Метод компенсации напряжением смещения нуля операционных усилителей с классическими входными каскадами на основе токовых зеркал
Таким образом, за счет выбора параметра «x» в СКМp p-типа можно уменьшить влияния на Uсм разницы между выходными токами ДК I3, I4, достигающую значений (m-x) Iб. p (табл. № 1, 2). В этом случае подсхема СКМp p-типа согласует токовые асимметрии по выходам 3 и 4 ДК, структура которого по условиям технического задания не может изменяться для получения равенства I3 = I4. Прокопенко Н. Н., Серебряков… Читать ещё >
Метод компенсации напряжением смещения нуля операционных усилителей с классическими входными каскадами на основе токовых зеркал (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Рассмотренные в [1] методы минимизации напряжения смещения нуля (Uсм) аналоговых микросхем (АМ) с высокоимпедансным узлом базируются, как правило, на вмешательстве разработчика в структуру входного каскада АМ, либо связаны со специальным построением буферного усилителя. Однако в ряде практических задач нецелесообразно вносить какие-либо корректировки в исходную структуру входного дифференциального каскада (ДК) с целью обеспечения необходимых значений коэффициентов слабой токовой асимметрии функциональных узлов ОУ, а существующий набор буферных усилителей не всегда позволяет обеспечить взаимную компенсацию всех токовых составляющих в высокоимпедансном узле [1−5].
Если выходящие токи I3, I4 узлов 3 и 4 обобщенной схемы ДК рис. 1а на основе классических токовых зеркал при нулевом входном дифференциальном сигнале не одинаковы [6, 7] и их невозможно сделать идентичными из-за запрета на корректировку исходной структуры ДК, то для минимизации Uсм в диапазоне температурных и радиационных воздействий [8] можно потребовать введения между узлами 3 и 4 специального корректирующего многополюсника (СКМ), который обеспечит согласование слабой токовой асимметрии ДК по выходам 3, 4 и кроме этого будет выполнять свойства буферного каскада с малым выходным сопротивлением. Функции такого СКМ реализуются в предлагаемой ниже схеме, показанной на рис. 1б.
а).
б) Рис. 1. Метод СКМ-p компенсации слабой токовой асимметрии вида (m-x) Iб.p по выходам 3 и 4 ДК (а), и устройство для его осуществления (б).
Действительно в общем случае выходные токи узлов 3 и 4 ДК (рис. 1 а) могут быть не одинаковы. Для корректирующего многополюсника СКМ-p типа на n-p-n транзисторах рис. 1б допустимая асимметрия токов I3 и I4 ДК рис. 1а может достигать значений (m-x) Iб.p:
каскад токовый технологический.
(1).
где m — коэффициент пропорциональности (m = 1, 2, 3, 4, …), характеризующий статические токи выходов 3 и 4 ДК при коэффициенте усиления токов базы всех n-p-n транзисторов вp = ?,.
x — коэффициент пропорциональности устанавливающий численные значения тока двухполюсника I5 (x = 1, 2, 3, 4.), кратные току I0.
В формуле (1), под I0 понимается некоторый квант тока, например 1мА или 100мкА, к которому «привязывается» статический режим всех транзисторов схемы. Для наиболее часто встречающихся вариантов построения аналоговых микросхем в формуле (1), следует положить m=1. В этом случае допустимая асимметрия токов I3 и I4 в схеме рис. 1а определяется уравнением:
?I43 = I4 — I3 = (1-x) Iб.p. (2).
За счет изменения параметра «x», характеризующего источник опорного тока I5, можно скомпенсировать влияние на Uсм неидентичности токов I3 и I4 вида (1-x) Iб.p в соответствии с таблицей № 1.
Таблица 1. Влияние параметра «x» СКМp — p-типа на компенсацию асимметрии токов I3, I4 вида (1 — x) Iб.p в обобщенном дифференциальном каскаде с классическими токовыми зеркалами при m=1.
