Проектирование и пр-во РЭС.
Мед. техника
Но поскольку испарение происходит с поверхности вещества, необходимо. Каждый атом углерода в ковалентном алмазе участвует в четырех связях,. Где h, k, l — числа, обратные величине отрезков, отсекаемых плоскостью на. Выражении для энергии отталкивания n = 9. Найти энергию разделения ионов. Электронов соседних атомов. Координационное число в таких кристаллах. Симметричных решетках с плотной… Читать ещё >
Проектирование и пр-во РЭС. Мед. техника (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Содержание
- Материаловедение: практикум для студентов специальности Проектирование и пр-во РЭС, Электронно-опт. аппаратостроение, Мед. электроника всех форм обучения /
Тема 1. ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ И СТРОЕНИЕ ВЕЩЕСТВА
Необходимые теоретические сведения и расчетные формулы
Существует 4 основных вида химической связи: ионная (гетерополярная),
ковалентная (гомополярная), металлическая и молекулярная (ван-дер;
ваальсова). Первые три называются первичными, так как они относительно
прочные и возникают вследствие обмена или объединения валентных
электронов. Число находящихся в связи соседних ионов называется
координационным числом.
Полная энергия ионной связи ,
2 1
n
i
a
b
a
e Z Z
E +
⋅ ⋅
=
где Z
и Z
— заряды взаимодействующих ионов; a — расстояние между ними; b —
константа сил отталкивания; 6 < n < 12 (b и n определяются экспериментально).
Силы, возникающие между разноименно заряженными ионами,
.
1 2
2 1
−
⋅ ⋅
− = =
n
a
b
n
a
e Z Z
da
dE
F
В ионных бинарных соединениях устойчивы только кристаллические
решетки, в которых меньший по размеру катион окружен более крупными
катионами, т. е. координационное число зависит от соотношения их радиусов.
Ковалентная связь — направленная, т.к. образуется за счет спаривания
электронов соседних атомов. Координационное число в таких кристаллах
зависит также от валентности атомов.
Полное кристаллографическое описание кристалла дают форма и
размеры элементарной ячейки, а также распределение в ней частиц вещества.
Элементарная ячейка строится на векторах элементарных трансляций а, b и с и
представляет собой наименьший объем кристалла, обладающий всеми его
свойствами. В общем случае ее характеризуют, кроме векторов а, b и с, три
угла между ними α, β, γ.
Уравнение плоскости, пересекающей оси x, y, z кристаллической решетки
в точках u, v, w:
w
z
v
y
u
x
= = отсюда 1 = ⋅ + ⋅ + ⋅ z l y k x h ,
где h, k, l — числа, обратные величине отрезков, отсекаемых плоскостью на
соответствующих осях, называемые индексами Миллера. Индексами (hkl)
обозначают как отдельную плоскость, так и набор параллельных плоскостей.
Для задания направления в кристалле выбирается прямая, проходящая
через начало координат и первый узел, лежащий на этой прямой. То есть
направление [hkl] определяется как набор наименьших целых чисел,
пропорциональных длинам векторов, направленных вдоль осей элементарной
ячейки, которые в сумме составляют вектор этого направления. В кубических
кристаллах направление перпендикулярно плоскости, имеющей те же индексы
(hkl).
Совокупность физически эквивалентных направлений (семейство
направлений) обозначается как, а плоскости, эквивалентные по
характеру симметрии (например, шесть граней куба), составляют семейство
плоскостей и обозначаются {hkl}.
Большинство металлов и сплавов кристаллизуется в высоко;
симметричных решетках с плотной упаковкой атомов: кубических объемно;
центрированных (ОЦК), гранецентрированных (ГЦК) и гексагональных ГПУ
(см. рисунок).
Типы кристаллических решеток металлов и сплавов:
а — ОЦК, б — ГЦК, в — ГПУ.
