Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2) x (GaAs) 1-x и гетеропереходы на их основе

Диссертация: Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2) x (GaAs) 1-x и гетеропереходы на их основе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Изучены спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев (Ge2)x (GraA?) 4-х ПРИ температурах 4,2 К, 77+400 К. Определена зависимость положения максимума излучения твердых растворов от состава. Установлено, что с увеличением концентрации происходит резкое уменьшение ширины запрещенной зоны (Eg), которая уже при X = 0,27+0,3 практически достигает своего ми-минимального значениядальнейшее увеличение… Читать ещё >

Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2) x (GaAs) 1-x и гетеропереходы на их основе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. МЕТАСТАЬЖЬНЫЕ ТВЕРДОЕ РАСТВОШ ge2) x (GaAs)х — особенности синтеза и исследования (обзор литературы)
    • I. I.Особенности синтеза метащекЗильных твердых растворов в системах Clv. r AWBV
      • 1. 2. Получение и исследований метастабильных твердых растворов (Ge2)x (OctAs)^x
        • 1. 2. 1. Структурный фазовый переход в твердых растворах
  • Ge2)x (GraAft^-x
    • I. 2.2.Зависимость постоянной решетки твердого раствора (G-e2)x (GraA&)i-.x от состава
      • 1. 2. 3. Зонная структура (Gres)x (GraA&b-x
      • 1. 3. Особенности исследования метастабильных твердых растворов (Сге^)* (GaA&)i-x
      • 1. 3. 1. Масштаб искривления зон в легированных полупроводниках
      • 1. 3. 2. Влияние флуктуации состава на электронные и оптические свойства полупроводниковых твердых растворов
      • 1. 3. 3. Некоторые особенности люминесценции сильно легированных полупроводников (СЛП)
      • 1. 3. 4. Эффект Холла в неоднородных полупроводниках
      • 1. 4. Постановка задачи
  • Глава 2. МЕТ0.ВДКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Метод получения эпитаксиальных слоев метастабильных твердых растворов (Gc&z)* (СЗ-aAS)^ — х
    • 2. 2. Методики определения составов и толщин эпитаксиальных слоев (G-ei)x
    • 2. 3. Методика исследования электрофизических свойств твердых растворов (Gre2)x
    • 2. 4. Возбуждение и регистрация спектров фотолюминесценции твердых растворов
      • 2. 4. 1. Возбуждение фотолюминесценции
      • 2. 4. 2. Методика регистрации спектров фотолюминесценции
      • 2. 4. 3. Температурные измерения фотолюминесцентных свойств твердых растворов
      • 2. 4. 4. Методика градуировки фотоприемников. ТЕ
    • 2. 5. Методика измерений пропускания и отражения эпитаксиальных слоев (Gre2)x (Gra A S), jx
    • 2. 6. Методики исследования гетеропереходов на основе твердых растворов (G-e^)^ (GraAs)-tx
      • 2. 6. 1. Получение омических контактов к твердым растворам (Cte^xCGraAsO^x
      • 2. 6. 2. Измерение ВАХ р-П -гетеропереходов
  • Глава 3. ЭЖКТРОФИЖЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЯ РАСТВОРОВ
  • Gea)x (GaAsOi-x
    • 3. 1. Результаты исследований зависимостей холловской концентрации носителей заряда, их подвижности и проводимости твердых растворов (Cre2)x (GraAs)-)x от состава и условий выращивания
    • 3. 2. Влияние отжига на электрофизические параметры твердых растворов (Сгег)х (Gra *
    • 3. 3. Обсуждение результатов

В настоящее время хорошо изучены разнообразные полупроводниковые твердые растворы на основе элементов 1У группы /&-х Gehx /, У группы / ЗЬХВ1НХ /, соединений AWBV, и др. Многие из них нашли широкое применение в полупроводниковых приборах.

Общей особенностью известных полупроводниковых твердых растворов является то, что они по своей кристаллической структуре и по составу близки к состоянию внутреннего термодинамического равновесия. Однако этими твердыми растворами не исчерпываются возможности комбинирования различных по своей химической природе компонентов в единой кристаллической решетке и соответственно получения новых физических свойств. Действительно, в последнее время появляется все больше сообщений о получении представителей нового класса полупроводниковых материалов — метастабильных твердых растворов [22,27−33] .

