Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электрофизические свойства нанокомпозитов на основе SnO2: ZrO2 и SnO2 с добавлением многостенных углеродных нанотрубок

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

С помощью атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения экспериментально показано, что при увеличении содержания примеси Zr от 0,5 ат. % до 4,6 ат. % в пленке Sn02: Zr02 размер зерен поликристаллов уменьшается от 40 до 10 нм. Величина межплоскостных расстояний в кристаллической решетке отдельных зерен, измеренная с помощью программы Digital Micrograf… Читать ещё >

Электрофизические свойства нанокомпозитов на основе SnO2: ZrO2 и SnO2 с добавлением многостенных углеродных нанотрубок (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ПЛЁНКИ-НАНОКОМПОЗИТЫ НА ОСНОВЕ МЕТАЛЛООКСВДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ИХ
  • ФИЗИЧЕСКИЕ И ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА
    • 1. 1. Основные представления о свойствах материала Бп
    • 1. 2. Взаимодействие молекул различных газов с поверхностью металлооксидных полупроводников
      • 1. 2. 1. Физические и химические процессы, протекающие на поверхности металлооксидных полупроводников
      • 1. 2. 2. Газы-окислители и их взаимодействие с п — 8п
      • 1. 2. 3. Газы-восстановители и их влияние на электрические свойства п — БпОг
      • 1. 2. 4. Механизмы газовой чувствительности металооксидных полупроводников
      • 1. 2. 5. Влияние размера зерна в поликристаллических пленках диоксида олова на механизм газовой чувствительности
    • 1. 3. Способы изготовления плёнок на основе металооксидных полупроводников
      • 1. 3. 1. Гидролиз растворов хлорида олова
      • 1. 3. 2. Метод ионно-плазменного распыления 31 1.3.3 Золь-гель метод
    • 1. 4. Влияние стабилизирующего изотермического отжига на параметры и свойства плёнок-нанокомпозитов
    • 1. 5. Влияние легирования на свойства плёнок-нанокомпозитов 36 1.6 Влияние введения нанотрубок на свойства БпОг
  • Выводы к первой главе
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА 47 2.1. Подготовка подложек
    • 2. 2. Изготовление нанокомпозитов 8п02: 2Ю2 методом ионно-лучевого напыления
    • 2. 3. Синтез композитов 8п02 с углеродными нанотрубоками
    • 2. 4. Структурный анализ
      • 2. 4. 1. Рентгеновский микроанализ
      • 2. 4. 2. Просвечивающая электронная микроскопия
      • 2. 4. 3. Исследование морфологии плёнок-композитов
    • 2. 5. Измерение толщины плёнок
    • 2. 6. Исследование оптических свойств пленок — нанокомпозитов
    • 2. 7. Методы измерения электрических параметров плёнок
      • 2. 7. 1. Измерение удельного сопротивления четырехзондовым методом
      • 2. 7. 2. Измерение удельного сопротивления методом Ван-дер-Пау
      • 2. 7. 3. Измерение электрических параметров плёнок с помощью эффекта Холла
    • 2. 8. Методика измерения газовой чувствительности плёнок-нанокомпозитов
  • Выводы ко второй главе
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК НАНОКОМПОЗИТОВ 8п02: гЮ
    • 3. 1. Структура и основные электрофизические параметры пленок
  • БпОг: ЪхОг
    • 3. 2. Стабилизирующий изотермический отжиг нанокомпозита ЭпОг: 2г
    • 3. 3. Исследование оптических свойств нанокомпозита 8п02: Zr
    • 3. 4. Исследование электрических параметров нанокомпозита 8п02: Zr
    • 3. 5. Исследование температурной зависимости поверхностного сопротивления нанокомпозита 8п02: ZrO
    • 3. 6. Газочувствительные свойства нанокомпозита 8п
  • Выводы к третьей главе
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ НА1ТОКОМ1ЮЗИТОВ 8пОо С
  • ДОБАВЛЕНИЕМ МНОГОСТЕННЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК
    • 4. 1. Стабилизирующий изотермический отжиг нанокомпозитов
    • 8. ПС>2: МУНГ
      • 4. 2. Исследование электрических параметров нанокомпозитов
  • БпОг :МУНТ
    • 4. 3. Исследование температурной зависимости поверхностного сопротивления нанокомпозита 8пОг: МУНТ
    • 4. 4. Газочувствительные свойства нанокомпозита 8п02: МУНТ
  • Выводы к четвертой главе 124 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И
  • ВЫВОДЫ
  • Список литературы