Закон дифракции Вульфа-Брэгга:
sin 2 λ θ n d
hkl
= ⋅
где d
hkl — расстояние между плоскостями (hkl); θ - угол отражения; λ - длина
волны излучения. Для кубических решеток
.
2 2 2
l k h
a
d
hkl
+ +
=
Число атомов, содержащихся в объеме вещества массой m: ,
A
N m
n
O
⋅
= где
N
o — число Авогадро; A — атомная или молекулярная масса.
Концентрация точечных дефектов по Френкелю и Шоттки
а б
в
), exp (
);
exp (
kT
W
N n
kT
W
N N n
Ш Ш
Ф Ф
− ⋅ =
− ⋅ ′ ⋅ =
где N и Nґ - концентрации узлов и междоузлий в решетке; W
Ф и W
Ш — энергии
образования соответствующего дефекта.
Примеры решения задач
Задача 1.1. Пара противоположно заряженных двухвалентных ионов
находится в связи на равновесном расстоянии, а = 0,24 нм. Показатель степени в
выражении для энергии отталкивания n = 9. Найти энергию разделения ионов.
Решение
В состоянии равновесия при, а = 0,24 нм силы притяжения и отталкивания
уравновешены 0
1 2
2 1
= −
⋅ ⋅
− = =
+ n
a
b
n
a
e Z Z
da
dE
F .
Получаем
10 2
9 4
a
b
a
e
= и
2 8
e a
b =, тогда
()
19 2
2 8 2
10 38
10 24, 0 9
10 6, 1 32
4 4
−
− ∞
⋅ =
⋅ ⋅
⋅
= =
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
− − − = −
a
e
a
e a
a
e
E E
o
Дж.
Задача 1.2. Каждая С-С-связь в кристалле алмаза имеет энергию W
св = =
3,7 эВ. Сколько энергии необходимо затратить для испарения m = 0,1 г алмаза?
Решение
Число атомов в объеме вещества массой m выражается через число
Авогадро N
A
= 6,02· 10
(кг⋅ моль)
— 1
и молярную массу M (для углерода М = 12)
. 10 5
10 02, 6 10 1, 0
26 3
⋅ =
⋅ ⋅ ⋅
=
⋅
=
−
M
N m
n
O
Каждый атом углерода в ковалентном алмазе участвует в четырех связях,
но поскольку испарение происходит с поверхности вещества, необходимо
разорвать в среднем две связи. Поэтому для испарения необходима энергия
(одновременно переводим электрон-вольты в джоули)
. 5920 10 6, 1 7, 3 10 5 2) () (2
19 21
Дж Кл е эВ W n W
св исп
= ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ = ⋅ ⋅ =
−
Задача 1.3. Удельная поверхностная энергия стекла при температуре
о С равна e
S = 0,3 Дж· м
— 2
. Какая энергия ∆Е выделится при сфероидизации
нити длиной l = 0,1 м и диаметром d = 2· 10
— 5
м?
Решение
Объем нити l r V
Н
⋅ =
π, а шара
R V
Ш
π =. Поскольку V
Н
= V
Ш
:
l r ⋅
π =
R π и 3
l r R = ≈ 2· 10
— 4
м.
Площадь поверхности нити l r S
Н
⋅ ≈ π 2, а шара
4 R S
Ш
π = .
При сфероидизации выделится энергия, равная разности их
поверхностных энергий:
68 6
(2 4) 2 (2)
23, 1 40, 3 (1 0 241 0) 1, 71 0 .
НШ S Н S Ш SS
E E E e S e S e rl R e rl R
Дж
ππ π
−− −
∆= − = ⋅ − ⋅ = ⋅⋅ − ⋅ = ⋅ ⋅ − =
=⋅ ⋅ −⋅⋅ = ⋅
Задача 1.4. Вычислите изменение объема железа при его полиморфном
превращении, если радиусы атомов Fe в плотной объемно центрированной
Список литературы
- В.В.Баранов [и др.]. Мн.: БГУИР, 2004. — 34 с.: ил.