Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Процессы жидкостной химической подготовки кремниевых пластин в производстве СБИС с субмикронными проектными нормами

Диссертация: Процессы жидкостной химической подготовки кремниевых пластин в производстве СБИС с субмикронными проектными нормами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработана система основных требований к физико-химическому взаимодействию твёрдых поверхностей с жидкими технологическими средами в процессах ЖХО производства изделий микроэлектроники, которая заключается в правилах подбора: одинаковой полярности и соответствующей величины-потенциалов обрабатываемой поверхности и загрязненийвеличины положительного окислительно-восстановительного потенциала… Читать ещё >

Процессы жидкостной химической подготовки кремниевых пластин в производстве СБИС с субмикронными проектными нормами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР И ОЦЕНКА ЗАГРЯЗНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, ТЕХНОЛОГИЙ ОЧИСТКИ, МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ ЖИДКИХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СРЕД
    • 1. 1. Влияние степени химического совершенства подложек на качество получаемых структур
      • 1. 1. 1. Виды поверхностных загрязнений и источники их генерации на поверхность полупроводниковых пластин
      • 1. 1. 2. Влияние ЖТС на качество поверхности кремниевых пластин
    • 1. 2. Характеристика методов очистки поверхности пластин при производстве ИС
      • 1. 2. 1. Процессы сухой, паровой и аэрозольной очистки
      • 1. 2. 2. Характеристика методов жидкостной химической очистки
      • 1. 2. 3. Тенденции развития методов ЖХО
    • 1. 3. Классификация методов и средств контроля’качества ЖХР
  • ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ УРОВНЯ КАЧЕСТВА ЖХР И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СРЕД
    • 2. 1. Методика определения следовых количеств примесей в ЖХР и технологических средах
    • 2. 2. Исследование качества ЖХР в соответствии с зарубежными классификациями
      • 2. 2. 1. Оценка состояния поставок и пути повышения качества ЖХР
    • 2. 3. Анализ технологических растворов и травителей, применяемых в производстве схем уровня 0,8−1,2 мкм
      • 2. 3. 1. Исследование растворов для очистки пластин на содержание ионных примесей
      • 2. 3. 2. Исследование накопления ионных примесей в растворах для травления
      • 2. 3. 3. Исследование накопления ионных примесей в растворе для антикоррозионной обработки
      • 2. 3. 4. Исследование качества ДВ на различных стадиях очистки
  • ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА СИСТЕМЫ ОСНОВНЫХ ТРЕБОВАНИЙ К ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОМУ ВЗАИМОДЕЙСТВИЮ ТВЁРДЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ С ЖИДКИМИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМИ СРЕДАМИ
    • 3. 1. Анализ сил взаимодействия микрочастицы и поверхности кремниевой пластины
    • 3. 2. Правило подбора величин и полярностей дзета-потенциалов для предупреждения адсорбции микрочастиц
    • 3. 3. Правила подбора скорости травления твёрдых поверхностей и способов интенсификации процесса
    • 3. 4. Правило подбора величины и полярности окислительно-восстановительного потенциала жидкой технологической среды для очистки поверхности кремниевых пластин
    • 3. 5. Химический состав и морфология кремниевой поверхности
      • 3. 5. 1. Поверхности, покрытые оксидом кремния
      • 3. 5. 2. Поверхности с водородной пассивацией
  • ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА ПРОЦЕССОВ ЖИДКОСТНОЙ ХИМИЧЕСКОЙ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН В МАРШРУТЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИС С СУБМИКРОННЫМИ РАЗМЕРАМИ
    • 4. 1. Исследование и разработка технологических процессов очистки кремниевых пластин в модифицированных растворах АПР и СПР
      • 4. 1. 1. Постановка эксперимента
      • 4. 1. 2. Экспериментальные результаты
    • 4. 2. Исследование композиций на основе разбавленных растворов НБ
      • 4. 2. 1. Исследование травления пластин в растворах НБ в системе рециркуляционной фильтрации
      • 4. 2. 2. Исследование модифицированных растворов НБ для травления 8102 и диффузионных стёкол с целью разработки процессов НР-1аБ1 и НР-оп1у
      • 4. 2. 3. Проведение исследования возможностей процесса травления в травителе НР: Н2О=1:Ю0 с добавлением соляной кислоты
      • 4. 2. 4. Принципы выбора ПАВ для предупреждения осаждения микрочастиц в растворах НР+НС
  • ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И
  • ВЫВОДЫ

Тенденция развития микроэлектроники в настоящее время заключается в уменьшении размеров элементов, что влечёт за собой ужесточение требований к процессам очистки поверхности пластин во всём цикле изготовления сверхбольших интегральных схем (СБИС). Современное производство полупроводниковых приборов продолжает широко применять жидкостные методы в большинстве операций очистки, что связано со следующими преимуществами: высокой растворимостью металлов, возможностью управления электрокинетическим потенциалом, эффективной передачей звуковой энергии, отсутствием наведённого заряда, имеющего место при проведении очистки сухими методами, и др.

Хотя чистота ЖТС считается одним из главных условий получения высококачественной поверхности с приемлемым уровнем её загрязнения, но реальная чистота технологических сред почти совсем не исследована., также как и реальный уровень качества отечественных реактивов. Более 25 лет на операциях жидкостной химической обработки (ЖХО) использовалась технология фирмы RCA, главным недостатком которой в настоящее время является то, эти процессы не позволяют создать поверхность, отвечающую требованиям технологии СБИС с субмикронными проектными нормами.

Переход технологии на использование пластин большого диаметра требует резкого увеличения расхода ультрачистых дорогостоящих химических реактивах, а безопасность и эффективность производства СБИС диктует необходимость снижения потребности в опасных химических реактивах и ДВ. Развитие производства СБИС с субмикронными размерами элементов требует более глубокой очистки поверхности полупроводниковых пластин, а также формирования определённой морфологической и физико-химической структуры поверхности в зависимости от требований проводимых последующих технологических операций.

