Электрофизические свойства нанокомпозитов на основе SnO2: ZrO2 и SnO2 с добавлением многостенных углеродных нанотрубок
Диссертация
С помощью атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения экспериментально показано, что при увеличении содержания примеси Zr от 0,5 ат. % до 4,6 ат. % в пленке Sn02: Zr02 размер зерен поликристаллов уменьшается от 40 до 10 нм. Величина межплоскостных расстояний в кристаллической решетке отдельных зерен, измеренная с помощью программы Digital Micrograf… Читать ещё >
Список литературы
- The surface structure of Sn02 (110)(4xl) revealed by scanning tunneling microscopy /F.H. Jones // Surface Science — 1997—Vol.376.—P.367−373.
- Сообщение о научно-технических работах в республике: Катализ. / А. Ф. Иоффе // Л.: НХТИ, 1930. — 53 с.
- Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях / С.З. Рогин-ский // М.: АН СССР, 1948. 278 с.
- Физико-химия поверхности полупроводников / Ф. Ф. Волькенштейн // М.: Наука, 1973. 400 с.
- Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемо-сорбции / Ф. Ф. Волькенштейн // М.: Наука, 1987. 432 с.
- Химическая физика поверхности твердого тела / С. Р. Моррисон // М.: Мир, 1982. 583 с.
- Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В. Б. Лазарев, В. В. Соболев, И. С. Шаплыгин // М.: Наука, 1983. 239 с.
- Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В. Б. Лазарев, В. Г. Красов, И. С. Шаплыгин // М.: Наука.-1978.- 168с.
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ / А.А. Самсонова// Справочник, М.: Наука, 1978.-390 с.
- Полупроводниковые сенсоры для физико-химических исследований / И. А. Мясников, В. Я. Сухарев, Л. Ю. Куприянов, С. А. Завьялов // М.: Наука. 1991.
- Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бехштедт, Р. Эндердайн // М.: Мир. 1990.
- Surface processes in the detection of reducing gases with SnC>2 based devices /.D. Kohl // Sensor and Actuators. — 1989. — Vol. 18. — P.71 — 114.
- Conduction model in gas-sensing Sn02 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence / N. Barsan // Sensor and Actuators.-1994.- Vol. В.- № 17.-P.241 -246.
- Химия полупроводниковых наночастиц / Р. Ф. Хайрутдинов // Успехи химии.-1998.-т.67.-С. 125−139.
- The role of noble metals in the chemistry of solid state gas sensors / D. Kohl // Sensors and Actuators, 1990.- V.B.- P.158−165.
- Basic Aspects and Challenges of Semiconductor Gas Sensors / Y. Shi-mizu, M. Egashira // J. MRS Bulletin, 1999.- V.24.-№ 6.- P. 18−24.
- Gas sensors based on metal oxide semiconductors / H.R. Hubner, E. Obermeier // Sensor and Actuators. 1989. — Vol. 17. — P.351 — 380.
- Полупроводниковые датчики на основе металлооксидных полупроводников / А. И. Бутурлин, Г. А. Габузян, Н. А. Голованов, И.В. Баранен-ков, А. В. Евдокимов, М. Н. Муршудли, В. Г. Фадин, Ю. Д. Чистяков // Зарубежная электронная техника. 1983. — № 10. — С. 3 — 38.
- Characteristics of semiconductor gas sensors / P. K. Clifford, D.T. Tu-ma // Sensor and Actuators. 1982. — Vol. 3. — P.233 — 254.
- Conduction model in gas-sensing Sn02 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence / N. Barsan // Sensor and Actuators-1994- Vol. В.- № 17.-P.241 246.
- Relationship between gas sensitivity and microstructure of porous SnC>2 / C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe // J. Electrochem. Soc. 1990-Vol.58.-№ 12.-P. 1143 -1148.
- Grain size effects on gas sensitivity of porous Sn02 based elements / C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe // Sensor and Actuators-1991. Vol. B.3.-P.147- 155.