Актуальность темы

В современном мире человечество довольно часто сталкивается с проблемой контроля состояния окружающей среды. Проблема определения содержания в воздухе токсичных и взрывоопасных газов достаточно актуальна в различных областях нефтеперерабатывающей, нефтехимической и химической промышленностей, при производстве пластмасс и металлов, при добыче, транспортировке и использовании природного газа, при работе в шахтах. Для решения этой проблемы разработаны различные датчики токсичных газов.

Наиболее распространенными являются датчики на основе металлоок-сидных полупроводников таких как БпОг, ZtlO, Хт02 и других. Принцип действия металлооксидных датчиков обусловлен изменением их поверхностного электросопротивления при адсорбции молекул газа. Электросопротивление изменяется пропорционально концентрации контролируемого газа в воздухе. Величина газового отклика поликристаллической сенсорной пленки определяется долей поверхностных атомов, взаимодействующих с газом, относительно количества атомов в объеме зерна, поэтому с уменьшением размера зерен поликристалла повышается адсорбционная активность поверхностных состояний во взаимодействии пленок с газами, что приводит к увеличению чувствительности поликристаллической пленки к газам и к снижению рабочих температур сенсорных элементов.

Одним из способов уменьшения размеров зерна является использование многокомпозитных металлооксидов, которые не образуют между собой химических соединений. Например, ранее было показано, что в результате синтеза нанокомпозита, содержащего БпОг и 8102, удается изготовить пленки с размером зерна 3 5 нм и с высокими метрологическими характеристиками. В то же время не изучены возможности синтеза и улучшения газочувствительных свойств нанокомпозитов БпОз с другими оксидами, например ЪхОг

Увеличить количество атомов поверхности, взаимодействующих с газами, можно путем введения в матрицу БпОг одностенных и многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ). Имеются научные публикации об успешном использовании композитов с одностенными нанотрубками для улучшения характеристик сенсорных слоев, но мало сведений о влиянии МУНТ на свойства чувствительного элемента датчика газа.

В работе рассмотрены условия синтеза новых перспективных наноком-позитов 8п02: Zr02 и 8п02: МУНТ. Такие материалы позволят увеличить величину газовой чувствительности, уменьшить рабочую температуру датчика на десятки градусов Цельсия, уменьшить потребляемую мощность в несколько раз.

Работа выполнялась в соответствии с планом Госбюджетных работ ГБ-04.34 «Исследование полупроводниковых материалов (81, А3В5 и др.), приборов и технологии их изготовления», номер гос. регистрации 0120.412 888 и ГБ-2010.34 «Физические основы технологии и проектирования полупроводниковых изделий микроэлектроники» номер гос. регистрации 1 201 052 625. Работа выполнена по программе грантов РФФИ-ГФЕН 07−02−92 102 и РФФИ 08−02−99 005 рофи.

Цель и задачи исследования

Цель работы заключается в создании и исследовании новых нанокомпозитных материалов 8п02: Zr02 и 8п02: МУНТ для чувствительного слоя датчиков газов с оптимальными метрологическими параметрами. В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи:

1. Оптимизировать режимы изготовления и состав нанокомпозитов 8п02: Ъх02, синтезированных методом ионно-лучевого реактивного распыления, и 8п02: МУНТ, изготовленных методом гидролиза хлорида олова.

2. Установить влияние изотермического стабилизирующего отжига и состава нанокомпозитов на электрофизические параметры пленок нанокомпозитов Бп02: Ъх02 и 8п02: МУНТ.

3. В зависимости от элементного состава пленок S11O2: Zr02 методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и просвечивающей электронной микроскопией высокого разрешения (HRTEM) определить морфологию поверхности, размер и структуру зерен нанокомпозита.