Проблема получения метастабильных материалов давно привлекала внимание исследователей [ 23−2б] • В этом отношении особенно большой интерес вызвали полупроводниковые квазибинарные системы, образованные элементами 17 группы G и соединениями A1,!BV, так как в большинстве рассматриваемых систем равновесная растворимость в твердом состоянии не превышает I мол % [б]. Вместе с тем, только развитие методов эпитаксиального выращивания полупроводников, основанных на процессах неравновесной кристаллизации позволило в последнее время синтезировать непрерывные твердые растворы в ряде систем, образованных элементами 1У группы и соединениями

Настоящая работа посвящена изучению электрофизических, оптических и люминесцентных свойств одного из наиболее интересных представителей рассматриваемой группы материалов — новых метастабильных твердых растворов (Gre2)x (GraAs) Ixl, а также проблеме получения гетеропереходов на их основе, К началу настоящей работы подобные исследования не были проведены для твердых растворов (Gre2)x (GaAs)tx. Важность таких исследований обусловлена и тем, что при переходе от Сге к GraAs ширина запрещенной зоны возрастает от 0,68 до 1,43 эВ /300 К/ с изменением типа межзонных переходов от непрямого / Г-*- L / к прямому при изменении параметра решетки всего, на 0,08%. Диапазон же энергии 0,68+1,43 эВ соответствует практически важной области ИК спектра, который не охватывается полностью опто-электронными приборами, изготовленными на основе тройных и четвертных изопериодических твердых растворов системы In-&a-P-As. Актуальной является также и проблема получения р-п — гетеропереходов на основе твердых растворов (Gre2)x (GaA$)jx

Результаты таких исследований необходимых для более полного понимания особенностей состава, структуры, процессов образования и распада метастабильных твердых растворов, а также для оценки возможностей их практического использования.

Цель диссертационной работы заключалась в исследовании электрофизических, оптических, фото люминесцентных свойств твердых растворов (&ег)х (GaAs)j-x в зависимости от состава, условий выращивания и термообработки, а также получение и исследование электрических и фотоэлектрических свойств р-Пгетеропереходов на их основе.

Научная новизна работы. Впервые проведены исследования основных электрофизических, оптических и люминесцентных свойств нового полупроводникового материала — метастабильных твердых растворов (?ег)х (GaAs)i-x •

Обнаружена связь между электрическими, оптическими и люминесцентными свойствами и степенью ассоциации атомов Ge (Ga и А&-) в твердых растворах (Ge2)x (GraAs)4x

Установлено существование инверсии типа проводимости (n-±p) в твердых растворах (Gea)x (GaAs)-i-x с изменением состава. Определена зависимость состава, отвечавшего точке инверсии типа проводимости (Хс) от температуры выращивания.

Получены р-пгетеропереходы на основе твердых растворов (Grez)x (Go. A и исследованы их электрические и фотоэлектрические свойства.

Практическая ценность работы,

1. Проведены систематические исследования электрофизических, оптических и люминесцентных свойств нового полупроводникового материала (твердых растворов (G-e2)x (GaAs^-x) «необходимые для создания приборов на их основе.

2. Получены туннельные диоды в системах GaAg —

— (aez)x (GaAs)i-x и (GaAs)<-x Gee) y (Ga AS), -у. Установлено, что р — пгетеропереходы на основе твердых растворов GaAs)|x обладают спектральной чувствительностью в практически важной области 0,7+1,4 эВ.

3. Предложен метод определения весьма малых величин диффузионных длин (~ 0,1 мкм) неосновных носителей заряда в силънолегированных полупроводниках.

Основные научные положения, выносимые на защиту.

1. Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства (Сге2)х (GrctAsh-x определяются как составом, так и степенью ассоциации атомов Ge (Ga и, А В) в решетке твердого раствора.

2. При фиксированном составе степень ассоциации компонентов в решетке твердого раствора (Gfe2)x (GaA3^-x возрастает с повышением температуры кристаллизации1.

3. Тип проводимости и концентрация носителей заряда в Geg,)x (GavA"s)^x определяются характером и степенью нарушения стехиометрического соотношения между Ga и As в твердом растворе, а также наличием собственных точечных дефектов.

4. Зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов jx от состава имеет нелинейный характер: с ростом концентрации Ge ширина запрещенной зоны С Eg) резко уменьшается и при X = 0,27+0,3 практически достигает своего минимального значения, дальнейшее увеличение концентрации £е не приводит к существенным изменениям Eg

5. Осцилляции, обнаруженные в спектральной зависимости фотоответа р-nгетеропереходов на основе твердых растворов ег) х (G-a AS)<

— х «обусловлены интерференционной модуляцией интенсивности возбуждающего света в области р-п перехода.

Диссертационная работа состоит из пяти глав, введения, заключения.

Первая глава посвящена обзору литературных данных. Рассматриваются особенности синтеза метастабильных твердых растворов в системах Приводятся результаты теоретических и экспериментальных исследований метастабильных твердых растворов х • Рассмотрены некоторые особенности исследования электрофизических, оптических и люминесцентных свойств сильнолегированных и компенсированных полупроводников, к которым относятся (Gre2)x (GaA"s)j^ .

