ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ЀизичСскиС основы нанСсСния Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ВсС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ, Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹ ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΡƒ распылСния, ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π½Π° Π΄Π²Π΅ большиС Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹: ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ случаС Π²Ρ‹Π±ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² мишСни происходит ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм Π±ΠΎΠΌΠ±Π°Ρ€Π΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡƒΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ энСргии. Π₯Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² являСтся отсутствиС нСобходимости ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ЀизичСскиС основы нанСсСния Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ЀизичСскиС основы нанСсСния Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ

  • Π‘ΠžΠ”Π•Π Π–ΠΠΠ˜Π•
  • Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅
  • 1 ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ стадии ΠΈ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ процСсса нанСсСния Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ
  • 2 ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² осаТдСния Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ
  • 3 Π˜ΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°
  • 4 ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ рСзистивным испарСниСм
  • 5 Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ΅ нанСсСниС Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ
  • 6 Π›Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ нанСсСниС ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ
  • 7 Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄ΡƒΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ нанСсСниС ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ
  • Бписок ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… источников

Π’ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ мСталличСскиС покрытия Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π€Π°Ρ€Π°Π΄Π΅Π΅ΠΌ Π² 1857 Π³. ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ экспСримСнтов ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Π½ΠΈΡŽ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… элСктричСских Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΡƒ. Π’ 1887 Π³. ΠΠ°Ρ€Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ΄ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ срСды Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ использовал Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌ. Π”ΠΎ 50-Ρ… Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ² вакуумная мСталлизация ΠΈΠΌΠ΅Π»Π° вСсьма ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π»Π°ΡΡŒ, Π² ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΌ, для Π΄Π΅ΠΊΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π», Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ², элСмСнтов Π½Π°ΡƒΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ². Π‘ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ эта тСхнология ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»Π° Π² ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с Π΅Π΅ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ микроэлСктроники. ΠžΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ тСхнологичСскиС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ для нанСсСния Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π½Π° ΠΌΠ°ΡˆΠΈΠ½ΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ с Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΈΡ… ΡΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… свойств. Π’ 1959 Π³. Π±Ρ‹Π»Π° Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π² ΡΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡŽ пСрвая вакуумная линия, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Π½Π°Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ Π°Π½Ρ‚ΠΈΠΊΠΎΡ€Ρ€ΠΎΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ покрытия (алюминия, кадмия, Ρ‚ΠΈΡ‚Π°Π½Π°) Π½Π° ΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ„ΠΎΠ»ΡŒΠ³Ρƒ. Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя благодаря Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΡŽ, Π² ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΌ, Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ осаТдСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ распространСниС ΠΈ Π² Ρ€ΡΠ΄Π΅ случаСв ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ СдинствСнными эффСктивными тСхнологичСскими ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ долговСчности ΠΈ ΠΈΠ·Π½ΠΎΡΠΎΡΡ‚ойкости ΠΌΠ°ΡˆΠΈΠ½ΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ. Они ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ нанСсСния Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… слоСв (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΌΠΈ, химичСскими, газотСрмичСскими) Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ прСимущСствами:

1. Высокая ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ процСсса нанСсСния покрытия. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ установки, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… осаТдСниС покрытия осущСствляСтся со ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎ 20 ΠΊΠ³/ΠΌΠΈΠ½. Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ пСрСмСщСния Π»Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 10 ΠΌ/с. Π˜ΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ дСйствия, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΡΠ°ΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ покрытия Π½Π° Π»ΠΈΡΡ‚Ρ‹ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ со ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎ 10 ΠΌ/с. Π­Ρ‚ΠΎ стало Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Π² Ρ€ΡΠ΄Π΅ случаСв благодаря Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ процСсса, использованию Π­Π’Πœ.

2. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ получСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π² Ρ‡ΠΈΡΡ‚Ρ‹Ρ… условиях ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ слСдствиС этого, достиТСниС ΠΈΡ… Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ качСства. ΠŸΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΡ наносятся Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π =10−2 Па ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт практичСски ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ загрязнСния ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° покрытия. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ повСрхности, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ρ‚Π»Π΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ разрядом, обСспСчиваСт ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности адсорбированных слоСв тСхнологичСских Π³Π°Π·ΠΎΠ².

3. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ получСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ практичСски ΠΈΠ· Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС ΠΈ ΠΈΠ· ΡΠΏΠ»Π°Π²ΠΎΠ², химичСских соСдинСний. НаиболСС часто ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ получСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ слоТного состава, Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Π² ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ исходного ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° Π² ΡΡ€Π΅Π΄Π΅ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-способного Π³Π°Π·Π° ΠΈ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠΈ условий, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ химичСскиС Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, приводящиС ΠΊ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ химичСских соСдинСний. ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹ этих Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΉ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅, Ρ‚. ΠΊ. процСсс химичСского взаимодСйствия ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности.

Π Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ покрытия, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, SiO2, Al2O3 (ΠΊΠΎΡ€ΡƒΠ½Π΄), TiN, TiC ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅.

4. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ нанСсСния многослойных ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΎΠΌ тСхнологичСском Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π΅. НапримСр, с Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ износостойкости Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅ повСрхности Ρ€Π΅ΠΆΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ инструмСнта Π·Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Ρ†ΠΈΠΊΠ» ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Ρ‡ΠΊΠΈ Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π° Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ наносят многослойноС ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Ti, TiN, TiCN, TiC.

5. Высокая Π²ΠΎΡΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ структуры ΠΈ ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… слоСв. ПолноС ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ хрупкости, которая Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, для Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ.

6. Π’Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ экологичСски чистыми. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΡ… Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ся химичСски Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ вСщСства, Π²Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΎΠ΅ экологичСскоС воздСйствиС Π½Π° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ срСду практичСски отсутствуСт.

1 ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ стадии ΠΈ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ процСсса нанСсСния Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ

ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ нанСсСния Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… основных стадий:

— ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹ (гСнСрация ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ², Π»Π΅Ρ‚ΡƒΡ‡ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ²);

— ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΎΡ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ², частиц вСщСства ΠΎΡ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠ° Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ повСрхности;

— Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΠ΅ частиц Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹ с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ покрытия.

ВсС извСстныС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ способами Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹, Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡΠΌΠΈ массопСрСноса ΠΈ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ.

НСобходимым условиСм получСния качСствСнных ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ являСтся созданиС Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ высокого Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт:

1. Π˜ΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ процСсс окислСния ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° Π΄ΠΎ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€.

2. Π˜ΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ химичСскоС взаимодСйствиС Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹ с ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Π°ΠΌΠΈ остаточных Π³Π°Π·ΠΎΠ². Π­Ρ‚ΠΎ рСализуСтся ΠΏΡ€ΠΈ условии Π»>d,

Π³Π΄Π΅ Π» — Π΄Π»ΠΈΠ½Π° свободного ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π΅Π³Π°; Π»=1/(?2nΡƒn); d — Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹; Ρƒ — ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ сСчСния взаимодСйствия; n — концСнтрация Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Π΅.

Π”Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ² Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ p ΠΈ ΠΈΡ… концСнтрация связаны ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ p=nkT. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ для Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ свободного ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π΅Π³Π°:

л=(kT)/(v2nуp).

ΠžΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Π  ~ 10−2 Па Π΄Π»ΠΈΠ½Π° свободного ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π΅Π³Π° Π»= 0,5 ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹.

3. Благодаря Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΡƒ устраняСтся Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΠ±ΠΌΠ΅Π½ Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ тСплопроводности Π³Π°Π·ΠΎΠ² ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ.

4. ИспользованиС Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ° позволяСт ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ очистку повСрхности, ΡƒΠ΄Π°Π»ΡΡ‚ΡŒ адсорбированныС Π³Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ слои. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ очистки повСрхности Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π΅Π΅ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π΅ Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ 250…300 Β°Π‘, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ происходит ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ адсорбированных ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π²Π»Π°Π³ΠΈ, органичСских загрязнСний ΠΈ Ρ‚. дю, ΠΈ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ повСрхности.

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΌ нанСсСнии покрытия ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ трСбования ΠΊ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ, Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΎΠ½ΠΎ формируСтся:

1. ПодлоТка Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ нанСсСния покрытия Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒ Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅ Π»Π΅Ρ‚ΡƒΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹. Часто ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ, Π² Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ газовыдСлСния ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π°Π½Ρ‚ΠΈΠ΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ слоСм, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ прСпятствуСт Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π»Π΅Ρ‚ΡƒΡ‡ΠΈΡ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌ ΠΈΠ· ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ° ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°.

2. Π‘ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚ричСской Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌ воздСйствии, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСсто ΠΏΡ€ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ покрытия. Π”Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ условиС особСнно Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π½ΠΈΠ·ΠΊΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ.

Π’ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡΡ… Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° выполняСтся Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅, Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΈ, исходящиС ΠΈΠ· Π·ΠΎΠ½Ρ‹ парообразования, Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ прямолинСйно ΠΈ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‚ Π΄Π²ΡƒΠΌ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Π°ΠΌ Π›Π°ΠΌΠ±Π΅Ρ€Ρ‚Π°.

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ Π›Π°ΠΌΠ±Π΅Ρ€Ρ‚Π°: ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π½ΡΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ испускаСмых ΠΏΠΎΠ΄ ΡƒΠ³Π»ΠΎΠΌ Ρ† ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности парообразования Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½Ρ‹Ρ… частиц ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π° cosΡ† (jΡ† ~ cosΡ†, Π³Π΄Π΅ Ρ†ΡƒΠ³ΠΎΠ» ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ распространСния частиц ΠΈ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΡŽ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности порообразования (рисунок 1)).

Рисунок 7.1 — ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ распрСдСлСниС испарСнных частиц

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ Π›Π°ΠΌΠ±Π΅Ρ€Ρ‚Π°: ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π° ΠΊΠ²Π°Π΄Ρ€Π°Ρ‚Ρƒ расстояния ΠΎΡ‚ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ² Π΄ΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ рСгистрируСтся ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°.

По ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ, ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² j= N/(St) (N-количСство Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ², ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π½Π° Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ S Π·Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ t). Π’ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Π° Π›Π°ΠΌΠ±Π΅Ρ€Ρ‚Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ

N/(St) ~ 1/r2.

На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ΠΎΠ² прСдоставляСтся Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ расчСта Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ наносимых ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ, опрСдСлСния ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… конструкционных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… установок.

2 ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² осаТдСния Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ

НаиболСС распространСна классификация, Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ° Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° всС извСстныС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ условно Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Π½Π° ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄Π° Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Ρ„Π°Π·Ρƒ ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΡƒ испарСния ΠΈ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Ρ‹ образования Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ распылСния мишСни ΠΈΠΎΠ½Π°ΠΌΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ высокоэнСргСтичными Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ°ΠΌΠΈ (рисунок 2):

НанСсСниС ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅

Рисунок 2 — ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ

Π“Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π³Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΈ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ значСниями энСргии частиц, стСпСни ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ, плотности. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ покрытия, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΈΠ· Ρ€Π°ΡΠΏΡ‹Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ испарСнных частиц, ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ структурой ΠΈ, соотвСтствСнно, свойствами.

Π’ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹ энСргСтичСского воздСйствия Π½Π° ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΡΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ вСщСство Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚:

1) рСзистивноС испарСниС. Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Ρ„Π°Π·Ρƒ происходит ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°, Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ элСктричСского Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистивный элСмСнт ΠΈΠ»ΠΈ испаряСмоС вСщСство;

2) элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ΅ испарСниС. НагрСв ΠΈ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ вСщСства ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ дСйствии Π½Π° Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов;

3) Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ испарСниС. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌ энСргии Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ способС являСтся монохроматичСскоС элСктромагнитноС (Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅) ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅;

4) элСктродуговоС испарСниС. ГСнСрация Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹ происходит Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ горСния элСктричСской Π΄ΡƒΠ³ΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΈ этом Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Ρ‹;

5) ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ испарСниС. ΠžΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ² осущСствляСтся Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистивный элСмСнт ΠΈΠ»ΠΈ испаряСмый ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π» ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², создаваСмых внСшним высокочастотным ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ.

ВсС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ, Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹ ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΡƒ распылСния, ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π½Π° Π΄Π²Π΅ большиС Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹: ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ случаС Π²Ρ‹Π±ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² мишСни происходит ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм Π±ΠΎΠΌΠ±Π°Ρ€Π΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡƒΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ энСргии. Π₯Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² являСтся отсутствиС нСобходимости ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Π½Π° Ρ€Π°ΡΠΏΡ‹Π»ΡΠ΅ΠΌΡƒΡŽ мишСнь элСктричСского ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π°. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ распылСнии мишСнь находится Π² ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΡ‹. Под дСйствиСм элСктричСского поля ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΎΠ½Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ· ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΡ‹ ΠΈ Π±ΠΎΠΌΠ±Π°Ρ€Π΄ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ мишСнь, вызывая Π΅Π΅ Ρ€Π°ΡΠΏΡ‹Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Π’ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π° создания ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ разновидности ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ распылСния: ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅, ΠΌΠ°Π³Π½Π΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅, высокочастотноС ΠΈ Ρ€Π°ΡΠΏΡ‹Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½Π΅ΡΠ°ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ разрядС.

3 Π˜ΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°

Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя физичСскиС основы процСссов испарСния ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° достаточно ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹. Π‘ΠΎΠ·Π΄Π°Π½Π° ΠΈΡΡ‡Π΅Ρ€ΠΏΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ тСория, ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ испарСниС ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² ΠΈ ΡΠΏΠ»Π°Π²ΠΎΠ². Π’ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ этой Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠΈ Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ полоТСния молСкулярно-кинСтичСской Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠΈ Π³Π°Π·ΠΎΠ².

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ испарСниС Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°, являСтся ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π“Π΅Ρ€Ρ†Π° — ΠšΠ½ΡƒΠ΄ΡΠ΅Π½Π°:

Π³Π΄Π΅ — число Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ², ΠΏΠΎΠΊΠΈΠ΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ S; - масса этих Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ²; - постоянная Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡ†ΠΌΠ°Π½Π°; - тСрмодинамичСскиС равновСсноС Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅; - гидростатичСскоС Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ испарСнных вСщСств Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Π΅.

Анализ уравнСния Π“Π΅Ρ€Ρ†Π° — ΠšΠ½ΡƒΠ΄ΡΠ΅Π½Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ испарСниС ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСсто практичСски ΠΏΡ€ΠΈ любой Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅. Π”Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ всСгда ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ вСщСства, Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ (ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ) ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ. Π’ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π·Π° Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ испарСния принимаСтся Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° вСщСства, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΈ с Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ~ 1 Па (10−2 ΠΌΠΌ Ρ€Ρ‚.ст.), ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ нанСсСниС ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ со ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ v > 0,1 Π½ΠΌ/c. Π”Π°Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡŽ для большого числа ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² соотвСтствуСт Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° испарСния ΠΎΡ‚ 1000 Π΄ΠΎ 2000 Β°C.

Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Ρ„Π°Π·Ρƒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ°ΠΌ Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΠ΅ Ρ‚Π΅Π»ΠΎ — ΠΏΠ°Ρ€ (Π²ΠΎΠ·Π³ΠΎΠ½ΠΊΠ°) ΠΈΠ»ΠΈ ΠΆΠΈΠ΄ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ — ΠΏΠ°Ρ€.

Π˜ΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ вСщСства Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅ осущСствляСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ устройства — испаритСля. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» испаритСля Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ основным трСбованиям:

Π°) Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° испаритСля ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ испарСния Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎ. ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ этого условия Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ химичСски чистых ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ этого Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ эксплуатации испаритСля Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅;

Π±) ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ испаритСля Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ ΡΠΌΠ°Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ расплавом испаряСмого вСщСства ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ обСспСчиваСтся Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚;

Π²) испаряСмоС вСщСство Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ химичСских соСдинСний с ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ испаритСля. Π­Ρ‚ΠΎ допустимо Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, Ссли ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ химичСскиС соСдинСния ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ трСбованиям;

Π³) ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» испаритСля Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточно пластичным ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ся Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ получСния ΠΈΠ· Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ слоТной Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹.

4 ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ рСзистивным испарСниСм

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ покрытия, осаТдСнныС ΠΈΠ· ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° испарСнных Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ², Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π»ΠΎΡΡŒ, Π€Π°Ρ€Π°Π΄Π΅Π΅ΠΌ Π² 1857 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΎΠ² с ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ мСталличСских ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊ Π² ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ‚Π½ΠΎΠΉ атмосфСрС ΠΏΡ€ΠΈ пропускании Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΡ… элСктричСского Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя эта тСхнология ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ алюминия, ΠΌΠ΅Π΄ΠΈ, кадмия, Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ², ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ испарСния.

ВСхнология получСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ рСзистивным испарСниСм характСризуСтся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ основными достоинствами:

1) Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΈΠ· ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ², диэлСктриков, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²;

2) тСхнология рСализуСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ простых устройств;

3) Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ осаТдСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΉ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Π΅Π΅ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ…;

ВмСстС с Ρ‚Π΅ΠΌ данная тСхнология ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ нСдостатки:

1) высокая ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ процСсса испарСния;

2) Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ управлСния ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ²;

3) низкая ионизация Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² Π² ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ слСдствиС этого, нСвысокая адгСзия ΠΈ ΡΠΏΠ»ΠΎΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ осаТдаСмых ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ;

4) Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π° Π² Ρ€ΡΠ΄Π΅ случаСв Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ получСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΈΠ· Ρ‚ΡƒΠ³ΠΎΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΈΡ… ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ².

НагрСв ΠΈ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ вСщСства, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π»ΠΎΡΡŒ, ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ испаритСлСй. РСзистивныС испаритСли Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅, Π»Π΅Π½Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅, Ρ‚ΠΈΠ³Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅.

ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ испаритСли Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ простотой конструкции ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ изготовлСния. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° испаритСли, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΡƒΠ³ΠΎΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Ρ‹: Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ„Ρ€Π°ΠΌ, ΠΌΠΎΠ»ΠΈΠ±Π΄Π΅Π½, Ρ‚Π°Π½Ρ‚Π°Π» ΠΈ Π΄Ρ€. Π€ΠΎΡ€ΠΌΠ° испаритСля ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ. НСкоторыС Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ часто Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ конструкций ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… испаритСлСй ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 3.

Рисунок 3 — ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ испаритСли: Π° — Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ шпильки; Π± — ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π½ΠΈΡ‚ΡŒ; Π²— ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΆΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ ΡΠΏΠΈΡ€Π°Π»ΡŒ; Π³-стСрТнСвой Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ„Ρ€Π°ΠΌΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ; Π΄ — коничСская ΡΠΏΠΈΡ€Π°Π»ΡŒ

Π”ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΈ — 0,5−1,5 ΠΌΠΌ, ΠΈ ΠΎΠ½Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎ ΡΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ, Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅.

ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ испаритСли ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ основныС нСдостатки:

— Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΊΠΈ;

— ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΡΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… испаритСлСй Π°Ρ‚ΠΎΠΌΡ‹ вСщСства Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ Π²ΡΠ΅ΠΌ направлСниям ΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ (коэффициСнт ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ использования испаряСмого ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° Π½ΠΈΠ·ΠΎΠΊ).

Π›Π΅Π½Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ изготовляСтся ΠΈΠ· Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… пластин, Π»Π΅Π½Ρ‚ Ρ‚ΡƒΠ³ΠΎΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΈΡ… ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ углублСния, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ помСщаСтся испаряСмоС вСщСство (рисунок 4). Они просты ΠΏΠΎ ΡΠ²ΠΎΠ΅ΠΉ конструкции ΠΈ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΡΡŽΡ‚ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΡ‹ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° Π² Ρ‚СлСсном ΡƒΠ³Π»Π΅ 2Ρ€. ВмСстС с Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ экономичны ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ испаритСлями.

Рисунок 4 — Π›Π΅Π½Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ: 1, 2 ΠΈ 3 — повСрхностныС испаритСли; 4 — Π»ΠΎΠ΄ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ; 5- 9 — цилиндричСскиС испаритСли

Π’ΠΈΠ³Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ прСдставляСт собой Π²Π°Π½Π½Ρƒ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π». ВигСль ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС для достиТСния Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ испарСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ элСмСнт. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° тигля примСняСтся BeO (Π’ΠΏΠ» ~ 1800 Β°C), ToO (TΠΏΠ» — 2200 Β°C), Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΡ‚, Al2O3, W, Mo, Ta, TrO2 ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Ρ‚ΡƒΠ³ΠΎΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΈΠ΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹. Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ‚ΠΈΠ³Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… испаритСлСй Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ нанСсСниС толстых ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π±Π΅Π· примСнСния ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСм ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ испаряСмого ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° Π² Π·ΠΎΠ½Ρƒ испарСния. Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ΠΎ большоС число конструкций испаритСлСй ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Основной нСдостаток ΠΈΡ… Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π³Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΈ Π²Ρ‹Π½ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ сквозь объСм расплавлСнного ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокая Ρƒ ΡΡ‚Π΅Π½ΠΎΠΊ тигля. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ высоких Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… испарСния (скорости испарСния) Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… содСрТится капСльная Ρ„Π°Π·Π°. ΠŸΡ€ΠΈ осаТдСнии капСль ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-мСханичСскиС свойства ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ трудности ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ процСсс получСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΈΠ· ΡΠΏΠ»Π°Π²ΠΎΠ², соСдинСний слоТного состава. ΠŸΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΡ ΠΈΠ· ΡΠΏΠ»Π°Π²ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ двумя основными способами:

1. НагрСв ΠΈ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ сплава. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ испаряСтся ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° сплава, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰Π°Ρ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокоС равновСсноС Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ². Π’ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности образуСтся ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ с Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π΅ химичСским составом. Для выравнивания химичСского состава Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ покрытия ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€Π³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ (Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΡ‚ΠΆΠΈΠ³Ρƒ).

2. НанСсСниС покрытия ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ испарСния ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ ΠΈΠ· ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… испаритСлСй. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π»Π°Ρ‚ΡƒΠ½Π½Ρ‹Π΅ покрытия, испаряя ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСдь ΠΈ Ρ†ΠΈΠ½ΠΊ. Основной нСдостаток Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…одимости ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ для получСния ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ (ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΡƒ ΠΈΠ»ΠΈ испаритСли, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ экраны ΠΈ Ρ‚. ΠΏ.).

Π’ Ρ€ΡΠ΄Π΅ тСхнологичСских Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ испарСнии сплавов с Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ обСспСчСния сохранСния стСхиомСтричСского состава покрытия ΠΈ Π΄ΠΎΡΡ‚иТСния Π΅Π³ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоких Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-мСханичСских свойств ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ Π²Π·Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ испарСния (Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π²ΡΠΏΡ‹ΡˆΠΊΠΈ). Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ испаритСля ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° испарСния вСщСства. ΠŸΡ€ΠΈ высокой Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ испарСнии ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΈ высокой плотности, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ высокой ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒΡŽ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ испаритСли ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ систСму дискрСтной Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ вСщСства Π² Π·ΠΎΠ½Ρƒ испарСния (рисунок 5).

Рисунок 5 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° устройства для нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π²Π·Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ испарСния: 1- Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Π²ΠΎΠ΄Ρ‹: 2— ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ: 3 — ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²Ρ‹ΠΉ экран: 4 — ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ°; 5- Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ: 6 — - Π±ΡƒΠ½ΠΊΠ΅Ρ€: 7 — ΠΏΠ΅Ρ‡ΡŒ для обСзгаТивания ΠΏΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΊΠ°; 8 — диск; 9— ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄; 10— Π»ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ; 11 — экран; 12 — скрСбок

ΠŸΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎΠΊ ΠΈΠ· Π±ΡƒΠ½ΠΊΠ΅Ρ€Π° 6 поступаСт Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ диска 8 ΠΈ ΠΌΠΎΠ»ΠΈΠ±Π΄Π΅Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ скрСбком 12 направляСтся Π² Π»ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ 10 ΠΈ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ Π² ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ 2. Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π° 9 обСспСчиваСтся Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΊΠ°. Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π·Π°Π·ΠΎΡ€Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ диском ΠΈ Π±ΡƒΠ½ΠΊΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ. Π›ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ снабТСн экраном 11. Для охлаТдСния Π»ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π² ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ подаСтся Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Π²ΠΎΠ΄.

Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ устройства ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТными. Π’ Ρ€ΡΠ΄Π΅ конструкций прСдусмотрСно, Π² Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡƒΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π»ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΉ ΠΈ Π΅Π³ΠΎ экранированиС ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности испарСния. Π’Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ являСтся Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ испаряСмого ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΈΠ»ΠΈ смСси ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ испаритСля, Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ частиц, скорости ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Π² ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ.

5 Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ΅ нанСсСниС Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ

ΠŸΡ€ΠΈ элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ нанСсСнии Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² ΠΈ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ вСщСства ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ дСйствия элСктронов, Π±ΠΎΠΌΠ±Π°Ρ€Π΄ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΡΠ΅ΠΌΡƒΡŽ мишСнь. Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ покрытия ΠΈΠ· ΡΠΏΠ»Π°Π²ΠΎΠ² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ², ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ диэлСктриков. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ΅ нанСсСниС ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ характСризуСтся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ прСимущСствами:

1. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ получСния высоких ΠΏΠΎ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ности ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° энСргий Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡƒΡ‡ΠΊΠ΅ jэ ~ 5Β· 108 Π’Ρ‚/см2 (для испарСния ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² достаточны ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΈ с ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΠ΅ΠΉ Π² 103 Ρ€Π°Π· Π½ΠΈΠΆΠ΅). ΠŸΡ€ΠΈ этом Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ дСйствия элСктронов ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ~ 10 000 Β°C, поэтому этим ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ осущСствляСтся испарСниС практичСски Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ…, Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΡƒΠ³ΠΎΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΈΡ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ².

2. ΠŸΠ°Ρ€ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ происходит Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ваТная ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ процСсса. ΠŸΡ€ΠΈ рСзистивном испарСнии Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° достигаСтся Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° расплавлСнного ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ испаритСля. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ проходят Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· расплав ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ появлСниС Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ капСльной Ρ„Π°Π·Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈ элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ испарСнии капСльная Ρ„Π°Π·Π° практичСски отсутствуСт.

3. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΡΠΊΠ°Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ элСктронов ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности мишСни, ΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈ использовании составных Ρ‚ΠΈΠ³Π»Π΅ΠΉ достаточно просто ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ химичСский состав испаряСмых частиц ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ранствСнноС распрСдСлСниС.

4. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ процСсса испарСния ΠΈ, соотвСтствСнно, нанСсСния покрытия Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ.

5. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ химичСски чистых ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ, Ρ‚.ΠΊ. нагрСваСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ испаряСмый ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π».

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ΠΎ большоС число конструкций элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… испаритСлСй, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, для ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π° ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ внСшниС ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ поля. Π’ Ρ€ΡΠ΄Π΅ устройств для нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π°Π΅ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… испаритСлСй, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΡΠ΅Ρ‚ ΠΈΡ… Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, позволяСт, Π² Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, ΠΎΡΠ°ΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ покрытия слоТного состава. НаиболСС простая схСма Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ процСсса нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ прСдставлСны Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΎΠΊ 7.10.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ нСдостатком элСктронных ΠΏΡƒΡˆΠ΅ΠΊ являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для ΠΈΡ… ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ достаточно Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ (p<10−2 Па). Π’ ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΎΠΌ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ элСктричСских разрядов ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ элСктродами, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡƒΡˆΠΊΠΈ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, ΠΊΠ°ΠΊ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ° 6, ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ источник ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΡƒΡŽ систСму ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Ρ‡ΠΊΠΈ.

Π₯Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ основными ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ:

— ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΏΡƒΡˆΠΊΠΈ Π΄ΠΎ 10 ΠΊΠ’;

— ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° j~104…105 Π’Ρ‚/см2;

— ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ испарСния 2Β· 103…2Β·10−2 Π³/см2Β· с;

— ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ роста ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ — 10…60 Π½ΠΌ/с.

Рисунок 6 — ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма процСсса нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ прямым элСктроннолучСвым Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΡƒΡˆΠ΅ΠΊ: 1 — ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠ³Π»ΠΈ; 2 — ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ издСлия; 3 — приспособлСниС для крСплСния ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ; 4 —элСктроннолучСвыС ΠΏΡƒΡˆΠΊΠΈ; 5 —рСзистивный Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ

Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚Π½Ρ‹ элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΏΡƒΡˆΠΊΠΈ для напылСния ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎ 100 ΠΊΠ’Ρ‚ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅. ΠŸΡ€ΠΈ столкновСнии элСктрона с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ испаряСмого ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 70…90% Π΅Π³ΠΎ кинСтичСской энСргии Π² Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΌ повСрхностном слоС прСвращаСтся Π² Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΡƒΡŽ, ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ расходуСтся Π½Π° Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии ΠΈ Ρ€Π΅Π½Ρ‚гСновского излучСния.

Для характСристики процСсса испарСния вводят ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ — ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ процСсса испарСния ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΡΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π². Π­Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° числСнно Ρ€Π°Π²Π½Π° количСству вСщСства, испаряСмого Π² Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… условиях ΠΏΡ€ΠΈ энСргозатратах, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… 1 Π”ΠΆ. Для элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ испаритСля ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π²=3Β· 10−6 Π³/Π”ΠΆ.

Π˜ΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов частицы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΊΠΈΠ½Π΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ порядка 0,1…0,3 эВ (ΠΏΡ€ΠΈ рСзистивном испарСнии эта Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΈ ΡΠΎΡΡ‚авляСт 0,01…0,001 эВ), Ρ‡Ρ‚ΠΎ способствуСт Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокими свойствами (Π°Π΄Π³Π΅Π·ΠΈΠ΅ΠΉ, ΡΠΏΠ»ΠΎΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Π΄Ρ€.).

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ основныС нСдостатки:

— Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ использованиС источников высокого напряТСния (Π΄ΠΎ 10 ΠΊΠ’), Ρ‡Ρ‚ΠΎ опрСдСляСт слоТности ΠΈΡ… ΡΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ;

— ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСвысокий ΠšΠŸΠ” элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… устройств. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ 25% потрСбляСмой мощности ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ элСктронноС ΠΈ Ρ€Π΅Π½Ρ‚гСновскоС ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² тигля ΠΈ Ρ‚. Π΄.;

— Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ роста покрытия ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ подвСргаСтся Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ высокоэнСргСтичных элСктронов. Π­Ρ‚ΠΈ элСктроны способны Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Ρ‹ Π² Ρ€Π°ΡΡ‚ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ΅, Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π΅ Ρ€Π°ΡΠΏΡ‹Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π½ΠΈΠΈ этих элСктронов Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ тСхнологичСской оснастки Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π³Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ сказываСтся Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ наносимых ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ.

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ΅ испарСниС диэлСктриков ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ряд особСнностСй, основная ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ высокоС элСктричСскоС сопротивлСниС ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ взаимодСйствии с Π½Π΅ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов происходит Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктронов Π² ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностном слоС (зарядка повСрхности) ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅, Π² ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅, тормозящСго элСктричСского поля.

Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ дСйствия ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ зарядки повСрхности ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ основныС процСссы:

1) вторичная элСктронная эмиссия;

2) унос адсорбированного заряда с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности испарСнными частицами.

Π’ΠΎΠ³Π΄Π° с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… процСссов Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΊΠΈΠ½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΡƒ зарядки повСрхности ΠΈ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Π° сохранСния элСктричСского заряда, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прСдставлСно Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅

. (7.5)

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ qΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ повСрхностного заряда, адсорбированного Π½Π° Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠ΅; jэ-ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов; vΡƒΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС элСктронной ΠΏΡƒΡˆΠΊΠΈ; - ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ массы мишСни ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ испарСния (Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ); - ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ испарСнных частиц; - коэффициСнт Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной эмиссии, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ числСнно Ρ€Π°Π²Π΅Π½ количСству элСктронов, Π²Ρ‹Π±ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΏΡ€ΠΈ дСйствии Π½Π° Π½Π΅Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктрона.

ЗначСниСопрСдСляСтся ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ сильно зависит ΠΎΡ‚ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΠΈ элСктронов. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ эта Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ описана Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ

(7.6)

Π³Π΄Π΅ 0, d — Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹, зависящиС ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹ диэлСктрика; Π΅ — заряд элСктрона.

Если элСктрон ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ большой энСргиСй, Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной эмиссии мСньшС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии испарСния Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ зарядка повСрхности Π΄ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π°, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρƒ ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода ΠΏΡƒΡˆΠΊΠΈ. Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» повСрхности опрСдСляСтся Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ адсорбированного заряда q ΠΈ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ повСрхностного слоя Π‘. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° эффСктивная энСргия элСктронов, Π±ΠΎΠΌΠ±Π°Ρ€Π΄ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π•=Π΅U =Π΅ (UΡƒq/Π‘), (7.7)

Π³Π΄Π΅ U — эффСктивноС ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС; UΡƒ — ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» элСктронной ΠΏΡƒΡˆΠΊΠΈ.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ уравнСния (7.5) ΡƒΡ‡Ρ‚Π΅ΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ (7.6), (7.7) ΠΈ Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ dm/dt= - Π±Ρ€ jэ (Π±Ρ€-ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт распылСния) ΠΈ dq/dt=-cdU/dt.

Π’ΠΎΠ³Π΄Π° ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ (7.5) прСобразуСтся ΠΊ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ

dU/dt=jэ (бo-1-U (d+вk))/c.

РСшСниСм Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ уравнСния ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ условии U (t=0)=UΡƒ являСтся Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅

U= U0 + (UΡƒ-U0)eΡ…Ρ€ (-t/э),

Π³Π΄Π΅ U0 ΠΈ э — Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ процСсса.

ГрафичСски кинСтичСская Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ энСргии элСктронов Π•=Π΅U прСдставлСна Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 7. По ΡΠ²ΠΎΠ΅ΠΌΡƒ физичСскому смыслу прСдставлСнный Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 7.11 ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ U0=Π•ΠΎ/Π΅, Π³Π΄Π΅ Π•ΠΎ — энСргия элСктронов, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ зарядка повСрхности (Π½Π΅Ρ‚ накоплСния зарядов). Π•ΠΎ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹ испаряСмой мишСни. Для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠ½Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ значСния 1…2,5 кэВ, для ПВЀЭ — Π•ΠΎ =1,5кэВ.

Из Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ аналитичСского рассмотрСния слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ основным тСхнологичСским ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ испарСния, являСтся ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов jэ. Π£ΡΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС элСктронной ΠΏΡƒΡˆΠΊΠΈ Π½Π΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ влияния Π½Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ диспСргирования ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ U0.

Рисунок 7 — ИзмСнСниС энСргии элСктронов Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ диэлСктричСской повСрхности Для увСличСния скорости испарСния диэлСктриков ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ тСхнологичСскиС ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΡ‹:

1. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² повСрхности мишСни Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ повСрхностная элСктричСская ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ возрастаСт ΠΈ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ°Π΅Ρ‚ся, соотвСтствСнно, ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ зарядки повСрхности.

2. Π˜ΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ диэлСктрика с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ элСктронных ΠΏΡƒΡˆΠ΅ΠΊ, ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΡ… ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… являСтся источником ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… элСктронов, ΠΏΡ€ΠΈ взаимодСйствии ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ происходит снятиС элСктричСского заряда.

3. ИспользованиС элСктронных ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ энСргиСй (рисунок 8).

Рисунок 8 — ИзмСнСниС энСргии элСктронов Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ испарСния

Π­Ρ‚ΠΎ достигаСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Π½Π° ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π°. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ элСктронной ΠΏΡƒΡˆΠΊΠΈ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΎΡ‚ t1 Π΄ΠΎ t2 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ снятиС повСрхностного заряда вслСдствиС интСнсивной Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии.

4.

Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π² Π·ΠΎΠ½Ρƒ испарСния мСталличСских элСктродов, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΌΠ΅Π΄Π½Ρ‹Ρ…, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ дСйствии Π½Π° Π½ΠΈΡ… высокоэнСргСтичных элСктронов ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ источником рСнтгСновского излучСния. РСнтгСновскоС ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, Π² ΡΠ²ΠΎΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈ взаимодСйствии с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ диэлСктрика Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ эмиссию. ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ элСктроды Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ слоя ΠΈ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΡŽ с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности диэлСктрика адсорбированных элСктричСских зарядов.

ΠŸΡ€ΠΈ воздСйствии ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ слоТныС Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-химичСскиС процСссы, приводящиС, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΌΠ°ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ», ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΡŽ элСктронно-стимулированных Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΉ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ низкомолСкулярныС Ρ„Ρ€Π°Π³ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ — ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹ элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ диспСргирования, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… условиях пСрСходят Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Ρ„Π°Π·Ρƒ (Π΄Π΅ΡΠΎΡ€Π±ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ). Бостав этих Π»Π΅Ρ‚ΡƒΡ‡ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… условиях ΠΎΠ½ΠΈ способны ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ°ΠΌ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Π΅, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности с ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя. Π”Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ процСссы Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ Π² ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ формирования Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΈΠ· Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹.

6 Π›Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ нанСсСниС ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² ΠΈ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ вСщСства ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠΎΠ³Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ элСктромагнитным ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° установки для Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ прСдставлСна Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 9.

Рисунок 9 — НанСсСниС ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ испарСния

ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ размСщаСтся Π²Π½Π΅ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΡ€ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ для излучСния ΠΎΠΊΠ½ΠΎ 4 Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Π»ΡƒΡ‡ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ 1, отраТаСтся ΠΎΡ‚ Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΠ΅Ρ‚ся Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ мишСни. Π‘ΠΊΠ°Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π»ΡƒΡ‡Π° осущСствляСтся, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ колСбания Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° 1. ΠŸΡ€ΠΈ воздСйствии Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π»ΡƒΡ‡Π° Π½Π° ΠΌΠΈΡˆΠ΅Π½ΡŒ 2 происходит испарСниС Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΈΡ… ΠΎΡΠ°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ 3.

ЛазСрная тСхнология нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ прСимущСства:

1. НСт нСобходимости Π² ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² ΡƒΡΡ‚ройствах для испарСния источников высоких напряТСний.

2. Π Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ достаточно чистыС условия нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ осущСствляСтся Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ мишСни.

3.Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ достиТСния Π² ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ высокой плотности энСргии — 108 …109 Π’Ρ‚/см2 ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ слСдствиС этого, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΈΠ· ΡΠ°ΠΌΡ‹Ρ… Ρ‚ΡƒΠ³ΠΎΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΈΡ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΈ Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠΎΠ².

4. Высокая мгновСнная ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ напылСния (103…105 Π½ΠΌ/с), Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ сказываСтся Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ слоСв; ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ являСтся Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ, ΡΠΏΠ»ΠΎΡˆΠ½Ρ‹ΠΌ, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡΠΏΠ΅Ρ€ΡΠ½ΡƒΡŽ структуру.

5. Высокая ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ процСсса испарСния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ТСсткиС трСбования ΠΊ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΠΈ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСм.

6. Высокая ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

Для испарСния ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ БО2-Π»Π°Π·Π΅Ρ€Ρ‹ с Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ излучСния Π»=10,6 ΠΌΠΊΠΌ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ (Ρ€ΡƒΠ±ΠΈΠ½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅) Π»Π°Π·Π΅Ρ€Ρ‹ с Π»=0,6943 ΠΌΠΊΠΌ ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Ρ‹ с Π»=1,06 ΠΌΠΊΠΌ.

Часто с Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ эффСктивности испарСния ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ систСмы. Для испарСния ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² ΠΈ ΡΠΏΠ»Π°Π²ΠΎΠ² Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ систСмы с Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² f = 50 Π“Ρ† ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° 10−8с. ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ излучСния составляСт 5Β· 108 …5Β· 109 Π’Ρ‚/см2. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивноС испарСниС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСсто ΠΏΡ€ΠΈ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ… Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния: частота f=10 ΠΊΠ“Ρ†, Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ~200 нс ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ΅ 107…108 Π’Ρ‚/см2.

Π‘ΠΊΠ°Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π»ΡƒΡ‡Π° ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности позволяСт Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΡΡ‚ΡŒ мишСнь ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ покрытия.

Π’Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΌ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-химичСским ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напылСния являСтся Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠžΠšΠ“. Он ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ испарСния ΠΈ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ испарСния, Π° ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствСнно, ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌ Π·Π°Ρ€ΠΎΠ΄Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ, структуру, свойства ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ.

Π’Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ основных Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠžΠšΠ“:

1. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ сСкундного ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° (БИ). Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ прСдоставляСтся Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ испарСния Π±Π΅Π· диссоциации Π΄Π°ΠΆΠ΅ самых слоТных органичСских соСдинСний. ΠŸΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ прСвращСния ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ равновСсный Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€.

2. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ миллисСкундного ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° (МИ). ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° диссоциация химичСских соСдинСний Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ дСйствия Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния.

3. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ наносСкундного ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° (НИ). ЭнСргия Π² ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠ°, поэтому Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ испарСния Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокиС ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, происходит полная диссоциация ΠΏΠ°Ρ€Π° ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ионизация.

УдСльная ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΡΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΠ˜ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ значСния ~0,01 ΠΌΠ³/Π”ΠΆ, ΠΏΡ€ΠΈ испарСнии Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ МИ — ΠΌΠ³/Π”ΠΆ.

Π’ ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ использования ΠΏΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… мишСнСй Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΠ˜ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСсто пространствСнно-Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ испарСнных частиц Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ΅. ΠŸΡ€ΠΈ испарСнии ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм наносСкундного ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΈ, состоящиС ΠΈΠ· ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ², ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ², ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠΈΠ½Π΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ образуСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ с Π·ΠΎΠ½Ρ‹ испарСния ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ частиц, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ элСктроны ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, многозарядныС ΠΈΠΎΠ½Ρ‹, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ (рисунок 10). Π˜Ρ… ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡ составляСт 100 эВ ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅.

Рисунок 10 — Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π° частиц, испаряСмых ΠΏΡ€ΠΈ воздСйствии Π½Π°

мишСнь Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ НИ

Π’ ΡΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΈΠ½Π΅ ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π° находятся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ однозарядныС ΠΈΠΎΠ½Ρ‹ ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹. Π—Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΉΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ частицы с ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΠ΅ΠΉ ~1эВ.

ΠŸΡ€ΠΈ дСйствии Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡƒΡ‡ΠΊΠ° Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм быстрых частиц происходит частичноС Ρ‚Ρ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Ρ‘ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностных слоСв, очистка ΠΎΡ‚ Π°Π±ΡΠΎΡ€Π±ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π³Π°Π·ΠΎΠ², происходит Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π². Π’ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностных слоях Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ воздСйствии Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ².

Из Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рассмотрСния слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΠ˜ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ тСхнологичСским ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ являСтся расстояниС ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности мишСни Π΄ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ. ИзмСняя это расстояниС, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ условия формирования покрытия. ΠŸΡ€ΠΈ достаточно большом ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π΅Π³Π΅ ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π° частиц ΠΈΠ·-Π·Π° различия Π² ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡ… ΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΡƒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€Π³Π°Π΅Ρ‚ся ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ. НСобходимо ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ нанСсСнии ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ испытываСт цикличСскиС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ влияниС Π½Π° ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρƒ ΠΈ ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π²Π° ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ.

7 Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄ΡƒΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ нанСсСниС ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ

ΠŸΡ€ΠΈ элСктродуговом нанСсСнии покрытия испарСниС ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° осущСствляСтся Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ горСния Π΄ΡƒΠ³ΠΈ вслСдствиС эрозии элСктрода. НаиболСС ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π΄ΡƒΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ испарСниС с Ρ…ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ расходуСмого ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π°. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° устройства, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ½ΠΎ производится, прСдставлСна Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 11.

Рисунок 11 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° элСктродугового испарСния с ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… пятСн:1-стСнки ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ (Π°Π½ΠΎΠ΄); 2-солСноид; 3-ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄; 4-ΠΏΠΎΠ΄ΠΆΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод; 5-ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅; 6 — ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ°; 7— Π·ΠΎΠ½Π° горСния Π΄ΡƒΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ разряда

ГСнСрация Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹ осущСствляСтся Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ дСйствия Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ разряда, Π² Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… участках — ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… пятнах Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΡƒΠ³ΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой участки повСрхности ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π°, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ~10−4…10−2 ΠΌΠΌ. Π’ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… пятнах ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ процСссы интСнсивной элСктронной эмиссии. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ число ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… пятСн ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ силС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄ΡƒΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ разряда. Для устойчивого горСния Π΄ΡƒΠ³ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π΄Π²ΡƒΡ… пятСн. Π’ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… пятнах ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 107 А/см2 ΠΈ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΠ΅Ρ‚ся ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 107…108 Π’Ρ‚/см2. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π³ΠΎΡ€Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΄ΡƒΠ³ΠΈ осущСствляСтся быстрый Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Π₯Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ для элСктродугового испарСния являСтся Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Π΅ большого количСства капСль ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠ°Ρ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² (Π΄ΠΎ 90%). Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ капСль зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚СплофизичСских свойств ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° горСния Π΄ΡƒΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ разряда ΠΈ ΡΠΎΡΡ‚авляСт ΠΎΡ‚ 1 Π΄ΠΎ 50 ΠΌΠΊΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ испарСнии Ρ‚ΡƒΠ³ΠΎΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² (Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ„Ρ€Π°ΠΌΠ°, ΠΌΠΎΠ»ΠΈΠ±Π΄Π΅Π½Π°, Ρ‚Π°Π½Ρ‚Π°Π»Π° ΠΈ Π΄Ρ€.) Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ содСрТатся ΠΊΠ°ΠΏΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 10 ΠΌΠΊΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈ испарСнии Π»Π΅Π³ΠΊΠΎΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΈΡ… — 25…50 ΠΌΠΊΠΌ ΠΈ ΠΈΡ… Π΄ΠΎΠ»Ρ Π² ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ возрастаСт Π΄ΠΎ10…30%.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ элСктродугового испаритСля ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ пятна вслСдствиС Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ отталкивания стрСмятся ΡƒΠΉΡ‚ΠΈ Π½Π° Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ измСняСтся Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ распрСдСлСния Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°. Для фиксации ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… пятСн Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ внСшнСС ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ (ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… пятСн) ΠΈΠ»ΠΈ экранированиС Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… повСрхностСй ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π° (испаритСли с ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ростатичСским ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ пятСн).

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ капСльной Ρ„Π°Π·Ρ‹ Π² ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π»Π΅Ρ‚ΡƒΡ‡ΠΈΡ… частиц являСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΡ… ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… нСдостатков элСктродугового нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ. Π”ΠΎ ΡΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ€ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ этих капСль. НаиболСС вСроятной ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ образования капСль ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠΈΠΏΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ΅ расплавлСнной Π²Π°Π½Π½Ρ‹ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π³Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡƒΠ·Ρ‹Ρ€Π΅ΠΉ ΠΈΠ· Ρ€Π°ΡΡ‚Π²ΠΎΡ€Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… тСхнологичСских Π³Π°Π·ΠΎΠ², находящихся Π² ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π°. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΡ… ΠΈΠ½Ρ‚Снсивном Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ расплавлСнных микрочастиц. Π’ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·Ρƒ этого прСдполоТСния ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ„Π°ΠΊΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ сниТСнии газосодСрТания Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 10−6% ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ капСль Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚.

Π₯Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π΄ΡƒΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ разряда ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ значСния:

— Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΡƒΠ³ΠΈ — ΠΎΡ‚10 Π΄ΠΎ 104 А;

— Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π°Π½ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (стСнками ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹) U~10…30 Π’;

— ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ осаТдСния покрытия ;

— ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΡΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π³/Π”ΠΆ.

Π’Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π»ΠΎΡΡŒ, Π΄ΠΎ 90% Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Π΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ этом энСргия частиц Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ составляСт Π΄ΠΎ 100 эВ. Π”Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ особСнности элСктродугового испарСния ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ достаточно эффСктивно ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ испарСнными ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ покрытия с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΈΠΌΠΈ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-мСханичСскими свойствами.

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄ΡƒΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ нанСсСниС покрытия ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ достоинства:

1) Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ совмСщСния Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΎΠΌ тСхнологичСском Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π΅ процСсса Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π° (ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ очистки) повСрхности Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ воздСйствия ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² с ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠΎΠΌ нанСсСния покрытия;

2) Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рСгулирования Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… скорости нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ (ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ измСнСния, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄ΡƒΠ³ΠΈ);

3) Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ нанСсСния слоТных ΠΏΠΎ Ρ…имичСскому составу ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ элСктродуговым осаТдСниСм;

4) высокая ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ процСсса, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ;

5) высокиС адгСзия ΠΈ ΡΠΏΠ»ΠΎΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ.

Основной нСдостаток рассматриваСмого ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π»ΠΎΡΡŒ, — Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ капСльной Ρ„Π°Π·Ρ‹. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠ°ΠΏΠ»ΠΈ, осаТдСнныС Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ покрытия, Π΅Π³ΠΎ ΡˆΠ΅Ρ€ΠΎΡ…ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ происходит вслСдствиС Π²Ρ‹ΠΊΡ€Π°ΡˆΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡ микрочастиц. Для сниТСния содСрТания капСльной Ρ„Π°Π·Ρ‹ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ тСхнологичСскиС ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΡ‹:

1) проводят Π΄Π΅Π³Π°Π·Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² (ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΈ);

2) ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΡΠ΅ΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСском ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΌ полях;

3) ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ испарСния. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄ΡƒΠ³ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ содСрТаниС капСльной Ρ„Π°Π·Ρ‹, которая нСблагоприятно сказываСтся Π½Π° ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π²Π°Ρ… покрытия. РСкомСндуСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ испарСниС ΠΏΡ€ΠΈ минимальном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π΄ΡƒΠ³ΠΈ. Однако Π² ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ сниТаСтся ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ осаТдСния покрытия, поэтому для получСния высокой ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ процСсса осаТдСния установки ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ нСсколькими элСктродуговыми испаритСлями. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΡƒΠ³Π»Π°ΠΌΠΈ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ позволяСт Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΡ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ.

ВСхнология нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ элСктродуговым испарСниСм Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ основныС стадии:

ΠžΡ‡ΠΈΡΡ‚ΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹Π²ΠΊΠ° Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ. НаиболСС эффСктивна очистка Π² ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π²Π°Π½Π½Π΅.

Π—Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ ΠΈ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ стСпСни Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ°.

НагрСв ΠΈ ΠΎΡ‡ΠΈΡΡ‚ΠΊΠ° Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π±ΠΎΠΌΠ±Π°Ρ€Π΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ (Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ элСктродуговой ΠΈΡΠΏΠ°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈ Π½Π° Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ подаСтся ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» смСщСния ~1000 Π’).

ПослС достиТСния Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π½Π° Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ прСкращаСтся ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ся нанСсСниС покрытия.

РазгСрмСтизация Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹, снятиС Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ качСства покрытия.

Бписок ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… источников

1. ΠšΠ°Ρ€Π³ΠΈΠ½ Π’. А., Блонимский Π“. Π›. ΠšΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΈΠ΅ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΏΠΎ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎΡ…ΠΈΠΌΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² / ΠšΠ°Ρ€Π³ΠΈΠ½ Π’. А., Блонимский Π“. Π›. — Πœ.: Π₯имия, 1967.

2. Π‘ΡƒΠ΄ΠΈΠ»ΠΎΠ² Π’. Π’. ЀизичСскиС основы Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎ-ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ нанСсСния ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ: Π£Ρ‡Π΅Π±. пособиС / Π’. Π’. — Π£Ρ„Π°, 1993.

3. Ланис Π’. А. ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ основы Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… испытаний / Ланис Π’. А., Π›Π΅Π²ΠΈΠ½Π° Π›. Π•. — Πœ. ГосэнСргоиздат, 1955.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