4. Определить температурную зависимость величины газовой чувствительности пленок-нанокомпозитов Sn02: Zr02, изготовленных методом ион-но-лучевого реактивного распыления, и Sn02: МУНТ, изготовленных гидролизом хлорида олова в зависимости от содержания Zr02 и МУНТ, соответственно.

В качестве объектов исследований были выбраны тонкие пленки нанокомпозита Sn02: Zr02, с различным содержанием примеси циркония от 0,5 до 4,6 ат. %, изготовленные методом ионно-лучевого распыления, а также пленки, изготовленные с помощью гидролиза растворов хлоридов олова и добавлением МУНТ с содержанием от 0 до 6,9% вес.

Научная новизна. Основные экспериментальные результаты, представленные в работе, получены впервые и заключаются в следущем:

1. В нанокомпозите на основе Sn02 с добавкой Zr02 размер зерен уменьшается от 40 до 10 нм при увеличении содержания примеси циркония от от 0,5 до 4,6 ат. %.

2. Уменьшение размера зерна в нанокомпозите Sn02: Zr02 от 40 до 10 нм приводит к уменьшению температуры максимальной газовой чувствительности к парам этанола, ацетона и пропанола на несколько десятков градусов Цельсия.

3. Синтезирован композит Sn02: МУНТ с различным содержанием на-нотрубок. Показано, что при увеличении содержания МУНТ до 1,7% вес. газовая чувствительность увеличивается в4^-9 раз по сравнению с чувствительностью пленок без добавления нанотрубок. Дальнейшее увеличение концентрации МУНТ не увеличивает газовую чувствительность пленки.

Практическая значимость работы. s

1. Разработанные методы синтеза нанокомпозитов Sn02: Zr02, S11O2 • МУНТ могут быть использованы при изготовлении высокоэффективных датчиков газов.

2. Нанокомпозит, изготовленный добавлением МУНТ до 1,7% вес. является перспективным материалом для газовой сенсорики.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. При синтезе композитов Sn02: ZrU2 реактивным ионно-лучевым распылением образуются наноструктурированные пленки, размер зерна которых зависит от содержания Zr02 в Sn02 Увеличение содержания примеси циркония в нанокомпозите Sn02: Zr02 от 0,5 до 4,6 ат. % приводит к уменьшению среднего размера зерна от 40 до 10 нм соответственно.

2. Температура максимальной газовой чувствительности у пленок-нанокомпозитов Sn02: Zr02 по сравнению с чистой пленкой Sn02 уменьшается практически на несколько десятков градосов Цельсия с уменьшением размеров зерен от 40 до 10 нм.

3. Режимы синтеза нанокомпозитов Sn02: МУНТ методом гидролиза раствора солей олова, физические условия (температура, время) термообработок и кристаллизации пленок Sn02 с МУНТ концентрацией нанотрубок от 0 до 6,9 вес. % для стабилизации электрических параметров пленок.

4. Величина газовой чувствительности композита Sn02 с добавкой МУНТ увеличивается в 4 -ь 9 раз с увеличением концентрации нанотрубок до 1,7% вес. по сравнению с чувствительностью плёнок без добавления нанотрубок. Дальнейшее увеличение концентрации МУНТ в Sn02 свыше 3,5% вес. приводит к уменьшению чувствительности до значений, соответствующих чувствительности пленки Sn02 без добавления МУНТ.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и научно — технических семинарах: VIII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск, 2008) — Первой международной научной конференции «Наноструктурные материалы» (Минск, 2008) — 48