• В связи с этим за последнее десятилетие во всём мире начались разработки процессов жидкостной химической обработки пластин, альтернативных существующим.

Таким образом, проблема создания эффективных и простых в использовании процессов ЖХО пластин, удовлетворяющих решению возникших при переходе на субмикронные нормы проблем с учётом всех физико-химических взаимодействий, происходящих на границе раздела фаз твёрдое тело-жидкость, а также с учётом качества используемых химических реактивов является актуальной.

Цель настоящей диссертации является создание эффективных ресурсосберегающих процессов жидкостной химической подготовки ^ кремниевых пластин, способных обеспечить получение поверхностей, удовлетворяющих технологическим требованиям изделий с субмикронными проектными нормами по всему технологическому циклу их производства.

Для достижения поставленной цели требовалось решить следующие основные задачи:

— разработать комплексную методику определения границ применимости жидких химических реактивов (ЖХР) в соответствии с требованиями уровня технологии;

— исследовать качество деионизованной воды (ДВ), используемой для приготовления технологических растворов, и динамику накопления примесей технологическими растворами в процессе их эксплуатации в производственных условиях при использовании иммерсионных методов химической обработки;

— провести анализ видов загрязнений и способов их удаления с учётом физико-химических взаимодействий твёрдых тел в жидких средах в процессе изготовления изделий микроэлектроникиразработать процессы комплексной жидкостной подготовки поверхности пластин кремния для использования на различных этапах производства СБИС с субмикронными проектными нормами.

• Методы исследования. В работе проведены анализы высокоточными методами: атомно-эмиссионной спектрометрии в дуге постоянного тока (АЭС) и в индуктивно-связанной плазме (АЭС ИСП), атомно-абсорбционной спектрофотометрии (ААС), ионной хроматографии (ИХ), атомно-силовой микроскопии (АСМ), зависимого от времени пробоя подзатворного диэлектрика, методами лазерного сканирования поверхности, измерения высокочастотных ВФХ (вольт-фарадных характеристик), химико-аналитическими методами, в том числе — титриметрическим.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Разработана система основных требований к физико-химическому взаимодействию твёрдых поверхностей с жидкими технологическими средами в процессах ЖХО производства изделий микроэлектроники, которая заключается в правилах подбора: одинаковой полярности и соответствующей величины-потенциалов обрабатываемой поверхности и загрязненийвеличины положительного окислительно-восстановительного потенциала (Redox-потенциала) жидкой технологической среды, превышающей величину потенциала подлежащих удалению металлических загрязненийскорости травления твёрдых поверхностей для уменьшения сил взаимодействия между загрязнением и подложкойплотности среды для механической интенсификации еёквалификации компонентов технологических сред, соответствующих требуемому уровню технологии.

2. Разработана комплексная методика определения границ применимости.

ЖХР в соответствии с требованиями уровня технологии (MOS, VLSI, ULSI,.

SLSI), включающая в себя методику исследования высокочувствительными методами анализа ЖХР на содержание всего спектра примесей, оказывающих влияние на качество изготавливаемых приборов, методику выбора поставщиков ЖХР и классификацию реактивов в соответствии с международными нормами.

3. Разработаны процессы подготовки поверхности кремниевых (Si) пластин в маршруте изготовления СБИС с использованием модифицированных с малыми концентрациями активных компонентов) аммиачно-перекисных и соляно-перекисных растворов (АПР и СПР соответственно).

4. Определены допустимые эксплуатационные характеристики процессов ЖХО для использования их в производстве СБИС с проектной нормой 0,8−1,2 мкм по накоплению ионных примесей в технологических растворах и травителях.

5. Разработана методика модификации растворов HF для увеличения эффективности удаления ионных и растворения труднорастворимых загрязнений путём добавления неорганических кислот и перекисей, увеличивающих Redox-потенциал раствора и комплексообразующую способность при сохранении скорости травления (таких как НС1, H2SO4, Н202) — удаления микрочастиц, предупреждения их повторного осаждения и формирования гидрофобной поверхности путём подбора соответствующих поверхностно-активных веществ (ПАВ) с целью разработки процессов «HF-last» и «HF-only», способных заменить процессы RCA.

Практическая ценность работы. На основании разработанной комплексной методики исследования ЖХР проведён анализ всех отечественных ЖХР, используемых в производстве ИС с проектной нормой 0,8 — 1,2 мкм. Разработаны требования к качеству ЖХР отечественного производства для изготовления изделий микроэлектроники с субмикронными проектными нормами, что создало предпосылки для разработки нормативной документации (НД) по качеству химических реактивов для субмикронных производств. Разработан «Перечень допустимых в производстве СБИС с субмикронными проектными нормами химических реактивов отечественного производства». Совместно с Поставщиками химических реактивов проведены исследования и устранены причины аномальных проявлений НС1, н3ро4, hno3 в процессах их эксплуатации.

Разработаны и опробованы промышленные процессы жидкостной химической подготовки пластин, позволяющие повысить качество обрабатываемой поверхности Si пластин (уменьшить остаточную дефектность, шероховатость, среднее значение эффективной плотности заряда на границе 81-ЗЮг,), а также улучшить показатели функционального контроля готовых изделий. Разработаны и опробованы промышленные процессы жидкостной химической подготовки пластин, позволяющие повысить качество обрабатываемой поверхности 81 пластин (уменьшить остаточную дефектность, шероховатость поверхности, среднее значение эффективной плотности заряда на границе 81−8102,), а также улучшить показатели функционального контроля готовых изделий. Использование модифицированных растворов АПР и СПР позволяет обеспечивать требуемые электрофизические параметры тонкого (100 А) подзатворного диэлектрика КМОП-структур. Указанные процессы дают возможность в 3 раза сократить затраты на проведение операций химической обработки, транспортные расходы и затраты на утилизацию отходов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Система основных требований к физико-химическому взаимодействию твёрдых поверхностей с жидкими технологическими средами в процессах ЖХО в производстве изделий микроэлектроники, которая заключается в правилах подбора: полярности и величины-потенциалов обрабатываемой поверхности и загрязнений, величины ге<1ох-потенциала жидкой технологической среды, способов воздействия на обрабатываемую поверхность с целью её подтравливания, механической интенсификации воздействия технологических сред и квалификации компонентов технологических сред, соответствующих требуемому уровню технологии.