Во второй главе описываются методы получения и исследования электрических, люминесцентных и оптических свойств твердых растворов (&ег)х (баА?), а также экспериментальные установки для их проведения. Дается оценка точности измерений.

В третьей главе излагаются результаты исследования электрофизических свойств твердых растворов (Gre2)x (Ga As) 1-х • Приведены данные о влиянии отжига на электрофизические свойства твердых растворов. Изучен характер температурной зависимости концентрации и подвижности носителей заряда в диапазоне температур 77 — 400 К.

В четвертой главе приводятся результаты исследования оптических (пропускание и отражение) и фото люминесцентных свойств твердых растворов в зависимости от состава и температуры выращивания, а такЕв спектров комбинационного рассеяния света.

Пятая глава посвящена исследованию электрических и фотоэлектрических свойств рпгетеропереходов на основе

Ge2)x (Ga As),

— х. Дано объяснение наблюдаемых особенностей фотоэлектрических свойств — осцилляций в спектральной зависимости фотоответа.

— 10

Основные результаты диссертационной работы докладывались на Ш Всесоюзной конференции «Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах» (г.Одесса, 1982 г.), на Республиканской конференции молодых ученых (г.Кировакан, октябрь 1982 г.), на Республиканской конференции молодых ученых по физике (г.Ереван, октябрь 1983 г.) и опубликованы в следующих работах:

1. Алферов Ж, И., Вартанян Р. С., Корольков В. И., Мокан И. И., Улин В. П., Явич B.C., Яковенко А. А. Электрофизические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов

Стеа)х (aaAg)^x • - 1982″ т-16″ в"5″ с.887−890.

2. Вартанян Р. С., Мокан И. И. Фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе метастабильных твердых растворов (&ег)х (Cja As). — Тез. докл. Республиканской конференции молодых ученых. Кировакан, 1982, с. 108−109.

3. Вартанян Р. С., Мокан И .И., Улин В. П., Явич B.C., Яковенко А. А. Исследование фотолюминесцентных свойств метастабильных твердых растворов (Сд-е^х (CraAs^-x, подвергнутых дифн фузионному отжигу. — Тез. докл. Ш Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Одесса, 1982, т.2, с.45−47.

4. Вартанян B.C., Машевский А. Г., Улин В. П., Синицын М. А., Явич B.C., Яковенко А. А. Электрические характеристики метастабильных твердых растворов (GraAs)-i-x • - Т3″ докл. Республиканской конференции молодых ученых по физике. Ереван, ра

1983, с. 86.

5. Баптизманский В. В., Вартанян P.O., Синицын М. А.,

Улин В.П., Уманский В. Е. Зависимости основных физических параметров метастабильных твердых растворов в системе Gre-0ra-A& от состава и условий получения. — Тез. докл. Республиканской конференции молодых ученых по физике. Ереван, 1983, с. 87.

6. Вартанян P.O., Машевский А. Г., Синицын М. А., Улин В. П., Явич Б. С., Яковенко А. А. Электрофизические характеристики метастабильных твердых растворов (Сгб2)х (GraAs)^* и влияние на них термообработки. — ФТП, 1984, т.18, в.8, с.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность научному руководителю доктору физ.-мат. наук В. И. Королькову и кандидату физ.-мат. наук А. А. Яковенко. Особую признательность хочу выразить сотрудникам технологической группы Б. С. Явичу и ВЛ. Улину, а также другим сотрудникам лаборатории контактных явлений в полупроводниках за всесторонную помощь в выполнении настоящей работы.

— 163 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе проведены подробные исследования электрических, оптических и люминесцентных свойсте твердых растворов ((хеД^Ся-аА^-х • Для эт°й Дели были собраны экспериментальные установки для проведения холловских измерений в интервале температур 77−450 К и исследования люминесцентных и фотоэлектрических свойств тгердых растворов при температурах 4,2К, 77+440 К. Основные результаты и выводы работы можно сформулировать следующим образом:

1. Установлено, что с увеличением концентрации Gre в твердых растворах (Cre?)x (G-aA&) 4-х происходит инверсия типа проводимости. Повышение Тк сдвигает XG в сторону меньших концентраций Gre • Концентрация носйтелей в твердом растворе определяется составом и температурой выращивания. Эти особенности связаны с нарушениями стехиометрического соотношения между Ga и

А&в твердых растворам на стадии их формирования,

2. Изучено влияние отжига на электрофизические свойства твердых растворов (Ог^х (GraAS^-x. Установлено, что отжиг уменьшает степень компенсации твердых растворов, приводя к образованию молекулярных связей между изолированными атомами Gre «Grot и А&-, и активирует процессы, изменяющие значение и тип проводимости твердых растворов (перераспределение Ge между ка-тионной и анионной подрешетками, уменьшение концентрации антиструктурных дефектов).