Параметр «x» источника опорного тока I5=xI0 | Допустимые значения токов I3, I4 | Компенсируемая асимметрия токов I3, I4 | |
x=1. | ?I3.4=0. | ||
x=2. | ?I3.4= - Iб.p | ||
x=3. | ?I3.4= -2Iб.p | ||
x=4. | ?I3.4= -3Iб.p | ||
x=5. | ?I3.4= -4Iб.p | ||
Если в формуле (1) принять m=2 то в этом случае СКМp — p-типа компенсирует как положительную, так и отрицательную разницу между токами I3 и I4 (табл. № 2).
Таблица 2. Влияние параметра «x» СКМp — p-типа на компенсацию асимметрии токов I3, I4 вида (2 — x) Iб.p в обобщенном дифференциальном каскаде при m=2.
Параметр «x» источника опорного тока I5=xI0 | Допустимые значения токов I3, I4 | Компенсируемая асимметрия токов I3, I4 | |
x=1. | ?I3.4= +Iб.p | ||
x=2. | ?I3.4= 0. | ||
x=3. | ?I3.4= - Iб.p | ||
x=4. | ?I3.4= -2Iб.p | ||
x=5. | ?I3.4= -3Iб.p | ||
Таким образом, за счет выбора параметра «x» в СКМp p-типа можно уменьшить влияния на Uсм разницы между выходными токами ДК I3, I4, достигающую значений (m-x) Iб.p (табл. № 1, 2). В этом случае подсхема СКМp p-типа согласует токовые асимметрии по выходам 3 и 4 ДК, структура которого по условиям технического задания не может изменяться для получения равенства I3 = I4.
Аналогично с помощью СКМn n-типа при m=1 можно согласовать асимметрию выходных токов I3 и I4, достигающую значений (1 — x) Iб.n (рис. 2а). Функции такого СКМ реализует в схеме, показанная на рис. 2б.
а).
б) Рис. 2. Метод СКМ — n компенсации слабой токовой асимметрии вида (m-x) Iб.n по выходам 3 и 4 ДК (а) и устройство для его осуществления (б)
В общем случае для СКМ — n типа на p-n-p транзисторах допустимая асимметрия токов I3 и I4 ДК рис. 2а может достигать значений (m-x) Iб. n,.
(3).
где m — коэффициент пропорциональности (m = 1, 2, 3, 4, …), характеризующий статические токи выходов 3 и 4 при вn = ?,.
x — коэффициент пропорциональности устанавливающий численные значения тока двухполюсника I5 (x = 1, 2, 3, 4.).
Если m=1 то допустимая асимметрия токов I3 и I4 определяется уравнением:
. (4).
За счет изменения параметра «x», характеризующего источник опорного тока I5, можно уменьшить Uсм при неидентичностях токовых I3 и I4 в соответствии с таблицами № 3.
Таблица 3. Влияние параметра «x» СКМn — n-типа на компенсацию асимметрии токов I3, I4 вида (1 — x) Iб.n в обобщенном дифференциальном каскаде при m=1.
Параметр «x» источника опорного тока I5=xI0 | Допустимые значения токов I3, I4 | Компенсируемая асимметрия токов I3, I4 | |
x=1. | ?I3.4=0. | ||
x=2. | ?I3.4= - Iб.n | ||
x=3. | ?I3.4= -2Iб.n | ||
x=4. | ?I3.4= -3Iб.n | ||
x=5. | ?I3.4= -4Iб.n | ||
Таким образом, рассмотренный схемотехнический приём рекомендуется использовать в том случае, когда структура входного каскада ОУ [9, 10, 11] не подлежит модернизации для изменения её коэффициентов слабой токовой асимметрии. При этом введение СКМp или СКМn типов позволяет по другому, в отличии от [11], решить задачу минимизации Uсм при I3? I4.
Статья подготовлена в рамках государственного задания Минобрнауки РФ на НИР № 8.3383.2011 (ЮРГУЭС-02.12.ГЗ) «Теоретические основы проектирования нового поколения СФ-блоков систем связи, телекоммуникаций и технической диагностики на основе радиационно-стойких технологий (SiGe, АБМК1_¾ и др.)», выполняемой в 20 122 014 гг.