- Study on the sensing mechanism of tin oxide flammable gas ensor using the Hall effect / M. Ippommatsu, H. Ohnishi, H. Saski, T. Matsumoto-// J. Appl. Phys. 1991. — Vol. 69(12). — № 15. — P.8368 — 8374.
- The tin dioxide gas sensor / J. Watson, K. Ihokura, G.S.V. Colest // Meas. Sci. Technol. -1993. -№ 4. P.717−719.
- Hall effect measurement to calculate the conduction controlling semiconductor films of Sn02 / M.C. Horrillo, J. Gutierrez, L. Ares, J.I. Robla, I. Saya-go, J. Getino, J.A. Agapito // Sensor and Actuators-1994-Vol. A.- № 41−42-P.619 — 621.
- Effect of Arsenic Segregation on the Electrical Properties of Grain Boundaries in Polycrystalline silicon / C.Y. Wong, C.R. Grovenor, P.E. Batson, P.A. Smith // J. Appl. Phys.- 1985.-V.57.-№ 2.-P.438−442.
- Датчики / Г. M Виглеб // Мир, 1989. 196 с.
- The tin dioxide gas sensor / J. Watson, K. Ihokura, G.S.V. Coles // Meas. Sci. Technol. -1993. -№ 4. P.711−719.
- Sn02 based inflammable gas sensor / H. Ihokura // Ph. D. Thesis — 1983-P.52—57.
- Gas sensors / H. Mitsudo // Ceramic 1980.-№ 15.-P. 339 — 345.
- Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова / Е. М. Панкратов, В. П Рюмин., Н. П. Щелкина // М.: Энергия, 1969 56 с.
- Gas sensors based on metal oxide semiconductors / H.R. Hubner, E. Obermeier// Sensor and Actuators. 1989. — Vol. 17. — P.351 — 380.
- Природа изменений физических свойств поликристаллических тонких пленок Sn02, вызванных термообработкой / А. И. Иващенко, И.В. Хо-рошун, Г. А. Киоссе и др. // Кристаллография.- 1997. т. 42. — № 5. — С.901−905.
- Influence of the annealing temperature of non-doped sintered, tin dioxide sensors on their sensitivity and response time to carbon monoxide / E. Bor-nand // Sensor and Actuators. 1983 — № 4.-P.613 — 620.
- Influence of annealing on the phase composition, transmission and resistivity of Sn02 thin films / G. Beensh-Marchwicka, L. Krol-Stepniewska, A. Mi-siuk // Thin Solid Films.-1984.- V. l 13.-P.215 224.
- Influence of annealing on the phase composition, transmission and resistivity of Sn02 thin films / G. Beensh-Marchwicka, L. Krol-Stepniewska, A. Mi-siuk// Thin Solid Films.-l984.- Vol.113.-P.215 224.
- Defect chemistry of antimony doped Sn02 thin films / M. Rekas, Z. Szklarski // Bull. Polish Academy Sci. Chem.-1996.-Vol.44.-№ 3.-P.155−177.
- Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов / Э. Е. Гутман // Журн. физ. химии. 1984. — Т. LVIII. — Вып.4. — С. 801 — 821.
- Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках / В. Ф. Киселев // М.: Наука, 1970. 399 с.
- Iijima S., Nature. V. 354, 1991, p. 56.
- Химия и применение углеродных нанотрубок / Э. Г. Раков // Успехи химии, т.70, № 10, 2001, с.934−973.
- Gas sensor application of carbon nanotubes, int. Journal of engineering and technology / M.Y. Faizah, A. Fakhrul-razi, R.M. Sider, A.G. Liew Abdulah // v.4,№ 1,2007, p. 106−113.
- Sensing no 2 with individual suspended1 single walled carbon nanotubes, Sensors and1 actuators, b chemical / T. Heibling, R. Poirie, L. Durer et аГ// v. 132, is. 2, 2008, p. 491−497.
- Наноматериалы и нанотехнологии в химических и биохимических сенсорах: возможности и области применения / С. Н. Штыков, Т. Ю. Русанова // РХЖ, т.11, № 2, 2008, с.92−100.