3. Рассчитана концентрация собственных донорных и акцепторных атомов в зависимости от состава (Cre2)x (Cra As) с учетом параметра ближнего порядка в твердых растворах.

4. Изучены спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев (Ge2)x (GraA?) 4-х ПРИ температурах 4,2 К, 77+400 К. Определена зависимость положения максимума излучения твердых растворов от состава. Установлено, что с увеличением концентрации происходит резкое уменьшение ширины запрещенной зоны (Eg), которая уже при X = 0,27+0,3 практически достигает своего ми-минимального значениядальнейшее увеличение содержания Ge не приводит к существенным изменения!/ Eg ,

5. Исследована форма края поглощения твердых растворов (Ge2)x (OraAS) -х в зависимости от состава и условий выращивания. Установлено, существование зависимости Eg от температуры кристаллизации.

6. Изучены спектры комбинационного рассеяния света в твердых растворах (Ge2)x (GaAs)i-x • Установлено, что повышение температуры кристаллизации приводит к увеличению степени ассоциации атомов Ge (Ga и As).

7. Получены р-П — гетеропереходы на основе твердых растворов (Ges)x (GaA&) -х с широкой областью фоточувствительности. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства р-n — гетеропереходов на основе

Ge2)x (Got AS) 1-х • Установлено, что из-за высокого уровня легирования твердых растворов, а также благодаря резкой границе между ри побластями доминирующими механизмом протекания тока в р-П — гетероструктурах является туннельный. Изучены особенности спектральной зависимости фотоответа рп — гетеропереходов.

Показано, что наблюдаемые осцилляции в спектральной зависимости фотоответа р-пгетеропереходов обусловлены интерференционными эффектами, исходя из чего предложен метод определения диффузионной длины неосновных носителей заряда (Ld)* С помощью этого метода сделана оценка Lj> для твердого раство