50 научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов, магистров и студентов ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет» (Воронеж, 2008;2010) — IX Международной научной конференции «Химия твердого тела: монокристаллы, наномате-риалы, нанотехнологии» (Кисловодск, 2009) — XII Международной научной конференции «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 2010) — X Международной научной конференции «Химия твердого тела: наноматериа-лы, нанотехнологии» (Кисловодск, 2010).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 19 научных работах, в том числе 3 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [72−77] — исследование электро-физическихских и оптических свойств пленок-нанокомпозитов 8п-2г-0, [6667, 78−79] - исследование газочувствительных свойств пленок-нанокомпозитов на основе диоксида олова, [68−69] - анализ влияния состава пленок-нанокомпозитов 8п-Ег-0 на их электрофизические свойства, [70−71] - обоснование применения композита 8п-7г-0 в газовой сенсорике, [80] - исследование взаимодействия спеченных пленок 8п02 к различным газам, [81−82] — исследование релаксационных процессов металлооксидных пленок, [84−85] -исследование газовой чувствительности нанокомпозита на основе 8п02 и углеродных нанотрубок, [66−82, 84−85] - обсуждение полученных результатов и подготовка работ к печати.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 85 наименований. Основная часть работы изложена на 137 страницах, включает 76 рисунков и 7 таблиц.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Апробирован способ изготовления пленок-нанокомпозитов Sn02: Zr02 методом ионно-лучевого реактивного распыления составной металлической мишени в атмосфере аргона — кислорода. Установлено, что содержание примеси Zr в пленке нанокомпозита Sn02: Zr02 вдоль подложки уменьшается от 4,6 ат. % до 0,5 ат. %. Исследованы оптические свойства пленок-нанокомпозитов Sn02: Zr02, экспериментально оценена ширина запрещенной зоны.

2. Определены физические условия (температура, время) термообработок и кристаллизации пленок Sn02, с добавками циркония, для формирования нанокристаллической структуры и развитой поверхности, а также для стабилизации электрических параметров пленок.

3. С помощью атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения экспериментально показано, что при увеличении содержания примеси Zr от 0,5 ат. % до 4,6 ат. % в пленке Sn02: Zr02 размер зерен поликристаллов уменьшается от 40 до 10 нм. Величина межплоскостных расстояний в кристаллической решетке отдельных зерен, измеренная с помощью программы Digital Micrograf на большом количестве объектов (более 50), после усреднения составляет 0.33 нм, что с удовлетворительной точностью соответствует межплоскостным расстояниям [001] и параметру кристаллической решетки с = 0.32 нм тетрагонального Sn02. Подтверждается монокристаллическая природа зерен Sn02. Отдельную кристаллическую фазу, соответствующую Zr02, на микрофотографиях обнаружить не удалось.

4. С помощью эффекта Холла методом Ван-дер-Пау найдены подвижность и концентрация свободных носителей заряда, удельное сопротивление для пленок-нанокомпозитов Sn02: Zr02. Установлено, с ростом содержания примеси циркония концентрация электронов уменьшается почти на 4 порядка, а подвижность увеличивается почти в 9 раз. Определена дебаевская длина экранирования для пленок-нанокомпозитов с различным содержанием примеси циркония и установлены механизмы токопереноса в пленках в зависимости от размера зерна.

5. Исследование газовой чувствительности пленок БпОг, с добавками циркония, показало, что при взаимодействии газа (этанола, ацетона и пропанола) с поверхностью пленки на основе БпОг: Zr02 наибольшая чувствительность проявляется. к парам ацетона, а температура максимальной газовой чувствительности с ростом содержания циркония уменьшается на несколько десятков градусов Цельсия. Увеличение доли атомов на поверхности зерна приводит к увеличению активности поверхностных состояний и к снижению температуры максимальной газовой чувствительности, что в данной работе наблюдалось экспериментально.

6. Отработаны и оптимизированы технологические режимы изготовления пленок методом гидролиза водноспиртовых растворов хлорида олова с добавлением МУНТ с содержанием 0 6,9% вес. Определены физические условия (температура, время) термообработок и кристаллизации пленок 8п02, с МУНТ для стабилизации электрических параметров пленок.

7. Концентрация свободных носителе заряда в пленках ЭпОг: МУНТ увеличивается на 2 порядка с ростом содержания нанотрубок в пленках, а подвижность электронов уменьшается в 5 раз по сравнению с пленками без добавления МУНТ.

8. Исследования газовой чувствительности пленок 8п02: МУНТ показали, что повышение величины газовой чувствительности проявляется у пленок с содержанием нанотрубок в количестве до 1,72% вес. к парам этилового спирта, изопропилового спирта и ацетона в 4 9 раз по сравнению с чувствительностью пленок без добавления МУНТ. Температура максимальной газовой чувствительности у пленок с добавлением нанотрубок лежит примерно в одном интервале.