- Sol-gel prepared SWNT Sn02 thin films for micromached gas sensor, nsti-nanotech, 2004, www nsti / J. Gong, Q. Chen // Org. Isbno 9 728 422−9-2, v.3,2004.
- Новые направления физического материаловедения / И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, О. В. Стогней // Воронеж.: ВГУ.- 2000.-360с.
- Вакуумное нанесение тонких пленок / Б. С. Данилин // М .: Энергия, 1967.-312с.
- Комбинированная методика измерения газовой чувствительности датчиков / С. И. Рембеза, Т. В. Свистова, Е. П. Новокрещенова // Датчик-97: Тез. докл. научн.-техн. конф.-Крым, Гурзуф, 1997 С. 428−429.
- Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович // М.: Радио и связь, 1985.-284 с.
- Инструкция к пользованию. Микроинтерферометр Линника МИИ-4. Л.: ЛОМО, 1978.-23 с.
- Оптические свойства полупроводников / Ю. И. Уханов // М.: Наука, 1977.-366 с.
- Оптические процессы в полупроводниках / Т. Панков // Пер. с англ.- М.: Мир, 1986.- 456 с.
- Методы измерения основных параметров полупроводников / С. И. Рембеза // Воронеж.- 1989.- 224с.
- Измерение параметров полупроводниковых материалов / Н.Ф. Ков-тонюк, Ю. А. Концевой // М.: Металлургия, 1972.-432 с.
- Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур/ В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович // М.: Радио и связь, 1 985 264 с.
- The tin dioxide gas sensor / J. Watson, К. Ihokura, G.S.V. Colest // Meas. Sei. Technol. -1993. -№ 4. P.717−719.
- Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования / Е.В. Ку-чис // М.: Радио и связь.-1990.- 264с.
- Металлооксидные нанокомпозиты для газовой сенсорики / С. И. Рембеза, Е. С. Рембеза, H.H. Кошелева Е. А. Тарасова, Ю. В. Шматова // Первая международная научной конференции «Наноструктурные материалы» (Минск 2008) с. 560−561.
- Электрофизические свойства нанокомпозитов Sn-Zr-O / T.B. Свистова, Ю. В. Шматова // 48 научно-техническая конференция преподавателей, научных работников, аспирантов и студентов, Воронеж, 2008, каф. ППЭиНЭ.
- Газочувствительные свойства пленок-нанокомпозитов Sn-Zr-O / С. И. Рембеза, Т. В. Свистова, Ю. В. Шматова // Межвузовский сборник науч-, ных трудов. Твердотельная электроника и наноэлектроника. 2009 г с. 105.
- Электрофизические и оптические свойства нанокомпозита Sn-Zr-O: / Ю. В. Шматова, С. И. Рембеза Т.В. Свистова, Ф. В. Макаренко, Е. С. Рембеза, H.H. Кошелева // Вестник ВГТУ том 5 № 6 2009г, с. 159−162.
- Электрофизические свойства нанокомпозитов Sn-Zr-O / Ю. В. Шматова, С. И. Рембеза, H.H. Кошелева // 49 научно-техническая конференция преподавателей и студентов ВГТУ «Микроэлектроника», Воронеж 20 -23 апреля 2009 (Воронеж, ВГТУ, 2009) с. 4.
- Газочувствительные свойства-нанокомпозита Sn-Zr-О / Ю. В: Шматова- С. И. Рембеза Т.В. Свистова, Н. Н. Кошелева, Е. С. Рембеза, Ганг Ксю // Вестник ВГТУ, том 6, № 1, 20 Юг, с. 16−19.
- Релаксации металлооксидных пленок при длительном хранении / С. И. Рембеза, Н. Н. Кошелева, Ю. В. Шматова // Релаксационные явления в твердых телах тез.докл.ХН Международной научной, конференции. Воронеж, 2010.С. 132−133.
- Work functions and valence band states of pristine and Cs-intercalated single-walled carbon nanotube bundles / S. Suzuki, G. Bower, Y. Watanabe // Appl. Phys. Lett. 2000. v. 76. p. 4007−4009.