Показать весь текст

Список литературы

  1. .И., Жингарев М. З., Конников С. Г., Мокан И. И., Улин В. П., Уманский В. Е., Явич Б.С. Получение и исследование метастабильных непрерывных твердых растворов в системе
  2. Ge GaAs. фтп, 1982, т.16, в.5, с.831−839.
  3. .И., Вартанян Р. С., Корольков В. И., Мокан И. И., Улин В. П., Явич Б. С., Яковенко А. А. Электрофизические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (С?е2)х (G-aAs)^-x. ФТП, 1982, т.16, в.5, с.887−890.
  4. И.И., Улин В. П., Явич Б. С. Эпитаксиальное выращение метастабильных твердых растворов (Сте2)х (Gr-a AiS)^ .
  5. В кн.: У1 Всесоюзная конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: Тез.докл. Новосибирск, 1982, с.170−171.
  6. С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов.-М.: Высшая школа, 1970. 503 с.
  7. В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников.-М.: Наука, 1967.- 370 с.
  8. В.И. Распад перенасыщенных полупроводниковых твердых растворов.-М.: Металлургия, 1977. 240 с.
  9. Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники.-М.: Сов. радио, 1968.- 267 с.
  10. В.М., Евдокимов А. В., Павлова Л. М., 0 бездиффузионной кристаллизации в системах Ge А^В^.- Докл. АН СССР, 1977, т.232, й 2, с.371−374.
  11. В.М., Акопян Р. А., Евдокимов А. В., Филиппова Г.Ю.
  12. К методике бездиффузионной кристаллизации сплавов. Зав.лаб., 1975, J6 5, с.560−563.
  13. М.Г., Сахаров П. А., Пелевин О. В. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений.-М.: Металлургия, 1974. 391 с.
  14. .В. Рост кристаллов в условиях термодинамической метастабильности.- Рост кристаллов: Сб. научн. тр. T. I3.-М.: Наука, 1980, с.55−62.
  15. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник/ Отв. ред. В. С. Земсков.- М.: Наука, 1978.- 197 с.
  16. М.И., Райх М. Э. О фазовом переходе по концентрации в твердых растворах (Gra А&)х 1982"т.16, в.5, с.890−892.
  17. М.Э., Уманский B.S. 0 зависимости постоянной решетки твердых растворов от состава.- ФТП, 1982, т.16, в. II, с.2011−2014.
  18. Полуботко A.M. Расчет зонной структуры твердых растворов
  19. Agx (А, м Bv)^х мет°Д°м ЛКАО.- Ленинград, 1982.- 23 с. (Препринт/ ФТИ АН СССР: JS 758).
  20. А.И., Полуботко A.M. Зонная структура твердого раствора Агх (An, BV)4-x 1982″ т-16″ в"4″ с.753−754.
  21. А.И., Полуботко A.M. Зонная структура твердого раствора Ge2x (G-aAS)^^ ФТП, 1982, т.16, в.6,с.840−843.
  22. А.И., Полуботко A.M. Зонная структура твердого раствора G-e2x (GaA$),|-х 0 Учет°м упорядочения кристаллической решетки.- Ленинград, 1982.- 14 с.(Препринт/ ФТИ АН СССР: В 775).
  23. А.И., Полуботко A.M. Зависимость зонной структуры твердого раствора 1-х от степени упорядочения.- ФТП, 1982, т.16, в.10, с.1848−1851.
  24. Duwez P., Will ens R.H., Kilment W. Jr. Metastable Solid
  25. Solutions in the Gallium Antimonide Germanium Pseudobinary
  26. System. J.Appl.Phys., I960, V.30, p. 1500.
  27. Jones H., Splot Cooling and Metastable Phases. Rep. Prog.
  28. Phys., 1973, V.36, No. II, pp. 1425−149 7.25. poate J.M. Metastable Alloy Formation. J. Vac. Sci. Technol., 1978, V.15, No.5, pp. 1636−1643.
  29. Farrow R.F.C., Robertson D.S., Williams G.M., Cullis A. G., Jones J.R., Young I.M., Dennis P.N.J. The Growth of Metastable, Heteroepitaxial Films of ot-Sn by Metal Beam Epitaxy. J. Crystal Growth, 198 I, V.54, No.3, pp.507−518.
  30. Noreica A.J., Francombe M.H. Preparation of Non-Eqilibrum Solid Solutions of (GaAs) 5i. J.Appl. Phys., 1974, V.45,1 X X1. No.8, pp.3690−3691.
  31. Zilko J.L., Greene J, E. Growth and Phase Stability of Epitaxial Metastable JnSbj xBix Films on GaAs • I Crystal Growth. J. Appl. Phys., 1980, V.51, No.3, pp. 1549−1559.
  32. Zilko J.L., Greene J.E. Growth and Phase Stability of Epitaxial Metastable JnSbj x^ix Films on GaAs*II Phase Stability.
  33. J. Appl. Phys., 1980, v.51, No.3,pp.1560−1564.
  34. Greene J.E. Growth of Single-Crystal Metastable JnSb Bi1. X Xand (GaSb)1 Ge Semiconducting Films. J. Vac. Sci. Tech.,-l"" x x1980, v.17, No.1, pp.441−444.31.
  35. Cadien К.C., Eltoukhy A.H., Greene J.E. Growth of Single-Crystal Metastable Semiconducting (GaSb) Ge Films. Appl, 1. Х- X X
  36. Phys. Lett., 1981, v.38, No.10, pp.774−775.32
  37. Greene J.E., Barnett S.A., Cadien К.C., Ray MrA. Growth of
  38. Single-Crystal GaAs and metastable (GaSb). Ge Alloys by1. J.— X X