Таким образом, исследованные нанокомпозиты могут быть использованы для повышения чувствительности сенсорных слоев к различным газам.

Автор выражает признательность и благодарность профессору С. И. Рембезе., профессору М. И. Горлову, доценту Т. В. Свистовой, за помощь в обработке результатов исследования, Б. Л. Агапову, А. Н. Ситникову и А. Ю. Воробьеву за помощь в изготовлении образцов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. The surface structure of Sn02 (110)(4xl) revealed by scanning tunneling microscopy /F.H. Jones // Surface Science — 1997—Vol.376.—P.367−373.
  2. Сообщение о научно-технических работах в республике: Катализ. / А. Ф. Иоффе // Л.: НХТИ, 1930. — 53 с.
  3. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях / С.З. Рогин-ский // М.: АН СССР, 1948. 278 с.
  4. Физико-химия поверхности полупроводников / Ф. Ф. Волькенштейн // М.: Наука, 1973. 400 с.
  5. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемо-сорбции / Ф. Ф. Волькенштейн // М.: Наука, 1987. 432 с.
  6. Химическая физика поверхности твердого тела / С. Р. Моррисон // М.: Мир, 1982. 583 с.
  7. Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В. Б. Лазарев, В. В. Соболев, И. С. Шаплыгин // М.: Наука, 1983. 239 с.
  8. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В. Б. Лазарев, В. Г. Красов, И. С. Шаплыгин // М.: Наука.-1978.- 168с.
  9. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ / А.А. Самсонова// Справочник, М.: Наука, 1978.-390 с.
  10. Полупроводниковые сенсоры для физико-химических исследований / И. А. Мясников, В. Я. Сухарев, Л. Ю. Куприянов, С. А. Завьялов // М.: Наука. 1991.
  11. Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бехштедт, Р. Эндердайн // М.: Мир. 1990.
  12. Surface processes in the detection of reducing gases with SnC>2 based devices /.D. Kohl // Sensor and Actuators. — 1989. — Vol. 18. — P.71 — 114.
  13. Conduction model in gas-sensing Sn02 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence / N. Barsan // Sensor and Actuators.-1994.- Vol. В.- № 17.-P.241 -246.
  14. Химия полупроводниковых наночастиц / Р. Ф. Хайрутдинов // Успехи химии.-1998.-т.67.-С. 125−139.
  15. The role of noble metals in the chemistry of solid state gas sensors / D. Kohl // Sensors and Actuators, 1990.- V.B.- P.158−165.
  16. Basic Aspects and Challenges of Semiconductor Gas Sensors / Y. Shi-mizu, M. Egashira // J. MRS Bulletin, 1999.- V.24.-№ 6.- P. 18−24.
  17. Gas sensors based on metal oxide semiconductors / H.R. Hubner, E. Obermeier // Sensor and Actuators. 1989. — Vol. 17. — P.351 — 380.
  18. Полупроводниковые датчики на основе металлооксидных полупроводников / А. И. Бутурлин, Г. А. Габузян, Н. А. Голованов, И.В. Баранен-ков, А. В. Евдокимов, М. Н. Муршудли, В. Г. Фадин, Ю. Д. Чистяков // Зарубежная электронная техника. 1983. — № 10. — С. 3 — 38.
  19. Characteristics of semiconductor gas sensors / P. K. Clifford, D.T. Tu-ma // Sensor and Actuators. 1982. — Vol. 3. — P.233 — 254.
  20. Conduction model in gas-sensing Sn02 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence / N. Barsan // Sensor and Actuators-1994- Vol. В.- № 17.-P.241 246.
  21. Relationship between gas sensitivity and microstructure of porous SnC>2 / C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe // J. Electrochem. Soc. 1990-Vol.58.-№ 12.-P. 1143 -1148.