2. Комплексная методика определения границ применимости ЖХР в соответствии с требованиями уровня технологии, включающая в себя методики исследования высокочувствительными методами ЖХР и выбора поставщиков.

3. Способ подготовки поверхности 81 пластин в маршруте изготовления СБИС различного уровня технологии с использованием эффективных растворов АПР и СПР с малыми концентрациями активных компонентов.

4. Способ модификации травителей на основе НБ с помощью специализированных добавок для использования финишном этапе ЖХО.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Проведён комплексный анализ существующих эффективных методов очистки кремниевых пластин.

2. Показано, что фактическое содержание примесей в ЖХР отечественного производства на несколько порядков ниже указанного в НД и спецификациях, что делает необходимым пересмотр НД для уточнения (ужесточения) технических требований к химическим реактивам.

3. Показано соответствие всех отечественных реактивов, применяемых в производстве изделий с проектной нормой 1,2−0,8 мкм, уровням качества MOS-и VLSI-grade международной классификации. Показана необходимость улучшения качества химических реактивов при использовании их для получения ИС с размерами элементов 0,5 мкм. Показано, что для достижения уровня качества ULSI-grade для реактивов HF, Н3РО4, Н3РО4, Н202, NH4OH, NH4 °F необходима доработка по уменьшению содержания щелочных металлов (Na, К) и иона хлора (СГ), что в основном определяется уровнем культуры производства. Определено, что для Н202, кроме доработки по уменьшению содержания указанных примесей, требуется проведение мероприятий по снижению концентрации Mg и А1, а для NH4 °F — по снижению концентрации Fe.

4. Разработана система основных требований к физико-химическому взаимодействию твёрдых поверхностей с жидкими технологическими средами в процессах ЖХО, которая заключается в правилах подбора: полярности и величины С, — и Redox-потенциалов, способов уменьшения силы взаимодействия, механической интенсификации процессов и квалификации реактивов.

5. Разработаны процессы подготовки поверхности Si пластин в маршруте изготовления СБИС с использованием АПР и СПР с малыми концентрациями активных компонентов. Предложено использование данных процессов применительно к существующему оборудованию.

6. Проведён анализ источников следовых количеств химических загрязнений на поверхности кремниевых пластин в процессе жидкостной химической подготовки. Показана необходимость работы с Поставщиками химических реактивов по улучшению качества их продукции.

7. Показано, что уровень качества ДВ, используемой для приготовления технологических растворов, выше уровня качества химических реактивов. Материалы системы подачи ДВ и её элементы могут быть источниками химических примесей при транспортировке ДВ в рабочие ванны.

8. Изучены электрофизические параметры тонкого (ЮОА) подзатворного диоксида кремния, в маршруте формирования которого использовались раствора АПР и СПР с малыми концентрациями активных компонентов. Предложенные растворы обеспечивают электрофизические параметры, которые соответствуют требованиям производства изделий с проектными нормами 0,5 мкм и ниже, в то время как параметры, полученные при использовании стандартных растворов, не позволяет их использовать для производства изделий с субмикронными проектными нормами.

9. Разработана система эффективных процессов и рецептур с малыми концентрациями основных реагентов для очистки и защиты поверхности кремниевых пластин в процессе дальнейшей эксплуатации. Реализация вышеуказанных процессов позволяет производить защиту поверхности кремния как с помощью химического окисления кремния, так и с помощью водородных окончаний оборванных энергетических связей кремния.