  39. Sputter Deposition. Ion-Surface Interaction Effects. J.Cryst. Growth, 1982, v.56, No.2, pp. 389−401.33.
  40. Cadien K.C., Greene J.E. Single Phase Polycrystalline Metastable (GaSb) Ge Alloys From Annealing of Amorphous Mix-J.-* X Xtures: Ion Mixing Effects During Deposition. Appl. Phys. Lett.> -1982, v.40, No.4, pp.329−331.34.
  41. Barnett S.A., Ray M.A., Lastras A., Kramer В., Greene J.E., Raccah P.M., Abels L.L. Growth and Optical Properties of Single-Crystal Metastable (GaAs) Ge Alloys. — Electronics1. Xе" X X1. tters, 1982, v.18, No.20, pp.891−892.
  42. Newman К.E., Dow J.D. Zinc-Blende-Diamond Order-Disorder Transition in Metastable Crystalline (GaAs)1 х (?е2^х А11аУБ' Phys.
  43. Rev.B., 1983, y.27, No.12, pp.7495−7508.
  44. Шик А. Я. Особенности фотоэлектрических и кинетических явлений в неоднородных полупроводниках.- В кн.: Материалы УП зимней школы по физике полупроводников (ФТИ АН СССР). Л., 1975, с.486−509.
  45. И.С. Электрические и фотоэлектрические явления в сильно легированных и компенсированных полупроводниках.
  46. В кн.: Материалы УП зимней школы по физике полупроводников (ФТИ АН СССР). Л., 1975, с.510−535.
  47. Л.Г. Влияние неупорядоченности на оптические свойства твердых растворов AgBg.- В кн.: Проблемы физики неупорядоченных систем. Оптические явления в полупроводниках (Материалы X зимней школы ФТИ по физике полупроводников), Л., 1982, с.33−66.
  48. С.М. Фотоэлектрические явления в модели искривленных зон.- В кн.: Проблемы физики неупорядоченных систем. Оптические явления в полупроводниках (Материалы X зимней школы ФТИ по физике полупроводников). Л., 1982, с.3−32.
  49. Бонч-Бруевич В.Л. К теории сильно легированных полупроводников." ФТТ, 1962, т.4, в.10, с.2660−2674.
  50. Бонч-Бруевич В.Л. К теории сильно легированных полупроводников.- ФТТ, 1963, т.5, в.7, с.1852−1864.
  51. .И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников.- М.: Наука, 1979.- 416 с.
  52. .И., Эфрос А. Л. Полностью компенсированный кристаллический полупроводник как модель аморфного полупроводника.- ЖЭТФ, 1972, т.62, в. З, о.1156−1165.
  53. А.Ю. Влияние флуктуаций состава на межзонное оптическое поглощение в твердых растворах, — ФТП, 1982, т.16, в.2, с.347−351.
  54. С.Г., Шик А.Я. Фотопроводимость неоднородных полупроводниковых твердых растворов. Письма в ЖЭТФ, 1982, т.35, в.9, с.357−359.
  55. Е.В. К теории междузонного оптического поглощения. Изв. вузов СССР. Физика, 1972, т.4, с. 121 -130.
  56. Л.Д., Федирко В. А., Стафеев В. И., Пономаренко В. П., Егоров В. Л. Влияние флуктуаций состава на оптические свойства CdxHgbxTe ФТГ1> 1982″ т-16″ в"7″ с.1256−1261.
  57. М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках (обзор).- ФТП, 1976, т.10, в.2, с.209−233.
  58. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников.- М.: Наука, 1981.- 383 с.
  59. Л.В., Прошко Г. П. Инфракрасное поглощение в сильно легированном германии.- ФТТ, 1963, т.5, в.12, с.3378−3389.
  60. Бонч-Бруевич В. Л. Статистическая физика и квантовая теория поля.- М.: Наука, 1973.- 337 с.
  61. .И., Эфрос А. Л. Хвосты плотности состояний в сильно легированных полупроводниках, — ФТП, 1970, т.4, в.2, с.305−316.
  62. .К., Эфрос АД. Глубокие хвосты плотности состояний и поглощения света в полупроводниках.- ЖЭТФ, 1970, т.58, в.2, с.657−663.
  63. АД. Плотность состояний и межзсннов поглощение света в сильно легированных полупроводниках.- УВД, 1973, т. III, в. З, с.451−482.
  64. А.Л. Локализация электронов в неупорядоченных системах (переход Андерсона).- УФН, 1978, т.126, в.1, с.41−65.
  65. .И., Эфрос А. Л. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников.- ЖЭТФ, 1971, т.60, в.2, с. 867−878.
  66. .И. Прыжковая проводимость слабо легированных полупроводников (обзор).- ФТП, 1972, т.6, в.7, с.1197−1226.
  67. А.С., Шкловский Б. И. Концентрационная зависимость .прыжковой проводимости полупроводников.- ФТП, 1973, т.7, в.8, с.1589−1593.
  68. А.С., Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Уровень протекания в трехмерном случайном потенциале.- Письма в ЖЭТФ, 1973, т.17, в.9, с.522−525.
  69. .И., Эфрос А. Л. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред.- УФН, 1975, т.117, в. З, с.401−435.
  70. Southgate Р.D. The Derivation of Recombination Rate Constants From Time-Dependent Bulk Electroluminescent Spectra in Compensated GaAs. J.Phys. Chem. Sol., 1970, v.31, No. 1, pp. 55−66.