  22. Grain size effects on gas sensitivity of porous Sn02 based elements / C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe // Sensor and Actuators-1991. Vol. B.3.-P.147- 155.
  23. Study on the sensing mechanism of tin oxide flammable gas ensor using the Hall effect / M. Ippommatsu, H. Ohnishi, H. Saski, T. Matsumoto-// J. Appl. Phys. 1991. — Vol. 69(12). — № 15. — P.8368 — 8374.
  24. The tin dioxide gas sensor / J. Watson, K. Ihokura, G.S.V. Colest // Meas. Sci. Technol. -1993. -№ 4. P.717−719.
  25. Hall effect measurement to calculate the conduction controlling semiconductor films of Sn02 / M.C. Horrillo, J. Gutierrez, L. Ares, J.I. Robla, I. Saya-go, J. Getino, J.A. Agapito // Sensor and Actuators-1994-Vol. A.- № 41−42-P.619 — 621.
  26. Effect of Arsenic Segregation on the Electrical Properties of Grain Boundaries in Polycrystalline silicon / C.Y. Wong, C.R. Grovenor, P.E. Batson, P.A. Smith // J. Appl. Phys.- 1985.-V.57.-№ 2.-P.438−442.
  27. Датчики / Г. M Виглеб // Мир, 1989. 196 с.
  28. The tin dioxide gas sensor / J. Watson, K. Ihokura, G.S.V. Coles // Meas. Sci. Technol. -1993. -№ 4. P.711−719.
  29. Sn02 based inflammable gas sensor / H. Ihokura // Ph. D. Thesis — 1983-P.52—57.
  30. Gas sensors / H. Mitsudo // Ceramic 1980.-№ 15.-P. 339 — 345.
  31. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова / Е. М. Панкратов, В. П Рюмин., Н. П. Щелкина // М.: Энергия, 1969 56 с.
  32. Gas sensors based on metal oxide semiconductors / H.R. Hubner, E. Obermeier// Sensor and Actuators. 1989. — Vol. 17. — P.351 — 380.
  33. Природа изменений физических свойств поликристаллических тонких пленок Sn02, вызванных термообработкой / А. И. Иващенко, И.В. Хо-рошун, Г. А. Киоссе и др. // Кристаллография.- 1997. т. 42. — № 5. — С.901−905.
  34. Influence of the annealing temperature of non-doped sintered, tin dioxide sensors on their sensitivity and response time to carbon monoxide / E. Bor-nand // Sensor and Actuators. 1983 — № 4.-P.613 — 620.
  35. Influence of annealing on the phase composition, transmission and resistivity of Sn02 thin films / G. Beensh-Marchwicka, L. Krol-Stepniewska, A. Mi-siuk // Thin Solid Films.-1984.- V. l 13.-P.215 224.
  36. Influence of annealing on the phase composition, transmission and resistivity of Sn02 thin films / G. Beensh-Marchwicka, L. Krol-Stepniewska, A. Mi-siuk// Thin Solid Films.-l984.- Vol.113.-P.215 224.
  37. Defect chemistry of antimony doped Sn02 thin films / M. Rekas, Z. Szklarski // Bull. Polish Academy Sci. Chem.-1996.-Vol.44.-№ 3.-P.155−177.
  38. Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов / Э. Е. Гутман // Журн. физ. химии. 1984. — Т. LVIII. — Вып.4. — С. 801 — 821.
  39. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках / В. Ф. Киселев // М.: Наука, 1970. 399 с.
  40. Iijima S., Nature. V. 354, 1991, p. 56.
  41. Химия и применение углеродных нанотрубок / Э. Г. Раков // Успехи химии, т.70, № 10, 2001, с.934−973.
  42. Gas sensor application of carbon nanotubes, int. Journal of engineering and technology / M.Y. Faizah, A. Fakhrul-razi, R.M. Sider, A.G. Liew Abdulah // v.4,№ 1,2007, p. 106−113.
  43. Sensing no 2 with individual suspended1 single walled carbon nanotubes, Sensors and1 actuators, b chemical / T. Heibling, R. Poirie, L. Durer et аГ// v. 132, is. 2, 2008, p. 491−497.
  44. Наноматериалы и нанотехнологии в химических и биохимических сенсорах: возможности и области применения / С. Н. Штыков, Т. Ю. Русанова // РХЖ, т.11, № 2, 2008, с.92−100.
  45. Sol-gel prepared SWNT Sn02 thin films for micromached gas sensor, nsti-nanotech, 2004, www nsti / J. Gong, Q. Chen // Org. Isbno 9 728 422−9-2, v.3,2004.
  46. Новые направления физического материаловедения / И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, О. В. Стогней // Воронеж.: ВГУ.- 2000.-360с.
  47. Вакуумное нанесение тонких пленок / Б. С. Данилин // М .: Энергия, 1967.-312с.
  48. Комбинированная методика измерения газовой чувствительности датчиков / С. И. Рембеза, Т. В. Свистова, Е. П. Новокрещенова // Датчик-97: Тез. докл. научн.-техн. конф.-Крым, Гурзуф, 1997 С. 428−429.
  49. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович // М.: Радио и связь, 1985.-284 с.
  50. Инструкция к пользованию. Микроинтерферометр Линника МИИ-4. Л.: ЛОМО, 1978.-23 с.
  51. Оптические свойства полупроводников / Ю. И. Уханов // М.: Наука, 1977.-366 с.
  52. Оптические процессы в полупроводниках / Т. Панков // Пер. с англ.- М.: Мир, 1986.- 456 с.
  53. Методы измерения основных параметров полупроводников / С. И. Рембеза // Воронеж.- 1989.- 224с.
  54. Измерение параметров полупроводниковых материалов / Н.Ф. Ков-тонюк, Ю. А. Концевой // М.: Металлургия, 1972.-432 с.
  55. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур/ В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович // М.: Радио и связь, 1 985 264 с.
  56. The tin dioxide gas sensor / J. Watson, К. Ihokura, G.S.V. Colest // Meas. Sei. Technol. -1993. -№ 4. P.717−719.
  57. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования / Е.В. Ку-чис // М.: Радио и связь.-1990.- 264с.
  58. Металлооксидные нанокомпозиты для газовой сенсорики / С. И. Рембеза, Е. С. Рембеза, H.H. Кошелева Е. А. Тарасова, Ю. В. Шматова // Первая международная научной конференции «Наноструктурные материалы» (Минск 2008) с. 560−561.
  59. Электрофизические свойства нанокомпозитов Sn-Zr-O / T.B. Свистова, Ю. В. Шматова // 48 научно-техническая конференция преподавателей, научных работников, аспирантов и студентов, Воронеж, 2008, каф. ППЭиНЭ.
  60. Газочувствительные свойства пленок-нанокомпозитов Sn-Zr-O / С. И. Рембеза, Т. В. Свистова, Ю. В. Шматова // Межвузовский сборник науч-, ных трудов. Твердотельная электроника и наноэлектроника. 2009 г с. 105.
  61. Электрофизические и оптические свойства нанокомпозита Sn-Zr-O: / Ю. В. Шматова, С. И. Рембеза Т.В. Свистова, Ф. В. Макаренко, Е. С. Рембеза, H.H. Кошелева // Вестник ВГТУ том 5 № 6 2009г, с. 159−162.
  62. Электрофизические свойства нанокомпозитов Sn-Zr-O / Ю. В. Шматова, С. И. Рембеза, H.H. Кошелева // 49 научно-техническая конференция преподавателей и студентов ВГТУ «Микроэлектроника», Воронеж 20 -23 апреля 2009 (Воронеж, ВГТУ, 2009) с. 4.
  63. Газочувствительные свойства-нанокомпозита Sn-Zr-О / Ю. В: Шматова- С. И. Рембеза Т.В. Свистова, Н. Н. Кошелева, Е. С. Рембеза, Ганг Ксю // Вестник ВГТУ, том 6, № 1, 20 Юг, с. 16−19.
  64. Релаксации металлооксидных пленок при длительном хранении / С. И. Рембеза, Н. Н. Кошелева, Ю. В. Шматова // Релаксационные явления в твердых телах тез.докл.ХН Международной научной, конференции. Воронеж, 2010.С. 132−133.
  65. Work functions and valence band states of pristine and Cs-intercalated single-walled carbon nanotube bundles / S. Suzuki, G. Bower, Y. Watanabe // Appl. Phys. Lett. 2000. v. 76. p. 4007−4009.
Заполнить форму текущей работой