Проведены технологические пробы по опробованию нового режима ЖХО поверхности (изменение рецептуры АПР и СПР), внедрены результаты исследований уровня качества отечественных ЖХР, ДВ и технологических сред. В результате использования модифицированных процессов при производстве изделий с субмикронными проектными нормами установлено, что теоретические разработки, положенные в их основу, верны.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Е., Сотников B.C., Иванов В. И. Процессы отмывки кремниевых подложек в производстве полупроводниковых приборов // Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1984. — Вып. 2 (1016).-52с.
  2. Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology: Science, Technology and Application / Ed. W. Kern. New Jersey: Noyes Publications, 1993.- 623 p.
  3. Henderson R. Silicon cleaning with Hydrogen peroxide solutions // J. Elecrochem. Soc. 1972. — v. l 19. — № 6. — P. 772−775.ф 4. National Technology Roadmap for Semiconductors. Semiconductor Industry
  4. Association. San-Jose. — 1997. — 512 p.
  5. Saito A., Ota K. Ultraclean surface processing of silicon wafers. Secrets of VLSI manufacturing / Ed. T. Hattori. Berlin: Springer. — 1998. — 543 p.
  6. Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing / Ed. R. Novak et. al. // Proceedings of the Sixth International Symposium. 2000. — Vol. 99−36.-454 p.
  7. Kern W., Puotinen D. Cleaning Solutions Based on Hydrogen Peroxide for Use on Silicon Semiconductor Technology // RCA Rev. 1970. — v. 31. — № 2. — P. 187−206.
  8. Mattox D.M. Surface cleaning in thin film technology. Thin Solid Films. -" 1978. — V.53. — № 1. — P. 81−96.
  9. Ю.Д., Райнова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. — 136 с.
  10. Ю.Физико-химические и электрические свойства плёнок паров различных веществ, адсорбированных на поверхности двуокиси кремния / А. А. Теверовский, Г. Т. Епифанов, B.C. Сотников. М.: ЦНИИ «Электроника», 1978.- 52 с.
  11. Speight J.D., Bell H.J. Observations on the aging Ti-based metallizations in air/HCl environments // Thin Solid Films. 1973. — V. 15. — № 3. — p. 325−335.
  12. B.C., Белановский А. С. Адсорбция ионов некоторых металлов травлении и промывке кремния // Журн. физ. химии. 1960. — Т. 34. -№ 9. -С. 2110−2117.
  13. B.C., Белановский А. С. Адсорбция ионов металлов при травлении и промывке кремния и германия // Доклад АН СССР. 1961. — Т. 137.-№ 5.-С. 1162−1163.
  14. B.C., Науменко Н. И. К вопросу об изучении адсорбции анионов кислот из электролитов на кремнии и германии // Радиохимия. 1970. -Т. 12.-№ 2.-С. 373−382.
  15. .Л. Исследование процессов загрязнения и очистки поверхности пластин кремния в планарной технологии транзисторов: Диссертация на соискание учёной степени кандидата технических наук. — Воронеж: 1968.- 135 с.
  16. Kern W. Semiconductor Surface Contamination Investigated by Radioactive Tracer Tecniques // Solid State Techn. 1972. — v. 15. — № 14. — P. 3435.
  17. Syverson D. An advanced dry/wet cleaning process for silicon surfaces // FSI International Technical report dry cleaning / rinsing / drying. TR 369. Jun. 1. 1991.-P. 3−7.
  18. Elliot D.J. Contamination control using a nitrogen-purged microenvironment // Solid State technology. Vol. 36. No 11. Nov. 1993. — P. 75−76.
  19. Ф.Л. Частицы ионообменной смолы на поверхности кремния // Микроэлектроника. 1974. — Т.З. — Вып. 4. — С. 365−369.
  20. А.А. Балыченко, В. И. Беклемышев и др. Процессы удаления алюминия с поверхности кремниевых пластин // Микроэлектроника. Том 20. Вып. 4. 1991. С. 410−424.
  21. .Д., Метлин Г. А., Хаблок Н. П. Методы контроля технологических процессов очистки поверхности деталей электронных приборов // Электронная техника. Сер. 6. Технология и организация производства. 1972. — Вып.4. — С. 59−67.
  22. .Г. Материалы для электроники: состояния и перспективы развития // Электронная промышленностью № 11−12. 1993. — С. 30−36.24Morita Е., Yoshimi Т., Shimanuki / J. Electrochem. Soc. Ext. Abstr. No. 237.-Spring mtg. — Vol. 1.- 1989.-P. 352−353.
  23. F.W., Itano M., Kawanabe I., Miyashita M., Ohmi T. // Proc. of the 11 th Workshop on ULSI Ultra Clean Tech. Adv. Wet Chem. Processing II. — Ultra Clean Soc. of Jpn. — 1991. — P. 21−37.
  24. A. / J. Electrochem. Soc. Ext. Abstr. No. 552. — Fall Mtg. — Vol. 2. -1991.-P. 824−835.
  25. S., Yano H. //J. Electrochem. Soc. Vol. 135. — No. 5. — 1988. -P. 1195−1201.
  26. Lyarht P. S. Addressing Cu Contamination via Spin-Etch Cleaning // Solid State Technology. Nov. 1999. — Vol. 42. — No. 11. — P. 63−70.
  27. Ryuta J. and al. Adsorption and Description of Metallic Impurities on Si Wafers in SCI Solution // J. Appl. Phys. Vol. 31. — 1992. — P. 50−62.
  28. ЗО.Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. — 1984. — 319с.
  29. К. // Semiconductor Silicon 1986. The Electrochemical Society. -Vol. 86−4.-P. 751−765.
  30. Г. Я., Зайцев H.A. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС. М.: Микрон-принт. — 1999. — Ч. I. — 226 с.• 35. Stacy W.T., Allison D.F. Metal Decorated Defects in Heat-Treated Silicon
  31. Wafers // J. Electrochem Soc.: Solid State Science and Technology. 1982. — Vol 129.-No 5. —P. 1128−1133.