  71. АЛ., Осипов В. В. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников.— УФН, 1981, т.133, в. З, с.427−477.
  72. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах,— М.: Мир, 1974. 472 с.
  73. .И., Портной ЕЛ., Рогачев А. А. О ширине края поглощения полупроводниковых твердых растворов.- ФТП, 1968, т.2, в.8, с.1194−1197.
  74. С.Д., Эфрос А. Л. Размытие краев зон в твердых растворах.- ФТП, 1978, т.12, в. II, с.2233−2237.
  75. Н.Н., Райх М. Э., Эфрос А. Л. Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах.- ФТТ, 1983, т.25, в.2, с.353−358.
  76. А.Б. Электронные свойства полупроводниковых твердых растворов.- М.: Наука, 1966.- 68 с.
  77. Halperin B.I., Lax М. Impurity-Band Tails in the High-Density Limit. I Minimum Counting Methods. Phys, Rev., 1966, v. 148,1. No.2, pp.722−740.
  78. Zittars J., Langar J.5. Theory of Bound States in Random Potential. Phys. Rev., 1966, v.148, No.2, pp.741−747.
  79. И.М. 0 структуре энергетического спектра примесных зон в неупорядоченных твердых растворах.- ЖЭТФ, т.44, в.5, с.1723−1741.
  80. А.П., Осипов В. В. Теория люминесценции сильно легированных компенсированных невырожденных полупроводников.- ФТП, 1973, т.7, в.6, с.1069−1080.
  81. А.П., Осипов В. В. Теория люминесценции сильногелиро-ванных полупроводников. ФТП, 1973, т.7, в.6, с.1058−1068.
  82. .И., Андреев В. М., Гарбузов Д. З., Морозов Е. П., Трофим Е. Г. Влияние компенсации на излучательную рекомбинацию в П -и р СтаAS .- ФТП, 1970, т.4, в.7, с.1282−1288.
  83. .И., Андреев В. М., Гарбузов Д. З., Трукан М. К., Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном компенсированном арсениде галлия.- ФТП, 1972. т.6, в.2, с.2015−2026.
  84. А.И. Введение в теорию твердого тела.- М.: Наука, 1978.- 615 с.
  85. Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982.- 558 с.
  86. В.И. Сильно легированные полупроводники.- М.: Наука, 1967.- 415 с.
  87. Е.В. Методы исследования эффекта Холла.- М.: Сов. радио, 1974.- 328 с.
  88. Herring С. Effect of Random Inhomogeneities on Electrical and Galvanomagnetic Measurements. J. Appl. Phys., I960, v.31, No, 11, pp.1939−1953.
  89. Bate R.T., Bell J.C., Beer A.C. Influence of Magnetoconductiv/ity Discontinuities on Galvanomagnetic Effects in Indium Antimonide, J, Appl. Phys., 1961, v. 32, No. 5, pp. 806−814.
  90. Э.А., Ковршных Ю. Т., Факидов И. Г. Гальваномагнитные эффекты в полупроводниках с неравномерным распределением примесей.- ФТТ, 1965, т.7, в.12, с.3582−3587.
  91. П.И., Курило П. М., Литвинова Ю.Ю.,. Марин К. Г. Исследование неоднородностей, выявляемых анодным травлением в монокристаллах германия И -типа.- Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1966, т.2, J& I, с.3−5.
  92. П.И., Курило П. М., Леивнзон Д. Влияние градиентов J3 на коэффициент Холла в монокристаллах П -германия. -Изв.АН СССР. Неорганические материалы, 1966, т.2, В 6, с. II35−1137.
  93. В.В., Левинзон Д. И., Иглицын М. И. Влияние слоистой неоднородности на результаты измерения удельного сопротивления и эффекта Холла в полупроводниках.- Заводская лаборатория, 1968, т.34, В 3, с.307−309.
  94. Vinetskii V.L., Kukhtarev N.V. The Theory of the Carriers Mobility in Layer-Inhomogeneous Semiconductors. Solid 5tate Commun, 1973, v.13, No.1, -pp.31−34.
  95. Ее Wit H.J. Hall Effect of an Inhomogeneous Material. J.Appl.
  96. Phys., 1972, v. 4 3, No.3, pp.908−913.
  97. Weisberg L.R. Anomalous Mobility Effects in Some Semiconductors and Insulators. J. Appl. Phys., 1962, v. 33, No. 5, pp. 1817−1821.
  98. Wolfe C.M., Stillman G. E. Anomalously High «Mobility» in Semiconductors. Appl. Phys. Letters, 1971, v. 18, No. 5, pp. 205−208.
  99. Wolfe C.M., Stillman G.E., Rossi J.A. High Apparent Mobility in Inhomogeneous Semiconductors. J. Electrochem. 5oc., 1972, v.119, No.2, pp.250−255.
  100. Wolfe C.M., Stillman G.E., Spears D.L., Hill D.E., Williams F.V. Anomalously High «Mobility» in GaAs. J. Appl. Phys, 1973, v.44, No.2, pp.732−734.
  101. Н.Г., Потапов В. Т., Ивлева B.C. Электропроводностьи эффект Холла в сильно компенсированном n-InSb при низких температурах.- ФТП, 1972, т.6, в.7, с.1238−1244.
  102. В.Т., Трифонов В. И., Чусов И. И., Ярменко Н. Г. Эффект Фарадея в сильно компенсированном ri-ImSb , — ФТП, 1972, т.6, в.7, с.1227−1233.
  103. К.Л. Электрические явления в тонких пленках.- М.: Мир, 1972.- 434 с.
  104. Mayadas A.F., Shatzkes М. Electrical-Resistivity Model for Polycrystalline Films: The Case of Arbitrary Reflection at External Surface. Phys. Rev. B, 1970, v. 1, No. 4, pp. 138 2−1389.
  105. Л.Н., Вжанов А. В. Получение и изучение свойств полупроводниковых пленок.- йзв. АН СССР, Неорганические материалы, 1969, т.5, В 4, <5.652−672.
  106. В.А., Сурис Р. А. Расчет подвижности и коэффициента Холла в среде со сферическими неоднородностями.- ФТП, 1978, т.12, в.10, с.2055−2056.
  107. Шик А. Я. Эффект Холла и подвижность электронов н неоднородных полупроводниках.-Письма в ЖЭТФ, 1974, т.20,в.I, с.14−16.
  108. .С. Применение метода пиролитического синтеза для создания полупроводниковых гетероструктур, — В кн.: У Всесоюзное координационное совещание секции «Полупроводниковые гетероструктуры»: Тез. докл. Таллин, 1979, с.54−65,
  109. С.Г., Сидоров А. Ф. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов и приборов.- М.: Энергия, 1978.- 136 с.
  110. В.И. Введение в экспериментальную спектроскопию: Учеб. пособив для физич. специальностей.- М.: Наука, 1979,478 с.
  111. B.C., Рохлин Г. Н. Тепловые источники оптического излучения. М.: Энергия, 1975.- 246 с.
  112. Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники.-М.: Сов. радио, 1978.- 400 с.
  113. В.Д., Холопов Г. К. Спектральная лучеиспускательная способность вольфрамовой ленты в видимой и ближней инфракрасной областях спектра.- ЖПС, 1967, т.6, № 4, с.425−430.
  114. Р.С., Машевский А. Г., Сиеицын М. А., Улин ВЛ., Явич B.C., Яковенко А. А. Электрофизические характеристики метастабильных твердых растворов (Grе2)х (GraAs)
  115. ПО. Вартанян Р. С., Машевский А. Г., Улин В. П., Синицын М. А.,
  116. B.C., Яковенко А. А. Электрические характеристики метастабильных твердых растворов (Сгег)к (G-aAS)←x Тез* докл. Республиканской конференции молодых ученых по физике. Ереван, 1983, с.86
  117. Дж. Модели беспорядка.- M. s Мир, 1982, — 591 с.
  118. Термические константы.веществ. Справочник.- М.: Мир, I97E.-321 с.
  119. Higgins М. Dependence of Interatomic Distances on Bond Energy.-J. Am. Chem. Soc., 1953, v.75, No.12, pp.4123−4130.
  120. Н.Л., Конников С. Г., Уманский В. Е. Определение величины несоответствия параметров элементарной ячейки в полупроводниковых гетероструктурах методом широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей.- ФТП, 1980, т.14, в. Ю, с.1899−1903.
  121. И.Н., Берт Н. А., Конников С. Г., Уманский В. Е. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей.- ФТП, 1980, т.14, в.1, с.96−100.
  122. Д.З., Агафонов В. Г., Агаев В. В., Лантратов В. М., Чуднов А. В. Эффективный перенос возбуждения из эммитера в активную область при фотолюминесценции1.G-aAsP/lnP
  123. ДГС.- ФТП, 1983, т.17, в.12, с.2162−2172.
  124. P.O., Мокан И. И. Фотоэлектрические свойства гетерО' структур на основе метастабильных твердых растворов (аег)х (GaAs) -1-х Тез.докл. Республиканской конференции молодых ученых по физике. Кировакан, 1982, с.108−109.
  125. М., Вольф Э. Основы оптики.- M. s Наука, 1973, 719 с.
  126. Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектро-ника.- М.: Мир, 1976.- 431 с.
  127. . Оптические процессы в полупроводниках.- М.: Мир, 1973.- 392 с.
  128. А.В. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур.- М.: Сов. радио, 1975.- 176 с.
  129. Л.А., Степанов Б. М. Оптические свойства материалов при низких температурах. Справочник.- М.: Машиностроение, 198, с. 223.
  130. Е.В., Раков А. В. Определение дисперсии оптических констант тонких поглощающих пленок на прозрачной или слабо поглощающей подложке.- ЖПС, 1971, т.14, в.1, с.32−37.
  131. С. Тонкие пленки, их изготовление и измерение.-М.: Госэнергоиздат, 1963, 98 с.
  132. Оптические свойства полупроводников. Полупроводниковые соединения типа А%у./Под ред. Р. Уиллардсона и А.Вира.- М.: Мир, 1970.- 488 с.
  133. Рассеяние света в твердых телах./Под ред. М.Кардоны.- М.: Мир, 1979- 392 с.130″ Barker A.S., Sievers A.J. Optical Studies of the Vibrational Properties of disordered solids. Rev. Mod. Phys., 1975, v. 47, Suppl. No.2, pp. S1-S179.
  134. А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник.- М.: Мир, 1975.- 430 с.
  135. Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов.- М.: Наука, 1965.- 448 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!