустимым средним током в открытом состоянии… Читать ещё >

Способы изменения состояния n — p перехода (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Рассмотренный способ уменьшения контактной разности потенциалов не единственный. Можно переход освещать сильным световым потоком Ф. В результате внешнего и внутреннего фотоэффектов световой поток будет изменять концентрацию носителей на переходе. Такие диоды называют фотодиодом. Они преобразуют световой поток в электрический ток. Существуют диоды, которые преобразуют энергию тока в свет. Эти диоды называют светодиодами.

Температура окружающей среды приводит к усиленной термогенерации носителей зарядов. В кристталле это изменяет параметры диода (прямой ток возрастает, обратное напряжение уменьшается). Можно было бы это явление использовать для построения измерителей температуры окружающей среды. Этого не делают по одной причине: велик риск выхода диода из строя. Если Вы откроете иные способы, изменяющие контактную разность потенциалов, то получите открытие для измерения новых физических величин.

Обозначения диодов

Взависимости от назначения диоды обзначают по разному. Так на рис. 1.8 представлены такие диоды: VD1 — выпрямительный диод, VD2 — кремниевый стабилитрон, VD3 — фотодиод, VD4- светодиод VD5 — диодный тиристор (динистор), VD6 — не запираемый тиристор с управлением по аноду, VD7 — запираемый тиристор с управлением по аноду, VD8 — запираемый тиристор с управлением по катоду.

Способы изменения состояния n — p перехода.
Способы изменения состояния n — p перехода.

Так как разнообразие диодов этим не ограничивается, то они имеют обозначение цифробуквенное:

Первый элемент это буква или цифра, указывающая на материал, из которого изготовлен диод: Г (или 1) германий, К (или 2) кремний, А (или 3) арсенид галия, И (или 4) фосфид индия.

Второй элемент это буква, обозначающая функционалное назначение диода: Д — выпрямительный или импульсный диод; Ц — выпрмительный столб или блок; В — варикап; И — тунельный диод; А — сверхвысокочастотный диод; С — стабилитрон; Г — генератор шума; Д — излучающий оптоэлектронный диод; О — оптопара; Н — диодный тиристор; У — триодный тиристор.

Третий элемент это цифра, обозначающая функциональные возможности диода:

Подкласс Д

  • 1 — выпрямительный диод на ток до 0,3 А;
  • 2 — выпрямительный диод на ток щто 0,3 А до 10 А;
  • 3 — выпрямительный диод на ток свыше 10 А;
  • 4 — импульсный диод с временем восстановления до 150 мс;
  • 5 — импульсный диод с временем восстановления от 150 мс до 500 мс;
  • 6 — импульсный диод с временем восстановления 30 … 150 мс;
  • 7 — импульсный диод с временем восстановления 5 … 30 мс;
  • 8 — импульсный диод с временем восстановления 1 … 5 мс;
  • 9 — импульсный диод с временем восстановления менее 1 мс.

Подкласс Ц

  • 1 — средний выпрямленный ток до 0,3 А;
  • 2 — средний выпрямленный ток до 0,3…10 А;
  • 3 — средний выпрямленный ток для выпрямительного блока не более 0,3 А;
  • 4 — средний выпрямленный ток для выпрямительного блока 0,3…10 А.

Подкласс В.

  • 1 — подстроечный варикап;
  • 2 — умножительный варикап.

Подкласс И

  • 1 — усилительный тунельный дирод;
  • 2 — генераторный тунельный дирод;
  • 3 — переключающий тунельный дирод;
  • 4 — обращенный диод.

Подкласс А

  • 1 — смесительный диод;
  • 2 — детекторный диод;
  • 3 — усилительный диод,
  • 4 — параметрический диод;
  • 5 — переключающий или ограничивающий диод;
  • 6 — умножительный или настроечный диод;
  • 7 — генераторный диод;
  • 8 — импульсный диод.