  32. Reversz A.G. The Defect Structure of Vitreous SiC>2 Films on Silicon (II) // Phys/ Stat. Sol. 1986. — Vol. 57. — No. 1. — P. 657−666.
  33. Kobesta E., Irene E.A. SiC>2 Film Stress Distribution during Thermal Oxidation of Si // J. Vac. Sci. Techn. 1988. — Vol. 6. — No. 2. — P. 574−581.
  34. Singer P. Wafer cleaning: making the transition to surface engineering. -Semiconductor International. 1995. — P. 88−94.
  35. Comfort J.H., Garverick L.M., Reif R.J. Appl. Phys. -N 1. -Vol. 42. -1987.-P. 3388−3398.
  36. Manenshijn A. Ion bombardment and ion-assisted etching in rf discharges. Diss. -Delft. — 1991. — 147 p.
  37. Beam J.C., Becker G.E., Petroff P.M., Seidel Т.Е. J. Electrochem. Soc. -Vol. 48. New York. — 1977. — P. 907−916.
  38. Ghidini G., Smith F.W. J. Electrochem. Soc. New York. Vol. 131.-1984. -P. 2924−2934.
  39. Бух Ю., Вавра И. Термообработка Т-МОП-структур Дубна: Объединённый ин-т ядерных исследований. — 1977. — 6 с.
  40. К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. М.: Наука.-1986.
  41. Meyerson B.S., Ganin Е., Smith D.A., Ngyen T.N. Low Temperature Silicon Epitaxy by Hot Wall Ultrahigh Vacuum/Low Pressure Chemical Vapor Deposition Techniques: Surface Optimization / J. Electrochem. Soc. Vol. 133. — N 6.- 1986.-P. 1232−1235.
  42. Dry process: Papers presented at the 13th dry process symp., Tokyo, Oct. 23−24 1991 // Ed.: Y Horiike et al. Tokyo: Japan Soc. of appl. physics. — Japanese journal of applied physics. — Vol. 31. — N 6B. — 1992. — P. 1943−2048.
  43. Тилл, Лаксон Дж. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление. Пер. с англ. М.: Мир. — 1985.
  44. S., Pantano С., Ruzyllo J. / J. Electrochem. Soc. New York. -Vol. 137.- 1990.-P. 10−13.
  45. Dry process: The 15th Dry process symp., Tokyo, Nov. 1−2 1993 / DPs 93 // Ed.: Y Horiike et al. Tokyo: Japanese journal of applied physics. — Pt. 1. — Vol. 1.33. -N 4B. — 1994. — P. 2133−2438.
  46. Gluck R.M. Proc. Secomd Intern. Symp. on Cleaning Technol. In
  47. Semicond. Dev. Manufacturing // Eds. J. Ruzollo, R. Novak. The Electrochem Soc. — Pennington: N. J. — 1992. — P. 48−57.
  48. Dry process: Papers presented at the 16th Dry process symposium, held in Tokyo, 10−11 Nov. 1994 / DPs' 94 // Ed.: Y Horiike et al. Tokyo: Japanese journal of applied physics. — Pt. 1. — Vol. 34. — N 4B. — 1995. — P. 2073−2195.
  49. M., Danis C. / J. Mat. Res. Vol. 5. — 1990. — P. 1159−1168.
  50. Moslehi M.M., Chapman R.A., Wong M., Paranjpe A., Najm H.N., Kuehne J., Yeakley R. L. Davis C.J. IEEE Trans. Electron. Dev. Vol. 39. — 1992. — P. 4−7.
  51. А.И., Юдин B.B. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изд. 3-е. — М.: Высшая школа. — 1986.
  52. R.R., Cuthrell R.E., Mattox D.M., Bland K.D. / J. Vac. Sei. Technol. Vol. 11. — 1974. — P. 474−480.
  53. Norstrom H., Ostling M., Buchta R., Petersson C.S. Dry Cleaning of Contact Holes Using Ultraviolet (UV) Generated Ozone / J. Elect. Soc. Vol. 132. -N9.- 1985.-P. 2285−2287.
  54. M., Offenberg M., Kasi S., Rubloff G., Holloway K. / Proc. 22 nd Intern. Conf. Sol. St. Dev. and Materials. Sendai, Japan. — 1990. — P. 1099−1102.
  55. H., Ostling M., Buchta R., Peterson C.S. / J. Electrochem. Soc. -Vol. 132. 1985. — P. 2285−2287.
  56. Tabe M. Appl. Phys. Lett. Vol. 45. — N10. — 1984. — P.1073−1079.
  57. Kasi S.R., Liehr M. Appl. Phys. Lett. Vol. 57. — 1990. — P. 2095−2120.
  58. Ito T., Sugino R., Watanabe S., Nara Y., Sato Y. Proc. First Intern. Symp. on Cleaning Technol. in Semicond. Dev. Manufacturing //Eds.: J. Ruzzyllo, R. Novak. Pennington, N. J.: The Electrochem. Soc. — 1990. — P. 114−120.
  59. Sygino R., Okuno M., Shigeno M., Sato Y., Ohsawa A., Ito T., Okeu Y. / Proc. Second. Intern. Symp. on Cleaning Technol. in Semicond. Dev. Manufacturing // Eds.: J. Ruzyllo, R. Novak. Pennington, N. J.: The Electrochem. Soc. — 1992. — P. 72−79.
  60. Sato Y., Sugino R., Okuno M., Ito T. Proc. 22 nd Conf. Solid State Dev. and Materials. Sendai: Japan Society of Physics. — 1990. — P. 1103−1110.
  61. K., Ruzyllo J. / Proc. Second. Intern. Symp. on Cleaning Technol. in Semicond. Dev. Manufacturing // Eds.: J. Ruzyllo, R. Novak. Pennington, N. J.: The Electrochem. Soc. — 1992. — P. 80−86.
  62. M., Yokoyama S., Yamakade Y. / J. Vac. Sci. Technol. Vol. B3. -1985.-P. 1445−1451.
  63. Grant R., Torek K., Novak R., Ruzyllo J. Patent Application. 1992.
  64. Product Information, ClusterClean SP 200. SubMicron Systems, Inc. -Allentown, Pennsylvania.
  65. Anthony В., Breaux L., Has Т., Banoijee S., Tasch A. / J. Vac. Sci and Technol., Vol. B7. 1981. — P. 621−628.
  66. В.Ю., Данилин B.C., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. — М.: Радио и связь. 1983. — 126 с.
  67. .С., Киреев В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для очистки и травления материалов. -М.: Энергоатомиздат. 1987.
  68. R.A., Fountain G.G., Markunas R.J. / J. Appl. Phys. Vol. 60. -1986.-P. 3519−3526.
  69. Ultrapure chemicals. The Ohmi papers // The Super Clean room. 1996. -P. 155−157.
  70. Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology: Science, Technology and Application / Ed. W. Kern. New Jersey: Noyes Publications. -1993.-623 p.
  71. Proceeding of the satellite symposium to essderc 93. Grenoble. France, 1993.-244 p.
  72. ГОСТ 27 565–87. CT СЭВ 5769−86. Вещества особо чистые. Концентрирование микропримесей методом упаривания. Введ. 01.07.88. М.: Издательство стандартов, 1989. -8с.
  73. Проспект фирмы «Riedel-de-Наёп», 1996.
  74. Каталог фирмы «Merck», 1997.
  75. ГОСТ 11 125–84. Кислота азотная особой чистоты. Технические условия. Введ. 01.01.91. — М.: Издательство стандартов, 1986. 38 с.
  76. Кислота серная для микроэлектроники ос. ч. 18−4. Технические условия //ТУ 6−09−5344−87- Утв. 27.05.87. Зарегистрировано в МЦСМ, 1987. -32 с.
  77. ГОСТ 14 261–77. Кислота соляная особой чистоты. Технические условия. Введ. 01.01.80. М.: Издательство стандартов, 1989. 31 с.
  78. Водорода пероксид высокочистый. Технические условия // ТУ 2 611 035−5 807 977−95- Утв. 20.09.95. Зарегистрировано Нижегородским центром стандартизации и метрологии, 1995. — 31 с.
  79. ГОСТ 24 147–80. Аммиак водный особой чистоты. Технические условия. Введ. 01.01.81. М.: Издательство стандартов, 1990. Переиздание с Изменениями. — 30 с.
  80. Аммоний фторид (40%-ный раствор) (Аммоний фтористый) ос. ч. 5−4. Технические условия // ТУ 6−09−01−646−83- Утв. 10.08.83. Зарегистрировано и внесено в реестр отраслевой регистрации, 1992. С Изменениями. — 15 с.
  81. Проспект фирмы «Allied Signal». Electronic Chemicals. 1998.
  82. Couteau Т., McBride M., Riley D., Peavey P. Dilute Chemistries // Semiconductor International. 1998. Vol. 21, No 11. — P. 95−100.
  83. В., Chacon J., Menon V. / Proc. Second Intern. Symp. on Cleaning Technol. in Semicond. Dev. Manufacturing // Eds.: J. Ruzyllo, R. Novak. -The Electrochem. Soc. Pennington: N.J. — 1992. — P. 372−397.
  84. Wong M., Liu D.K.Y., Moslehi M.M., Reed D.W. / IEEE El. Dev. Lett. -Vol. 12. N 8. — 1991. — P. 425−431.
  85. Hoening S.A. Cleaning Surfaces with Dry Ice // Compressed Air Magazine. -N 1.- 1986. -P. 22−24.• 98. McDermott W.T., Ockovic R.C., Wu J.J., Miller R.J. Removing Submicron
  86. Surface Particles Using a Cryogenic Argon Aerosol Technique // Microcontamination.- V. 9.-N 10.- 1991. -P. 33−36.
  87. J.F., Narayanawani N., Syverson D.J. / Cleaning silicon wafers with an argon/nitrogen cryogenic aerosol process // Micro. V. 15. — N 4. — 1997. -P. 47−54.
  88. ЮО.Бокарёв В. П. Поверхностная энергия и плавление кристаллов // Труды Межведомственного Совета по комплексным проблемам физики, химии и биологии при Президиуме РАН. Москва — Екатеринбург. — 1995. — С. 67−68.
  89. Физическая электроника и интегральная технология / Известия // С.Петербург. гос. электротехн. ун-т им. В. И. Ульянова (Ленина). — вып. 474. Б. М.-1994.-73 с.
  90. М.Д., Кирюшина И. В. Моделирование технологии контроля при химической обработке пластин в производстве СБИС с субмикронными кристаллами // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1999.-Вып. 1(153).-С. 113−114.
  91. Kortshagen U.R., Bhandrkar U.V., Swihart М.Т., Girshick S.L. Generation and growth nanoparticles in low-pressure plasmas. Minneapolis (Mn): Univ. of Minnesota. Supercomputer institute. — 1999.
  92. Ryden K.-H., Norston H., Nender C., Berog S. Oxide Breakdown Due to Charge Accumulation during Plasma Etching // J. Electr. Society. Vol. 134. — N 12. — 1987.-P. 3113−3118.
  93. Misra D., Heasell E.L. A Study of Reactive Ion Etching (CF4+02 plasma) Induced Deep Levels in Silicon // J. Elec. Soc. Vol. 134. — N 4. — 1987. — P. 956 958.
  94. Faith T.J., O’Neill J.J., Irven R.S., Vossen J.L., Shaw J.M., Thomas J.H. Comparative Investigation of CF4-Plasma, Ar-Plasma, and Dilute-HF-Dip Cleaning Methods for (Al-Si)/n+Si Contacts // J. Elec. Soc. Vol. 134. — N 3. — 1987. — P. 665 668.
  95. Sparks D.R., Dissolution of Transition Metal Precipitates in Silicon by Rapid Thermal Processing / J. Elec. Soc. Vol. 134. — N 2. — 1987. — P. 458−462.
  96. Christenson K., Smith M., Werho D. Removing Metallic Contaminants in RCA-2 Clean as a Function of blend ratio and Temperature // Microcontaminantion. Vol. 12. No. 6. Jun. 1994.
  97. Lester M.A. Clean Approaches for Dual-Damascene // Semiconductor International. Vol. 22, no. 9. Aug. 1999. P.51.
  98. P. Singer. How to Future Chemical Purity. «Semiconductor International» 5. 1995.
  99. G. Chand, S. Brennan and all «The effect of dilute cleaning and rinsing chemistries on transition metal removal and Si Surface microroughness». Electrochemical Sosiety Proceeding Volume 99−36.
  100. Couteau T. Dilute RCA Cleaning Chemistries // Semiconductor International. Vol. 21. No. 11. Oct. 1998. P. 95−100.
  101. Escart С. Vortices and Streams Caused by Sound // Phys. Rev. Vol. 73 (l).-P. 68.
  102. Schlichting H. Boundary Layer Theory. N.Y.: McGraw-Hill, 1979.
  103. Christenson K.K. Benefits and Challenges of Centrifugal Spray Processor Technology 11 Solid State Technology. 1997. — Vol. 40 (12). — P. 55.
  104. Science and Technology of Semiconductor Surface Preparation / Ed. G.S. Higashi et. fl. // Materials Research Society Symposium Proceedings. Pittsburg -1997.-447 p.
  105. Stumm W. Chemistry of Solid Wafer Interface. N. Y.: John Willey. -1992.-344 p.
  106. Verhaverbeke S., Kuppurao S., Beaudry C., Truman J.K. Single-Wafer, Shot Cycle Time Wet Clean Technology // Semicinductor International. No. 7. -2002.-P. 35−41.
  107. Verhaverbeke S. et al. The Effect of Metallic Impuritieson the Dielectric Breakdown of Oxides and Some New Ways of Avoiding Them. Tech. Dig. IEDM. — 1991.-P.71−77.
  108. Ohmi T. Total Room Temperature Wet Cleaning of Silicon Surfaces // Semiconductor International. Vol. 19. No. 8. Jul. 1996.
  109. Meuris M., Merteus P.W., Overbek A. The IMEC Clean: a New Concept for Particle and Metal Removal on Si Surfaces // Solid State Technology. Vol. 38. No. 7. Jul. 1995. P. 109.
  110. Bush T.M., Handwick S.J., Wikol M.J. Overcoming the Barriers to Cleaning with Bubble-Free Ozonated De-Ionized Water // 1998 IEEE / SEMI Advanced Semicinductor Manufacturing Conference. P. 226−229.
  111. Saito T., Sasaki K., Ozawa S., Yoda I., Shimamura K. Clean Ozonized Water Production System // Ebara Engineering Review. No. 178. — 1998−1. — P. 6064.
  112. Parekh B. Ozone in Wet Cleans, Technology Part 1 // Applications Note MAL 126: Mykrolis. Formerly the Microlectronics Division of Millipore Corporation. — 11 p.
  113. Nelson S. Ozonated water for photoresist removal / Semiconductor International. No. 7. — 1999.• 131. High-Concentration DIO3 stripping // FSI Application Note: FSA1. ternational Document No. 1137-APS-0599. 2 p.
  114. Nelson S., Christenson K. The effect of temperature on ozonated wafer photoresist strip process // Electrochemical Society Proceedings. Vol. 99−36. — P. 189−196.
  115. И.В. Уровень качества отечественных жидких химических реактивов // Микроэлектроника и информатика 2001: Тез. докл. т
  116. Восьмая всеросс. межвузовская научн.-техн. конф. студентов и аспирантов. — М.: МИЭТ, 2001. С. 62.
  117. Hahn P.O., Grundner М., Schnegg A., Jacob N. The Physics and Chemistry of Si02 and the Si-Si02 Interface / Eds. C.R. Helms, B.E. Deal. NY: Plenum Press. — 1988 — 401 p.
  118. Mishima M., Yasui Т., Mizuniwa Т., Abe M., Ohmi Т. IEEE Trans, of Semiconductor Manufacturing. 2:69. — 1989.
  119. Ohmi Т., Miyashita M., Itano M., Imaoka Т., Kawanabe I. IEEE Trans, on Electron Dev. 39:537. — 1992.
  120. Verhaverbeke S., Meuris M., Mertens P.W., Heyns M.M. Philipossian A., Graf D., Schnegg A. Proc. Int. Electron Devices Meeting. 1991. — P. 71.
  121. Hall R.M. Investigating Particle Metallic Deposition in Megasonic Wafer Cleaning//MICRO. Vol. 14.No. 7. July/August. 1996. P. 81−90.
  122. Ultrasaund: Its Chemical, Physical and Biological Effects / Ed. K.S. Suslick. VCH Pub, 1998.
  123. Ю. Проектирование технологии очистки в процессе изготовления СБИС // Гл. 1. Технология прецизионной очистки. Всесоюзный центр переводов. № М-35 457. 1984. С. 1−63.
  124. Miyamoto М., Gotoh Н. Wet Chemical Cleaning for Damaged Layer Removal Inside the Deep Sub-Micron ContactHole // 1998 IEEE / SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference. P. 327−331.
  125. Heyns M.M., Maex K., Shild R. The IMEC-Clean: A New, Highly Efficient Cleaning and Drying Technology for Si Wafers // Semiconductor Fabtech. Issue 3.-1996.-P. 213.
  126. Morrison G.H. Trace Analysis. Physical Methods. New York: Interscience publishers a Division of J. Wiley and Sons. — 1965. — 416 p.
  127. Г. Г., Краснова С. Г., Яньков C.B. Примесный состав высокочистых веществ // Методы анализа высокочистых веществ. — М.: Наука. 1987.-С. 5−22.
  128. И.Г. Исследования в области анализа веществ высокой чистоты и полупроводниковых материалов / Диссертация на соискание ученой степени д. х. н. Новосибирск: Институт неорганической химии СО АН СССР. -1972.-420 с.
  129. Radley J.A., Grant J. Fluorescence Analysis in Ultraviolet Light. New Jersey: Van Nostrand. — 1984.
  130. H.C. Методы анализа по фотометрии пламени. М.: Химия. — 1967−307 с.
  131. Krupp Н. Advan. Colloid Interface Sci. Vol. 1. — Elsevier Science Publishers. — 1967. — P. 111−239.
  132. Rumpf H. Proceedings of the Second International Symposium on Agglomeration // Ed.: K.V.S. Sastry. Vol. 1. — New York: American Institute of Miming, Metallurgical, and Petroleum Engineers, Inc. — 1977. — P. 97−111.
  133. Bhattacharya S., Mittal K.L. Surf. Technol. Vol. 7. — 1978. — P. 413 541.
  134. Visser J. Surf. Colloid Science // Ed.: C.N. Davies. New York: Academic Press. — 1966. — P. 359−371.
  135. Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology: Science, Technology and Application / Ed. W. Kern. Noyes Publications, New Jersey, 1993. — 623 p.
  136. Proceedings of the 23rd Autumn Meeting of the Society of Chemical Engineers / Ed K. Ota et al. // № 1 Japan, 1990. — P. 60.
  137. И.В. Управление процессами жидкостной химической подготовки пластин с помощью Z- и редокс-потенциалов // Электроника и информатика XXI век. Третья Международная научно-техническая конференция: Тезисы докладов. — М.: МИЭТ, 2000. — С. 155−156.
  138. Meuris М., Mertens P.W., Opdebeeck A., Schmidt H.F. et al. The IMEC Clean: A New Concept for Particle and Metal Removal on Si Surfaces // Solid State Technology. July 1995. — P. 109−113.
  139. Latimer W.M. The oxidation states of the elements and their potentials in aqueous solutions. New York: Prentince Hall. — 1953. — P. 43−45.
  140. Cohen S.L., Syverson W., Basiliere S., Fleming M.J. et al. // Proc. 2nd Int. Symp. UCPSS. Sept. 1994. — P. 35.
  141. Christenson K.K. Benefits and Challenges of Centrifugal Spray Processor Technology // Solid State Technology. 1997. — Vol. 40 (12). — P. 55.171.0urmazd., Taylor D.W., Rentschler J.A., Bevk J. Phys. Re. Lett. 59:213. -1987.
  142. Higashi G.S., Chabal Y.J., Trucks G.W., Raghavachari K. Appl. Phys. Lett. 56:656.- 1990.• 173. Atalla M.M., Tannenbaum E., Scheibner E.J. Bell System Tech. Journal. 38:749.- 1959.
  143. Shnegg A., Lampert I., Jacob H. Electrochemical Society (ECS) Extended Abstracts, 85−1:394, Toronto. 1985.
  144. Hahn P.O., Henzler M.J. Vac. Sci. Technol. A2:574. 1984.
  145. Gibson J.M., Lanzerotti M.Y., Elser V. Appl. Phys. Lett. 55:1394.1989.
  146. Hahn P.O., Henzler M. J. Appl. Phys. 52:4122. 1981.178.0gura A. J. Electrochem. Soc. 138:807. 1991.
  147. Watanabe S., Nakayama N., Ito T. Appl. Phys. Lett. Vol 59. — 1991. -P.14 581 468.
  148. X.A., Порейфер Г. Г., Уинсиоу Э. Г., Земани П. Д. Применение поглощения и испускания рентгеновских лучей. М.: Металлургиздат. -1964.
  149. Henke B.L. X-Ray Optics and X-Ray Microanalysis. New York: Academic Press. -1963.
  150. Campbell W.J., Leon M., Thatcher J.W. Advances in X-Ray Analysis. -New York: Plenum Press. 1960. — P. 193.
  151. Campbell W.J., Thatcher J.W. Fluorescent X-Ray Spectrography: Determination of Trace Elements. U.S. Bur. Mines. — Rept. Invest. 5966. — 1962.
  152. Castaing R. Electron Probe Microanalysis // Advances in Electronics and Electron Physics. Vol. 13. — New York: Academic Press. — 1960. — 370 p.
  153. .Л. Исследование процессов загрязнения и очистки поверхности пластин кремния в планарной технологии транзисторов / Дисс. к.т.н. Воронеж. — 1968. — 135 с.
  154. Т.Я. Очистка поверхности кремниевых пластин от органических и неорганических примесей / Дисс. к.т.н. — Москва. 1990. — 153 с.
  155. Gerald N. et al. HF-last performance using direct-displacement wet processing technology.
  156. Meyer F., White J.B. Acid Etching Chemistry Characterizes Silicon Wafer Surface Metals // J. Semiconductor International. Vol. 22, No. 8. — July 1999. -P.137−144.
  157. Справочник химика. Т. II. Свойства неорганических соединений // Ред. Никольский Б. П. и др. — Л.: Химия, 1964. — 1168 с.
  158. Л.З., Кирюшина И. В. Механизм адсорбции микрочастиц в жидких технологических средах и способы их десорбции // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 2000−2001. — Вып. 1(154)-1(155). — С. 5459.
  159. Chemi International Standard // SEMI C8.4−95. SEMI 1992, 1996. — P.1.2.193 .Краткая химическая энциклопедия / Ред. И. Л. Кнунянц и др. — Т. 4. Пирометаллургия С. — М.: Советская Энциклопедия. — 1965. — С. 98−101.
  160. Itano М., Kezuka Т. Particle adhesion and Removal on Wafer Surfaces in RCA cleaning // Daikin Industries.
  161. Taylor J.K., Maienthal E.J., Marinenko G. Electrochemical method’s analyst: Trace Analysis Physical Methods. New York: Intercience Publishers a Division of J. Wiley and Sons. — 1985. — P. 279−320/
  162. .Я., Пац Р.Г., Салихджанова Р.М.-Ф. Вольтамперометрия переменного тока. М.: Химия. — 1985. — 264 с.
  163. Т.И. Инверсионная вольтамперометрия микроколичеств лития, натрия и калия в анализе высокочистых веществ и технологических сред• // Диссертация на соискание учёной степени к. х. н. Томск: Томскийполитехнический университет. 1989. — 155 с.
  164. Г. К., Казаков В. Е. Современные полярографы // Заводская лаборатория. 1999.-Т. 65. -№ 11.-С. 3−12.
  165. Г. К., Казаков В. Е. Электроаналитическое оборудование фирмы Bioanalytical Systems // Аналитическая химия. 2000. -Т. 55. — № 2. — С. 212−217.
  166. А.Г., Каплин A.A., Карбаинов Ю. А., Назаров Б. Ф., Колпакова H.A., Слепченко Т. Б., Иванов Ю. А. Инверсионная вольтамперометрия в работах Томской научной школы // Химия и химическая технология. 2000. -Т. 43. — Вып. 3. — С. 8−33.
  167. Спектрофотометрические методы определения следов элементов / Под ред. Г. Х. Моррисона. М.: Мир, 1979.203 .Приборы и методы анализа в ближней инфракрасной области / Вечкасов H.A. и др. М.: Химия, 1977.
  168. Н.И., Семененко К. А., Хлыстова А. Д. Методы спектрального и химико-спектрального анализа. — М.: МГУ. — 1973.
  169. И.Г., Буянова JI.M., Шелпакова Н. Р. Химико-спектральный анализ веществ высокой чистоты. — Новосибирск: Наука. — 1980.
  170. И.Г. Лаборатория контроля чистоты полупроводниковых материалов института неорганической химии СО АН СССР // Ж. аналит. химии. 1982.-Т. 37.-№ 10.-С. 1903−1907.i
  171. A.M. Полярографические методы в аналитической химии. М.: Химия. — 1983.-328 с.
  172. Спектральный анализ чистых веществ / Под ред. Х. И. Зальберштейна. -Л.: Химия. 1971.
  173. A.A., Санников В. А. Электронная техника. Серия 7, 1980, вып. 4.
  174. A.A., Пичугина В. М. Тезисы всесоюзной конференции по электрохимическим методам анализа. Ч. 1. — Томск, 1980, с. 72.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!