- 1. Прокопенко Н. Н., Серебряков А. И., Будяков П. С. Способ повышения стабильности нуля аналоговых микросхем с высокоимпедансным узлом в условиях температурных и радиационных воздействий [Текст] // Проблемы разработки перспективных микрои наноэлектронных систем — 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академи-ка РАН А. Л. Стемпковского. — М.: ИППМ РАН, 2010. — С. 295−300
- 2. Пат. 2 390 918 Российская Федерация, МПК8 H03 °F 3/45, H03 °F 3/34. Прецизионный операционный усилитель [Текст] // Прокопенко Н. Н., Глушанин С. В., Будяков П. С.: заявитель и патентообладатель ГОУ ВПО «Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса». — № 2 009 102 889/09; заявл. 29.01.2009; опубл. 27.05.2010, Бюл. № 15. — 10 с.: ил. (157)
- 3. Пат. 2 390 916 Российская Федерация, МПК8 H03 °F 3/45, H03 °F 1/34. Прецизионный операционный усилитель [Текст] // Прокопенко Н. Н., Будяков П. С., Глушанин С. В.: заявитель и патентообладатель ГОУ ВПО «Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса». — № 2 009 103 501/09; заявл. 02.02.2009; опубл. 27.05.2010, Бюл. № 15. — 10 с.: ил. (160)
- 4. В. Г. Манжула, И. Б. Пугачев, Н. Н. Прокопенко Вариативный синтез схемы операционного усилителя с пониженным напряжением смещения [Электронный ресурс] // «Инженерный вестник Дона», 2012, № 3. — Режим доступа: http://www.ivdon.ru/magazine/archive/n3y2012/1037 (доступ свободный) — Загл. с экрана. — Яз. рус.
- 5. С. Г. Крутчинский, А. С. Исанин, Н. Н. Прокопенко, В. Г. Манжула Радиационно-стойкий измерительный усилитель на базе мультидифференциальных входных каскадов [Электронный ресурс] // «Инженерный вестник Дона», 2012, № 3. — Режим доступа: http://www.ivdon.ru/magazine/archive/n3y2012/1045 (доступ свободный) — Загл. с экрана. — Яз. рус.
- 6. Н. Н. Прокопенко, А. И. Серебряков, Д. Н. Конев Архитектура аналоговых микросхем с повышенной стабильностью нулевого уровня в условиях температурных и радиационных воздействий [Текст] // Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА: материалы VIII Всероссийской научно-технической конференции. — М.: ФГУП «НПП «Пульсар», 2009. — С. 29−31.
- 7. Н. Н. Прокопенко, А. И. Серебряков, П. С. Будяков Компенсация напряжения смещения нуля операционных усилителей с несимметричным включением активной нагрузки [Текст] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Информатика, Телекоммуникации. Управление. СПб: Изд-во СПбГПУ, 2010. № 3 (101). — С. 196−200
- 8. Н. Н. Прокопенко, П. С. Будяков, А. И. Серебряков Автономные параметры транзисторов базового матричного кристалла АБМК1_3 в условиях радиационных и температурных воздействий [Текст] // Проблемы разработки перспективных микрои наноэлектронных систем — 2012. Сборник трудов /под общ. ред. академика РАН А. Л. Стемпковского. — М.: ИППМ РАН, 2012. — С. 294−297
- 9. N.N. Prokopenko, A.I. Serebryakov, D.N. Konev The BiFET-Technology Voltage Analog Multipliers Based on the Radiation Resistant ABMC «Integral» // International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON-2009). Proceedings. — Tomsk: The Tomsk IEEE Chapter&Student Branch. Russia, Tomsk, March 27−28, 2009. — P.P. 244−248.
- 10. Close, J., «High speed op amps: Performance, process and topologies,» Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2012 IEEE, vol., no., pp. 1,8, Sept. 30 2012;Oct. 3 2012 doi: 10.1109/BCTM.2012.6 352 648
- 11. Н. Н. Прокопенко, А. И. Серебряков Архитектура и схемотехника операционных усилителей. Методы снижения напряжения смещения нуля в условиях температурных и радиационных воздействий: монография [Электронный ресурс] // Изд-во: LAMBERT Academic Publishing. — 2013. 127c. — Режим доступа: http://www.lap-publishing.com/catalog/details/store/es/book/978−3-659−34 664−4 / Архитектура-и-схемотехника-операционных-усилителей. — Яз. рус.