Подкласс С

  • 1 — стабилитрон мощностью до 0,3 Вт и напряжение стабилизации менее 10 В;
  • 2 — стабилитрон мощностью до 0,3 Вт и напряжение стабилизации менее 10…100 В;
  • 3- стабилитрон мощностью до 0,3 Вт и напряжение стабилизации более 100 В;
  • 4 — стабилитрон мощностью до 0,3…5 Вт и напряжение стабилизации менее 10 В;
  • 5 — стабилитрон мощностью до 0,3…5 Вт и напряжение стабилизации менее 10.100 В;
  • 6 — стабилитрон мощностью до 0,3…5 Вт и напряжение стабилизации более 100 В;
  • 7 — стабилитрон мощностью до 5…10 Вт и напряжение стабилизации менее 10 В;
  • 8 — стабилитрон мощностью до 5…10 Вт и напряжение стабилизации менее 10…100 В;
  • 9 — стабилитрон мощностью до 5…10 Вт и напряжение стабилизации более 100 В.

Подкласс Г

  • 1 — низкочастотный генератор шума;
  • 2 — высокочастотный генератор шума.

Подкласс Л

Источники инфракрасного излучения:

  • 1 — излучающий диод;
  • 2 — излучающий модуль.

Приборы визуального представления информации

  • 3 — светоизлучающие диоды;
  • 4 — знаовые индикаторы;
  • 5 — знаковые табло;
  • 6 — шкалы;
  • 7 — экраны.

Подкласс О

Р — резисторные оптопары;

Д — диодные оптопары;

У — тиристорные оптопары;

Т — транзисторные оптопары.

Подкласс Н

  • 1 — тиристоры с максимально допустимым средним значением тока не более 0,3 А;
  • 2 — тиристоры с максимально допустимым средним значением тока не более 0,3…10 А;

оптопары.

Подкласс У

Незапираемые тиристоры

  • 1 — тиристор с допустимым средним током в открытом состоянии не более 0,3 А или максимальным значением импульса тока в открытом состоянии не более 15 А;
  • 2 — тиристор с допустимым средним током в открытом состоянии 0,3…10 А или максимальным значением импульса тока в открытом состоянии 15…100 А;
  • 7 — тиристор с допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А или максимальным значением импульса тока в открытом состоянии более 100 А.

Запираемые тиристоры

  • 3 — тиристор с допустимым средним током в открытом состоянии не более 0,3 А или максимальным значением импульса тока в открытом состоянии не более 15 А;
  • 4 — тиристор с допустимым средним током в открытом состоянии не более 0,3…10 А или максимальным значением импульса тока в открытом состоянии не более 15…100 А;
  • 8 — тиристор с допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А или максимальным значением импульса тока в открытом состоянии более 100 А.

Симметричные тиристоры

  • 5 — тиристор с допустимым средним током в открытом состоянии не более 0,3 А или максимальным значением импульса тока в открытом состоянии не более 15 А;
  • 6 — тиристор с допустимым средним током в открытом состоянии 0,3…10 А или максимальным значением импульса тока в открытом состоянии 15…100 А;
  • 9 — тиристор с допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А или максимальным значением импульса тока в открытом состоянии более 100 А.

Четвертый элемент

01…99 это число, обозначающее порядковый номер разработки (или 101…999).

Пятый элемент

Это все буквы русского алфавита (кроме букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э), означающие классфификацию изготовленных приборов, изготовленных, но единой технологии.

Дополнительные элементы обозначения

1…9 — модификация прибора с измененной конструкцией или параметрами, С — сборна или набор элементов в одном корпусе;

  • 1 — гибкие выводы без кристаллодержателя;
  • 2 — гибкие выводы с кристаллодержателем;
  • 3 — жесткие выводы без кристаллодержателя;
  • 4 — жесткие выводы с кристаллодержателем;
  • 5 — с контактными полощадками без кристаллодержателя и выводов;
  • 6 — с контактными полощадками на кристаллодержателе без выводов;

Р — прибор с парным подбором элементов;

Г — подборка в четверки;

К — подборка в шестерки.

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой